TW399277B - Semiconductor device and its testing method - Google Patents

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五、發明説明（3 ) 另外，在半導體裝置中，於通常動作時為著保證其可靠 度，所以設有各種保護電路。 圖34用來表示被揭示在日本專利案特開昭6卜232658號 公報之輸入保護電路之構造。在圖34中，輸入保護電路被 連接在外部梢端子7和内部電路11之間。該輸入保護電路 包含有：電流限制用之電阻體8，被連接在內部電路11之 輸入節點N A和外部端子7之間；P + / N -接合二極體9 a，順向 連接在内部節點NA和電源節點VCC之間；和P-/N +接合二極 體9b，反向連接在内部節點NA和接地節點VSS之間。 内部電路11具備有由P通道MOS電晶體11a和η通道MOS電 晶體lib所構成之CMOS反相器之構造*用來使施加在内部 節點NA之信號之邐輯產生反轉，然後將其傳達到其他之内 部電路。該内部電路11具備有作為輸入緩衝器之功能。 P + /H-接合二極體9a和P-/N +接合二極體9b，經由使其連 接到內部節點NA之部份之不純物濃度變高，可Μ用來提高 耐壓。下面將簡單的說明其動作。 假設接合二極體9a之順向電壓降為V9a，接合二極體9b 之順向電壓降為V 9 b。當内部節點N A之電壓V A上升到大於 VCC+V9a，，接合二極體9a就進行導通，用來防止節點NA 上之電壓VA變成大於電壓VCC+V9a之電壓位準。其中之 VCC表示電源節點VCC上之電壓。相反的，當節點NA上之電 壓VA變成小於VSS — V9b時，該接合二極體9b就進行導通， 將電流從接地酣點VSS供給到内部節點NA，用來使内部節 點NA上之電壓上升，藉K防止該內部節點NA上之電壓VA變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公楚） (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) I 裝-------訂--- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 - 6 -修正頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7

五、發明説明（D

[發明所靨之技術領域] 本發明有關 於半導體裝置，尤其有關於具有保護電路 用來對連接到外部端子之内部節點之電位進行定位之半導 體裝置及其試驗方法。更有闞於用來將內部節點之電位正 確的設定在指定之電壓位準之構造和方法。 [習知之技術] 目前經常將微電腦，記憶器裝置和閘陣列等之各種半導 體裝置裝載在包含個人電腦和工作站之各種電化製品。該 等半導體裝置有很多是利用適於高密集化和低消耗電力化 之MOS電晶臞（絕緣閘型場效電晶體）來構成。MMOS電晶鱷 作為構成元件之記憶器有DRAM(動態随機存取記憶器）。該 DRAM近年來朝向大容量化進展，常被使用作個人電腦和工 作站之主記憶器。随著個人電腦和工作站之高性能化和低 價格化，對於DRAM更要求其低成本化和高性能化。但是， 為著要提供高性能和高可靠度之DRAM製品，所Μ需要進行 各種複雜之特性試驗，因此會產生測試時間變長和製品成 本變高之問題。 為著要解決此問題，在微電腦和閘陣列等之缠輯裝置中 ，以容易進行測試之方式，在設計階段將易於測試之功能 組合到裝置內，在半導體記憶器中亦必需要有容易測試之 設計用來解決該問題。此種容易測試之設計的其中之一是 與DRAM之測試時間之縮短有闞之JEDEC(结合電子裝置工程 產品），用來使多位元測試標準化。在該多位元測試中* 經由使資料退縮，用來減少存取次數藉以縮短測試時間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 4 ----：---S---—裝-- /. _ V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Λ7 五、發明説明（6 ) 極體9b之順向電壓降V9b時，會發生有不能正確測定該基 板電位產生電路15所產生之基板電壓VBB之電壓位準之問 題。 亦即，如圖3 6所示，在負電壓V B B之絕對值大於接合二 極體9b之順向電壓降V9b(=V clamp)之情況時，傳達到内 部節點NA之負電壓VBB之電壓位準經由該接合二極體9b被 定位，在外部端子7監視到之電壓V MON不是實際之負電壓 VBB之電壓位準，而是比其高電位AV之定位位準V clamp (=V9b)之電壓位準，因此，經由外部端子7從外部監視到 之電壓V MON和基板電位產生電路15實際產生之負電壓VBB 之電壓位準變成互不相同，所Μ會發生不能檢測正確之電 位位準之問題。 在Μ下所說明之IF洩漏測試中，利用該圖34和圖35所示 之接合二極體9b，該接合二極體9b不可Μ刪除。 圖37(A)表示IF洩漏測試（梢接觸試驗）之配置。如圖 37 (A)所示，電阻體8連接到被設在該半導體裝置之晶片週 邊之襯墊70a。該襯墊70a經由结合線70b形成與外部端子7 產生電連接。在IF洩漏測試（梢接觸試驗）時，测試該外部 端子7和襯墊70a是否確實的電連接。亦即 > 在該測試時， 經由電流計70c將負電壓VEH施加到該外部端子7。當施加 到該外部端子7之負電壓V E N之絕對值變成大於接合二極體 9b之順向電壓降V9b時，就有電流IA從接地節點VSS經由電 阻體8、襯墊7 0 a，結合線7 0 b流到外部端子7。 圖37(B)表示此種IF洩漏測試（梢接觸試驗）之情況時之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公浼） —9 -修正頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明就明 ( 广 ) 1 1 亦 即 對 於 在 通 常 模 態 中 需 要 多 次 存 取 之 多 個 記 憶 器 單 元 1 1 I » 在 測 試 模 態 時 只 要 1次之存取就可Κ寫入相同之資料 1 1 I 〇 在 晶 片 內 部 讀 出 被 寫 入 在 該 多 個 記 憶 器 單 元 之 資 料 * Μ 請 先 1 I 閲 1次之存取循環輸出用Μ表示被讀出之資料之«輯是否- 眢 I η ιέ 1 I 致 之 信 號 〇 因 為 可 以 同 時 測 試 多 個 記 憶 器 單 元 所 Μ 當 與 之 注 ( 各 個 記 憶 器 單 元 個 別 測 試 之 情 況 比 較 時 可 以 大 幅 的 縮 短 思 事 1 項 测 試 時 間 〇 再 填 1 另 外 在 JEDEC中未被標準化之對DRAM之各種测試模態 寫 本 頁 裝 1 亦 被 提 議 〇 例 如 曰 本 專 利 案 特 開 平 5- 242698號 公 報 之 方 1 1 式 其 方 法 是 Μ 常 溫 實 現 高 溫 動 作 狀 況 〇 在 此 種 方 法 中 > 1 1 由 多 個 串 级 連 接 之 反 相 器 所 形 成 之 用 Μ 延 遲 特 定 之 控 制 信 1 訂 號 之 延 遲 練 之 反 相 器 之 段 數 在 測 試 模 態 時 被 減 少 而 且 與 1 I 該 延 遲 辣 有 闞 之 特 定 之 存 取 匯 流 排 (資料輸入/ 輸 出 路 徑 ) 1 1 被 短 路 〇 經 由 將 延 遲 辣 之 反 相 器 段 數 減 少 可 Μ 使 延 遲 時 1 1 間 減 小 另 外 經 由 使 特 定 之 存 取 匯 流 排 短 路 可 Μ 縮 短 資 1 旅 料 之 轉 送 時 間 利 用 瑄 種 方 式 相 當 於 >λ 常 溫 動 作 狀 況 實 現 I I 高 溫 時 之 動 作 狀 況 〇 1 I 另 外 測 試 半 導 體 裝 置 之 可 靠 度 之 方 法 是 使 施 加 在 半 導 1 Τ 體 基 板 區 域 之 基 板 偏 移 電 壓 之 位 準 進 行 變 化 9 用 來 加 速 與 1 1 該 基 板 偏 移 電 壓 有 關 之 半 導 體 裝 置 之 不 良 〇 1 | 另 外 如 同 曰 本 專 利 案 特 開 平 6- 194424號 公 報 所 提 議 之 1 I 方 法 在 測 試 模 態 時 將 裝 置 内 部 所 產 生 之 内 部 電 壓 傳 達 到 1 1 I 特 定 之 襯 墊 $ 可 >λ 從 外 部 很 容 易 的 監 視 該 內 部 電 壓 是 否 為 1 1 指 定 之 電 壓 位 準 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐）

經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（18 ) 15之輸出部電連接到内部節點NA。該第1内部電位連接電 路60由η通道MOS電晶體Q13所構成，被連接在內部節點NA 和基板電位產生電路15之輸出部之間，Μ其閘極接受第2 控制信號G c π 11。 第2控制電路40包含有：反相器IV2，用來使測試模態指 示信號TEST1進行反相；p通道M0S電晶體Q9，被連接在電 源節點（第2基準電壓源）和節點D之間* K其閘極接受測試 模態指示信號TEST1 ; p通道M0S電晶體Q10，被連接在電源 節點VCC和節點E之間，Μ其閘極接受反相器IV2之輸出信 號；η通道M0S電晶體Q11，被連接在節點D和負電壓施加節 點VBB之間，其閘極連接在節點Ε;和η通道M0S電晶體Q12 ，被連接在節點Ε和負電壓施加節點VBB之間，其閘極連接 到節點D。從節點Ε输出第2控制信號Gcntl。控制電路30和 40之負電壓施加節點VBB结合在基板電位產生電路15之輸 出部。下面將參照圖2之動作波形圖用來說明圖1所示之半 導體裝置之動作。 在第1保護電路20中，該M0S電晶體Q2具有大的臨界值電 壓。當K V2表示該M0S電晶體Q2之臨界值電壓時，該M0S電 晶體Q2，在電阻體R1和R2之連接部之電位變成-V2W下時 ，就進行導通，從接地節點VSS將電流供給到該電阻體 R1和R2之連接部。M0S電晶體Q2具有場絕緣膜作為閘極 絕緣膜，因此，當與被包含在第1定位電路1 0之MO S電晶 體Q3和Q4之臨界值電壓比較時，具有很大之臨界值電壓。 因此，在將大的負突波電壓施加到外部端子7之情況時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公錄） - 21 -修正頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明説明（3 ) 另外，在半導體裝置中，於通常動作時為著保證其可靠 度，所以設有各種保護電路。 圖34用來表示被揭示在日本專利案特開昭6卜232658號 公報之輸入保護電路之構造。在圖34中，輸入保護電路被 連接在外部梢端子7和内部電路11之間。該輸入保護電路 包含有：電流限制用之電阻體8，被連接在內部電路11之 輸入節點N A和外部端子7之間；P + / N -接合二極體9 a，順向 連接在内部節點NA和電源節點VCC之間；和P-/N +接合二極 體9b，反向連接在内部節點NA和接地節點VSS之間。 内部電路11具備有由P通道MOS電晶體11a和η通道MOS電 晶體lib所構成之CMOS反相器之構造*用來使施加在内部 節點NA之信號之邐輯產生反轉，然後將其傳達到其他之内 部電路。該内部電路11具備有作為輸入緩衝器之功能。 P + /H-接合二極體9a和P-/N +接合二極體9b，經由使其連 接到內部節點NA之部份之不純物濃度變高，可Μ用來提高 耐壓。下面將簡單的說明其動作。 假設接合二極體9a之順向電壓降為V9a，接合二極體9b 之順向電壓降為V 9 b。當内部節點N A之電壓V A上升到大於 VCC+V9a，，接合二極體9a就進行導通，用來防止節點NA 上之電壓VA變成大於電壓VCC+V9a之電壓位準。其中之 VCC表示電源節點VCC上之電壓。相反的，當節點NA上之電 壓VA變成小於VSS — V9b時，該接合二極體9b就進行導通， 將電流從接地酣點VSS供給到内部節點NA，用來使内部節 點NA上之電壓上升，藉K防止該內部節點NA上之電壓VA變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公楚） (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) I 裝-------訂--- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 - 6 -修正頁

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.^47 yfcrA- 7 ! I --------IB7 … 五、發明説明（20 ) MOS電晶體Q3就進行導通*電流從接地節點VSS流向内部節 點NA，使該内部節點NA之電位上升。因此，該内部節點NA 之最低電位被定位在-V3之電位位準。 在第2控制電路40中，與第1控制電路同樣的，因為監視 強制模態活性化信號TEST1變成接地電壓VSS位準之低位準 ，所以節點D之電位為電源電壓VCC之位準，節點E之電位 為負電壓VBB之位準。因此，在第1内部電位連接電路60中 *施加在M0S電晶體Q13之閛極之第2控制信號Gcntl之電位 位準與其源極（基板電位產生電路15之輸出部）之電位相同 ，維持OFF狀態，用來使內部節點NA和基板電位產生電路 15之輸出部產生電的分離。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，在此種狀態，第1定位電路10和第1保護電路20當 作通常之輸人保護電路的進行動作，另外，利用第1定位 電路10可以進行梢接觸試驗。亦即，將指定之電壓位準之 負壓VF (VF< -V3)施加到外部端子7用來使M0S電晶體Q3變 成導通狀態，產生電流從接地節點VSS流向外部端子7。利 用疸種方式可K試驗外部端子7是否確實的與內部之襯墊（ 如圖1所示）產生電連接。因此，在半導體装置之封装收納 後之最終測試亦可Μ確實的進行梢接觸試驗。 有的情況是在進行梢接觸試驗時*將從外部施加之電源 電壓VCC設定成低於通常使用之電壓位準。在使用該外部 電源電壓VCC藉以產生負電壓（偏移電壓）VBB之情況時，可 从使該負電壓V Β Β之絕對值變小。依照基板電位產生電路 15之構造（基板電位產生電路之構造將於後面說明），在利 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） —23 -修正頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4) 成小於VSS— V9b。經由使用接合二極體9a和9b，當有突波 等之雜訊施加到外部端子7時，可Μ防止内部節點NA之電 壓位準異常的變成髙電壓或低電壓，利用這種方式，可Μ 防止由於内部電路11被施加過電壓所發生之MOS電晶體11a 和lib之絕緣破壊。電阻體8所具備之功能是當有過電壓施 加到外部端子7時，用來防止由於大電流在接合二極體9a 和/或9b流動而造成PN接合之破壊。另外，當在外部端子7 產生有過電流時，電阻體8具備有抑制該過電流之功能。 經由使用上述方式之輸入保護電路，可Μ將内部節點NA 之電懕VA保持在VCC+V9a和VSS — V9b之間之電壓位準，藉 Μ防止内部電路11被施加異常電壓，因此，可Μ防止該內 部電路11由於異常電壓而造成錯誤動作或被破壞，所Μ可 Μ保證半導體裝置之可靠度。 [發明所欲解決之問題] 半導體裝置經由Μ樹脂密封等，被收納在封裝内，然後 出貨。半専體裝置除了晶片位準之測試外，适要接受產品 出貨前之最終测試。在該最終測試時，信號之輸入/輪出 全部經由外部梢端子（引線端子）來進行（因為半導體裝置 被收納在封裝内）。在這種情況，當設置有如圖3 4所示之 輸入保護電路時，經由外部端子7進行信號之輸入/輸出， 有時會發生不能正確的進行所希望之測試。 圖35表示内部電壓檢測测試之配置之一實例。在靨35中 所示之配置是從外部監視基板電位產生電路15所產生之基 板電位VBB之電壓位準。該基板電位產生電路15是在半導 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ 7 - I--：---ί---—裝------訂------球---y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

:公告

五、發明説明（89 ) 外之 另號 〇 信 制 控。 受體 接晶 極電 鬧0SMf 替 代 來 用 體 晶 電 極 雙 用 利 Μ 可 也 之 位 電 定 固 受 接 極 閘Μ 和 撞 晶 電 制準為 控位因 生有。 產備路 M具電 用要換 時只變 號，準 信路位 化電之 性換造 活變構 態準意 模位任 制之用 強含利 視包以 監所可 應路亦 回電 ， 在制者 , 控能 外之功 另號換 信變 壓進 電號 壓信 升擇 有選 加之 施器 上碼 線解 字自 擇來 選，對 之與 中用 置利 装 K 憶可 記亦 體以 導所 半， 性壓 變電 不負 在或 造 構 之 I B 同 V 相壓 造電 構負 之為 換作 變， 準外 位另 行 者 加 施 用 使 是 例 實 一 之 明 說 所 可壓電 亦電之 壓負線 電該字 負在擇 該。選 , 壓非 是電於 但負由 。之時 壓線擇 電字選 移擇線 偏選字 板非在 基之止 之中防 域AMM 區DR可 板到， 基達中 體傳式 導用方 半使線 在 K 字

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Λ7 五、發明説明（6 ) 極體9b之順向電壓降V9b時，會發生有不能正確測定該基 板電位產生電路15所產生之基板電壓VBB之電壓位準之問 題。 亦即，如圖3 6所示，在負電壓V B B之絕對值大於接合二 極體9b之順向電壓降V9b(=V clamp)之情況時，傳達到内 部節點NA之負電壓VBB之電壓位準經由該接合二極體9b被 定位，在外部端子7監視到之電壓V MON不是實際之負電壓 VBB之電壓位準，而是比其高電位AV之定位位準V clamp (=V9b)之電壓位準，因此，經由外部端子7從外部監視到 之電壓V MON和基板電位產生電路15實際產生之負電壓VBB 之電壓位準變成互不相同，所Μ會發生不能檢測正確之電 位位準之問題。 在Μ下所說明之IF洩漏測試中，利用該圖34和圖35所示 之接合二極體9b，該接合二極體9b不可Μ刪除。 圖37(A)表示IF洩漏測試（梢接觸試驗）之配置。如圖 37 (A)所示，電阻體8連接到被設在該半導體裝置之晶片週 邊之襯墊70a。該襯墊70a經由结合線70b形成與外部端子7 產生電連接。在IF洩漏測試（梢接觸試驗）時，测試該外部 端子7和襯墊70a是否確實的電連接。亦即 > 在該測試時， 經由電流計70c將負電壓VEH施加到該外部端子7。當施加 到該外部端子7之負電壓V E N之絕對值變成大於接合二極體 9b之順向電壓降V9b時，就有電流IA從接地節點VSS經由電 阻體8、襯墊7 0 a，結合線7 0 b流到外部端子7。 圖37(B)表示此種IF洩漏測試（梢接觸試驗）之情況時之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公浼） —9 -修正頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7) 電壓一電流特性，當將指定之電壓位準之負電壓VF施加到 外部端子7時，經由識別利用該電流計70c所檢測到之電流 值I Μ是否大於指定之值*可Μ用來檢査外部端子7和襯墊 70a是否正常的電連接。 為著進行上述方式之IF洩漏測試（梢接觸試驗），所K不 可Μ沒有該接合二極體9b。但是，設有此種輸入保護電路 之接合二極體9b時，如圖35所示，會發生有不能從外部正 確監視該基板電位產生電路15所產生之基板 窜位VBB之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) IJ . 丨裝- 體 題導 問半 之在 準， 位外 壓另 電 後 納 收 裝 封 之 置 裝 體 導 半 在 最 之 置 裝 試 0 要 著 為 裕 餘 作 肋 39 ο 行 丨進 良 不 試點 之節 準部 加電 之驗 位 壓 電 之 望 希 所 加 施 7 子 端 部 外 從 以 所 等 逋 點 節 部 内 該 與 到 加 施 在 壓

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.1T -—滅_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 性導 特半 之使 望， 希明 所說 行细 進詳 能之 不面 有後 會如 以驗 所試 ’ 性 態特 狀該 部 。 内生 之發 題 問 體之 導驗 半試 憶 記 體 --T· 置題置述僅本體 。 裝問裝所不，導驗 之 之 。 。 成 時 良造壓 不所電 新體高 復極加 停二施 暫位在 速定生 加之發 來中也 用路且 , 電 而 深護， 加保壓 壓入電 偏輸負 板於在 基由生 之發 僅 不 上 ， 如題 問 此半試 因之之 能望 功希 護所 保施 路實 aaa 勺 霉 部確 内正 有M 備可 具亦 種後 一 納 供收 提裝 是封 的被 目在 之 ， 明置 發裝 10 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 8 ) 1 1 本 發 明 之 另 一 百 的 是 提供一種半導體裝置 ，在測試時， 1 1 I 可 Μ 在 外 部 和 内 部 節 點 之間進行所希望之位 準之電壓之接 1 1 I 受 而 且 在 通 常 動 作 棋 態時可Μ保護内部電 路使其不會受 請 先 1 1 閱 到 外 部 突 波 等 之 異 常 電 壓/電流之影響。 讀 背 1 I Λ 1 I 本 發 明 更 有 另 — 百 的 是提供一種具有内部 電路保護功能 之 注 | 之 半 導 體 裝 置 可 Μ 實 施被封裝收納後之內 部電位之外部 意 事 1 項 監 視 外 部 電 位 之 腌 加 到内部節點，和梢接 觸試驗 再 填 1 [解決問題之手段] 寫 本 頁 裝 1 申 請 專 利 範 圃 第 1項之半導體裝置具備有 第1定位裝置 1 1 9 結 合 在 被 結 合 到 外 部 端子之內部節點和第 1基準電 壓源 1 1 之 間 用 來 將 該 内 部 節 點之電位定位在第1指定電位 位準 1 訂 ’· 和 控 制 裝 置 在 回 應 測試模態指示信號時 ，用來產生禁 1 I 止 該 第 1定位裝置進行定位動作之控制信號 然後將 其施 1 I · 加 到 第 1定位裝置。 1 1 串 請 專 利 範 圍 第 2項之半導體装置是在申請專利範 圍第1 I 球 項 之 半 導 體 裝 置 中 使 第 1定位裝置包含有互相串聯在 内部 1 1 節 點 和 第 1基準電壓源之間之至少為1個之第 1絕緣閘 型場 -1 1 I 效 電 晶 體 和 至 少 第 1個之第2絕緣閘型場效電 晶體。第1絕 1 Τ 緣 閘 型 場 效 電 晶 體 kk 其 閘極接受第1基準電Μ源之電 壓， 1 1 第 2絕緣閘型場效電晶體Μ其閘極接受來自控制裝置 之控 1 I 制 信 號 〇 1 I 甲 請 專 利 範 圍 第 3項之半等體裝置是在申請專利範 圍第2 1 1 | 項 之 半 導 體 裝 置 中 使 第 1絕緣閘型場效電晶體被連接 到内 1 1 部 節 點 和 使 第 2絕緣閘型場效電晶钃被連接在第1絕緣閘 1 1 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明熱明（) 型埸效電晶體和第1基準電颳源之間。 申請專利範圍第4項之半導體裝置是在申請專利範圃第2 項之半導通裝置中使第2絕緣閘型場效電晶體被連接到内 部節點，和使第1絕緣閘型埸效電晶體被連接在内部節點 和第2絕緣閘型場效電晶體之間。 申請專利範圍第5項之半導體裝置是在申請專利範圍第2 項之裝置中使第1絕緣閘型場效電晶體具有第1導電型，和 使第2絕緣閘型場效電晶體具有第2導電型。 申請專利範圍第6項之半導體裝置是在申請專利範圍第2 項之裝置中使第1和第2絕緣閘型場效電晶體均具有第1導 電型。 申請專利範圍第7項之半導體裝置是在申請專利範圍第1 項之裝置中使定位裝置具備有1個之絕緣閘型場效電晶體 ，被連接在内部節點和第1基準電壓源之間，Μ其閘極接 受來自控制裝置之控制信號。 申請專利範画第8項之半専體裝置是在申請專利範園第2 或7項之裝置中更具備有：内部電壓產生裝置，用來產生 絕對值比第1基準電壓源之電II大之内部電壓；和内部電 壓連接裝置，在回應測試模態指示信號時，用來使内部電 壓產生裝置之輸出部結合到內部節點；控制裝置包含有一 裝置，在測試模態指示信號之活性化時，用來產生該内部 電壓產生裝置之輪出部之電壓位準之控制信號。 申請專利範圍第9項之半導體裝置是在申請專利範围第1 項之裝置中使定位裝置具備有串聯連接在内部節點和基準 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ 9 _ _ ^1-^1 m - I I I I ,/· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 —球. --Γ. •Ύ—. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（!乂)） 電壓源之間之第1和第2絕緣閘型場效電晶體；控制裝置包 含有：第I控制信號產生裝置*在测試模態指示信號之活 性化時產生使第1絕緣閘型場效電晶體成為導通狀態之電 壓作為控制信號，和在测試模態指示信號之非活性化時產 生第1基準電壓源之電壓位準之電壓作為控制信號，然後 施加到第1絕緣閘型場效電晶體之閘極電極節點；和第2控 制信號產生裝置，在测試模態指示信號之活性化時，產生 内部節點上之電壓位準之電壓，和在测試模態指示信號之 非活性化時，產生第1基準電壓源之電壓位準之電壓，然 後施加到第2絕緣閘型場效電晶體之閘極電極節點。 申請專利範圍第10項之半導體裝置是在申請專利範画第 9項之半導體裝置中使第1絕緣閘型場效電晶體被連接部 節點*在和第2絕緣閘型場效電晶體结合在第1絕緣閘型場 效電晶體和第1基準電壓源之間。 申請專利範圍第11項之半導體裝置是在申請專利範圍第 9項之裝置中使第2絕緣閘型場效電晶體被連接在内部節點 ，和使第1涵緣閘型場效電晶體结合在第2絕緣閘型場效電 晶體和第1基準電壓源之間。 申請專利範圍第12項之半導體裝置是在申請專利範圍第 7項之裝置中使控制裝置包含有輸出裝置，在测試模態指 示信號之非活性化時產生第1基準電壓源之電壓位準之電 壓，和在測試模態指示信號之活性化時產生被傳達到内部 節點之電壓位準之電壓，分別當作控制信號的進行輸出。 申請專利範圍第13項之半導體裝置是在申請專利範圃第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2! Ο X 297公釐） _ ·] q _ -------1---—裝------訂------球--r--*― (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（U) 7或12項之裝置中使控制裝置具備有：第1控制信號產生裝 置，用來接受測試模態指示信號，藉Μ產生互補信號，該 互補信號分別具有第2基準電壓源之電壓位準和在測試動 作模態時被傳達到内部節點之電壓位準；和第2控制信號 產生裝置，用來接受互補信號，在測試模態指示信號之非 活性化時，輸出第1基準電懕源之電壓位準之信號，在測 試模態指示信號之活性化時，產生在測試模態動作時被傳 達到内部節點之電壓位準之信號，然後將其施加到MOS電 晶體之閘極。 申請專利範画第14項之半導體装置是在申請專利範圍第 1、2或7項之裝置中使其更具備有：内部電壓產生裝置， 用來產生絕對值比第1基準電壓源之電壓大之内部電颳； 和連接裝置*在回應來自控制裝置之控制信號時，用來使 内部電壓產生裝置之輸出部结合到內部節點。 申請專利範圍第15項之半導體裝置是在申請專利範圃第 14項之裝置中使連接裝置具備有第1導電型之絕緣閘型場 效電晶體。和第2絕緣閘型場效電晶體具有第2導電型，控 制裝置包含有一裝置，在测試模態指示信號之活性化時輸 出邏輯值與第1基準電壓源之電壓不同之第2基準電壓源之 電壓，在測試模態指示信號之非活性化時輸出内部電壓產 生裝置之輸出部之電壓位準之電壓*然後將其施加到連接 裝置之絕緣閘型場效電晶體和第2絕緣閘型場效電晶體之 閘極。 申請專利範圍第16項之半導體裝置是在申請專利範圍第 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ ] 4 - ----j---,---飞裝------訂------味--^--Τ— / Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 Β7五、發明説明（！ 2) 中電试置m關 裝* U 之1該 項Μκ CNJ 比回 電之 部大 内壓 有電 含之 包源 更臛 時 號 信 示 指 態 楔 之 值在 h 置 對，裝 絕M U 生裝Η 產® U 來 all 用和Η 置二 裝壓使 ub Ε β 生1 產部1" 用 壓内 點成 節構 部所 内體 到晶 電 接效 連場 部型 出閘 输緣第 型 電 導 絕有態 之具模 型體試 電晶测 導電應 ί效回 埸在 型 ， 閘置 緣裝 絕加 >.施 有 含 包 置 裝 制 控 第 由 置 裝 接 璉 該第 S 分 其 將 來 絰 用 2 ’ 第 號和 信體 之 晶 準電 位效 輯 埸 理型 之閘 補緣 互絕 生之 產置 , 裝 時接 號連 信到 示加 指施 場 型 閘 緣 測 在 體 晶 電 效 場 型 閘 緣 絕 I- m In 1 ml V .... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第 之 態 狀 通 導 成 形 受 接 來 用 第時 〇 化 點性 節活 極非 電之 極號 閘信 之示 體指 晶態 電模 效試 用 時 化 性 活 之 號 信 示 指 態 模 試 測 在 壓 電 之 部 出 輸 之 置 裝 生 tll<1 遽 壓 電 方 此 依 輸 内置 受 來控 由 式 訂 第 圈 〇 範 號利 信 專 補請 互申 出 第 用 利 中 置 裝 之 項 7 第內 園用 範利 利和 專 ， 請壓 申電 在地 是接 置給 裝供 體源 導壓 ΤΓ Ι£3Γ 之準 項基 範 。 利 壓專 電請 負申 之在 低是 壓置 電裝 地體 接導 比半 生之 產項 來18 用第 置圍 裝範 生利 產專 壓請 電申 部 —球 經濟邰中央標準局員工消費合作社印製 項 7 第 用 利 中 置 裝 之 利 範 和 。利 ， 壓 專 壓窜請 電高申 源之在 電高是 給壓置 供電裝 源源體 壓電導 電比半 準生之 基產項 tL QV 來19 用第 置 圍 裝範 生利 產專 壓請 sa bH, SR ΏΓ 部 第内 第 圍用 圍 2項之裝置中使第1和第2絕緣閘型場效電晶體均由p通道 MOS電晶體所構成*第1基準電壓源用來供給電源電颸。 申請專利範圍第20項之半導體裝置是在申請專利範圍第 1項之裝置中使定位裝置包含有被串聯連接在内部節點和 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ _ 經濟郊中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（j 3) 第1基準電颸源之間之至少為1個之第1絕緣閘型場效電晶 體，和至少為2個之第2絕緣閘型場效電晶體。該第1絕緣 閘型場效電晶體之閘極電極節點用來接受第1基準電壓源 之電壓。控制裝置具備有：第1控制信號產生裝置，在第 1測試模態指定信號之活性化時，將第1內部電壓施加到該 第2絕緣閘型場效電晶體之一方之閘極電極節點，和在該 第1測試模態指示信號之非活性化時，用來將形成通道之 電壓施加到該一方之絕緣閘型場效電晶體之閘極窜極節點 ;和第2控制信號產生裝置，在第2測試模態指定信號之活 性化時，產生第2内部電壓，將其施加到第2絕緣閘型場效 電晶體之另外一方之閘極電極節點，和在第2測試模態指 定信號之非活性化時，將用來在另外一方之絕緣閘型場效 電晶體形成通道之電壓施加到其閘極電極節點。在測試模 態指示信號之活性化時，使第1和第2測試横態指定信號之 一方變成活性狀態，而另外一方維挎非活性狀態。 申請專利範圍第21項之半導體裝置是在申請專利範圃第 20項之裝置中包含有：第1連接裝置，在第1測試模態指定 信號之活性化時，用來使内部節點和第1内部電壓產生裝 置互相連接；和第2連接裝置，在回應第2測試模態指定信 號之活性化時，用來使第2内部電壓產生裝置之輸出部结 合在内部節點。 申請專利範圍第22項之半導體裝置是在申請專利範圃第 1項之裝ff更具備有：第2定位裝置，結合在内部節點和與 第1基準電壓源不同之第2基準電壓源之間，用來將内部節 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） 16 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 A7 B7五、發明説明（j !) 2 第 在 位 定 壓 8» 之 點 控 2 模 試 測 2 定 2 第 使 來 第用 和， 時 準化 位性 位活 定之 號 信 示 指 態 第定 應之 回置 在裝 , 位 置 裝 制 第 画 範 利 專 請 申 在 是 置 裝 髖 導 半 之 項 3 2 〇 第 化圍 性範 活利 非專 能請 功申 位 電用絕 準和！ 基， 2 第 受 接 槿 閘Μ 有 含 包 置第 裝之 位個 HL 定 2 第 使至號 中之信 置壓制 裝電控 之之應 項源回 22壓Μ , 第 I 之 體 Ϊ 固 晶Iff 電為 效少 場至 型之 閘道 緣通 絕成 en^ 形 性 擇 選 為 Μ 少藉 互 體 晶 電 效s Μ 關之 酤 絕 i— τ^ν 2 0 第内 和和 I源 壓 Β ΙΕ3Γ 準 基 體2i 晶 第 電在 效接 場 連 型聯 閘串 緣相 第 等 該 2 2 第第 圍使 範中第 利置在 專裝接 請之連 申項被 基 2 第 圍 範 利 專 請 甲 在 是 置 裝 體 導 半 之 項 體電 晶 極 電閘 效其 場M 型 ， 蘭間 緣之 絕點 有節 備部 具内 置和 裝源 位壓 定 電 準 輸 之 置 裝 制 2 2P圍 第範 受利 接專 點請 節申 極 導 半 之 項 信^ 0 .」」 tr 號 第 圍 範 利 專 請 申 在 是 置 裝 1¾裝 第位 與定 成1 第 比 值 對 絕 在 位 定 點 節 部 内 將 來 用 聯 置 裝 護 保 有 備 具 中 置 裝 之 項 置 設 被 並 置 裝 位 定 之 置 ----；---Γ----裝------訂------線 / ; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第 圃 範 利 專 請 申 在 是 置 裝 體 導 半 之 項 6 0 2 準第 位圍 壓範 電利 之專 大請 準申 位 絕接 生連 產 .， 來壓 用電 ’ 部 置内 裝之 生大 產壓 壓電 電之 部給 : 所 有源 備懕 具電 更準 内 使 來 用 時 化 性 活 之 號 信 示 指 態 模 試 測 應 回 中基一土 置1 $ 裝 之 項 第tcpi: 比裝 值制 對控 , 裝 置生 裝產。 止壓作 停電動 和部生 .， 内產 點使歷 節 ，電 部時部 内化内 在性其 合活止 结之停 部號來 出信用 輸示， 之指態 置態狀 裝模性 生試活 產測非 壓應為 電回，成 部在置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 17 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（15) 申請專利範圍第27項 步驟有：施加測試模態 動作；和從外部將電壓 部。 申請專利範園第28項 利範圍 第27項之方法 較小之電壓位準，小於 時所產生之電位準。 申請專利範圍第29項 方法中包含有結合步驟 來使内部電壓產生電路 將内部節點定位在指 作時變成非活性狀態， 電壓正確的施加到内部 位位準之影響，相反的 内部節點之電壓。 另外，假如使測試模 為定位裝置進行動作* ，所Μ可K正確的進行 另外，在测試模態動 止動作，可Μ從外部將 壓位準，藉Μ正確的進 [發明之實施形態] [實施形態1] 之半導體裝置之試驗方法所具備之 指示信號*用來停止内部電壓產生 供給到該内部電壓產生電路之輸出 之半導體裝置之試驗方法艮申請專 中，從外部供給之電壓具有絕對值 内部電壓產生電路在通常動作模態 之方法是在申請專利範画第27項之 ，在回應测試模態指示信號時，用 之輸出部结合到外部端子。 定電位之定位裝置是在測試模態動 可以用來從外部將所希望之位準之 節點，而不會受到該定位裝置之定 ，亦可K經由外部端子從外部監視 態指示信號成為非活性狀態時，因 將內部節點定位在指定之電位位準 梢接觸試驗（IF洩漏測試）等之测試。 作時，經由使内部電壓產生電路停 該内部電壓正確的設定在所希望電 行所需要之特性試驗。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_

、1T .—殊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 18 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明ϋ Η) 圖1用來表示本發明之第1實施形態之半導體裝置之主要 部份之構造。在圖1中，該半導體裝置包含有：第1定位電 路10，用來將内部節點Ν Α之電位定位在指定之電位；第1 保護電路20，被設在内部節點NA和外部端子7之間；和第1 控制電路30，在回應測試模態指示信號TEST1時，產生控 制信號IFG1將其施加到第1定位路，藉Μ禁止第1電位路10 之定位動作。 内部電路11具備有與先前之圖34所示之內部電路相同之 構造，Μ電源電壓VCC和接地電壓VSS作為動作電源電壓的 進行動作，對内部節點ΝΑ上之信號施加指定之緩衝處理， 然後將其傳達到內部之電路。 第1定位電路10包含有：一方之導通電極節點，連接在 内部節點ΝΑ;閘極電極節點，被結合成用來接受接地電壓 VSS ; η通道M0S電晶體Q3，具有另外一方之導通節點；Jg n 通道M0S電晶體Q4，被連接在M0S電晶體Q3和接地節點（基 準電壓源）VSS之間，K其閘極接受控制信號IFG1。另外， 在以下之說明中，電壓源和對該處施加之電壓以相同之參 考符號表示。 第1保護電路20包含有：電阻體R1和R2，串聯連接在外 部梢端子7和內部節點NA之間；和η通道M0S電晶體Q2，連 接在電阻體R1和R2之連接節點和接地節點VSS之間。M0S電 晶體Q2 Μ如同L 0 C 0 S (局部矽氧化膜）構元件分離絕緣膜 作為閘極絕緣膜，具有大的臨界值電颳。該M0S電晶體Q2 之閘極和一方之導通節點均被連接到接地節點VSS，藉Μ 本紙張尺度適用中國國家標準·（ CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ ·] q _ ----^-------t.------ΐτ------t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明U 7) 實琨與二極體相同之功能。電阻體R1具有電流限制功能， 用來防止大S流在MOS®晶髓Q2潦動，轚阻體R2用來防止 防止由於大電流在第1定位電路1〇之M0S電晶賭Q3和Q4流動 使PN接合被破壊而產生不良。 第1控胤ΙΙΙΰϋ有：反相器1vl’用來使测試模態指 示信號TEST1進行反相；P通道M0S電晶體Q5·被連接在電 源節點VCC和節點B之間* Μ其閘棰接受測試模態指示信號 TEST1; ρ通道M0S電晶艚Q6，被連接在窜瀕節點VCC和節點 C之間，以其閘極接受反相器1卩1之_出信號；η通道M0S電 晶SIQ7，被連接在節點Β和負電壓施加節點之間，其閘 極連接到節點C;和η通道M0S電晶體Q8’被連接在節點C和 負電壓施加節點VBB之間，其W極連接到節點Β。 M0S電晶睡Q7和Q8，Μ其閘棰和吸極交叉的结合，用來 檐成正反器。從節點Β輸出控制信號IFG1’將其施加到被 包含在第1定位電路10之M0S電晶體Q4。测試模態指示信號 TFST1在接地電壓VSS和電源電壓VCC之間進行變化。該第1 控制電路30之動作如後面之詳细說明*具備有位準變換功 能，用來使該測試模態指示信號TEST1進行反相，和使其 輸出信號之低位準變換成負霄壓VBB位準。 該半導體裝置更包含有：基板電位產生電路15，用來將 指定之負電位位準之偏移電壓VBB施加到基板匾域；第2控 制電路40，在回應测試模態指示信號TEST1時產生第2控制 信號Gcntl;和第1内部電位連接霣路60，在回應來自該第 2控制電路40之第2控制信號Gent 1時使基板電位產生電路 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） _ 9 Λ _ I— I -I / (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -IJ · 訂 .—球 -IJ. ·

經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（18 ) 15之輸出部電連接到内部節點NA。該第1内部電位連接電 路60由η通道MOS電晶體Q13所構成，被連接在內部節點NA 和基板電位產生電路15之輸出部之間，Μ其閘極接受第2 控制信號G c π 11。 第2控制電路40包含有：反相器IV2，用來使測試模態指 示信號TEST1進行反相；p通道M0S電晶體Q9，被連接在電 源節點（第2基準電壓源）和節點D之間* K其閘極接受測試 模態指示信號TEST1 ; p通道M0S電晶體Q10，被連接在電源 節點VCC和節點E之間，Μ其閘極接受反相器IV2之輸出信 號；η通道M0S電晶體Q11，被連接在節點D和負電壓施加節 點VBB之間，其閘極連接在節點Ε;和η通道M0S電晶體Q12 ，被連接在節點Ε和負電壓施加節點VBB之間，其閘極連接 到節點D。從節點Ε输出第2控制信號Gcntl。控制電路30和 40之負電壓施加節點VBB结合在基板電位產生電路15之輸 出部。下面將參照圖2之動作波形圖用來說明圖1所示之半 導體裝置之動作。 在第1保護電路20中，該M0S電晶體Q2具有大的臨界值電 壓。當K V2表示該M0S電晶體Q2之臨界值電壓時，該M0S電 晶體Q2，在電阻體R1和R2之連接部之電位變成-V2W下時 ，就進行導通，從接地節點VSS將電流供給到該電阻體 R1和R2之連接部。M0S電晶體Q2具有場絕緣膜作為閘極 絕緣膜，因此，當與被包含在第1定位電路1 0之MO S電晶 體Q3和Q4之臨界值電壓比較時，具有很大之臨界值電壓。 因此，在將大的負突波電壓施加到外部端子7之情況時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公錄） - 21 -修正頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-ii i 1 ~ - I 、一54ml II .......... -I A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（1$ 該大的突波電壓被該MOS轚晶暖Q2吸收，可Μ防止不必要 之大的負霣應施加到第1定位電路10，因此可以防止被包 含在第1定位霣路之MOS®晶體Q3和Q4受到破壞。 為著區別用以監視内部電位之模態和從外部將指定之電 膣施加到特定之内部節點之測試横態，與梢接觭試驗（IF 洩漏澜試）之不同’所以將前者稱為監視強制模態。 在監視強制模態為非活性狀態之情況時，監視強制横態 活性化信號TEST1為接地電懕VSS位準之低位準。在第1控 制電路30中，反相器IV1之輸出信號變成霄源電壓VCC位準 之高位準，M0S霣晶體Q5變成0N吠態，M0S電晶體Q6變成 OFF狀態。節點B經由M0S電晶體Q5被充電’ M0S電晶體Q8之 電導變大，使節點C之電位降低到該負電壓施加節點之VBB 之電壓位準。皤著該節點C之電位之降低使M0S電晶賭 Q7之闸極電位降低，因而使其電導變小。當節點8之電 位更進一步的上升*達到電源電壓VCC時，M0S電晶糖Q8就 變成0N吠態，節點C之電位變成負電壓VBB之位準，M0S電 晶體Q7變成OFF狀態。因此’在此種狀態從節點8輸出之第 1控制信號IFG1變成電源電壓VCC位準之高位準。 在第1定位電路1〇中，M0S電晶體Q4接受電源電壓VCC位 準之第1控制信號IFG1，變成0N吠態，用來將接地電壓VSS 傳達到M0S電晶體Q3之一方之導通節點。在η通道M0S電晶 雔中，以電位較低之専通節點作為源棰。在此種吠態’ M0S1I晶SIQ3M二極體模態進行動作，當節點*^之電位變 成低於V3時（V3為M0S電晶體之臨界值電壓’和VSS=0)· 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4规格（210X297公釐） 22 mu ^^^1 H4 I I - ^^^1 ^^^1 ^^1 HI m I、一OJIn m m I n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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.^47 yfcrA- 7 ! I --------IB7 … 五、發明説明（20 ) MOS電晶體Q3就進行導通*電流從接地節點VSS流向内部節 點NA，使該内部節點NA之電位上升。因此，該内部節點NA 之最低電位被定位在-V3之電位位準。 在第2控制電路40中，與第1控制電路同樣的，因為監視 強制模態活性化信號TEST1變成接地電壓VSS位準之低位準 ，所以節點D之電位為電源電壓VCC之位準，節點E之電位 為負電壓VBB之位準。因此，在第1内部電位連接電路60中 *施加在M0S電晶體Q13之閛極之第2控制信號Gcntl之電位 位準與其源極（基板電位產生電路15之輸出部）之電位相同 ，維持OFF狀態，用來使內部節點NA和基板電位產生電路 15之輸出部產生電的分離。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，在此種狀態，第1定位電路10和第1保護電路20當 作通常之輸人保護電路的進行動作，另外，利用第1定位 電路10可以進行梢接觸試驗。亦即，將指定之電壓位準之 負壓VF (VF< -V3)施加到外部端子7用來使M0S電晶體Q3變 成導通狀態，產生電流從接地節點VSS流向外部端子7。利 用疸種方式可K試驗外部端子7是否確實的與內部之襯墊（ 如圖1所示）產生電連接。因此，在半導體装置之封装收納 後之最終測試亦可Μ確實的進行梢接觸試驗。 有的情況是在進行梢接觸試驗時*將從外部施加之電源 電壓VCC設定成低於通常使用之電壓位準。在使用該外部 電源電壓VCC藉以產生負電壓（偏移電壓）VBB之情況時，可 从使該負電壓V Β Β之絕對值變小。依照基板電位產生電路 15之構造（基板電位產生電路之構造將於後面說明），在利 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） —23 -修正頁 經濟邹中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2i) 用電容器之充電泵動作用Μ產生基板偏移電位之情況時， 該負電壓VBB之最低達到電位不超過-2· VCC。施加在電源 點VCC之電源電壓VCC，在單一電源#造之情況時，利用外 部電源電壓VCC位準，内部降壓電路，使外部電源電壓降 壓，用Μ產生內部電源電壓，在這時情況時電源電懕VCC 為内部電源電壓之電壓位準。 在這種情況時*電源電壓VCC和負電壓VBB之差變小* MOS電晶體之閘極一源極藺之電壓不很大，在第1控制電路 30中，MOS電晶體Q5和Q8不能完全變成ON狀態，和MOS電晶 體Q6和Q7不能完全變成OFF狀態，來自節點B之第1控制信 號IFG1被維持在電源電壓VCC和負電壓VBB之間之電壓位準 。在這種情況時*經由對外部端子7胞加比負電壓VBB低很 多（更負）之負電壓，可Μ使M0S電晶體Q3和Q4—起變成導 通狀態。在内部節點ΜΑ之電壓位準為負電位位準之情況時 ，M0S電晶體Q3和Q4之源棰分別成為接近內部節點之節點 。因此，利用内部節點ΝΑ之電位使M0S電晶體Μ變成0Ν狀態 ，和假如M0S電晶體Q4之源極電位為比該第1控制信號IFG1 之電位位準更超過M0S電晶體Q4之臨界值電壓V4之低位準 時，M0S電晶體Q4就變成0N狀態。因此，由於第1控制信號 IFG1高於負電壓VBB，所Μ經由將比負電壓VBB更負之負 電壓施加到該外部端子7，可Μ用來使M0S電晶體Q3和Q4變 成0Ν狀態，藉Μ進行梢接觸試驗。 另外，第1控制信號IFG1之高位準可Μ是M0S電晶體Q4維 持0Ν狀態之電壓位準*假如施加大於臨界值電壓V+h( = 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 4 _ ----：---_---—裝------訂------滅--Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 B7 ▽4)之電臛時，MOS電晶體Q4就變成ON狀態（接地S®VSS為 〇V)，所以可以獲得同樣之效果，因此’該第1控制信號 IFG1之高位準不一定要為電源電壓VCC位準。 下面將說明監視強制模態之動作。在監視強制横態中， 監視強制模態活性化信號TEST1變成高位準（電源電壓VCC 位準：外郤電源電壓或被内部降壓後之锺源電壓位準）° 在第1控制電路30中，反相器IV1之输出信號變成接地電壓 VSS位準之低位準。利用這種方式使M0S電晶趙 Q5變 成OFF狀態，和使M0S電晶體Q6變成0N狀態。節點（經由M0S 電晶體Q6被充電，M0S電晶體Q7之電導變大’節點&經由 該M0S電晶體Q7進行放電，用來使其電位降低。随著該節 點B之電位之降低，M0S電晶體Q8之電導減小’用來使節點 C之放電速度降低。利用這種方式，節點電位急速的朝 向高位準（電源電壓VCC位準）上升，M0S電晶體Q7變成0N狀 態，使節點B放電成為負電位施加節點VBB之負電壓位準。 利用這種方式，在電晶體Q8’因為其阐極和源極電位 相同，所K變成OFF狀戆。因此，在該狀態中’從節點8_ 出之第1控制信號IFG1變成負電壓VBB位準之低位準。 另外一方面，在第2控制電路40中，當回應該監視強制 模態活性化信號TEST1之活性化（高位準）時’節點D之電位 變成負電壓VBB位準，節點E之電位變成電源電）1VCC位準 之高位準。因此，第2控制信號Gcntl變成高位準’被包含 在第1内部電位連接電路60之M0S電晶體Q13變成0N狀態， 基板電位產生電路50之輪出部被電連接在内部節點NA。利 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ----：-------裝-------- 訂-1----滅--r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 J) 用這種方式，將該基板電位產生電路50所產生之負電壓 VBB傳達到内部節點NA。利用負電壓VBB使M0S電晶體Q3變 成0N狀態；在這種情況時，第1控制信號IFG1變成負電壓 VBB位準，M0S電晶體Q4之閘極電位變成低於源極電位（在η 通道MO S電晶體之情況時，低電位之導通節點為源極），用 來使M0S電晶體Q4確實的維持OFF狀態。因此，傳達到内部 節點NA之由基板電位產生電路15所產生之負電壓VBB，正 確維持其電壓位準的被傳達到外部端子7。利用這種方式 ，在外部監視施加到外部端子7之電壓位準，可以識別基 板電位產生電路15是否正確的產生所希望之電壓位準之負 電壓VBB，藉Μ判別基板電位產生電路15之良/不良。 下面將說明從外部施加負電壓VBB將其傳達到基板電位 產生電路15之輸出部之情況。第1控制電路30和第2控制電 路之負電位施加節點連接到基板電位產生電路15之輸出部 。因此，在從外部將負電壓施加到內部節點HA之情況時， 該負電壓經由第1内部電位連接電路60傳達到基板電位產 生電路15，因此該負電壓施加節點VBB之負電壓VBB亦被設 定成為從外部施加之電壓位準。因此，低位準之第1控制 信號IFG1之電位位準亦變成為從外部施加之負電壓位準， 施加在内部節點ΝΑ之電颳位準和第1控制信號IFG1之電位 位準變成相等，M0S電晶體Q4確實的維持OFF狀態，可Κ用 來中斷從内部節點NA到接地節點VSS之電流路徑。利用這 種方式，可K從外部施加所希望之電壓位準之負電壓，經 由内部節點NA將其傳達到基板電位產生電路15之輸出部， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 26 ----;-------—裝------訂------球--Γ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ϋ ί) 因此可Μ從外部適當的調整負電壓VBB之電壓位準。從外 部設定該負電壓VBB之電壓位準所進行之特性試驗將於後 面進行詳细之說明。 第1保護電路20所包含之MOS電晶體Q2之臨界值電壓被設 定成為遠大於從外部施加之負電壓之電壓位準。在負電壓 之施加時用來防止該M0S電晶體Q2變成0N狀態（V2>丨VMI ·· V2是M0S電晶體Q2之臨界值電壓，VM是施加到外部端子7 之負電壓）。 另外，在第1定位電路10中，使用相同導電型之M0S電晶 體，亦即使用η通道M0S電晶體。在這種情況時，M0S電晶 體Q3和Q4可以形成在同一個阱或同一個基板區域内（需要 元件分離膜），不需要ρη分離用之區域，可Μ減小該第1定 位電路之佔用面積。另外，因為第1保護電路20所包含之 M0S電晶體由η通道M0S電晶體所形成，所Μ可Κ使第1定位 電路10和第1保護電路20形成在相同之阱内，因為不需要 阱分離用之區域，所Μ可Μ減小其佔用面積。 另外，經由分開的設置第1控制電路30(用來使第1定位 電路10之定位功能活性化/非活性化）和第2控制電路40 (用 來產生控制信號藉Μ使基板電位產生電路15之輸出部連接 到内部節點ΝΑ)，所Κ可以依照第1定位電路10和第1内部 電位連接電路60之配置位置，適當的配置第1和第2控制電 路3 0和40，藉Μ實現最適當之布置。另外，第1和第2控制 電路30和40分別只用來驅動1個之M0S電晶體之閘極電容， 所以不需要很大之驅動力，其佔用面積可Μ很小，藉Μ抑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） ~ ----„-------—裝------訂------球--Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2:)) 制電路佔用面積之增加。 利用這種方式，依照本發明之實施形態1時，因為將對 内部節點NA之負電壓位準進行定位之第1定位電路之定位 功能構建成在監視強制模態活性化時成為非活性狀態，所 Μ在監視強制模態時，可Μ從外部將所希望之電壓位準之 電壓施加到內部節點，和可Μ將傳達到内部節點之内部電 壓之位準正確的謓出到外部。另外，在監視強制模態非活 性化時，因為第1定位電路之定位功能被激勵，所Κ可Μ 從外部施加負電壓藉Κ正確的進行梢接觸試驗。 [實施形態2] 圖3表示本發明之第2實施形態之半導體裝置之主要部份 之構造。在圖3所示之構造中，對第1内部電位連接電路60 進行控制之控制信號Gcntl和對第1定位電路10進行控制之 控制信號2FG1從相同之控制電路80輸出，該第1內部電位 連接電路60用來將基板電位產生電路15之輸出部選擇性的 連接到内部節點NA。第1保護電路20*第1定位電路10，和 第1内部電位連接電路60之構造與圖1所示之構造相同，其 對應之部份使用相同之參考號碼來表示。 控制電路80包含有：反相器IV，用來接受監視強制橫態 活性化信號TEST1; p通道M0S電晶體Q15，被連接在電源節 點VCC和節點F之間，Μ其閘極接受監視強制模態活性化信 號TEST1 ; ρ通道M0S電晶體Q16，被連接在電源節點VCC和 節點G之間，以其閘極接受反相器IV之輸出信號；η通道 M0S電晶體Q17，被連接在節點下和負電壓施加節點VBB之 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ 9 8 _ ----;-------—裝------訂------球--r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 間，其閘極連接到節點G;和η通道MOS電晶體Q18，被連接 在節點G和負電壓施加節點VBB之間，其閘極連接到節點F 。從節點F輪出第1控制信號IFG1，從節點G輪出第2控制信 號 G c n 11 〇 用Μ形成M0S電晶體Q1 5〜Q1 8之電路之構造與具備有位 準變換器（被包含在圔1所示之控制電路30和40)之罨路部 份相同。因此，在節點F為電源電壓VCC之位準之情況時， 節點G為負電壓VBB位準，相反的，在節點G為電源電壓VCC 位準之情況時，節點F變成為負電壓VBB位準。由圈2之動 作波形圖可以瞭解，控制信號IFG1和Gent 1成為互補之信 號。因此*依照監視強制模態活性化信號TEST1，即使使 用1個控制電路80用來產生互補之控制信號IFG1和Gcntl 時，亦可Μ將内部電位連接電路60和定位電路10之動作控 制成與第1實施形態之情況相同。 在該圖3所示之實施形態2之構造中，可Μ獲得與豳1所 示之實施形態1相同之效果，而且可Μ獲得下面所述之效 果。利用1個之控制電路80可Μ產生第1和第2控制信號 IFG1和Gcntl，控制電路之佔用面積之減小可以使進行定 位功能之活性/非活性化所使用之電路之佔用面積減小。 另外，經由將被包含在第1内部電位連接霉路之M0S電 晶體Q13配置在控制電路80和第1定位電路1〇之近傍，可以 使該M0S電晶體Q13和内部節點NA之間之距艟鸯小，從該 M0S電晶體Q13到內部節點NA之配線電阻所進成之電壓降（ 電壓升）可以變小，可以將正確之電懕位準之VBB胃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --- - = - —-J - n I I - --- I (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -—球 29 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2>‘） » 達到内部節點NA，和可Μ從内部節點NA將所希望之電壓位準 之電壓正確的供給到基板電位產生電路15(圖3未顯示）之 輸出部。另外*因為内部節點Ν Α和該第1內部電位連接電 路60之距離很小所Μ可使配線電容減小，即使該MOS電晶 體Q13具有很小之電流供給力時，亦可Μ充分的將内部節 點ΝΑ充電（放電）成為基板電位產生電路15所產生之基板偏 移電壓（負電懕）VBB位準，可Μ使其大小（通道寬度或通道 寬度與通道長度之比）變小。因此，該M0S電晶體Q13之閘 極電容變小，控制電路80只需要要求經由短的配線長度將 互補之控制信號傳達到M0S電晶體Q4和Q13之閘極，其所欲 驅動之閘極電容就變成很小，因此不需要要求控制電路80 具有大驅動力，控制電路80之構成元件之M0S電晶體Q15〜 Q18之大小（通道寬度或通道寬度與通道長度之比）可Κ變 小，所Μ控制電路8 0之佔用面積可Μ變小。 如上所述，依照本發明之實施形態2時，因為其構成是 使用1個控制電路用來產生互補之控制信號藉Μ控制第1内 部電位連接電路和第1定位電路兩者之動作，所Μ控制電 路之佔用面積可Κ減小。 [實施形態3] 圖4表示本發明之第3實施形態之半導體裝置之主要部份 之構造。在圖4所示之半導體裝置之構造中，第1定位電路 10之構造與先前之實施形態1和2者不同。第1控制信號IFG 1從圖4所示之控制電路30或80輪出。在内部節點ΝΑ設有第 1内部電位連接電路60，在回應第2控制信號Gcntl時用來 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ Λ _ 丨-H ΊΊ n —4 I- — —裝—----I 訂—-----银--Γ- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（：J吩 將基板電位產生電路之輸出部（MVBB表示）電連接到内部 節點NA。該第2控制信號Gcntl可Μ由與圖4所示之控制電 路30分開1¾置之第2控制電路產生，亦可Μ由該控制電路 (80)產生。 第1保護電路20和內部電路11具備有與先前之實施形態1 和2相同之構造。 在第1定位電路10中，Μ閘極接受第2控制信號IFG1之 M0S電晶體Q4之一方之導通節點被連接到內部節點ΝΑ。在 該M0S電晶體Q4和接地節點VSS之間連接有M0S電晶體Q3。 該M0S電晶體Q3之閘極被連接到接地節點VSS。 在監視強制模態（監視強制棋態活性化信號TSET1為活性 狀態），當將負電壓VBB施加到内部節點ΝΑ時，M0S電晶體 Q4就變成OFF狀態。因此，該内部節點ΝΑ之電位位準可Μ 高速維持在穩定狀態。在M0S電晶體Q3被連接到内部節點 ΝΑ之情況，於内部節點ΝΑ變成負電壓VBB時，該負電壓VBB 經由M0S電晶體Q3傳達到M0S電晶體Q4。當M0S電晶體Q4之 吸極（被連接到M0S電晶體Q3之節點）之電位變成負電壓ΟΒ 位準時，M0S電晶體Q4就變成OFF狀態。因此，在此種構造 中，由於M0S電晶體Q3之洩漏電流造成M0S電晶體Q4之吸極 (被連接到M0S電晶體Q3之導通節點）之電壓達到負電壓VBB 之時刻，和將指定之負電壓VBB傳達到内部節點NA之時刻 之間會產生差異，所Μ要將内部節點NA之電壓位準保持在 所希望之電壓位準需要經過很長之時間，不能Μ高速使内 部節點ΝΑ上之電壓潘定在指定之電壓位準。因此，在需要 本紙張尺度適用中國國家標隼（€灿）八4規格（210父297公釐) 9 ~: ----；---.----裝------訂------球--， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2$ Μ高速使内部節點NA之電壓樓定化之情況時，可Μ經由將 MOS電晶體Q4(M其閘極接受該圖4所示之第1控制信號IFG1 )連接到内部節點NA，用來達成該高速穩定。 其他之構造因為先前之實施形態1或2所說明者相同，所 Μ可Μ獲得同樣之效果。 如上所述，依照本實施形態3時，可ΜΚ高速使内部節 點ΝΑ之電壓位準穩定在所希望之電壓位準。 [實施形態4] 圖5表示本發明之第4實施形態之半導體裝置之主要部份 之構造。在該圖5所示之半導體裝置中，第1定位電路10包 含有：η通道M0S電晶體Q3，其一方之導通端子被連接到内 部節點ΝΑ，其閘極被連接到接地節點VSS;和ρ通道M0S電 晶體Q5，被連接在M0S電晶體Q3和接地節點VSS之間，以其 閘極接受第1控制信號IFG1。來自控制信號產生電路30之 節點3之互補控制信號/ IFG1施加到該ρ通道M0S電晶體Q5之 閘極。該控制信號/ IFG1是先前之實施形態1至3所示之控 制信號IFG1之互補信號。 在監視強制横態時，該控制信號/ IFG1變成電源電壓VCC 位準之高位準*在其Μ外之動作模態時，該信號/ IFG1變 成負電懕VBB位準。其他之構造部份與先前之實施形態1或 2之構造相同，其對應之部份Μ相同的參考號碼來表示。 如圖6所示，當監視強制模態為非活性狀態時，信號 /IFG1變成負電壓VBB位準。當將負電壓VBB腌加在節點ΜΑ 時，只有在M0S電晶體Q5之一方之導通節點（連接在電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ _ ----；---_---裝------訂------球--^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（30) Q3之専通模態）之電位變成低於負電壓VBB時，該M0S電晶 體Q5才變成OFF狀態。因此，只限於將比該負電壓VBB小（ 絕對值之小）之負電壓施加到節點NA時，M0S電晶體Q5才維 持OFF狀態。因此，經由外部端子7將此範圍之負電壓施加 到內部節點NA時，可以進行梢接觸試驗，和可以在通常動 作模態時對内部節點NA之電壓位準進行定位。 在監視強制模態變成活性狀態時，如圖6所示，信號 /IFG1變成電源電壓VCC位準之高位準*用來中斷M0S電晶 體Q3和接地節點VSS之間之電流路徑。M0S電晶體Q5在該狀 態^成0N狀態，可以使一方之導通節點（與電晶體Q3連接 之節點）之電位高於施加在其閘極之電源電壓VCC之位準。 M0S電晶體Q3>i其閘極接受接地電壓VSS，用來防止比其高 之電壓位準之電壓傳達到M0S電晶體Q5。因此，在監視強 制模態之活性化時，確實的將M0S電晶體Q5維持在OFF狀態 ，藉以確實的中斷内部節點NA和接地節點VSS之間之電流 路徑。在監視強制模態之非活性化時，信號/ IFG1為負電 壓VBB位準，M0S電晶體Q5為0N狀態，M0S電晶體Q3W二極 體横態進行動作*藉Μ將内部節點NA之電壓位準確實的定 位在指定之電壓位準。因此，在此第4實施形態中，可Μ 實現梢接觸試驗和對負電位之監視強制模態。 另外，對第1内部電位連接電路60進行控制之控制信献 Gcntl >因為與該信號/IFG1同相的進行變化，所Μ可Μ從 該第1控制信號產生電路30之節點c產生，另外，亦可從別 的控制信號產生電路產生。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ q q _ ----^---.----^------1T------〆--ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_________ 五、發明説明（3 ί) 如上所述，依照本實施形態夺，在以η通道M0S電晶雅和？ 通道MOS電晶體構成第1定位電路之情況時可以獲得與實胞 形態1或2相同之效果。 另外，P通道MOS電晶體Q5之基板區域經由M0S電晶賭Q3 被連接到內部節點ΝΑ。在MOS窜晶體Q3之導通時’因為在 該MOS霄晶體Q3具有電壓降（電壓升）’所以M0S電晶髑Q5 之基板區域和不純物區域之pn接合不畲被顒向的偏移。但 是，MOS電晶體Q5之基板區域亦可以被建接成用來接受電 源電壓VCC。 [實施形態5] 圖7表示本發明之第5實施形態之半導體裝置之主要部份 之構造。在該圖7中未顯示基板電位產生電路和內部電位 連接電路。該匯7所示之半導體裝置具備有與圖5所示之半 導體裝置相同之構造，惟一之不同是M0S電晶灌05和Q3之 位置互換。在画7中，與圖5所示之構造對應之部份使用相 同的參考號碼來表示，而其說明則加以省略。 在監視強制模態之非活性化時，控制信號/IPG1為負電 壓VBB位準。在此種狀態，於第1定位窜路中’節點NA之 電位通常高於MOS電晶體Q5之閘極電位，在MOS電晶體Q5形 成通道，用來使内部節點Ν Α上之霣位傅達到MOS電晶體Q3 。當該内部節點KA之電壓位準達到負電壓位準時，MOS 電晶體Q5之閘極和源極電位變成相等，用來使MOS電晶體 Q5變成OFF狀態。因此，在進行梢接觸試驗之情況時，經 由施加該負電壓VBB和一 V3之間之電懕，可Μ形成内部節 本紙張尺度適用中國國家標準·（ CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -3 4 - II 4— I—-11 1 --I----訂---I I I ^ I—Ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（32) 點NA和接地節點VSS之間之電流路徑，藉Μ進行所希望之 梢接觸試驗。其中，V3表示MOS電晶體Q3之臨界值電壓。 另外*在通常動作模態時亦同樣的，内部節點ΝΑ之電位， 限於不比負電懕VBB之電位位準更負，被傳達到MOS電晶體 Q3，藉Μ實現所希望之定位功能。 在監視強制模態之活性化時，控制信號IGF 1變成電源電 壓VCC位準之高位準。內部節點N A限於不比電源電壓VCC位 準高，該MOS電晶體Q5之閘極電位比其源極電位高，維持 OFF狀態。因此，在從外部將負電壓施加到內部節點HA之 情況時，或是在圖中未顯示之基板電位產生電路之輸出部 經由內部電位連接電路被連接到内部節點NA之情況時， M0S電晶體Q5確實的變成OFF狀態，不會產生流向M0S電晶 體Q3之洩漏電流。因此，可高速將該内部節點HA之電 位位準設定在指定之電壓位準，藉Μ提早測試開始時間。 如上所述，依照本發明之實施形態5時，將ρ通道M0S電 晶體連接到内部節點ΝΑ，因為將控制信號施加在其閘極， 所Μ當内部節點之電位達到指定之電壓之負電位位準時， 該Ρ通道M0S電晶體Q5確實的變成OFF狀態，可高速使 内部節點NA之電壓位準穩定在指定之電壓位準。另外，與 實雎形態1至4同樣的，可Μ實現梢接觸試驗和監視強制模 態兩者。 [實施形態6] 圖8表示本發明之第6實施形態之半導體裝置之主要部份 之構造。圖8所示之構造與圖5所示之實施形態相同，惟一 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ -3 5 - ---Η--1+---I --II---訂— — I---^ I —1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 —- _ _____ _____ .... 五、發明説明（：π) 之不同是由控制信號產生電路80產生第1控制信號/ IFG1和 產生第2控制信號（連接控制信號）Gcntl。第1内部電位連 接電路60包含有η通道M0S電晶體Q13。被包含在第1定位電 路10之Ρ通道M0S電晶SQ5和被包含在第1内部電位連接電 路60之η通道M0S電晶體Q13互補的形成ΟΝ/OFF狀態。因此 ’經由將Μ同相進行變化之信號/ IFG1和Gcntl施加到M0S 霣晶體Q5和Q13之閘極，可Μ用來使該等M0S電晶體Q5和 Q13互補的形成0N/0FF狀態。 依照該圖8所示之實施形態6之構造時，利用1個之控制 信號產生電路80產生2個之控制信號，所以電路之佔用面 積可Μ減小。另外，因為使用1個之控制信號產生窜路可 Μ控制第1定位霄路10和第1內部電位連接電路60兩者，所 以該等電路之活性/非活性可Μ確實的Κ互補之方式進行 ’不需要進行該等電路之活性/非活性時序之調整。 另外，在該實施形態6中’可以使內部節點να和第1內部 電位連接電路60之間之内部配線之長度變短，因此，與先 前之實施形態2同樣的，可Μ使M0S電晶體Q13之尺寸（通道 寬度）變小，控制信號產生電路80只需要驅動小的閘極電 容，所Μ可Μ使構成元件之尺寸（通道寬度，通道寬度和 通道長度之比）變小，因此可以減小控制信號產生電路80 之規模，所Μ可以減小佔用面積。 另外，在該圖8所示之構造中，M0S電晶體Q3和M0S電晶 體Q5之位置亦可以互換。 [實施形態7] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X2.97公釐） β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、v5 經濟郎中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（：j j) 圖9表示本發明之第7實施形態之半専體裝置之主要部份 之構造。在圖9中，為著使圖面簡化，所示未明確的顬示 內部電位連接電路和基板電位產生電路。第1保護電路20 和内部電路11具備有與先前之實施形態所說明者相同之構 造。 用來將内部節點NA之電位（負電位）定位在指定電位位準 之第1定位電路10包含有：η通道M0S電晶體18，結合在内 部節點ΝΑ，和Κ其閘極接受控制信號/ IFG1;和η通道M0S 電晶體Q19，被建接在M0S電晶體Q18和接地節點VSS之間， Μ其閘極接受控制信號IFG1。 用Μ控制該第1定位電路10之定位動作之活性/非活性之 控制信號/ IFG1和IFG1均從控制電路90輸出。該控制電路 90包含有：反相器IV1，用來接受監視強制模態活性化信 號TEST1 ; ρ通道電晶體Q5，被連接在電源節點VCC和内部 節點Β之間，Μ其閘棰接受信號TEST1 ; ρ通道M0S電晶體Q6 ，被連接在電源節點VCC和節點C之間，Κ其閘極接受反相 器IV1之輸出信號；η通道M0S電晶體Q7，被連接在節點Β和 負電壓施加節點VBB之間，其閘極連接在節點C;和η通道 M0S電晶體Q8，被連接在節點C和負電壓施加節點VBB之間 ，其閘極連接在節點Β。該電晶體Q5〜Q8具備有位準變換 功能，控制信號IFG1在電源電壓VCC和負電壓VBB之間變化。 控制電路90更包含有：反相器IV4，用來接受監視強制 模態活性化信號TEST1 ·· ρ通道M0S電晶體Q14 *被連接在電 源節點VCC和節點F之間，以其閘極接受信號TEST1; η通道 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ 〇7 - -------^----裝------訂------球--i- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3¾ MOS電晶體Q16，被連接在節點F和接地節點VSS之間，其閘 極連接到節點G ;和η通道MOS電晶體Q17，被連接在節點G 和接地節點VSS之間，其閘極連接到節點F。從節點G輪出 控制信號/ IFG1。因此，該控制信號/ IFG1在電源電壓VCC 和接地電壓VSS之間進行變化。下面將參照圖之動作波 形圖用來說明該圖9所示之電路之動作。 在監視強制横態為非活性狀態之情況時，監視強制模態 活性化信號TEST1為低位準，反相器IV1和IV4之輸出信號 為電源電壓VCC位準之高位準。在此種狀態，M0S電晶體Q5 變成0Ν狀態，M0S電晶體Q6變成OFF狀態。節點Β之電位上 升，當M0S電晶體C18之閘槿一源極間之罨壓超遇臨界值電 壓時，M0S電晶體Q8就進行導通，用來使節點c之電位放電 到負電壓施加節點VBB。皤著該節點C之電位之降低’ M0S 電晶體Q7之電導變小，造成從節點B流向負電壓施加節點 VBB之電流之變小。經由重複該動作，使節點C變成負電壓 VBB位準，和使節點C變成電源電壓VCC位準。在此種狀態 ，M0S電晶體Q7變成OFF狀態，MOSS晶體Q8變成0N狀態。 從節點B输出之控制信號IFG1變成電源電壓VCC位準之高位 準。另外一方面，在由M0S電晶體Q14〜Q17所形成之位準 變換部中，Μ 0 S電晶體Q 1 4和Q 1 7變成0 N狀態，Μ 0 S電晶體 Q15和Q16變成OFF狀態，節點G變成接地電壓VSS位準。因 此，施加到M0S電晶體Q18之閘極之控制信號/IFG1變成接 地電壓VSS位準。 在第1定位電路中，M0S電晶體Q19M其閘極接受電源電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 38 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 、11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（加） 壓VCC位準之控制信號IFG1因而變成ON狀態’用來將接地 電壓VSS傳達到M0S電晶體Q18之一方之導通節點（M0S電晶 體Q18和M0S電晶體Q19互相連接之節點）。因此，在M0S電 晶體Q18，其閘極和源極均變成接地電壓VSS位準，所 二極體横態進行動作，將節點以之負電位位準定位在一 V18之電壓位準。其中，V18表示M0S.霉晶賭.Q18之臨.界值電 壓。因此，在此種狀態，經由將負電壓”施加到外部端子 7，可Μ實行梢接觸試驗用來表示外部端子7是否確實的電 接觸在襯墊（圖中未顯示）。在監視強制模態之非活性狀態 ，豳中未顯示之内部電位連接電路維持非導通狀態’基板 電位產生電路之輸出部和内部節點之電連接被切斷。 在監視強制模態之活性化時，横態強制模態活性化信號 TEST1變成高位準，反相器IV1和1V4之輸出信號變成接地 電壓VSS位準之低位準。在此種狀態’ M0S電晶體Q6、Q7、 Q15和Q16變成0N狀態，M0S電晶體Q5、Q8、Q14和Q17變成 OFF狀態。從節點B輸出之控制信號IFG1變成負位 準，另外一方面，從節點G輸出之控制信號/IFG1變成電源 電壓VCC位準。在第1定位電路10中，M0S電晶體Q18利用該 電源電壓VCC位準之控制信號/ IFG1變成0N狀態，用來使内 部節點HA和M0S電晶體Q19產生電連接。M0S電晶髖Q19以其 閘極接受負電壓VBB位準之控制信號IFG1。因此，該M0S電 晶體Q19即使在内部節點NA之®位變成負電位VBB位準時， 仍然維持OFF狀態。M0S電晶體Q19之源極成為被連接到内 部節點NA之導通節點，因此其源極電位和閘極電位變成相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --- I I I I —裝 I I I II 訂—-----踩--1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟邹中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 V) 等。在此種狀態，圖中顯示之內部電位連接電路，在回應 其他的或相同的控制電路之輸出Gcntl時，變成導通，用 來使基板電位產生電路之輸出部電連接在内部節點NA。因 此，即使負電壓VBB從基板電位產生電路傳達到負電壓VBB 時，Μ 0 S電晶體Q 1 9亦維持0 F F狀態，所Μ可Μ確實判別經 由外部端子7傳達到該內部節點ΝΑ之負電壓VBB之位準。相 反的，在將負電壓施加到外部端子7之情況時，内部節點 ΝΑ之電位（亦即外部施加電壓）一定比負電壓VBB低】MOS電 晶體Q19之臨界值電壓之絕對值部份，因為MOS電晶體Q19 維持OFF狀態，所Μ該内部節點ΝΑ上之電位可以經由圖中 未顧示之內部電位連接電路傳達到基板電位產生電路之輪 出部。當該基板電位產生電路輸出部之電位進行變化時， 施加到控制電路90之負電壓施加節點VBB之電壓位準亦進 行變化。因此，在回應該變化時，控制信號IFG1之電位位 準亦進行變化，在正常時該控制信號IFG1等於施加在内部 節點ΝΑ之電壓位準。因此可Μ使M0S電晶體Q19確實的成為 OFF狀態，可Μ從外部端子7經由内部節點HA和内部電位連 接電路將所希望之電壓位準之電壓施加到基板電位產生電 路輸出部。 在該第1定位電路10中，在監視強制模態之非活性化時 ，控制信號IFG1變成電源電壓VCC位準，M0S電晶體Q19變 成0Ν狀態，M0S電晶體Q18之一方之導通節點電連接在接地 節點VSS。另外一方面，在監視強制模態之活性化時，控 制信號/ IFG1變成電源電壓VCC位準之高位準，M0S電晶體 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ - n-m ,* 1.! IL1 - - I - - - m m I -、1T: ----I m !·*- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（3¾ Q18變成ON狀態，用來使MOS電晶體Q19之一方之導通節點 連接到内部節點NA。因此，該M0S電晶體Q18和Q19之間之 連接節點，在正常時電連接到内部節點NA或接地節點VSS ，不會形成浮動狀態。因此，在監視強制模態之活性化時 ，該M0S電晶體Q18和Q19之連接節點依照内部節點HA上之 電位變化，Μ高速進行變化，因此內部節點可以跟隨著從 該外部端子7或從基板電位產生霣路施加之電壓位準，Μ 高速變化其電位位準。 [變更例] 圖11表示本發明之第7實施形態之變更例之構造。在晒 11所示之構造中，被包含在第1定位電路10之M0S锺晶體 Q18以其閘接接受作為控制信號/ IFG1之監視強制模態活性 化信號TEST1。其他構造與圖9所示之構造相间。在圖9所 示之構造之情況時，可以依照監視強制模態活性化信號 TEST1之變化，以相同之時序使控制信號IFG1和/ IFG1進行 變化（因為控制信號產生部具備有相同之構造。在該監視 強制模態活性化信號TEST 1於内部產生之情況時（依照多個 外部信號之時序條件等），該信號TEST1在電源電壓VCC位 準和接地電壓VSS位準之間進行變化。因此，可Μ產生所 需要之電壓位準之控制信號/ IFG1。圖9所示之M0S電晶體 Q14〜Q17和反相器IV4可Μ省略，因此控制部之佔用面積 可Μ減小。 如上所述，依照本發明之實施形態7時，在第1定位霄路 中，因為被控制信號控制0N/0FF狀態之M0S電晶體形成串 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ 4 1 - n ^^1 ,-. n^i. 1 an m m ^^1 I I mi —4— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3(j) 聯連接，所Μ在該第1定位電路中未存在有形成電浮動狀 態之節點，不需要進行此種浮動狀態之節點之充放電，因 此可ΜΜ高速將内部節點設定在所需要之電壓位準。 [實施形態8] 圖12表示本發明之第8實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。在該圖12所示之構造中，未顯示有將基板電位 產生電路之輸出部連接到內部節點ΝΑ之内部電位連接電路。 該圖12所示之構造除了第1定位電路10之構造外，其他 部份均與圖9所示之構造相同，其對應之部份使用相同的 參考號碼來表示。在該圖12所示之第1定位電路10中，Μ 閘極接受控制信號IFG1之η通道M0S電晶體Q19被連接到内 部節點ΝΑ，以閘極接受控制信號/ IFG1之η通道M0S電晶體 Q18被連接在M0S電晶體Q19和接地節點VSS之間。在監視強 制模態之非活性時*具有作為定位元件之功能之M0S電晶 體Q18，經由M0S電晶體Q19被連接到內部節點ΝΑ。在監視 強制棋態之活性化時，M0S電晶體Q19M其閘極接受負電壓 VBB位準之控制信號IFG1，變成OFF狀態，用來防止洩漏電 流從内部節點NA流到M0S電晶體Q18。因此，由於未存在有 附隨該内部節點NA之浮動狀態之節點，所Μ不需要進行此 種浮動狀態之内部節點之充放電，因此可ΜΜ高速將内部 節點ΝΑ設定在指定之電懕（施加在外部端子7之電壓或傳達 自基板電位產生電路（圖中未顯示）之負電壓，在監視強 制模態活性化時，Μ高速實行監視強制模態動作。 在監視強制模態之非活性化時，控制信號IFG1為電源電 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ 4 ?- I- - - - Jr - -- I I I 1 ........ 1- ---- - - - - - — -« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（:!U) 壓VCC位準，MOS電晶體Q19成為ON狀態’電連接到内部節 點HA之具有作為定位元件功能之M0S電晶體Q18°因此，可 以利用該M0S電晶體Q18進行梢接觸試驗而不會有任何問題。 [變更例] 圖13表示本發明之第8實施形態之變更例之構造。在該 圖13所示之構造中，K監視強制模態活性化信號TEST1作 為控制信號/ IFG1 ’施加到被包含在第1定位雩路1〇之M0S 電晶髓Q18之閘極。其他部份之構造與圖12所示之構造相 同。控制電路90a包含有M0S電晶體Q5〜Q8，在回懕監視強 制横態活性化信號TEST1時’輸出被位準麥換後之控制信 號IFG1。當與圖12所示之控制霣路90比較時’該控制電路 90a不需要M0S電晶體Q14〜Q17 ·所Μ其佔用面積可以減小。 該圖13所示之電路之動作與圖12所示之電路之動作相同 。在監視強制模態活性化信號TEST1之活性化時’即使在 比電源電壓VCC位準低之電壓位準時，假如具有使M0S電晶 體Q18成為0N狀態之電壓位準（高於M0S電晶體Q18之臨界值 霄壓之電壓位準），則M0S電晶體Q18變成0N狀態’用來使 M 0S電晶艨19和接地節點VSS產生電連接，可Μ用來防止發 生使節點成為浮動狀態。因此，即使構成從外部直接1116加 該監視強制模態活性化信號TEST1時，亦可Μ依照動作横 態使M0S罨晶體Q18正確的成為0N/0FF吠態（但是其低位準 被設定在接地電壓VSS位準），可Μ正確的實現所需要之功 能。 如上所述，依照本發明之實施形態8時，用以中斷監視 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 43 n^i m ^^1 1^1 1 Jl·-· m· IL4 I I ^^1 si -..... nn a^i— ^^1 HI n^i 1^1 I n 1^1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（H) 強制模態時之電流路徑之MOS電晶體連接在内部節點，所 Μ可Μ完全中斷內部節點NA和浮動節點或接地節點之間之 洩漏電流之流動路徑，因此可ΜΜ高速將内之電 壓設定在指定之電懕位準。 [實施形態9] 圖14表示本發明之第9實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。在該圖14所示之構造中，第1定位電路10由1個 之η通道M0S電晶體Q20所構成，被連接在内部節點Ν Α和接 地節點VSS之間，Μ其閘極接受控制信號IFG1。控制電路 95包含有：反相器IV1，用來接受監視強制模態活性化信 號TEST1; ρ通道M0S電晶體Q5a，被連接在接地節點VSS和 節點B之間，以其閘極接受監視強制模態活性化信號TEST 1 ;P通道M0S電晶體Q6a，被連接在接地節點VSS和節點C之 間，Μ其閘極接受反相器IV1之輸出信號；η通道M0S電晶 體Q7，被連接在節點Β和負電壓施加節點VBB之間，其閘極 連接在節點C;和Υ)通道M0S電晶體Q8，被連接在節點C和負 電壓施加節點VBB之間，其閘極連接在節點Β。 從節點Β輸出控制信號IFG1。M0S電晶體Q5a和Q6a之臨界值 電壓之絕對值很小。内部電路11和第1保護電路20具備有 與先前之實施形態相同之構造。下面將參照圖15之動作波 形圖用來說明圖14所示之半導體裝置之動作。 在監視強制模態之非活性化時，監視強制模態活性化信 號TEST1變成接地電壓VSS位準之低位準，反相器IV1之輸

出信號變成電源電壓VCC位準。M0S電晶體Q6a變成完全OFF 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -_ I - - . ...... I I — — I. n·*-n —1 I 1 n ......I - j n !- -.....I I I ! -1 1 --------- « (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 之狀態。MOS電晶體Q5a變成弱ON狀態*用來將電流從接地 節點VSS供給到節點B。依照節點B之電位，M0S電晶體Q8變 成ON狀態，用來使節點C之電位放電到負電壓施加節點VBB 之電懕位準。當節點C之電位降低時，M0S電晶體Q7就變成 OFF狀態，最後當節點C之電位變成負電壓VBB位準時，M0S 電晶體Q7就變完全OFF狀態。節點B受M0S電晶體Q5a之臨界 值電壓之影響，要達到完全之接地電壓VSS需要相當之時 間。因為M0S電晶體Q5a之臨界值電壓之絕對值很小，所以 節點B之電位大致為接地電壓VSS位準。利用這種方式，來 自節點B之控制信號IFG1成為低位準（大致為接地電壓VSS 位準），被包含在第1定位電路10之M0S電晶體Q20M二極體 模態進行動作*用來實現指定之定位功能。其中，在控制 信號IFG1尚未達到完全之接地電壓VSS位準之情況時，M0S 電晶體20之閘極電位就變成比接地電懕VSS位準稍高。但 是，在該M0S電晶體Q5a之臨界值電壓之絕對值比該M0S電 晶體Q20之臨界值電壓小很多之情況時，不會產生任何問 題，可Μ實現所需要之定位功能。M0S電晶體Q20和Q15a之 臨界值電壓大致相同，可Μ將節點NA之電位位準設定在大 致為接地電位位準。 這時，第1內部電位連接電路經由圖中未顯示之路徑， 經由監視強制横態活性化信號TEST1變成非導通狀態。因 此，經由將所希望之負電壓施加在外部端子7，可Μ用來 使電流從内部節點ΝΑ經由第1定位電路10(電晶體Q20)流到 接地節點VSS，藉Μ正確的進行梢接觸試驗。另外，在通 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 4 ς _ H. .....··I I I ^^1 HI - - - I I I! In I .:: n i I ml . * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1J) 常之動作模態，當内部節點ΝΑ變化成負電壓時，MOS電晶 體Q20進行導通，用來將該負電壓定位在指定之電壓位準（ -V20 +丨VQ5a丨。其中，V20表示MOS電晶體Q20之臨界值 電壓，VQ5a表示MOS電晶體Q5a之臨界值電壓。 在監視強制模態之活性化時，監視強制模態活性化信號 TEST1變成高位準，反相器IV1之輸出信號變成接地電壓 VSS位準之低位準。在此種狀態* MOS電晶體Q5a變成OFF狀 態，M0S電晶體Q6a變成ON狀態。節點C之電壓上升到M0S電 晶體Q6 a之臨界值電壓之絕對值位準*使M0S電晶體Q7變成 ON狀態。當節點B之電位降低到負電壓VBB位準時，M0S電 晶體Q8之閘極和源極電位就變成相等，形成完全OFF狀態 。利用這種方式防止節點C之電位之降低，使M0S電晶體Q7 維持ON狀態，用來促成從節點B輸出之控制信號IFG1確實 的變成負電壓VBB位準。其结果是在第1定位電路10中，當 從外部端子7或從第1内部電位連接電路將負電壓VBB傳達 到内部節點NA時，可Μ使M0S電晶體Q20維持OFF狀態。利 用這種方式，可Μ進行從外部端子7將負電壓傳達到基板 電壓產生電路輸出部和從外部監視該基板電壓產生電路輸出 Ifi電歷位準。 當在外部端子7施加比該負電壓VBB更深（更負）之電壓VF 之情況時，就經由被連接在該内部節點NA之第1内部電位 連接器，將該更深之負電壓VF傳達到基板電位產生電路之 輸出部。因此，在這種情況時，控制電路95之負電壓施加 節點VBB之電壓位準亦變成該更深之負電壓VF，所K控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ A _ H-KH m HL4 hi 1^1 1 HI IK ntn、一-8Jnn nn n^i rn I HI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（,1 i) 信號IFG1亦變成負電壓VF位準。因此，在第1定位電路10 中，M0S電晶體Q20，即使在回應被傳達到該内部節點NA之 更深之負電壓VF暫時變成0N狀態時，這時Μ高速變成OFF 狀態*停止M0S電晶體Q20之洩漏，用來使内部節點ΝΑ之電 位蒱定在從外部施加之電壓VF位準。 利用上述之方式，可Μ進行從外部監視內部電壓位準和 從外部設定内部電壓。 依照本實施形態9時，因為第1定位電路10只由1個之M0S 電晶體所構成，所Μ當與實施形態1至8之構造比較時，該 定位電路之佔用面積可Κ減小，可以與習知之連接1個二 極體之定位元件同樣之佔用面積，實現用Μ控制定位功能 之活性/非活性之定位電路。 [實施形態10] 圖16表示本發明之第10實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。用Μ產生控制信號IFG1之控制電路95包含有： 第1控制信號產生電路95a，在回應監視強制模態活性化信 號TEST1時，用來輸出電源電壓VCC和負電壓VBB位準之互 補信號GATE和ZG ATE ;和第2控制信號產生電路95b，依照 來自該第1控制信號產生電路95a之互補信號GATE和ZGATE ，以接地電壓VSS和負電壓VBB位準進行變化*用來輸出控 制信號IFG1。第1定位電路10包含有η通道M0S電晶體Q20， 被連接在內部節點ΝΑ和接地節點VSS之間，Κ其閘極接受 該控制信號IFG1。除了控制電路95之構造外，該圖16所示 之構造與圖14所示之構造相同，其對應之部份附加相同之 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） .Λ7 _ ----ί--1----裝------訂------球--U (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 b) 參考號碼。 第1控制信號產生電路95a包含有：反相器IV1，用來接 受監視強制模態活性化信號TEST1 ; p通道MOS電晶體Q5 * 被連接在電源節點VCC和節點B之間，Μ其閘極接受監視強 制模態活性化信號TEST1 ; ρ通道MOS電晶體Q6，被連接在 電源電壓節點VCC和節點C之間，Μ其阐極接受反相器IV1 之輸出信號；η通道MOS電晶體Q7，被連接在節點Β和負電 壓施加節點VBB之間，其閘極連接到節點C;和η通道MOS電 晶體Q8，被連接在節點C和負電壓施加節點VBB之間，其阐 極被連接到節點Β。MOS電晶體Q5和Q6之臨界值電壓之絕對 值並不要求要特別的小。從節點C輸出信號GATE，和從節 點B輸出信號ZGATE。 第2控制信號產生電路95b包含有：ρ通道MOS電晶體Q21 ，被連接在接地節點VSS和節點Μ之間，以其閘極接受信號 ZGATE ； ρ通道MOS電晶體Q22，被連接在接地節點VSS和節 點Η之間，Μ其閘極接受信號GATE; η通道MOS電晶體Q23, 被連接在節點Μ和負電壓胞加節點VBB之間，其閘極連接到 節點Ν;和η通道MOS電晶體Q24，被連接在節點Ν和負電壓 施加節點VBB之間，其閘極連接到節點Μ。從節點Ν輸出控 制信號I F G 1。 下面將參照圖17之動作波形圖用來說明圖16所示之控制 電路之動作。在監梘強制模態之非活性化時，信號TEST 1 為接地電壓VSS位準之低位準，反相器IV 1之輸出信號變成 電源電壓VCC位準之低位準。在此種狀態，MOS電晶體Q5變 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） •^ϋ ml mu - - il n In n^i I mu ^^^1^eJmu tn I —m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（1(;) 成GH狀態，MOS電晶體Q6變成OFF狀態。節點B之電位上升 ，當節點B之轚位和負電壓施加節點VBB之電位之差變成大 於該M0S電晶體Q8之臨界值電壓時，M0S電晶糖Q8就變成ON 狀態，用來使節點C之電位降低。随著該節點C之電位之降 低，M0S電晶體Q7之電導變小，當節點C和負電位施加節點 VBB2轚位差變成小於M0S電晶體Q7之臨界值電應時’ M0S 電晶體Q7就變成OFF狀態。利用這種方式使節點B之電位變 成電源電壓VCC位準，和使節點C之霣位變成負電壓 ίιΛ* 準 〇 在第2控制信號產生電路95b中，利用電源電應VCC位準 之信號ZGATE用來使M0S電晶體Q21變成OFF狀態。另外一方 面*信號GATE為負電壓VBB位準，用來使M0S電晶體Q22確 實的變成ON狀態，節點N之電位上升到接地電壓VSS位準。 随著該節點N之電位之上升，使M0S電晶體Q23之蘭極一源 棰間之電位變成高於其臨界值電壓因而變成0N狀態’用來 使節點N之電位降低。陲著該節點N之電位之降低’ M0S電 晶體Q24之電導變小，當節點Μ和負轚壓腌加節點VBB2 ® 位差變成小於M0S電晶體Q24之臨界值電壓時’ MOSSES! Q24就變成OFF狀態。最後，M0S電晶想Q24變成OFF狀態’ M0S電晶體Q23變成ON狀態，控制信號IFG1變成接地電® VSS位準。在此種狀態，於第1定位電路中’ >!〇5?8晶® Q200之閘極和源極之電位均為接地電颳VSS位準* Μ二極 體模慇進行動作。 要使M0S電晶體Q22變成0Ν狀態時，必需要將該M0S電晶 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49 - ----ί---X----裝------訂------球丨— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部申央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1?) 體Q22之臨界值電壓V22設定成使其絕對值丨V22I低於負 鼋壓VBB之絕對值I VBBI 。只要能夠滿足上述之條件’即 使在負電朦和接地電壓vss之差很小之情況時’亦可W 確實的依照信號TEST1，使M0S電晶賭021和022成為0N狀態 /OFF狀態，藉以產生接地位準之控制信號1FG1 °當控制信 號IFG1為接地電颳位準時，利用画中未顧示之路徑之控制 信用來變成非導通狀態’藉以使基板電位產生電路之輪出 部和内部節點NA產生電的分離。因此’可以確實的實行梢 接觸試驗° 在監視強制模態之活性化時’信號TEST1變成高位準（不 只限於電源電壓vcc位準）。在此種狀態’反相器IV1之輪 出信號變成接地電壓vss位準之低位準。M〇S電晶賭Q5變成 OFF狀態，H0S電晶體Q6變成ON狀態。節點C經由M0S電晶體 Q6被充電，使其锺位上升’ M0S電晶賭Q7變成0態’使 節點B之電位降低。其結果是在最後使M0S電晶糖08變成 OFF狀態’使M0S電晶體Q7變成ON狀態’節點B變成負電應 VBB位準，節點C變成電源電懕VCC位準。 在第2控制信號產生電路95b中，利用負電應VBB位準之 信號ZGATE使M0S電晶體Q21變成ON狀態，利用電源電應VCC 位準之信號GATE使M0S電晶體Q22變成OFF狀態。其結果是 節點N變成接地罨壓VSS位準，M0S電晶體Q24因為其Μ極一 源極之電位大於臨界值電壓而變成〇Ν狀態’用來使節點Ν 降低到負電® 位準。随著節點Ν之電位之降低’ MOSS 晶髅Q21變成OFF狀態。因此，從節點N输出之控制信號 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格（210x297公釐） -50 - ^^1 ^^1 1 In ^^^1. I I - —1« -1 1 1 I--- - κι I:— - i -- tan I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（i s) IFG1變成負電壓VBB位準。第1内部電位連接電路這時經由 別的路徑（圖中未顧示）變成ON狀態，用來使基板電位產生 電路之輸出部連接在內部節點NA。因此，當内部節點N A之 電位為負電壓VBB位準時，M0S電晶體Q20因為其閘極和源 極之電位相等，維持OFF狀態，所Μ可以進行從外部端子7 施加電壓和將來自内部電壓產生電路之負電壓VBB之電壓 位準輪出到外部之監視。 另外，要使M0S電晶體Q21和Q22變成ON狀態時，必需要 使其臨界值電壓之絕對值小於負電壓VBB之絕對值。只要 能夠滿足該條件，即使在接地電壓VSS和負電壓VBB之差很 小之情況時，亦可Μ使M0S電晶體Q21和Q22確實的進行開 闞動作。 另外，在監視強制模態中，當施加比負電壓VBB更深（更 負）之電壓VF之情況時，在該施加之時間點，M0S電晶體Q2 。進行導通。但是，傳達到該内部節點ΝΑ之電壓經由第1 内部電位連接電路傳達到基板電位產生電路之輸出部，因 此，負電壓VBB之電壓位準降低為從外部施加之電壓VF之 位準（用來從外部施加電壓VF之驅動力比基板電位產生電 路之電流驅動力大很多）。因此，控制信號IFG1之電壓位 準亦降低到該負電壓V F位準，可W使Μ 0 S電晶體Q 2 0確實的 成為OFF狀態，用來中斷内部節點ΝΑ和接地節點VSS之間之 電流之洩漏路徑，因此可以將内部節點NA正確的設定在從 外部施加之電壓VF位準。

在該圖16所示之構造中，第1定位電路10亦由1個之M0S 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） _ ς_ ----f---X----1 裝------訂------線--1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟邹中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（U) 電晶體所構成，所Μ可使其佔用面積變小。另外，因為K 第2段之位準變換電路構成控制電路95，所以即使在負電 壓VBB和接地電壓VSS之差和/或電源電壓VCC和接地電壓之 差很小之情況時，亦可Μ使被包含在該第2控制信.號產生 電路之MOS電晶體Q21和Q22確實的進行開醑動作，藉以使 控制信號IFG1確實的變化成接地電壓VSS和負電壓VBB之位 準。另外，MOS電晶體Q21和Q22，只要求其臨界值電壓之 絕對值比負電壓V Β Β之絕對值小，因為其臨界值電壓之絕 對值很小，所Μ不需要過多之工程（臨界值電壓補償用之 離子注入工程），可Μ很容易的產生具有所需要之電位位 準之控制信號。 [實拖形態11] 圖18表示本發明之第11實腌形態之半導體裝置之主要部 份之構造。在該半導體記憶裝置中利用比電源電壓高之升 壓電壓VPP。利用升壓電壓VPP之用法是在動態随機存取記 憶器中，使傳達到選擇字線上之字線驅動信號之電壓位準 高於電源電壓VCC，或是在不變性半導體記憶裝置中，於 消去動作時和程式化動作時，將該升壓電壓VPP施加到記 憶器單元之控制閘極或源極區域。 在圖18中，半専體裝置包含有：第2保護電路120，被配 置在外部端子7和内部節點Ν Α之間，用來吸收腌加到該外 部端子7之高電壓；第2定位電路110，被連接在内部節點 NA和電源電壓節點（基準電壓源）VCC之間；用來將該内部節 點NA之高電位定位在指定之電位位準；和第3控制電路130 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ co _ ----^---f----裝------訂------银 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5t)) ，在回應第2監視強制模態之活性化信號TEST2時，用來使 第2定位電路110之定位功能成為非活性狀態。該第3控制 電路130產生有連接控制信號Gcnt2和信號IFG2用Μ控制定 位功能之活性/非活性。半導體裝置更包含有第2連接控制 電路160，在回應該連接控制信號Gcnt2時用來使内部節點 NA和升壓節點VPP產生電連接。其中，升壓節點VPP表示被 傳達有由內部升壓電壓產生電路（圖中未顯示）所產生之升 壓電壓之節點。該節點亦可以是升懕電壓產生電路之輸出 部。 第2保護電路120包含有：電阻體R3和R4，串聯連接在外 部端子7和内部節點NA之間；和p通道M0S電晶體Q25，其一 方之導通節點連接在電阻：If R3和R4之連接部，和其閘極與 另外一方之導通節點一起連接到電源節點VCC。該M0S電晶 體Q25M場絕緣膜作為閘極絕緣膜，具有負的小臨界值電 壓（絕對值大的臨界值電壓）。當有系电壓施加在外部端子7 時，該M0S電晶體Q25就進行導通，用來吸收該高電壓，藉 Μ防止定位電路不能吸收之高電壓施加到內部電路。電阻 體R3用來防止大電流流到M0S電晶體Q25，電胆體R3和R4用 來防止大電流流到第2定位電路110。 第2電位電路110包含有：ρ通道M0S電晶體Q35，被連接 在內部節點和ρ通道M0S電晶體Q34，被連接在M0S電晶 體35和電源節點VCC之間。M0S電晶體Q35之閘極連接在電 源節點VCC，M0S電晶體Q34被連接成Μ其閘極接受控制信 號IFG2。M0S電晶體Q34和Q35之基板區域連接到電源節點 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ r 〇 _

Jr n II I I 裝 - I--I 訂-I —---線-—1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 i ) VCC。當内部節點ΝΑ之電壓高於電源電壓VCC時，經由基板 區域進行放電，可ΜΜ高速吸收雜訊。 第3控制電路130包含有：反相器IV4，用來接受第2監視 強制模態之活性化信號TEST2 ; ρ通道M0S電晶體Q30，被連 接在接地節點VSS和節點I之間，Μ其閘極接受信號TEST2 ;η通道M0S電晶體Q31*被連接在接地電壓VSS和内部節點 J之間，Μ其閘極接受反相器IV4之輸出信號；ρ通道M0S電 晶體Q32，被連接在節點I和升壓節點VPP之間，其閘極連 接到節點J ;和ρ通道M0S電晶體Q33，被連接在節點J和升 壓節點VPP之間*其閘極連接到節點I。從節點J輸出控制 信號IFG2，和從節點I輸出控制信號Gcnt2。該控制電路 130所具備之功能是將2進位信號TEST 2變換成為在升壓電 懕VPP和接地電壓VSS之間進行變化之信號，然後加以輸出。 第2内部電位連接電路160包含有ρ通道M0S電晶體Q36， 被連接在升壓節點VPP和內部節點NA之間，Μ其閘極接受 控制信號G c n 12。Μ 0 S電晶體Q 3 6之基板區域被連接到升壓 節點VPP。該第2内部電位連接電路160亦可Μ使用η通道 M0S電晶體來構成，在這種情況時，因為將升壓電壓VPP傳 達到内部節點ΝΑ，所Μ需要使控制信號Gcnt2更進一步的 進行升壓。經由使用P通道M0S電晶體，可以不需要用K使 此種控制信號進行升壓之電路構造，因此可以使電路構造 簡化。内部電路11之構造具備有與先前之圖1所示之構造 相同之構造。下面將參照圖19之動作波形圖用來說明圖18 所示之半導體裝置之動作。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ ς 4 - ----ί--------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ _B7__ 五、發明説明（52) 在監視強制棋態丨推活性化時，該監視強制模態之活性化 信號TEST2為低位準，在控制電路130中，反相器之输 出信號變成電源電壓VCC位準之高位準。利用這種方式使 M〇S電晶體Q30變成OFF狀態和使MOS電晶體Q31變成ON狀態 ，用來使節點J之電位降低。隨著該節點J之轚位之降低， M〇S電晶體Q32之電導因而變大，從升壓節點VPP將電流供 給到節點I，用來使節點I之電位上升。随著該節點1之電 位之上升，M0S電晶體Q33之電導因而變小。最後使M0S電 晶鱧Q33變成OFF狀態和使M0S電晶體Q32變成0N狀態’促成 1T?點丁之電位變成接地電壓VSS位準，和節點I之電位變成 升壓電懕VPP位準。 在第1定位電路110中，M0S電晶體Q34M其閘極接受接地 電壓VSS位準之控制信號IFG2因而變成0N狀態，用來將轚 源霉壓VCC傳達到M0S電晶體電晶體Q35。利用這種方式’ M0S電晶體Q35以二極體模態進行動作’具有作為定位元件 之功能。當節點NA上之電壓變成高於VCC+V+hp時’該 M0S電晶體Q35就進行導通，使節點NA和電源節點VCC產生 電連接，用來使内部節點NA之電壓位準降低。其中’ V + hp表示M0S電晶體Q35之臨界值電壓之絕對值。 另外一方面，在第2内部霣位連接電路160中，升壓電壓 VPP位準之控制信號Gcnt2施加到M0S電晶體Q36之閘極， M0S電晶體Q36之維持在OFF吠態只限於當内部節點NA之電 位不高於升壓電壓VPP時。在M0S電晶體Q36和Q35之臨界值 電壓相等之情況* M0S®晶體Q36之變成0H狀態是當内部節 本紙張尺度適用中國國家標·準·（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 55 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. i 球11. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（53) 點NA上之電位變為VPP+V+hp時，另外一方面，MOS電晶 體Q35之變成ON狀態是當内部節點NA上電位變成高於VCC + Vthp時。因此。在M0S電晶體Q35之電流驅動力大於M0S電 晶體Q36之電流驅動力之情況時，即使内部節點N A上之電 位由於雜訊之影響而急彡仏升高時，利用該第2芝成電路Π0可 K使該内部節點NA上之電位位準降低，藉Μ將第2内部電 位連接電路160之M0S電晶S8Q36確實的維持在OFF狀態。因 此，在此種吠態中，從外部端子7施加高電壓VP，可以從 外部判別是否有罨流流經該第1定位電路11〇，可以使用高 電壓進行梢 接觭試驗。該高電壓VP要滿足VPP>VP>VCC 之闢係。 在監視強制模態之活性化時，監視強制模態之活性化信 號TEST2變成高位準。該監視強制模態之活性化信號TEST2 之高位準只要能夠高於M0S電晶體Q30和Q31之臨界值電懕V + h，並不一定要為電源電應VCC位準。但是，該信號TEST2 需要超過反相器IV4之輪入理輯臨界值的進行變化。 在此種狀態中，反相器IV4之輪出信號為接地電壓vss位 準，M0S轚晶體Q31變成OFF狀態，M0S®晶gQ3〇麥成〇1<狀 態。因此，節點I經由M0S電晶體Q30放電成接地電壓位準 ，當節點I之電位比升壓節點VPP之升壓電颸VPP高臨界值 電壓時（臨界值霣壓之絕對值部份變低時），M0S電晶IIQ33 變成了 0N狀態，用來使節點J之電位上升。随著該節點j之 電位之上升，M0S霣晶體32之電専就降低，當節點 節點VPP之間之實位差變成小於M0S電晶體Q32之臨界值電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — '~~ -56 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

.IT 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（「)」1) 壓之絕對值時，MOS電晶體Q32就變成OFF狀態。利用這種 方式，使節點I變成接地電壓位準，和使節點J變成升壓電 懕VPP位準。 在第2定位電路110中，利用該升壓電懕VPP位準之控制 信號IFG2使M0S電晶體Q34維持在OFF狀態，不會經由M0S電 晶體Q35傳達比升懕電壓VPP高之電壓。另外一方面，在第 2内部電位連接電路160中，當回應該接地電壓VSS位準之 控制信號Gcnt2時，M0S電晶體Q36變成0N狀態，用來將該 升壓節點VPP連接到内部節點NA。因此，經由外部端子7可 Μ進行該升壓電壓VPP位準之監視。 即使外部端子7和内部節點ΝΑ變成升壓電壓位準，M0S電 晶體Q35變成0Ν狀態時，經由該M0S電晶體Q35施加之洩漏 電流就被M0S電晶體Q34中斷。因此，經由該M0S電晶體Q35 之洩漏電流之停止後，可K監視經由外部端子7之升壓電 壓之電壓位準。 在從外部施加高電壓VP之情況，即使施加比該升壓電壓 產生電路產生之升壓電壓VPP高之電壓位準時，亦可Μ經 由M0S電晶體Q36從内部節點ΝΑ將高電壓施加到該升ffi節點 VPP，使升壓節點VPP之電壓位準逐漸的上升，所Μ控制信 號IFG2之電壓位準亦上升到高電壓VP位準。因此，M0S電 晶體Q35變成0H狀態*即使產生洩漏電流時，亦可Μ使該 M0S電晶體Q34之閘極電位確實的變成高電壓VP位準，和使 其吸極（連接到M0S電晶體Q35之専通節點）電位變成低於 該高電壓位準VP，經由M0S電晶體Q35使吸極和節點ΝΑ分開 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----i--->----裝------訂------球--'τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟郎中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（53) ，可Μ使MOS電晶體Q34確實的維持在OFF狀態，可Μ從外 部將所希望之電壓位準之高電壓正確的施加在升壓節點 VPP ° 在圖18所示之構造中，利用控制電路130產生控制信號 IFG2和Gcnt2藉Μ對第2定位電路110和第2内部電位連接電 路160進行控制。在這種情況時*對於第2定位電路110和 第2内部電位連接電路160，亦可以分別設置控制電路，使 用分別產生控制信號IFG2和Gcnt2之構造。 另外，如同先前之實施形態所說明之方式，在第2定位 電路110中，M0S電晶體Q34和M0S電晶體Q35之位置亦可K 進行互換。利用位置之互換，不會經由該M0S電晶體Q35產 生洩漏電流*所Μ可K以高速將內部節點N A保持在所希望 之電壓位準。 另外，該P通道M0S電晶體Q34亦可Μ从η通道M0S電晶體 替換。在這種情況時，在該η通道M0S電晶體之閘極被施加 有控制信號G c n t 2。 另外，負電壓VBB可適用於先前所說明之實施形態1至10 中之所有之構造。但是也可以將負電壓VBB替換成升壓電 壓VPP，將η通道M0S電晶體替換成p通道M0S電晶體，將p通 道M0S電晶體替換成η通道M0S電晶體，和替換接地電壓VSS 和電源電壓VCC，用來實現升壓電壓VPP用之所需構造。 如上所述，依照本發明之實施形態11時，因為用來將内 部節點之高電壓位準定位在指定電位位準之定位電路被構 建成依照测試模態形成活性/非活性之方式，所Κ對於升 本紙張尺度適用中國國家標·率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ g R _ n. .......-1— -I —LI I ! I I - In ^^1 n I nI I I 1^1 ^^1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 應電壓，可W進行梢接觴試驗和外部之電壓監視以及從外 部施加之高電壓之各種測試横態。 [實施形態12] 豳20表示本發明之第12實施形態之半導體装置之主要部 份之構造。在圈20中，第2定位電路11〇包含有p通道M0S® 晶體Q34，被連接在電源節點VCC和内部節點HA之間，K其 閘極接受控制信號IFG2。第2内部電位連接電路160由p通 道M0S電晶體Q36所構成，被連接在内部節點NA和升壓節點 VPP之間，W其閘極接受控制信號Gcnt2。 控制信號產生部包含有：控制信號產生霉路l3〇a，在回 應監視強制模態之活性化信號TEST2時用來輸出控制信號 IFG2;和控制信號產生電路130b，在回應信號TEST2時用 來產生控制信號Gcnt2。控制信號產生電路130a包含有： 反相器IV4’用來接受信號TEST2; p通道M0S電晶體Q30， 被連接在升壓節點VPP和節點K之間，以其閘棰接受信號 TEST2 ; p通道M0S電晶體Q31，被連接在升壓節點VPP和節 點P之間，Μ其閘極接受反相器IV4之輸出信號；η通道M0S 電晶體Q32，被連接在節點κ和電源節點VCC之間，其閛極 連節點Ρ ;和η通道M0S電晶體Q33，被連接在節點Ρ和電 源節點VCC之間，其閘極連接在節點Κ。從節點Ρ輸出控制 信號IFG2。M0S電晶體Q30和Q31之臨界值電壓之絕對值被 設定在較大的值（大於VPP - VCC)。M0S電晶體Q32和Q33之 臨界值電壓小於升壓電壓VPP和®源電壓VCC之差。 控制信號產生電路130b包含有：反相器IV5，用來接受 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 59

In JT I 丨^^ I I I ，1T.^ I I I __ 丨 ^ »^1 —1 /.. » (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（Γ//) 信號TEST2; Ρ通道MOS電晶體Q37，被建接在升壓節點VPP 和節點Η之間；ρ通道MOS電晶體Q38，被連接在升壓節點 VPP和節點I之間· Κ其閘槿接受反相器IV5之輸出信號；η 通埴MOS電晶體MOS電晶體Q39 *被連接在節點Η和接地節點 VSS之間，其閘極連接在節點I;和η通道M0S電晶體Q40， 被連接在節點I和接地節點VSS之間，其閘極連接在節點Η 。MOS電晶體Q37和Q38之臨界值電壓之絕對值形成較大之 值（大於VPP — VCC)。下面將參照圖21之動作波形圖用來說 明該圖20所示之半導體裝置之動作。 在監視強制模態，活性化時，信號TEST2為低位準，反 相器IV4之輸出信號麥成高位準。在控制信號產生電路 130a中，M0S®晶體Q30變成0N狀態，M0S電晶體Q31變成 OFF狀態。這時，因為M0S電晶體Q31之臨界值電壓之絕對 值很大，所MM0S電晶體Q31在回應該反相器IV4之输出信 號之高位準時，可K確實的變成OFF狀態。在此種狀態， 節點K經由M0S電晶體Q30被充電*使其電位位準上升，假 如M0S電晶體Q33之閘極電位和源極電位（電源霄壓VCC)之 差變成高於臨界值電壓時* M0S電晶艟Q33就變成0N狀態* 節點P變成電源電壓VCC位準。因為M0S電晶體Q31為OFF狀 態，所Μ經由M0S電晶體Q33將該節點P之電位確實的設定 在電源電壓VCC位準。當節點Ρ之電位變成電源電壓vcc位 準時，M0S電晶體Q32因為其閘極和源極電位變成相同’所 Μ維持OFF狀態。利用這種方式用來使節點Κ維持在升壓® 壓VPP位準。其結果是從節點Ρ輸出電源電壓VCC位準之控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1 i ^—>1 m ....... n^i —LI - I. 1 ·

.IT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（5b) 制信號IFG2。在第2定位電路110中’ MOS®晶體Q34M其閛 極接受電源電壓VCC位準之控制信號1^2’以二極體模態 進行動作，具有作為定位元件之功能。 另外一方面，在控制信號產生電路130b中’ M0S電晶體 Q37變成0N狀態，M0S電晶體Q38變成OFF狀態。節點Η被M0S 電晶體Q37高速的充電’充電至升壓電壓VPP位準。利用這 種方式，M0S電晶體Q40變成0H狀態’使節點I放電至接地 電壓VSS位準，用來使M0S電晶體Q39變成OFF狀態。利用這 種方式，從節點Η輪出之控制信號Gcnt2變成升應電歷\^卩 位準。在第2内部電位連接電路160中’ M0S電晶體Q36接受 升歷電壓VPP位準之控制信號Gcnt2’維捋OFF狀態只限於 内部節點NA之電位不高於升壓電壓VPP和M0S電晶體Q36之 臨界值電壓之絕對值之和。因此’在此種狀態’從外部端 子7施加逋當位準之高電壓VP，利用從內部節點NA經由第2 定位電路110流向電源節點VCC之電流，可Μ用來進行梢接 觴試驗。 在監視強制模態之活性化時，信號TEST2變成高位準’ 反相器IV4和IV5之輸出信號分別變成接地霣壓V%位準之低位 準。在控制信號產生電路13〇3中’ 電晶應31之電導變 成比M0S電晶體Q30者大很多，節點PM高速被充電’因此 M0S電晶體Q32變成0N狀態。節點K經由M0S電晶體Q32放電 至電源電壓VCC位準，因此M0S電晶體Q33之電導進行下降 。最後，M0S電晶髓Q33變成OFF狀態’ M0S電晶體Q32變成 0N狀態，促成從節點P輸出之控制信號IFG2變成升壓電壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 1 - L1 - —- ^^1 I n 裝 1^1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • t .

.1T 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5H) VPP位準。 在控制信號產生電路130b中，MOS電晶體Q38之電導比 M0S電晶體Q37之電導大很多，節點I之電位W比節點Η更快 之速度進行上升，促成M0S電晶體Q37變成0Ν狀態，M0S電 晶體Q40變成OFF狀態。從節點Η輪出之控制信號Gcnt2，經 由狀態之M0S電晶體Q39*被設定在接地電壓VSS位準。 在第1定位電路110中，施加到M0S電晶體Q34之閘極之控 制信號IFG2為高電壓VPP位準，內部節點NA之電位不高於 該升壓電壓VPP*用來使M0S電晶體Q34維持OFF狀態。另外 一方面，在第2内部電位連接電路160中，M0S電晶體Q36K 其閘極接受接地電壓VSS位準之控制信號Gcnt2藉Μ變成0N 狀態*用來使升壓節點VPP連接到内部節點ΝΑ。因此在此 種狀態中，可Μ經由外部端子7從外部監視升壓節點VPP上 之升壓電壓VPP。在從外部端子7對升壓節點VPP施加高電 壓VP之情況時*依照升壓節點VPP之電懕位準變化成高電 壓VP位準，使控制信號IFG2之電壓位準亦變成高電壓VP位 準。因此，當內部節點ΝΑ之電位變成高電壓VP位準時，控 制信號IFG2之電壓位準就變成高電壓VP位準，該M0S電晶 體Q34因為其閘極和源極之電位相等，所以可Μ確實的維 持OFF狀態。因此，從外部端子7對升壓節點VPP施加所希 望之電壓位準之高電壓，可Μ使内部電路（內部電路11M 外之電路）進行動作。 [變更例] 圖22表示本發明之第12實施形態之變更例之構造。在圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ R 9 _ n- n^i ^^^1 nn nn ^^^1 *一-eJIn I -I I - I. n^— mu HL (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（60) 22中表示使圖20所示之控制信號產生電路130a和130b互換 之控制電路135之構造。該控制電路135包含有：控制信號 產生電路135 a，在回應監視強制模態之活性化信號TEST2 時用來輸出控制信號Gcnt2;和控制信號產生電路135b， 依照該控制信號產生電路135a之輸出信號（互補信號）用來 輸出控制信號IFG2。該控制信號產生電路135a包含有：p 通道M0S電晶體Q60，被連接在升壓節點VPP和節點NB之間 ，其閘極連接到節點NC; p通道M0S電晶體Q62，被連接在 升壓節點VPP和節點NC之間，其閘極連接到節點NB ; η通道 M0S電晶體Q64，被連接在節點ΝΒ和接地節點VSS之間，Κ 其閘極接受監視強制横態之活性化信號TEST2 ;和η通道 M0S電晶體Q66，被連接在節點HC和接地節點VSS之間，Κ 其閘極接受經由反相器IV6之監視強制模態之活性化信號 TEST2。從節點輸出控制信號Gcnt2。 控制信號產生電路135b包含有：p通道M0S電晶體Q70， 被連接在升壓節點VPP和節點ND之間，其閘極連接到節點 NE; p通道M0S電晶體Q72，被連接在升壓節點VPPH和節點 NE之間，其閘極連接到節點HD; η通道M0S電晶體Q73，被 連接在節點ND和電源節點VCC之間，其閘極連接到節點ND ;和n通道M0S電晶體Q74，被連接在節點ΝΕ和電源節點VCC 之間，其閘極連接到節點NC。從節點ND輸出控制信號IFG2 。控制信號IFG2施加到如圖20所示之M0S電晶體34之閘極 。控制信號Gcnt2施加到圖20所示之M0S電晶體Q36之閘極 。下面將簡單的說明其動作。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

>1T 五、發明説明（61) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在監視強制横態冰活性化時’信號TEST2為接地電壓vss 位準之低位準，MOS®晶體Q64變成OFF狀態· MOS電晶糖 Q6 6變成ON狀態。在此種狀態，節點NC經由M0S電晶體Q66 放電至接地電颳VSS位準。随著該節點NC之電位之降低’ M0S電晶體Q60變成ON狀態’節點之電位上升到升電® VPP位準，M0S電晶體Q62變成OFF狀態。因此，節點HC變成 接地電壓VSS位準，節點NB變成升壓電壓VPP位準。利用這 種方式，用來輸出升壓電壓VPP位準之控制信號Gcnt2° 另外一方面，在控制信號產生電路135b中，Μ閘極接受 升壓電壓VPP之M0S電晶體Q73變成0Η狀態，另外一方面’ Μ閘極接受接地電壓VSS之M0S電晶SIQ74變成OFF狀態。因 此，節點KD被電連接在電源節點VCC，用來使節點ND之電 位成為電源電壓VCC位準。當升壓節點VPP和節點ND之電位 差變大時，M0S電晶體Q7 2變成ON狀態，節點NE被充電至升 壓電壓VPP位準。當節點NE變成升壓電壓VPP位準時，M0S 電晶體Q70變成OFF狀態，節點ND經由M0S電晶體Q73變成電 源電壓VCC位準。因此，從節點ND輸出之控制信號IFG2變 成電源電壓位準。 在監視強制模態之活性化時，信號TEST2變成高位準’ M0S電晶體Q64變成ON狀態，M0S電晶體Q66變成OFF狀態。 因此，在此種狀態中，從節點NB輸出之控制信號Gcnt2變 成接地電壓VSS位準。另外一方面，在控制信號產生電路 135b中，M0S電晶體Q73因為K其閘極接受接地電壓VSS， 所以變成OFF狀態，另外一方面* M0S電晶SIQ74接受節點 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I ^^^1 ^^^1 ^^^1 I ^^^1- ^^^1 ^^1 ^^^1 al^i n I 1— ·

.IT 線--- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐} 64 五、發明説明（6‘2) A7 B7 NC上之升壓電壓VPP因而變成ON狀態，用來使節點NE電連 接在電源電壓VCC。因此，M0S電晶體Q70變成ON狀態，節 點ND被充電至升壓電壓VPP位準。當節點ND之電壓位準變 成升壓電壓VPP位準時，M0S電晶體Q72變成完全OFF狀態， 節點NE經由M0S電晶體Q74被維持在電源電壓VCC位準。其 结果是來自節點ND之控制信號IFG2變成升應電颳位準。 在圖22所示之控制電路之情況時，M0S電晶體Q60、Q62 、Q70和Q72不一定要使其臨界值電壓之絕對值成為很大。 只要求M0S®晶體Q70、Q72、Q73和Q74之臨界值電壓之絕 對值要小於升壓電壓VPP和電源電壓VCC之差。因此*不需 要多餘之製造工程就可以很容易的產生控制信號Gcnt2(在 升壓電壓VPP位準和接地電壓VSS位準之間進行變化）和控 制信號IFG2(在升壓電壓VPP和電源電壓VCC之間進行變化 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 經由使用個 號IFG2 ，可Μ 該升壓電壓產 點ΝΑ之近傍。 晶Η上之適當 130a或 135α和 體裝置之晶片 路，内部電位 域，利用空區 。因此，輪入 別之®路用來產生控制信號Gen t2和控制信 將圈20所示之內部電位連接霣路160配置在 生電路之近傍，尤其是不需要配置在内部節 可Μ將控制信號產生電路130b或135a配置在 之位置。因此，可以將控制信號產生電路 内部電位連接電路160配置在用以形成半導 上之空區域，不需要將該等控制信號產生電 連接電路和第2定位霣路集中的配置在1個區 域可K使該配置最佳化，佔用面積可K滅小 保護電路部份之佔用面積可以變小。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 65 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（63) 另外，依照本實施形態12時，因為第2定位電路110只由 1個之MOS電晶體所構成，所Μ該定位電路之佔用面積可以 減小。 [實施形態13] 圖23表示本發明之第13實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。在圖23中，半導體裝置包含有第1保護電路20 被連接在外部端子7和内部節點ΝΑ之間。該第1保護電路20 具備有與圖1所示之構造相同之構造，所具備之功能是當 對外部端子7施加大負電壓時，用來吸收該大負電壓。因 此未設置用Μ吸收異常高電壓之第2保護電路。通常，在 由於人體之接觸等而產生靜電放電之情況時，很多是腌加 大的負電壓，異常高電壓之發生機率很小。 該半導體裝置更包含有：控制電路80，在回應第1監視 強制模態之活性化信號TEST1時用來產生控制信號IFG1和 Gcntl ；第1定位電路10，被連接在內部節點ΝΑ和接地節點 VSS之間，依照控制信號IFG1對内部節點ΝΑ之負電位進行 選擇性之定位；和第1內部基板電位連接電路60，依照控 制信號Gcntl用來使内部節點ΝΑ和負電壓施加節點（基板電 位產生電路輸出部）選擇性的進行電連接。 該半導體裝置含有：控制電路130，在回應第2監視強 制模態之活性化信號TEST2時用來產生控制信號IFG2和 Gcnt2 ；第2定位電路110，被連接在電源節點VCC和内部節 點NA之間，依照控制信號IFG2選擇性的使其定位功能活性 化，用來將内部節點N A之高電位位準定位在指定之電位位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ r r _ .ml - - 1 1— - - In - -、一"5JI - --- 11 .....1 I I _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ί; 1) 準；和第2内部電位連接電路160，被連接在升壓節點VPP 和内部節點ΝΑ之間，在回應控制信號Gcnt2時，使升壓節 點VPP和内部節點NA選擇性的進行電連接。 控制電路80包含有：反相器IV 1，用來接受第1監視強制 模態之活性化信號TEST1 ; p通道M0S電晶體Q5，被連接在 電源節點VCC和節點B之間，Μ其閘極接受信號TEST1; p通 道M0S電晶體Q6，被連接在電源節點VCC和節點C之間，Μ 其閘極接受反相器IV1之輸出信號；η通道M0S電晶體Q7* 被連接在節點Β和負電壓施加節點VBB之間，其閘極連接在 節點C;和η通道M0S電晶體Q8，被連接在節點C和負電壓施 加節點VBB之間，其閘極連接在節點Β。該控制電路80之構 造與圖3所示之構造相同。亦即，在信號TEST1之活性化時 (高位準時），控制信號Gcntl變成電源電壓VCC位準之高位 準，控制信號IFG1變成負電壓VBB位準。在信號TEST1為低 位準活性狀態時，信號Gcntl變成負電壓VBB位準，信號 IFG1變成電源電懕VCC位準。 第1定位電路10包含有：η通道M0S電晶體Q3，具有一方 之導通節點被連接到内部節點ΝΑ，和閘極電極節點被連接 到接地節點VSS;和η通道M0S電晶體Q4，，被連接在M0S電 晶體Q3和接地節點VSS之間，Μ其閘極接受控制信號IFG1 。第1内部電位連接電路60包含有η通道M0S電晶體Q13，被 連接在内部節點ΝΑ和負電壓施加節點VBB (或基板電位產生 電路輸出部）之間，Μ其閘極接受控制信號Gcntl。該第1 定位電路10和第1内部電位連接電路60之構造與先前之圖3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ R 7 _ ------^-----^------1T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟郎中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（ 所示之構造相同。第1内部電位連接電路60 ’在信號TEST1 之活性化時，回應高位準之控制信號Gcnt1’用來使M0S電 晶體Q13變成ON狀態，藉以使内部節點“和負電壓施加節 點VBB(基板電位產生電路输出部）產生電連接。在信號 TEST1之非活性化時’信號Gcntl變成負電懕VBB位準之低 位準，M0S電晶體Q13變成OFF狀態。利用這種方式使内部 節點NA和負電颳施加節點VBB(基板電位產生電路輸出部） 產生電的分離。 第1定位電路10在信號TEST1之活性化時’ M0S電晶體Q4 K其閘極接受負電壓VBB位準之控制信號用來中斷 内部節點NA和接地節點VSS之間之電流路徑。在信號TEST1 之非活性化時，信號IFG1變成電源電壓VCC位準之高位準 ，M0S電晶體Q4變成0N吠態，用來使M0S電晶體Q3M二極體 模態進行動作。 控制電路130包含有：η通道M0S電晶體Q30，被連接在接 地節點VSS和節點I之間，Μ其閛極接受第2監視強制模態 之活性化信號TEST2 ; η通道M0S電晶體Q31，被連接在接地 節點VSS和節點J之間，Μ其閘極接受經由反相器IV4之信 號TEST2 ; ρ通道M0S電晶體Q32，被連接在節點I和升壓節 點VPP之間，其閘極連接在節點J;和ρ通道M0S電晶體Q33 ，被連接在節點J和升壓節點VPP之間，其閘極連接在節點 I。從節點J输出控制信號IFG2，從節點I輸出控制信號 Gcnt2。在信號TEST2之活性化時（高位準時），節點I變成 接地電壓VSS位準，節點J變成升壓電壓VPP位準。在第2監 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 8 - ^n- m ^^1 —LI nn n n m nn' nn n m In (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明#明（⑶） 視強制模態之非活性化時，信號T E S T 2變成低位準，Μ 0 S電 晶體Q 3 0變成0 F F狀態，Μ 0 S電晶體Q 3 1變成Ο Ν狀態，用來使 節點I變成升壓電壓V Ρ Ρ位準*節點J變成接地電壓V S S位準。 第2定位電路1 1 0包含有：ρ通道Μ 0 S電晶體Q 3 5，具有連 接到内部節點Ν Α之一方之導通節點，和連接到電源節點 VCC之閘極電極節點；和ρ通道MOS電晶體Q34，被連接在 MOS電晶體Q35和電源節點VCC之間，K其閘極接受控制信 號IFG2。第2内部電位連接電路160包含有ρ通道MOS電晶體 Q36，被連接在升壓節點VPP和内部節點NA之間，Μ其閘極 接受控制信號Gcnt2。該等電路110，130和160之構造與圖 18所示之構造相同，可Μ獲得同樣之作用和效果。 亦即，在第2監視強制模態之活性化信號TEST2之非活性 化時，信號G c n t 2變成升壓電壓V Ρ Ρ位準，控制信號I F G 2變 成接地電壓VSS位準。因此，在這種情況時，升壓節點VPP 和内部節點NA產生分離，另外一方面，在第2定位電路110 中，在Μ 0 S電晶體Q 3 5和電源節點V C C之間形成有電流路徑， M0S電晶體Q3 5具有作為定位元件之功能。在第2監視強制 模態之活性化信號T E S Τ 2之活性化時，信號G c n 12為接地電 壓V S S位準，控制信號I F G 2為升壓電壓V Ρ P位準。在這種情 況時，M0S電晶體Q36變成0N狀態，升壓節點VPP電連接在 内部節點N A。在第2定位電路1 1 0中，Μ 0 S電晶體Q 3中斷電 源節點V C C和内部節點Ν Α之間之電流路徑。 在圖23所示之半導體装置之構造之情況時，如圖24之動 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T * II ^ -- —1 I -- - - . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 69 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（(;卩） 作波形國所示，監視強制横態之活性化信號TEST 1和TEST2 只有一方在测試模態動作時形成活性狀態。兩者不會同時 成為活性狀態之高位準。因此，經由選擇性的使監視強制 模態之活性化信號TEST1和TEST2成為活性狀態，可Μ經由 外部端子7從外部監視負電壓VBB和升壓電壓VPP。另外， Κ同樣之方式，可以經由外部端子7將負電壓VBB或升壓電 壓VPP施加到指定之節點，可以將該等電壓VBB和VPP設定 在所希望之電壓位準。 在梢接觸試驗之情況時，監視強制模態之活性化信號 TEST1和TEST2均變成非活性狀態之低位準。因此，在此種 狀態，MOS電晶體Q13和Q36均為OFF狀態，另外一方面，因 為M0S®晶體Q3和Q34均為ON狀態，所Μ經由從外部對該等 第1和第2食沒電路10和110施加高電壓或負電壓，可Κ用來 實行梢接觸試驗。 如上所述，依照本發明之實胞形態13時，因為在高電臞 部和負電壓部兩者，設有用來使定位功能選擇性成為活性 /非活性之電路，所Μ可Μ經由1個之梢端子從外部監視高 電壓和負電壓之任何一個，和從外部施加負電壓和高電壓 之任何一個藉以將該等電壓設定在所希望之位準。同樣的 ，使用高壓和負電壓之任何一涸亦可進行梢接觸試驗。 [實施形態14] 圖25表示本發明之第14實施形態之半専體裝置之主要部 份之構造。在該圖25所示之携造中，在半導體裝置內部產 生2個之升壓電壓VPP和VPP2。所示之構造用來實現該2個 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ 7 (請先閲讀背A之注意事項再填寫本頁) HI m ^ϋ· m. ί I. nn ·ϋ ml n i - -訂 —踩 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明（丨;Η) 升壓電壓VPP和VPP2之外部監視和從外部之施加。 在圖25中，包含有：控制電路130，在回應監視強制横態 之活性化信號TEST2時，用來產生在升壓電壓VPP和接地電 壓VSS之位準之間進行變化之互補控制信號IFG2和Gcnt2; 第2内部電位連接電路160，被連接在升壓節點VPP和内部 節點NA之間，在回應該控制信號Gcnt2時，用來使升懕節 點VPP和内部節點NA產生電連接；控制電路140，在回應第 3監視強制模態之活性化信號TEST3時，用來產生在升壓電 壓VPP2和接地電壓VSS之位準之間進行變化之互補控制信 號IFG3和Gcnt3;第3内部電位連接電路260，被連接在升 壓節點VPP2和内部節點NA之間，在回應控制信號Gcnt3時 ，用來使升壓節點VPP2和內部節點NA選擇性的產生電連接 ;和定位電路ll〇a，在回應控制信號IFG2和IFG3時*用來 在電源節點VCC和内部節點HA之間，選擇性的形成電流路 徑。 控制電路130和第2内部電位連接電路160具備有與先前 之圖23所示之構造相同之構造。其對應之部份附加相同之 參考號碼，而其詳细之說明則加以省略。在第2監視強制 模態之活性化信號TEST2之非活性化時，控制信號IFG2變 成接地電壓VSS位準，控制信號Gcnt2變成升壓電壓、/卩厂位 準0 控制電路140包含有：η通道M0S電晶體Q37，被連接在接 地節點VSS和節點S之間，W其閘極接受信號TEST3; η通道 M0S電晶體Q38，被連接在節點R和接地節點VSS之間，以其 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1Τ i. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明U;⑴ 閘極接受經由反相器IV5之信號TEST3; p通道MOS電晶體 Q39，被連接在節點S和升壓節點VPP2之間，其閘極連接在 節點R;和p通道MOS電晶體Q40，被連接在節點R和升壓節 點VPP之間*其閘極連接在節點S。該控制電路140之構造 與控制電路130之構造相同，惟一之不同是施加在升壓節 點之電壓位準互異。 從節點R輸出控制信號IFG3，和從節點S輸出控制信號 G c n t 3 ° 第3内部電位連接電路260包含有p通道MOS電晶體Q45 · 被連接在升壓節點VPP2和内部節點NA之間，K其閘極接受 控制信號G c n t 3。 定位電路110a包含有：p通道MOS電晶體Q3 5，具有連接 在内部節點NA之一方之導通節點，和連接在電源節點VCC 之閘極電極節點；和P通道M0S電晶體Q34和Q44，串聯連接 在M0S電晶體Q35和電源節點VCC之間。M0S電晶體Q34以其 閘極接受控制信號IFG2，M0S電晶體Q44K其閘極接受控制 信號IFG3。M0S電晶體Q34和Q44之位置亦可Μ互換。内部 節點ΝΑ經由第1保護電路20連接到外部端子7。在内部節點 ΝΑ連接有内部電路11，該内部電路11依照其内部節點ΝΑΙ 之信號電位進行指定之處理，用來產生内部信號藉以將其 傳達到内部之電路。下面將參照圖26所示之動作波形圖用 來說明該圖25所示之半導體裝置之動作。 信號TEST2和TEST3不會同時變為非活性狀態。在測試模 態時，其一方變成活性狀態。下面為著簡單化將第2監視 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ 7Ρ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -mV mt^ tm i —裝- ,ιτ 丨咏 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7()) 強制模態之活性化信號TEST2為活性狀態時所指定之動作 模態稱為VPP横態，將第3監視強制模態之活性化信號 TEST3為活性狀態時所指定之測試模態賴读VPP2模態。 當VPP模態和VPP2模態均為非活性狀態時’信號TEST2和 TEST3均為低位準。在此種狀態’於控制電路3〇中，MOS電 晶體Q30變成OFF狀態* M0S電晶體Q31變成ON狀態’控制信 號IFG2變成接地電壓VSS位準，控制信號Gcnt2變成升壓電 壓VPP位準。同樣的，在控制電路140中，如圖26所示’ M0S電晶體Q37變成OFF狀態，M0S電晶體Q38變成0N狀態· 控制信號IFG3變成接地電壓VSS位準，控制信號Gcnt3變成 升壓電壓VPP2之電壓位準。 在定位電路110a中，因為M0S電晶體Q34和Q44均變成0N 狀態，所以將電源電壓VCC傳達到M0S電晶體Q35之另外一 方之導通節點。利用這種方式，M0S電晶體Q35K二極模態 進行動作，當內部節點NA之電位高於VCC+V35時就進行導 通，使電流從内部節點N A流向電源節點VCC，使内部節點 NA之電位降低。其中，V35表示M0S電晶體Q35之臨界值甯 壓之絕對值。因此，在這種狀態，定位霉路110a具有作為 通常之定位元件之功能。 在內部電位連接電路160中* M0S電晶體Q36M其閘極接 受升壓電壓VPP位準之控制信號Gcnt2，M0S電晶體£136維持 OFF狀態直至内部節點NA之電位高於升壓電壓VPP。同樣的 ’在内部電位連接電路260中，M0S電晶體Q45M其閘棰接 受升壓電壓VPP2之電壓位準之控制信號Gcnt3，M0S電晶體 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） _ 7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 經濟部中央梂率局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 __ 五、發明説明（7i ) Q45只有在内部節點ΝΑ之S位不高於升壓轚壓卩？？2之電壓 位準時才維持OFF狀態。亦即，MOS電晶髖Q36在内部節點 NA之電壓高於VPP+V36時進行導通，M0S電晶體Q45在内部 節點NA之電位高於VPP2+V45之電壓位準時進行導通。其 中，V36和V45分別表示M0S電晶體Q36和Q45之臨界值電壓 之絕對值。因此，升壓節點VPP和VPP2與内部節點KA形成 電分離。所Μ經由外部端子7施加高電壓VP(升壓電懕VPP 和VPP2與電源電壓VCC+V35之間之電壓位準），可W形成 從内部節點ΝΑ經由定位電路110a到電源節點VCC之霣滾路 徑，經由從外部監視其電流，可以用來進行梢接觸試驗。 其次，在VPP模態時，如圖26所示之信號TEST2變成高位 準，另外一方之信號TEST3維持接地電壓VSS位準。在此種 狀態，在控制電路130中，M0S電晶鱧Q30變成ON狀態、M0S 電晶體Q31變成OFF狀態，控制信號IFG2變成升壓電壓VPP 位準，控制信號Gent 2變成接地電壓VSS位準。在第2内部 電位連接電路160中。M0S電晶體Q36M其閘極接受接地電 壓VSS位準之控制信號Gcnt2因而進行導通，用來使升壓節 點VPP電連接到内部節點NA。另外一方面，在第3内部電位 連接電路260中，M0S電晶體Q45M其閘極接受升壓轚壓 VPP2之電壓位準之控制信號Gcnt3，用來維持ΟΜ狀態。因 此，只有升壓節點VPP被電連接到内部節點NA，而升壓節 點VPP2則與内部節點NA形成電的分雛。 在定位電路110a中，M0S電晶體Q34M其閘極接受升電電 壓VPP位準之控制信號IFG2。另外一方面，M0S電晶體Q44 -74 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 丨冰. 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 B7 五、發明説明（？2) K其閘極接受接地電壓VSS位準之控制信號IFG3。因此， 内部節點NA之電位進行上升，MOS電晶體Q34之維持OFF狀 態是沒有比升壓電壓VPP高之電壓經由M0S電晶體35施加在 M0S電晶體Q3 4時。因此，可K經由外部端子監視該升壓節 點VPP之電壓位準。在此種狀態，於定.位電路110a中，因 為不會形成電流路徑，所Μ可Μ從外部正確的監視升壓電 壓VPP之電壓位準。在從外部端子7變更升壓電壓VPP之電 壓位準之情況時，因為控制信號IFG2之電壓位準亦進行變 化，所Μ同樣的，在定位電路110a中*電流路徑被中斷， 可Μ將升壓節點VPP之電壓位準正確的設定在所希望之電 壓位準。 在VPP2模態之活性化時，信號TEST2變成接地電壓位準 之低位準，信號TEST3變成高位準。在此種狀態，從控制 電路130輸出之控制信號IFG2變成接地電壓VSS位準，控制 信號Gcnt2變成升壓電壓VPP位準。因此，在定位電路110a 中，M0S電晶體Q34變成ON狀態，電源電壓VCC傳達到M0S電 晶體Q44之一方之導通節點（吸極）。另外一方面*在連接 電路160中，M0S電晶體Q36變成OFF狀態（只有當内部節點 NA之電位高於升壓電壓VPP+V36時）。因此，可以使升颳 節點VPP和内部節點NA產生分離。 另外一方面，因為M0S電晶體Q37變成0N狀態* M0S電晶 體Q38變成OFF狀態，所Μ來自控制電路140之控制信號 IFG3變成升壓電壓VPP2之電壓位準，另外一方面，控制信 號Gcnt3變成接地電壓VSS位準。在此種狀態，於定位電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 7 K _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 I 冰---- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 J) 110a中，MOS電晶體Q44之維持OFF狀態是沒有比升壓電壓 VPP2高之電壓經由M0S電晶體Q35傳達到M0S電晶體Q44時。 因此，即使有升懕電壓VPP2之電壓位準傳達到內部節點NA 時，在該定位電路ll〇a中，因為電源節點VCC和内部節點 NA之間之電流路徑被中斷，所以可Μ進行升壓電壓VPP2之 外部監視和進行從外部施加。 在連接控制電路260中，M0S電晶體Q 45之閘極為接地電 壓VSS位準，M0S電晶體Q45變成0Ν狀態，用來使升壓節點 VPP 2連接到内部節點NA。利用這種方式*可Μ經由外部端 子7從外部監視升壓節點VPP2之電壓。相反的，從外部端 子7施加指定位準之高電壓可以使該升壓節點VPP2之電壓 位準變化。在這種情九時，因為依照所施加之高電壓使升 壓電壓VPP2之電壓位準進行變化，所Μ控制信號IFG3之電 壓位準亦進行變化，可W使M0S電晶體Q44確實的變成OFF 狀態*可Μ將所希望之高電壓正確的施加到升壓節點VPP2。 因此，依照該圖25所示之構造時，可Μ經由1個外部端 子7，進行多個電壓位準之升壓電壓之外部監視，和從外 部施加。另外，下面將說明利用升壓電壓VPP和VPP2之電 壓位準使OFF狀態之連接電路變成導通狀態。例如，當轉 移到VPP模態時，在升壓電壓VPP比升壓電壓VPP2高很多之 情況，M0S電晶體Q45W其閘極接受升壓電壓VPP2因而變成 0N狀態*電流從内部節點NA流向升壓節點VPP2。要確實防 止此種情況時，在升壓電壓VPP比升壓電壓VPP2高之情況 ，以閘極接受控制信號IFG2之p通道M0S電晶體被連接在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 7 R _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) IT. 裝· 訂 -—冰 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7】） MOS電晶體Q45和内部節點NA之間。利用這種方式，在VPP 模態時，信號IFG2變成升臞電壓VPP位準，該追加之MOS電 晶體變成OFF狀態*因為可Μ確實的中斷升壓節點VPP2和 内部節點ΗΑ之間之電流路徑，所Μ可Μ防止升壓電壓VPP2 之不必要之變化。在VPP2模態時，因為該控制信號IFG2變 成接地位準*所Κ不會有任何問題，可Μ將升壓節點VPP2 電聯接到内部節點ΝΑ。 如上所述，依照本發明之實施形態14時，在定位電路中 ，因為串聯連接有Ρ通道M0S電晶體Κ其閘極接受各種不同 之升壓電壓所對應之控制信號，所Μ在存在有多個升壓電 壓位準之情況時，在該等外部施加模態或外部監視模態之 情況，可以確實的中斷定位電路ll〇a中之電源節點和内部 節點之間之電流路徑，所Μ可Μ確實的實現多個升壓電壓 之電壓位準之外部監視和來自外部之不同電壓位準之設定。 另外，升壓電壓VPP和VPP2之電壓位準相同，在被施加 部份不同之情況時（例如在半導體記憶裝置中，於多個記 憶器陣列（塊）之每一個設置升壓電壓產生電路之情況）* 對於各個部份*可以互相獨立的進行升Μ電壓之外部監視 和從外部施加。利用這種方式使不良之解析變成非常容易。 [實施形態15] 圖27表示本發明之第15實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。在圖27中，半専體裝置包含有：第1基板電位 產生電路15a，用來產生基板電位VBB;和第2基板電位產 生電路15b，用來產生基板電位VBB2。該基板電位VBB和 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） _ 77 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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.IT 經濟郎中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（75) VBB2均為負電壓，其電壓位準可Μ互不相同，也可K是對 半導體記憶裝置之記憶器陣列（塊）之每一個施加之相同電 壓位準之基板電位。 該半導體裝置更包含有：控制電路80 a，在回應監視強 制模態之活性化信號TEST1時，用來產生在電源電壓VCC和 負電壓（基板電位）VBB之間進行變化之互補之控制信號 IFGa和Gcnta;控制電路80b，在回應監視強制模態之活性 化信號TESTlb時，用來輸出在電源電壓VCC和負電壓（基板 電位）VBB2之間進行變化之互補之控制信號IFGb和Gcntb; 連接電路60a，在回應來自控制電路80a之控制信號Gcnta 時，使第1基板電位產生電路15a之輸出部連接到内部節點 NA;和基板電位連接電路60b，在回應來自控制電路80b之 控制信號Gcntb時，使第2基板電位產生電路15b之輸出部 連接到内部節點NA。為著使說明簡化，在信號TESTla之活 性化時所指定之動作模態稱為VBB模態，在信號TESTlb之 活性化時所指定之動作模態稱為V B B 2模態。 該半導體裝置更包含有定位電路10，被連接在內部節點 NA和接地節點VSS之間，在回應來自控制電路80a和80b之 控制信號IFGa和IFGb時，用來將該內部節點NA之負電位定 位在指定之電位位準。 控制電路80a包含有：反相器IVa，用來接受信號TESTla ;P通道M0S電晶體Q15a，被連接在電源節點VCC和節點Fa 之間，以其閘極接受信號TESTla ; p通道M0S電晶體Q15b， 被連接在電源節點VCC和節點Ga之間* K其閘極接受反相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 7 S _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 • I 咏--1 . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（7f;) 器IVa之輸出信號；η通道MOS電晶體Q17a，被連接在節點 Fa和負電壓施加節點（第1基板電位產生電路15a之輸出部 )VBB之間，其閘極連接到節點Ga;和η通道MOS電晶體Q18a ，被連接在節點Ga和負電壓腌加節點VBB之間，其閘極連 接到節點Ga。 連接電路60包含有η通道MOS電晶體Q13a’被連接在第1 基板電位產生電路15a之輪出節點和内部節點NA之間，以 其閘極接受控制信號Gcnta。控制電路80b包含有：p通道 M0S電晶體Q15b，被連接在電源節點VCC和節點Fb之間，以 其閘極接受信號TESTlb ; p通道MOS電晶體Q16b，被連接在 電源節點VCC和節點Gb之間，其閘極接受經由反相器I^b 之信號TESTlb; η通道MOS電晶體Q17b’被連接在節點Fb和 負電壓施加節點（第2基板電位產生電路之輸出部）VBB2之 間，其閛極連接到節點Gb;和η通道M0S電晶體Q18，被連 接在節點Gb和負電壓施加節點VBB2之間，其閘極連接到節 點Fb。 連接電路60b包含有η通道M0S電晶體Q13b’被連接在內 部節點NA和負電壓施加節點（第2基板電位產生電路15b之 之輸出部）VBB2之間，Μ其閘極接受控制信號Gcntb。 定位電路10包含有：η通道MOS電晶體Q3，其一方之導通 節點和閘極連接在接地節點VSS; η通道M0S電晶體Q4a和 Q4b，互相串聯的連接在內部節點NA和M0S電晶體Q3之間。 M0S電晶體Q4aM其闸極接受控制信號IFGa，M0S電晶體Q4b Μ其閘棰接受控制信號IFGb。在定位電路10中，MOS電晶 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 7 q _ (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) • —^1 i^i 1^1 n I Jr i s > I I I ,

.IT i 球—i 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7/) 體Q3、Q4a和Q4b限定要串聯連接在内部節點NA和接地節點 VSS之間，而其排列順序則可Μ任意的設定。下面將參照 圖28之動作波形圖用來說明該圖27所示之半導體裝置之動 作。 在VBB模態和VBB2横態均為非活性狀態時，信號TESTla 和TESTlb均為接地節點VSS位準之低位準。在此種狀態， 於控制電路80中，MOS電晶體Q15a為ON狀態，MOS電晶體 Q16a為OFF狀態*因此控制信號IFGa變成電源電壓VCC位準 之高位準，控制信號Gent 4變成負電壓VBB位準之低位準。 同樣的，在控制電路80b中，控制信號IFGb變成電源電壓 VCC位準之高位準，控制信號Gentb變成負電壓VBB2位準之 低位準。因此，在連接電路60a和60b中，M0S電晶體Q1 3a 和Q13b均變成OFF狀態，基板電位產生電路15a和15b之輸 出部均與内部節點NA產生電分離。 在定位電路10中，M0S電晶體Q4a和Q4b均變成0N狀態， 用來使内部節點HA電連接在M0S電晶體Q3之另外一方之導 通節點（吸極），M0S電晶體Q3M二極體模態進行動作。因 此，在此種狀態中，定位電路10因為K該M0S電晶體Q3當 作定位元件的進行動作，所Μ從外部端子7胞加負電壓（比 負電壓V Β Β和V Β Β 2淺（亦即絕對值較小）），用來使電流在內 部節點ΝΑ和接地節點VSS之間流動，從外部監視該電流可 Μ用來進行識別外部端子7是否確實的電連接到内部節點 HA ◦ 在監視強制横態時· VBB模態和VBB2模態只有一方被活 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） __ ........I I*·n I I I - - - - - - - - - . - II I n I I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 —______ 五、發明説明（7b) 性化，另外一方則維持非活性狀態。在進行VBB模態時， 信號TESTa變成高位準’另外一方面’信號TESTlb維持為 接地電壓VSS位準之低位準。在此種狀態’於控制電路80a 中，MOS電晶體Q15a變成OFF狀態’ MOS電晶體Q16a變成ON 狀態，控制信號Gcnta變成電源電壓VCC位準之高位準’另 外一方面，控制信虢1FGa變成負電_^8位準之低位準。 控制信號IFGb維持在電源®壓VCC之位準’控制信號Gcntb 維持在負電壓VBB2之電懕位準。 在此種狀態，於連接電路60a中’ M0S電晶體Q13a變成0N 狀態，用來使第1基板電位產生電路15a之输出部電連接到 內部節點NA。在定位電路1〇中’ M0S電晶體Q4b變成ON狀態 ，用來使内部節點NA連接到M0S電晶體Q4a之導通節點。只 有在內部節點NA之電位不低於負電壓VBB時’ M〇S.電晶體 Q4a才維持〇FF狀態（M0S電晶體4a之變成0N狀態是當内部節 點NA之電位比負電壓VBB低了該M0S霄晶體Q4a之臨界值電 壓部份時）。 另外，在連接電路中’ M0S電晶體Q13bM其閘極接受 負電壓VBB2因而維持OFF狀態，第2基板電位產生電路15b 之输出部與内部節點ΝΑ產生電分離。因此*在此種狀態’ 第1基板電位產生電路15a所產生之負電壓VBB傳達到内部 節點NA，可以經由外部端子7監視該負電壓VBB之電壓位準 。相反的，從外部端子7施加負電壓，可Μ將該第1基板電 位產生電路15a所產生之負電壓VBB之電壓位準設定在所希 望之電壓位準。在此種狀態，因為控制信號IFGa依照從外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 2.97公釐） _ g_ HI nn Jl·— I HL^ m* I n 1^1 Bn In n^aJnn nn 1^1 ^^^1 I. (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 ___B7_ 五、發明説明（ 部施加之負餵懕位準進行變化，所以在定位電路10中之 MOS電晶艘在正常時維持’可'W'f吏内部節點！^ 和接地節點VSS之間之電流路徑確實的成為中斷狀態。利 用此等一連貫之動作•在VBB模態時’可M進行負®MVBB 之外部監視和負電壓VBB之電應位準之夕卜$&定之任何― 種之動作模態。 在VBB2模態之活性化時*信號TESTla變成接地電壓VSS 位準之低位準，另外一方面’信號TESTlb變成高位準。在 此種狀態，於控制電路80a中’ M0S電晶趙Q15a變成0N狀態 ，MOS電晶艘Ql6a變成0狀態。因此’控制信號Gcnta® 成負電壓VBB位準之低位準，控制信號IFGa變成電源電歷 VCC位準之高位準。利用這種方式’在連接電路6〇3中’ MOS電晶體Q13a變成OFF狀態，用來使第1基板電位產生電 路15a之输出部與内部節點NA產生電分離。 另外一方面，在控制電路80b中，M0S電晶體Q1 5b變成 OFF狀態，M0S電晶體Q16b變成0H狀態。因此’控制信號 Gcntb變成電源電壓VCC位準之高位準，控制信號IFGb變成 負壓VBB2位準之低位準。在連接電路6〇b中’ M0S電晶體 Q13b變成0N吠態，用來使第2基板電位產生電路15b之輪出 部電連接到内部節點NA。在定位電路1〇中’ M0S電晶體Q4b Μ其閘極接受負電壓VBB2位準之控制信號IFGb，只有在内 部節點NA之電位不低於該負電颳VBB2時才維持OFF狀態。 因此，在此種狀態中，可以經由外部端子7將傳達到内部 節點NA之來自第2基板電位產生電路15b之負電壓VBB 2輸出 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） I~ΓΊ: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •I .球 IJ· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（S⑴ 到外部，可Μ從外部監視該負電壓VBB2之電壓位準。相反 的，從外部端子7施加指定之電壓位準之負電壓*可Μ將 該負電壓VBB2之電壓位準設定在所希望之電壓位準。在負 電壓VBB2之電壓位準變化時，因為依照控制信號IFGb之電 壓位準的進行變化*所KMOS電晶體Q4b確實的維持OFF狀 態，用來中斷内部節點NA和接地節點VSS之間之電流路徑 。利用這種動作，在VBB2模態中，可Μ實行與負電壓VBB2 有關之外部監視和外部施加之動作。 [變更例] 圖29表示本發明之第15實施形態之變更例之構造。在圖 29中顥示圖27所示之内部電位連接電路60a和60b之部份之 構造。其他之構造與圖27所示之構造相同。在圖29中，連 接電路60a包含有η通道M0S電晶體Q13x，連接在M0S電晶體 Q13a和内部節點ΝΑ之間，並且與該M0S電晶體Q13a形成串 聯連接。M0S電晶體Q13xW其閘極接受控制信號IFGb。M0S 電晶體Q13a與圖27所示之電晶體Q13a相同，K其閘極接受 控制信號G c n t a。 連接電路60b包含有η通道M0S電晶體Q13y，連接在M0S電 晶體Q13b和内部節點NA之間，並且與該M0S電晶體Q13b形 成串聯連接。下面將說明其動作。 在VBB模態之活性化時，控制信號IFGb為電源電壓VCC位 準，M0S電晶體13x為0N狀態，用來使M0S電晶體Q13a電連 接在內部節點NA。另外一方面，控制信號IFGa為負電壓 VBB位準，只有當內部節點NA之電位不低於負電壓VBB時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 8 3二 ----------i---f---—裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟郎中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（S i) MOS電晶體Q13y才維持OFF狀態。控制信號Gcnta為電源電 壓VCC位準*在内部節點NA，經由M0S電晶體Q13x、Q13y被 施加有負電壓VBB。這時，即使負電壓VBB為低於負電壓 VBB2之電壓位準時* M0S電晶體Q13y亦維持OFF狀態，該負 電壓VBB不會傳達到M0S電晶體Q13。因此，在連接電路60b 中，即使該負電壓VBB成為低於負電壓VBB2之電壓位準時 *亦可Μ防止該負電壓VBB施加到負電壓施加節點VBB2， 可Μ使内部節點ΝΑ和負電壓施加節點VBB2確實的產生電分 離•只有負電壓VBB可以進行外部監視和外部設定。 相反的*在VBB2模態之情況時，控制信號IFGb變成負電 壓VBB2之電壓位準，控制信號Gcnta為負電壓VBB位準。另 外一方面，控制信號IFGa為電源電壓VCC位準，控制信號 Gcntb為電源電壓VCC位準。因此，負電壓施加節點（第2基 板電位產生電路之輸出部）之負電壓VBB2經由該連接電路 60b傳達到内部節點NA。在傳達到内部節點NA之負電壓 VBB2高於負電壓VBB之情況時，假如該負電壓VBB2亦經由 M0S電晶體Q13x使洩漏電流傳達到M0S電晶體Q13a，則M0S 電晶體（5133因為其源極和閘極電位均變成負電壓VBB位準 ，所Μ維持在OFF狀態，用來防止該負電壓VBB2傳達到負 電壓施加節點VBB。另外一方面，在該負電壓VBB2之電壓 位準低於負電壓VBB之情況時，M0S電晶體Q13x因為其閘極 和源極之電位相等，所Μ變成OFF狀態，用來防止該負電 壓VBB2傳達到負電壓施加節點OB。因此，在任何一種狀 態，因為内部節點NA和負電颸施加節點VBB之間之電流路 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 8 4 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（82) 徑被中斷，所Μ可Μ將內部節點NA之電壓位準正確的設定 在負電壓VBB2之電壓位準。因此，對於負電壓VBB2，可Μ 正確的實行外部監視和外部設定之動作模態。 另外*負電壓VBB和負電壓VBB2之闞係在任何一種模態 均癖固定之情況，例如在VBB<VBB2之情況，可Κ只在用 Μ傳達較高之一方之負電壓之連接電路（電路60b)設置該 路徑中斷用之追加之M0S電晶體（Q13y)。在這種情況時， 在用以傳達較低之一方之負電壓之連接電路（60a)，可K 不需要設置追加之M0S電晶體（Q13x)。 如上所述，依照本發明之實施形態15時，因為在定位電 路之内部節點和接地節點之間，串聯連接有M0S電晶體用 來接受互不相同之控制信號，所Μ可K對多種之負電壓進 行外部監視和外部設定，和可Μ進行梢接觸試驗。 [實施形態16] 圖30表示本發明之第16實施形態之半導體裝置之主要部 份之構造。圖30所示之半専體裝置之構造實質上與圖1所 示之半導體裝置之構造相同。在該圖30所示之半導體裝置 之構造中，η通道M0S電晶體Q2〜Q4、Q7、Q8、Q11〜Q13被 連接成Μ各涸基板區域接受負電壓VBB之方式。 在内部電路11中，η通道M0S電晶體lib被連接成Μ其基 板區域接受負電壓VBB。被包含在控制電路30和40 W及連 接電路60之η通道M0S電晶體Q7、Q8、Q11〜Q13分別Μ其基 板區域連接到各個源極區域。因此，該等M0S電晶體不會 有反向閘效應，臨界值電壓不會產生變動。另外一方面， 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ 〇 c _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ----—裝. 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（U) 内部電路11之η通道MOS電晶體llbM其基板區域接受負電 壓VBB，受到反向閘效應之影響，所Μ其臨界值電壓變高 。因此，在該内部電路11中，可Μ充分的抑制經由MOS電 晶體lib之洩漏電流。要產生經由該内部電路11中之MOS電 晶體lib之洩漏電流相同程度之洩漏電流時，可K使被包 含在控制電路30和40之η通道MOS電晶體Q7、Q8、和Q11、 Q12及連接電路60之M0S電晶體Q13之臨界值電壓大於M0S電 晶體lib之臨界值電壓。利用這種方式，即使在該等M0S電 晶體之閘極電位為負電壓VBB之情況時，亦可Μ確實的抑 制洩漏電流。 另外一方面，在定位電路10中，當内部節點ΝΑ之電位為 負電壓VBB位準之情況時，M0S電晶體Q3因為反向閘效應減 小，所以其臨界值電壓變小。在這種情況時，M0S電晶體 Q3為著要抑制内部節點Ν Α之負電位而使臨界值電壓變小時 亦不會發生問題。另外一方面，在監視強制模態之活性化 時，該M0S電晶體Q4使控制信號IFG1成為負電壓VBB位準。 在該監視強制模態之活性化時，需要確實的中斷内部節點 Ν A和接地節點VSS之間之電流路徑。在監視強制模態中， 内部節點NA之電位降低，當該M0S電晶體Q4之源極電位接 近負電壓VBB時，M0S電晶體Q4之反向閘效應就變小，其臨 界值電壓因而變小。利用這種方式可Μ認為M0S電晶體Q4 之洩漏電流變大。要抑制該洩漏電流時，可Μ使M0S電晶 體Q4之臨界值電壓V+h大於M0S電晶體lib之臨界值。利用 這種方式，用來補償反向閘效應之變小，可Μ確實的防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ χ R _ ----Ί--J---1 r 裝------訂------'球 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（S !) 洩漏電流，在監視強制模態時可Μ高速而且穩定的使內部 節點ΝΑ之電位毽定在指定之電位位準。 該圖30所示之MOS電晶體Q4，當串聯連接在内部節點ΝΑ 之情況時，因為其源極和基板區域之電位完全相同，所Μ 使該臨界值電壓變大之效果更加顯著，因此可Μ確實的抑 制洩漏電流。 用來使η通道M0S電晶體之臨界值電壓變高之方法，經由 使通道區域之Ρ型不純物濃度變高或使Ν型不純物澹度變低 ，可Μ很容易的實現。另外一種代替方式是使M0S電晶體 Q4之通道長度（閘棰長度）變長。 如上所述，依照本發明之實施形態16時，在定位電路中 ，因為Μ其閘極接受負電壓之M0S電晶體之臨界值電壓大 於內部電路之M0S電晶體之臨界值電壓，所Μ在監視強制 模態之活性化時，可Κ抑制洩漏電流之產生，可Κ確實的 中斷内部節點和接地節點之間之電流路徑。 [實施形態17] 圖31是方塊圖，用來概略的表示本發明之第17實施形態 之半導體裝置之主要部份之構造。在圖31中，半導體裝置 包含有：第1保護電路20，被連接在外部端子7和内部節點 ΝΑ之間，内部電路，用來對内部節點ΝΑ上之信號施加指定 之處理，然後將其傳達到内部之電路；控制電路38，在回 應監視強制模態活性化信號TEST時，用來輸出控制信號 Gent和IFG;定位電路310，被連接在内部節點NA，在回應 來自控制電路380之控制信號IFG時，用來使其定位功能活 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ S 7 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 b) 性/非活性化；内部電壓產生電路350，用來產生指定之內 部電壓VPP/VBB;和連接電路360，在回應來自控制電路 380之控制信號Gent時，用來使該内部電壓產生電路350之 輸出部之節點電連接到內部節點NA。第1保護電路20和内 部電路11具備有與先前之實施形態1至16中所說明者相同 之構造。 在該圖31所示之半導體裝置中，定位電路310亦可以將 內部節點NA之電壓定位在高電壓或負電壓之任何一個之位 準。因此，在圖31中以包含有兩者之方式顯示。同樣的， 在控制電路380，因為輸出有控制信號IFG和Gent用來進行 該負電壓和升壓電壓之外部施加，外部監視和梢接觸試驗 ，所Μ該等負電壓和升壓電壓兩者用之控制信號統一以符 號IFG和Gent來表示控制信號。 內部電壓產生電路350包含有：振邇電路352，在回應監 視強制模態之活性化信號TEST時，選擇性的變成活性狀態 ;和充電泵354，在回應來自該振盪電路352之振盪信號（ 時鐘信號）時，進行充電泵動作，用來產生指定之內部電 壓VPP/VBB。充電泵354由通常之電容器和二極體所構成， 用來產生升壓電懕VPP或負電壓VBB。 在該内部電壓產生電路350中，當監視強制模態活性化 信號TEST指定外部施加模態用來從外部胞加指定之電壓時 ，振盪電路352就停止振盪動作。利用這種方式*在外部 施加模態時，可Μ很容易而且正確的將該内部電壓產生電 路3 50之輸出部之電壓設定在指定之電壓位準。亦即，在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ ο 〇 _ I-1 —y-li_ n I — I -I---I ---- I 1 -—J.. (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（Sh ) 從外部施加所希望之電壓位準之電壓時*於內部電壓產生 電路350進行動作之情況，與該動作無關的，要將内部節 點之電位設定在指定之電壓位準時（尤其是在内部電壓之 絕對值很小之情況時），外部電路必需要有相當大之電流 驅動力。但是，在該外部施加模態時，經由使內部電壓產 生電路350之動作停止，即使使用具有比較小之電流驅動 力之電路時，亦可以從外部將内部節點設定在指定之電壓 位準。利用這種方式，可Μ高速的和穗定的將内部節點設 定在指定之電壓位準。 圖32用來表示該圖31所示之内部電壓產生電路之構造和 用Μ產生測試模態指定信號之部份之構造。在圖32中，監 視強制模態活性化信號TEST從用Μ接受信號WCBR和任意之 位址信號Am之測試模態檢測電路390輸出。信號iiC BR表示 當半導體裝置為動態随機存取記憶器（DRAM)之情況時，寫 入激勵信號/WE和列位址選通信號/CAS比行位址選通信號 /RAS之下降更先變成低位準之活性狀態。如同具備有靜態 列模態之半導體記憶裝置等之方式，在未使用信號/C AS之 情況時，可K利用代替之信號（例如晶片選擇信號）。利用 多個控制信號之時序關係，可Μ使用測試模態被指定之構 造，對於W C B R條件則沒有特別之限制。 測試模態檢測電路390之動作是在該WCBR條件被指定時 ，和位址信號Am為指定值時，使監視強制模態活性化信號 TEST成為活性狀態之高位準，然後施加到圖31所示之控制 電路380。在從外部將電壓施加到内部節點之外部施加模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ο π _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^^1 nn ml m nn —^n« Hr— mj- ml nn In 1 · 訂 A7

五、發明説明（sγ) 態和從外部監視内部電壓產生電路所產生之内部11壓之外 部監視模態之任何一種之情況時’該監視強制模態活性化 信號TEST均變成活性狀態。 被包含在内部電壓產生電路350之振邇電路352包含有： 偁數段之反相器（圖32中為2段之反相器）3528和3521>;和 N AND閘352C ’用來接受反相器352b之输出信號和外部施加 模態活β沁信號ZVE° NAND閘352C之輸出信號施加到充電 泉354和施加到反相器352a之輸人部。外部施加模態活性 化信號ZVk從外部施加模態檢測電路395施加’該外部施加 模態檢测電路395用來接受指定之位址信號As和來自測試 模態檢測電路390之監視強制模態活性化信號TEST。該外 部施加模態檢测電路395由如同NAN D型解碼器之元件所構 成，當監視強制模態活性化信號TEST為活性狀態和位址信 號As為指定之邇輯位準（例如高位準）時，就判別外部施加 模態被指定，用來使該外部施加模態活性化信號ZVE成為 活性狀態之低位準。 當信號ZVE為活性狀態之低位準時，在振通電路352中’ NAND閘352C之輸出信號被固定為高位準，充電泉354停止 進行充電泵動作。利用這種方式，在外部施加棋態被指定 時，可以使振通電路352之振蘧動作停止。在從外部監視 内部電壓之情況時，因為位址信號As為非活性狀態，所K 外部施加模態檢測電路395之輸出信號ZVE維持非活性狀態 之高位準。利用瑄種方式，NAND閘352C具有作為反相器之 功能，振通電路35 2由奇數段之反相器所構成，作為瓌形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2丨0><297公釐） -90 - -------ί I - I— ^IJ_ I— I nn n 1 ml J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ ¾¾) 振盪器的進行動作，用來產生具有指定之週期和脈波寬度 之振盪信號，然後將其施加到充電泵354。利用該振盪信 號，使充電泵354進行充電泵動作|用來產生具有指定之 電壓位準之内部電壓VPP/VBB(負電壓或升壓電壓）。 另外，在圖32所示之構造中，當存在有未使用之梢端子 之情況時，亦可Μ利用直接施加之構造，從外部直接施加 指定信號，藉Μ經由該未使用之梢端子指定測試模態。另 外，充電泵354之内部構造是利用電容器之充電泵動作， 但是只要能夠產生指定電壓位準之内部電壓，亦可Κ利用 任意之構造。具有振盪電路352之反相器之段數亦可以任 意的設定為適當之段數。 如上所述，依照本發明之實施形態17時，當從外部將指 定電壓位準之電壓施加到内部節點時，因為使内部電壓產 生電路停止動作，所Μ能夠穩定而且高速的將內部節點設 定在指定之電壓位準。 [其他之實施形態] 在先前之實施形態中，所示之構造分別是只對負電位設 置定位電路和只對正電位設置定位電路，但是也可Μ在各 種情況，對負電位和正電位兩者設置定位電路和進行監視 強制模態。 另外，作為具有定位功能之元件者，所說明的是使用以 二極體模態進行動作之絕緣閘型場效電晶體，但是只要是 具有定位功能之元件均可以任意的利用。例如，可Μ利用 ΡΝ接合二極體用來代替Κ閘極接受固定電位之MOS電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ q_ ----ί---^---ί/ 1 裝------訂------球---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

:公告

五、發明説明（89 ) 外之 另號 〇 信 制 控。 受體 接晶 極電 鬧0SMf 替 代 來 用 體 晶 電 極 雙 用 利 Μ 可 也 之 位 電 定 固 受 接 極 閘Μ 和 撞 晶 電 制準為 控位因 生有。 產備路 M具電 用要換 時只變 號，準 信路位 化電之 性換造 活變構 態準意 模位任 制之用 強含利 視包以 監所可 應路亦 回電 ， 在制者 , 控能 外之功 另號換 信變 壓進 電號 壓信 升擇 有選 加之 施器 上碼 線解 字自 擇來 選，對 之與 中用 置利 装 K 憶可 記亦 體以 導所 半， 性壓 變電 不負 在或 造 構 之 I B 同 V 相壓 造電 構負 之為 換作 變， 準外 位另 行 者 加 施 用 使 是 例 實 一 之 明 說 所 可壓電 亦電之 壓負線 電該字 負在擇 該。選 , 壓非 是電於 但負由 。之時 壓線擇 電字選 移擇線 偏選字 板非在 基之止 之中防 域AMM 區DR可 板到， 基達中 體傳式 導用方 半使線 在 K 字

所 出 流 之 料 資 元 單 器。 憶上 記線 之字 成擇 造選 所非 升到 上達 位傳電M 其可 使壓 合 電 耦負 容M 裝該 憶 ， 記 外 體另 導。on 半壓 C 性電CO 變負11 不之 S 在線1( 用字so 使擇於 Μ 選成 可到形 亦達到 者傳加 壓之施 電時用 負入使 為寫 Μ 作料可 ， 資亦 外之壓 另中電 置負 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--_-----訂------ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 體 本 之 體 晶 電 S ο Μ 道 通 Ν 之 置 裝 體 導 半 之 上 〇 板位 基電 Γ)體 to本 la之 u S S 域 In區 場P位 Μ ^ ^使，1¾ 是ιβιίτ # ^ » 件11時 保 元Dt加 和 ^ ^ m {疋BII1位 晶 ^ ® 場 0 ^ Μ 保_於 Η肖 S 第絕 U 在極值 含閘對 包為絕 被作大 為膜有 作緣具 絕要 電 作 動 之 路 電 之 位 電 作 動 之 例 位 〇 電造 之構 態之 狀意 通任 導用 成利 變 Κ 路可 電亦 位 ’ 定件 /fv r.元 值 對 絕 之 如 可 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（2丨0'〆297公t ) _ 92 _修正頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ Μ利用PN二極體，電流放大率hfe大之雙極電晶體。它與 第2保護電路中之用來將正之突波電位放出到電源節點之 元件相同，只要所具有之動作電位大於放钳ϊ突波電位之定 位電路之動作電位2元件，均可任意的利用。 具有保護用定位電路之裝置亦可適用於本發明。 另外，可Μ利用擴散電阻作為保護電阻，利用該擴散電 阻和基板區域之間之ΡΝ接合作為定位元件用之二極體，可 Κ實現面積效率良好之保護電路。 [特性試驗之種類] 圖33(A)表示動態型半導體記憶裝置之記憶器單元之構 造。在半専體記憶裝置中，記憶器單元被排列成具有行和 列之矩陣狀，另外，分別配置有字線WL和位元線（對偶）BL 對應到各個行和各個列。在圖33(A)中，只顯示1根之字線 WL和1根之位元線BL。記憶器單元包含有：記憶電容器MC ，以電荷之形態用來收納資訊；和存取電晶體MT，由η通 道MOS電晶體所構成，在回應對應之字線WL上之信號電位 時，使該記憶電容器MC之一方之電極節點（儲存節點）SN連 接到位元線BL。基板電位產生電路所產生之負電壓VBB施 加到存取電晶體ΜΤ之基板區域。中間電位位準之單元板電 壓VCP施加到記憶電容器MC之另外一方之電極節點（單元板 電極）。 字線WL在選擇時被施加有升壓電壓VPP。利用這種方式 ，在將位元線BL上之高位準資料寫入到記憶電容器MC時， 可Μ防止由於存取電晶體ΜΤ中之臨界值電壓損失所造成之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ q q _ I--X--J----裝------訂------咏--^ ".V ' » (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（91) 寫入資料之電壓位準之降低。經由使該升壓電壓VPP之電 壓位準變高，可以促成對存取電晶體MT之閘極絕緣膜之電 壓應力變高，在閘極絕緣膜潛在有不良之情況時，可Μ使 該不良顯著化。亦即，經由使升壓電壓VPP之電壓位準變 高，可Μ用來進行不良模態之加速。另外，使升壓電壓 VPP之電壓位準降低，將寫入資料傳達到記憶電容器MC之 儲存節點SN，經由檢査該資料是否正確的寫入到儲存節點 SN，可Κ對該升壓電壓VPP進行邊際不良之識別。該升壓 電壓VPP之邊際不良之檢测是判別資料”1”是否被正確的記 憶在記憶器單元。 圖33(B)用來概略的表示圖33(A)所示之記憶器單元之存 取電晶體之剖面構造。存取電晶體ΜΤ包含有：高濃度Ν型 不純物區域402和404，形成在Ρ型半専體基板400之上；和 閘極電極層406，經由閘極絕緣膜（圖中未顯示）形成在該 等不純物區域402和40 4之間之通道區域上。不純物區域 402連接到位元線BL，閘極電極層406連接到字線WL。不純 物區域404结合到記憶電容器MC。該儲存電容器MC可以具 備有溝道電容器構造，或是具備有叠層電容器構造。為著 要進行暫停復新（靜態資料復新）特性試驗時間之縮短，所 Μ使施加在該半導體基板區域400之負電壓VBB變深（使其 絕對值變大）。暫停復新特性表示在記憶器單元為等待狀 態時，記憶器單元保持記憶資料之正確程度。在等待時，字 線WL之電位變成接地電壓VSS(或負電位位準）之低位準。 位元線BL被保持在中間電位位準。在等待狀態時，被保持

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） Q,I ------.---f'l 裝------訂------球 I-.l· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（92) 在該儲存節點SN之電荷之減少之主要原因是在基板區域 40 0形成洩漏電極IL。在這種情況時，由於偏移電壓VBB變 成更負，施加在基板區域400和不純物區域404之間之PN接 合之電場變成更強，所Μ被保持在儲存節點SN之電荷朝向 基板區域400洩漏。因此，在電荷保持特性不良，亦即洩 漏電流很大之記憶器單元中，由於該強電場使洩漏電流IL 變大，因此Μ高速失去所保持之資料。因此，可以加速不 良模態，Μ高速（短時間）檢測不良之記憶器單元。 圖33(C)表示進行擾動復新（動態資料復新）特性試驗之 方法。擾動復新特性表示字線選擇時之非選擇記憶單元之 資料保持特性。在此種狀態中，字線WL變成非選擇狀態之 低位準（接地電壓或負電位）。位元線BL連接到未顯示之別 外一個選擇字線，依照記憶器單元資料使其電位變化成高 位準或低位準。當位元線BL之電位為低位準之接地電壓位 準，在不純物區域404(儲存節點SAO收納有高位準資料時 ，在該存取電晶體ΜΤ之臨界值電壓較小之情況，洩漏電流 IL從不純物區域404經由不純物區域402流到位元線BL。因 此，被收納在儲存節點SN之電荷就失去，因而使記憶資料 被破壞。為著要加速該不良模態，使負電壓VBB變淺（絕對 值變小）。利用瑄種方式*使存取電晶體ΜΤ之臨界值電壓 變小（因為反向閘效應減小），洩漏電流變大，促成電荷保 持特性不良之記憶器單元Μ高速失去其保持資料*因此可 ΜΜ短時間檢測其不良。 在先前之實施形態中，升壓電壓產生電路或負電壓產生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ 〇 r _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —But n^i fm 1— —UK· in flu^ nvv I *'J, Φ

、1T A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9：〇 1 1 電 路 之 輸 出 部 經 由 電 連 接 到 内 部 節 點 用 來 連 接 到 外 部 端 子 1 1 I 〇 但 是 在 該 監 視 強制 模 態 中 不 是 讓 用 Μ 產 生 此 種 內 部 1 1 I 電 壓 之 電 路 之 輸 出 部 連 接 到 外 部 端 子 而 是 讓 被 傳 達 有 指 請 1 1 閲 A 定 之 電 壓 位 準 之 電 壓 之 節 點 連 接 到 該 外 部 端 子 9 藉 讀 出 讀 背 | 面 I 到 內 部 節 點 上 0 之 注 J 意 I 在 這 種 情 況 時 可 Μ 從 外 部 正 確 的 識 別 任 意 之 内 部 節 點 事 項 1 之 電 位 〇 因 此 在 半 導 體 裝 置 之 最 终 試 驗 有 不 良 發 生 之 情 再 填 1 況 時 經 由 從 外 部 監 視 各 個 内 部 節 點 之 電 m 可 Μ Μ 非 破 寫 本 頁 裝 1 壞 之 方 式 進 行 不 良 之 解 析 可 Μ 縮 短 不 良 解 析 所 需 要 之 時 1 1 間 Ο 例 如 在 記 憶 器 單 元 資 料 有 寫 入 不 良 發 生 之 情 況 時 1 1 1 可 以 從 外 部 檢 査 其 原 因 是 否 因 為 施 加 在 字 線 之 升 壓 電 壓 之 1 訂 1 I 位 準 太 低 可 K 很 容 易 識 別 該 字 線 寫 入 不 良 之 原 因 和 可 Μ 很 容 易 的 解 析 不 良 之 原 因 〇 1 1 1 [發明之效果] 1 1 如 上 所 述 依 照 本 發 明 時 在 電 連 接 到 外 部 端 子 之 內 部 1 冰 節 點 設 置 保 護 電 路 使 對 該 保 護 電 路 進 行 梢 接 觸 試 驗 所 使 1 \\ 用 之 定 位 電 路 依 照 動 作 模 態 選 擇 性 的 使 其 定 位 功 能 成 為 \\ 活 性 /非活性狀態 因此可Μ利用該定位電路進行梢接觸 Ί 試 驗 和 從 外 部 正 確 的 進 行 内 部 電 位 監 視 而 且 可 以 從 外 1 1 部 將 所 希 望 之 位 準 之 電 壓 施 加 到 内 部 節 點 * 利 用 内 部 電 壓 1 1 之 良 /不良之識別和内部電位之變化 可Μ很容易的Μ非 1 I 販 壞 之 方 式 進 行 半 導 體 裝 置 之 動 作 邊 際 測 試 9 在 產 品 出 貨 1 | 前 之 試 驗 時 使 不 良 模 加 速 對 於 结 合 模 態 Μ 外 之 加 速 試 1 1 驗 亦 可 以 容 易 而 且 確 實 的 進 行 產 品 出 貨 前 之 最 終 試 驗 所 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（g 1) 需要之時間可μ縮短。 [附圖之簡單說明] 圖1概略的表示本發明之第1實施形態之半導體裝置之主 要部份之構造。 圖2是信號波形圖，用來表示圖1所示之半導體裝置之動 作。 圖3是概略的表示本發明之第2實施形態之半導體裝置之 主要部份之構造。 圖4是概略的表示本發明之第3實施形態之半導體裝置之 主要部份之構造。 圖5概略的表示本發明之第4實施形態之半導體裝置之主 要部份之構造。 圖6是信號波形圖，用來表示圖5所示之半導體裝置之動 作。 圖7概略的表示本發明之第5實施形態之半導體裝置之主 要部份之構造。 圖8概略的表示本發明之第6實施形態之半導體裝置之主 要部份之構造。 圖9概略的表示本發明之第7實施形態之半導體裝置之主 要部份之構造。 圖10是信號波形圖，用來表示圖9所示之半導體裝置之 動作。 圖11表示本發明之第7實施形態之變更例之構造。 圖12概略的表示本發明之第8實施形態之半導體裝置之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ 〇 7 _ 11.- 1_« 11/ —裝 ~~ n ^訂------冰--» (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（95) 主要部份之構造。 圖13表示本發明之第8實施形態之變更例之構造。 圖14概略的表示本發明之第9實施形態之半導體裝置之 主要部份之構造。 圖15是信號波形圖，用來表示圖14所示之半導體裝置之 動作。 圖16是概略的表示本發明之第10實施形態之半導體裝置 之主要部份之構造。 圖17是信號波形圖，用來表示圖16所示之半専體裝置之 動作。 圖18是概略的表示本發明之第11實施形態之半導體裝置 之主要部份之構造。 圖19是信號波形圖，用來表示圖18所示之半導體裝置之 動作。 圖20概略的表示本發明之第12實施形態之半導體裝置之 主要部份之構造。 圖21是信號波形圖，用來表示圖20所示之半導體裝置之 動作。 圖22是表示本發明之第12實施形態之變更例之構造。 圖23是概略的表示本發明之第13實施形態之半導體裝置 之主要部份之構造。 圖24是信號波形圖，用來表示圖23所示之半導體裝置之 動作。 圖25是概略的表示本發明之第14實施形態之半導體裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 〇 s _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1 - - — -- - - I —^Ί. -- I-I HJ- - - ^^1 n I .

，1T -—泳 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9G) 之主要部份之構造。 圖26是信號波形圖，用來表示圖25所示之半導體裝置之 動作。 圖27概略的表示本發明之第15實施形態之半導體裝置之 主要部份之構造。 圖28是信號波形圖，用來表示圖27所示之半導體裝置之 動作。 圖29是概略的表示本發明之第15實施形態之變更例之構 造。 圖30概略的表示本發明之第16實施形態之半専體裝置之 主要部份之構造。 圖31是方塊圖，用來概略的表示本發明之第17實施形態 之半導體裝置之主要部份之構造。 圖32概略的表示用以產生圖31所示之監視強制模態活性 化信號之電路部份和內部電壓產生電路之構造。 圖33用來說明不良模態加速試驗，（A)表示DRAM單元之 構造，（B)表示暫停復新時之負電壓施加態樣，（C)表示擾 動復新時之負電壓施加態樣。 圖34概略的表示習知之半導體裝置之輸入部之構造。 圖35概略的表示用來對習知之半導體裝置之基板電位進 行外部監視之構造。 圖36用來說明圖35所示之構造之問題點。 圖37之（A)表示習知之半導體裝置之梢接觸試驗態樣， (B)表示梢接觸試驗時之施加電壓和電流之關係。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） _ q q _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^1 1^— In - -- —^1 11! - --1^ n^i I -I— I 1 ,

、1T i^ A7 B7 五、發明説明（9 〇 [符號之說明] 7----外部端子， 10----第1定位電路， 11----内部 電路， 30,40 ____控制電路， 50----基板電位產生電 路， 60.....内部電位連接電路， 80,90,90a,95.... 控制電路， 95a....第1控制信號產生電路， 95b____ 第2控制信號產生電路， 110........第2定位電路， 120.....第2保護電路， 130----控制電路， 160.... 第2内部電位連接電路， 130a,130b----控制電路， 260 ____第3内部電位連接電路， 110a____第2定位電路， 15a,15b....基板電位產生電路， 60a,60b....内部電位 連接電路， 80a,80b....控制電路， 310....定位電路 ， 350....内部電壓產生電路， 352....振盪電路， 354....充電泵， 360....內部電位連接電路， 380... 控制電路， 390——測試横態檢測電路， 395----外部 施加模態檢測電路。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.

、1T % 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 1. 一種半導體裝置*具備有： 第1定位裝置，結合在被结合到外部端子之内部節點和 第1基準電壓源之間，用來將上述内部節點之電位定位在 第1指定電位位準；和 控制裝置，在回應測試模態指示信號時，用來產生禁止 上述第1定位装置進行定位動作之控制信號，然後將其施 加到上述之第1定位裝置。 2. 如申請專利範圃第1項之半導體裝置，其中 上述之第1定位裝置包含有互相串聯在上述内部節點和 上述第1基準電懕源之間之至少為1個之第1絕緣閘型場效 電晶體和至少為1個之第2絕緣閘型場效電晶體； 上述之至少為1個之第1絕緣閘型場效電晶體Μ其閘極接 受上述第1基準電壓源上之電臞；和 上述之至少為1個之第2絕緣閘型場效電晶體Μ其閘極接 受來自上述控制裝置之控制信號。 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置*其中上述之至 少為1個之第1絕緣閘型場效電晶體被連接到上述之内部節 點，上述之至少為1個之第2絕緣閘型埸效電晶體被連接在 上述之第1絕緣閘型場效電晶體和上述之第1基準電壓源之 間。 4. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中上述之第2 絕緣閘型場效電晶體被連接到上述之内部節點，上述之至 少為1個之第1絕緣閘型場效電晶體被連接在上述之内部節 點和上述之至少為1個之第2絕緣閘型場效電晶體之間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 置 裝 體 導 半 之 第 有 具 體 晶 電 I 效 項 2J1場 第型 範緣 利LM 專I 請 申 如 5 為 少 第 之 個 至述 之上 述， 上型 中電 其導 第 有 具 體 晶 電 效 埸 型 閘 緣 絕 2 第 之 個 1X 為 少 至 之 導 2 置 裝 體 導 半 之 項 2 第 圍 範 利 專 請 甲 如 〇 至 型之 電述 上 中 其 之 個 11 為 少 至 之 ο 述型 上電 和1¾ 體I 晶 霞 效 埸 型 閘 緣 絕 第 有 具 均 體 晶 電 效 場 第型 之閑 個緣 為 2 少第 定述 之上 述在 上接 中連 其被 置體 裝晶 體電 導效 半場 之型 項閘 1緣 第絕 範個 利Η 專有 請備 申具 如置 7.裝 位 受 接 極 閘 其 Μ 間 之 源 懕 電 準 基 11 第 之 述 上 和 點 節 部 内 之 備 具 更 中 其 置 裝 體 導 半 。 之 號項 信 制 控第 之圃 置範 裝利 制專 控請 述申 上如 自 8 來 7 或 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、1T 有 準 基 r—I 第 述 上 比 值 對 絕 生 E 產 來 用 置 裝 生 產 壓 電 部 内 之 號 信 示 指 態 横 試 測 之 述 上 和應 ; 回 壓在 電 ’ 部置 內裝 之接 大連 壓壓 8a @a 之部 源内 壓 時 化 性 活 内 述 上 使 來 用 經濟部中央揉準局員工消費合作社印«. 到 信 合 示 结 指 部 態 出 模 輸 試 之 測 置 述 裝 上 生 在 1JC1 違 ， 壓置 電裝 部一 有 含 包 ; 置 點裝 節制 部控 内之 之述 述上 上 部 出 輸 之 置 裝 生 產 壓 電 部 内 述 。 上號 生信 產制 來控 用述 . 上 時之 化準 性 位 活壓 之電 號之 第 圃 範 利 Η定 專 1 請第 申之 如述 9.上 裝 位 節 部 内 述 中上 其在 , 接 置連 裝聯 體串 導有 半備 之具 5 少 ί至 置 效 場 型 閘 緣 絕 2 第 和 1X 第 之 間 之 源 壓 電 準 基 11 第 述 上 ； 和體 點晶 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 上述之控制裝置包含有： 第1控制信號產生装置，在上述測試模態指示信號之活 性化時產生使上述第1絕緣閘型場效電晶體成為導通狀態 之位準之電壓，和在上述測試模態指示信號之非活性化時 使所產生之控制信號成為上述第1基準電壓源所產生之電 壓位準，然後施加到上述第1絕緣閘型場效電晶體之閘極 :和 第2控制信號產生裝置，在上述測試模態指示信號之活 性化時，產生被傳達到上述內部節點上之電壓位準之電壓 ，和在上述測試模態指示信號之非活性化時，產生上述第 1基準電壓源之電壓位準之電壓，然後施加到上述第2絕緣 閘型場效電晶體之閘極。 10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中上述之第 1絕緣閘型場效電晶體被連接在上述之內部節點，上述之 第2絕緣閘型場效電晶體结合在上述第1絕緣閘型場效電晶 體和上述之第1基準電壓源之間。 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裝 11. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中上述之第 2絕緣閘型場效電晶體被連接在上述之内部節點，上述之 第1絕緣閘型場效電晶體結合在上述第2絕緣閘型場效電晶 體和上述第1基準電壓源之間。 12. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中上述之控 制裝置包含有輸出裝置，在上述測試模態指示信號之非活 性化時產生上述第1基準電壓源之電壓位準之電壓，和在 上述測試模態指示信號之活性化時產生被傳達到上述内部 3 ---..------ί 裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 輸 行 進 的 號 信 制 控 作 當 其 將 後 然 壓 電 之 準 位 壓 電 之 點。 節出 述 上 中 其 置 裝 體 導 半 之 項 2 11 或 7 第 圍 範 利 專 請 甲 如 有 備 具 置 裝 制 控 之 第號 信 置 裝 生 產 號 信 制 控 號 信 補 互 生 產 Μ 藉 2 第 之 同 不 源 壓 電 性 活 之 號 信 示 指 线態 基 1S模 示 指 態 模 試 測 之 述 上 受 接 來 用 第 述 上 與 有 具 別 分 號 信 補 互 該 試位 測壓 述電 上之 準節 位部 壓内 電述 之上 源到 壓達 電傳 準被 基時 化 化 性 活 ’ 非 之 置 裝號 瀘指㈣態 制模 控鮮 和2f測 第述 準 上 補 互 之 述 上 受 接 來 用 第 述 上 將 在電 ， 準 號L® 信 ί 和試 ’ 測 出逑 輸上 行照 進依 的生 號產 信 ， 制時 控化 述性 上活 作之 當號 號信 信示 之指 準態 位模 壓試 電測 之逑 源上 壓在 ay 部 至 内加 述施 上的 到號 達信 傳制 被控 之述 時上 作作 動當 態其 模將 試， 測號 之信 行之 實準 號位 信壓 示電 指之 態點 模節 極 閘 之 擐 晶 電 效 場 型 閘 緣 絕 述 上 第 圍 範 利 專 請 申 如 更 中 其 置 裝 獲 導 半 之 項 7 或 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 電 準 基 1Χ 第 述 上 比 值 對 絕 生 產 來 用 置 裝 生 產 壓 : 電 有部 備内 具 部 内 述 上 使 來 用 時 號 信 UU $ 和控 之 壓述 電 上 部應 内 回 之在 大， 壓置 電裝 之接 源連 壓 點 節 部 內 之 述 上 到 合 结 Β- 咅 出 輸 之 置 裝 生 產 壓 電 之 述 上 中 其 置 裝 體 導 半 之 項 4 1Χ 第 圍 範 利 專 請 申 如 閘 緣 絕 2 第 之 逑 上 擐 晶 .， 電型 效電 場導 型之 閘道 緣通 琶 Ρ I 有 道 — 具 通 NS體 為晶 置電 裝效 接場 連型 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4 七、申請專利範圍 上述之控制裝置是 在上述測試模態指示信號之活性化時輸出絕對值比上述 第1基準電壓源之電壓大之第2基準電壓源之電壓，在上述 測試模態指示信號之非活性化時輸出上述內部電壓產生裝 置之輸出部之電壓位準之電壓，然後將其施加到上述連接 裝置之絕緣閘型場效電晶體和上述第2絕緣閘型場效電晶 體之閘極。 16.如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中更包含有 內部電壓產生裝置用來產生絕對值比上述第1基準電壓源 之電壓大之内部電懕； 上述之連接裝置具備有N通道之絕緣閘型場效電晶體， 上述之第2絕緣閘型場效電晶體為Η通道絕緣閘型場效電晶 體； 上述之控制裝置包含有施加裝置，在回應上述之測試模 態指示信號時，產生互補之信號*用來將其分別施加到上 述連接裝置之絕緣閘型場效電晶體之閘極和上述第2絕緣 閘型場效電晶體之閘極； 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述之第2絕緣閘型場效電晶體，在上述測試模態指示 信號之非活性化時，以其閘極接受第2基準電壓，該第2基 準電壓用來使閘極電位和上述第1基準電壓源之差大於臨 界值電壓之絕對值，和在上述測試模態指示信號之活性化 時，以其閘極接受上述内部電壓產生裝置之輸出部之電壓 ;和 上述之連接裝置之絕緣閘型場效電晶體，在上述測試模 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐〉 - 5 - 六、申請專利範圍 裝’ 制號 控信 述之 上準 自位 來壓 受電 接之 極部 閛出 其輸 M之 » 置 時裝 化生 性產 活壓 TTTV 質 之部 號內 信述 示上 指之 態置 時 化 性 活 之 號 信第 示述 指上 態之 模置 試裝 測 制 述控 上述 在上 和自 來 受 接 極 閘 其 以 號 信 制 控 之 準 位 壓 電 準 基 置之 裝 壓導，負 半K之 2 電ffi 項 壓 7 i S 合 ή Μ ρ^ ^ ^ 專用 J 0 0^ 申壓# ϊ I, tE ®8^ ftfi 1 S 用 1 置 第 之 述 上 中 其 裝 生 產 壓 電 部 內 項 7 壓 電 源 第電 圍給 範供 利來 專用 請源 申壓 如電 .準 置 裝 體 導 半 之 壓 電 高 之 高 壓 源 電 述 上 比 生 產 來 8 _ Ϊ 1 用 1Ϊ置 第 之 述 上 中 其 裝 生 產 壓 電 部 内 之 述 上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 第 “ 1和± 項 2 第 圍 範 利 專 請 申 如 置 裝 體 導 半 之為 體 晶 電 效 埸 型 閘 緣第 絕之 述 第 之 述 上 中 其 體 晶 電 效 場 型 。 閘壓 緣電 絕源 道電 通給 供 來 用 源 壓 1 準 基 定準 之準 基 述13 上第 中述 其上 , 和 置點 裝節 體部 専内 半述 之上 項在 1 接 第 圍 範 利 專 請 申 如 ί . 置 20裝 位 ί 連 聯 串 被 有 含 包 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 效電 場效 型場 閘型 緣閘 絕緣 II0 第 2 之第 型之 電型 専電 1 専 第1¾ 之第 個之 1個 為 2 少為 至少 之至 間和 之 ， 源體 .， 壓晶體 電電晶 來 用 極 閘 之 體 晶 電 效 場 型 閘 緣 絕 E 有 備 具 置 為第裝 少述制 至上控 之自之 述來述 上受上 接 第 壓 B 之 源 壓 第電 之準 個基 為 少 至 之 述 第上 在到 ’ 加 置施 裝壓 生電 Ε ΰ. 違 剖 號内 信 I 制 控 之 體 晶 第電 將效 , 場 時型 化閘 性 活 之 號第 信之 定個 指 態 模 試 测 第 述 上 在 和 極 閘 之 方 緣指 絕態 rv- 橫 試 測 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐〉 6 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 述 上 到 加 施 壓 電 之和 道 ； 通極 成閛 形之 將體 來晶 用 電 , 效 時場 化型 性閘 活緣 非絕 之 之 號方 信一 定之 控 2 第 時 化 為 少 至 之 述 上 到 加 施 第其 在將 置壓 裝電 生 產 號 信 制 ώη 内 2 第 生 產 性之 活個 Λ/- 之 號 信 定 指 態 模 試 測 閘 緣 絕 極 閘 之 第體 晶 時 s b ^1Γ /1 效性 場活 型非 閘之 緣號 絕信 之 定 方指 一 態 外模 另試 之測 0 ^ 3 第 晶 Λ 效 在 場 i和 型 通效 成場 形型 體閘 晶緣 電絕 效之 場方 型一 閘外 緣另 絕述 之上 方到 一加 外 另 述將 上後； 在然極 來，閘 用壓之 生電體 產之晶 ,道電 述 狀 Μ 靜 t 餌 上測性1. 在2il活 2 : 第非 有 模 試 測 之Μ、態 信 定 指 態 模 之 其 態I 第 述 上 使 時 化 性 活 之 號 信 示 第 圍 範 利 專 請 Φ 持 含 維 包 方 更 一 中 外 其 另 ， 而 置 ’ 裝 化 體 性 導 活 半 被 之 方 項 第 之 述 上 應 回 在 極 閘 接 遵 1X 第 活 之 號 信 第 定述 指上 態生 模產 試 Μ 測用 和 黏 BM" 節 B· 咅 内 之 述 上 使 來 用 ， 第 時之 化壓 性 電 部 内 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) k. '•IT 接 連 生 產 部 出 輸 之 置 裝 生 產 壓 電 5 咅 内 ΊΧ 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裝 極 閛 接 Μ 2 第 2 第 之 壓 電 第部 述内 ?- 上 應 回 在 點 節 咅 2 内 第之 述述 上上 生在 產 合 使結 來部 用出 ， 輸 時 之 化置 性裝 活生 之產 號 壓 信 電 定部 指内 態 模 試 測 置 裝 體 導 半 之 項 第 與 和 點 節 β, 咅 内 之 述 上 第在 園 合 範結 利 ’ 專置 請裝 申 位 如定 . 2 22第 壓 : 電 有準 備基 具ί 更 電 之 點 節 部 内 述 上 將 來 用 間 之 源 壓 電 準 基 2 第 之 同 不 源 準 位 位 定 2 第 在 位 定 壓 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 7 申請專利範圍 置 裝 制 定 2 第 述 上 使 來 用 控 2}=生 第產 A8 B8 C8 D8 狀 性 活 非 為 成 能 功 位 定 之 置 裝 第位 應 回 在 時 化 性 活 之 號 信 示 指 態 棋 試 測 置 裝中 位其 定 ’ 2 第 之 述 上 到 加 施 其 將 後 然 號 信 制 控 之 態 置 裝 體 導 半 之 項 2 2 第 圍 範 利 專 請 申 如 定 2 賃 月 準和 基 ’ 體 晶 電 效 場 型 閘 緣 絕 2 第 述 上 受 接 極 閘 其Μ 有第 含之 包個S ^ 裝 > 立少 至 之 第壓 之電 述之 上源 壓 制 控 述 上 應 回 Μ 第 之 個 is 為 少 至 之 道 通 成 形 性 擇 選M 藉 號 信 體 晶 電 效 場 型 閘 緣 絕 之 述 上第 述 第 上 在 接 I- 遵 聯 串 相 互 體 晶 電 效 場 型 閘 緣 (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 裝· 基 2 如 準申 間 之 點 節 部 内 述 上 絰 ® 2 泡 第源 Μ 壓 ί電 置 裝 之 項第Ml之 圍 範 利 專 請 述 上 與 成 置 設 被 護 保 有 備 具 更 置 裝 體 導 半 裝 位 定 述 上 將 來 用 聯 第 述 上 比 值 對 絕 在 位 〇 定準 點位 節壓 部電 內之 之大 準 位 位 定 之 置 裝 並位 置定 有 備 具 更 置 裝 撞 導 半 之 項 1X 第 圍 範 利 專 請 申 如 8^ Igor 準 基 1Χ 第 述 上 比 值 對 絕 生 .， 產壓 來電 用部 ， 内 置之 裝大 生壓 產電 壓之 電給 部供 内源 壓 、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 來點 用節 β, , 咅 時內 號之 信述 示上 指在 態合 模結 試部 測出 述輸 上之 應置 回裝 在生 I 產 置壓 裝電 fl- Β-制 0 控内 接述 連上 使 時 化 性 活 之 號 信 示 指 態 模 試 測 之 述 上 應 回 在 置 裝 止 和停 止 停 來 用 態 狀 性 活 br 參 為 成 置 裝 生 產 〇 壓作 電動 部生 内產 之壓 述電 上部 使 内 ’ 其 有 備 具 置 裝 捿 導 半 種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 8 六、申請專利範圍 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 來 來輸 I 電 電 出 ，之 ，壓具 ， ， 用 用之 部 生 輸 去準生 去驟電 壓，和，置 转內 產和之 ς 位產 Μ 步部 電時；時裝 植之 壓.，路 壓所 驗合内 部化作化生 奪準 電作電 電時 结之 内性動性產 W 位 部動生 U 之«Μ 有述。 之活生 S® ^ 0Λ生產 ^ Φ 0 U 含上子 準之產之電 中電 之產壓 較作 包使端 位號壓號部 i 之 述壓電 U 值動 U 驟來梢 定信電信内 ，定 上電部 Η 對常@|步用部 指示部示述 去指：使部内 Η 絕通 Η 之，外 生指内指上 W 生有來内述 Η 有在 Μ 壓時之 產態之態到 ^產驟用止上12具路 U 電號定 來模置模加 來步，停到7J5壓電7J1之信指 用試裝試施 r 用之號 Μ 加 W 電生i2部示到 , 測生測， 路含信藉施 之產 外指合 置應產述壓 電包示，壓 部壓Igffl自態結 裝回壓上電 生所指態電Jr外電Jr來横部 生在電在之 Μ產法態狀之 Μ 自部 Η 加試出 產，部，加 壓方模性部 來內 施測輸 壓置 €： 置施 HS 驗試活外 “之之。㈣之述之 電裝述裝部-a部試測非自 述述準 | 述上路 部止上加外 C .內該加為來.»上上位5D上應電 內停止施從部27有，施成將。28中於壓29中回生 .停 將出 備壓 路 部 其小電 其在產 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9