TW393371B - An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus - Google Patents

An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW393371B
TW393371B TW088105184A TW88105184A TW393371B TW 393371 B TW393371 B TW 393371B TW 088105184 A TW088105184 A TW 088105184A TW 88105184 A TW88105184 A TW 88105184A TW 393371 B TW393371 B TW 393371B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ingot
adhesive
layer
cutting
grinding
Prior art date
Application number
TW088105184A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichiro Nishi
Tetsuo Okuyama
Mitsuru Nukui
Kazuo Nakajima
Shirou Murai
Original Assignee
Nippei Toyama Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippei Toyama Corp filed Critical Nippei Toyama Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW393371B publication Critical patent/TW393371B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/067Work supports, e.g. adjustable steadies radially supporting workpieces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/02Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces of plane surfaces on abrasive tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

五、發明說明(1) I發明孫# 杈形鑄錠沿龙^二種切割鑄錠以獲得晶圓之方法,係將圓 製造方法!3 ^脸方向劃分為多塊;一種獲得晶圓之鑄錠 於:^割後鑄錠之錠於其縱向劃分為多塊;亦係關 製=H ΐ f:域之圓柱形鑄錠係藉由隨後切割 所示,於;r :二寺凡成為晶圓。研磨裝置排列成如圖7(a) 嵌合於载二C磨前工件(後文稱作研磨前工件5) 。研磨前工件5彳/益疋孔26而使一對研磨輪25於其兩側相對 載板$ a藉進給研磨輪25研磨同時旋轉載板23。 環==環形旋轉架30因而遮蓋其腔穴部分”。 %形旋轉架3〇係由 7701 各自具有M W胜H又置於千莖27上表面之支持輥29其 轉竿30外用/支持槽做旋轉式爽持。酱部32形成於旋 動歯輪34安裝於馬達33之旋轉架上牢固 合。t ^⑽^ 1 ί部32及馬達33之驅動齒輪34彼此接 Α下;面之巷4 %,旋轉架30被旋轉因此旋轉固定於 其下周面之載板23。載板23係由比研磨 的板狀件製成且係於水平及徑向方向拉張狀態安旱裝度,更故專不 會因其本身重置變形及偏轉。嵌合研磨前工件5於其 固於載板23中部。研磨輪25旋轉,也於載板 磨ΐ::5中:方向升降,同時於水平方向係偏離研 為了旋轉研磨前工4 ’需將載板的旋轉傳遞給研磨前工 件。習知利用作為傳遞旋轉力之止動部分為凹口 ,其係 經由呈楔形(如圖7(b)所示)切除部分研磨前工件之周^形 五、發明說明(2) 成,或取向平坦部經由筆 ,同時利用前述固定孔A ^ =除部分研磨前工件周緣形成 狀。 其固定成保形研磨前工件外型之形 半導體為昂貴材料,對 a 部,則需要去掉部分避開凹口 =工件設置凹口或取向平垣 產時有浪費材料之問題。此或取向平坦部,故當大量生 徑以便於由一晶圓獲得較大曰為配合逐日放大之晶圓直 及定向平坦部所造成的廢料進一 片,則會因形成凹口 因此,晚近使用雷射加摔 =二口。 粗略標準,至於傳遞前述載板-:提供晶體取向之 於前述凹口或取向平坦部。 之裝置,則需要非基 【發明概述】 發明人鑑於前述情況而考慮本發明, 解決習知前述問題。此外本發 a二月的係 割及製造鑄旋之方法,藉此;二目:係提供-種切 於切割製程後無須遞 ί研“工件周緣切除部’也提供經切割的鑄錠研;ί 柱形:錠::2:m:方法達成’該方法令,圓 县祐、#、m ^周藉夾持件伸貫穿圓柱形鑄錠件周面八 方向姑=黏合劑夾持,及由夾持件夾持的鑄錠件於1縱: 明二镱i分為多塊因此獲得圓盤形待研磨工件’根i本; 明之鑄錠切割方法包括下列步驟: 根據本發 製備夾持件,其包含黏合一止動層、—中間層及一支持 五、發明說明(3) 層; 藉第一黏合劑黏合止動層至鑄錠件,該第—入 足夠之黏☆強度以接收於隨後研磨過程來 2具有 轉力; ’名瑕置之旋 藉第二黏合劑以疊置關係黏合中間層至止動屏 =合劑具有之黏合強度於預定條件下比第-黏:劑Ϊ第二 化, 哪吏易劣 以疊置方式聯結支持層至中間層; 偶聯支持層至切割裝置支持部;及 持件切割鑄鍵件同時保持由疊置止動居 間層及支持層形成的整合疊置情況。 動層、中 此=二前述目的也可藉一種鑄錠製造方法達 :,圓㈣鑄錠件之周面藉夾持件延伸貫穿方法 5面全長並透過黏合劑夾持,及由夾持件2鑄錠件 其縱向方向被劃分為多塊研t鑄錠件於 據本發明之鑄錠切割方法包括研磨工件,根 層製備夾持件’其包含黏合一止動層、一中間層及一支持 足鑄錠件’該第-黏合劑具有 轉力; 又接收於隨後研磨過程來自研磨裝置之旋 關係黏合中間層至止動屬,該第二 化,黏。強度於預定條件下比第-黏合劑更易劣 第9頁 發明說明(4) 以疊置方式聯結支梏 偶聯支持層至切割“層: 層及支持層形成的;;:置巧保持由 止y之鑄鍊件形成的、 :;:;;條件而分 ,疋組合切割塊於研磨裝置之固丄 少狀可保有組合切割塊之外型.又孔,其 研磨如此固定於固定孔内之 前述鑄錠切割或製造方法:二,割塊。 ,而第二黏合劑具有 較佳預定條4 ”低之溫度劣化黏合強度比第1… 刖述鑄錠切割或製造方法中, 解,第二黏合劑係經由一種不會溶‘第以:; 包i前述目的可經由—種切割鑄旋研磨裝置与 —對研磨輪;及 被以固!研磨輪間且具有切割工到 欠%固疋孔内之切割工件相 :::可保有切割工件外型形狀:盆包:t j 义$件透過黏合劑牢固固定於圓形鑄錠件之 之:鑄錠研磨裝置中’較佳止動層係在 ,i成,該磨蝕力可包於研磨輪外側。 &置止動層、 丨中間層及由 該固定孔之 為加熱條件 之黏合強度 為溶解條件 劑之溶劑溶 成,該裝置 固定孔以防 ’其中,該 形鑄鍵件及 周面上。 含有磨蝕力 — 五、發明說明(5)
Jt 夕卜,"=5* rjj 方法,其於克服前述問題之根據本發明之切割鑄錠 可被切割而—夾:鍵之。方法’其中,-工件⑻ 夾持件係黏人&面 > 延伸於圓柱形鑄錠(1 )侧面全長, 切割工件(3Γ〇 A固定於切割裝置(4)之鑄錠(〗)側面,及待 之圓盤形工件向被劃分為多塊因而獲得待研磨 層(7)係夢第—(#),其特徵為使用止動件(2),其中一止動 合劑具/足夠之:合合m黏合至鑄錠⑴側面,該第-黏 置(6)造成的旋轉/ "以妾收於隨後研磨過程因研磨裝 置關係黏合上轉動力⑽中^ 定條件下比第—黏合劑一 4 σ A彳之黏合強度於固 結於中間層(8) 1 w ,及一支持層(11)其係聯 * ^ ^ - IS Λ , χ(4)" Α ^ ^ ^ ^ ^ 而/主愿、個別黏合劑必須且古#4·處4 ^作條件下(前述固定條件除外個:角IX;於一般 度(待支持的重量,施加的外力等)。 適虽黏合強 切割裝置模式並無特殊限制,若切 可聯結至支持層即足。二… ° 、置一有支持部其 置於待研磨工件之止動#傳:^研磨裝置’若為可透過設 裝置即足(於待研磨止工動件 ^ 5屈说妨* 件係於研磨作業中旋轉之垒4 右可傳遞煞車力之研磨裝置即足 案例),或 輪旋轉模式案例)。 ' &轉作業中研磨 至於Π黏合強度比較第一黏合 化”之固定條件’係只就熱或溶劑而言之:::更快速劣 黏合劑與第二黏合劑袓人特 丨生質。第一 ,值得-提者為第—黏合劑 第11頁 力'、發明說明(6) =固性黏合劑(環氧基之黏合劑等)與第二黏合劑為熱嫁 如蠟)之組合,及第一黏合劑為樹脂或橡膠而溶解 於2機溶劑之黏合劑及第二黏合劑為水溶性黏合劑之組合 ,淪何種固定條件,第一黏合劑與第二黏合劑間之劣化 程度差異愈大則愈滿意。 功動層、中間層及支持層必須對提供適合其個別 樹月:i ΐ 1且可由基底材料形成例如碳、樹脂模製件’ 璃)mm之混合物,及樹脂與(樹脂、陶兗或玻 層,聯結裝置若其具有可於切割過程卜支:;二:層與支持 及鑄錠重量的聯結強度 $ ς曰止動層 接包括藉黏合劑連聯、'。裝置了以任-種形式連 層,較佳者為預先钟二二再度使用曾經被使用之支持 分利用螺栓等彼此“固二構件之聯結部 層至切割裝置支 u疋形成早一早兀。至於聯結支持 成可保有切割裝置 ::f置’只要聯結裝置係製造 【圖式之簡單說明】支持形狀即足。 圖1為前視圖,以示例說明田 方法之待切割工件範°月用於根據本發明之鑄旋切割 圖2為側視圖,_ ^ ^ ^ ^ t-ι ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ tij 圖3為甩於根據本發明之鐘^ 意圖; 之輪齩切割方法之切割裴置之示 五、發明說明(7) 圖4為侧視圖,以示例說明已經藉本發明之鑄 法完成切割過程之待研磨工件範例; π〜切割方 圖5為侧視圖,以示例說明已經藉本發明之鑄 法完成切割過程之已切割工件所得待切判工 "'切割方 例; 千之狀態範 圖6為平面圖,以示例說明藉本發明之鑄錠切宅 知之待研磨工件已經根據本發明之另一 °】方法獲 置之狀態; 万面固定於研磨裝 圖7 (a)為剖面圖,以示例說明研磨前工件已鋅 磨裝置之狀態範例,及圖7(b)為平面圖,以、,、里固定於研 前工件固定於其上; 不例說明研磨 圖8為前視圖,以示例說明用於本 之待切割工件類型;及 之~餘切割方法 圖9為剖面圖’以示例說明經 ::待研磨工件已經固定於根、月之鑄旋切割方法 裝置之狀態類型。 乃之另—方面之研磨 【較佳具體例之詳細說明】 後文將參照附圖說明 說明切割工件用之研磨裝置。發明之切割鑄錠之方法,並 此種切割方法為一種切〜 2稱為切割前工件3)係經:勒t m ’待切割工件3(後 ::沿其軸向方向全長且固定;切割】2番至圓柱形鑄錠1之 割則工件3沿其縱向方向刻分為λ置4上而形成,切 盤形工件5(換言之,圓盤磨夕^因而獲得待研磨的圓 *傾刖工件5 )。
第13頁 根據本發明之鑄錠切割方法中, 2具有三層構造。三層構造係圖:2所’失持件 之中間層8及金屬製成之支持声之止動層1 2 3 4 5 6 7,碳製成 層係彼此疊置。止動層7 _環^ 、、'且、,如圖1及2所示各 合劑直接黏合至鑄錠二二二之 合劑13具有足夠之黏合強周面)。環氧基之黏 後研磨過程由於研磨重量並接收於隨 3_公司製造)或其相當產品)以疊置方
Q 如該層可支持止動層7及鑄錠! ,及纟比環氧基之動層二 劑1 3之黏合強度之劣化溫度還、2 ° 化(換士之,取#、々腳、又疋邳田低之,皿度下,由於溶膠 、。之形成洛膠)而造成黏合用蠟之黏合功能消 持層11係透過配合部疊置於中間層8上,配 二偶聯機構,支持層可支持中間層8、止動層7及二】聯 且係聯結至切割裝置4之支持部丨〇。 黏合用蠟14(後文稱作黏合蠟14)具有溶點⑽它及於溫度 =過150。(:時凝膠化(換言之,形成凝膠)(換言之,進行初 ©
第14頁 1 ^化)。當黏合用蠟14用於黏合時,允許黏合用蠟14於 2 ^當溫度(1 00-1 40 °C左右)溶膠化施用至黏合面且任i自 3 然冷卻。 〃 4 環氧基之黏合劑1 3可藉對應其類型之用法使用。 5 、如圖3所示,前述切割裝置4有一線鋸1 5,其係設置成以 6 複數工作輥1 6為軸捲繞之線1 7係於單向進給或往復因而切 7 割切割前工件3。工件3係由供給於線1 7各部分的漿液中所 五、發明說明(9) 含之磨粒拋光工作切割,或藉牢固固 拋光工作切割,同時工件3係水;線1 7本身之磨粒 於線Π上並垂直其縱向方向切割。固/於切割裝置4,壓迫 (其上方有線17之各部分水平移動)^置為複數切割部19 向方向以預定節距排列,藉此可藉單二刀割前工件3之縱 工件3切割成為多個待研磨工件5。 刀割操作將切割前 如圖4所示,因待研磨工件5其 完成,由待研磨工件5底部 括。 經藉切割部19 中間層8底部之範圍切割,待持件2及 及部分中間層8分離。鳩所研示磨於件切 全部單一切判前杜 、割裝置4 ’於完成 於儲存_ t熱水20之接納°槽:作後’已入二 ;:ίw" f^ " ί: r :炷整個切割刖工件3且配備有緩衝材料24以防多個疊置 =研磨工件5受才員’接納桶係事先浸沒於接納槽21之埶 =2〇内。當接納桶22向上拉時可一次收集個別分離的待研 f工件5。於使用黏合用蠟14之例,若使用預定離型劑儲 存於接納槽21替代熱水2〇,則待研磨工件5可以類似方 分離。 請注意,經切割之止動層7不會於约8{rc脫離,而保留 =工件5之緣部,因此經切割之止動層?可有效用於隨後研 磨過程。 第15頁 五、發明說明(10) "~~· 根據本發明之研磨裝置G之範例,其結構與第7(a)圖所 示習知研磨裝置之差異僅在於載板23形狀。如圖6顯:易 知,根據本發明之載板P配備有貫穿孔形之固定孔其形 狀保有由圓形切割鑄錠及切割止動層7組成的 ^件 之外型形狀。 e ~ 如圖6所不,用於隨後研磨過程之研磨裝置g之 固定孔Pa預先設定成待研磨工件5剛好匹配的形狀,告呈 有外周邊大致類似真圓形的鑄錠丨待旋 ^ ς ,連同鑄鍵1組成待研磨工件5之止動層7作口:: 識鑄鍵1半導體之晶體取向時止動層7作為1爪虽辨 於研磨過程完成後止動層7便盔 軚準。 該相關環氧基之黏合劑:溶便劑而 圖咖示附有保護層= :除。 持件2俜以乂、+、t ~ 之例。伸展於鑄錠1側面全長之决 持件2係Μ别述實例之相同方式黏王長之夾 固定於士刀割裝置4上作4切割前H ^。該總成 ,向方向被劃分為多㉟因 开=:工件3沿其 成保護層12之材料並未限 =形待研磨工件5。組 工件也可形成薄膜A 二寺疋種類,只要其可防止損傷
希望使用—錠1侧面之黏合性絕佳即可。V 過釭,谷後詳述)由晶圓去勒曰(/、已經接受研磨 具有與第-黏合劑相同基劑之5 ^離型之材料’亦即 黏合劑作為第—黏合 齊=。例如若使用環氧基之 保護層12 ’藉此可提高黏合^;7之用膜二類,方式形成為 動層7用之環氧基之黏合劑 -—^ _ 五、發明說明(1” ______ 之黏合性,也可_产 12。 胃衣乳基之黏合劑之溶劑同時去除保護層 此外當進行研磨過炉吐 覆蓋於研磨裝置 =磨粒之材料製成的止動層可 研磨輪之覆蓋過程係經^田換言之,工件之研磨過程及 行,故可連續進行絕祛^用含有此種磨粒之止動層進 的操作步驟數目。、、磨過程同時也可減少覆蓋研磨輪 本發明係基於日本鼻主 以供參考。 寻利申喷案第1 0-88864號’併述於此 雖然已經就本發明之較 顯然易知可未背離本發明:以說明,罐人士 例。 〃缔及乾圍内之全部此等變化例及修改 如前述於根據本發明鏟 因可形成傳遞旋轉力之止°’]::以及研磨裝置中, 晶體定向的粗略標準)叙 刀(,、亦作為待研磨工件之 程,故可簡化製造半導體,、^於士切割過程後進行複雜的製 加形成半導= 除:手段,因此可增 晶片數目增加,如此可有效利用貴半導體晶圓所得 著於鑄錠側面之例 載板之固疋孔内且有保護層插 7厲工件嵌合於 於運送過程及隨後之研磨過程不會::接工件本身 可有效進行研磨過程而不會 觸固疋孔。如此 曰於研磨過程因衝擊造成待研磨 第17頁 五、發明說明(12) 工件的損傷。 【元件編號之說明】 1.. .圓柱形鑄錠 2...夾持件 3...切割前工件 4.. .切割裝置 5...研磨前工件 6...研磨裝置 7.. .止動層 8...中間層 10...支持部 11...支持 層12...保護層 13...環氧基之黏合劑 14...蠟 1 5...線鑛 1 6...工作輕 1 7...線 1 9...切割部 2 0 ...熱水 2 1...接納槽 2 2...接納桶 2 3...載板 2 4...緩衝材料 2 5... —對研磨輪 2 6...固定孔 27.. .臺面上表面 28...V字形支持槽 29...複數支持 輥 3 0...旋轉架 31...腔穴部分 3 2...齒部 3 3...馬達 3 4...驅動齒輪
第18頁

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1. 一種鑄錠切割方法,其中, 藉夾持件(2)延伸貫穿圓柱形禱鍵件之周面 ^劑夾持,及由夾持件夾持的鑄錠件於其縱^'而赛過黏 為多塊因此獲得圓盤形待研磨工 、、、、°'方向被劃分 錠切割方法包括下列步驟: ,根據本發明之鑄 製備夾持件(2),其包含黏合一 (8 )及一支持層(j j ); ’ 動s ( 7 )、—中間層 藉第一黏合劑(13)黏合止動声 :合劑具有足夠之黏合強度“隨^^⑴,該第-磨裝置(6)之旋轉力; 收於1^後研磨過程來自研 藉第二黏合劑(u)以疊置關係黏合 (7 ),該第二黏合劑具有聋 曰(8 )至止動層 黏合劑更易劣化,八 "σ又於預定條件下比第一 以疊置方式聯結支持層(41) 偶聯支持層⑴)至切判"二中±間層⑻; 連同部八+ 割裝(4)支祷部(〗〇);及 層(Ό、中刀門屏、r^(2)切割鑄錠件(1)同時保持由晶置止動 J中間層(8)及支持層(11)形成 宜置止動 〜仫口申凊專利範圍第1項之鑄錠切自〗方、去口且情況。 疋條件為加熱條件,第二 方法,其中,該預 黏合劑之黏合強声 二]二背具有之黏合強度比第一 3.如由技# 更低的溫度下劣化。 黏合#丨A = π利範圍第2項之鑄錠切割方法,1 + @ 劑。 第—黏合劑為可藉熱熔化 4·如申請專利範圍第2項之鑄旋切割方法,其中該第一 /、、申請專利範圍 黏合劍為環氧基之黏合劑,及 ~ :如申請專利範圍第】垣 二弟〜黏合劑為蠟。 條件為溶解條件,而第二 I錠切割方法,其中該預定 之溶劑溶解。 * σ劑係藉不會溶解第一黏合劑 6. 如申請專利範圍第5 黏合劑為一種樹赌或橡膠切割方法,其中該第一 該第二黏合劑為水溶性^合=。於有機溶劑之黏合劑,及 7. 如申請專利範圍第〗項之*鎮 件⑴包含一鑄錠⑴及 ^刀打法,其中該鑄鍵 外周面。 卡遷膜用於覆蓋鑄錠(1)之整體 8. 如申請專利範圍第〗項之 詹⑺係由含磨粒之材料製叙刀“法’其中該止動 9. 一種鑄錠製造方法,苴中, 藉夾持件(2)延伸貫穿鬥知# ρ圓柱形鑄錠件(1)之周面 合劑爽接,月λ + &囫柱形麵錠件(1)周面全長而透過黏 為多塊因此辑π 1件爽持的禱鍵件於其縱向方向被劃分 = ί = 盤形待研磨工件⑸,根據本發明之籍 級切“方法包括下列步驟: 製備夾持件⑴,其包含黏合一止動層⑺、一中間層 (8)及一支持層(丨丨); 藉第一黏合劑—(13)黏合止動層(7)至鑄錠件(1),該第一 黏合劑具有足夠之黏合強度以接收於隨後研磨過程來自研 磨裝置(6 )之旋轉力; 藉第二黏合劑(14)以疊置關係黏合中間層(8)至止動層 (7 ),該第二黏合劑具有之黏合強度於預定條件下比第一
    第20頁 …申請專利範圍 勘合劑更易劣化, ΐ方式聯結支持層⑴)至中間層⑻,· 連® ^持層(11)至切割裝置(4)支持部(10); 層部^分夾持件(2)切割鑄錠件(1)同時保持由疊置止動 使如/間層⑻及支持層⑴)形成的整合疊置 及由jL 割後之鑄錠件接受預定條件而分開中間声U ) 。”⑺之鑄錠件⑴形成的組合切割塊:門層⑻ 孔之形= ί 研磨裝置之固定孔(Pa),其中該固定 心狀了保有組合切割塊之外型;及 1 0磨JVb固定於固定孔内之組合切割塊。 合,黏A於;之黏合強度比第-黏 一 1·如申請專利範圍第1〇項之鑄錠 黏合劑為熱固性黏合劑, ,,其中該第 劑。 亥第一黏合劑為可藉熱炫化 申:f專利範圍第10項之鑄錠製造方法… 黏合劑為環氧基之黏合劑,及嗜去其中該第 =公申請專利範圍第9項之鑄錠製:=劑巧。 =溶解條件’而第二黏合劑係藉不合中該預定 $ ’谷劑溶.解。 曰’合解第一黏合考丨j —人如申請專利範圍第13項之鑄錠製造方** —黏合劑為一種樹脂或橡膠而溶解於方法,其中該第 及該第二黏合劑為水溶性黏合劑。機溶劑之黏合劑, 六、申請專利範圍 -如申請專利範圚第9 件.(J)包含一鑄錠(J) 頁之鑄錠褽造方法’其尹該鑄疑 外周面。 及—保護膜用於覆蓋鑄錠(1)之整體 其進一步 i 6.如宇請專利蔚 包含下列步驟: 第】5項之鑄錠製造方法 同時由鑄錠脫離保 其中該止動 η.如申請專利範園m黏合劑。 層(?)係由含磨粒之製項成之轉鍵製造方法, 研"置達成,包含: 一载板插置於二研磨 固定於固定孔内之切匈=具有切割工件固定孔以防被 孔可保有切割工件外型形狀目2:載板旋轉,其中該固定 動件透過黏合劑牢固固定於圓形鑄錠件及一止 1 9.如申請專利範圍第1 8項之經切柯。面上。 其中該鑄錠件⑴包含-鑄錠⑴及—伴研磨裝置’ (1)之全體外周面。 保邊膜用於覆蓋鑄錠 20.如申請專利範圍第18項之經切 其牛該止動層(7)係由含有可覆蓋研 鑄鈦研磨裝置, 成,。 輪之磨粒材料製
TW088105184A 1998-04-01 1999-04-01 An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus TW393371B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08886498A JP3593451B2 (ja) 1998-04-01 1998-04-01 インゴットのスライス方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW393371B true TW393371B (en) 2000-06-11

Family

ID=13954882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088105184A TW393371B (en) 1998-04-01 1999-04-01 An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6113489A (zh)
EP (1) EP0947300A3 (zh)
JP (1) JP3593451B2 (zh)
KR (2) KR19990082807A (zh)
MY (1) MY118220A (zh)
TW (1) TW393371B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3484396B2 (ja) * 2000-05-09 2004-01-06 新光電気工業株式会社 ウェハーの切断方法
GB0212775D0 (en) * 2002-05-31 2002-07-10 Westwind Air Bearings Ltd Machine apparatus and methods
JP4464794B2 (ja) * 2004-11-10 2010-05-19 日本碍子株式会社 研磨加工用治具セット及び複数被研磨体の研磨方法
KR100649883B1 (ko) 2005-06-13 2006-11-27 주식회사 에이엘티 잉곳 절단장치
KR100873286B1 (ko) * 2006-12-29 2008-12-11 주식회사 실트론 실리콘 잉곳의 마운팅 장치 및 그 방법
KR100884246B1 (ko) * 2007-08-24 2009-02-17 주식회사 다우빔 실리콘 인고트 절단용 받침대
KR100873263B1 (ko) * 2007-09-12 2008-12-11 주식회사 실트론 잉곳 마운팅 방법
EP2242629A1 (en) * 2008-02-11 2010-10-27 MEMC Electronic Materials, Inc. Carbon nanotube reinforced wiresaw beam used in wiresaw slicing of ingots into wafers
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
CN102363328A (zh) * 2011-06-27 2012-02-29 镇江市港南电子有限公司 一种硅片切割装置
CN102555097B (zh) * 2012-03-28 2014-08-06 杭州海纳半导体有限公司 适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法
CN106003442B (zh) * 2016-07-25 2018-11-30 宜昌南玻硅材料有限公司 一种用于区熔检验硅棒切割的粘贴结构及方法
JP6693460B2 (ja) * 2017-04-04 2020-05-13 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
KR101964568B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치
KR101964567B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리장치
KR102089225B1 (ko) * 2019-10-22 2020-05-26 손귀욱 웨이퍼 낱장 분리장치 및 이를 이용한 웨이퍼 낱장 분리방법
CN110605795B (zh) * 2019-11-08 2020-09-11 诸暨市蓟北机电科技有限公司 一种基于往复运动提供瞬时压力且切割打磨一体化的装置
CN114454361A (zh) * 2021-08-19 2022-05-10 青岛高测科技股份有限公司 硅棒切割设备及系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4227348A (en) * 1978-12-26 1980-10-14 Rca Corporation Method of slicing a wafer
US4593495A (en) * 1983-11-25 1986-06-10 Toshiba Machine Co., Ltd. Polishing machine
JPS60259372A (ja) * 1984-06-04 1985-12-21 Yokogawa Hokushin Electric Corp 両面ポリツシング方法
JPH0818332B2 (ja) * 1986-09-30 1996-02-28 株式会社東芝 単結晶ウエハの製造方法
JPH01215510A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Osaka Titanium Co Ltd 脆性材料のスライス方法
JPH03266430A (ja) * 1990-03-16 1991-11-27 Fujitsu Ltd キャリア
US5009614A (en) * 1990-05-31 1991-04-23 Amp Incorporated Shielded cable assembly with floating ground
JPH0790547B2 (ja) * 1990-11-01 1995-10-04 住友金属工業株式会社 マルチワイヤソーによる切断方法
US5121572A (en) * 1990-11-06 1992-06-16 Timesavers, Inc. Opposed disc deburring system
JP3397968B2 (ja) * 1996-03-29 2003-04-21 信越半導体株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
US5934983A (en) * 1996-04-08 1999-08-10 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Double-side grinding method and double-side grinder
US5967882A (en) * 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
JP3405906B2 (ja) * 1997-09-26 2003-05-12 株式会社日平トヤマ ワークの加工方法とキャリアプレート

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11286008A (ja) 1999-10-19
EP0947300A2 (en) 1999-10-06
KR19990082807A (ko) 1999-11-25
JP3593451B2 (ja) 2004-11-24
MY118220A (en) 2004-09-30
EP0947300A3 (en) 2002-04-24
US6113489A (en) 2000-09-05
KR19990082824A (ko) 1999-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW393371B (en) An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus
JP4154067B2 (ja) 研削装置
KR102024390B1 (ko) 표면 보호 부재 및 가공 방법
JP4847255B2 (ja) 半導体ウエーハの加工方法
US8513096B2 (en) Wafer dividing method
US6214704B1 (en) Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
JP2001516145A (ja) 半導体ウエハの加工方法
TW201633393A (zh) 晶圓的加工方法
TW201446427A (zh) 抛光墊修整器及其製造方法、抛光墊修整裝置及抛光系統
KR20210075049A (ko) 웨이퍼 가공 방법 및 중간 부재
TWI786006B (zh) 半導體結晶晶圓的製造方法及製造裝置
JP2011216763A (ja) ウェーハの加工方法
JP5443192B2 (ja) サファイア基板の加工方法
JP5912311B2 (ja) 被加工物の研削方法
TW201203341A (en) Wafer processing method
CN102172885A (zh) 衬底的抛光装置及其抛光的衬底
JP2003273053A (ja) 平面研削方法
JP6803169B2 (ja) 研削方法
JP2011103379A (ja) ウェーハの平坦化加工方法
JP2012222310A (ja) ウェーハの加工方法
JP5500998B2 (ja) 板状物の研削方法
JP2015213969A (ja) ドレスシート及びドレスシートを使用した加工方法
KR20220155204A (ko) 보호 부재를 갖는 피가공물의 제조 방법, 피가공물의 가공 방법 및 피가공물의 보호 부재
JP2003086550A (ja) ウェーハ研磨工程及びこれによるウェーハ後面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees