KR100884246B1 - 실리콘 인고트 절단용 받침대 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정 중 실리콘 웨이퍼를 생산하기 위하여 실리콘 인고트의 절단(slicing) 공정에서 사용되는 받침대에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 인고트 절단용 받침대는, 실리콘 인고트와 접촉하는 곡면과, 상기 곡면의 양측으로 돌출된 고정부를 포함하며, 상기 고정부는 상기 곡면이 끝나는 부분과 단차지게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 곡면의 최저부는 상기 고정부의 최고부보다 높은 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 곡면은 웨이브 패턴, 라이트 스트레이트 패턴, 미러 패턴 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 웨이브 패턴, 상기 라이트 스트레이트 패턴, 상기 미러 패턴의 피치는 각각 80~120 ㎛, 40~60 ㎛, 10~30 ㎛ 인 것을 특징으로 한다. 또한, 38~42 중량%의 에폭시, 43~47 중량%의 레인포즈휠라, 12~16 중량%의 폴리우레탄, 0.5~1.5 중량%의 경화제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실리콘 인고트, 받침대, 절단, 슬라이싱, 웨이퍼
Description
본 발명은 반도체 제조 공정 중 실리콘 웨이퍼를 생산하기 위하여 실리콘 인고트의 절단(slicing) 공정에 사용되는 받침대에 관한 것이다.
실리콘은 회색의 깨어지기 쉬운 비금속성의 4족 원소로서 지구상 물질의 27.8%를 차지하고 자연계에서 산소 다음으로 가장 풍부한 원소 중 하나이다. 이러한 실리콘은 반도체 칩이 만들어지는데 사용되는 주요 반도체 원재료이다.
반도체 칩을 만들기 위해서는 추출된 실리콘을 얇은 판 모양의 웨이퍼 상태로 만들어야 한다. 이 과정은 먼저 실리콘 인고트(ingot)를 만드는 것으로 시작된다.
실리콘 성장 공정을 거친 인고트는 최종 제품의 직경보다 약간 큰 직경으로 표면 그라인딩을 실시하게 된다. 그리고 몇 단계의 검사 공정을 거쳐 실리콘 인고트는 절단 공정(slicing)에 의해 웨이퍼의 형태를 가지게 된다.
실리콘은 표면 경도가 매우 높은 물질로서 이것을 절단하기 위해서 요즘에는 와이어(wire)를 이용한 절단 방식도 사용되고 있다. 이 방식은 기존의 다이아몬드 를 사용한 블레이드 타입(blade type)의 절단 방식에 비하여 수율 향상, 두께 편차, Bow/Warp 등의 휘어짐 정도 감소 등의 장점이 있다.
그런데, 반도체 제조의 기초 소재인 실리콘 웨이퍼는 두께가 얇고 매우 정밀한 제품으로, 단결정 실리콘의 절단 작업은 정밀한 기술을 요하는 작업이고, 허용 오차 또한 작다. 따라서, 절단 작업시 진동에 의한 오차 발생을 방지하기 위하여 실리콘 인고트를 지지하는 받침대의 역할은 매우 중요하다.
이와 관련하여, 본 출원인은 한국실용신안등록출원 제20-1997-0027070호 (출원일: 1997.9.30.) 를 통하여 받침대 고안을 출원한 바 있다.
도 1에는 상기 고안의 정면도가 도시되어 있는데, 상기 고안은 실리콘 인고트(S)와 접촉하는 곡면(100)을 구비하고 있다. 상기 고안을 사용하여 실리콘 인고트(S)를 절단하는 작업을 간략히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 바닥면(200)에 접착제를 도포하여 바이스(미도시)에 부착한다. 그 다음, 곡면(100)에 접착제를 도포한 후, 실리콘 인고트(S)를 곡면(100)에 부착한다. 그리고 와이어 소오를 이용하여 실리콘 인고트(S)를 절단한다.
그러나, 상기 고안에서는 곡면(100)과 실리콘 인고트(S)와의 접촉 면적이 넓어, 와이어 소오(wire saw)로 실리콘 인고트를 절단하는 과정에서 와이어 소오가 받침대로부터 받는 저항이 커서 오차 발생이 많은 문제점이 있었다. 즉, 와이어 소오가 곡면(100)의 최저부(101)에 다다를 때까지 받침대(도 1의 빗금친 부분)로부터 저항을 받는다.
또한, 상기 고안의 곡면(100)과 실리콘 인고트(S)의 접촉 길이(실리콘 인고 트의 원주방향 기준)가 길어 이들이 서로 밀착되지 못하고(현실적으로 생산 공차로 인하여 받침대의 곡면(100)의 곡률과 실리콘 인고트(S)의 반경을 정확하게 일치하도록 받침대와 실리콘 인고트(S)를 생산하는 것이 용이하지 않다) 이들 사이에 간극(gap)이 불규칙하게 발생하는 경우가 많으며, 이 간극을 접착제로 메우는 실정이었다. 이러한 사정으로 인하여, 와이어 소오로 절단시 받침대의 곡면(100)과 실리콘 인고트(S)의 사이에 도포되어 있는 접착제의 지지력의 차이로 인하여, 실리콘 인고트(S)가 절단 작업 도중에 받침대로부터 종종 탈락하는 문제점이 있었다.
또한, 절단 작업시에, 상기 고안의 바닥면(200)에 접착제를 도포한 다음, 상기 고안을 바이스(vise)에 부착하여 절단 작업을 진행하게 되는데, 이때, 받침대를 단지 접착제만으로 바이스에 고정하게 되므로 그 고정이 불안정하게 되는 문제점이 있었고, 불안정한 고정을 개선하기 위하여 바닥면(200)에 접착제를 과도하게 사용함으로써 실리콘 웨이퍼의 생산 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
또한, 절단 작업의 결과로서 불필요하게 받침대 재료가 많이 소모되는 문제점이 있었다 (도 1의 빗금친 부분 참조). 따라서, 작업 과정에서 소모되는 받침대 재료를 줄일 수 있도록 받침대를 설계할 필요성이 대두 되었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 절단 과정에서 와이어 소오와 같은 절단기구가 받는 저항을 감소시켜 오차 발생을 줄이고, 소모되는 받침대 재료의 양을 줄이며, 적은 양의 접착제를 가지고도 받침대를 바이스에 보다 확실하게 고정시킬 수 있는 실리콘 인고트 절단용 받침대를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리콘 인고트 절단용 받침대는, 실리콘 인고트와 접촉하는 곡면과, 상기 곡면의 양측으로 돌출된 고정부를 포함하며, 상기 고정부는 상기 곡면이 끝나는 부분과 단차지게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 곡면은 상기 실리콘 인고트의 반경에 대응하는 곡률 반경으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 곡면의 최저부는 상기 고정부의 최고부보다 높은 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 곡면은 웨이브 패턴, 라이트 스트레이트 패턴, 미러 패턴 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이브 패턴, 상기 라이트 스트레이트 패턴, 상기 미러 패턴의 피치는 각각 80~120 ㎛, 40~60 ㎛, 10~30 ㎛ 인 것을 특징으로 한다.
또한, 38~42 중량%의 에폭시, 43~47 중량%의 레인포즈휠라, 12~16 중량%의 폴리우레탄, 0.5~1.5 중량%의 경화제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성을 가진 본 발명에 의하면, 곡면과 실리콘 인고트와의 접촉 면적이 줄어들어, 와이어 소오로 실리콘 인고트를 절단하는 과정에서 와이어 소오가 받침대로부터 받는 저항이 작아져서 오차 발생을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 적은 양의 재료로 받침대를 생산함으로써 절단 작업에서 불필요하게 받침대 재료가 많이 소모되는 문제점을 해결할 수 있다.
또한, 곡면의 양측으로 돌출된 고정부를 클램프 등을 사용하여 바이스에 고정시켜 줌으로써, 적은 양의 접착제를 가지고도 받침대를 바이스에 보다 확실하게 고정시킬 수 있으며, 이를 통하여 제품 불량률을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 받침대의 곡면과 실리콘 인고트의 원주면과의 접촉 길이를 종래보다 작게 하여 받침대의 곡면과 실리콘 인고트 사이에 발생할 수 있는 간극(gap)을 줄임으로써, 결과적으로 접착제가 받침대의 곡면과 실리콘 인고트의 사이에 균일하게 도포될 수 있도록 한다. 이를 통하여 절단 작업시 접착제의 지지력을 균일하게 함으로써, 실리콘 인고트가 절단 작업 도중에 탈락하는 상황을 미연에 방지할 수 있다.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 받침대의 사시도, 도 3은 본 발명에 따른 받침대의 정면도를 나타낸다.
도 2 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 받침대는 실리콘 인고트(S)와 접촉하는 곡면(1)과, 곡면(1)의 양측으로 각각 돌출된 고정부(2)를 포 함한다.
고정부(2)는 곡면(1)이 끝나는 부분(12)과 단차지게 형성되어 있다.
곡면(1)의 최저부(11)는 고정부(2)의 최고부(21)보다 높은 위치에 형성되어 있다. 이는 절단 작업시, 와이어 소오(미도시)가 곡면의 최저부(11)에 도달하여 실리콘 인고트의 절단이 종료될 때까지 와이어 소오가 고정부(2)에 접촉하지 않도록 하여 와이어 소오에 가해지는 절단 저항을 줄여주기 위함이다.
곡면(1)의 곡률 반경(R)은 접촉하는 실리콘 인고트(S)의 반경에 일치하게 형성되는 것이 바람직하다. 그리고 곡면(1)의 패턴은 웨이브 패턴(wave pattern), 라이트 스트레이트 패턴(light straight pattern), 미러 패턴(mirror pattern) 중 어느 하나로 형성될 수 있다(도 4 참조).
도 4(a)에 도시된 바와 같이, 웨이브 패턴은 홈(groove)이 웨이브 형상으로 형성되어 있는 패턴으로서, 표면에 홈이 존재하고 있기 때문에 접착제를 도포할 경우, 도포 면적이 넓어져서 그만큼 실리콘 인고트와 받침대 간의 접착력을 높일 수 있다. 각각의 홈 간의 간격 즉, 피치(pitch)는 대략 80~120 ㎛ 인 것이 바람직하다.
도 4(b)에 도시되어 있는 라이트 스트레이트 패턴은 홈이 직선 형상으로 형성되어 있는 패턴으로서, 홈의 배열이 일직선이 되어 실리콘 인고트와 받침대의 접착면이 일직선으로 되어 접착이 우수하고, 와이어 소오의 절단 방향과도 수직이 되어 실리콘 웨이퍼의 손실이 줄어드는 효과도 얻을 수 있다. 라이트 스트레이트 패턴에서 각각의 홈 간의 피치(pitch)는 대략 40~60 ㎛ (light groove 형태) 인 것이 바람직하다.
미러 패턴(도 4(c) 참조)은 각각의 홈 간의 피치가 대략 10~30 ㎛ 정도로 형성되어 있어, 거울과 같이 미끄러운 표면 상태를 가지는 패턴이다.
최근 반도체 칩의 수요 증가에 따라 양질의 웨이퍼 생산 및 생산 원가절감의 일환으로 접착제의 사용량 절감도 요구되는 실정인데, 이러한 미러 패턴을 가진 받침대 곡면을 사용함으로써 받침대와 실리콘 인고트는 더 완벽하게 접촉될 수 있어 접착제의 사용량도 절감할 수 있다.
참고로, 실리콘 인고트와 본 받침대의 접착에는 크게 에폭시 본드(이형제+활성제)와 액체 타입 본드(liquid type bond)가 사용될 수 있다. 통상적으로 에폭시 본드가 액체 타입 본드보다 접착력이 더 우수하여, 절단 작업시 대부분 에폭시 본드가 사용되고 있다. 다만, 에폭시 본드는 이형제와 활성제를 일정한 비율로 섞어 도포되기 때문에 작업자의 작업 방식에 따라 도포된 면이 고르지 않은 단점이 있다. 따라서, 액체 타입 본드는 에폭시 본드보다 접착력은 떨어지지만 받침대의 곡면에 도포가 용이하기 때문에 사용이 증가하고 있는 추세이다.
한편, 절단 작업시에 본 받침대 양쪽의 고정부(2)를 클램프(clamp)와 같은 고정기구를 사용하여 바이스에 밀착 고정시킴으로써, 종래의 받침대보다 바닥면(3)에 사용되는 접착제의 양을 많이 줄일 수 있게 되었다.
본 받침대를 구성하는 재료의 구성비는 다음과 같다.
1) 에폭시(epoxy) 38~42 중량%,
2) 레인포즈휠라(reinforce filler) 43~47 중량%,
3) 폴리우레탄(polyurethane) 12~16 중량%,
4) 경화제(hardener) 0.5~1.5 중량%
실험 결과, 이와 같이 구성할 경우, 본 받침대의 밀도, 경도, 강도 등 여러 기계적 특성들이 실리콘 인고트 절단용 받침대로 사용되기에 적절한 값들을 나타내었다.
일반적인 웨이퍼 생산 공정은 인고트 절단 후 웨이퍼들을 한 장씩 분리하는 데, 이때 웨이퍼를 인고트로부터 분리해 내기 전에 인고트가 받침대로부터 탈락하지 않아야 한다. 즉, 절단된 웨이퍼 분리는 약 70~80℃의 따뜻한 물에서 시행되는 데, 기계장치(예컨대, 로봇팔)를 사용하여 웨이퍼를 한 장씩 인고트로부터 분리할 때, 절단된 웨이퍼가 받침대에 그대로 유지되도록 하는 것이 중요하다. 종래에는, 절단 후 분리 과정에서 웨이퍼가 스스로 떨어져 나가는 현상이 있었다. 그러나, 본 발명과 같이 받침대의 재료를 구성함으로써 약 80℃까지 받침대가 웨이퍼를 안정적으로 잡아주게 되었다.
한편, 본 받침대는 상기 재료들을 혼합하여 성형, 절단, 밀링 가공 공정을 거쳐 제작된다.
도 1은 종래의 받침대의 형상을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 받침대의 사시도이다.
도 3은 도 2의 받침대의 정면도이다.
도 4는 도 2의 받침대의 곡면에 형성된 여러 패턴을 예시하는 도면이다.
Claims (6)
- 실리콘 인고트와 접촉하는 곡면; 및상기 곡면의 양측으로 돌출된 고정부;를 포함하며,상기 고정부는 상기 곡면이 끝나는 부분과 단차지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
- 제1항에 있어서,상기 곡면은 상기 실리콘 인고트의 반경에 대응하는 곡률 반경으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
- 제1항에 있어서,상기 곡면의 최저부는 상기 고정부의 최고부보다 높은 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
- 제1항에 있어서,상기 곡면은 웨이브 패턴, 라이트 스트레이트 패턴, 미러 패턴 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
- 제4항에 있어서,상기 웨이브 패턴, 상기 라이트 스트레이트 패턴, 상기 미러 패턴의 피치는 각각 80~120 ㎛, 40~60 ㎛, 10~30 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
- 제1항에 있어서,1) 38~42 중량%의 에폭시2) 43~47 중량%의 레인포즈휠라3) 12~16% 중량%의 폴리우레탄4) 0.5~1.5 중량%의 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 인고트 절단용 받침대.
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| DE102013200467A1 (de) * | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Siltronic Ag | Klemmbare Aufkittleiste für einen Drahtsägeprozess |
| CN105082386A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-11-25 | 浙江辉弘光电能源有限公司 | 一种锯断机用硅棒夹具 |
| JP7427516B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-05 | 高純度シリコン株式会社 | 多結晶シリコン製造用シードの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004106360A (ja) | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | スリット入りウェーハ支持部材およびウェーハ洗浄装置 |
| JP2005019823A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Kyocera Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JP2005047213A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶インゴットとスライス台の接着装置及び接着方法 |
| JP2007118354A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | インゴット支持用治具 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS471045U (ko) * | 1971-01-22 | 1972-08-10 | ||
| US4819387A (en) * | 1987-12-16 | 1989-04-11 | Motorola, Inc. | Method of slicing semiconductor crystal |
| JPH09155855A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Sony Corp | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
| JP3853039B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2006-12-06 | 株式会社エーアンドエーマテリアル | シリコンスライス台 |
| KR200161786Y1 (ko) * | 1997-09-30 | 1999-12-01 | 김경중 | 실리콘 웨이퍼 절단용 플라스틱 받침대 |
| JP3593451B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2004-11-24 | 株式会社日平トヤマ | インゴットのスライス方法 |
| JP2000280235A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | スライスベース |
| JP4721743B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 半導体ブロックの保持装置 |
-
2007
- 2007-08-24 KR KR1020070085325A patent/KR100884246B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004106360A (ja) | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | スリット入りウェーハ支持部材およびウェーハ洗浄装置 |
| JP2005019823A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Kyocera Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JP2005047213A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶インゴットとスライス台の接着装置及び接着方法 |
| JP2007118354A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | インゴット支持用治具 |
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| Publication number | Publication date |
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