JPH09155855A - 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 - Google Patents
単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法Info
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- JPH09155855A JPH09155855A JP31823595A JP31823595A JPH09155855A JP H09155855 A JPH09155855 A JP H09155855A JP 31823595 A JP31823595 A JP 31823595A JP 31823595 A JP31823595 A JP 31823595A JP H09155855 A JPH09155855 A JP H09155855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶インゴットをスライス加工する際に、
スライスされる単結晶加工用貼付台との接着力を増す様
な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を提供す
る。 【解決手段】 単結晶インゴット３を載置貼付させる単
結晶加工用貼付台１の湾曲載置面２に接着剤流出防止溝
７及び単結晶インゴット３の重量を支える突起８Ｌ及び
８Ｒを設ける。
スライスされる単結晶加工用貼付台との接着力を増す様
な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を提供す
る。 【解決手段】 単結晶インゴット３を載置貼付させる単
結晶加工用貼付台１の湾曲載置面２に接着剤流出防止溝
７及び単結晶インゴット３の重量を支える突起８Ｌ及び
８Ｒを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶のインゴット
をスライス加工するに適した単結晶加工用貼付台及び単
結晶の加工方法に関する。
をスライス加工するに適した単結晶加工用貼付台及び単
結晶の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から磁気ヘッドに用いる単結晶や半
導体の基板等に用いるシリコン単結晶等をスライス加工
する場合にはこれら単結晶のインゴットを単結晶加工用
貼付台に載置し、単結晶の結晶方位等を測定し、単結晶
の方位角を決定した後に接着剤を介してインゴットを単
結晶加工用貼付台に接合し、インゴットの先端部と後端
部を切断して基準面を出した後にインゴットの長手方向
或いは輪切にスライスする様に成される。
導体の基板等に用いるシリコン単結晶等をスライス加工
する場合にはこれら単結晶のインゴットを単結晶加工用
貼付台に載置し、単結晶の結晶方位等を測定し、単結晶
の方位角を決定した後に接着剤を介してインゴットを単
結晶加工用貼付台に接合し、インゴットの先端部と後端
部を切断して基準面を出した後にインゴットの長手方向
或いは輪切にスライスする様に成される。
【０００３】この様な単結晶加工用貼付台１の構成図を
図７Ａ〜図７Ｃに示す。図７Ａは単結晶加工用貼付台１
の平面図、図７Ｂは単結晶インゴットを単結晶加工用貼
付台１に載置した状態を示す斜視図、図７Ｃは基準面切
断時の正面図である。
図７Ａ〜図７Ｃに示す。図７Ａは単結晶加工用貼付台１
の平面図、図７Ｂは単結晶インゴットを単結晶加工用貼
付台１に載置した状態を示す斜視図、図７Ｃは基準面切
断時の正面図である。
【０００４】図７Ａ乃至図７Ｃに示されている様に略円
柱状に形成されたフェライト等の単結晶インゴット３の
外周に嵌合する湾曲載置面２を上面に有する単結晶加工
用貼付台１に図７Ｂに示す様に単結晶インゴット３を載
置し、該単結晶インゴット３の先端部３ａ側からレーザ
光を照射し、ゴニオメータ等を用いて単結晶方位を決定
した後に単結晶インゴット３をエポキシ系の接着剤４等
で接合させ、乾燥後に図７Ｃに示す様に単結晶インゴッ
ト３の先端部３ａと後端部３ｂを切断して、後工程の基
準面６を形成する様に成されている。
柱状に形成されたフェライト等の単結晶インゴット３の
外周に嵌合する湾曲載置面２を上面に有する単結晶加工
用貼付台１に図７Ｂに示す様に単結晶インゴット３を載
置し、該単結晶インゴット３の先端部３ａ側からレーザ
光を照射し、ゴニオメータ等を用いて単結晶方位を決定
した後に単結晶インゴット３をエポキシ系の接着剤４等
で接合させ、乾燥後に図７Ｃに示す様に単結晶インゴッ
ト３の先端部３ａと後端部３ｂを切断して、後工程の基
準面６を形成する様に成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造の単結晶加
工用貼付台１の構造では上面の湾曲載置面２は平滑な面
と成されているために、接着剤４を塗布して単結晶のイ
ンゴット３を結晶方位決定させて乾燥状態にする段階
（通常１２時間程度の乾燥時間を必要とする。）では接
着剤４の流動性によって単結晶のインゴット３が図７Ｂ
のＡ−Ａの様に回転して、貼付位置ずれを起こす問題が
あった。更に、接着剤４は図７Ｃに示す様に単結晶のイ
ンゴット３の重量を受けて湾曲載置面の上方に押し出さ
れ、下面部の接着剤層の厚さｔ1 は上側の厚みｔ2 に比
べて薄くなり、充分な接着強度が得られずスライス加工
の際に単結晶のスライス板が剥がれ落ちたり、くだけた
りする問題を生じていた。
工用貼付台１の構造では上面の湾曲載置面２は平滑な面
と成されているために、接着剤４を塗布して単結晶のイ
ンゴット３を結晶方位決定させて乾燥状態にする段階
（通常１２時間程度の乾燥時間を必要とする。）では接
着剤４の流動性によって単結晶のインゴット３が図７Ｂ
のＡ−Ａの様に回転して、貼付位置ずれを起こす問題が
あった。更に、接着剤４は図７Ｃに示す様に単結晶のイ
ンゴット３の重量を受けて湾曲載置面の上方に押し出さ
れ、下面部の接着剤層の厚さｔ1 は上側の厚みｔ2 に比
べて薄くなり、充分な接着強度が得られずスライス加工
の際に単結晶のスライス板が剥がれ落ちたり、くだけた
りする問題を生じていた。
【０００６】本発明は叙上の問題点を解消するために成
されたもので、その課題とするところは充分な接着強度
が得られ、スライス加工時の剥がれ落ちによる不良率を
低減可能な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を
提供しようとするものである。
されたもので、その課題とするところは充分な接着強度
が得られ、スライス加工時の剥がれ落ちによる不良率を
低減可能な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を
提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶加工用貼
付台はその例が図１に示されている様に略円筒状の単結
晶体３の外周面に沿う湾曲した載置面２を有する単結晶
加工用貼付台１に於いて、湾曲した載置面２に接着剤流
れ防止用溝７を形成すると共に単結晶体３の重量を受け
とめる突起８Ｌ及び８Ｒを設けて成るものである。
付台はその例が図１に示されている様に略円筒状の単結
晶体３の外周面に沿う湾曲した載置面２を有する単結晶
加工用貼付台１に於いて、湾曲した載置面２に接着剤流
れ防止用溝７を形成すると共に単結晶体３の重量を受け
とめる突起８Ｌ及び８Ｒを設けて成るものである。
【０００８】本発明の単結晶の加工方法は略円筒状の単
結晶体３の外周面に沿う湾曲した載置面２に突起８Ｌ及
び８Ｒを有する単結晶加工用貼付台１に単結晶体３を載
置して単結晶体３の結晶方位を決定する工程と、単結晶
体３の結晶方位決定後に単結晶加工用貼付台１に接着剤
４を介して接合させる工程と、単結晶体３及び単結晶加
工用貼付台１の基準面６の切断後にスライス加工を施す
工程とより成るものである。
結晶体３の外周面に沿う湾曲した載置面２に突起８Ｌ及
び８Ｒを有する単結晶加工用貼付台１に単結晶体３を載
置して単結晶体３の結晶方位を決定する工程と、単結晶
体３の結晶方位決定後に単結晶加工用貼付台１に接着剤
４を介して接合させる工程と、単結晶体３及び単結晶加
工用貼付台１の基準面６の切断後にスライス加工を施す
工程とより成るものである。
【０００９】本発明の単結晶加工用貼付台及び単結晶の
加工方法によればスライス加工時にも充分な接着強度を
以て単結晶加工用貼付台と単結晶インゴットが接合さ
れ、スライス時の剥がれ落ちによる破損を防止可能なも
のが得られる。
加工方法によればスライス加工時にも充分な接着強度を
以て単結晶加工用貼付台と単結晶インゴットが接合さ
れ、スライス時の剥がれ落ちによる破損を防止可能なも
のが得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の単結晶加工用貼付
台及び単結晶の加工方法を説明する。
台及び単結晶の加工方法を説明する。
【００１１】先ず、本例では図６Ａに示す様に単結晶加
工用貼付台１の単結晶インゴット３が載置される湾曲載
置面２上に、その長手方向及び湾曲面に沿って複数の接
着剤４を外部に逃がさない様にする為の溝７を形成し
て、図６Ｂの様に単結晶インゴット３を湾曲載置面２上
に載置し、レーザ光線照射による光像法で結晶方位を計
測した後に単結晶インゴット３を単結晶加工用貼付台１
に接着して、図６Ｃに示す様に基準面６を出した後に接
着剤４の乾燥工程に入り、乾燥後の接着剤４の貼着状態
を観測した。
工用貼付台１の単結晶インゴット３が載置される湾曲載
置面２上に、その長手方向及び湾曲面に沿って複数の接
着剤４を外部に逃がさない様にする為の溝７を形成し
て、図６Ｂの様に単結晶インゴット３を湾曲載置面２上
に載置し、レーザ光線照射による光像法で結晶方位を計
測した後に単結晶インゴット３を単結晶加工用貼付台１
に接着して、図６Ｃに示す様に基準面６を出した後に接
着剤４の乾燥工程に入り、乾燥後の接着剤４の貼着状態
を観測した。
【００１２】この場合、溝７に沿って接着剤４が押し出
されないため、湾曲載置面２の上側での接着剤４の厚み
ｔ2 は図７の場合に比べて薄くすることが出来、或る程
度、湾曲載置面２全体の接着剤４の厚みを均一化出来、
従って、貼付位置ずれは生じないが、単結晶インゴット
３の重量により、湾曲載置面２の下面で接着剤４が押し
出されて、接着剤４の厚みｔ1 はｔ2 ＞ｔ1 となって、
図５のスライス加工時の不良率に示す様に、図７のグラ
フ１０で示す３０％に対しグラフ１１で示す様に不良率
は１０％程度に低減したが完全に不良を無くすことが出
来なかった。
されないため、湾曲載置面２の上側での接着剤４の厚み
ｔ2 は図７の場合に比べて薄くすることが出来、或る程
度、湾曲載置面２全体の接着剤４の厚みを均一化出来、
従って、貼付位置ずれは生じないが、単結晶インゴット
３の重量により、湾曲載置面２の下面で接着剤４が押し
出されて、接着剤４の厚みｔ1 はｔ2 ＞ｔ1 となって、
図５のスライス加工時の不良率に示す様に、図７のグラ
フ１０で示す３０％に対しグラフ１１で示す様に不良率
は１０％程度に低減したが完全に不良を無くすことが出
来なかった。
【００１３】そこで本発明では更に図１Ａ乃至図４に示
す様な単結晶加工用貼付台１を案出した。
す様な単結晶加工用貼付台１を案出した。
【００１４】図１Ａ乃至図１Ｃで図６Ａ乃至図６Ｃとの
対応部分には同一符号を付してある。図１Ｃは本発明の
単結晶加工用貼付台の平面図、図１Ｂは単結晶インゴッ
ト３を単結晶加工用貼付台に接合させた状態を示す斜視
図、図１Ｃは基準面切断時の正面図、図２は図１Ｃのａ
−ａ断面矢視図、図３は本発明のインゴット切断時の工
程図、図４は本発明のインゴットの切断時の工程説明図
である。
対応部分には同一符号を付してある。図１Ｃは本発明の
単結晶加工用貼付台の平面図、図１Ｂは単結晶インゴッ
ト３を単結晶加工用貼付台に接合させた状態を示す斜視
図、図１Ｃは基準面切断時の正面図、図２は図１Ｃのａ
−ａ断面矢視図、図３は本発明のインゴット切断時の工
程図、図４は本発明のインゴットの切断時の工程説明図
である。
【００１５】以下、図１乃至図４を用いて本発明の単結
晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を詳記する。
晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を詳記する。
【００１６】本例の単結晶加工用貼付台１には図１Ａに
示す様に湾曲載置面２の湾曲面に沿って複数の溝７を例
えば等間隔に形成する。必要に応じて単結晶加工用貼付
台１の長手方向にも図６の様に形成してよい。更に図１
Ａ及び図２に示す様に湾曲載置面２の溝間に左右突起８
Ｌ及び８Ｒを形成する。この突起８Ｌ及び８Ｒの単結晶
インゴット３の外周と接する面には略外周と同一カーブ
に成る様に湾曲している。
示す様に湾曲載置面２の湾曲面に沿って複数の溝７を例
えば等間隔に形成する。必要に応じて単結晶加工用貼付
台１の長手方向にも図６の様に形成してよい。更に図１
Ａ及び図２に示す様に湾曲載置面２の溝間に左右突起８
Ｌ及び８Ｒを形成する。この突起８Ｌ及び８Ｒの単結晶
インゴット３の外周と接する面には略外周と同一カーブ
に成る様に湾曲している。
【００１７】本例に用いる単結晶インゴット３としては
フェライトをブリッジマン法等で単結晶化したインゴッ
トであるが、例えば、半導体のウェハー等に用いるシリ
コン単結晶等であってもよい。
フェライトをブリッジマン法等で単結晶化したインゴッ
トであるが、例えば、半導体のウェハー等に用いるシリ
コン単結晶等であってもよい。
【００１８】又、単結晶インゴットを載置する単結晶加
工用貼付台１は切削性に優れたＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 、
或いは３Ａｌ2 Ｏ3 ：２ＳｉＯ2 等の酸化シリコン或い
はアルミナ等を主成分とするセラミックスで構成され、
略直方体状の基部及びその上面に形成した湾曲載置面２
上に形成した溝７及び左右突起８Ｌ及び８Ｒは一体に成
型される。
工用貼付台１は切削性に優れたＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 、
或いは３Ａｌ2 Ｏ3 ：２ＳｉＯ2 等の酸化シリコン或い
はアルミナ等を主成分とするセラミックスで構成され、
略直方体状の基部及びその上面に形成した湾曲載置面２
上に形成した溝７及び左右突起８Ｌ及び８Ｒは一体に成
型される。
【００１９】この様な単結晶インゴット３をスライスす
る場合の単結晶のスライス加工方法を図３に示す工程図
に従って説明する。
る場合の単結晶のスライス加工方法を図３に示す工程図
に従って説明する。
【００２０】図３の第１ステップＳＴ1 で例えばブリッ
ジマン法で成長させたフェライトの単結晶インゴット３
は先端部３ａの種部分を除いて図４Ａの様に略円柱状と
成されている。
ジマン法で成長させたフェライトの単結晶インゴット３
は先端部３ａの種部分を除いて図４Ａの様に略円柱状と
成されている。
【００２１】この単結晶インゴット３を図４Ｂに示す様
に単結晶加工用貼付台１上に第２ステップＳＴ2 の様に
載置する。単結晶加工用貼付台１には接着剤流れを防止
する為の溝７及び左右突起８Ｌ及び８Ｒが形成されてい
る。
に単結晶加工用貼付台１上に第２ステップＳＴ2 の様に
載置する。単結晶加工用貼付台１には接着剤流れを防止
する為の溝７及び左右突起８Ｌ及び８Ｒが形成されてい
る。
【００２２】単結晶加工用貼付台１に単結晶インゴット
３を図１Ｂ及び図４Ｃの様に載置した状態で第３ステッ
プＳＴ3 の様に軸出し及び貼付けが行われる。
３を図１Ｂ及び図４Ｃの様に載置した状態で第３ステッ
プＳＴ3 の様に軸出し及び貼付けが行われる。
【００２３】軸出しはゴニオメータ等が載置されたゴニ
オ治具１３上に載置した単結晶加工用貼付台１と単結晶
インゴット３の先端部３ａ側からレーザ光線等を照射
し、その反射光を光像法に基づいて検出し、単結晶イン
ゴット３の結晶方位を決定し、エポキシ樹脂系の接着剤
４等を介して単結晶方位を所定の角度範囲になる様に設
定して、単結晶インゴット３を単結晶加工用貼付台１に
接合する。
オ治具１３上に載置した単結晶加工用貼付台１と単結晶
インゴット３の先端部３ａ側からレーザ光線等を照射
し、その反射光を光像法に基づいて検出し、単結晶イン
ゴット３の結晶方位を決定し、エポキシ樹脂系の接着剤
４等を介して単結晶方位を所定の角度範囲になる様に設
定して、単結晶インゴット３を単結晶加工用貼付台１に
接合する。
【００２４】次に第４ステップＳＴ4 に示す様に単結晶
インゴット３の先端部３ａ並びに後端部３ｂ等の不用部
を外周刃で単結晶加工用貼付台１と共に輪切りにし、図
４Ｄに示す様に単結晶インゴット３の輪切り面６を例え
ば結晶方位１００等の基準面にすることでスライス加工
時の結晶方位切出し時の基準面とする。
インゴット３の先端部３ａ並びに後端部３ｂ等の不用部
を外周刃で単結晶加工用貼付台１と共に輪切りにし、図
４Ｄに示す様に単結晶インゴット３の輪切り面６を例え
ば結晶方位１００等の基準面にすることでスライス加工
時の結晶方位切出し時の基準面とする。
【００２５】次に第５ステップＳＴ5 の様に単結晶イン
ゴット３を単結晶加工用貼付台１に貼付け、ゴニオ治具
１３に固定したものを、このゴニオ治具１３ごと内周刃
にセットして、スライス１５して、単結晶インゴット３
と単結晶加工用貼付具１とを剥離して所定の単結晶フェ
ライトを得る。
ゴット３を単結晶加工用貼付台１に貼付け、ゴニオ治具
１３に固定したものを、このゴニオ治具１３ごと内周刃
にセットして、スライス１５して、単結晶インゴット３
と単結晶加工用貼付具１とを剥離して所定の単結晶フェ
ライトを得る。
【００２６】上述の構成による単結晶加工用貼付台及び
単結晶のスライス加工方法によると図２の様に単結晶イ
ンゴットの外周面を受けとめる左右の突起８Ｌ及び８Ｒ
があるため湾曲載置面２の下面での接着剤４は単結晶イ
ンゴット３の重量に影響されずに一定の厚さを保つこと
が出来る。
単結晶のスライス加工方法によると図２の様に単結晶イ
ンゴットの外周面を受けとめる左右の突起８Ｌ及び８Ｒ
があるため湾曲載置面２の下面での接着剤４は単結晶イ
ンゴット３の重量に影響されずに一定の厚さを保つこと
が出来る。
【００２７】尚、本例で、湾曲載置面２上に形成される
突起の形状は実施例に限定されず適宜形状をとり得るこ
とは明らかである。
突起の形状は実施例に限定されず適宜形状をとり得るこ
とは明らかである。
【００２８】従って、図４Ｅの様な薄くスライスしたと
しても充分な接着強度でスライスされた単結晶加工用貼
付台１と接合しているため、スライス時の剥離による単
結晶フェライトの破損が防止出来る。本実施例の構成に
よれば図５のグラフ１２に示す様にスライス加工時の不
良率を零とすることが出来て、簡単な構成で大きな効果
が得られる。
しても充分な接着強度でスライスされた単結晶加工用貼
付台１と接合しているため、スライス時の剥離による単
結晶フェライトの破損が防止出来る。本実施例の構成に
よれば図５のグラフ１２に示す様にスライス加工時の不
良率を零とすることが出来て、簡単な構成で大きな効果
が得られる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の単結晶加工用貼付台及び単結晶
の加工方法によれば充分な接着強度が確保され、単結晶
スライス加工時の貼付台からの剥離が低減され、単結晶
スライス加工時の剥離破損を低減出来る。
の加工方法によれば充分な接着強度が確保され、単結晶
スライス加工時の貼付台からの剥離が低減され、単結晶
スライス加工時の剥離破損を低減出来る。
【図１】本発明の単結晶加工用貼付台の構成図である。
【図２】図１Ｃのａ−ａ断面矢視図である。
【図３】本発明の単結晶インゴット切断時の工程図であ
る。
る。
【図４】本発明の単結晶インゴット切断時の工程説明図
である。
である。
【図５】本発明及び従来例の不良率の比較図である。
【図６】本発明の説明に供する単結晶加工用貼付台の構
成図である。
成図である。
【図７】従来の単結晶加工用貼付台の構成図である。
１ 単結晶加工用貼付台 ２ 湾曲載置面 ３ 単結晶インゴット ６ 基準面 ７ 溝 ８Ｌ，８Ｒ 左右突起
Claims (3)
- 【請求項１】 略円筒状の単結晶体の外周面に沿う湾曲
した載置面を有する単結晶加工用貼付台に於いて、上記
湾曲した載置面に接着剤流れ防止用溝を形成すると共に
上記単結晶体の重量を受けとめる突起を設けて成ること
を特徴とする単結晶加工用貼付台。 - 【請求項２】 前記単結晶加工用貼付台がセラミックス
であることを特徴とする請求項１記載の単結晶加工用貼
付台。 - 【請求項３】 略円筒状の単結晶体の外周面に沿う湾曲
した載置面に突起を有する単結晶加工用貼付台に該単結
晶体を載置して該単結晶体の結晶方位を決定する工程
と、 上記単結晶体の結晶方位決定後に上記単結晶加工用貼付
台に接着剤を介して接合させる工程と、 上記単結晶体及び単結晶加工用貼付台の基準面切断後に
スライス加工を施す工程とより成ることを特徴とする単
結晶の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823595A JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823595A JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09155855A true JPH09155855A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18096943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31823595A Pending JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09155855A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272756A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの保持装置 |
| JP2009196028A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Seiko Instruments Inc | ウエハの作製方法 |
| JP2009545473A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-12-24 | ダウ ビーム．カンパニー リミテッド | シリコンインゴット切断用受け台 |
| KR200449801Y1 (ko) * | 2009-10-09 | 2010-08-11 | 주식회사 비에스티 | 하프 컷 지그 |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31823595A patent/JPH09155855A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272756A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの保持装置 |
| JP4721743B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 半導体ブロックの保持装置 |
| JP2009545473A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-12-24 | ダウ ビーム．カンパニー リミテッド | シリコンインゴット切断用受け台 |
| JP2009196028A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Seiko Instruments Inc | ウエハの作製方法 |
| KR200449801Y1 (ko) * | 2009-10-09 | 2010-08-11 | 주식회사 비에스티 | 하프 컷 지그 |
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