JPH09155855A - 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 - Google Patents
単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法Info
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- JPH09155855A JPH09155855A JP31823595A JP31823595A JPH09155855A JP H09155855 A JPH09155855 A JP H09155855A JP 31823595 A JP31823595 A JP 31823595A JP 31823595 A JP31823595 A JP 31823595A JP H09155855 A JPH09155855 A JP H09155855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶インゴットをスライス加工する際に、
スライスされる単結晶加工用貼付台との接着力を増す様
な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を提供す
る。 【解決手段】 単結晶インゴット3を載置貼付させる単
結晶加工用貼付台1の湾曲載置面2に接着剤流出防止溝
7及び単結晶インゴット3の重量を支える突起8L及び
8Rを設ける。
スライスされる単結晶加工用貼付台との接着力を増す様
な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を提供す
る。 【解決手段】 単結晶インゴット3を載置貼付させる単
結晶加工用貼付台1の湾曲載置面2に接着剤流出防止溝
7及び単結晶インゴット3の重量を支える突起8L及び
8Rを設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶のインゴット
をスライス加工するに適した単結晶加工用貼付台及び単
結晶の加工方法に関する。
をスライス加工するに適した単結晶加工用貼付台及び単
結晶の加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から磁気ヘッドに用いる単結晶や半
導体の基板等に用いるシリコン単結晶等をスライス加工
する場合にはこれら単結晶のインゴットを単結晶加工用
貼付台に載置し、単結晶の結晶方位等を測定し、単結晶
の方位角を決定した後に接着剤を介してインゴットを単
結晶加工用貼付台に接合し、インゴットの先端部と後端
部を切断して基準面を出した後にインゴットの長手方向
或いは輪切にスライスする様に成される。
導体の基板等に用いるシリコン単結晶等をスライス加工
する場合にはこれら単結晶のインゴットを単結晶加工用
貼付台に載置し、単結晶の結晶方位等を測定し、単結晶
の方位角を決定した後に接着剤を介してインゴットを単
結晶加工用貼付台に接合し、インゴットの先端部と後端
部を切断して基準面を出した後にインゴットの長手方向
或いは輪切にスライスする様に成される。
【0003】この様な単結晶加工用貼付台1の構成図を
図7A〜図7Cに示す。図7Aは単結晶加工用貼付台1
の平面図、図7Bは単結晶インゴットを単結晶加工用貼
付台1に載置した状態を示す斜視図、図7Cは基準面切
断時の正面図である。
図7A〜図7Cに示す。図7Aは単結晶加工用貼付台1
の平面図、図7Bは単結晶インゴットを単結晶加工用貼
付台1に載置した状態を示す斜視図、図7Cは基準面切
断時の正面図である。
【0004】図7A乃至図7Cに示されている様に略円
柱状に形成されたフェライト等の単結晶インゴット3の
外周に嵌合する湾曲載置面2を上面に有する単結晶加工
用貼付台1に図7Bに示す様に単結晶インゴット3を載
置し、該単結晶インゴット3の先端部3a側からレーザ
光を照射し、ゴニオメータ等を用いて単結晶方位を決定
した後に単結晶インゴット3をエポキシ系の接着剤4等
で接合させ、乾燥後に図7Cに示す様に単結晶インゴッ
ト3の先端部3aと後端部3bを切断して、後工程の基
準面6を形成する様に成されている。
柱状に形成されたフェライト等の単結晶インゴット3の
外周に嵌合する湾曲載置面2を上面に有する単結晶加工
用貼付台1に図7Bに示す様に単結晶インゴット3を載
置し、該単結晶インゴット3の先端部3a側からレーザ
光を照射し、ゴニオメータ等を用いて単結晶方位を決定
した後に単結晶インゴット3をエポキシ系の接着剤4等
で接合させ、乾燥後に図7Cに示す様に単結晶インゴッ
ト3の先端部3aと後端部3bを切断して、後工程の基
準面6を形成する様に成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造の単結晶加
工用貼付台1の構造では上面の湾曲載置面2は平滑な面
と成されているために、接着剤4を塗布して単結晶のイ
ンゴット3を結晶方位決定させて乾燥状態にする段階
(通常12時間程度の乾燥時間を必要とする。)では接
着剤4の流動性によって単結晶のインゴット3が図7B
のA−Aの様に回転して、貼付位置ずれを起こす問題が
あった。更に、接着剤4は図7Cに示す様に単結晶のイ
ンゴット3の重量を受けて湾曲載置面の上方に押し出さ
れ、下面部の接着剤層の厚さt1 は上側の厚みt2 に比
べて薄くなり、充分な接着強度が得られずスライス加工
の際に単結晶のスライス板が剥がれ落ちたり、くだけた
りする問題を生じていた。
工用貼付台1の構造では上面の湾曲載置面2は平滑な面
と成されているために、接着剤4を塗布して単結晶のイ
ンゴット3を結晶方位決定させて乾燥状態にする段階
(通常12時間程度の乾燥時間を必要とする。)では接
着剤4の流動性によって単結晶のインゴット3が図7B
のA−Aの様に回転して、貼付位置ずれを起こす問題が
あった。更に、接着剤4は図7Cに示す様に単結晶のイ
ンゴット3の重量を受けて湾曲載置面の上方に押し出さ
れ、下面部の接着剤層の厚さt1 は上側の厚みt2 に比
べて薄くなり、充分な接着強度が得られずスライス加工
の際に単結晶のスライス板が剥がれ落ちたり、くだけた
りする問題を生じていた。
【0006】本発明は叙上の問題点を解消するために成
されたもので、その課題とするところは充分な接着強度
が得られ、スライス加工時の剥がれ落ちによる不良率を
低減可能な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を
提供しようとするものである。
されたもので、その課題とするところは充分な接着強度
が得られ、スライス加工時の剥がれ落ちによる不良率を
低減可能な単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を
提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶加工用貼
付台はその例が図1に示されている様に略円筒状の単結
晶体3の外周面に沿う湾曲した載置面2を有する単結晶
加工用貼付台1に於いて、湾曲した載置面2に接着剤流
れ防止用溝7を形成すると共に単結晶体3の重量を受け
とめる突起8L及び8Rを設けて成るものである。
付台はその例が図1に示されている様に略円筒状の単結
晶体3の外周面に沿う湾曲した載置面2を有する単結晶
加工用貼付台1に於いて、湾曲した載置面2に接着剤流
れ防止用溝7を形成すると共に単結晶体3の重量を受け
とめる突起8L及び8Rを設けて成るものである。
【0008】本発明の単結晶の加工方法は略円筒状の単
結晶体3の外周面に沿う湾曲した載置面2に突起8L及
び8Rを有する単結晶加工用貼付台1に単結晶体3を載
置して単結晶体3の結晶方位を決定する工程と、単結晶
体3の結晶方位決定後に単結晶加工用貼付台1に接着剤
4を介して接合させる工程と、単結晶体3及び単結晶加
工用貼付台1の基準面6の切断後にスライス加工を施す
工程とより成るものである。
結晶体3の外周面に沿う湾曲した載置面2に突起8L及
び8Rを有する単結晶加工用貼付台1に単結晶体3を載
置して単結晶体3の結晶方位を決定する工程と、単結晶
体3の結晶方位決定後に単結晶加工用貼付台1に接着剤
4を介して接合させる工程と、単結晶体3及び単結晶加
工用貼付台1の基準面6の切断後にスライス加工を施す
工程とより成るものである。
【0009】本発明の単結晶加工用貼付台及び単結晶の
加工方法によればスライス加工時にも充分な接着強度を
以て単結晶加工用貼付台と単結晶インゴットが接合さ
れ、スライス時の剥がれ落ちによる破損を防止可能なも
のが得られる。
加工方法によればスライス加工時にも充分な接着強度を
以て単結晶加工用貼付台と単結晶インゴットが接合さ
れ、スライス時の剥がれ落ちによる破損を防止可能なも
のが得られる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の単結晶加工用貼付
台及び単結晶の加工方法を説明する。
台及び単結晶の加工方法を説明する。
【0011】先ず、本例では図6Aに示す様に単結晶加
工用貼付台1の単結晶インゴット3が載置される湾曲載
置面2上に、その長手方向及び湾曲面に沿って複数の接
着剤4を外部に逃がさない様にする為の溝7を形成し
て、図6Bの様に単結晶インゴット3を湾曲載置面2上
に載置し、レーザ光線照射による光像法で結晶方位を計
測した後に単結晶インゴット3を単結晶加工用貼付台1
に接着して、図6Cに示す様に基準面6を出した後に接
着剤4の乾燥工程に入り、乾燥後の接着剤4の貼着状態
を観測した。
工用貼付台1の単結晶インゴット3が載置される湾曲載
置面2上に、その長手方向及び湾曲面に沿って複数の接
着剤4を外部に逃がさない様にする為の溝7を形成し
て、図6Bの様に単結晶インゴット3を湾曲載置面2上
に載置し、レーザ光線照射による光像法で結晶方位を計
測した後に単結晶インゴット3を単結晶加工用貼付台1
に接着して、図6Cに示す様に基準面6を出した後に接
着剤4の乾燥工程に入り、乾燥後の接着剤4の貼着状態
を観測した。
【0012】この場合、溝7に沿って接着剤4が押し出
されないため、湾曲載置面2の上側での接着剤4の厚み
t2 は図7の場合に比べて薄くすることが出来、或る程
度、湾曲載置面2全体の接着剤4の厚みを均一化出来、
従って、貼付位置ずれは生じないが、単結晶インゴット
3の重量により、湾曲載置面2の下面で接着剤4が押し
出されて、接着剤4の厚みt1 はt2 >t1 となって、
図5のスライス加工時の不良率に示す様に、図7のグラ
フ10で示す30%に対しグラフ11で示す様に不良率
は10%程度に低減したが完全に不良を無くすことが出
来なかった。
されないため、湾曲載置面2の上側での接着剤4の厚み
t2 は図7の場合に比べて薄くすることが出来、或る程
度、湾曲載置面2全体の接着剤4の厚みを均一化出来、
従って、貼付位置ずれは生じないが、単結晶インゴット
3の重量により、湾曲載置面2の下面で接着剤4が押し
出されて、接着剤4の厚みt1 はt2 >t1 となって、
図5のスライス加工時の不良率に示す様に、図7のグラ
フ10で示す30%に対しグラフ11で示す様に不良率
は10%程度に低減したが完全に不良を無くすことが出
来なかった。
【0013】そこで本発明では更に図1A乃至図4に示
す様な単結晶加工用貼付台1を案出した。
す様な単結晶加工用貼付台1を案出した。
【0014】図1A乃至図1Cで図6A乃至図6Cとの
対応部分には同一符号を付してある。図1Cは本発明の
単結晶加工用貼付台の平面図、図1Bは単結晶インゴッ
ト3を単結晶加工用貼付台に接合させた状態を示す斜視
図、図1Cは基準面切断時の正面図、図2は図1Cのa
−a断面矢視図、図3は本発明のインゴット切断時の工
程図、図4は本発明のインゴットの切断時の工程説明図
である。
対応部分には同一符号を付してある。図1Cは本発明の
単結晶加工用貼付台の平面図、図1Bは単結晶インゴッ
ト3を単結晶加工用貼付台に接合させた状態を示す斜視
図、図1Cは基準面切断時の正面図、図2は図1Cのa
−a断面矢視図、図3は本発明のインゴット切断時の工
程図、図4は本発明のインゴットの切断時の工程説明図
である。
【0015】以下、図1乃至図4を用いて本発明の単結
晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を詳記する。
晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法を詳記する。
【0016】本例の単結晶加工用貼付台1には図1Aに
示す様に湾曲載置面2の湾曲面に沿って複数の溝7を例
えば等間隔に形成する。必要に応じて単結晶加工用貼付
台1の長手方向にも図6の様に形成してよい。更に図1
A及び図2に示す様に湾曲載置面2の溝間に左右突起8
L及び8Rを形成する。この突起8L及び8Rの単結晶
インゴット3の外周と接する面には略外周と同一カーブ
に成る様に湾曲している。
示す様に湾曲載置面2の湾曲面に沿って複数の溝7を例
えば等間隔に形成する。必要に応じて単結晶加工用貼付
台1の長手方向にも図6の様に形成してよい。更に図1
A及び図2に示す様に湾曲載置面2の溝間に左右突起8
L及び8Rを形成する。この突起8L及び8Rの単結晶
インゴット3の外周と接する面には略外周と同一カーブ
に成る様に湾曲している。
【0017】本例に用いる単結晶インゴット3としては
フェライトをブリッジマン法等で単結晶化したインゴッ
トであるが、例えば、半導体のウェハー等に用いるシリ
コン単結晶等であってもよい。
フェライトをブリッジマン法等で単結晶化したインゴッ
トであるが、例えば、半導体のウェハー等に用いるシリ
コン単結晶等であってもよい。
【0018】又、単結晶インゴットを載置する単結晶加
工用貼付台1は切削性に優れたSiO2 ,Al2 O3 、
或いは3Al2 O3 :2SiO2 等の酸化シリコン或い
はアルミナ等を主成分とするセラミックスで構成され、
略直方体状の基部及びその上面に形成した湾曲載置面2
上に形成した溝7及び左右突起8L及び8Rは一体に成
型される。
工用貼付台1は切削性に優れたSiO2 ,Al2 O3 、
或いは3Al2 O3 :2SiO2 等の酸化シリコン或い
はアルミナ等を主成分とするセラミックスで構成され、
略直方体状の基部及びその上面に形成した湾曲載置面2
上に形成した溝7及び左右突起8L及び8Rは一体に成
型される。
【0019】この様な単結晶インゴット3をスライスす
る場合の単結晶のスライス加工方法を図3に示す工程図
に従って説明する。
る場合の単結晶のスライス加工方法を図3に示す工程図
に従って説明する。
【0020】図3の第1ステップST1 で例えばブリッ
ジマン法で成長させたフェライトの単結晶インゴット3
は先端部3aの種部分を除いて図4Aの様に略円柱状と
成されている。
ジマン法で成長させたフェライトの単結晶インゴット3
は先端部3aの種部分を除いて図4Aの様に略円柱状と
成されている。
【0021】この単結晶インゴット3を図4Bに示す様
に単結晶加工用貼付台1上に第2ステップST2 の様に
載置する。単結晶加工用貼付台1には接着剤流れを防止
する為の溝7及び左右突起8L及び8Rが形成されてい
る。
に単結晶加工用貼付台1上に第2ステップST2 の様に
載置する。単結晶加工用貼付台1には接着剤流れを防止
する為の溝7及び左右突起8L及び8Rが形成されてい
る。
【0022】単結晶加工用貼付台1に単結晶インゴット
3を図1B及び図4Cの様に載置した状態で第3ステッ
プST3 の様に軸出し及び貼付けが行われる。
3を図1B及び図4Cの様に載置した状態で第3ステッ
プST3 の様に軸出し及び貼付けが行われる。
【0023】軸出しはゴニオメータ等が載置されたゴニ
オ治具13上に載置した単結晶加工用貼付台1と単結晶
インゴット3の先端部3a側からレーザ光線等を照射
し、その反射光を光像法に基づいて検出し、単結晶イン
ゴット3の結晶方位を決定し、エポキシ樹脂系の接着剤
4等を介して単結晶方位を所定の角度範囲になる様に設
定して、単結晶インゴット3を単結晶加工用貼付台1に
接合する。
オ治具13上に載置した単結晶加工用貼付台1と単結晶
インゴット3の先端部3a側からレーザ光線等を照射
し、その反射光を光像法に基づいて検出し、単結晶イン
ゴット3の結晶方位を決定し、エポキシ樹脂系の接着剤
4等を介して単結晶方位を所定の角度範囲になる様に設
定して、単結晶インゴット3を単結晶加工用貼付台1に
接合する。
【0024】次に第4ステップST4 に示す様に単結晶
インゴット3の先端部3a並びに後端部3b等の不用部
を外周刃で単結晶加工用貼付台1と共に輪切りにし、図
4Dに示す様に単結晶インゴット3の輪切り面6を例え
ば結晶方位100等の基準面にすることでスライス加工
時の結晶方位切出し時の基準面とする。
インゴット3の先端部3a並びに後端部3b等の不用部
を外周刃で単結晶加工用貼付台1と共に輪切りにし、図
4Dに示す様に単結晶インゴット3の輪切り面6を例え
ば結晶方位100等の基準面にすることでスライス加工
時の結晶方位切出し時の基準面とする。
【0025】次に第5ステップST5 の様に単結晶イン
ゴット3を単結晶加工用貼付台1に貼付け、ゴニオ治具
13に固定したものを、このゴニオ治具13ごと内周刃
にセットして、スライス15して、単結晶インゴット3
と単結晶加工用貼付具1とを剥離して所定の単結晶フェ
ライトを得る。
ゴット3を単結晶加工用貼付台1に貼付け、ゴニオ治具
13に固定したものを、このゴニオ治具13ごと内周刃
にセットして、スライス15して、単結晶インゴット3
と単結晶加工用貼付具1とを剥離して所定の単結晶フェ
ライトを得る。
【0026】上述の構成による単結晶加工用貼付台及び
単結晶のスライス加工方法によると図2の様に単結晶イ
ンゴットの外周面を受けとめる左右の突起8L及び8R
があるため湾曲載置面2の下面での接着剤4は単結晶イ
ンゴット3の重量に影響されずに一定の厚さを保つこと
が出来る。
単結晶のスライス加工方法によると図2の様に単結晶イ
ンゴットの外周面を受けとめる左右の突起8L及び8R
があるため湾曲載置面2の下面での接着剤4は単結晶イ
ンゴット3の重量に影響されずに一定の厚さを保つこと
が出来る。
【0027】尚、本例で、湾曲載置面2上に形成される
突起の形状は実施例に限定されず適宜形状をとり得るこ
とは明らかである。
突起の形状は実施例に限定されず適宜形状をとり得るこ
とは明らかである。
【0028】従って、図4Eの様な薄くスライスしたと
しても充分な接着強度でスライスされた単結晶加工用貼
付台1と接合しているため、スライス時の剥離による単
結晶フェライトの破損が防止出来る。本実施例の構成に
よれば図5のグラフ12に示す様にスライス加工時の不
良率を零とすることが出来て、簡単な構成で大きな効果
が得られる。
しても充分な接着強度でスライスされた単結晶加工用貼
付台1と接合しているため、スライス時の剥離による単
結晶フェライトの破損が防止出来る。本実施例の構成に
よれば図5のグラフ12に示す様にスライス加工時の不
良率を零とすることが出来て、簡単な構成で大きな効果
が得られる。
【0029】
【発明の効果】本発明の単結晶加工用貼付台及び単結晶
の加工方法によれば充分な接着強度が確保され、単結晶
スライス加工時の貼付台からの剥離が低減され、単結晶
スライス加工時の剥離破損を低減出来る。
の加工方法によれば充分な接着強度が確保され、単結晶
スライス加工時の貼付台からの剥離が低減され、単結晶
スライス加工時の剥離破損を低減出来る。
【図1】本発明の単結晶加工用貼付台の構成図である。
【図2】図1Cのa−a断面矢視図である。
【図3】本発明の単結晶インゴット切断時の工程図であ
る。
る。
【図4】本発明の単結晶インゴット切断時の工程説明図
である。
である。
【図5】本発明及び従来例の不良率の比較図である。
【図6】本発明の説明に供する単結晶加工用貼付台の構
成図である。
成図である。
【図7】従来の単結晶加工用貼付台の構成図である。
1 単結晶加工用貼付台 2 湾曲載置面 3 単結晶インゴット 6 基準面 7 溝 8L,8R 左右突起
Claims (3)
- 【請求項1】 略円筒状の単結晶体の外周面に沿う湾曲
した載置面を有する単結晶加工用貼付台に於いて、上記
湾曲した載置面に接着剤流れ防止用溝を形成すると共に
上記単結晶体の重量を受けとめる突起を設けて成ること
を特徴とする単結晶加工用貼付台。 - 【請求項2】 前記単結晶加工用貼付台がセラミックス
であることを特徴とする請求項1記載の単結晶加工用貼
付台。 - 【請求項3】 略円筒状の単結晶体の外周面に沿う湾曲
した載置面に突起を有する単結晶加工用貼付台に該単結
晶体を載置して該単結晶体の結晶方位を決定する工程
と、 上記単結晶体の結晶方位決定後に上記単結晶加工用貼付
台に接着剤を介して接合させる工程と、 上記単結晶体及び単結晶加工用貼付台の基準面切断後に
スライス加工を施す工程とより成ることを特徴とする単
結晶の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31823595A JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31823595A JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09155855A true JPH09155855A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18096943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31823595A Pending JPH09155855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09155855A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006272756A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの保持装置 |
JP2009196028A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Seiko Instruments Inc | ウエハの作製方法 |
JP2009545473A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-12-24 | ダウ ビーム.カンパニー リミテッド | シリコンインゴット切断用受け台 |
KR200449801Y1 (ko) * | 2009-10-09 | 2010-08-11 | 주식회사 비에스티 | 하프 컷 지그 |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31823595A patent/JPH09155855A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006272756A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの保持装置 |
JP4721743B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 半導体ブロックの保持装置 |
JP2009545473A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-12-24 | ダウ ビーム.カンパニー リミテッド | シリコンインゴット切断用受け台 |
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KR200449801Y1 (ko) * | 2009-10-09 | 2010-08-11 | 주식회사 비에스티 | 하프 컷 지그 |
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