TW388082B - Selective removal of tixny - Google Patents

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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T專丨 iv叫 .丨'! f八 Α7 Β7
專利申請案第86119237號 _ ROC Patent Appln. No. 86119237 修正之中文說明書第3頁-附件一 Anended Fto 3 of the Chinese Scecificatiai- Eh± I '--:------ (88年9月7日送呈) i 五、發明說明（1.) (Submitted on September 7，1999)〔 i： 背景及發明之概述 本發明係關於積體電路結構及製造方法。 背景：去除TixNy薄膜 ’ 氮化鈦（TixNy)在積體電路處理為非常有用之材料，並 且在觸點，通路’及溝槽以及在互相連接疊層常使用作為 擴散障壁。其也可用作一供化學蒸敷（CVD)鎢之"粘膠層" 及一供CVD鎢及CVD鋁之核晶作用層。然而，自高縱橫比 結構去除TixNy薄膜，而最少浸蝕來自晶圓表面之其他材 料，在過去經証明困難。 例如，在W/TiN閘，不易對退火邊角損壞進行"微笑氧 化作用"，因為鎢本身會氧化。因而必要下切TiN或將其 去除而不損壞閘氧化物。 目前，濕過程用以下切TiN，因為此等過程對鎢（W)缺 少必要之選擇性，閘結構需要在進行下切過程前，以一隔 板+以加蓋。這增加裝置製造過程之複雜性，並減少過程 "空窗"（亦即過程對變化之容限），因為下切之量係依隔板 厚度而定。 背景：無多晶矽電晶體閘 人們曾建議一種M0SFET閘結構（特別是供DRAM)，其中 一擴散障壁層直接覆蓋閘氧化物，及一層金屬（而非多晶 矽）覆蓋擴散障壁。例如，此結構之一種實例將為一 WqiN 閘結構，如在 1995 年 Symposium on VLSI Technology Digest ’ p. 119-20(1995)，Lee 等人之"Characteristics of CMOSFET*s with sputter-deposited W/ TiN stack gate"; 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — III — — — - I I I I I I I ' — — — — — —I — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T專丨 iv叫 .丨'! f八 Α7 Β7
專利申請案第86119237號 _ ROC Patent Appln. No. 86119237 修正之中文說明書第3頁-附件一 Anended Fto 3 of the Chinese Scecificatiai- Eh± I '--:------ (88年9月7日送呈) i 五、發明說明（1.) (Submitted on September 7，1999)〔 i： 背景及發明之概述 本發明係關於積體電路結構及製造方法。 背景：去除TixNy薄膜 ’ 氮化鈦（TixNy)在積體電路處理為非常有用之材料，並 且在觸點，通路’及溝槽以及在互相連接疊層常使用作為 擴散障壁。其也可用作一供化學蒸敷（CVD)鎢之"粘膠層" 及一供CVD鎢及CVD鋁之核晶作用層。然而，自高縱橫比 結構去除TixNy薄膜，而最少浸蝕來自晶圓表面之其他材 料，在過去經証明困難。 例如，在W/TiN閘，不易對退火邊角損壞進行"微笑氧 化作用"，因為鎢本身會氧化。因而必要下切TiN或將其 去除而不損壞閘氧化物。 目前，濕過程用以下切TiN，因為此等過程對鎢（W)缺 少必要之選擇性，閘結構需要在進行下切過程前，以一隔 板+以加蓋。這增加裝置製造過程之複雜性，並減少過程 "空窗"（亦即過程對變化之容限），因為下切之量係依隔板 厚度而定。 背景：無多晶矽電晶體閘 人們曾建議一種M0SFET閘結構（特別是供DRAM)，其中 一擴散障壁層直接覆蓋閘氧化物，及一層金屬（而非多晶 矽）覆蓋擴散障壁。例如，此結構之一種實例將為一 WqiN 閘結構，如在 1995 年 Symposium on VLSI Technology Digest ’ p. 119-20(1995)，Lee 等人之"Characteristics of CMOSFET*s with sputter-deposited W/ TiN stack gate"; 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — III — — — - I I I I I I I ' — — — — — —I — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明（2 ) 或 Symposium on VLSI Technology Digest ’ Lee 等人之"Gate oxide integrity (GOI) of MOS transistors with W/ TiN stacked gate"中所說明；二:者均經予併入本案供作參考。 然而，此等先進結構在處理上有特定之困難。困難之一 在於正常之多晶矽閘結構，通常將有若干對閘邊角輪廓" 微笑"之元件。此係因為在多晶矽慣常暴露至短氧化作用 以密封其側壁時，在閘氧化物’在多晶矽閘之邊角下面也 發生若干另外之氧化作用。這恰好在邊角下面產生一種略 微較厚之閘氧化物，其復改進閘結構之完整性^ (否則為 在閘邊角之場增強，以及熱載體損壞之傾向，如果在此處 發生任何此種損壞’將會使閘邊角下面之氧化物為可能早 期失效之區域。）
TiN蝕刻過程
本案發明人發現一種使用外界電漿以激勵氟化氧源氣體 混合物，產生作用物質以最少浸蝕其他材料來蝕刻TixNy ’藉以去除TixNy薄膜之方法。特別是，使用各向同性 乾姓刻，供在W/TiN閘結構選擇性去除TiN，以下切TiN 薄膜。過程選擇性最佳化可最少去除閘氧化物及鎢，因此 無需帽蓋隔板。 本發明之TiN去除方法特別有利於次微米裝置過程。本 發明之創新方法所提供之優點包括： 改進選擇性； 降低化學品消耗； 降低環境影響； • ^——r———1L----------lr(------ΐτ 一 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部中央標準局貝工消費合作社印^ A7 B7 五、發明説明（3 ) 去除過程之較佳控制； 無需帽蓋隔板以在TiN蝕刻保護w; 可容易控制過程終點’導致遠為較寬之過程空窗；以及 閘蚀刻過程可與抗蝕劑去除步驟整合，因此簡化製造流 附圖之簡要說明 所揭示之發明將參照附圖予以說明，其示本發明之重要 樣本實施例’並且其經予併入本案供作參考，在附圖中： 圖1示選擇性去除TiN之工序流程； '圖2A-2E示一 WTia傅結構之蝕刻；以及 圖3A-3C示自破化物結構選择性去除τ i N。 較佳實施例之詳細說明 本案之很多創新旨意將特別參照現為較佳實施例予以說 明。然而，請予瞭解’此類實施例僅提供很多有利使用本 案創新旨意之少數實例。通常，在本案詳細說明所作之陳 述不一定限定本發明申請專利範圍各項之任何一項。而且 ，有些陳述可適用於有些創新特色但不適用於於其他特色 〇 在本發明之創新方法’與使用液體化學品以進行TixNy 去除之標準現行過程比較，電漿釋放（諸如單原子氧及氟） 所產生之物質為過程之主要作用組份。供在W/TiN閘去除
TiN ’可使用一種最佳化各向同性乾蝕刻代替濕蝕刻處理 〇 樣本實施例：蝕刻W/TiN閘 5 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） m n^i n^i il^^i i m m 1 t) mi n 一 s. 1 (請先聞讀背面之注項再填寫本I) 經濟部中央標率局貝工消费合作社印^ A7 B7__ 五、發明説明（4 ) 圓1示電晶體閘製造之一種較佳方法之工序流程，及 圚2A-2E示在製造樣本W/TiN閘結構之連續階段。 如在圖2A中可看出，在敷著一鈦氮化物障壁層220前 ，在一矽基片200上面形成一閘氧化物層210(例如Si02) 〇 物理蒸敷（PVD)及金屬有機化學蒸敷（MOCVD)過程可用以 敷著TiN層。另外，敷著可在供PVD及MOCVD過程之Applied Material ENDURA 5500 及 Applied Material P5000 反應 器進行。 隨後，在TiN層敷著一層鎢230，並塗布一光敏抗蝕劑 240，其然後予以作成圖案（步驟110)。 在任選之步驟120，光敏抗蝕劑240然後予以矽烷化（ 使用"DESIRE"過程），以形成一硬掩模層250 »鎢蝕刻（步 驟130)使用一種習知氟基蝕刻化學性質，並且這導致囷2B 之鲒構。請察知，鎢蝕刻在蝕刻部份有略微浸蝕之TiN層 220，但未姓穿》 在界定鎢層230後之清理過程，必須去除位於結構間之 光敏抗蝕劑240及其餘TiN220。在此清理過程，所使用 之基片溫度及氣體予以選擇為供對鎢及Si02之高選擇性 。一乾燥過程用以脫除抗蝕劑240及TiN層.220，而有小 TiN下切及可忽視之氧化物耗失。無需使用離子轟擊，其 免除需要微笑氧化作用過程。再者，在TiN去除過程可使 用一挎柵以保護結構。 然後進行蝕刻步驟（步驟140)，使用一種有02及C2F6 本紙張尺度適用中國國家棣隼（CNS ) A4規格（210X297公釐）
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 源之氣體外界電漿釋放。如在囷2C中可看出，此步驟去 除硬掩模250 ’使鬆散抗蝕劑240露出，並脫除不在閘下 面之一部份或所有TiN220。為避免損壞下面之薄閘氧化 物層210，其在此實例有一厚度僅約為3 〇毫微米，鎢蝕 刻必須在TiN層220停止。 隨後進行灰化步驟（步驟150)，以脫除其餘抗蝕劑24〇( 圖2中所示广此步驟也使用外界電漿激勵，但源氣體為 無氟之純氧》 最後，在任選之步驟160(在厚TiN層之情形），由〇2/C2F6 所進給之外界電漿之另一蝕刻步驟（步驟16〇)，去除任何 其餘TiN殘留物220。這導致圖2E之結構》 在一種樣本測試運轉，在使用感應耦合電漿源（Icp源） 之Mattson ASPEN11灰化器進行乾燥清潔過程，以產生作 用物質。在作成圖案之結構進行測試，並藉TEM完成檢查 。在此測試運轉測試三閘整層。 第一閘壘層包括自頂部至底部之下列諸層：3〇毫微米
Si3N4; 80毫微米W;20毫微米TiN;以及3.0毫微米Si02; 而有Si在疊層下面。第二閘疊層有下列諸層：3〇毫微米
Si02;80毫微米W;20毫微米TiN; 3毫微米Si02;以及Si 。第三閘疊層包括：30毫微米Si3N4;80毫微米ff; 1〇毫 微米TiN; 3毫微米Si 02;以及在底部之si。以下為使用 於樣本測試運轉之特定參數：〇2流量：3〇〇〇sccm;C2F6流量 :6 s c c m;壓力：1 · 3托；功率：9 75 ;溫度：室溫；T i N蝕刻速率 :0.64毫微米/秒；W蝕刻速率：〇·27毫微米/秒；時間：25 7 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4^#- ( 210x297^ ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明说明（6) 秒。 隨後，較佳為在純氧進行灰化步驟，以去除其餘鬆散抗 蝕劑。達成在3毫微米Si02層完全去除20毫微米TiN層 ’而不損壞氧化物。帽蓋層在過程不具有效應β在2〇毫 微米層TiN之情形，必須使用一殘留物去除步驟；但在1〇 毫微米層TiN之情形，不需要此去除步驟，俾使下切最小 。依TiN層之初始厚度及在鶴蚀刻之蚀刻量而定，過程時 間可自20至30秒不等。 晶圓溫度對選擇性具有顯著之效應。減低溫度，較佳為 至室溫度（亦即少於50度C) ’氧化物蚀刻速率減低，並 且TiN蝕刻速率維持相同。減低溫度可達成選擇性高於2〇 ，其可藉上面所說明之乾燥過程，替代TiN之濕去除，如 在下列資料所例示： 1) 晶圓溫度：250C;TiN姓刻速率：〇, 558毫微米/秒；Si〇2 蝕刻速率：0.070毫微米/秒；選擇性：7. 97。 2) 晶圓溫度：室溫；TiN蚀刻速率：〇. 636毫微米/秒；Si〇2 蝕刻速率：0· 030毫微米/秒；選擇性：21. 20。 氮化鈦正常使用氣基蚀刻予以蚀刻。二氧化鈦為極端非 揮發性（實在為耐火），並且氟化鈦正常也被視為非揮發性 。（TiF4在攝氏284度在一大氣環境壓力昇華。）因此， 非常意想不到，氮化鈦如在現為較佳實施例，藉高〇:F比 之氧/氟蝕刻’可適當進行下切蝕刻。然而，此化學性質 業經發現提供適當蝕刻速率，及具有對矽化鈦具有高選擇 性之特定優點。 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) Λ 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) ~~
替代性實施例：選擇性在Si02上面蝕刻TiN 本案也揭示蝕刻TiN，而對Si02具有高選擇性之過程 。自一在一層Si02上面蝕刻一層TiN之實際測試運轉， 獲得下列結果。在10毫微米Si02有50毫微米之敷著TiN 之晶圓，在Mattson ASPEN11灰化器予以處理不同次數。 在外界自基片之感應耦合電漿釋放產生激勵物質。藉一加 熱之夾頭使基片保持在溫度250度C。自一 Prometrix-Omni Map R555/tc工具所測量之薄胰薄片電阻之變化計算求得 TiN耗失。 02 流量：3000sccm; C2F6 流量：6sccm; 壓力：1. 3托； 功率：975W; 溫度：室溫；
TiN蝕刻速率：0.64毫微米/秒；
Si02蝕刻速率：0.03毫微米/秒。 明示閘氧化物完整性（G0I)及電容/電壓曲線不 被TiN蝕刻所變化（在蝕刻前後無顯著差異）^因此，此等 結果顯示薄閘氧化物在TiN蝕刻後完全未受損壞。 替代性實施例：羥基氮化物閘介電質 在此替代性實施例，閘介電質不僅為一種增長氧化物， 而且為一種習知之<6夕經基氮化物閘結搆。 發明人曾以實驗確定所揭示之氧氟TiN蝕刻對矽氮化物 也具有選擇性。因此使用任何羥基氮化物閘介電質，預期 9 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I HI— H - lnl«r^f * - I I I —— I 訂 /i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) ' 對閘介電質將會導致氮化鈦蚀刻之甚至更大選擇性。
替代性實施例：在TiSi2選擇性敍刻TiN 吾人曾進行一種相似之實驗，以評量在〇2+C2F6電漿之 TiSi2之蝕刻速率《在此情形，無定形TiSi2予以濺射敷 著在Si02。下列資料例示自一在一層TiSi2蝕刻一層TiN 之實際測試運轉所獲得之結果β 02 流量：3000sccm; C2F6 流量：30sccm; 壓力：1. 3托； 功率：975W; 溫度：室溫；
TiN蝕刻速率：1. 82毫微米/秒；
TiSi2蝕刻速率：0.4毫微米/秒〇 下列資料示薄膜耗失及選擇性在02+C2F6為過程時間之 函數： 10秒後：TiN耗失4. 3毫微米；a-TiSi2耗失2. 4毫微米； 選擇性（TiN/TiSi2):1.8。 ’ 20秒後：TiN耗失10. 5毫微米；〇：-TiSi2耗失4. 1毫微 米；選擇性2.6。 60秒後：TiN耗失32.3毫微米；a-TiSi2耗失11.6毫微 米；選擇性2.8» 120秒後：TiN耗失65. 9毫微米（估計）；α -TiSi2耗失 23.8毫微米；選擇性2.8。 180秒後：TiN耗失99. 4毫微米（估計）；a-TiSi2耗失 10 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS > A4規格（210X 297公慶）—--- H— - - I - J 1 — I I * -.1 — - 1· - I I n (靖先閲讀背面之注f項再填寫本頁〕 A7 發明説明（9) 38. 1毫微米；選擇性2. 6。 自選擇性展望’去除滅射TiSi2之結果表示最壞情形之 情況。由於為無定形，濺射之TiSi2薄膜較Ti與Si反應 所形成之結晶TiSi2薄膜蝕刻更快速。在蝕刻C54相TiSi2 之情形’可清楚看出此情形β 然而，根據在本案所揭示之方法，暴露至〇2+C2F6電漿 20秒’僅去除〇· 7毫微米之TiSi2(C54)，產生TiN/TiSi(C54) 之選擇性為14. 8»此為優於濺射之TiSi2所觀察結果之 顯著改進，並且允許自二氧化矽部位去除未反應之TixNy 薄膜’而不以顯著方式影響所形成之TiSi2層》 使用電漿源所激勵之氟化氣體之稀釋混合物，對選擇性 蚀刻TixNy薄膜提供必要之物質，而不顯著去除TiSi2及 Si02。 樣本矽化物過程實施例 如圖3A-3C中所示，在自對齊矽化過程，在晶圓上敷著 一層鈦340作為一遮蓋薄膜。晶圓一般包括一矽基片300 ，其有淺溝槽隔離310(例如Si02)之位置，以及由多晶矽 所組成’有側壁隔板330之閘電極320»然後在一種Applied Material ENDURA 5500系統敷著約40毫微米之鈦》 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 然後如圖3B中所示，使用N2環境電漿源將晶圓退火.， 使鈦340在閘320，源及汲極部位與矽反應，以形成TiSi2 360。反應也發生在互相連接多晶矽線。然而，在鈦340 位於於二氧化矽310之部位，無TiSi2形成，並且鈦變換 成為TixNy350。可在ENDURA 5500系統，藉快速熱處理（RTP) 11 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 經濟部中央摞隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五 '發明説明（10 ) ，在約700度C ’在N中約60秒達成形成矽化物層。去 除TixNy薄膜350為矽化物過程之一關鍵部份，因為需要 最少損壞形成TiSi2 360以及最少耗失Si02 310。根據 本發明之一種實施例’如在圖3C中可看出，使用02+C2F6 外界電漿蝕刻’兩種需要均獲得滿足。隨後，晶圓可在 ENDURA 5500系統，在約850度C，接受最後退火約30秒 。對（C54)TiSi2相去除TiN，獲得選擇性高於10。 根據所揭示之一類創新實施例，提供：一種蝕刻一包含 氮化鈦之層之方法，包含下列步驟：電磁激勵一内含氧及 氟之源氣體混合物’藉以產生一汽相蚀刻劑；以及使該層 暴露至汽相蝕刻劑；其中進行步驟（b.)，而不離子轟擊該 結構。 根據所揭示之另一類創新實施例，提供：一種自對齊矽 化物包括露出之矽部位部份，製造積體電路結構之方法， 包含下列步驟敷著一包含鈦外罩之金屬遮蓋層；使該結構 在一種帶氮環境退火，以在該露出之矽部位形成一主要包 含石夕化鈥之第一化合物，及在在別處形成一主要包含氮化 鈦之第二化合物；以及暴露至一由電磁性激勵内含氧及氟 ’氧對氟之原子比至少為10:1之源氣艎混合物所產生之 汽相蝕刻劑’藉以去除該第二化合物，而不去除所有該第 一化合物；其中進行該去除步驟，而無離子轟擊該結構。 根據所揭示之另一類創新實施例，提供：一種製造閘結 構之方法，包含下列步驟：形成一薄閘介電質，及形成一 在其上包含氮化鈦之擴散障壁層；形成一覆蓋該擴散障壁 12 本紙张尺度適用中國国家轉（CNS )八4胁（2⑴心了公產） (請先W讀背面之注#^項再填寫本頁) 訂 A7 _____B7 五、發明説明（11 ) '~ 層，作成圖案之金屬層；去除該擴散障壁層之部份，而關 於該薄閘介電質無選擇性離子轟擊，暴露至一由電磁性激 勵内含氧及氟，氧對氟之原子比至少為10:1之源氣艘混 合物所產生之汽相蝕刻劑，從而選擇性去除該擴散障壁層 ，而最少損壞該薄閘介電質》 修改及變化 如精於此項技藝者將會認知，在本案所說明之創新概念 可在很大應用範圍予以修改及改變’因之申請專利内容之 範圍不受任何所示特定例証性旨意所限制。 當然各種結構可用以實施閘之金屬層（或諸層）。在替代 性實施例，各種材料及材料之組合可用以實施金屬層。 當然，所示之特定蝕刻化學作用，層組成，及層厚度僅 為例證性，並且決不限定申請專利之本發明之範圍。 ^^1 m h ίβ mi 8 Γ · (請先閎讀背面之注$項再填寫本頁)
、tT 經濟部中央標率局貝工消费合作社印聚

Claims (1)

  1. 388082
    申請專利範圍 1. 一種蝕刻一包含氮化鈦之層之方法，包含下列步驟： (a.)電磁性激勵一内含氧及氨之氣氣趙混合物，藉以產 生一汽相蝕刻劑；以及〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (b.丨）使該層暴露至該汽梧蝕刻.劑；其中進行該步騍（b.)， 而無離子轟擊該結構。 2. 根轉中請專利範圍第μ之方法，其中該源氣體混合物 有一氧原子對襄原子之原子比，其至少為1 〇 1。 3. 板；據申請專利範圍第1項之方法，其中該源氣體混合物 係由C2跗及02之混合物組成。 冬根據申請專利範圍第1項之方法、其中該步驟（b)係在 溫度少於100度c進行。 ，1T 5. 根據申請專利範圍第i項之方法，其中該步驟（b.)使用 一格柵，以防止離子轟擊。 6. 根據申請專利範圍第}項之方法，其中包含氮化鈦之該 層覆蓋一層Si02，並且該步驟（b·)自該Si〇2之表面選擇 性去除包含氮化鈦之該層。 7. 根褲申請專利範圍第丄項之方法，其中該步驟（b )也使 矽化鈦暴露至汽相彼刻劑，並且關於石夕化鈦選擇性去除包 含氮化鈦之該層。 經濟部中央標準局負工消费合作社印*. 8· —種自—聲资镑化未完成積體電路結構之方法該結構包 括露出之矽部位’該方法包含下列步称· (a.)敷奢一包含鈦命罩之金屬遮蓋層； (b.)使該結構在一種帶氮環境退火，以在該露出之矽部 位形成主要包含矽化鈦之第一化合物’以及在別處形成主
    B8 C8 D8 388082 六、申請專利範圍 要包含氮化鈦之第二化合物;以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (C.)暴露至一由電磁性激勵内含氧及氣，氧對農之原干 至少為1 〇: 1之源氣體混·合物所產生之汽相蚀刻劑，藉 以去除該第二化合物而不去除所有該第一化合物； 其中進行去除該步驟，而無離子轟擊該Λ结構。 9·根據申請專利範圍第8項之方法，-其中内含氧及氟之該 源氣意混合物有一氧對氳之原子比至少為: 1 » 10·根據申請專利範圍第8項之方法，其中在溫度少於1〇〇 度C進行去-除該屠怎化鈥之步驟。 11 · 一種製造閉，結構之方法，包含下列步驟： (a.)形成一薄閘介電質，及在其上形〜成一包含氮化鈦之 擴散障壁層； 訂 (I.)形成一作|圓案之金屬層|蓋該擴散障壁層； (c.)暴露至+—由電磁性激勵内含氧友_氣，氧對氟之原子 比.至少為1 〇: 1之源.、氣艘混合物所產生之汽相姓刻劑，藉 以κ网於該薄閘介電質屢擇性該擴教障壁層之部份，而無雖 子轟擊該結構； 味.> Γ從而選擇性去除該推散障壁層，而最少小損壞該薄閘介電 、質。 經濟部中央標準局属工消费合作社印製 li根據申請專利範圍第11項之方法，另包含在去除步驟 (c.)後，暴露至一由電磁性激勵内含氧及氟，氧對氟之原 子比為在1000:1與無限間之源氣趙混合物所產生之汽相 蝕敲劑之隨後光舞抗蝕劑去除步驟。 1曼.根據申請專利範圍第u項之方法，其中該金屬層係由 15 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 383082 cl JL/o 六、申請專利範圍 一單一層鎢所構成。 訂-------1- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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