TW382755B - Chip crack stop - Google Patents

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Description

1.發明範圍 本發明一般地係關於用以預防龜裂傳播的結欉。更特別 地’本發明係關於沿者半導體晶片邊緣放f的龜裂阻 署 最主更特別地，本發明係關於沿著半導體晶片邊緣欲 以預防經由蓮膜層谁八晶g有效區的剝層龜裂佴揭。 2·發明背景 ^知切割半導體晶圓會引起可傳播穿過晶片的龜裂及導 ，晶启失效。如圖丨a與1 b所示，半導體晶圓丨〇係利用具有 里入鑽石顆粒1 6的高速圓形金屬或樹脂鋸刀1 4切成個別晶 片1 2 ’同時晶圓1 〇係以水1 8清洗。切割槽内高速鑽石或石夕 顆粒之撞擊與鋸刀1 4之側向移動（稱為鋸刀顫動及如圖1 b 所示）經常會傷害晶片邊緣2 0。傷害可能係在半導體基材 2 2中開始的龜裂。傷害亦可能係干導體基材2 2輿莖疊絕緣 網之間或任一奮春会眉屉盥絕緣層之間的界面上的剝層。 在重®膜3 2中一旦剝層龜裂開坊，兵刁能從透緣2 (j越過 曰曰片表面1 2傳播至晶片之有效區，如圖2所示。在切割期 間的顆趣與鋸刀撞擊可能結合半導體上薄膜層中固有的執 或冰榛口驅使釗居蟲裂進入晶片之有效裝置區。此 外’金屬與其它薄膜層封料如氧H爲^化物緙.羞體可能 與含水切割流體1 8或女ϋ、;县k反應而提供剝層增進之應力 腐姓機構。因此’剝層龜裂頃向於僂播聲、尚晶H , d及這 些龜裂可能引起雷氣勸·路或.短路，]^巧永久造成半導體晶 片失效。 為了改善晶片良率與信賴性’許多方法已提出用於預防
苐5頁 C:\Program Files\Patent\54640. ptd 五 '發明說明（2) 剝層龜裂開始 所示。例如， 所示。因此， 與相鄰絕緣層 切割槽40中所 可用於預防切 膜層，如圖3 b 一側蝕刻進入 如圖3 c所示。 會被圖3 c之淺 預防結構之任 播。 不幸地，導 製鋥步驟輿相 需的蝕刻步驟 的蝕刻劑必須 展材料42的任 添加延展材料 因此，需要一 裂傳播的解決 提供。 或減少 所有層 避免如 之間的 有薄膜 割期間 所示。 一或多 當然， 溝4 4阻 一層中 剝層龜_裂僖播之可能性，如圖3a_3cI 可在切割前自切割槽4〇移除，如圖3a 圖顯示的六層薄膜金屬化層之任一層 從切割刀開始的剝層森裂。此外，在 層移除之後，延展或衝擊吸收材料42 產生的顆粒接觸或干擾附近的易碎薄 可行地’淺溝4 4可在切割槽4 〇，之任 層頂層以阻止這些層中的龜裂傳播， 較低的底層D0-D6中開始的龜裂將不 止。比較起來’圖3d之深溝46可用於 於切割槽4 0，開始的剝層龜裂之傳 2像間隙40、44或46 —樣的間隙增加額外的 當的成本。特別是有效裝置區在形成間隙所 期間必須遮蔽或是不同的材料係層疊及不同 按順序用於層之移除的例子。並關於 何步驟又增加額外的成本，以二= 導致多餘的切割刀穿鑿及不良的切割品質。 個不增加製程步驟與成本而更有效地抑制龜 方法’以及此解決方法係由下面的本發明所 3.發明摘述 因此本發明之一目的係提供一個用以抑制止剝層龜裂傳 播·的結構.兵在总亂製i告中不需要額外的罩幕或製程步
五、發明說明（3) 驟。 本發明之另一目的係提供一個抑止釗層I玉傳播而不需 額外蝕刻或沉積步驟的填充龜裂阻止。 本發明之一特點係提供一種具有大界面面積的填充龜裂 阳也。 本發明之一特點係填充龜裂阻it具有一繞曲圖案。 本發明之一優點係充分地抑止龜裂而沒有任何/額外的成 本或製程步驟。 本發明之這些與其它目的、特點與優點係由一半導體結 構完成，其包含具有一邊緣與一有效區的半導體晶片。第 一充分填充的環延伸於有效區的四周，第一環具有第一圖 案形體以便降低從邊緣至有效區的剝層龜裂傳播。 在另一觀點中，本發明係一種半導體結構，包含一半導 體晶片，該晶片具有一邊緣及一有效區。一繞曲環延伸於 有效區四周。 在另一觀點中，本發明係一種在半導體晶片中形成一龜 裂阻止結構的方法，包含下列步驟：（a)培供一车導鞞晶 片，該晶片具右一邊緣及一有效區；以乃（b)提供一延伸於 有效區四周的第一允分填充環，該環钇含許多金屬化層， 該第一環具右用以U'你邊缝至有效區的剝層龜裂傅指的 W案形體。 4.圖式之簡述 本發明之前述的與其它的目的、特色及優點將根據下列 本發明之詳述而顯而易見，如附圖中說明的，其中：
C:\Program Files\Patent\54640. ptd 第7頁 五、發明說明（4) 圖1 a係鋸刀切割半導體晶圓成為晶片之橫截面圖，其顯 示晶片上導致半導體龜裂或半導體上薄膜層之剝層龜裂的 顆粒撞擊。 '圖1 b係鋸刀切割半導體晶圓成為晶片之橫截面圖，其顯 示導致半導體龜裂或半導體上薄膜層之剝層龜裂的鋸刀振 動。 圖 面 截 橫 之 片 晶 的 後 ¾口 切 係 裂 龜 層 剝 的 區 效 有 之- 片 晶 圖至 指 傳 緣 片 晶 從 示 顯 其 截 橫 之 片 晶 。的 圖料 面材 截收 橫吸 之動 片顫 日的有 的具 槽中 割槽 切宝a 淨切 乾淨 有乾 具在 係係 a b 3 3 圖圖 延 溝 亥 =° 圖 面 截 橫 之 片 晶 的 溝 充 填 氣 空 對 一 有 具 係 0C 3 圖圖 面 層 剝 的 驟 步 ¾口 切 之 間 其 自 來 免 避 以 層 膜 薄 層 1 0 、/ 0<9 少掮 至傳 過之 經裂 伸龜 延-裂 溝龜 該層 ，剝 圖之 面驟 截步 橫割 之切 片的 晶間 的其 溝自 充來 填免 氣避 空以 對層 一膜 有薄 具有 係所 d 3 3 i 圖經 伸 面 截 。橫 圖的 視環 上止 的阻 環裂 止龜 阻充 裂填 龜屬 充金 填形 屬線 金直 形之 線4a 直圖 示示 顯顯 。係係 番 a b t 4 4 傳圖圖 之 玄 =° 圖 視 上 之。 片緣 晶邊 明之 發片 本晶 的鄰 環相 止及 阻區 裂效 龜有 曲之 繞片 有晶 具圍 係包 5a伸 。圖延 圖 環 圖 面 。截 圖橫 面之 截環 視曲 上繞 之之 β 3 5 5 圖圖 係係 b C 5 5 圖圖
C:\Program Files\Patent\54640. ptd 第8頁
免於所有按順序的钱刻步驟的罩幕係必需ι本發明 現提供具有不同的層狀金屬的空氣填充型蝕刻阻止明 顯地增加成本。SU匕’本發明者提出提供更有效龜裂阻止 的問題，其不需填充蝕刻阻止環的層之移除。 發明人發現較大的龜裂阻止壁面積、多邊緣、多重堆曼 導體層及其匕圖案形體明顯地改善龜裂滲透之保護，太 發明建立於在磊#12之有效區62四周提供如導體6〇之繞曲 環的圖案的發明上，該圖案通常如圖5a所示的鄰接晶、之 遭緣20。環60係*堆疊的導體層與絕緣體層形成，包括金 屬化層Μϋ，Μ6、最後金屬虱接合蟄片巧、金屬化互聯間柱 V1-V5、以及絕緣層D0_D6與最後保護層以與^，如圖“所 不。這些金屬化、間柱及絕緣層係皆在用以提供於有效區 62的相同遮蔽與沉積步驟中提供給環6〇。衅而，本發明者 發現可簡單地利用提供幾何圖案的逸裂阻止環如繞曲環6 〇 而提供幾乎像傳統空氣填充型龜裂I止一樣有效的龜裂阻 也而不須添加任何額冰的摭蔽與蝕刻步驟。繞曲I案充份 地掩知龜裂阻止區及鬆驰龜裂随止周圍體積的應-力-，以致 於斷裂阻抗充分地增加及町聚驅動力充分地降低7如下列 表1之數據所示》 在故意將傷害導入切割晶七邊緣的實驗中，表1中裝置 3a之數據顯示距離晶片邊緣40微米的鋁填充繞曲圖案化龜 裂阻止幾乎像具有35與45微米寬間距的空氣填充直線形龜 裂阻止一樣的阻止龜裂渗透及實質地較佳於鎢填充直線形 龜裂阻止。數據亦與較寬切口提供比較窄切口大的保護之
五、發明說明（7) 預期一致。矣1 I - 裂百分比。因此二到達龜裂阻止而被龜裂阻正撞住的龜 裂阻止一樣地案裂阻止幾乎像空氣填充型龜 本。當然，若=沒有提供空氣填充型龜裂阻止之成 用於移除'”製程步驟如遮蔽與姓刻仍可 夕個金屬層以更進一步增加龜裂阻止效率。 表1
2A
3B 龜裂阻止 鎢層塡充 鍵進渔交替塡充 邊緣至龜裂阻止之間 题微米） 45_ 35_ 35_ I 16" 57% 51% 17% 45%~ 30% 除了繞曲之外，交錯填充環圖案6 形環66(圖73與圖7b)、以 ^…雙直線 供圖案，該圖宰盘單直二直Λ n 乂 交替提 口未，、早1線升，填充壞5〇(圖43盥411") A h " 加對龜裂傳播的阳γ从y θ ^ 、口 ^ ^ 4b〕比車父係増 Ϊ佳的，若需要的話，介電層可導入，如圖几與74“ 卜此如具有交錯圖案7G的多重繞曲(.圖8a#8b)或 夕二匕 -:2結合可用於更進—步增加對龜裂傳播的：：重 錯係藉由例如在連婧遮蔽階埒利用大約箄 。父 ;度的量之
C:\Program Files\Patent\54640. ptd 第 11 頁
I 五、發明說明（8) 播張或收縮環60之裝置 一 ^ 微米厚的層而$，π ,成。因此，就約1微米寬與os 1邑緣體間的界^ #^微米的層重疊係較佳的。金屬與 龜裂沿著較順於：in續介電層，及提供龜裂結束或 因為應變能量降低的^的表面偏向的機會。 約等於龜裂阻止之古产）積係正比於龜裂阻止寬度（高至 的圖案提供大於較；^且正二形，牽涉到較寬龜裂阻止 止提供較少的晶片面積盘：=;;:，因為較寬龜 厫格限制經常係加上去的。、;、刀口測斌結構，寬度方面的 裂阻止比-對個別直線形龜ί:::發現因為-個繞曲龜 區域之阻止龜裂上表現較；裂阻止更順應，所以其、在較小 由屢屬如_農故、父錯、 層龜裂將遇到延伸於摘冬又躺環提供的構造增加剝 外，結構提供較大的心…的可能性。此 裂傳播。 驰材料體積，更雄-舟降低悉 雖然本發明之許多具體實施 ，及說明於附圖，但是相信：遠；=細地在這裡 各種其它改善係可能的。例如，龜；：：：明之範圍下， =父錯的繞曲。期望上面的說明不會限：有多重連接 靖專利範圍。期望提供的實例σ B _發明於附屬申 j ^疋况明的而非唯一的。 Μ 第12頁 C:\Program Files\Patent\54640. ptd

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1. 一種半導體結構，其包含： 一個具有一邊緣及一有效區的半導體晶片；以及 一個延伸於該有效區四周的第一實質填f環，該第一 環具有一個用以降低從該逯緣至該有效區的剝層龜裂之傳 摺的第一圖案形體。 2. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中該晶片包含四 個邊緣，該環延伸鄰接每個該邊緣。 3. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中該環係部份空 氣填充的。 4. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中該環係完全填 充的。 5. 根據申請專利範圍第4項之結構，其中該環係充分地 填充導體。 6. 根據申請專利範圍第5項之結構，其中該導體包含導 體層。 7. 根據申請專利範圍第5項之結構，其中該第一環圖案 形體包含交錯導體層。 8. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中該第一環圖案 形體包含繞曲。 9. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中該第一環圖案 形體在該有效區四周包含一個第二充分填充環。 1 0.根據申請專利範圍第9項之結構，其中該第二環具有 一個用以降低從該邊緣至該有效區的剝層龜裂之傳播的第 二圖案形體。
    C:\Program Files\Patent\54640. ptd 苐13頁 六、申請專利範圍 11.根據申請專利範圍第1 0項之結構，其中該第二環互 聯該第一環。 1 2.根據申請專利範圍第1項之結構，其中該第一環圖案 形體與直線形填充環比較起來係提供增加的界面面積以便 抑制龜裂傳播。 1 3. —種半導體結構，其包含： 一個具有一個緣與一個有效區的半導體晶片；以及 一個延伸於該右效區四周的繞曲環。 1 4.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環係 用以降低從該邊緣至該有效區的剝層龜裂之傳播。 1 5.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環係 鄰接該邊緣。 1 6.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環包 含金屬層。 1 7.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環係 完全填充導體。 1 8.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環係 充份地填充導體。 1 9.根據申請專利範圍第1 3項之結構，其中該繞曲環包 含交錯導體層。 2 0,根據申請專利範圍第1 3項之結構，其更進一步包含 一個通常延伸平行該第一環的第二充分填充環，該第二環 具有一個用以降低從該邊緣至該有效區的剝層龜裂之傳播 的第二圖案形體。
    C:\Program Files\Patent\54640. ptd 第14頁 六、申請專利範圍 2 1.根據申請專利範圍第2 0項之結構，其中該第二環互 聯該第一環。 2 2. —種在半導體晶片中形成龜裂阻止結構之方法，其 包含如下的步驟： (a)提供一個具有一邊緣與一有效區的半導體晶片；以 及 環 充 填 分 充一 第 的 周 四 區 效 有 該 於 伸 延 個一 供 提 該 從 〇 降體 以形 用案 個圖 一 一 有第 具的 環播 一傳 第之 該裂 ’龜 Μ Μ 化剝 屬的 金區 多效 許有 含該 包至 環緣 該邊 申 據 根 充 填 1 成 形 含 根 包 體 形 案 體 形 案 根， 據 據 中 青丨青 =°J=° 包 Λ»/ b ΐ 步 該 中 其 法 方 之 項 2 2 第 圍 利 專 步 的 圖 環 1 第 該 中 其 法 方 之 項 2 2 第 圍 範 利 專 曲 繞 含 第 圍 範 利 專 請 申 層 體 導 錯 交 含 包 法 方 之 項 第 玄 -'0 中 其 圖 環 罩 之 層 體 導 個 每 過 超 伸 延 錯 交 亥 -4-0 對 幕 供 提 第 _第 圍玄 範7 彳於 矛亍 專Ϊ 請巾 0 Jtt— 中4 差f延 公；Ξ常 位彳通 法 方 之 項 進 更 其 含 包 步 第 的 環 步 的 環 充 填 分 充 Φ. C 申 澴 Μ ^ 艮一艮 ^ ^ *身 7 亥 8 2 12 互 環 二 第 該 中 其 法 方 之 項 6 2 第 圍 範 利 專 請 圖 環一 第 該 中 其 法 方 之 項 2 2 第 圍 範 利 專 請 龜 制 抑 以 用 的 加 增 供 提 係 來 起 較 比 環 充。 填域 形區 線面 直界 與的 體播 形傳 案裂 I C:\Program Files\Patent\54640. ptd 第15頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318051A (zh) * 2009-02-18 2012-01-11 先进微装置公司 具有加固层的半导体芯片

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174229A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Toshiba Microelectron Corp 半導体装置
US6303977B1 (en) * 1998-12-03 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Fully hermetic semiconductor chip, including sealed edge sides
JP3502288B2 (ja) * 1999-03-19 2004-03-02 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6268642B1 (en) * 1999-04-26 2001-07-31 United Microelectronics Corp. Wafer level package
US6261945B1 (en) * 2000-02-10 2001-07-17 International Business Machines Corporation Crackstop and oxygen barrier for low-K dielectric integrated circuits
WO2001078145A2 (en) * 2000-04-12 2001-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Boding pad in semiconductor device
US6480990B1 (en) * 2000-05-01 2002-11-12 Hewlett-Packard Company Application specific integrated circuit with spaced spare logic gate subgroups and method of fabrication
US6495918B1 (en) * 2000-09-05 2002-12-17 Infineon Technologies Ag Chip crack stop design for semiconductor chips
US6492247B1 (en) * 2000-11-21 2002-12-10 International Business Machines Corporation Method for eliminating crack damage induced by delaminating gate conductor interfaces in integrated circuits
EP1283549A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-12 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor device with mechanical stress protection during wafer cutting, and manufacturing process thereof
JP3813562B2 (ja) 2002-03-15 2006-08-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6709954B1 (en) * 2002-06-21 2004-03-23 Advanced Micro Devices, Inc. Scribe seal structure and method of manufacture
JP2004172169A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Toshiba Corp 半導体装置
US7087452B2 (en) * 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
US20050026397A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 International Business Machines Corporation Crack stop for low k dielectrics
JP2005142262A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3962402B2 (ja) * 2003-11-10 2007-08-22 松下電器産業株式会社 半導体装置
CN1617312A (zh) 2003-11-10 2005-05-18 松下电器产业株式会社 半导体器件及其制造方法
JP4855973B2 (ja) * 2003-11-10 2012-01-18 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7115997B2 (en) * 2003-11-19 2006-10-03 International Business Machines Corporation Seedless wirebond pad plating
JP4492926B2 (ja) * 2003-11-28 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2005195965A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Sharp Corp ホログラム素子、その製造方法、電子光学部品
TWI227936B (en) * 2004-01-14 2005-02-11 Taiwan Semiconductor Mfg Sealed ring for IC protection
US7629689B2 (en) * 2004-01-22 2009-12-08 Kawasaki Microelectronics, Inc. Semiconductor integrated circuit having connection pads over active elements
US6900541B1 (en) * 2004-02-10 2005-05-31 United Microelectronics Corp. Semiconductor chip capable of implementing wire bonding over active circuits
US7208837B2 (en) * 2004-02-10 2007-04-24 United Microelectronics Corp. Semiconductor chip capable of implementing wire bonding over active circuits
US7265436B2 (en) * 2004-02-17 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Non-repeated and non-uniform width seal ring structure
JP2006013229A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7223673B2 (en) * 2004-07-15 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing semiconductor device with crack prevention ring
JP4636839B2 (ja) * 2004-09-24 2011-02-23 パナソニック株式会社 電子デバイス
US7741715B2 (en) * 2005-03-14 2010-06-22 Infineon Technologies Ag Crack stop and moisture barrier
US7572738B2 (en) * 2005-05-23 2009-08-11 Sony Corporation Crack stop trenches in multi-layered low-k semiconductor devices
US20060267136A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 International Business Machines Corporation Integrated circuit (ic) with on-chip programmable fuses
KR100781850B1 (ko) * 2005-07-20 2007-12-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7176555B1 (en) * 2005-07-26 2007-02-13 United Microelectronics Corp. Flip chip package with reduced thermal stress
JP2007067372A (ja) * 2005-08-03 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US8624346B2 (en) 2005-10-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exclusion zone for stress-sensitive circuit design
US20070102791A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Ping-Chang Wu Structure of multi-layer crack stop ring and wafer having the same
US20070108638A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 International Business Machines Corporation Alignment mark with improved resistance to dicing induced cracking and delamination in the scribe region
US7382038B2 (en) * 2006-03-22 2008-06-03 United Microelectronics Corp. Semiconductor wafer and method for making the same
CN100466252C (zh) * 2006-03-30 2009-03-04 联华电子股份有限公司 半导体晶片及其制造方法
TWI367551B (en) * 2006-07-07 2012-07-01 Via Tech Inc Bonding pad structure and bonding pad structure for electronic device and integrated circuit
DE102006037633B4 (de) * 2006-08-10 2008-06-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Beschädigungs-Detektierschaltung und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips
US20080079159A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-03 Texas Instruments Incorporated Focused stress relief using reinforcing elements
US7910408B2 (en) 2006-10-26 2011-03-22 International Business Machines Corporation Damage propagation barrier and method of forming
US7466284B2 (en) * 2006-11-30 2008-12-16 International Business Machines Corporation Chip seal ring having a serpentine geometry
KR100995558B1 (ko) 2007-03-22 2010-11-22 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5448304B2 (ja) 2007-04-19 2014-03-19 パナソニック株式会社 半導体装置
US7952167B2 (en) 2007-04-27 2011-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line layout design
US8125052B2 (en) * 2007-05-14 2012-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection
US7659616B2 (en) * 2007-10-10 2010-02-09 International Business Machines Corporation On-chip cooling systems for integrated circuits
KR101369361B1 (ko) * 2007-10-15 2014-03-04 삼성전자주식회사 일체형 크랙 스탑 구조물을 구비한 반도체 장치
US8643147B2 (en) * 2007-11-01 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Seal ring structure with improved cracking protection and reduced problems
KR20090046993A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8008750B2 (en) * 2008-02-01 2011-08-30 Infineon Technologies Ag Crack stops for semiconductor devices
US7871902B2 (en) * 2008-02-13 2011-01-18 Infineon Technologies Ag Crack stop trenches
US7491578B1 (en) 2008-04-02 2009-02-17 International Business Machines Corporation Method of forming crack trapping and arrest in thin film structures
US8334582B2 (en) * 2008-06-26 2012-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protective seal ring for preventing die-saw induced stress
US7968974B2 (en) * 2008-06-27 2011-06-28 Texas Instruments Incorporated Scribe seal connection
US7948060B2 (en) * 2008-07-01 2011-05-24 Xmos Limited Integrated circuit structure
US7955952B2 (en) * 2008-07-17 2011-06-07 International Business Machines Corporation Crackstop structures and methods of making same
US8178953B2 (en) 2008-09-30 2012-05-15 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with front side redistribution lines
US8889548B2 (en) 2008-09-30 2014-11-18 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with backside redistribution lines
US8063469B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-22 Infineon Technologies Ag On-chip radio frequency shield with interconnect metallization
US8169059B2 (en) * 2008-09-30 2012-05-01 Infineon Technologies Ag On-chip RF shields with through substrate conductors
US7948064B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-24 Infineon Technologies Ag System on a chip with on-chip RF shield
US7906836B2 (en) 2008-11-14 2011-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat spreader structures in scribe lines
US20100127937A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Qualcomm Incorporated Antenna Integrated in a Semiconductor Chip
KR20100064602A (ko) * 2008-12-05 2010-06-15 삼성전자주식회사 미로 같은 크랙 스토퍼 구조물을 갖는 반도체 및 제조 방법
US8368180B2 (en) * 2009-02-18 2013-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe line metal structure
US8309957B2 (en) * 2009-04-16 2012-11-13 Texas Instruments Incorporated Replacement of scribeline padframe with saw-friendly design
US9269676B2 (en) 2009-11-25 2016-02-23 Intel Corporation Through silicon via guard ring
US8395241B2 (en) * 2009-11-25 2013-03-12 Intel Corporation Through silicon via guard ring
US8859390B2 (en) * 2010-02-05 2014-10-14 International Business Machines Corporation Structure and method for making crack stop for 3D integrated circuits
US8058108B2 (en) * 2010-03-10 2011-11-15 Ati Technologies Ulc Methods of forming semiconductor chip underfill anchors
JP4932944B2 (ja) * 2011-02-04 2012-05-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5879774B2 (ja) * 2011-06-30 2016-03-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
JP5849478B2 (ja) * 2011-07-11 2016-01-27 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置および試験方法
US8604618B2 (en) 2011-09-22 2013-12-10 International Business Machines Corporation Structure and method for reducing vertical crack propagation
US9059191B2 (en) * 2011-10-19 2015-06-16 International Business Machines Corporation Chamfered corner crackstop for an integrated circuit chip
US8685761B2 (en) * 2012-02-02 2014-04-01 Harris Corporation Method for making a redistributed electronic device using a transferrable redistribution layer
US8987923B2 (en) * 2012-07-31 2015-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor seal ring
JP6117246B2 (ja) * 2013-01-11 2017-04-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8937009B2 (en) 2013-04-25 2015-01-20 International Business Machines Corporation Far back end of the line metallization method and structures
CN104701271A (zh) 2013-12-05 2015-06-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
US20150255362A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Infineon Technologies Ag Semiconductor Device with a Passivation Layer and Method for Producing Thereof
US9583410B2 (en) 2014-03-21 2017-02-28 International Business Machines Corporation Volumetric integrated circuit and volumetric integrated circuit manufacturing method
US10126260B2 (en) 2015-05-07 2018-11-13 International Business Machines Corporation Moisture detection and ingression monitoring systems and methods of manufacture
US9589912B1 (en) 2015-08-27 2017-03-07 Globalfoundries Inc. Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same
US9589911B1 (en) 2015-08-27 2017-03-07 Globalfoundries Inc. Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same
US10153232B2 (en) 2017-04-26 2018-12-11 Globalfoundries Inc. Crack stop with overlapping vias
US10969422B2 (en) 2018-05-16 2021-04-06 International Business Machines Corporation Guard ring monitor
US10636750B1 (en) 2018-10-15 2020-04-28 International Business Machines Corporation Step pyramid shaped structure to reduce dicing defects
US11177253B2 (en) * 2018-11-09 2021-11-16 Texas Instruments Incorporated Transistor with integrated capacitor
US20240113055A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 International Business Machines Corporation Structure for hybrid bond crackstop with airgaps
CN115376905B (zh) * 2022-10-27 2023-01-31 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体晶片的切割工艺

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4455739A (en) * 1982-04-19 1984-06-26 Texas Instruments Incorporated Process protection for individual device gates on large area MIS devices
US5096855A (en) * 1988-05-23 1992-03-17 U.S. Philips Corporation Method of dicing semiconductor wafers which produces shards less than 10 microns in size
US5414297A (en) * 1989-04-13 1995-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device chip with interlayer insulating film covering the scribe lines
US5217916A (en) * 1989-10-03 1993-06-08 Trw Inc. Method of making an adaptive configurable gate array
JPH0574932A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Fujitsu Ltd 半導体ウエハのダイシング方法
JPH0621188A (ja) * 1991-12-13 1994-01-28 Yamaha Corp 半導体ウェハ
JP2776457B2 (ja) * 1992-12-29 1998-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
US5552345A (en) * 1993-09-22 1996-09-03 Harris Corporation Die separation method for silicon on diamond circuit structures
US5521125A (en) * 1994-10-28 1996-05-28 Xerox Corporation Precision dicing of silicon chips from a wafer
US5834829A (en) * 1996-09-05 1998-11-10 International Business Machines Corporation Energy relieving crack stop

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318051A (zh) * 2009-02-18 2012-01-11 先进微装置公司 具有加固层的半导体芯片
CN102318051B (zh) * 2009-02-18 2014-02-26 先进微装置公司 具有加固层的半导体芯片

Also Published As

Publication number Publication date
US6022791A (en) 2000-02-08
KR19990036684A (ko) 1999-05-25
KR100276854B1 (ko) 2001-02-01

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