JP2005142262A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 ダイシング工程における層間絶縁膜のクラッキングや膜剥れを素子形成領域に発生させない構造を有する半導体チップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ100は、半導体基板10と、半導体基板10の表面に形成された半導体素子と、半導体素子を被覆するように半導体基板10上に堆積された複数の層間絶縁膜12〜52からなり、半導体基板10の外縁の少なくとも一部分に半導体基板10の表面に対して垂直方向に形成された中空溝70を含む積層膜とを備えている。
【選択図】 図6

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
高性能ロジックLSIに代表される半導体装置では、高速動作を実現するために伝達信号のRC遅延を抑制する必要がある。RC遅延の抑制のためには、配線抵抗を低減し、かつ、配線間の容量結合を抑制することが必要である。
従来から、配線抵抗を低減させるために、配線材料として銅を使用することが考えられている。また、配線間の容量結合を抑制するために、シリコン酸化膜に比べ比誘電率の低い(以下、low−kともいう)材料を配線間の層間絶縁膜として採用することが考えられている。
特開2000−277465号公報 特開2000−232081号公報
しかし、low−k膜はCVD法により形成されたシリコン酸化膜に比べて機械的強度において弱い。従って、low−k膜を層間絶縁膜に使用した場合には、半導体ウェハを複数の半導体チップへ個別化するダイシング工程において、層間絶縁膜内にクラックが発生し、あるいは、層間絶縁膜の膜剥れが発生するおそれがある。このようなクラックや膜剥れは、配線の断線などの原因となる。
特に、半導体装置の高集積化および高性能化に伴い、近年、多層配線構造が頻繁に採用される。多層配線構造の層間絶縁膜にlow−k膜を使用した場合には、層間絶縁膜間の密着性が悪くなる。また、多数の層間絶縁膜が積層されるので、クラックや膜剥れが生じる可能性が高くなる。
このような層間絶縁膜のクラックや膜剥れを防止するために、図12に示すように、半導体チップの外縁近傍(素子形成領域1とスクライブライン2との間)にメタルガードリング3を設ける方策が考えられている。このメタルガードリング3は、ダイシングの機械的衝撃によって発生する層間絶縁膜4のクラックや膜剥れが素子形成領域1へ伝播することを防止する目的で設けられている。
この方策は、メタルガードリングを支持している層間絶縁膜の機械的強度がシリコン酸化膜のように比較的強い場合には有効である。しかしながら、その機械的強度がlow−k膜のように弱い場合には、メタルガードリングは、層間絶縁膜のクラックや膜剥れが素子形成領域へ伝播することを防止することができない。
そこで、本発明の目的は、ダイシング工程における層間絶縁膜のクラッキングや膜剥れを素子形成領域に発生させない構造を有する半導体チップおよびその製造方法を提供することである。
本発明に係る第1の実施の形態に従った半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された半導体素子と、前記半導体素子を被覆するように前記半導体基板上に堆積された複数の層間絶縁膜からなり、前記半導体基板の外縁の少なくとも一部分に前記半導体基板の表面に対して垂直方向に形成された中空溝を含む積層膜とを備えている。
本発明に係る第2の実施の形態に従った半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子を被覆するように前記半導体基板上に堆積された複数の層間絶縁膜からなり、前記半導体基板の外縁における側面が前記層間絶縁膜ごとに前記半導体基板の表面に対して水平方向へ突出または窪んでいる積層膜とを備えている。
好ましくは、当該半導体装置は、前記半導体素子が形成された領域を取り囲み、前記半導体基板の外縁よりも前記半導体基板の中心側に在る前記積層膜に設けられたガードリングをさらに備えている。
好ましくは、前記ガードリングは、銅およびタンタルの2種類の材料の積層、銅、タンタルおよび窒化タンタルの3種類の材料の積層、銅および窒化シリコンチタン(TiSiN)の2種類の材料の積層、あるいは、銅および窒化タングステンの2種類の材料の積層のうちのいずれかによって形成されている。
好ましくは、前記積層膜のうち少なくとも1つの層間絶縁膜の誘電率は3以下である。
本発明に係る実施の形態に従った半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成される複数の半導体チップ領域と該半導体チップ領域間にあるダイシング領域とを含む半導体ウェハのうち、該複数の半導体チップ領域内に前記半導体素子を形成するステップと、前記半導体素子を被覆するように第1の層間絶縁膜を前記半導体ウェハ上に堆積するステップと、前記第1の層間絶縁膜を部分的にエッチングすることによって、前記複数の半導体チップ領域のそれぞれの外縁近傍に第1の溝を形成するステップと、前記第1の溝に第1の導電体を充填するステップと、前記第1の層間絶縁膜および前記第1の導電体を被覆するように第2の層間絶縁膜を堆積するステップと、前記第1の導電体上にある前記第2の層間絶縁膜をエッチングすることによって第2の溝を形成するステップと、前記第2の溝に第2の導電体を充填するステップと、前記第1の溝内の前記第1の導電体および前記第2の溝内の前記第2の導電体をエッチングし、前記第1の溝および前記第2の溝を中空にするステップと、前記ダイシング領域を切削することによって、前記複数の半導体チップを個別化するステップとを具備する。
好ましくは、前記第1の溝または前記第2の溝を形成する各ステップにおいて、前記複数の半導体チップ領域内にVIAホールおよび相互接続配線用の溝を形成する。
好ましくは、前記第1の溝を形成するステップにおいて、前記複数の半導体チップ領域のそれぞれの外縁近傍であって、かつ、前記第1の溝よりも前記半導体チップ領域の中心側に第3の溝を形成し、
前記第1の導電体を充填するステップにおいて、前記第3の溝に第1の導電体を充填し、
前記第2の溝を形成するステップにおいて、前記第3の導電体上にある前記第2の層間絶縁膜をエッチングすることによって第4の溝を形成し、
前記第2の導電体を充填するステップにおいて、前記第4の溝に第2の導電体を充填し、
前記複数の半導体チップ領域内の半導体素子を保護するガードリングを形成する。
好ましくは、当該半導体装置の製造方法は、前記第1の溝を形成するステップの後、前記第1の導電体を充填するステップの前に、前記第1の溝の内壁に前記第1の導電体とは異なる種類の導電体からなる第1のバリア層を形成するステップをさらに具備し、
前記第2の溝を形成するステップの後、前記第2の導電体を充填するステップの前に、前記第2の溝の内壁に前記第2の導電体とは異なる種類の導電体からなる第2のバリア層を形成するステップをさらに具備する。
好ましくは、前記第1の導電体および前記第2の導電体は、銅である。
好ましくは、前記第1のバリア層および前記第2のバリア層は、タンタル、窒化タンタル、窒化シリコンチタン(TiSiN)、あるいは、窒化タングステンのうちのいずれかである。
好ましくは、前記第1の溝および前記第2の溝を中空にするステップにおいて、前記第1の導電体、前記第2の導電体、前記第1のバリア層および前記第2のバリア層は、塩酸と過酸化水素水との混合液によりエッチングする。
好ましくは、前記第1の層間絶縁膜の誘電率または前記第2の層間絶縁膜の誘電率は3以下である。
本発明に従った半導体装置およびその製造方法は、ダイシングによる層間絶縁膜のクラッキングや膜剥れが素子形成領域に発生することを防止することができる。
以下、図面を参照し、本発明による実施の形態を説明する。これらの実施の形態は本発明を限定するものではない。
本発明に係る実施の形態において、半導体ウェハは、ガードリングとスクライブラインとの間の層間絶縁膜内に中空溝を有する。この中空溝は、ダイシングによってスクライブラインを切削したときに生じる層間絶縁膜のクラックや膜剥れが素子形成領域へ伝播することを防止する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従った半導体チップの製造方法の流れを工程順に示すフロー図である。図2から図5は、第1の実施形態に従った半導体チップの製造方法を半導体ウェハの断面で示した断面フロー図である。図2から図5は、半導体ウェハの半導体チップ領域とスクライブラインとの境界部の断面を示している。本実施形態の各ステップについては図1を、本実施形態の各構成要素については図2から図5を参照されたい。
図2を参照して、半導体基板10の表面領域について説明する。半導体素子(図示せず)は素子形成領域Rb内に形成される。素子形成領域Rbの周囲には、半導体素子領域を取り囲むようにガードリング形成領域Rcが設けられている。素子形成領域Rbおよびガードリング形成領域Rcは、半導体製造の後工程において半導体チップとなる半導体チップ領域Raに含まれている。半導体チップ領域Raの周囲には、テストパターンなどが形成されたスクライブラインが設けられている。このスクライブラインが形成される領域は、半導体チップを個別化するダイシング工程においてダイヤモンドカッタでダイシングされるので、ダイシング領域Rdともいう。
図1に示したフロー図に従って本実施形態を説明する。まず、トランジスタやダイオードなどの半導体素子が素子形成領域Rb内に形成される(S10)。
次に、多層配線MIを素子形成領域Rb上に形成する(S20)。例えば、ダマシン法またはデュアルダマシン法を繰り返し用いて、多層配線MIを形成することができる。この多層配線MIの形成と同時に、ガードリング形成領域Rcには、多層配線MIに用いられた配線材料と同じ材料によってガードリングGLが形成される。さらに、この多層配線MIの形成と同時に、擬似ガードリングPGLが半導体チップ領域Raとダイシング領域Rdとの間に形成される。即ち、擬似ガードリングPGLは、半導体チップ領域Raの外縁近傍に形成される。擬似ガードリングPGLはガードリングGLと同じ構成を有する。但し、擬似ガードリングPGLの幅d(半導体基板10の表面に対して水平方向の幅)は、ガードリングGLの幅dと異なっていてもよい。
多層配線MI、ガードリングGLおよび擬似ガードリングPGLの形成工程(ステップS20)を詳細に説明する。まず、CVD法等を用いて、半導体素子を被覆するように層間絶縁膜12を半導体基板10上に堆積する(S20−1)。層間絶縁膜12は、例えば、SiOC、MSX(Metyl-polysiloxane)、HSQ(Hydrogen-silsesquioxane)またはPAE(Poly (Arylene) ether)などの比誘電率が3以下のlow−k材料であることが好ましい。また、層間絶縁膜12は、low−k材料の膜密度を減らした材料(いわゆるポーラスlow−k材料)であってもよい。
次に、フォトリソグラフィおよびRIE(Reactive Ion Etching)等を用いて、層間絶縁膜12を選択的にエッチングする(S20−2)。これにより、配線用の溝、ガードリング用の溝および疑似ガードリング用の溝が層間絶縁膜12にパターニングされる。配線パターンは素子形成領域Rbに形成される。ガードリングのパターンはガードリング形成領域Rcに形成される。疑似ガードリングのパターンは、半導体チップ領域Raとダイシング領域Rdとの間、即ち、半導体チップ領域Raの外縁近傍に形成される。
次に、CVD法等を用いて、層間絶縁膜12の表面にバリアメタル14を形成する(S20−3)。このとき、配線、ガードリングおよび疑似ガードリングのためのそれぞれの溝の底面および側面にもバリアメタル14が形成される。本実施形態において、バリアメタル14は、タンタル、窒化タンタル、窒化シリコンチタン(TiSiN)、あるいは、窒化タングステンのいずれかである。
次に、CVD法または電解めっき法等を用いて、層間絶縁膜12の表面に配線材料16を堆積する(S20−4)。このとき、配線、ガードリングおよび疑似ガードリングのためのそれぞれの溝に配線材料16が充填される。本実施形態において、配線材料16は銅から成る。尚、バリアメタル14は、配線材料16の銅が半導体素子へ拡散することを防止する役割を果たす。
次に、CMPなどを用いて、層間絶縁膜12上のバリアメタル14および配線材料16を層間絶縁膜12の表面が露出するまで研磨する(S20−5)。これにより、バリアメタル14および配線材料16は、層間絶縁膜12上から除去され、配線、ガードリングおよび疑似ガードリングのためのそれぞれの溝にのみ残る。このようにダマシン法を用いて多層配線のうち第1層目が形成される。
次に、デュアルダマシン法を用いて、第2層目の配線層を形成する。プラズマCVD法等を用いて、拡散防止絶縁膜18を層間絶縁膜12上に堆積する(S20−6)。拡散防止絶縁膜18は、例えば、SiN、SiCNまたはSiC等から成り、配線材料16を構成する銅の拡散を防止する。
次に、CVD法等を用いて、層間絶縁膜22を拡散防止絶縁膜18上に堆積する(S20−7)。層間絶縁膜22は、層間絶縁膜12と同様のlow−k材料から成る。
次に、フォトリソグラフィおよびRIE等を用いて、VIAホールVおよびコンタクトホールCを形成する(S20−8)。多層配線MIにおいて、VIAホールVは、第1層目の配線材料16に通じる孔として形成され、コンタクトホールCは、第2層目の相互接続配線用の溝として形成される。このとき、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGLでは、第1層目の層間絶縁膜12に形成されたパターンと同様のパターンが層間絶縁膜22に形成される。即ち、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGLにおいては、配線材料16およびバリアメタル14上の層間絶縁膜22が除去され、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGL用のそれぞれの溝が配線材料16およびバリアメタル14に沿って形成される。
次に、CVD法等を用いて、層間絶縁膜22の表面にバリアメタル24を形成する(S20−9)。これにより、層間絶縁膜22に形成されたVIAホールVおよびコンタクトホールCのそれぞれの内壁にバリアメタル24が形成される。また、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGL用の溝の内壁にもバリアメタル24が形成される。バリアメタル24は、バリアメタル14と同様の材料から成る。
次に、CVD法または電解めっき法等を用いて、層間絶縁膜22の表面に配線材料26を堆積する(S20−10)。このとき、VIAホールVおよびコンタクトホールCのそれぞれに配線材料26が充填される。また、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGL用の溝にも配線材料26が充填される。配線材料26の材料は、配線材料16の材料と同様であり、配線材料26の作用も配線材料16のそれと同様である。
次に、CMPなどを用いて、層間絶縁膜22上のバリアメタル24および配線材料26を層間絶縁膜22の表面が露出するまで研磨する(S20−11)。これにより、バリアメタル24および配線材料26は、層間絶縁膜22上から除去され、VIAホールV、コンタクトホールC内に残る。また、バリアメタル24および配線材料26は、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGL用の溝内にも残る。このようにデュアルダマシン法を用いて多層配線のうち第2層目が形成される。
第3層目以降の層間絶縁膜は、第2層目と同様にデュアルダマシン法を用いて形成され得る(S20−12)。層間絶縁膜32および42は、層間絶縁膜12と同様の材料から成る。但し、本実施形態において、層間絶縁膜52は、それより下層の層間絶縁膜12、22、32および42を保護するために、low−k膜を用いることなく、シリコン酸化膜を用いている。バリアメタル34、44および54は、バリアメタル14と同様の材料から成る。配線材料36、46および56は、配線材料16と同様の材料から成る。拡散防止絶縁膜28、38、48および58は、拡散防止絶縁膜18と同様の材料から成る。
このように、素子形成領域Rbには、多層配線MIが形成される。ガードリング形成領域Rcには、配線材料とバリアメタルとが交互に積層されたガードリングGLが形成される。半導体チップ領域Raの外縁近傍には、ガードリングGLと同じ構成の疑似ガードリングPGLが形成される。
図3に示すように、多層配線MI、ガードリングGLおよび疑似ガードリングPGLが形成された後、多層配線MIおよびガードリングGLの表面をフォトレジスト60で被覆する(S30)。
図4に示すように、次に、フォトレジストをマスクとして用いて、疑似ガードリングPGLの配線材料およびバリアメタルをエッチングする(S40)。これにより、多層配線膜の最上層52の上面から最下層12の底面まで達する中空溝70が、半導体基板10の表面に対して垂直方向に形成される。
このステップS40において、まず、拡散防止絶縁膜58がエッチングされる。次に、配線材料16、26、36、46および56(以下、配線材料16〜56という)並びにバリアメタル14、24、34、44および54(以下、バリアメタル14〜54という)を交互にエッチングする。
本実施形態において、配線材料16〜56は銅から成る。よって、配線材料16〜56は塩酸と過酸化水素水との混合液を用いてエッチングすることができる。但し、層間絶縁膜12、22、32、42および52(以下、層間絶縁膜12〜52という)をエッチングすることなく、銅をエッチングすることができる薬液であれば、塩酸と過酸化水素水との混合液以外の薬液を用いてもよい。
バリアメタル14〜54がタンタルから成る場合には、CFをエッチングガスとして用いて、CDE(Chemical Dry Etching)法によりドライエッチングする。あるいは、バリアメタル14〜54はフッ化水素溶液を用いてウエットエッチングしてもよい。但し、フッ化水素溶液は、シリコン酸化膜をもエッチングする。よって、層間絶縁膜12〜52のいずれかがシリコン酸化膜から成る場合には、ガードリングGLと疑似ガードリングPGLとの間隔を充分に大きくしなければならない。バリアメタル14〜54をエッチングしている間に層間絶縁膜がエッチングされても、フッ化水素溶液がガードリングGLへ達することを防止する必要があるからである。
疑似ガードリングPGLにおいて、銅から成る配線材料16〜56およびタンタルから成るバリアメタル14〜54は交互に積層されている。よって、配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を除去するためには、塩酸と過酸化水素水との混合液を用いたエッチングおよびCDEを交互に実行するか、あるいは、塩酸と過酸化水素水との混合液を用いたエッチングおよびフッ化水素溶液を用いたエッチングを交互に実行する必要がある。
しかし、ステップS40において、RIEによって配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を同時にエッチングしてもよい。この場合、ClとBClをエッチングガスとする高温RIEを用いる。これにより、疑似ガードリングPGLの配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を同時に除去することができる。
バリアメタル14〜54は窒化タンタルであってもよい。この場合も、バリアメタル14〜54がタンタルから成る場合と同様のエッチング法を用いて、疑似ガードリングPGLの配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を除去することができる。
バリアメタル14〜54のうちいずれかがタンタルであり、それ以外のバリアメタル14〜54が窒化タンタルであってもよい。この場合も、バリアメタル14〜54がタンタルから成る場合と同様のエッチング法を用いて、疑似ガードリングPGLの配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を除去することができる。
バリアメタル14〜54が窒化シリコンチタン(TiSiN)から成る場合、配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を塩酸と過酸化水素水との混合液によって同時に除去することができる。窒化シリコンチタンは、銅と同様に塩酸と過酸化水素水との混合液によってエッチングされ得るからである。一般に、銅は、RIEなどのドライエッチングをすることが困難であり、一方、塩酸と過酸化水素水の混合液により簡単かつ高速にウェットエッチングすることができる。従って、バリアメタル14〜54が窒化シリコンチタンから成る場合、配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を塩酸と過酸化水素水の混合液を用いた単一のエッチング工程で高速に除去することができる。
バリアメタル14〜54が窒化タングステン(WN)から成る場合も、バリアメタル14〜54が窒化シリコンチタンから成る場合と同様のエッチング法を用いて、疑似ガードリングPGLの配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54を除去することができる。
このように、配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54は、バリアメタル14〜54がタンタルや窒化タンタルから成る場合よりも、それが窒化シリコンチタンや窒化タングステンから成る場合のほうが少ない工程で短時間に除去され得る。
このように、工程数および処理時間の観点から、バリアメタル14〜54は、タンタルや窒化タンタルよりも、窒化シリコンチタンや窒化タングステンから形成されているほうが好ましい。
図5に示すように、次に、ダイシング領域Rdをダイヤモンドカッタ80で切削する(S50)。このダイシング工程の後、半導体チップは個別化される。
中空溝70が、半導体基板10上の多層配線構造において、半導体チップ領域Raとダイシング領域Rdとを分離している。従って、もし、ステップS50においてダイシング領域Rdの多層配線構造にクラックや膜剥れが発生したとしても、このクラックや膜剥れが半導体チップ領域Raの多層配線構造へ伝播することがない。その結果、半導体チップの信頼性を向上させることができる。
本実施形態において、中空溝70の幅dは、特に限定する必要はない。この効果を達成するために、中空溝70は、半導体チップ領域Raの多層配線構造とダイシング領域Rdの多層配線構造とを分離すれば足りるからである。
ここで、層間絶縁膜14〜52の比誘電率について検討する。シリコン酸化膜の比誘電率は、k=3.5〜4.3である。これにフッ素をドーピングさせたフッ素ドープSiO(FSG)の比誘電率は、k=3.4〜3.8である。層間絶縁膜14〜52にSiOやFSGを採用した場合には、上述のクラックや膜剥れの問題は生じていなかった。しかし、層間絶縁膜14〜52にSiOC、MSX、HSQまたはPAEなどのlow−k材料を採用したときに、上述のクラックや膜剥れの問題が生じた。SiOC、MSX、HSQまたはPAEの比誘電率は、k=2.6〜3.0である。即ち、比誘電率kが3.0以下であるlow−k材料を層間絶縁膜12〜52に採用した場合に、本実施形態の効果が発揮され得る。
また、いわゆる、ポーラスlow−k材料は、そのlow−k材料よりもさらに比誘電率が低い。よって、ポーラスlow−k材料を層間絶縁膜12〜52に採用した場合、多層配線構造のRC遅延がより低減される。しかし、ポーラスlow−k材料は膜密度が低いため、その機械的強度は、通常のlow−k材料よりもさらに弱い。よって、ポーラスlow−k材料を層間絶縁膜14〜52に採用した場合には、本実施形態の効果はより効果的に発揮され得る。
層間絶縁膜12〜42は、異なる種類のlow−k材料から形成されていてもよい。例えば、層間絶縁膜12がSiOCであり、層間絶縁膜22〜42がPAEであってもよい。また、層間絶縁膜22〜42のそれぞれの下層部(VIA層)がSiOCであり、その上層部(配線層)がPAEであってもよい。
本実施形態において、層間絶縁膜12〜42は、いずれもlow−k材料であるが、これらのうち少なくとも一層がlow−k材料であれば、本実施形態の効果は発揮され得る。
本実施形態では、ガードリングGLは、2本形成されたが、1本または3本以上であってもよい。疑似ガードリングGLは、1本だけ形成されたが、2本以上であってもよい。
図6は、第1の実施形態による製造方法によって製造された半導体チップ100の部分的断面図である。半導体チップ100は、半導体基板10と、半導体基板10の表面に形成された半導体素子(図示せず)と、半導体素子を被覆するように半導体基板10上に堆積された複数の層間絶縁膜12〜52を備えている。
層間絶縁膜12〜52は、半導体基板10の外縁に半導体基板10の表面に対して垂直方向に形成された中空溝70を備えている。中空溝70は、層間絶縁膜12〜52のうち最上層52の上面から最下層12の底面まで形成さている。
中空溝70は、半導体基板10の外周の少なくとも一部に残存していればよい。これは、層間絶縁膜12〜52のうち中空溝70より外側のダイシング領域Rdに含まれる部分がステップS50のダイシング工程の影響で吹き飛ばされてしまう可能性があるからである。
ガードリングGLは、素子形成領域Rbの外側を取り囲むように形成され、中空溝70よりも半導体基板10の中心側に在る層間絶縁膜12〜52に設けられている。ガードリングGLは、水分が素子形成領域Rbの層間絶縁膜12〜52へ浸入することを防止する。
上述の通り、第1の実施形態によって製造された半導体チップ100において、中空溝70が、ステップS50においてダイシング領域Rdに発生したクラックや膜剥れを半導体チップ領域Raへ伝播させない。その結果、半導体チップ100は従来の半導体チップよりも信頼性において高い。
(第2の実施形態)
図7から図10は、本発明に係る第2の実施形態に従った半導体チップの製造方法を半導体ウェハの断面で示した断面フロー図である。本実施形態による半導体チップの製造方法のフロー図は、図1と同様であるので省略する。
図7に示すように、疑似ガードリングPGLにおいて、コンタクトホール形成層の幅dとVIAホール形成層の幅dとが互いに異なる。このような点で、第2の実施形態は、第1の実施形態と異なる。本実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様である。
疑似ガードリングPGLをこのように形成するためには、ステップS20−8において、素子形成領域RbにおけるコンタクトホールCおよびVIAホールVと同様に、疑似ガードリングPGLにおける幅dおよび幅dを形成すればよい。
図8に示すように、次に、フォトレジスト60を形成する(図1のステップS30参照)。
図9に示すように、次に、疑似ガードリングPGLの配線材料16〜56およびバリアメタル14〜54をエッチングする(図1のステップS40参照)。これにより、中空溝71が形成される。中空溝71は、第1の実施形態における中空溝70と異なり、その側壁に凹凸を有する。
図10に示すように、次に、ダイシング領域Rdをダイヤモンドカッタ80で切削する(図1のステップS50参照)。このとき、中空溝71は、第1の実施形態における中空溝70と同様の効果を有する。
第1の実施形態において、中空溝70は、このダイシング工程の後、半導体基板10の外周の少なくとも一部に残存している必要がある。しかし、第2の実施形態によれば、中空溝71は、このダイシング工程の後、半導体基板10の外周に全く残存していなくてもよい。即ち、層間絶縁膜12〜52のうち中空溝71より外側のダイシング領域Rdに含まれる部分の全てがステップS50のダイシング工程の影響で吹き飛ばされてしまってもよい。この理由は、図11を参照して説明される。
図11は、本発明に係る第2の実施形態に従った半導体チップ200の部分的断面である。半導体チップ200は、多層配線構造の外縁において、凹凸のある側面を有する点で半導体チップ100と異なる。半導体チップ200のその他の構成は、半導体チップ100の構成と同様である。尚、ガードリングGLは、素子形成領域Rbの外側を取り囲むように形成され、半導体基板10の外縁よりも半導体基板10の中心側に在る層間絶縁膜12〜52に設けられている。
半導体チップ200は、半導体基板10の外縁における側面が層間絶縁膜ごとに半導体基板10の表面に対して水平方向へ突出または窪んでいる。もし、層間絶縁膜12〜52のうち中空溝71より外側の部分の全てがダイシング工程で吹き飛ばされてしまったとしても、中空溝71が形成されていたことがわかる。
勿論、ダイシング工程後、層間絶縁膜12〜52のうち中空溝71より外側の部分の一部または全部が残存していてもよい。
本発明に係る第1の実施形態に従った半導体チップの製造方法の流れを工程順に示すフロー図。 第1の実施形態に従った半導体チップの製造方法を半導体ウェハの断面で示した断面フロー図。 図2に続く断面フロー図。 図3に続く断面フロー図。 図4に続く断面フロー図。 第1の実施形態によって製造された半導体チップ100の部分的断面図。 第2の実施形態に従った半導体チップの製造方法を半導体ウェハの断面で示した断面フロー図。 図7に続く断面フロー図。 図8に続く断面フロー図。 図9に続く断面フロー図。 本発明に係る第2の実施形態に従った半導体チップ200の部分的断面。 従来の半導体チップの製造方法を示す図。
符号の説明
100、200 半導体チップ
10 半導体基板
12、22、32、42、52 層間絶縁膜
16、26、36、46、56 配線材料
14、24、34、44、54 バリアメタル
28、38、48、58…拡散防止絶縁膜
60 フォトレジスト
70 中空溝
80 ダイヤモンドカッタ
GL ガードリング
PGL 疑似ガードリング
MI 多層配線

Claims (5)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板の表面に形成された半導体素子と、
    前記半導体素子を被覆するように前記半導体基板上に堆積された複数の層間絶縁膜からなり、前記半導体基板の外縁の少なくとも一部分に前記半導体基板の表面に対して垂直方向に形成された中空溝を含む積層膜とを備えた半導体装置。
  2. 半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
    前記半導体素子を被覆するように前記半導体基板上に堆積された複数の層間絶縁膜からなり、前記半導体基板の外縁における側面が前記層間絶縁膜ごとに前記半導体基板の表面に対して水平方向へ突出または窪んでいる積層膜とを備えた半導体装置。
  3. 前記中空溝は、前記積層膜の最上層の上面から該積層膜の最下層の底面まで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体素子が形成された領域の外側を取り囲み、前記中空溝よりも前記半導体基板の中心側に在る前記積層膜に設けられたガードリングをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 半導体素子が形成される複数の半導体チップ領域と該半導体チップ領域間にあるダイシング領域とを含む半導体ウェハのうち、該複数の半導体チップ領域内に前記半導体素子を形成するステップと、
    前記半導体素子を被覆するように第1の層間絶縁膜を前記半導体ウェハ上に堆積するステップと、
    前記第1の層間絶縁膜を部分的にエッチングすることによって、前記複数の半導体チップ領域のそれぞれの外縁近傍に第1の溝を形成するステップと、
    前記第1の溝に第1の導電体を充填するステップと、
    前記第1の層間絶縁膜および前記第1の導電体を被覆するように第2の層間絶縁膜を堆積するステップと、
    前記第1の導電体上にある前記第2の層間絶縁膜をエッチングすることによって第2の溝を形成するステップと、
    前記第2の溝に第2の導電体を充填するステップと、
    前記第1の溝内の前記第1の導電体および前記第2の溝内の前記第2の導電体をエッチングし、前記第1の溝および前記第2の溝を中空にするステップと、
    前記ダイシング領域を切削することによって、前記複数の半導体チップを個別化するステップとを具備する半導体装置の製造方法。
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