TW382745B - Ashing method - Google Patents

Ashing method Download PDF

Info

Publication number
TW382745B
TW382745B TW087104101A TW87104101A TW382745B TW 382745 B TW382745 B TW 382745B TW 087104101 A TW087104101 A TW 087104101A TW 87104101 A TW87104101 A TW 87104101A TW 382745 B TW382745 B TW 382745B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ashing
photoresist
scope
patent application
item
Prior art date
Application number
TW087104101A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kurimoto
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW382745B publication Critical patent/TW382745B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127Etching organic layers
    • H01L21/31133Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

A 7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明夕背暑 1.本發明之領域 本發明偽關於一種灰化方法,且更特別地,關於藉氧 的使用以灰化光阻的一種灰化方法。 2 .習知技藝之描述 目前,半導體積體電路之徹小化正快速地進步,且同 時用以形成半導體積體電路之一半導體晶圓在尺寸上在增 大中;對於製造半導證積體電路一徹影技術是不可或缺的 ;一般上,以塗佈、曝光、和顯影光阻形成的一光罩被使 用在徹影技術中;除了撤影技術外,以光阻做的光罩可被 使用以將雜質植入一半導體層的預定區域中。 因為光阻在微影步驟或離子植入步驟之最後階段被移 去,故可與半導體積體電路之微小化和高積集度匹配的一 技術被需要作為一光阻移去方法;例如,在灰化均勻度上 的改良、在相對於為一蝕刻標的的一薄膜的高灰化選擇性 上的改良、基體之損壞防止、高清潔性、高産量、等等被 需求。 因此,能夠減少基體和薄膜之損顔、減少灰化後之餘 物和質點、並增大灰化處理之産能的技術在灰化中是需要 的。 同時,如果一 Η并和一 P并被形成在一矽基疆中,當以 光阻光罩覆篕該矽基體之對應部分時Ρ型雜質和η型雜質被 分開植入;在分別在該Ν并和Ρ并中形成MOS電晶體之步驟 中,當因不同雜質要被分別植入H并和Ρ井故甩光阻免罩覆 __~ 4 __ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(2丨0X297公釐) 請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 **''________________ ___ 五、發明説明(2 ) 蓋N井和P井之一時P型雜質和η型雜質被選擇地離子植入N 井和Ρ井;例如,有磷、.砷、等等作為η型雜質,例如,也 有硼、等等作為η型雜質。 在如此離子植入中Ρ型雜質或η型雜質之一劑量被加強 的情形中,因介入的雜質而在光阻膜之一表面上形成一劣 化層;因為如此劣化層很難以普通方法移去,故必須使用 一種特殊方法;劣化層之産生已在例如1989年十月Shuzo FUJIMURA等人的應用物理之日本期刊的V0L.28, N0.10, PP.2130-2136和 K.Shinagawa等人的 DPS 1992, PP.75-80 的專論中有介紹;當一劑量被增加高於約5X1015atonis/cm3 時該劣化層即産生。 作為灰化方法,有一濕式灰化方法和一乾式灰化方法 ;因對基體和薄膜沒有損壞故濕式灰化是較佳的,但是每 一灰化處理一化學物浸浴即被污染旦介入化學物浸浴的質 點再被黏附於基體和薄膜。 至於乾式灰化方法,有藉例如在第一圖中所示的灰化 設備之使用而將光阻直接暴露於電漿的一方法。 第一圖陳示具有在其中光阻之劣化層被直接暴露於電 擬的一組態的一乾式独刻設備;在第一圖中,一氣髏供應 管2被設在灰化設備之一室1之一較上部分上;具有許多孔 的一氣體噴灑平板3然後裝入要被指向於一基體階台4的氣 體供應管2之一較低端點;一高頻電源供應器5然後被連接 於基體階台4 ;排放埠6然後被設在室1之一底部上: 為了執行光阻的灰化,在室1内部的一壓力被_小, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --I - I---丨士民---I _ I T _ I ____私 爻 、\'云 务 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 ) 然後一高頻電壓被施於基體階台4 ,且然後在其上具有劣 化層的光阻被形成的基體W被置在基體階台4上;當一氧混 合氣體經由氣體供應管2和氣體噴灑平板3被供應入該室時 ,如氧電漿的電漿在氣體噴灑平板3和基體階台4間産生; 結果,光阻之劣化層被暴露於該氧電漿並然後被移去。 不只是光阻和劣化層,S體W和在基體《上形成的薄膜 也在灰化處理中被暴露於電漿;因此,已有如此一問題即 基護W和薄膜被在電漿中的離子損壞。 相反的,如在專利申請公報UOKAI) 4-286317、專 利申請公報( KOKAI) 8- 2882 6 0、及專利申請公報(KOOI )8- 6 9896中所掲露的,存在有一些方法其中光阻之劣化 層被離子移去且未劣化層被原子團灰化;但是,因為這些 技術使用離子以移去劣化層,只有如此一利益可被期望即 加在基體和薄膜上被離子引起的損痪之影響被減小。 至於乾式灰化方法,在其中灰化以包括減少的離子的 /反應氣體之原子團之使用被實行的一下游灰化方法在專利 申請公報(KOKAI) 7-8614S中已被介紹。 根據在習知技藝中使甩原子團的灰化方法,如果産生 電漿的撤波之電力被増大以加快一光阻移去率(灰化率) ,灰化層之一部分仍留存在基B上並因此劣化層不能被完 全移去。 裉據在習知技藝中的下游灰化方法,如果基體溫度被 增大超過15 G °C以加快灰化率,光阻突爆産生因而污染反 應室;留存在該室中的光阻引起質點的産生並也引^光阻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -裝 訂 冰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7___五、發明説明(4 ) 殘留在基體上;一般上,如此光阻突爆被稱為一”油吸現 象”並對産能有一不良影響.3 太發明夕總结 本發明之一目的偽提供能夠改進産能以壓制質點之産 生而不損壞一基體的一灰化方法., 根據本發明,在光阻之表面上形成的劣化層(雜質包 含層)可被減少的氧原子圍灰化,且然後光阻之留存部分 可被增加的原子團灰化。 如果劣化層被減少的氧原子圍灰化則劣化層之灰化可 被易化;其理由可如下考慮。 一般上,如磷、砷、硼、或類似者的雜質被注射入的 光阻之一灰化率隨著氧原子團之量被大增加而變得較高。 但是,在雜質以一高劑量被射入的光阻之表面上形成 劣化層;因此,如果一大量之氧原子團被供應於該劣化層 ,在劣化層中的雜質之氧化被加速因而産生氧化物;可以 猜想到該氣化物具有一持性以壓制光阻成分之灰化;因此 ,如果劣化層被減少的氧原子團灰化,則劣化層之氧化可 被壓制使得光阻成分之灰化可被加速因而劣化層可容易地 被移去。 在光阻之表面上形成的劣化層被移去後,則不需考慮 雜質之氧化;因此,氧原子團之量可被增加因而光阻之留 存部分可以一較高灰化率移去;結果,灰化之産能可被改 善C. 如果光阻之溫度被壓制較低以灰化在光阻表面i形成 (閱讀背面之注意事項再填寫本頁 -裝.
、1T -—冰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
A A7 : —_B7__ 五、發明説明(5 ) 的劣化層,則不致引起抽吸現象;因此,在灰化後質點之 數目和餘物之量可被大量減少;換言之,光阻之抽吸不因 原子圍量上的差異而引起,但它因未劣化層之光阻突爆而 引起,其被形成如光阻之較上層部分的劣化層所包圍,當 基體溫度被增大高於預定溫度時而引起;因此,該劣化層 必須在較低基體溫度被灰化不致引起抽吸,例如,低於150 〇 因為氧原子團之量可在相同室中被變化,灰化處理之 産能绝不被降级;另外,如果整個光阻被無陽離子和電子 的氧原子團灰化,則下置層絶不被灰化損隳。 作為增加氧原子團之量的裝置,可以想到增大用以産 生電漿的微波電力之~方法、增大引入電漿産生室中的氣 體之流通率之一方法、及增大原子團大氣壓力之一方法ς, 圖式簡塱說昍 第.一圖傺陳示在習知技藝中一電漿灰化設備之一結構 截面圖; 第二圖傺陳示在本發明之一實施例中使用的一灰化設 備之一組態的一結構圔; 第三圔係陳示在第二圖中所示灰化設備之一反應室的 一例之一截面圖; 第四圖葆說明在第二圖中所示灰化設備的一操作之一 流程圖; 第五Α至五C圖傜陳示在一半導體元件之製造處理中 使用的形成光阻之一劣化層之一步驟和灰化一光阻逢的一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I —-I— —--I - . - - - - I -! - --- 11 I---ml (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A 7 __ _B7___ 五、發明説明(S ) 步驟; 第六画偽陳示在與第二圖中所示的灰化設備之使用的 光阻之灰化處理中在一基體溫度上的改變和一灰化所用時 間之間關係的一圖;及 第七圖傜陳示在灰化餘物之量和用以執行具有劣化層 的光阻之灰化的一撤波電力間關傜的一画。 較佯奮旃例描沭 本發明之一實施例將參照於所伴隨圖式此後被詳細説 明:, 第二圖偽陳示在本發明之一實施例中使用的一灰化設 備之一組態的一結構圖;第三圖傺陳示在第二圖中所示灰 化設備之一反應室的一例之一截面圖, 在第二和三圖中所示的灰化設備傜下游型式者,且一 徹波引介室13被設在一反應室11之上方和以石英做的一微 波透射窗12被設在室13之下方以將它們分開;具有例如一 9 Omm直徑的一圓形石英被使用為微波透射窗1 2 一徹波波導14被連接於微波引介室13 ;徹波波導14將 被磁控管15産生的徹波(w波)引入微波引介室13 ;被磁 控管15産生的微波之電力可被連接於磁控管15的一微波電 源供應器16所調整;一自動調諧器17被装於微波波導14使 得通過徹波波導14傳播的徹波之電力可被自動調諧器1 7量 測。 一電漿産生室19藉以具有許多孔的一傳導性噴灑平板 18之方式區隔反應室11而被設在反應室Π中徹波透命窗12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -衣 訂 外 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 A7 B7____ 五、發明説明(7 ) 之下方;一氣體引介管20經由一岐管而被連接於多傾氣髏 供應源22a至2 2d ;通過該岐管之支管21a至21 d的氣體流動 率可分別被流量控制器2 3a至2 3d調整。 經由氣體引介管2 0被引入電漿産生室的反應氣體可被 透過撤波透射窗1 2的微波電漿化;因為在電漿中的陽離子 和電子被接地的噴灑平板18所捕獲或陷住,故只有中性活 化種樣('原子團)可從噴灑平板18之孔向下放電。 有一内建加熱器的一晶圓階台24被安裝在反應室11中 噴灑平板18之下方;多値排放埠25被設在位在一更低位置 的底部中;在反應室11之一内部中的壓力可被經由一排放 管2 6被連接於排放埠25的一排放邦浦(未示)所減小;在 反應室11之内部中的壓力可被安装於排放管26的自動壓力 控制器27所調整。 被對應流量控制器23a至23d的氣體流動宰、徹波電源 供應器16之電力、晶圓階台24之溫度、及來自自動壓力控 制器27的排放氣體可分別被一控制電路30調整;換言之, 從對應氣體源22a至22d供應的氣體流動率、從在反應室11 中對應氣體源22a至2 2d所供_的氣饋流動率比例、或在反 應室11中氣體之總流動率可藉以控制電路30之實務控制流 量控制器23a至23d而調整;另外,微波電源供應器16之一 輸出可被基於被自動調諧器17獲得的微波電力之一偵測值 的控制電路30所調整;更甚者,晶圖階台24之溫度可被控 制電路30控制;更者,在反應室11中的壓力可被自動壓力 控制器2 7控制以符合來自基於一壓力儀(未示)之i量測 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I 1 -- H - I - - - - - -· - 1 * - I - - -i m ----- HI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7_•一__ 五、發明説明(3 ) 值的控制電路3 0的一指示;因此,排放傳導之一調整可被 執行。 用以執行洌如在第四圖中所示的一流程圖的一程式被 安裝於控制電路3G上。 當一閘閥31被打開時,晶圓》可從一装載/卸下室32 被傳送到反應室11。 結果,藉上述灰化設備之使用以灰化具有劣化層部分 的光阻之一方法將在下面被説明。 光阻被用在雜質射入步驟中以形成如在第五A至五◦ 圖中所示的半導體元件。 在第五A圖中,一 P井4 2和一 N井4 3分別被形成在以矽 做的一半導髏基體41中;經由絶緣層45、44閛電極46、47 分別被形成在P井42和N井43上;N型低集中度雜質擴散層43 以一自我對齊方式被形成在P井42中的閘極46之兩端上; 相同地,P型低集中度雜質擴散層49以該自我對齊方式被 形成在N井4 3中的閘極4 7之兩端上;另外,絶緣邊壁50被 形成在閘極4 &上,且同時絶緣邊壁5 1被形成在閙極4 7上 以3103做的元件隔離層40被形成在N并43和P井42上。 /光阻52覆蓋在P井上的閘極46、η型雜質擴散層48、等 ;在此情況下,當Ρ型雜質以超過5XlfsatQnis/CiD2的劑量 被離子植入N井43以形成高集中度雜質擴散層53時,一劣 化層52a被形成在光阻52之一較上層部分;在此情形中, 如果光阻5 2之厚度被設定於1. 2 W π ,則劣化層5 2a被形成 為光阻之較上層部分以具有約20G至30Onm之一厚度:4 ___—— —__- - 11-~-----—--- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -衣 訂 I 冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 _ ________.. — __ ^-———- 五、發明説明(9 ) 其次,將η型雜質離子植入P并4 2之步驟將被説明,但 在如此步驟前光阻5 2必須先被灰化設備移去。 灰化處理傺沿著在第四圖中所示之一流程圖中所給的 程序被執行;首先反應室11内部之壓力被減小且然後晶圓 階台24被加熱到例如200 之溫度;然後,半導體基髏41 通過裝載/卸下室32被攜入反應室11中被置在晶圓階台24 上;緊接著此放置後,一閘閥3 1被關閉。 緊隨著半導體基體~ 4 1之置放己被完成後反應氣體被引 入反匾室11中,然後在反應室11中之壓力被調整於例如1 Τ 〇 r r,且然後在微波引介室13中的撤波之電力藉調整微波 電源供應器16而被設定低於例如約10G0W。 作為反應氣體,氣(:〇s)、氮(Na)、氫(H2)和四 氟化磺(CF4)之一混合氣體可被使用;各種氣體之流動 率可分別被流量控制器調整;例如,0a氣被設定於955 SC cm、Na氣被設定於485 seem、Ha氣被設定於15 sccffl、CFi 氣被設定於45 seen;在反應室中的如此壓力調整、反應 氣體之供應、及徹波電力之調整可在一短時間中被輕易執 行。 如在第六圖中所示的,緊接著基體41被放置在晶圓階 台24後半導體基體4 1之溫度低於約150 °C旦之後被逐漸增 大;一預定時間以經過後,半導體基體4 1之溫度飽和到15 0 °C 〇 經驗上已變得明顯地,在基體溫度和徹波電力之如此 情況下,光阻52之劣化層5 2a可被移去,並如在第iB圖 -:____r..L2_^- 本紙银尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_
、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(ίο ) 中所示的,光阻5 2之一未劣化層5 2 b可被暴露。 結果,如在第六圖.中所示的,藉增加微波電力高至15 OOW半導體基體41之溫度被逐漸增大到約200°C使得它變得 賁質上等於晶圓階台24;在這些情況下,氧原子團被增加 且因此一灰化率被加強到2至3 “ D/min ;經驗上已變得 明顙地,在30至50秒或少於從徹波電力之增加或基體溫度 之增加之開使所經過的時間,光阻52之餘留未劣化層52 b 可如在第五C圖中所示的完全被移去;如此微波電力之增 加或基體溫度之增加之一時序應在劣化層之灰化率己預先 被核査後對應於劣化層之厚度被設定;除非微波電力或基 體溫度被增加,否則灰化率被降低旦産能被減小 以上述的,光阻52之灰化處理已被完成,並因此反應 氣體之供應和撤波之引介被终止。 同時,如果劣化層52a之移除在少於15(TC之基體溫度 被執行,則不引起抽吸現象;結果,因油吸現象而産生的 光阻餘物和質點可被防止。 其次,使用具有一 8英吋直徑的半導體基·41,根據 上述方法以移除劣化層之實驗已被重覆以檢視在留存在半 導體基體4 1上質點之數目和徹波電力間的一關傜;然後, 在第七圖中所示的結果可被獲得。 在半導體元件之製造步驟中,一般被要求被灰化産生 的質點之數目應被壓到三十以下;為了滿足此條件,根據 第t圖,需要以灰化劣化層的微波電力可被歸纳在2 5 0至 1100 W之範圍中;另外,在微波電力是約75QW之情南中, --,1-3··~—--- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2Ι〇Χ29—7公釐) ϋ - - - - I - - -I ---1 - -1 i •士又 --I 1 I - - 5 « - 1- - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(11 ) 質點之餘物可被減至最低。 正常地徹波産生電力被設定於約1500 W;如果該電力 被減小低於約15 0 0 W ,刖氧原子圍之量可被減少;因此, 請注意到,電力之如此減少對劣化層之移除是有效的, 在灰化光阻之未劣化層中,並不需考慮抽吸現象、餘 物的産生、及質點之産生;特別是,較佳地徹波之電力# — 做的較高以增加氧原子園之量使得灰化率被增加更高;結 果,灰化步驟之産能可被改善;較佳地該微波産生電力應 被設定大於1500W以增加灰化率。 因為包括在電漿中的陽離子和電子並不包括在氧原子 團中,故不像包活陽離子和電子的灰化的,半導體基髏、 氧化膜、及其它層絶不損廣。 使用於灰化的元素之原子團的量可藉改變微波電力、 氣體之流動率、及壓力之至少一値而被調整;隨著這些參 數被增加更高原子圃之如此量被更增大。 .作為在上述灰化中使用的反應氣體,除了上述混合氣 體外,〇2和0卩4之一混合氣體、和CFd〇N2之一混合氣體 、一 〇»的氧混合氣體及其它氣醱、等等可被使用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --------.t-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此情形中,經驗上已變得明顯地,如果在氧混合氣 體中的〇^氣證以一 1〇5流動率%或更大被供應,則光阻之 劣化層之灰化可被加速;如果之流動率被做的過高, 則在半導體基體之表面上的氧化膜被蝕刻;因此,較佳地 如此流動率應被設定於小於 如果一氮氣被包括在一5至10流動率2之氧混合轰_中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 五、發明説明(l2 ,灰化率可被加強更高;因此,較佳地如此氮氣應被包括 灰化情況並不限於.上述條件;例如,在灰化菡理中的 壓力可被設定在0.5至2.OTorr之範圍中。 根據如上述的本發明,首先在光阻之表面上形成的劣 化層(雜質包含層)被氧原子團之最小量灰化以使劣化層 之移除為可能,且然後光阻之剩餘部分被增加的氧原子圍 灰化;結果,當壓制在光阻表面上劣化層支氣化時,每秒 光阻之,灰化可被增進因而劣化層可被移去。 因為整個光阻可被沒有陽離子和電子的氧原子圍所灰 化,故可防止光阻之下置層之損隳。 另外,在光阻之表面上的劣化層已被移去後光阻之剩 餘部分可藉增加氣原子團而以一高灰化率移去,使得灰化 處理之産能可被改善。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-
.1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 k, 元件编號對昭丟 1室 4基髏階台 13微波引介室 11反應室 12微波透射窗 徹波波導 15磁控管 16微波電源供應器 Π自動調諧器 19電漿産生室 2氣體供應管 5電源供應器 27自動壓力控制器 30控制電路 3 1鬧閥 32裝載/卸下室 42 P井 4 3 N井 41基體 44、45絶綠層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐 A7 B7 五、發明説明(l3 ) 3、18噴灑平板 20氣體引介管 2 2a-2 2d氣體供應源 21a-21d 支管 23a-23d流量控制器 24晶圓階台 6、25排放埠 26排放管 46、47閛極 48 N型低集中度雜質擴散層 49 P型低集中度雜質擴散層 50、51絶緣邊壁 52光阻 5 2 a劣化層 52b未劣化層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公^ f

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ DS 六'申請專利範圍 1 . 一種灰化方法,其包含有下列步驟: 在一下置層之一部分上形成光阻; 將元素離子植入該下置層和該光阻中; 將該光阻置入包括氣原子團的原子團大氣中,且 4 接著灰化包括該等雜質元素和在該光阻之一表面上形 成的一較上層部分;及 藉由增加該原子團大氣中之氧原子圍之量而灰化 該光阻之剩餘部分。 2 .依據申請專利範圍第1項之茨化方法,其中灰化該光 阻之較上層部分之該步驟和灰化該剩餘部分之該步驟 偽在一室中執行。 3 .依據申請專利範圍第i項之灰化方法,其中該氯原子 團傜藉將一微波輻射於一含氧氣體上而産生,且該氧 原子團之增加偽藉由改變該微波之電力而被執行.:, 4 .依據申請專利範圍第3項之灰化方法,其中氟化磺被 包括在該含氧氣體中。 5 .依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該氣原子 團之增加偽藉由增加該氧原子團所需的一材料氣護之 流量率而被執行。 6 .依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該氧原子 團之增加偽藉由增加該原子團大氣之壓力而被執行: 7 .依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該氧原子 團之增加偽在茯化該較上層部分之該步驟己完成後被 執行1 ____-17-____ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I -裝— I I I I I 訂— — I 外 (請先K讀背面之注意事項ί寫本頁) ABCD 六、申請專利範圍 8 .依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其更包含在灰 化該較上層部分之.該步驟已完成後增加該下置層之溫 度的步驟。 9 ·依據申請專利範圍第8項之灰化方法,其中該溫度之 增加係逐漸地執行。 10 .依據申請專利範圍第8項之灰化方法,其中該下置層 之溫度藉由增加該溫度而超過15 G°C。 11.依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該光阻之 較上層部分係藉由使該下置層之溫度高於150 ’C而被 灰化。 12 .依據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該下置層 偽為一層半導體層。 13 .泫據申請專利範圍第1項之灰化方法,其中該下置層 傜以矽做成。 n nn I --: . I —i - - --I— _ i - --1 (請先|«-讀^面之注意事項^^寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐)
TW087104101A 1997-09-19 1998-03-19 Ashing method TW382745B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25556497A JP3318241B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 アッシング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW382745B true TW382745B (en) 2000-02-21

Family

ID=17280481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087104101A TW382745B (en) 1997-09-19 1998-03-19 Ashing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6043004A (zh)
EP (1) EP0910118B1 (zh)
JP (1) JP3318241B2 (zh)
KR (1) KR100298259B1 (zh)
DE (1) DE69839721D1 (zh)
TW (1) TW382745B (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6417080B1 (en) * 1999-01-28 2002-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing residue of ion implanted photoresist, and method of producing semiconductor device
JP3449535B2 (ja) * 1999-04-22 2003-09-22 ソニー株式会社 半導体素子の製造方法
US6235453B1 (en) * 1999-07-07 2001-05-22 Advanced Micro Devices, Inc. Low-k photoresist removal process
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US20010027023A1 (en) * 2000-02-15 2001-10-04 Shigenori Ishihara Organic substance removing methods, methods of producing semiconductor device, and organic substance removing apparatuses
US6543617B2 (en) 2001-03-09 2003-04-08 International Business Machines Corporation Packaged radiation sensitive coated workpiece process for making and method of storing same
US6831018B2 (en) 2001-08-21 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
JP4838464B2 (ja) 2001-09-26 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP2003163212A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US6680164B2 (en) 2001-11-30 2004-01-20 Applied Materials Inc. Solvent free photoresist strip and residue removal processing for post etching of low-k films
KR100570205B1 (ko) * 2001-12-18 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 감광막 제거방법
US20030215962A1 (en) * 2002-05-14 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Integration of multiple processes within a single chamber
US6924157B1 (en) * 2002-10-21 2005-08-02 Advanced Micro Devices, Inc. Real time particle monitor inside of plasma chamber during resist strip processing
US6897162B2 (en) * 2003-10-20 2005-05-24 Wafermasters, Inc. Integrated ashing and implant annealing method
US20050158667A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Applied Materials, Inc. Solvent free photoresist strip and residue removal processing for post etching of low-k films
US20070186953A1 (en) * 2004-07-12 2007-08-16 Savas Stephen E Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
US20060042752A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Rueger Neal R Plasma processing apparatuses and methods
KR100661373B1 (ko) 2004-12-30 2006-12-27 매그나칩 반도체 유한회사 광촉매를 이용한 에싱 방법 및 에싱 장치
JP5011852B2 (ja) 2005-07-20 2012-08-29 富士通セミコンダクター株式会社 電子デバイスの製造方法
JP4739917B2 (ja) * 2005-11-07 2011-08-03 富士通セミコンダクター株式会社 レジストマスクの剥離方法
KR100736126B1 (ko) 2005-12-28 2007-07-06 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법
US20080261384A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-23 United Microelectronics Corp. Method of removing photoresist layer and method of fabricating semiconductor device using the same
JP5457109B2 (ja) 2009-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2013098054A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Ulvac Japan Ltd マイクロ波導入装置
JP2015037166A (ja) * 2013-08-16 2015-02-23 株式会社アルバック レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4511430A (en) * 1984-01-30 1985-04-16 International Business Machines Corporation Control of etch rate ratio of SiO2 /photoresist for quartz planarization etch back process
JPH0760820B2 (ja) * 1987-10-29 1995-06-28 日本電気株式会社 半導体製造装置
JP2785027B2 (ja) * 1989-01-10 1998-08-13 日本真空技術株式会社 プラズマアッシング方法
US5226056A (en) * 1989-01-10 1993-07-06 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Plasma ashing method and apparatus therefor
JPH04286317A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置のアッシング方法及びアッシング装置
JPH04352157A (ja) * 1991-05-30 1992-12-07 Toyota Autom Loom Works Ltd レジスト除去方法
JP3247722B2 (ja) * 1992-04-15 2002-01-21 東京応化工業株式会社 プラズマアッシング方法
JP3391410B2 (ja) * 1993-09-17 2003-03-31 富士通株式会社 レジストマスクの除去方法
JPH0869896A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Sony Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH08288260A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ヘリコン波プラズマ・アッシング方法
JPH0936103A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Ulvac Japan Ltd 半導体ウェハのエッチング及びレジスト除去のための方法並びに装置
US5795831A (en) * 1996-10-16 1998-08-18 Ulvac Technologies, Inc. Cold processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5811358A (en) * 1997-01-03 1998-09-22 Mosel Vitelic Inc. Low temperature dry process for stripping photoresist after high dose ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
JP3318241B2 (ja) 2002-08-26
DE69839721D1 (de) 2008-08-28
EP0910118B1 (en) 2008-07-16
JPH1197421A (ja) 1999-04-09
KR100298259B1 (ko) 2001-10-25
KR19990029149A (ko) 1999-04-26
US6043004A (en) 2000-03-28
EP0910118A1 (en) 1999-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW382745B (en) Ashing method
US9941108B2 (en) High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US8497213B2 (en) Plasma processing method
US20060201911A1 (en) Methods of etching photoresist on substrates
JP6598420B2 (ja) 改良されたデバイスインテグリティのためのフォトレジスト剥離プロセス
US20100178770A1 (en) Method of etching a thin film using pressure modulation
US7449414B2 (en) Method of treating a mask layer prior to performing an etching process
KR20110095908A (ko) 전공정 플라즈마 개재형 애싱 프로세스 및 장치
US20120024314A1 (en) Plasma mediated ashing processes
US7572386B2 (en) Method of treating a mask layer prior to performing an etching process
JP5586077B2 (ja) 水素ベースの化学反応による高用量注入後の剥離(hdis)
TW201611120A (zh) 用以提升光阻剝除性能及改質有機膜的過氧化物蒸氣處理
WO2008021609A1 (en) Method of treating a mask layer prior to performing an etching process
US20100216310A1 (en) Process for etching anti-reflective coating to improve roughness, selectivity and CD shrink
US7642193B2 (en) Method of treating a mask layer prior to performing an etching process
US20010027023A1 (en) Organic substance removing methods, methods of producing semiconductor device, and organic substance removing apparatuses
KR20020038644A (ko) 반도체 웨이퍼 애싱 방법
US5851906A (en) Impurity doping method
KR20010051965A (ko) 반도체장치 제조방법 및 장치
JP4278533B2 (ja) アッシング方法及びアッシング装置
Gottscho et al. Use of plasma processing in making integrated circuits and flat-panel displays
JP5727853B2 (ja) プラズマ生成方法
KR101333831B1 (ko) 반도체 소자의 표면 처리 방법 및 그 표면 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees