JPH0760820B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0760820B2 JPH0760820B2 JP62274415A JP27441587A JPH0760820B2 JP H0760820 B2 JPH0760820 B2 JP H0760820B2 JP 62274415 A JP62274415 A JP 62274415A JP 27441587 A JP27441587 A JP 27441587A JP H0760820 B2 JPH0760820 B2 JP H0760820B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor substrate
- lamp heater
- semiconductor manufacturing
- resist
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板上に形成されたレジスト膜を酸素を
主体として励起されたガス中で除去する装置に関する。
主体として励起されたガス中で除去する装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置では、チャンバー内で酸
素プラズマを発生させ、酸素プラズマにより物理化学的
にレジストを除去するもの、あるいは半導体基板を300
℃位に加熱し、マイクロ波励起した酸素ガスをチャンバ
ー内に導入して酸素ラジカルと加熱させた半導体基板上
のレジストとの熱化学反応によりレジストを除去するも
のがある。
素プラズマを発生させ、酸素プラズマにより物理化学的
にレジストを除去するもの、あるいは半導体基板を300
℃位に加熱し、マイクロ波励起した酸素ガスをチャンバ
ー内に導入して酸素ラジカルと加熱させた半導体基板上
のレジストとの熱化学反応によりレジストを除去するも
のがある。
上述した従来の半導体製造装置は、前者の場合、レジス
トが完全に除去できるまで半導体基板をプラズマ中に置
くため、プラズマによる物理的ダメージにより半導体素
子の耐圧を低下させるという欠点がある。
トが完全に除去できるまで半導体基板をプラズマ中に置
くため、プラズマによる物理的ダメージにより半導体素
子の耐圧を低下させるという欠点がある。
後者の場合、前者と同程度の剥離レートを得るためには
半導体基板を250〜300℃まで加熱する必要がある。通常
の変質していないレジストはプラズマによる物理的ダメ
ージもなく、高速に除去することが可能であるが、イオ
ン注入されて表面が硬化したレジストは半導体基板を25
0〜300℃まで加熱すると、レジスト表面の硬化層が剥が
れてゴミが発生したり、レジストが半導体基板に焼きつ
いて除去できなくなり半導体基板を汚染する原因となる
という欠点がある。
半導体基板を250〜300℃まで加熱する必要がある。通常
の変質していないレジストはプラズマによる物理的ダメ
ージもなく、高速に除去することが可能であるが、イオ
ン注入されて表面が硬化したレジストは半導体基板を25
0〜300℃まで加熱すると、レジスト表面の硬化層が剥が
れてゴミが発生したり、レジストが半導体基板に焼きつ
いて除去できなくなり半導体基板を汚染する原因となる
という欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体製造装置に対し、本発明は酸素プ
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して同一チャンバー
内で行うことができるという相違点を有する。
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して同一チャンバー
内で行うことができるという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体製造装置
は、チャンバーと、支持部と、ランプヒータと、制御部
と、マイクロ波導波管とを有する半導体製造装置であっ
て、 チャンバーは、酸素を主体として励起されたガス雰囲気
が形成され、その雰囲気中にて等方的なエッチング処理
が行われるものであり、 支持部は、エッチング処理される半導体基板をチャンバ
ー内に支持するものであり、 ランプヒータは、チャンバー内の半導体基板を加熱する
ものであり、 制御部は、半導体基板の温度を測定し、ランプヒータに
よる基板の加熱温度を制御するものであり、 マイクロ波導波管は、励起したガスをチャンバー内に導
入するものであり、 対をなす電極は、チャンバー内の半導体基板へ入射する
イオンエネルギーを最小にするため、該半導体基板に対
して平行な方向に電界を生じさせるものである。
は、チャンバーと、支持部と、ランプヒータと、制御部
と、マイクロ波導波管とを有する半導体製造装置であっ
て、 チャンバーは、酸素を主体として励起されたガス雰囲気
が形成され、その雰囲気中にて等方的なエッチング処理
が行われるものであり、 支持部は、エッチング処理される半導体基板をチャンバ
ー内に支持するものであり、 ランプヒータは、チャンバー内の半導体基板を加熱する
ものであり、 制御部は、半導体基板の温度を測定し、ランプヒータに
よる基板の加熱温度を制御するものであり、 マイクロ波導波管は、励起したガスをチャンバー内に導
入するものであり、 対をなす電極は、チャンバー内の半導体基板へ入射する
イオンエネルギーを最小にするため、該半導体基板に対
して平行な方向に電界を生じさせるものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図におい
て、金属等の素材からなる気密チャンバー１内には一対
の電極３を絶縁体２を介して設け、これらの電極３は横
方向に配列してあり、両電極3,3間には高周波電源４か
らの高周波電力を印加し、ウェハー13へ入射するイオン
エネルギーを最小にするため、ウェハー13に対して平行
な方向に電界を生じさせるようになっている。チャンバ
ー１の側面にはマイクロ波導波管６内で励起された酸素
ラジカルをチャンバー内に導入するためのガス供給口11
が設けられている。ウェハー13はウェハー支持ピン９に
より支えられウェハー13を裏面から加熱するランプヒー
タ７と反射板８が設けられている。チャンバー１の上部
にはウェハー温度を測定する赤外線温度センサ５が設置
され、コンピュータ10を介してランプヒータ７に接続さ
れており、コンピュータ10、ランプヒータ７、センサ５
等によりウェハー温度をコントロールする制御部が構成
される。
て、金属等の素材からなる気密チャンバー１内には一対
の電極３を絶縁体２を介して設け、これらの電極３は横
方向に配列してあり、両電極3,3間には高周波電源４か
らの高周波電力を印加し、ウェハー13へ入射するイオン
エネルギーを最小にするため、ウェハー13に対して平行
な方向に電界を生じさせるようになっている。チャンバ
ー１の側面にはマイクロ波導波管６内で励起された酸素
ラジカルをチャンバー内に導入するためのガス供給口11
が設けられている。ウェハー13はウェハー支持ピン９に
より支えられウェハー13を裏面から加熱するランプヒー
タ７と反射板８が設けられている。チャンバー１の上部
にはウェハー温度を測定する赤外線温度センサ５が設置
され、コンピュータ10を介してランプヒータ７に接続さ
れており、コンピュータ10、ランプヒータ７、センサ５
等によりウェハー温度をコントロールする制御部が構成
される。
このような構成によりウェハー13上のレジスト膜が変質
していない場合にはタンプヒータ７によりウェハー13を
例えば250〜300℃に加熱して、次に例えば2.45GHzのマ
イクロ波導波管６で励起された酸素ガスをチャンバー１
内に導入することにより、高速かつ物理的ダメージを与
えずレジストを除去できる。また、イオン注入などによ
りレジスト表面が硬化している場合には、まずマイクロ
波導波管６で励起された酸素ガスを導入しつつ電極３間
に例えば13.56MHzの高周波電力を印加してチャンバー内
でプラズマを発生させ、酸素プラズマにおりレジスト表
面の硬化層を除去して、その後、高周波電力印加を停止
し、連続してランプヒータ７によりウェハー13を例えば
250〜300℃に加熱することにより、イオン注入を行った
レジストでも高速、かつ物理的ダメージを与えずに除去
できる。
していない場合にはタンプヒータ７によりウェハー13を
例えば250〜300℃に加熱して、次に例えば2.45GHzのマ
イクロ波導波管６で励起された酸素ガスをチャンバー１
内に導入することにより、高速かつ物理的ダメージを与
えずレジストを除去できる。また、イオン注入などによ
りレジスト表面が硬化している場合には、まずマイクロ
波導波管６で励起された酸素ガスを導入しつつ電極３間
に例えば13.56MHzの高周波電力を印加してチャンバー内
でプラズマを発生させ、酸素プラズマにおりレジスト表
面の硬化層を除去して、その後、高周波電力印加を停止
し、連続してランプヒータ７によりウェハー13を例えば
250〜300℃に加熱することにより、イオン注入を行った
レジストでも高速、かつ物理的ダメージを与えずに除去
できる。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板に平行
な方向に電界を生じさせて、該基板へ入射するイオンエ
ネルギーを最小にするため、ダメージのない等方的なエ
ッチング処理を半導体基板に行うことができる。さら
に、同一チャンバー内で酸素プラズマによるレジスト除
去と、マイクロ波励起した酸素ラジカルによるレジスト
除去を連続して行うことにより、イオン注入により表面
が硬化したレジストでも高速、かつ半導体素子に物理的
ダメージを与えることなく除去できる効果がある。
な方向に電界を生じさせて、該基板へ入射するイオンエ
ネルギーを最小にするため、ダメージのない等方的なエ
ッチング処理を半導体基板に行うことができる。さら
に、同一チャンバー内で酸素プラズマによるレジスト除
去と、マイクロ波励起した酸素ラジカルによるレジスト
除去を連続して行うことにより、イオン注入により表面
が硬化したレジストでも高速、かつ半導体素子に物理的
ダメージを与えることなく除去できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。 １……チャンバー、２……絶縁体 ３……電極、４……高周波電源 ５……赤外線温度センサ、６……マイクロ波導波管 ７……ランプヒータ、８……反射板 ９……ウェハー支持ピン、10……コンピュータ 11……ガス供給口、12……排気口 13……ウェハー
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバーと、支持部と、ランプヒータ
と、制御部と、マイクロ波導波管とを有する半導体製造
装置であって、 チャンバーは、酸素を主体として励起されたガス雰囲気
が形成され、その雰囲気中にて等方的なエッチング処理
が行われるものであり、 支持部は、エッチング処理される半導体基板をチャンバ
ー内に支持するものであり、 ランプヒータは、チャンバー内の半導体基板を加熱する
ものであり、 制御部は、半導体基板の温度を測定し、ランプヒータに
よる基板の加熱温度を制御するものであり、 マイクロ波導波管は、励起したガスをチャンバー内に導
入するものであり、 対をなす電極は、チャンバー内の半導体基板へ入射する
イオンエネルギーを最小にするため、該半導体基板に対
して平行な方向に電界を生じさせるものであることを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274415A JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274415A JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117033A JPH01117033A (ja) | 1989-05-09 |
| JPH0760820B2 true JPH0760820B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17541353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274415A Expired - Lifetime JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760820B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3318241B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-08-26 | 富士通株式会社 | アッシング方法 |
| JP2018531324A (ja) | 2015-10-09 | 2018-10-25 | 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 加熱装置および加熱チャンバ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289882A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エツチング方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62274415A patent/JPH0760820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01117033A (ja) | 1989-05-09 |
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