JPH01117033A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01117033A JPH01117033A JP27441587A JP27441587A JPH01117033A JP H01117033 A JPH01117033 A JP H01117033A JP 27441587 A JP27441587 A JP 27441587A JP 27441587 A JP27441587 A JP 27441587A JP H01117033 A JPH01117033 A JP H01117033A
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- Japan
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- chamber
- wafer
- oxygen
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- Granted
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に形成されたレジスト膜を酸素を
主体とした励起されたガス中で除去する装置に関する。
主体とした励起されたガス中で除去する装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置では、チャンバー内で酸
素プラズマを発生させ、酸素プラズマにより物理化学的
にレジストを除去するもの、あるいは半導体基板を３０
０℃位に加熱し、マイクロ波励起した酸素ガスをチャン
バー内に導入して酸素ラジカルと加熱された半導体基板
上のレジストとの熱化学反応によりレジストを除去する
ものがある。
素プラズマを発生させ、酸素プラズマにより物理化学的
にレジストを除去するもの、あるいは半導体基板を３０
０℃位に加熱し、マイクロ波励起した酸素ガスをチャン
バー内に導入して酸素ラジカルと加熱された半導体基板
上のレジストとの熱化学反応によりレジストを除去する
ものがある。
上述した従来の半導体製造装置は、前者の場合、レジス
トが完全に除去できるまで半導体基板をプラズマ中に置
くため、プラズマによる物理的ダメージにより半導体素
子の耐圧を低下させるという欠点がある。
トが完全に除去できるまで半導体基板をプラズマ中に置
くため、プラズマによる物理的ダメージにより半導体素
子の耐圧を低下させるという欠点がある。
後者の場合、前者と同程度の剥離レートを得るためには
半導体基板を２５０〜３００℃まで加熱する必要がある
。通常の変質していないレジストはプラズマによる物理
的ダメージもなく、高速に除去することが可能であるが
、イオン注入されて表面が硬化したレジストは半導体基
板を２５０〜３００℃まで加熱すると、レジスト表面の
硬化層が剥がれてゴミが発生したり、レジストが半導体
基板に焼きついて除去できなくなり半導体基板を汚染す
る原因となるという欠点がある。
半導体基板を２５０〜３００℃まで加熱する必要がある
。通常の変質していないレジストはプラズマによる物理
的ダメージもなく、高速に除去することが可能であるが
、イオン注入されて表面が硬化したレジストは半導体基
板を２５０〜３００℃まで加熱すると、レジスト表面の
硬化層が剥がれてゴミが発生したり、レジストが半導体
基板に焼きついて除去できなくなり半導体基板を汚染す
る原因となるという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体製造装置に対し、本発明は酸素プ
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して同一チャンバー
内で行うことができるという相違点を有する。
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して同一チャンバー
内で行うことができるという相違点を有する。
本発明は半導体基板上に形成されたレジスト膜を、酸素
を主体とした励起されたガス中に入れて除去する装置に
おいて、ガスを励起するマイクロ波導波管と、チャンバ
ー内でプラズマを発生させる電極と、半導体基板の温度
を制御する制御部とを有することを特徴とする半導体製
造装置である。
を主体とした励起されたガス中に入れて除去する装置に
おいて、ガスを励起するマイクロ波導波管と、チャンバ
ー内でプラズマを発生させる電極と、半導体基板の温度
を制御する制御部とを有することを特徴とする半導体製
造装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、金属等の素材からなる気密チャンバー１内には一対の
電極３を絶縁体２を介して配設し、面電極３，３間には
高周波電源４からの高周波電力を印加する。チャンバー
１の側面にはマイクロ波導波管６内で励起された酸素ラ
ジカルをチャンバー内に導入するためのガス供給口１１
が設けられている。ウェハー１３はウェハー支持ピン９
により支えられウェハー１３を裏面から加熱するランプ
ヒータ７と反射板８が設けられている。チャンバー１の
上部にはウェハー温度を測定する赤外線温度センサ５が
設置され、コンピュータ１０を介してランプヒータ７に
接続されており、コンピュータ１０、ランプヒータ７、
センサ５等によりウェハー温度をコントロールする制御
部が構成される。
、金属等の素材からなる気密チャンバー１内には一対の
電極３を絶縁体２を介して配設し、面電極３，３間には
高周波電源４からの高周波電力を印加する。チャンバー
１の側面にはマイクロ波導波管６内で励起された酸素ラ
ジカルをチャンバー内に導入するためのガス供給口１１
が設けられている。ウェハー１３はウェハー支持ピン９
により支えられウェハー１３を裏面から加熱するランプ
ヒータ７と反射板８が設けられている。チャンバー１の
上部にはウェハー温度を測定する赤外線温度センサ５が
設置され、コンピュータ１０を介してランプヒータ７に
接続されており、コンピュータ１０、ランプヒータ７、
センサ５等によりウェハー温度をコントロールする制御
部が構成される。
このような構成によりウェハー１３上のレジスト膜が変
質していない場合にはランプヒータ７によりウェハー１
３を例えば２５０〜３００℃に加熱して、次に例えば２
．４５ＧＨｚのマイクロ波導波管６で励起された酸素ガ
スをチャンバー１内に導入することにより、高速かつ物
理的ダメージを与えずレジストを除去できる。また、イ
オン注入などによりレジスト表面が硬化している場合に
は、まずマイクロ波導波管６で励起された酸素ガスを導
入しつつ電極３間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加してチャンバー内でプラズマを発生させ、酸素
プラズマによりレジスト表面の硬化層を除去して、その
後、高周波電力印加を停止し、連続してランプヒータフ
によりウェハー１３を例えば２５０〜３００℃に加熱す
ることにより、イオン注入を行ったレジストでも高速、
かつ物理的ダメージを与えずに除去できる。
質していない場合にはランプヒータ７によりウェハー１
３を例えば２５０〜３００℃に加熱して、次に例えば２
．４５ＧＨｚのマイクロ波導波管６で励起された酸素ガ
スをチャンバー１内に導入することにより、高速かつ物
理的ダメージを与えずレジストを除去できる。また、イ
オン注入などによりレジスト表面が硬化している場合に
は、まずマイクロ波導波管６で励起された酸素ガスを導
入しつつ電極３間に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加してチャンバー内でプラズマを発生させ、酸素
プラズマによりレジスト表面の硬化層を除去して、その
後、高周波電力印加を停止し、連続してランプヒータフ
によりウェハー１３を例えば２５０〜３００℃に加熱す
ることにより、イオン注入を行ったレジストでも高速、
かつ物理的ダメージを与えずに除去できる。
以上説明したように本発明は同一チャンバー内で酸素プ
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して行うことにより
、イオン注入により表面が硬化したレジストでも高速、
かつ半導体素子に物理的ダメージを与えることなく除去
できる効果がある。
ラズマによるレジスト除去と、マイクロ波励起した酸素
ラジカルによるレジスト除去を連続して行うことにより
、イオン注入により表面が硬化したレジストでも高速、
かつ半導体素子に物理的ダメージを与えることなく除去
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・チャンバー ２・・・絶縁体３・・・電
極 ４・・・高周波電源、５・・・赤外
線温度センサ ６・・・マイクロ波導波管７・・・ラン
プヒータ ８・・・反射板９・・・ウェハー支持
ピン １０・・・コンピュータ１１・・・ガス供給口
１２・・・排気口１３・・・ウェハー
極 ４・・・高周波電源、５・・・赤外
線温度センサ ６・・・マイクロ波導波管７・・・ラン
プヒータ ８・・・反射板９・・・ウェハー支持
ピン １０・・・コンピュータ１１・・・ガス供給口
１２・・・排気口１３・・・ウェハー
Claims (1)
- （１）半導体基板上に形成されたレジスト膜を、酸素を
主体とした励起されたガス中に入れて除去する装置にお
いて、ガスを励起するマイクロ波導波管と、チャンバー
内でプラズマを発生させる電極と、半導体基板の温度を
制御する制御部とを有することを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274415A JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274415A JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117033A true JPH01117033A (ja) | 1989-05-09 |
| JPH0760820B2 JPH0760820B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17541353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274415A Expired - Lifetime JPH0760820B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760820B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043004A (en) * | 1997-09-19 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Ashing method |
| US10937672B2 (en) | 2015-10-09 | 2021-03-02 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Heating device and heating chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289882A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エツチング方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62274415A patent/JPH0760820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289882A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エツチング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043004A (en) * | 1997-09-19 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Ashing method |
| US10937672B2 (en) | 2015-10-09 | 2021-03-02 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Heating device and heating chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760820B2 (ja) | 1995-06-28 |
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