JP3247722B2 - プラズマアッシング方法 - Google Patents
プラズマアッシング方法Info
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- JP3247722B2 JP3247722B2 JP12133692A JP12133692A JP3247722B2 JP 3247722 B2 JP3247722 B2 JP 3247722B2 JP 12133692 A JP12133692 A JP 12133692A JP 12133692 A JP12133692 A JP 12133692A JP 3247722 B2 JP3247722 B2 JP 3247722B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料（以下ウェハとす
る）をプラズマに直接曝さないようにした所謂ダウンス
トリームタイプのアッシング方法に関する。
る）をプラズマに直接曝さないようにした所謂ダウンス
トリームタイプのアッシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近では１６ＭｂｉｔＤＲＡＭ等の高集
積化されたデバイスが試作されている。斯かるデバイス
は多数の工程を経て作製されるが、そのうちの１つの工
程としてウェハ表面の所望の位置にレジストマスクを介
してイオンを注入し、更に注入後に当該レジスト膜をア
ッシング（剥離）する工程がある。
積化されたデバイスが試作されている。斯かるデバイス
は多数の工程を経て作製されるが、そのうちの１つの工
程としてウェハ表面の所望の位置にレジストマスクを介
してイオンを注入し、更に注入後に当該レジスト膜をア
ッシング（剥離）する工程がある。
【０００３】上記したレジスト膜のアッシングにおい
て、レジスト膜がハイドーズしたイオン注入レジスト膜
であったり、エッチング後の変質したレジスト膜である
場合にはアッシングしにくいので、従来にあってはプラ
ズマを発生するための対向電極の一方をステージとし、
このステージ上にウェハを載置することで、ウェハをプ
ラズマ発生領域内におく所謂ダイレクト電極タイプの装
置を用いてアッシングを行っている。
て、レジスト膜がハイドーズしたイオン注入レジスト膜
であったり、エッチング後の変質したレジスト膜である
場合にはアッシングしにくいので、従来にあってはプラ
ズマを発生するための対向電極の一方をステージとし、
このステージ上にウェハを載置することで、ウェハをプ
ラズマ発生領域内におく所謂ダイレクト電極タイプの装
置を用いてアッシングを行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したイオン注入レ
ジスト膜や変質したレジスト膜をダイレクト電極タイプ
の装置を用いてアッシングを行なう場合、処理中にレジ
スト膜温度も上昇するため、処理時にレジスト膜のバー
スト現象が起きないように連続処理時の飽和温度を考慮
して初期温度設定を行なわなければならない。このた
め、最初の１枚目のウェハにおいては最大限のエッチン
グレートを得ることができないばかりか、プラズマ中に
曝すため図３のグラフからも明らかなように必要以上の
酸素イオン（Ｏ2 +）が照射されることになり、結果的に
デバイスへの過度のチャージアップが起こりゲート酸化
膜は破壊される等ウェハに対するダメージが大きい。
ジスト膜や変質したレジスト膜をダイレクト電極タイプ
の装置を用いてアッシングを行なう場合、処理中にレジ
スト膜温度も上昇するため、処理時にレジスト膜のバー
スト現象が起きないように連続処理時の飽和温度を考慮
して初期温度設定を行なわなければならない。このた
め、最初の１枚目のウェハにおいては最大限のエッチン
グレートを得ることができないばかりか、プラズマ中に
曝すため図３のグラフからも明らかなように必要以上の
酸素イオン（Ｏ2 +）が照射されることになり、結果的に
デバイスへの過度のチャージアップが起こりゲート酸化
膜は破壊される等ウェハに対するダメージが大きい。
【０００５】特に、リンがハイドーズされたレジスト膜
においてはドーズ処理中にレジスト膜の温度が上がりレ
ジスト膜中の樹脂成分をリンが架橋せしめるため、アッ
シングは一層困難となる。この結合を切断するには高エ
ネルギーを有する酸素イオンが必要となってくるが、酸
素イオン照射が過多になると前述のようにゲート酸化膜
の破壊が起こり好ましくない。
においてはドーズ処理中にレジスト膜の温度が上がりレ
ジスト膜中の樹脂成分をリンが架橋せしめるため、アッ
シングは一層困難となる。この結合を切断するには高エ
ネルギーを有する酸素イオンが必要となってくるが、酸
素イオン照射が過多になると前述のようにゲート酸化膜
の破壊が起こり好ましくない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、チャンバー上部の一部に対向する電極を配置
し、これら電極間をプラズマ発生領域とし、このプラズ
マ発生領域から離れたチャンバーの下部のベースプレー
トに真空ポンプにつながる吸引通路を設け、ベースプレ
ートの開口下方から臨む試料載置ステージに試料をセッ
トして試料表面のレジスト膜を剥離するようにしたプラ
ズマアッシング方法において、チャンバー内の真空度等
を調整することによって試料表面に供給される酸素イオ
ン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）を
０．４以下で１．０以上の範囲にコントロールするよう
にした。
発明は、チャンバー上部の一部に対向する電極を配置
し、これら電極間をプラズマ発生領域とし、このプラズ
マ発生領域から離れたチャンバーの下部のベースプレー
トに真空ポンプにつながる吸引通路を設け、ベースプレ
ートの開口下方から臨む試料載置ステージに試料をセッ
トして試料表面のレジスト膜を剥離するようにしたプラ
ズマアッシング方法において、チャンバー内の真空度等
を調整することによって試料表面に供給される酸素イオ
ン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）を
０．４以下で１．０以上の範囲にコントロールするよう
にした。
【０００７】
【作用】ウェハから離れた場所で発生したプラズマ中の
酸素イオンを必要な量だけウェハ上に供給するようにし
たため、ダイレクト電極タイプの装置を用いた従来の方
法のようにプラズマ発生領域に直接曝されることがなく
なり、高アッシングレートと低ダメージの双方を実現す
ることができる。又、必要最小限の酸素イオンの供給が
可能であるため、デバイスへのチャージアップの少ない
アッシングが可能となる。又、リンやヒ素をイオン注入
したウェハ上のレジスト膜をプラズマによってアッシン
グしたときにリンやヒ素の酸化物がウェハ表面に残るこ
とがあるが、このような場合、本発明のプラズマアッシ
ングを施した後に、例えばリンが注入されたときには酸
素ガスとフロン系ガスとを混合したガスを用いプラズマ
化すれば、ウェハ表面に堆積した上記酸化物を除去する
ことができ、ヒ素のときには、水素や水を使用して還元
すれば、これらを除去することができるので更に好まし
い。
酸素イオンを必要な量だけウェハ上に供給するようにし
たため、ダイレクト電極タイプの装置を用いた従来の方
法のようにプラズマ発生領域に直接曝されることがなく
なり、高アッシングレートと低ダメージの双方を実現す
ることができる。又、必要最小限の酸素イオンの供給が
可能であるため、デバイスへのチャージアップの少ない
アッシングが可能となる。又、リンやヒ素をイオン注入
したウェハ上のレジスト膜をプラズマによってアッシン
グしたときにリンやヒ素の酸化物がウェハ表面に残るこ
とがあるが、このような場合、本発明のプラズマアッシ
ングを施した後に、例えばリンが注入されたときには酸
素ガスとフロン系ガスとを混合したガスを用いプラズマ
化すれば、ウェハ表面に堆積した上記酸化物を除去する
ことができ、ヒ素のときには、水素や水を使用して還元
すれば、これらを除去することができるので更に好まし
い。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いるア
ッシング装置の概略構成図であり、アッシング装置はベ
ースプレート１に開口２を形成し、この開口２を覆うよ
うに上部を筒状とし下部をベルジャー型とした合成石英
製のチャンバー３を固定し、このチャンバー３の上部外
周には一対の電極４，５を取り付け、一方の電極４を１
３．５６ＭＨzの高周波発振器６に接続し、他方の電極
５を接地している。
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いるア
ッシング装置の概略構成図であり、アッシング装置はベ
ースプレート１に開口２を形成し、この開口２を覆うよ
うに上部を筒状とし下部をベルジャー型とした合成石英
製のチャンバー３を固定し、このチャンバー３の上部外
周には一対の電極４，５を取り付け、一方の電極４を１
３．５６ＭＨzの高周波発振器６に接続し、他方の電極
５を接地している。
【０００９】また、ベースプレート１の開口２には下方
からウェハＷの載置ステージ７を臨ませている。このス
テージ７は最も上昇した位置（図の位置）で開口２に密
に嵌合し、下降した位置でウェハＷの受け渡しを行な
い、内部にはウェハＷを加熱するヒータ８を内蔵してい
る。更に、チャンバー３の上端には反応ガス（Ｏ2）の
導入口９を設け、ベースプレート１には真空ポンプにつ
ながる吸引通路１０を形成している。
からウェハＷの載置ステージ７を臨ませている。このス
テージ７は最も上昇した位置（図の位置）で開口２に密
に嵌合し、下降した位置でウェハＷの受け渡しを行な
い、内部にはウェハＷを加熱するヒータ８を内蔵してい
る。更に、チャンバー３の上端には反応ガス（Ｏ2）の
導入口９を設け、ベースプレート１には真空ポンプにつ
ながる吸引通路１０を形成している。
【００１０】而して、ステージ７上にウェハＷをセット
して開口２を閉じ、チャンバー３内を減圧するとともに
導入口９から反応ガスをチャンバー３内に導入し、電極
４に高周波を印加すると、電極４，５間でプラズマが発
生する。このときプラズマ中には、Ｏ2、Ｏ、Ｏ*、
Ｏ+、Ｏ2 +、Ｏ3 +、Ｏ-、Ｏ2 -、Ｏ3 -が混在するが、チャ
ンバー内の真空度を所望の範囲に調整しておけば、活性
化した酸素イオンＯ2 +と酸素ラジカルＯ*とが所望の割
合でウェハＷ表面に降り注がれこの酸素イオン（Ｏ2 +）
のアシストによりウェハＷ表面に形成されているレジス
ト膜が分解除去される。
して開口２を閉じ、チャンバー３内を減圧するとともに
導入口９から反応ガスをチャンバー３内に導入し、電極
４に高周波を印加すると、電極４，５間でプラズマが発
生する。このときプラズマ中には、Ｏ2、Ｏ、Ｏ*、
Ｏ+、Ｏ2 +、Ｏ3 +、Ｏ-、Ｏ2 -、Ｏ3 -が混在するが、チャ
ンバー内の真空度を所望の範囲に調整しておけば、活性
化した酸素イオンＯ2 +と酸素ラジカルＯ*とが所望の割
合でウェハＷ表面に降り注がれこの酸素イオン（Ｏ2 +）
のアシストによりウェハＷ表面に形成されているレジス
ト膜が分解除去される。
【００１１】即ち、図２に示すように、従来例で示され
る図３とは全く異なった酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジ
カル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）を得るようにチャンバー
内の真空度を調整することにより、ウェハＷ表面に供給
される酸素イオン（Ｏ2 +）をコントロールすることがで
きる。ここで、本発明においてはＯ2 +は５３０ｎｍと５
６０ｎｍに、またＯ*は７８０ｎｍの波長に現れる吸収
ピークの面積をもって測定し、Ｏ2 +／Ｏ*を求め、０．
２〜１０．０の範囲にコントロールすることによって本
発明の目的が達成される。この場合のＯ2 +とＯ*の吸収
ピークはウェハの直上で測定する必要がある。
る図３とは全く異なった酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジ
カル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）を得るようにチャンバー
内の真空度を調整することにより、ウェハＷ表面に供給
される酸素イオン（Ｏ2 +）をコントロールすることがで
きる。ここで、本発明においてはＯ2 +は５３０ｎｍと５
６０ｎｍに、またＯ*は７８０ｎｍの波長に現れる吸収
ピークの面積をもって測定し、Ｏ2 +／Ｏ*を求め、０．
２〜１０．０の範囲にコントロールすることによって本
発明の目的が達成される。この場合のＯ2 +とＯ*の吸収
ピークはウェハの直上で測定する必要がある。
【００１２】そして、供給される酸素イオン（Ｏ2 +）と
酸素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）が０．２〜１
０．０の範囲に調整されているため、高アッシングレー
トと低ダメージのアッシングが得られる。ここで前記比
が１０．０を超えるとチャージアップが大きくなり、ま
た０．２未満のときにはダメージは小となるが全く剥離
されないか又は剥離されても不当に時間がかかり実用的
ではない。更に好ましくは０．４〜１．０の範囲であ
る。
酸素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）が０．２〜１
０．０の範囲に調整されているため、高アッシングレー
トと低ダメージのアッシングが得られる。ここで前記比
が１０．０を超えるとチャージアップが大きくなり、ま
た０．２未満のときにはダメージは小となるが全く剥離
されないか又は剥離されても不当に時間がかかり実用的
ではない。更に好ましくは０．４〜１．０の範囲であ
る。
【００１３】以下に具体的な実験例について説明する。
先ず、６インチシリコンウェハ上に東京応化工業（株）
製ポジ型ホトレジストＯＦＰＲ−８００を使用してパタ
ーンニングしたレジスト膜をマスクとして、リンをイオ
ン注入したウェハ上のレジスト膜をプラズマアッシング
するため、図１に示す東京応化工業（株）製プラズマア
ッシング装置ＴＣＡ−２４００を使用し、酸素ガスを４
００ｓｃｃｍ、圧力を０．５ｔｏｒｒ、ＲＦ出力を４０
０Ｗ、ステージ温度を１２０℃の条件下で、プラズマア
ッシングしたところ、Ｏ2 +／Ｏ*比は０．６でウェハＷ
にダメージはなくアッシングできた。また、圧力を変動
させて同様にレジスト膜をプラズマアッシングしたとこ
ろ、Ｏ2 +／Ｏ*比が１０．０を超えたときにはウェハＷ
にチャージアップが確認され、０．２未満のときにはア
ッシング除去されるのに不当に時間がかかった。
先ず、６インチシリコンウェハ上に東京応化工業（株）
製ポジ型ホトレジストＯＦＰＲ−８００を使用してパタ
ーンニングしたレジスト膜をマスクとして、リンをイオ
ン注入したウェハ上のレジスト膜をプラズマアッシング
するため、図１に示す東京応化工業（株）製プラズマア
ッシング装置ＴＣＡ−２４００を使用し、酸素ガスを４
００ｓｃｃｍ、圧力を０．５ｔｏｒｒ、ＲＦ出力を４０
０Ｗ、ステージ温度を１２０℃の条件下で、プラズマア
ッシングしたところ、Ｏ2 +／Ｏ*比は０．６でウェハＷ
にダメージはなくアッシングできた。また、圧力を変動
させて同様にレジスト膜をプラズマアッシングしたとこ
ろ、Ｏ2 +／Ｏ*比が１０．０を超えたときにはウェハＷ
にチャージアップが確認され、０．２未満のときにはア
ッシング除去されるのに不当に時間がかかった。
【００１４】尚、実施例にあっては真空度を調整するこ
とによってＯ2 +／Ｏ*比をコントロールするようにして
いる。つまり、酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル（Ｏ
*）とは寿命が異なるため、真空度を調整することによ
ってウェハＷ表面まで到達する酸素イオン（Ｏ2 +）及び
酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度が異なってくるので、Ｏ2 +
／Ｏ*比をコントロールするようにしている。しかしな
がら、Ｏ2 +／Ｏ*比のコントロールについては真空度に
限らず、例えばプラズマ発生領域とウェハＷとの距離、
ガス流量等によってコントロールすることもできる。
とによってＯ2 +／Ｏ*比をコントロールするようにして
いる。つまり、酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル（Ｏ
*）とは寿命が異なるため、真空度を調整することによ
ってウェハＷ表面まで到達する酸素イオン（Ｏ2 +）及び
酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度が異なってくるので、Ｏ2 +
／Ｏ*比をコントロールするようにしている。しかしな
がら、Ｏ2 +／Ｏ*比のコントロールについては真空度に
限らず、例えばプラズマ発生領域とウェハＷとの距離、
ガス流量等によってコントロールすることもできる。
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ダウンストリームタイプのアッシング装置でアッシング
するにあたり、チャンバー内の真空度を調整することに
より、ウェハ表面に供給される酸素イオン（Ｏ2 +）と酸
素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）をコントロールし
て、プラズマ中の酸素イオン（Ｏ2 +）を必要な量だけウ
ェハ上に供給するようにしたので、ウェハのダメージを
抑制しつつアッシングレートを高くすることができる。
ダウンストリームタイプのアッシング装置でアッシング
するにあたり、チャンバー内の真空度を調整することに
より、ウェハ表面に供給される酸素イオン（Ｏ2 +）と酸
素ラジカル（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）をコントロールし
て、プラズマ中の酸素イオン（Ｏ2 +）を必要な量だけウ
ェハ上に供給するようにしたので、ウェハのダメージを
抑制しつつアッシングレートを高くすることができる。
【図１】本発明方法の実施に用いるアッシング装置の概
略構成図
略構成図
【図２】本発明方法におけるウェハ上の酸素イオン（Ｏ
2 +）と酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度（スペクトル強度）
を示すグラフ
2 +）と酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度（スペクトル強度）
を示すグラフ
【図３】従来法におけるウェハ上の酸素イオン（Ｏ2 +）
と酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度（スペクトル強度）を示
すグラフ
と酸素ラジカル（Ｏ*）の濃度（スペクトル強度）を示
すグラフ
１…ベースプレート、２…開口、３…チャンバー、４，
５…電極、６…高周波発振器、７…ステージ、８…ヒー
タ、９…反応ガス導入口、１０…吸引通路、Ｗ…ウェハ
（試料）。
５…電極、６…高周波発振器、７…ステージ、８…ヒー
タ、９…反応ガス導入口、１０…吸引通路、Ｗ…ウェハ
（試料）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−243546（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−16733（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219620（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバー上部の一部に対向する電極を
配置し、これら電極間をプラズマ発生領域とし、このプ
ラズマ発生領域から離れたチャンバーの下部のベースプ
レートに真空ポンプにつながる吸引通路を設け、ベース
プレートの開口下方から臨む試料載置ステージに試料を
セットして試料表面のレジスト膜を剥離するようにした
プラズマアッシング方法において、前記試料表面に供給
される酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル（Ｏ*）の比
（Ｏ2 +／Ｏ*）を０．４以上で１．０以下の範囲にコン
トロールするようにしたことを特徴とするプラズマアッ
シング方法。 - 【請求項２】 前記酸素イオン（Ｏ2 +）と酸素ラジカル
（Ｏ*）の比（Ｏ2 +／Ｏ*）は、チャンバー内の真空度を
調整することにより、コントロールするようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載のプラズマアッシング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12133692A JP3247722B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | プラズマアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12133692A JP3247722B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | プラズマアッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291129A JPH05291129A (ja) | 1993-11-05 |
| JP3247722B2 true JP3247722B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=14808739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12133692A Expired - Fee Related JP3247722B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | プラズマアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3247722B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3318241B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-08-26 | 富士通株式会社 | アッシング方法 |
| CN102483591B (zh) | 2009-09-02 | 2014-09-17 | 和光纯药工业株式会社 | 抗蚀剂剥离剂组合物和使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP12133692A patent/JP3247722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05291129A (ja) | 1993-11-05 |
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|---|---|---|---|
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