TW378338B - A scheme to prevent gas flow in or out of the reaction chamber during sustrate loading and unloading - Google Patents
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B7 五、發明説明(1.) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 [發明所靥之技術領域] 本發明有關於在反應容器之內部使用化學反應對基板施 加指定之處理之基板處理裝置及基板處理方法。其中,作 為反應容器者是使用2重構造之反應容器。另外,該指定 之處理使用例如CVD(Chemical Vapor Deposition)之處理 。該C V D處理使用例如熱C V D處理或電漿C V D處理。 [習知之技術] 通常,為著要製造半導體裝置,需要成膜装置$以在晶 圓之表面形成指定之薄膜。 該成膜裝置使用CVD裝置,在密閉之反應空間使用化學 反應用來進行膜處理。 該CVD裝置使用成批(batch)式之CVD裝置,一次的在多 個晶圓之表面形成指定之薄膜。。 該成批式CVD裝置使用縱型之CVD裝置*依鉛直方向設置 ,要被成膜之多個晶圓依水平方向重叠。 在該縱型之CVD裝置中*用Μ形成密閉之反應空間之反 應容器是使用具有外管和內管之2重構造之反應爐。 在使用2重構造之反應爐作為反應容器之縱型之CVD装置 中,晶圓之搬入/搬出口通常被設在反應爐之下端部。另 外,在該CVD裝置中*通常,成膜處理用之反懕氣體等從 反應爐之下端部供給,反應爐之内部之環境氣體從反應爐 之上端部經由外管和内管之間之空間被排出。 圖13是側面剖面圖,用來表示具有上述之2重構造之反 應爐之習知之縱型CVD裝置之構造。下面將說明該習知之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝丨 訂 ί 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公1 ) 4 - Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(2) 縱型CVD裝置之構造。另外,在Μ下之說明中,該縱型CVD 裝置是指減壓CVD裝置。 圖中所示之縱型CVD裝置100具有:反懕系統11〇,在反 應室la之内部(反應空間)使用化學反懕,用來在晶圓W之 表面形成指定之薄膜;搬蓮条統120,用來將晶圓《搬入到 反應室la之内部,或從反應室la之內部將晶圓W搬出;氣 體供給糸統130*用來將成膜處理用之反應氣體,後淨化 處理用之惰性氣體,和返回大氣處理用之惰性氣釋供給到 反應室la之内部;和排氣糸統140,用來將反應室ia之内 部排氣成真空。 其中,該後淨化處理是在成膜處理完成後,將惰性氣體 供給到反應室la之內部,和將反應室la排氣成真空,K惰 性氣體對反應室la之內部之環境氣體進行淨化之處理。另、 外,返回大氣處理是在後淨化處理完成後,停止真空排氣 處理,經由將惰性氣體供給到反應室la用來使反應室la之 壓力返回到大氣壓之處理。該返回大氣處理是從反應室la 之內部排出晶圓W之準備處理。 反應系統110具有用K形成反應室la之反應爐111。該反 應爐111被構建成為具有外管1M和内管2M之2重構造之反應 爐。在該反應爐111之下端部設有爐口 2a用來進行晶圓W之 搬入和搬出。 氣體供給糸統130具有氣體供給唄嘴131用來將成膜處理 用之反應氣體,後淨化處理用之惰性氣體*和返回大氣處 理用之惰性氣餹供給到反懕室la之内部。該氣體供給唄嘴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •-Φ 裝. 、βτ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉Α4規格(2!〇父2们公釐) 5 A7ΜΠ0, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 ) 131之氣體吹出口 4a被設在爐口 2a之附近。 排氣系統140具有用Μ進行主排氣處理之主排氣線141, 用以進行過加壓防止處理之過加壓防止線142,和用Κ進 行低速排氣處理之旁通線143。 其中,主排氣處理是指經由使排氣導率(conductance ) 變大藉KM高速將反應室la排氣成真空之真空排氣處理。 另外,過加壓防止處理是指在後淨化處理完成後之返回大 氣處理中,用來防止反應室la之壓力超過大氣壓之真空排 氣處理。另外,低速排氣處理是指經由使排氣導率變小藉 低速將反應室la排氣成真空之真空排氣處理。 排氣糸統140之環境氣體排出口 5a被設置成從反應爐111 之下端部經由外管1M和内管2M之間之空間3a,用來排出反 應室la之内部之環境氣體。 ‘ 在上述之構造中,當進行成膜處理時,首先利用基板搬 運系統120將所欲成膜之晶圓W搬入到反應室la之内部。在 該搬入處理完成後,利用旁通線143對反應室la進行低速 排氣。在這種情況,反應室la之内部之環境氣體從反應爐 111之上端部經由外管1M和内管2M之間之空間3a被排出。 利用該真空排氣處理,當反應室la之真空度變成指定之 真空度時,利用氣體供給系統130將成膜處理用之反應氣 體供給到爐口 2a之附近。另外,反應室la經由主排氣線 141進行主排氣。利用這種方式*反懕氣體從反應爐111之 下端部(氣體供給側)流到上端部(排氣側),分敗在反應室 la之内部。其結果是在晶圓W之表面形成指定之薄膜。另 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(4) 外,未反應之氣體(與反應無關之反應氣體)和反應副產物 之蒸氣從反應爐111之上端部經由空間3a被排出。 當在晶圓W之表面形成指定之薄膜後*利用氣體供給系 統130將惰性氣體供給到反應室la。這時,利用主排氣線 141之主排氣處理保持繼續進行。利用這種方式K惰性氣 體淨化反應室la之環境氣體。當該後淨化處理完成時,就 停止主排氣處理,繼缅惰性氣體之供給處理。利用這種方 式使反應室la之内部之壓力進行上升。 當反應室la之内部之壓力超過大氣壓時,經由過加壓防 止線142對反應室la進行真空排氣。利用這種方式將反應 室la之内部之壓力保持在大氣壓。然後,Μ指定之時序停 止惰性氣體之供給處理和過加壓防止處理,從反應室la之 内部將成膜過之晶圓W搬出。 Μ上是具有2重構造之反應爐111之習知之縱型CVD裝置 之構造。 [發明所欲解決之問題] 但是,在依照上述方式構成之習知之縱型CVD裝置100中 ,在反應室la之內部經由爐口 2a對外部形成開放之期間, 外氣會經由該爐口 2a侵人到反應室la之內部,和氣體會從 排氣糸統140之環境氣體排出路徑倒流到反應室la之內部 。因此,該縱型CVD裝置100會有下面所述之4個問題。 (1)第1個問題是在反應室la之内部經由爐口 2 a對外部形 成開放之期間,由於外氣之侵入到反應室la之内部會造成 反應室la之內部被污染之問題。 , - \ - . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -7 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(5 ) (2) 第2個問題是在反應室la之內部經由爐口 2a對外部形 成開放之期間,由於外氣之侵入到反應室la之内部會造成 在反應室la之内部產生粒子之問題。 亦即,在反應室la之内部即使實行後淨化處理時亦會殘 留微量之未反應氣體。當外氣侵入到反應室la之內部時, 該未反應氣體會與該外氣所含之水蒸氣混合。因此,在反 應室la之內部會產生污染物質。該污染物質具有成為粒子 之作用。因此,在反應室la之內部經由爐口 2a對夕γ部形成 開放之期間,當有外氣侵入到反應室la之內部時,會在反 應室la之內部產生粒子。 (3) 第3涸問題是在反應室la之内部經由爐口 2a對外部形 成開放之期間,由於外氣之侵入到反應室la之内部,在成 膜時會有在晶圓W之表面產生露(haze)之問題。 ‘ 亦即,在反應室la之內部經由爐口 2a對外部形成開放之 期間,當有外氣侵入到反應室la之内部時,附著在爐口 2a 附近之内壁之反應副產物所產生之蒸氣(脫氣)會倒流到反 應室la之内部。因此,在成膜時由於該蒸氣會在晶圓W之 表面產生霧。 (4) 第4個問題是在反應室13之内部經由爐口 2a對外部形 成開放之期間,由於有氣體從排氣系統140之環境氣體排 出路徑倒流到反應室la之内部,所Μ會有反應室la之内部 被污染之問題。 亦即,當未反應氣體或反應副產物之蒸氣經由排氣系統 140之環境氣體排出路徑被排出時*接觸在溫度較低之部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝.---
、1T 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(G) 份和進行固化。該固化之氣體成為反應副產物的附著在環 境氣體排出路徑之内部之金鼷面或石英構件。當該反應副 產物之附著量變多時,會變成剝離之粒子。 因此,在反應室la之內部經由爐口 2a形成對外部形成開 放之期間,當有氣體從排氣系統140之環境氣體排出路徑 倒流到反應室la之内部時,會有粒子從排氣糸統140之環 境氣體排出路徑流人到反應室la之內部。其结果是反應室 la之内部會被污染。 因此,本發明之目的是提供基板處理裝置和基#處理方 法,在反應室之内部經由基板搬入/搬出口對外部形成開 放之期間,可Μ抑制外氣之侵入到反應室之内部和氣體之 倒流。 [解決問題之手段] 用Μ解決上述問題之申請專利範圍第1項±基板處理裝 置是在反應容器之内部使用化學反應用來對基板施加指定 之處理,反應容器使用2重構造之反應容器,具有被配置 成大致同袖之外側筒狀體和内側筒狀體•在其一端部設有 基板搬入/搬出口 *和從該一端部供給基板處理用之反應 氣體,從另一端部經由外側筒狀體和内側筒狀體之間之空 間排出內部之環境氣體*其特徴是具備有:惰性氣體供給 裝置,在反應容器之内部經由基板搬入/搬出口形成對外 部開放之期間中之預定期間,用來將惰性氣體供姶到外側 筒狀體和内側筒狀體之間之空間;和環境氣體排出裝置, 在反應容器之内部經由基板搬入/搬出口對外部形成開放 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) Ζ~9~= ^ < 4¾衣· 訂 - - < ' : .. i (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(7) 之期間中之預定期間,使用基板處理用之環境氣體排出路 徑,用來排出反應容器之内部之環境氣體。 在該申請專利範圍第1項之基板處理裝置中,在反應容 器之内部經由基板搬入/搬出口對外部形成開放之期間中 之預定期間,利用惰性氣體供給裝置將惰性氣體供給到外 側筒狀體和内側筒狀體之間之空間。利用這種方式,從未 反應氣體等之排出側將惰性氣體供給到反應容器之内部。 換言之,從基板搬入/搬出口之相反側將惰性氣體供給到 反應容器之内部。其结果是可K抑制外氣侵入到反應容器 之内部。 另外,在這期間,利用環境氣體排出裝置,經由基板處 理用之環境氣體排出路徑,排出反應容器之内部之環境氣 體。利用這種方式用來抑制氣體從基板處理用之環境氣體· 排出路徑倒流到反應容器之內部。 申請專利範圍第2項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1項之裝置中使上述之預定期間是經由基板搬入/搬出口 進行基板之搬入和搬出之期間。 在該申請專利範圍第2項之基板處理裝置中,惰性氣體 之供給和反應容器之内部之環境氣體之排出之進行是在將 所欲處理之基板搬入到反應容器之內部之期間,和從反應 容器之内部將處理過之基板排出之期間。利用這種方式, 當與構建在反應容器之内部經由基板搬入/搬出口對外部 形成開放之期間經常進行惰性氣體之供給和環境氣體之排 出之情況比較時,可以減少惰性氣體之消耗量。另外,設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 10 Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 B7 五、發明説明(S) 在環境氣體排出路徑之0環不必使用高耐熱性之高價格者 ,可Μ使用通常者。利用這種方式,在更換〇環藉Μ進行 保養之情況時,可Μ降低蓮轉成本。 申請專利範圍第3項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1或2項之裝置中使環境氣體排出裝置被構建成Μ低速排 氣處理排出反應容器之内部之環境氣體。 在該申請專利範圍第3項之基板處理嚷|_中,反應容器之內 部之環境氣體Μ低速排氣處理被排出。利用這種$式,可 Μ抑制由於反應容器之内部之環境氣體之排出所造成之反 應容器之內部之壓力變動。其结果是可抑制由於該壓力變 動所造成之堆積在外側筒狀體或内側筒狀體之膜之剝離, 和附著在環境氣體排出路徑之內部或基板搬入/搬出口附 近之内壁之反應副產物之飛舞,及粒子之增大。 ‘ 申請專利範圍第4項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1項之裝置中使惰性氣體供給裝置所供給之惰性氣體之 流量被設定成大於環境氣體排出装置所排出之環境氣體之 流量。 在該申請專利範圍第4項之基板處理裝置中,因為惰性 氣體之流量被設定成大於環境氣體之流量,所Κ反應容器 之内部之壓力被設定為正壓。利用這種方式,在使惰性氣 體之流量等於或小於環境氣體之流量之情況時,可Μ提高 抑制外氣侵入到反應容器之內部之效果。 申請專利範圍第5項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1項之裝置其中使惰性氣體供姶裝置之氣體供給口被設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝、 訂
J B7 五、發明説明([]) 在面對外側筒狀體和內側筒狀體之間之空間之反應容器之 内壁中之不會使附著在基板處理用之環境氣體排出口附近 之內壁之反應副產物被捲上之位置。 在該申請專利範圍第5項之基板處理装置中,因為惰性 氣體供給裝置之氣體供給口被設在不會使附著在基板處理 用之環境氣體排出口附近之內壁之反應副產物被捲上之位 置,所Μ可以抑制由於反應副產物之捲上所造成之粒子之 發生。 . 申請專利範圍第6項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1項之裝置中具有加熱装置用來對被搬入到反應容器之 內部之基板進行加熱,惰性氣體供給裝置之氣體供給口設 在被該加熱裝置加熱之位置。 在該申請專利範圍第6項之基板處理裝置中,因為氣體‘ 供給裝置之氣體供給口設在被加熱裝置加熱之位置,所Κ 可Κ將該氣體供給口設在外側筒狀體和内側筒狀體之間之 内壁中之沒有反應副產物存在之位置。利用這種方式可Μ 抑制由於反應副產物之捲上所造成之粒子之發生。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍第7項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第1項之裝置中使惰性氣體供給裝置之氣體供給口設有多 個。 在該申請專利範圍第7項之基板處理裝置中,因為氣體 供姶口設有多個,所Μ可Μ抑制惰性氣體之流速。另外, 在氣體供給口之位置,方向*大小中,至少有1個可適於 多個氣體供給口之間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公f ) -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明(10) 在該申請專利範圍第7項之基板處理裝置中,可以抑制 在外側筒狀體和内側筒狀體之間之空間之惰性氣體之對流 之發生。利用這種方式可Μ抑制由於惰性氣體之對流所造 成之反應副產物之捲上。其结果是可以抑制由於惰性氣體 之對流所造成之粒子之增大。 另外,依照此種構造時,因為可Κ將惰性氣體供給到外 側筒狀體和内側筒狀體之間之空間全體,所Κ可Κ將惰性 氣體供給到反應容器之內部全體。利用這種方式可Κ有效 的抑制外氣從基板搬入/搬出口侵入。 申請專利範圍第8項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第7項之裝置中使多個氣體供給口沿著内側筒狀體之周圍 被分散的設置,和各個之氣體供給方向均被設定成朝向反 應容器之另外一端。 在該申請專利範圍第8項之基板處理裝置中,因為多個 氣體供給口沿著内側筒狀體之周圍被分散的設置,和各個 之氣體供給方向均被設定成朝向反應容器之另外一端,所 Μ可Μ抑制惰性氣體之對流之發生,和可Κ將惰性氣體供 給到外側筒狀體和內側筒狀之間之空間全體。 申請專利範圍第9項之基板處理裝置是在如申請專利範 圍第1項之裝置中使惰性氣體供給裝置被構建成可Κ控制 供給到反應容器之内部之愔性氣體之流量;和使環境氣體 排出裝置被構建成可Μ控制從反應容器之内部排出之 環境氣體之流量。 在該申請專利範圍第9項之基板處理裝置中,因為可Μ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) _ ι 3 - -------—— " - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T J, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(U) 控制β性氣體之流量和環境氣體之流量,所Μ可Μ將該等 流量設定成為可Μ有效抑制外氣之侵入和氣體之倒流之流 量。 申請專利範圍第10項之基板處理裝置是在申請專利範圍 第9項之裝置中使環境氣體排出裝置具有:排出裝置,用 來排出反應容器之内部之環境氣體:檢測裝置,用來檢測 該排出裝置所排出之環境氣體之流量;和控制裝置,用來 控制排出裝置所排出之環境氣體之流量*藉Μ使該檢测裝 置所檢測到之流量成為預定之值。 在該申請專利範圍第10項之基板處理裝置中,利用檢測 裝置用來格剩被排出裝置排出之環境氣體之流量。另外,利 用控制裝置用來控制被該排出裝置排出之環境氣體之流量 ,用來使該檢測裝置所檢測到之流量成為預定之流量。.. 利用這種方式,將排Hi努置所排出之環境氣體之流量自動 的控制成為預定之流量。其結果是在將排出裝置所排出之 環境氣體之流量設定成為預定之值後,即使有使該流量變 化之原因發生時,亦可Μ抑制該變化。 申請專利範圍第11項之基板處理裝置是在一端部設有基 板搬入/搬出口之筒狀之反應容器之内部,使用化學反應 用來對基板施加指定之處理,其特微是具備有:加熱裝置 ,用來對經由基板搬入/搬出口被搬入到反應容器之内部 之基板進行加熱;惰性氣體供給裝置,在反應容器之內部 經由基板搬入/搬出口對外部形成開放之期間中之預定期 間,從反應容器之另一端部之被加熱裝置加熱之位置*將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) _ ] j _ £----^-----f 1 * 裝,------訂------^ J , - - ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 kl B7五、發明説明(i 2) 惰性氣體供給到反應容器之內部;和環境氣體排出裝置, 在反應容器之内部經由基板搬入/搬出口對外部形成開放 之期間中之預定期間,使用基板處理用之環境氣體排出路 徑,進行低速排氣處理之真空排氣處理藉Μ排出反應容器 之内部之環境氣體。 在該申請專利範圍第11項之基板處理裝置中,在反應容 器之内部經由基板搬入/搬出口對外部形成開放之期間中 之預定期間,利用惰性氣體供給裝置,從反應容f之另外 一端部之被加熱裝置加熱之位置,將惰性氣體供給到反應 容器之内部。利用這種方式,可Μ從基板搬入/搬出口之 相反惻將惰性氣體供給到反應容器之内部。其结果是可Μ 抑制外氣之侵入到反應容器之内部。 另外,在該期間,利用環境氣體排出裝置,經由基板處 理用之環境氣體排出路徑,排出反應容器之内部之環境氣 體。利用這種方式可Κ抑制氣體從基板處理用之環境氣體 排出路徑倒流到反應容器之内部。 另外,在該申請專利範園第11項之基板處理裝置中,在 利用環境氣體排出裝置排出反應容器之內部之環境氣體時 ,以低速排氣處理進行排出。利用這種方式可Κ抑制排氣 處理之開始時由於排氣處理所造成之反應容器內部之壓力 之變動。其结果是可以抑制由於該壓力變動所造成之堆積 在反應容器之内壁之膜之剌離,和附著在環境氣體排出路 徑之内壁或基板搬人/搬出口附近之内壁之反應副產物之 飛舞*及粒子之增大。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -15 一 ^^^1 —^ϋ v^m /-tf· nn —^ϋ tmfl TUB \ 、 I ϋϋ nn mu >^lv 1Ί - ' -¾ ^ 、v'口-^ . , ^r.v. ^ ./ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7五、發明説明(13 ) iai
經濟部中央標準局負工消費合作社印I 另外,在該申請專利範圍第丨I項之基板處理裝置中,在 將惰性氣體供給到反應容器之內部之情況時,該惰性氣體 從反應容器之另一端部之被加熱裝置加熱之位置供給。利 用這種方式,可Μ從沒有反應副產物存在之位置供給該惰 性氣體。其結果是可Μ抑制由於反懕副產物之捲上所造成 之粒子之發生。 另外,該申請專利範圍第11項之基板處理裝置不僅可應 用在具有2重構造之反應容器之基板處理裝置,而.且也可 Κ應用在具有1重構造之反應容器之基板處理裝置。 申請專利範圍第12項之基板處理方法是在反應容器之内 部使用化學反應用來對基板施加指定之處理,反應容器使 用2重構造之反應容器,具有被配置成大致同軸之外側茼 狀體和内側筒狀體,在其一端部設有基板搬入/搬出口 * 和從該一端部導入基板處理用之反應氣體,從另一端部經 由外側筒狀體和內側筒狀體之間之空間排出內部之環境氣 體,其特徵是·•在反應容器之內部經由基板搬入/搬出口 對外部形成開放之期間中之預定期間,將惰性氣體供給到 外側筒狀體和内側筒狀體之間之空間,和使用基板處理用 之環境氣體排出路徑用來排出反應容器之内部之環境氣體。 在該申請專利範圍第12項之基板處理方法中,與申請專 利範圃第1項之基板處理裝置同樣的,在反應容器之内部 經由基板搬入/搬出口對外部形成開放之期間中之預定期 間,將惰性氣體供給到外側筒狀體和内側简狀體之間之空 間,和經由基扳處理用之環境氣體排出路徑排出反應容器 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 丁 1 m. I— I 1H /户 n I I —I. 11 I Τ. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 16
A7 B7 五、發明説明(11 ) 之内部之環境氣體。利用這種方式可Μ抑制外氣侵入到反 應容器之內部,和抑制氣體從基板處理用之環境氣體排出 路徑倒流到反應容器之內部。 [發明之實施形態] 下面將參照附圖用來詳细的說明本發明之基板處理裝置 及基板處理方法之實施形態。 [1] 第1實施形態 [1-1] 構造 _ 圖1是側面剖面圖,用來表示本發明之基板處理裝置之 第1實施形態之構造。另外,在圖1中代表性的顯示使本發 明之基板處理裝置應用在具有作為反懕爐(反應容器)之2 重構造反應爐之縱形CVD裝置之情況。另外*在Μ下之說 明中,圖中所示之縱型CVD装置是減壓CVD裝置,Μ此方式‘ 進行說明。 在圖中所示之縱型CVD裝置中,其與習知之縱型CVD裝置 之主要不同點是追加有第2氣體供給系統240和第2旁通線 2 6 4 ° 亦即,圖中所示之縱型CVD裝置200具有:反應糸統210 *在反應室la之内部進行化學反應用來在晶圓ν之表面形 成指疋之薄膜;搬運系統220’用將所欲成膜之晶圓搬入 到反應室la之內部,和從反應室la之內部將成膜過之晶圓 W搬出;第1氣體供給系統230,用來將成膜斑理用之反應 氣體,後淨化處理用之惰性氣體,和返回大氣處理用之惰 性氣體供給到反應室la之内部ί第2氣體供給系統240,用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) · -- ' ~ 17 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.: 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
1ST 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7五、發明説明(〗5 ) 來將反向淨化處理用之惰性氣體供給到反應室la;和排氣 糸統26 0,用來將反應室la排氣成真空。 其中,反向淨化處理是在反應室la經由爐口(晶圓搬入/ 搬出口)2a對外部-形成開放之狀態,使惰性氣體從反應室 la之上端部流到反應室la之內部,用來防止外氣侵入到反 應室la之内部之處理。亦即,從成膜處理用之反應氣體等 之排出側將惰性氣體供給到反應室la之内部,用來防止外 氣侵人到反應室la之內部之處理。 另外,在本實施形態中*該反向淨化處理之進行是在反 應室la之內部經由爐口 2a對外部形成開放之期間中,在所 欲成膜之晶圓W搬入到反應室la之内部之晶圓搬入期間, 和將成膜過之晶圓W從反應室la之內部搬出之晶圓搬出期 間。換言之,其進行期間是在將後面所述之舟皿(boat) 221裝載到反應室la之舟皿裝載期間,和從反應室la卸載 該舟皿221之舟皿卸載期間。 反應系統210具有用Μ形成反應室la之反應爐211。該反 應爐211被構建成為具有外管1A和內管2A之2重構造之反應 爐。 亦即,外管1A之上端部被圓弧狀之壁4a閉塞*其另一端 部為開放,形成圓筒狀。該外管1A被裝載在圓筒狀之爐口 突緣3A之上端部。內管2A形成上端部和下端部均為開放之 圓筒狀。該內管2A被設在外管1A之内部,與該外管1A大致 同軸。另外,該內管2A被裝載在環狀之突緣4A之上。該突 緣4A形成在爐口突緣3A之内壁。爐口 2a形成在反應M211 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _ , 〇 _ ----:--J~ 裝-----ί------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(1G) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 之下端部。 在反應爐211之:周圍設有加熱器212用來S被88人u&li 室la之内部之晶圓w進行加熱° 上述之搬蓮糸統220具有舟皿221用以保持所欲成膜之晶 圓W。該舟皿221經由舟皿帽蓋221被裝載在爐口帽蓋223之 上。該爐口帽蓋223具有右禕成膜處理時用Μ密封爐口 2a之 功能。另外,該爐口帽蓋223形成可Μ經由圖中未顯示之 舟皿升降機被驅動進行升降之方式。所欲成膜之#個晶圓 W依鉛直方向形成水平重鲁的被收容在舟皿221。 上述之第1氣體供給糸統230具有氣體供給噴嘴231用來 將成膜處理用之反應氣體,後淨化處理用之惰性氣體*和 返回大氣用之惰性氣體供給到反應室la之內部。該氣體供 給噴嘴231之前端部1B延伸到突緣4A之下方*例如,經由t 爐口突緣3A延伸到突緣4A之内緣之附近。在該前端部IBB 成有氣體吹出口(氣體供給口)lb。該氣體吹出口 lb之氣體 吹出方向被設定成為水平方向。 上逑之第2氣體供給糸統240具有惰性氣體供給配管241 用來將反向淨化處理用之惰性氣體供給到反應室la°該惰 性氣體供給配管241之前端部lc位於突緣4A之上方,經由 爐口突緣3A通到外管1A和内管2A之間之空間3a。在瑄種情 況,例如,該前端部lc延伸到比內管2A之上端部稍下之位 置。在該前端部lc形成有氣體吹出口 lc。該氣趙吹出口 lc 如圖2所示,只設置1個,另外,該氣體吹出口 lc之氣體吹 出方向被設定為向上方向。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公漦) 19 -
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明(j 7) 經由將氣體吹出口 lc設定在空間3a ’反向淨化處理用之 悔性氣體變成從反應爐211之上端部側(成膜處理用之反應 氣耱等之排出側)供給到反應室la之内部。換言之,該惰 性氣體是從爐口 2a之相反側供給到反應室la之内部。 另外,經由使該氣體吹出口 lc延伸到內管2A之上端部之 稍下之位置,用來將該氣體吹出口 lc定位成對於面對空間 33之反應室la之內壁中之排氣糸統260之環境氣體排出口 W附近之内壁所附著之反應副產物*不會加以捲J;之方式 。另外,經由使該氣體吹出口 lc延伸到內管2A之上端部之 稍下之位置,用來將該氣體吹出口 1定位在不會附著反應 副產物之位置。亦即,此部份K不會附著反應副產物之方 式,被加熱器212加熱藉Μ維持在高溫。 在惰性氣體供給配管241,從上游起順序的插入手動閥~ 242,調節器243,止回閥244,第1過濾器245,分隔閥246 ’主流控制器247,和第2過漶器248。另外,在該惰性氣 體供給配管241分別經由第1分支配管249和第2分支配管 250連接有壓力計251和壓力開關252。其連接位置被設定 在調節器243插入到惰性氣體供給配管241之插入位置和止 回閥244之插入位置之間。 另外,該第2氣體供給系統2 40所供給之惰性氣體,例如 ,使用氮氣、氨氣、氤氣等。 上述之主排氣系統260具有:主排氣線261,用來進行主 排氣處理;遇加壓防止線262*用來進行過加懕防止處理 ;第1旁通媒263 *用來進行低速排氣處理;和第2旁通線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0Χ 297公t ) 7"~: -I 0 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝.------訂 -------------- Λ7 iir 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(IS) 264,亦用來進行低速排氣處理。 其中,該第1旁通線263之低速排氣處理之實行是在舟皿 裝載處理後之真空排氣處理(真空吸引處理)之開始時。與 此相對的,第2旁通線26 4之低速排氣處理之實行是在舟皿 裝載期間和舟皿卸載期間。 另外,在舟皿裝載處理後之真空排氣處理之開始時,使 用低速排氣處理用來進行真空排氣處理之目的有2個。第1 個目的是防止由於反應室la之内部之壓力變動所牵生之氣 流使舟皿221或晶圓W發生飛揚或破損。第2個目的是抑制 由於該氣流而產生之粒子。 亦即,當將反應室la排氣成真空時,在真空排氣處理之 開始時,反應室la之内部之壓力進行變動。當反應室la之 内部之壓力進行變動時,在反應室la之內部會產生氣流。‘ 當該氣流變大時,會造成舟皿221和晶圓W之飛揚,破損。 另外,即使該舟皿221和晶圓W未發生飛揚,當產生氣流時 ,產生粒子之可能性很高。在舟皿裝載處理後產生粒子時 ,會使晶圓W之產量降低。 因此,在舟皿裝載處理後之真空排氣處理時,首先以低 速排氣處理進行真空排氣。採用此種構造時,在舟皿裝載 處理後之真空排氣處理之開始時,可Μ抑制反應室la之内 部之壓力變動,藉以抑制氣流之產生。其結果是可K防止 舟皿221或晶圓W之破損,和抑制粒子之發生。 另外*在舟皿裝載處理後之真空排氣處理中,當利用他 速排氣處理使反應室la之內部之壓力降低到指定之壓力時 --------^--¢71 裝·------訂--------f^l (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>< 297公t) -21 - kl B7 五、發明説明(19 ,就Μ 上述 ID之一 4A之上 該主排 上述 加壓防 置被設 插入有 上述 管1F之 ,另一 在這種 定在過 通配管 3F ° 行主排氣處理用來代替該低速排氣處理。 之主排氣線261具有主排氣配管1D。該主排氣配管 端部連接到爐口突緣3A。該連接位置被設定在突緣 方。主排氣配管1D之另外一端連接到真空泵2D。在 氣配管1D插入有主排氣閥3D。 之過加壓防止線262具有過加壓防止配管1E。該過 止配線1E之一端部連接到主排氣配管1D。該連接位 定在主排氣閥3D之上游側。在該過加壓防达配管1E 過加壓防止閥2E。 之第1旁通線263具有第1旁通配管1F。該第1旁通配 一端部連接到主排氣閥3D之上游側之主排氣配管1D 端部連接到主排氣閥3D之下游側之主排氣配管1D。 情況時,第1旁通配管1F之一端部之連接位置被設‘ 加壓防止配管1E之連接位置之下游側。在該第1旁 1F,從上游側起順序的插入第1旁通閥2F,和針閥 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝、 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 上述之第2旁通線26 4具有第2旁通配管1G。該第2旁通配 管1G之一端部在主排氣閥3D之上游側連接到主排氣配管1D ,另外一端部在主排氣閥3 D之下游側連接到主排氣配管1 D 。在這種情況,第2旁通配管1G之一端部之連接位置被設 定在過加壓防止配管1E之連接位置之下游側。在該第2旁 通配管1G,從上游側起順序的插入流量控制閥2G和流量計 3G 〇 [1-2]動作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -22 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Μ Β7 五、發明説明(2Π) 下面將說明上述構造之動作。首先參照圖3用來說明在 晶圓W之表面形成指定薄膜之全體之動作。圖3是表示該動 作之流程圖。 在該動作之開始前,加熱器212被設定在升溫狀態,真 空泵2D被設定在排氣運轉狀態。當Μ此狀態開始動作時, 首先實行晶圓進料處理用來將晶圓tf裝填在舟皿221(步驟 S11)。亦即,在此種情況使爐口帽蓋223下降,舟皿221被 定位在反應爐211之下方。利用這種方式,Μ圖中未顯示 之晶圓搬運裝置將所欲成膜之多個晶圓裝填在舟皿221。 當該晶圓進料處理完成後,就實行舟皿裝載處理,用來 將舟皿221搬入到反應室la (步驟S12)。亦即,在完成晶圓 進料處理後,利用圖中未顯示之舟血升降機驅動爐口帽蓋 223使其上升。利用這種方式將舟皿221搬人到反應室la。· 其结果是舟皿221K收容有所欲成膜之多個晶圓^[之狀態被 搬入到反應室la。這時,使爐口 2a被爐口帽蓋2 23密封。 當完成該舟皿裝載處理後,實行真空排氣處理用來排出 反應室la之內部之環境氣體(步驟S13)。在該真空排氣處 理時,首先利用第1旁通線263實行低速排氣處理。然後, 當利用該低速排氣處理使反應室la之內部之壓力降低到預 定之壓力時,就利用主排氣線261實行主排氣處理。 亦即,在完成舟皿裝載處理之後,首先開放第1旁通閥 2F。利用這種方式使反應室la之內部之環境氣體經由第i 旁通管IF緩慢的被排出。在這種情況,利用針閥3F調整排 氣速度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23 - ί清先鬩S背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、1Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 Β7 五、發明説明(21) 然後,當反應室la之壓力降低到預定之壓力時,就關閉 第1旁通閥2F,和開放主排氣閥3D。利用這種方式使反應 室la之環境氣體這次經由主排氣管1D急速的被排出。 然後,當反應室la之真空度變成預定之真空度和反應室 la之內部之溫度被保持在預定之溫度時,就實行成膜處理 (步驟S14)。亦即,當反應室la之真空度變成預定之真空 度和反應室la之溫度被保持在預定之溫度時,就經由氣體 供給噴嘴231將反應氣體供給到爐口 2a之附近。這時,利 用主排氣線26 1繼續進行主排氣處理。 利用這種方式,供給到爐口 2a之附近之反應氣體流到上 方,分散在排氣室la。其結果是在被保持於舟皿221之晶 圓W之表面形成指定之薄膜。在這種情況,未反應氣體和 反應副產物之蒸氣從反應爐211之上端部經由外管1A和内; 管2A之間之空間3a被排出。 在完成該成膜處理後,就實行後淨化處理(步驟S1 5)。 亦即*在完成成膜處理後,停止對反應室la供給反應氣體 ,開始惰性氣體之供姶。該情性氣體之供給亦以氣體供給 噴嘴231進行。這時繼續Μ主排氣線261進行主排氣處理。 利用這種方式,Μ惰性氣體淨化反應室la之內部之環境氣 體。其结果是殘留在反應室la之内部之未反應氣體等被排 出。 在完成該後淨化處理後,就實行返回大氣處理(步驟 S16)。亦即,在完成後淨化處理後,關閉主排氣閥3D。利 用這種方式停止主排氣處理。與此相對的,繼續利用第1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) -24 _ ^1 1— 1=1 ! 1:1 —^1 1-1 ........ — I ' /ί 士 II —^ϋ -1 I - - - - . I ^ * I .. . I- i I —I— I, ----- IV Ί, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ Μ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Β7 五、發明説明(2:2) 氣體供給系統2 30之惰性氣體之供給。利用這種方式使反 應室la之內部之壓力進行上升。其结果是使反應室la之內 部之壓力回到大氣壓。 然後,當反應室la之内部之壓力超過大氣壓時,就開放 過加遯防止閥2E。利用這種方式*反應室la之內部之環境 氣體經由過加壓防止配管1E被排出。其結果是反應室13之 內部之壓力被保持在大氣壓。用从檢測該反應室la之內部 之壓力是否超過大氣壓之大氣壓感測器,被設在摩主排氣 配管1D或爐U突緣3A分支之配管。 在完成該返回大氣處理後,就實行舟皿卸載處理(步驟 S17)。亦即,在完成返回大氣處理後,停止利甩第1氣體 供給糸統對反應室la供給惰性氣體。另外,爐口帽蓋2 23 被舟皿升降機驅動成進行下降。利用這種方式從反應室1¾ 之內部將舟皿221搬出。其结果是成膜過之晶圓WK被收容 在舟皿221之狀態,從反應室la之内部被搬出。 在完成該舟皿卸載處理後,就實行晶圓排出處理*藉Μ 從舟皿221中取出成膜過之晶圓W(步驟S18)。 利用上述之步驟用來完成在晶圓W之表面形成指定之薄 膜之全體動作。 下面將說明利用第2氣體供給系統240之反向淨化處理和 利用第2旁通線2 64之低速排氣處理。 首先說明利用第2氣體供給系統2 40之反向淨向處理。該 處理如圖4所示,在舟皿裝載期間和舟皿卸載期間實行。 亦即,在完成晶圓進料處理或後淨化處理後*使第2氣體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、^τ -25 - kl B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 供給系統 從惰性氣 性氣體。 所吹出 部之圓弧 種方式, 其结果是 應室la之 在這種 為預定之 之倒流。 性氣體所 另外, 低成為適 出之惰性 出之惰性 罐被設置 離相當的 另外, 之壓力是 之壓力低 題,當高 口氣流動 在通常 之惰性 狀之壁 惰性氣 不論爐 內部。 情況, 流量。 另外, 含之不 利用調 當之值 氣體之 氣體之 作為工 大0 以壓力 否為適 於適當 於適當 之問題 之規格 五、發明説明(23 240之分隔閥(空氣閥)246開放。利用這種方式, 體供給配管241之氣體吹出口 lc朝向上方吹出惰 氣體如圖5所示,被形成在外管1A之上端 (頂棚)4a引導到反應室1 a之內部。利用瑄 體從反應室1 a之排氣側流到氣體供給側。 口 2 a是否開放都可K抑制外氣之侵入到反 惰性氣體之流量被主流控制器247控制成 另外,利用止回閥244用來防止惰性氣體 利用第1、第2過濾器245、248用來除去惰 純物。 節器243用來使情性氣體之壓力從高壓降‘· 。這是因為從圖中未顯示之氣體高壓罐輸 壓力通常被設定在高壓。從氣體高壓罐輸 壓力被設定在高壓是因為通常該氣體髙壓 廠設備,氣體高壓罐和反應室la之間之距 開關252檢測惰性氣體供給配管241之内部 當之值。當惰性氣體供給配管241之内部 之值時,會有惰性氣體不能正常流動之問 之值時,會有惰性氣體開始流動時成為一 〇 中,壓力開關252被設定成用來檢測壓力 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'乂297公釐) - ' 一 . (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明(24) 之降低。當利用該壓力開關252檢測壓力降低之情況時, 就利用圖中未顯示之控制器進行誤差處理。通常,在主流 控制器247設定有各種氣體之適當之流量。Μ上為反向淨 化處理。 下面將說明利用第2旁通線264之低速排氣處理。該處理 亦如画4所示,在舟皿裝載期間和舟皿卸載期間實行。亦 即,在完成晶圓進料處理或返回大氣處理後,開放第2旁 通線264之流量控制閥2G。在這種情況*關閉主排,氣線261 之主排氣閥3D,過加壓防止線262之過加壓防止閥2Ε,和 第1旁通線263之第1旁閥2F。利用這種方式,反應室la之 内部之環境氣體經由第2旁通線264之第2旁通配管1G被排 出。其結果是用來抑制氣體之倒流到反應室la之内部。 在這種情況,K流量計3 G檢測在第2旁通配管1 G流動之‘ 環境氣體之流量。然後根據該檢測结果控制流量控制閥2G 之開放程度。利用這種方式使環境氣體之流量保持在預定 之流量。該流量被設定成少於從第2氣體供給系統2 40供給 之惰性氣體之流量。利用這種方式將反應室la之壓力設定 為正壓。 [1-3]效果 依照上面所詳细說明之本實施形態時可Μ獲得下面所述 之效果。 (1)首先,依照本實施形態時,因為在舟皿裝載期間和 舟皿卸載期間,將惰性氣體供給到外管1Α和内管2Α之間之 空間3a,所以可Κ從未反應氣體等之排出側將惰性氣體供 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 一 -j ^ t 裝- 訂 ^線 > , „— ' . ..... . /' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(23) 給到反應室la之内部。換言之*可以從爐口 2a之栢反側將 惰性氣體供給到反應室la之内部。利用這種方式可Μ防止 外氣侵入到反應室1 a之內部。其结果是可Κ抑制由於外氣 之侵入而造成之反應室la之内部之污染,粒子之發生,晶 圓W之表面之霧氣之發生,和自然氧化膜之成長等。 (2) 另外,依照本實施形態時,因為在舟皿裝載期間和 舟皿卸載期間,反應室la之內部之環境氣體不是經由專用 之環境氣體排出路徑,而是經由晶圓處理用之環境氣體排 出路徑(嚴格的講是主排氣配管1D之上游側部份)被排出, 所Μ可K抑制從晶圓處理用之環境氣體排出路徑朝向反應 室la之內部之氣體之倒流。利用這種方式可Μ抑制由於氣 體之倒流之粒子之逆擴散所造成之反應室la内部之被污染。 (3) 另外,依照本實施形態sf ,在反應室la之内部經由.. 爐口 2a對外部形成開放之期間中,因為只有在舟皿裝載期 間和舟皿卸載期間才實行對反應室la之内部供給情性氣體 之處理(反尚淨化處理)和反應室la之内部之環境氣體之排 出處理,所以當與在反應室la經由爐口 2a對外部形成開放 之期間經常進行惰性氣體之供給處理和環境氣體之排出處 理之構造比較時,可K減少惰性氣體之消耗量,和在更換 被設於排氣系統260之配管ID、1G等之0環藉K進行保養時 ,可K降低運轉成本。 亦即,為著要抑制由於氣體之倒流而造成之粒子之增大 時,最好在反應室la經由爐口 2a對外部形成開放之期間, 經常以第2旁通線264實行真空排氣處理。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _ ο 〇 _ 1^1 n^i - ---- - 1 Λ\ /t m^i ml ml mu ί l X —ml —^n —、 n , ' A , i ^ , , . *..!、· „ .:、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(: 但是採用此種方式時,惰性氣體之消耗量會增大。另外 ,在主排氣配管1D之上游側部份和第2旁通配管1G等,因 為長時間的有反應室la內之高溫之環境氣體流動,所K其 溫度會上升,使真空密封用之0環易於破損。因此,該0環 需要使用高耐熱性之高價材料。其结果是在更換0環進行 保養時會使運轉成本變高。 與此相對的,在本實施形態中,因為只有在舟皿裝載期 間和舟皿卸載期間,才利用第2旁通線26 4實行真弯排氣處 理,所以可以使配管1 D、1 G等之溫度上升減小。利用這種 方式,因為0環可Μ使甩通常之0環,所Μ在更換0環進行 保養時可Κ使運轉成本降低。 另外,依此方式將第2旁通線264之真空排氣處理限定在 舟皿裝載期間和舟皿卸載期間,亦可以用來抑制由於粒子 之增大而造成之晶圓之污染。粒子之增大會造成晶圓W之 污染之問題是因為當粒子增大時,晶圓W存在於反應室la 之附近。另外,此種情況存在於反應室la經由爐口 2a對外 部形成開放之期間中之舟皿裝載期間和舟皿卸載期間。 (4)另外,依照本實施形態時,因為在舟皿裝載期間和 舟皿卸載期間之排出反應室la之環境氣體時,是以低速排 氣處理進行排出,所K可以抑制由於該排出而造成之反應 室la之內部之壓力變動。利用這種方式可Μ抑制由於該壓 力變動造成堆積在外管1Α和内管2Α之膜之剝離,和抑制附 著在配管10、1G等之內部或爐口 2a附近之内壁之反應副產 物之飛舞,Μ及抑制粒子之增大。 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS〉Α4規格(210X 297公釐) ----一---^--^>裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 29 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(27) (5)另外,依照本實施形態時,因為使第2氣體供給線 240之供給到反應室la之内部之惰性氣體之流量大於第2旁 通線264之從反應室la之内部排出之環境氣體之流量,所 Μ可以將反應室la之內部之壓力設定在正壓。利用這種方 式,經由使惰性氣體之流量等於或小於環境氣體之流量, 可K用來提高抑制外氣侵入到反應室la之內部之效果。另 外,利用這種方式可以良好的抑制自然氧化膜之成長。 (6)另外,依照本實施形態時,因為將惰性氣體供_給配管 241之氣體吹出口 lc設置成位於面對外管1A和內管2A之間 之空間3a之反應爐211之内壁中,形成不會使附著在環境 氣體排出口 Id附近之内壁之反應副產物被捲上之方式,所 以可Μ抑制由於反應副產物之捲上之粒子之發生。 (7) 另外,依照本實施形態時,因為將惰性氣體供給配‘ 管241之氣體吹出口 lc設置在被加熱器212加熱之位置,所 Μ可Μ將該氣體吹出口 lc設在沒有反應副產物存在之位置 。利用這種方式可K抑制由於反應副產物之捲上之粒子之 發生。 (8) 另外,依照本實施形態時,因為可Μ控制第2氣體供 給系統240所供給之惰性氣體之流量和第2旁通線264所排 出之環境氣體之流量,該等流量可Μ設定能夠有效抑制外 氣之流入和氣體之倒流之流量。 (9) 另外,依照本實胞形態時,因為可Μ自動的將第2旁 通線264之流量控制成為預定之流量,所Μ在將該流量設 定成為預定值後,即使發生有使該流量產生變化之原因時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) _ ^ ^ 1裝· 訂 Ί ; 一 .... : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 30 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2S) 亦可Μ抑制該變化。 (10)另外,依照本實施形態時,因為使惰性氣體供給配 管241之氣體吹出口 lc延伸到内管2Α之上端部之稍下之位 置,所Μ可K很容易使惰性氣體到達反應室la之內部。 [1-4] 變化例 ’ (1) 在Μ上之說明中,所說明之情況是使用主流控制器 247作為第2氣體供給糸統240之流量控制器。但是,在本 實施形態中亦可以使用主流控制器247Μ外之流量_控制器。 (2) 另外,在以上之說明中,所說明之情況是使用空氣 閥作為第2旁通線264之流量控制闊2G。但是,在本實施形 態中亦可以使用空氣閥和針閥之組合。 [2] 第2實施形態 圖6是斜視圖,用來表示本發明之基板處理裝置之第2實 施形態之主要部份之構造。 在先前之實施形態中,所說明之情況是使惰性氣體供給 配管241之前端部1Β延伸到內管2Α之上端部之稍下之位置 。與此相對的,在本實施形態中使該延伸距離變短。 圖6表示此種方式。另外,在圖6中,其與先前之圖1大 致相同功能之部份附加相同之符號而其詳细之說明則加以 省略。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装 -° W. 統端 ¾前 姶之 ~ c 1A 供 7 體 2 III管 21配 第給 之供 態體 形氣 施性 實惰 本該 示 0 表管 71配 給 供 體 氣 性 惰 之 中 圖 該 在 號 符 管 配 給 供 體 氣 性 惰 — 乙 I 之 ί 1 導 圖引 與被 A , 3 1H緣 部突 管 内 和 A 11 管 外 口 如 爐例 過, 通後 在之 a * 3 的間 樣空 同之 41間 >'之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公逄) 31 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明(D) *延伸到內管2A之軸方间之中央部稍下之位置。在該前端 部1 Η形成有氣體吹出口 lh。該氣體吹出口 lh之氣體吹出方 向被設定為向上之方向。 在此種構造中,經由將惰性氣體供給配管271之前端部 1H設在環境氣體排出口 Id之設置位置之相反側,可Μ使附 著在該環境氣體排出口 Id附近之内壁之反應副產物成為不 會被捲上之方式。 另外,依照此種構造時,因為惰性氣體供給配f271之 長度變短,所K在保養時可以很容易的進行惰性氣體供給 配管271之安裝和拆卸。 [3] 第3實施形態 圖7是斜視圔,用來表示本發明之基板處理裝置之第3實 施形態之主要部份之構造。 ‘ 在先前之第1、第2實施形態中,所說明之情況是惰性氣 體供給配管241、247之氣體吹出口 lc、Id只設置1個。與 此相對的,在本實施形態中設置多涸之氣體吹出口。 圖7是用Μ表示此種方式之斜視圖。另外,在圖7中,其 與先前之圖1大致相同功能之部份,附加相同之符號而其 詳细之說明則加Κ省略。 在該圖中,符號272表示本實施形態之第2氣體供給系統 240之惰性氣體供給配管。在該圖中,與圖6之惰性氣體供 給配管271同樣的,代表性的顯示使前端部II延伸到内管 2Α之中央部之稍下之位置之情況。 在該惰性氣體供給配管272之前端部1 I形成有3個之氣體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210 X 297公麓) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
32 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3丨)) 吹出口 li、2i、3i。氣體吹出口 li之氣體吹出方向被設定 為向上方向。氣體吹出口 2i之氣體吹出方向被設定為朝向 內管2A之向右方向。氣體吹出口 3i之氣體吹出方向被設定 為朝向内管2A之向左方向。 依此方式構成時,可以抑制外管1A和內管2A之間之空間 3a之惰性氣體之對流。 亦即,在先前之第1、第2實施形態中,因為惰性氣體吹 出口只設置1個之吹出口 lc、Id,所以要抑制惰性氣體之 流速會有困難,而且惰性氣體只能朝向1個方向吹出。因 此,在該等實施形態中,如圖8所示,當外管1A和内管2A 之間之空間3a之惰性氣體之流量變多時會產生對流X。在 圖8中代表性的顯示第2實施形態之情況。 與此相對的,在本實施形態中因為設有3個之氣體吹出 口,而且該3個之氣體吹出口 li、2i、3i之氣體吹出方向 被設定在不同之方向,所Μ即使在惰性氣體之流量變多之 情況時,亦可Κ抑制惰性氣體之流速,和可Μ使惰性氣體 朝向不同之方向吹出。 利用這種方式,在本實施形態中,不論是否將3個氣體 吹出口 li、2ί、3i集中的設在1個位置,都可Μ抑制惰性 氣體之對流X之發生。其结果是在本實施形態中不會由於 惰性氣體之吹出使反應副產物(附著在環境氣體排出口 Id 附近之內壁之反應副產物)被捲上,在惰性氣體之流量變 多之情況時亦可K抑制由於惰性氣體之對流X所造成之反 應副產物之捲上。利用這種方式,在本實施形態中可以抑 本紙張尺度適用中國國家耦準(CNS ) A4規格(210X 297公麓) -33- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .、1τ A7 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(3 ί) 制先前之第1、第2實施形態之由於反應副產物之捲上所造 成之粒子之發生。 另外,依照上述方式之構造時’因為可Κ將惰性氣體供 給到空間3a全體,所以可Μ將惰性氣體供給到反應室la之 内部全體。利用這種方式可Μ有效的阻止外氣侵人到反應 室la之内部。 [4] 第4實施形態 圖9是斜視圖,用來表示本發明之基板處理裝置.之第4實 施形態之主要部份之構造。 本實施形態,與第1實施形態同樣的,前端部1J被設在 延伸到内管2A之上端部附近之惰性氣體供給配管273之前 端部1J,和與第3實施形態同漾的*設有3個之氣體吹出口 lj ' 2j 、 3j ° ' 在此種方式之構造中,因為可K抑制空間3a中之惰性氣 體之對流X,和可以將惰性氣體供給到空間3a全體’所Μ 可以獲得與先前之第3實施形態大致相同之效果。 [5] 第5實施形態 圖10是斜視圖,用來衷示本發明之基板處理装置之第5 實施形態之主要部份之構造。 在先前之第3、第4實施形態中,所說明之情況是將多個 氣體吹出口集中的設在1個位置。與此相對的,在本實施 形態中是將該等分散的設在内管2&之周圍’和將所有之氣 體吹出口之氣體吹出方向均設定為向上方向。 _10用來表未此種方式。在該圖中’符號274表V本實 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0 Χ 297公麓) _ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3:2) 施形態之惰性氣體供給配管。該惰性氣體供給配管274之 前端部1K形成包圍内管2A之環狀。另外,在該環狀之前端 郜1K,沿著内管2A之周圍Μ等間隔設有多個之氣體吹出口 IK、2Κ、____。該等之氣體吹出方向均被設定為向上方向 。另外,在該圖中所示之情況是使惰性氣體供給配管27 4 之前端部1Κ延伸到内管2Α之軸方向之中央部稍下之位置。 依照此種方式之構造時,可Μ抑制惰性氣體之流速,和 如圖10所示,可Κ從多個氣體吹出口 IK、2Κ、...平行的 吹出惰性氣體。利用這種方式,可Μ抑制空間3a中之惰性 氣體之釾流之發生,和可Μ將惰性氣體供給到空間3 a全體。 [6] 第6實施形態 圖11是斜視圖,用來表示本發明之基板處理裝置之第6 實施形態之主要部份之構造。 t 本實施形態,與第5實施形態同樣的,使惰性氣體供給 配管(具有前端部延伸到内管2A之上端部之稍下之位置)之 前端部形成環狀。 圖11表示此種方式。在該圖中,符號275表示惰性氣體 供給配管。該惰性氣體供給配管275之前端部1L形成包圍 內管2A之環狀。在該前端部1L之上面K等間隔形成多個氣 體吹出口 11、 21、....。 在此種構造中,可Μ抑制空間3a中之惰性氣體之對流X 之發生,和可Μ將愔性氣體供給到空間3a全體。 [1] 第7實施形態 圖12是斜視圖,用來表示本發明之基板處理裝置之第7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29";公釐) _ 35 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装- 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(33) 實施形態之構造。另外,在圖12中,其與圖1大致相同功 能之部份附加相同之符號而其詳细之說明則加以省略。 在先前之實施形態中所說明之情況是使本發明應用在具 有K2重構造之反應爐211作為反應爐之基板處理裝置。與 此相對的,在本實施形態中,如圖12所示,亦可Μ應用在 具有一重構造之反應爐215之基板處理裝置。 在這種情況,如圖12所示,假如使愔性氣體供給配管 276之前端部1C連接到反應爐215之上端部時,就孿成與二 重構造之反應爐211中之從外管1Α和内管2Α之間供給惰性 氣體之情況相同,可Μ從爐口 2a之栢反側將惰性氣體供給 到反應室1 a之内部,利用這種方式可Μ抑制外氣對反應室 la之内部之侵入。 [8] 其他之實施形態 K上所說明者是本發明之7個實施形態,但是本發明並 不只限於上逑之實施形態。 (1)例如,在先前之第1〜第7實施形態中,所說明之情 況是使第2氣體供給系統240供給到反應室la之內部之惰性 氣體之流量大於第2旁通線26 4從反應室la之内部排出之環 境氣體之流量。但是*在本發明中,亦可以使惰性氣體之 流量等於或小於環境氣體之流量。 在此種構造中,因為只進行利用第2旁通線264之環境氣 體之排出,所以可Μ減少來自爐口 2a之大氣之捲入。利用 這種方式可以抑制外氣從爐口 2a侵入。其結果是可Μ抑制 由於外氣之侵人而造成之反應室la之内部之污染,粒子之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α·4規格(210X 297公;i ) , j ''-私衣· n 、1τ-^ΐ ^ ~ , < - - ί ' ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -36 Λ7 五、發明説明(34) 發生,霧之發生,和自然氧化膜之成長等。 另外,依照此種構造,在設定第2旁通線264之排出量, 亦即*設定環境氣體之流量時*可Μ設定成大氣不會從爐 口 2a捲入。利用這種方式可Μ設定環境氣體之流量使其能 夠有效的抑制氣體之倒流。 (2) 另外,在先前之第1〜第7實施形態中,所說明之情 況是使本發明應用在減壓CVD裝置。但是,本發明亦可應 用在常壓CVD裝置。 . (3) 另外,在先前之第1〜第7實施形態中,所說明之情 況是使本發明應用在CVD裝置。但是,本發明亦可應用在 CVD裝置Κ外之成膜裝置和亦可應用在成膜裝置Κ外之基 板處理裝置。 (4) 另外,在先前之第1〜第7實施形態中,所說明之情‘· 況是使本發明應用在用Μ處理半導體裝置之晶圓之基板處 理裝置。但是,本發明亦可應用在用以處理晶圓Κ外之基 板之基板處理裝置。例如,本發明亦可應用在用Μ處理液 晶顯示裝置之玻璃基板之基板處理裝置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (5) 另外,在Μ上之說明中,所說明之情況是使本發明 應用在負載鎖定式Μ外之方式之基板處理裝置。但是,本 發明亦可應用在負載鎖定方式之基板處理裝置。 (6) 除此之外,本發明在不脫離其精神之範圍内亦可Κ 進行各種變化實施。 [發明之效果] 依照後面所詳述之申請專利範圍第1項之基板處理裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -37 - kl kl 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明(35) 時,因為在反應容器之内部經由基板搬入/搬出口對外部 形成開放之期間中之預定期間,將惰性氣體供給到外側筒 狀體和内側筒狀體之間之空間,所K可Μ抑制外氣對反應 容器之内部之侵人。 另外,依照該申請專利範圍第1項之基板處理裝置時, 因為在反應容器之內部經由基板搬入/搬出口對外部形成 開放之期間中之預定期間,經由基板處理用之環境氣體排 出路徑將反應容器之內部之環境氣體排出,所以可以抑制 氣體從環境氣體排出路徑倒流到反應容器之内部。 另外,依照申請專利範圍第2項之基板處理装置時,因 為是在申請專利範圍第1項之裝置中,將經由基板搬入/搬 出口進行基板之搬入和搬出之期間設定為預定期間,所Μ 當與在反應容器之內部經由基板搬入/搬出口對外部形成‘ 開放之期間經常進行惰性氣體之供給和環境氣體之排出之 構造比較時,可以減少惰性氣體之消耗量,和在更換被設 在環境氣體排出路徑之0環藉Μ進行保養時 > 可以降低運 轉成本。 另外,依照申請專利範圍第3項之基板處理裝置時,因 為是在申請專利範圍第1或2項之裝置中,當排出反應容器 内部之環境氣體時Μ低速排氣處理進行排出,所Μ可以抑 制由於該排出所造成之反應容器之内部之壓力變動。其結 果是可Μ抑制由於該壓力之變動所造成之堆積在外側简狀 體或内側筒狀體之膜之剝離,附著在環境氣排出路徑之内 部或基板搬入/搬出口附近之反懕副產物之飛舞,和粒子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210Χ297公釐) -3 〇 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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*tT 五、發明説明(3 ί; A7 B7 時 置 裝 —1 理 處 板 基 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 Φ 照 依 ο f 大外 增另 之 大 3 I 1 量 第流 圍 之 範體 利氣 專性 請惰 申之 在部 是內 為之 中 置 裝 之 使 因器 , 容 應 反 到 給 之 器 容 應 反 從 環 之 出 th. 0 部 為於 定 小 設或 力於 壓等 之量 部流 內之 之體 器氣 容性 應惰 反使 將由 Μ 經 可 , Μ 式 所方 II*- , 8 量這 流用 之利 體。 氣壓 境正 内 之 器 容 . 應 反 到 入 侵 氣 外 制 抑 高 提Μ 可 9 量 流 之 〇 體果 氣效 境之 環部 因給 , 供 時之 置體 裝氣 me.1·*-」 理 性 處情 板將 基, 之 中 項置 15裝 第匕 圍頁 睹項 利第 專圍 請範 申利 照專 依請, Ψ 外在 另是 為 容口 應出 反排 之體 間氣 空境 之環 間之 之用 體理 狀處 筒板 側基 内在 和著 體附 狀使 筒 會 側不 外之 對中 面壁 在內 設之 口器 由 制 抑Μ 可Μ 所.。 , 生 置發 位之 之子 上粒 捲之第 被成圍 物造範 δ 斥 ϋ 產 iS f 副上專 應捲請 反之申 之物照 壁產依 内副 , 之應外 近反另 附於 時 置 裝 理 處 板 基 之 項 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 置 位 之 第熱 圍加 範置 利裝 專熱 請加 申被 在在 是設 為口 中 置 裝 之 項 惰 將 之 體 氣 因給 板 基 對 來 用 置 裝 熱 加 該 :寐· 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 產之 副物 應產 反副 有應 沒反 在於 設由 口制 給抑 供以 體可 氣式 該方。 將種生 Μ這發 可用之 Μ利子 所。粒 , 置之 理位成 處之造 熱在所 加存上 行物捲 項 6 J 範 1 利第 專圍 請範 申利 照專 依請 , 申 外在 另是 為 7 第 圍 因氣 , 性 時惰 置之 裝個 理多 處置 板設 基, 之中 項置 裝 之 位體 之筒 口 側 給内 供和 g禮 Ms Hon 氣筒 個 側 多外, 該在 定制 設抑 的來 當用 適 K 由可 經 ’ Μ 小 所大 ’ 和π 、 給向 供方 之 、 體置 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 39 hi B7 五、發明説明(37 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 之間之 由於反 另外 側筒狀 氣體供 的阻止 另外 為是在 周圍分 方向均 惰性氣 體和内 另外 為是在 應容器 之環境 效抑制 另外 為是在 之內部 所Μ在 預定值 抑制其 依照 空間產 應副產 ,依照 體和内 給到反 外氣侵 ,依照 申請專 散式的 被設定 體之對 側筒狀 ,依照 申請專 之內部 氣體之 外氣之 ,依照 申請專 排出之 將從反 之後* 變化。 申請專 生惰性氣 物之捲上 此種構造 側筒狀體 應容器之 入到反應 申請專利 利範圍第 設置多個 成朝向內 流之發生 體之間之 申請專利 利範圍第 之惰性氣 流量,所 侵入和氣 申請專利 利範圍第 環境氣體 應容器之 即使發生 體之對流。利用這種方式可Κ抑制 所造成之粒子之發生。 時,因為可Κ將惰性氣體供給到外 之間之空間全體,所Κ可Μ將惰性 內部全體。利用這種方式可Κ有效 容器之內部。 範圍第8項之基板處理裝置時,因 7項之裝置中,沿著内側筒_狀體之 之氣體供給口,和各個之氣體供給 側筒狀體之一端部,所Κ可Μ抑制 和可Κ將惰性氣體供給到外側筒狀 空間全體。 範圍第9項之基板處理裝置時,因‘· 1項之裝置中,可以控制供給到反 體之流量和從反應容器之内部排出 从可Μ將該等流量設定成為能夠有 體之倒流之流量。 範圍第10項之基板處理裝置時,因 9項之裝置中,可以將從反應容器 之流量自動的控制成預定之流量, 內部排出之環境氣體之流量設定成 有使該流量變化之原因時,亦可Μ 利範圍第11項之基板處理裝置時,因為在反 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --^ 二衣- • m^i ntn \ 、 、τ -40 - 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 應容器之內部經由基 間中之預定期間,從 熱之位置,將惰性氣 抑制外氣對反應容器 另外,依照該申請 因為反應容器之内部 體排出路徑被排出, 境氣體排出路徑倒流 另外,依照該申請 因為在排出反應容器 理進行排出,所κ在 之内部之壓力之變動 所造成之粒子之增大 另外,依照該申請 因為在將憤性氣體供 容器之另一端部之被 抑制由於反應副產物 另外,依照申請專 為在反應容器之内部 放之期間中之預定期 內側筒狀體之間之空 出路徑將反應容器之 外氣之侵入到反應容 [附圖之簡單說明] 板搬人/搬出口對外部形成開放之期 反應容器之另一端部之被加熱裝置加 體供給到反應容器之內部,所以可以 之內部之侵入。 專利範圍第11項之基板處理裝置時* 之環境氣體經由基板處理用之環境氣 所K可Μ抑制氣體從基板處理用之環 到反應容器之內部。 _ 專利範圍第11項之基板處理裝置時, 之內部之環境氣體時是以低速排氣處 排氣處理之開始時可Κ抑制反應容器 。其结果是可Κ抑制由於該壓力變動 〇 專利範圍第11項之基板處理裝置時* 給到反應容器之內部之情況是從反應 加熱裝置加熱之位置供給,所Μ可Μ 之捲上所造成之粒子之發生。 利範圍第12項之基板處理方法時,因 經由基板搬入/搬出口形成對外部開 間,將惰性氣體供給到外側筒狀體和 間,和經由基板處理用之環境氣體排 內部之環境氣體排出,所以可以抑制 器之內部和氣體之倒流。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) · ^ Υ 裝- 訂 '^4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 41 五、發明説明(3:j) Λ7 B7 之 置 裝 It 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 > ο 圖造 面構 剖之 面態 側形 是施 1 實 圖11 第 惰 资 -之 是 21態 圖形 施 圖 視 用 實 ii 第 之 置 裝 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 配 給 供 澧 氣 造 構 之 實 1i 第 之 置 裝 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 ο 圖 程竹 勖 是 3S態 圖形 施 本 示來 0 ^ 4 用 圖別 特 第 之 置 裝 rtE 理 處 板 基 之 明 hh s 低 和 理 處 化 淨 向 反 示 表 作.期 肋 诗 Π&Π ΠΡ 之施-態實 形之 施理 實處 L氣 作 39 之 態 形 施 實 11- 第 之 置 裝 ic 理 處 板 基 之 明 發 本 示來 5 用 圖別 特 惰 示 表 一 流 之 體 氣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-— 彡之 是 h態 圖形 施 實 2 第 之 置 裝 mc 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 圖 視 造 構 之 份 部 要 主 圖 視 斜 是 訂— 造 構 之 份 部 要 主 之 態 圖形 施 實 3 第 之 置 裝 mil 理. 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 效 之 態 形 施 實 3 第 之 置 裝 ml— 理 處 .板 基 之 明 發 本 明 說 來 用 8 圖 果 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 纟之 是 91態 圖形 施 實 4 第 之 置 装 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 圖 視 造 構 之 份 部 要 主 5 第 之 置 裝 I: 理 處 板 基 之 明 發 本。 示造 表構 來之 用份 , 部 圖要 視主 斜之 是態 10形 圖施 實 圖造圖:造 視構視構 斜之斜之 是態是態 11形12形 圖施圖施 實 實 6 第 之 置 裝 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 7 第 之 置 裝 ΪΕ 理 處 板 基 之 明 發 本 示 表 來 用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公1 ) 42 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(K)) 圖13是側面剖面圖,用來表示習知之基板處理裝置之構 造。 [符號之說明] 200..,縱型CVD裝置, 210...反應系統, 220,,.搬 蓮系統, 230...第1氣體供給系統, 2 40...第2氣體供 給糸統, 260...排氣系統, 211、215...反應爐, 212.. .加熱器,221...舟皿, 222...舟皿帽蓋, 223.. ..爐口帽蓋, 2 31...氣體供給噴嘴, 2$1、271 、272、273、274、275、276...惰性氣體供給配管, 242.. .手動閥, 243...調節器, 244...止回閥· 245 ...第1過滤器, 246 ...分隔閥, 247...主流控制 器, 248...第2過漶器, 249.,.第1分支配管, 250.. .第2分支配管, 251...壓力計, 252...壓力開‘ 關, 261...主排氣線, 262...過加壓防止線, 263.. .第1旁通線, 264...第2旁通線, 以...外管,, 2A...内管, 3A...爐口 突緣, 4A...突緣,la... 反應室, 2a...爐口, 3a...空間, 1B、1C、1H、1I 、1J、 IK、 1K...前端部,lb、 lc、 lh、 li〜3i、 lj〜3j 、lk、2k、...、11、11.....氣體吹出口,ID...主排氣配 管》 2D...排氣用泵, 3D...主排氣閥, 1E...過加 壓防止配管、 2E...過加壓防止閥, 1卩...第1旁通配 管5 2?...第1旁通閥, 3F...針閥, 1G...第2旁通 配管, 2 G ...流量控制閥, 3 G ...流量計, W ...晶圓。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) ----..--^--Άν 裝'-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 43
Claims (1)
- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種基板處理裝置,在反應容器之內部使用化學反應 用來對基板施加指定之處理,上述之反應容器使用2重構 造之反應容器*具有被配置成大致同軸之外側筒狀體和内 側筒狀體,在其一端部設有基板搬入/搬出口,和從該一 端部供給基板處理用之反應氣體,從另一端部經由上述之 外側筒狀體和上述之内側筒狀體之間之空間排出內部之環 境氣體,其特徵是具備有: 惰性氣體供給裝置,在上述反應容器之内部經由上述之 基板搬入/搬出口形成尉外部開放之期間中之預定期間, 用來將惰性氣體供給到上述之外側筒狀體和上述之內側筒 狀體之間之空間;和 環境氣體排出裝置,在上述反應容器之内部經由上述之 基板搬入/搬出口對外部形成開放之期間中之預定期間,.. 使用基板處理用之環境氣體排出路徑,用來排出上述反應 容器之內部之環境氣體。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理装置,其中上述之 預定期間是經由上述之基板搬入/搬出口進行上述基板之 搬入和搬出之期間。 3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中上述 之環境氣體排出裝置被構建成K低速排氣處理排出上述反 應容器之内部之環境氣體。 4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述之 惰性氣體供給裝置所供給之上述惰性氣體之流量被設定成 大於上述之環境氣體排出裝置所排出之上述環境氣體之流 本紙張尺度適用中國國家操準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -1 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----------一----^-It__rir • 1 Ί · —^—^1 —^ϋ —^^^1 ^^^^1 · 、τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 量。 5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述之 惰性氣體供給裝置之氣體供給口被設在面對上述外側筒狀 體和上述内側筒狀體之間之空間之上述反應容器之內壁中 之不會使附著在基板處理用之環境氣體排出口附近之內壁 之反應副產物被捲上之位置。 6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中具有加 熱裝置用來對被搬入到上述反應容器之内部之基板進行加 熱,上述之惰性氣體供給裝置之氣體供給口設在被該加熱 裝置加熱之位置。 7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述之 愔性氣體供給裝置之氣體供給口設有多個。 8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置,其中上述之 多個氣體供給口沿著上述內側筒狀體之周圍被分散的設置 ,和各個之氣體供給方向均被設定成朝向上述反應容器之 上述另外一端。 9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中 上述之惰性氣體供給裝置被構建成可Μ控制供給到上述 反應容器之内部之上述惰性氣體之流量;和 上述之環境氣體排出裝置被構建成可Μ控制從上述反應 容器之內部排出之上述環境氣體之流量。 10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置,其中 上述之環境氣體排出裝置具有: 排出裝置,用來排出上述反應容器之內部之環境氣體; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4说格(210X297公釐) -2 - ^----·------^ I、裝--------訂-------^ (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) A8 B8 CS D8 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 檢 測 裝 置 * 用 來 檢 測 該 排 出 裝 置 所 排 出 之 上 述 TES 塌 境 氣 體 之 流 量 和 \ 控 制 裝 置 9 用 來 控 制 上 述 之 排 出 裝 置 所 排 出 之 上 述 TW 環 境 氣 體 之 流 量 藉 以 使 該 檢 測 裝 置 所 檢 測 到 之 流 量 成 為 預 定 之 值 〇 11 -種基板處理裝置 在一 -端部設有基板搬入/搬 出 P 之 筒 狀 之 反 應 容 器 之 内 部 使 用 化 學 反 Rftf 懕 用 來 對 基 板 施 加 指 定 之 處 理 > 其 特 徵 是 具 備 有 : 加 熱 裝 置 7 用 來 對 經 由 上 述 之 基 板 搬 入 /搬出口被搬入 到 上 述 反 懕 容 器 之 内 部 之 上 述 基 板 進 行 加 熱 惰 性 氣 體 供 給 裝 置 在 上 述 反 Wftr 懕 容 器 之 內 部 經 由 上 述 之 基 板 搬 入 /搬出口對外部形成開放之期間中之預定期間 從 上 述 反 nfty 懕 容 器 之 另 一 端 部 之 被 上 逑 加 熱 裝 置 加 熱 之 位 置 t 將 惰 性 翁 體 供 給 到 上 述 反 懕 容 器 之 內 部 和 tm 環 境 氣 體 排 出 裝 置 在 上 述 反 應 容 器 之 内 部 經 由 上 述 之 基 板 搬 入 /搬出口對外部形成開放之期間中之預定期間 使 用 基 板 處 理 用 之 環 境 氣 體 排 出 路 徑 進 行 低 速 排 氣 處 理 之 真 空 排 氣 處 理 藉 排 出 上 述 反 rmr m 容 器 之 內 部 之 環 境 氣 體。 12 -種基板處理方法 在反應容器之内部使用化學反 ItfP m 用 來 對 基 板 施 加 指 定 之 處 理 上 述 之 反 p*tr 愿 容 器 使 用 2重 構 造 之 反 懕 容 器 具 有 被 配 置 成 大 致 同 軸 之 外 側 筒 狀 M0 體 和 内 側 筒 狀 體 在 其 一 端 部 設 有 基 板 搬 入 /搬出口 和從該 一 端 部 導 入 基 板 處 理 用 之 反 懕 氣 體 從 另 一 端 部 經 由 上 述 之 外 側 茼 狀 體 和 上 述 之 內 側 筒 狀 體 之 間 之 空 間 排 出 内 部 之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公嫠) 3 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 裝 訂 ,Τ'\ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 環境氣體,其特徵是: 在±述反應容器之内部經由上述之基板搬入/搬出口對 外部形成開放之期間中之預定期間,將惰性氣體供給到上 述之外側筒狀體和上述之內側筒狀體之閭之空間,和使用 基板處理用之環境氣體排出路徑用來排出上述反應容器之 內部之環境氣體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部t央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 _
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JP3270730B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP3472482B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2003-12-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
US6263590B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling byproduct induced defect density |
KR100417469B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2004-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 2중 챔버벽을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
JP3543949B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US6635114B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-10-21 | Applied Material, Inc. | High temperature filter for CVD apparatus |
US6296709B1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature ramp for vertical diffusion furnace |
KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
JP2002252261A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nec Corp | 半導体検査装置及び半導体露光装置 |
JP3985899B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
US20030192645A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for creating circumferential process gas flow in a semiconductor wafer plasma reactor chamber |
WO2003100125A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Sig Technology Ltd. | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken |
US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
US20050098107A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross-flow liner |
KR100802990B1 (ko) | 2003-11-20 | 2008-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 |
US6834664B1 (en) * | 2004-04-13 | 2004-12-28 | Kogaku Technology Inc. | Device making use of heated fluid to reduce dust products in waste gas pipeline |
US7966969B2 (en) * | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
JP2008527689A (ja) * | 2004-12-31 | 2008-07-24 | セメス・カンパニー・リミテッド | 集積回路の製造設備の流体供給システム |
KR101086238B1 (ko) | 2005-07-08 | 2011-11-23 | 주식회사 케이씨텍 | 전자소재 제조장치의 가스배관 시스템 및 그 시스템에서퍼지가스의 역류를 방지하는 방법 |
JP4728748B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2011-07-20 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の清浄化方法 |
KR100741859B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-07-24 | 주식회사 테라세미콘 | 고온공정용 반도체 제조장치 |
KR100745372B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법 |
US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
JP4369448B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 石英製品のベーク方法 |
US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP4961381B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
US20130153201A1 (en) * | 2010-12-30 | 2013-06-20 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber with cooling tubes |
KR101879175B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2018-08-20 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
JP6403431B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-10-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム |
KR20160026572A (ko) * | 2014-09-01 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP7166759B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2022-11-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hdp-cvdチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 |
KR101958714B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2019-03-18 | 에이피시스템 주식회사 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
US11393703B2 (en) * | 2018-06-18 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber |
JP7175210B2 (ja) * | 2019-02-04 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気装置、処理システム及び処理方法 |
CN112349623A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质 |
CN116219411B (zh) * | 2023-05-05 | 2023-07-28 | 东领科技装备有限公司 | 一种用于成膜装置的气体喷射装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0642474B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
KR0147044B1 (ko) * | 1990-01-23 | 1998-11-02 | 카자마 젠쥬 | 배기 시스템을 가지는 열처리장치 |
JPH0465146A (ja) | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Toshiba Corp | デバイスシミュレーション方法及び装置 |
US5271732A (en) * | 1991-04-03 | 1993-12-21 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat-treating apparatus |
JP3040212B2 (ja) * | 1991-09-05 | 2000-05-15 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
JP2752824B2 (ja) * | 1991-12-19 | 1998-05-18 | 山口日本電気株式会社 | 縦型減圧気相成長装置 |
JPH05217929A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 酸化拡散処理装置 |
JP3244760B2 (ja) * | 1992-02-18 | 2002-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体熱処理装置 |
JP3164248B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2001-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP2825172B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1998-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理装置および減圧処理方法 |
US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
US5540782A (en) * | 1992-10-15 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus having heat transmission-preventing plates |
US5316794A (en) * | 1992-12-11 | 1994-05-31 | Applied Materials, Inc. | Method for servicing vacuum chamber using non-reactive gas-filled maintenance enclosure |
US5427625A (en) * | 1992-12-18 | 1995-06-27 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Method for cleaning heat treatment processing apparatus |
JP3134137B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2001-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
US5445521A (en) * | 1993-05-31 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating method and device |
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
US5777300A (en) * | 1993-11-19 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Processing furnace for oxidizing objects |
JP3856397B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2006-12-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 |
US5888579A (en) * | 1996-07-29 | 1999-03-30 | Texas Instruments-Acer Incorporated | Method and apparatus for preventing particle contamination in a process chamber |
JP3270730B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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