TW315502B - - Google Patents

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315502 A7 B7_ 五、發明説明（1 ) 翳明背暑 發明領诚 本發明像鼴於一種半萼體元件及其製造方法，尤其是 以自行配向方式製造之雙極性電晶體及製造如此電晶體 之方法。 相鼸抟銜說明 對於最近正要改善以具有較高性能的LSI (大型積體 電路），雙極性電晶體需要有較高的性能，尤其，雙極 性電晶體需要有較高的操作速率，為了完成此一要求， 雙極性電晶體之材料要降低寄生電#且/或寄生電阻， 各種不同的自行配向技術已提出，但是同時製造雙極性 電晶體之方法會更複雜，而且也會增加製造步驟數。. 、以下參考第1A到1F圖說明習知之以自行配向方式製造 雙極性電晶體之方法。 .

如第1A圖所示，在p型半導體基極14之設定區形成一 η型埋層2,在半導體基板14上成長n型磊晶層1，然後 ，形成界定在形成的半導體元件之間的區域之溝纏式隔 離區I 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，在産生之結果上澱積一二氧化矽膜4 ,及根據 要形成基極和射極區域之徹影技術在二氣化矽膜4中形 成開口 BE,然後在此開口 BE中形成二氧化矽膜4a，此二 氧化矽膜4a比第一次形成之二氣化矽膜4薄，然後，根 據要形成集極電極區域之微影技術形成開口 C,如第1 B 圖所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 其次，如第1C圖所示，利用化學氣相澱積法（CVD)在 所有産生的結果上澱積一多晶矽膜5,然後，在利用微 影技術所選擇之區域完成離子佈植，明確地説，將P型 雜質之一的硼（B)植入要形成基極之ώ域，而將η型雜 質之一的磷（Ρ)植入要形成.集極電極之區域，如第1C圖 所示，然後，完成徹影技術和蝕刻移去在要形成基極/ 射極和集極電極區域之其他1域的多晶矽膜5,換言之 ，現在只有在要形成基極/射極和集極電極區域存有多 晶矽膜5,然後，將半導體基板作熱退火，使多晶矽層 5中之磷擴散進入要形成集極電極Β域的η型埋層2, 如此，如第1D圖所示，形成一集。 然後，利用CVD在産生之結果土澱積一氮化矽膜7,及 如第1E圖所示，形成一開口 7a,使得在要形成基極之區 域畢露出薄二氧化矽膜4a,然後，用弱氫氟酸蝕刻除去 該薄二氧化矽膜4a之暴露部分和恰好位在多晶矽膜5端 黏之下的部分二氯化矽膜4a,以在多晶矽膜5之下形成 下切中空部分，然後，利用CVD在開口 7a中澱積一多晶 矽膜8，使填谋該下切中空部，然後，蝕刻該澱積之多 晶矽膜8,使共有在下切中空部分存有多晶矽膜8。 然後，將硼離子通過開口 7a植入磊晶層‘1,接箸再作 熱退火，因此在磊晶層1中形成基極區11,然後，在産 生之結果上澱積一絶緣膜9,再作非等向性蝕刻，使只 有在該開口 7a之内側壁上存在有絶緣膜9,然後，如第 1F画所示，在産生之結果上形成一 η型多晶矽膜10，’再 -4 - 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ------；--^--^裝—1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^ 315502 A7 B7 · 五'、發明説明（3 ) 将其製作成覆蓋開口 7a之圔案，然後，將半導體基板作 熱退火，以使在η型多晶矽膜10中之雜質擴散進入該基 極區11而形成一射極區1 完成上述用以形成基極區1 1 之熱退火，使在多晶矽膜5中之p型雜質通過多晶矽膜 8擴散進入η型磊晶層1而形成外基極星1 2。 為了製造一雙極性電晶體，在形成元件隔離區3之後 ，上述之習知方法需要完成7値徹影製程之步驟：0)首 先是在二氣化矽膜4中要形成基極/射極之區域形成開 口 BE; ¢)第二是在二氧化矽膜4中要形成集極電極之區 域形成開口 C; (3)第三是在要形成基極電極之區域完成 將P型雜質離子植入多晶矽膜5;⑷第四是在要形成集 棰電極6之區域完成將η型雜質離子植入多晶矽膜5; ⑸第五是製作多晶矽膜5之圖案；钧第六是形成通過氪 化矽膜7和多晶矽膜5之基極開口 7 a ;及⑺第七是製作 多晶矽膜10之圖案。 經濟部中央標準局員工消費合作社印— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，習知以自行配向方式製造雙極性電晶體之 方法需要完成許多的徹影製程步驟，其增加在製造雙極 性電晶體期間之製造步驟數和長度，此外，製造步驟數 之增加會伴隨著降低製造良率和增加製造成本的間題。 發明槪抹 本發明之目的偽提供一種利用自行配向之方法不用犧 牲雙極性電晶體之高g能而能減少徹影製程步驟數，使降 低製造步驟數和增加製造良率之半導體元件及其製造方 法。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（4 ) &^本發明之一觀點中，提供一製造半導體元件之方法 ,包含之步驟為：U)在半導體基板中，部分地形成第 一導電型埋層，且在該埋層之上也形成第一導電型磊晶層 ,(M利用將第一導電型雜質引入該磊晶層，在磊晶層 中形成一集極區，所以該集極區到達該埋層，（c)在該 磊晶層之上形成一絶緣膜，（d)在該絶緣膜之上形成一 第二導電型雜質摻雜之多晶矽膜，（e)將此多晶矽膜製 作成圖案，以形成一基極電極，（f)在基極電極和絶緣 膜之上形成一層間絶緣膜，（g)將層間絶緣膜和基極電 極製作成画案，以在要形成基極區之.區域形成一基極開 口和在集極區之上形成一集極開口， （h)邊緣蝕刻位在 基極電極之下的絶緣膜部分，以在絶緣膜中形成下切中 空部分，（i)用多晶矽镇ώ該下切中空部分，（j)在磊晶 層中，將第二導電型雜質通過基極開口引入磊晶層而形 成一基極區，（k)在基極和集極開口的内壁上形成絶緣 側壁，（1)在産生之結果上形成一第二導電型雜質摻雜 之多晶矽膜，及（m)將第二導電型雜質摻雜之多晶矽膜 製作成圖案，以形成射極電極和集極電極。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ---I---;--^--C 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 人 在上述之方法中，步驟（j)可在步驟（g)和（h)之間完 成。 上述之方法尚可包含（η)在該集極區上形成一模擬電 極之步驟，步驟（η )傷與步驟（e )同時完成。· 在步驟（c)中，形成之絶緣膜最好比其他在要形成基 極電極和集極電極區域之部分薄，位在集極區之上絶緣 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（5 ) 膜的較薄部分最好位在集極開口之中。 進一步地，提供一種製造具有以自行與在要形成基極 區之基極開口配向方式形成的基極區和射極區之半導體 元件的方法，至少包含’之步驟為：U)在半導體基板上 澱積絶錄膜之前，在半導體基板中形成一集極區，及（M 在欲形成集極電極之區域舆在欲形成射極電極之區域同 時形成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) Μ /本發明之另一觀點，提供一種半導體元件包含：（a) 一半導體基板，（b)部分形成在該半導體基板中之第一 導電型埋層，（c) 一形成在該埋層之上的第一導電型半 導體層，（d)—形成在該半導體層中之第二導電型基極 區，（e)—形成在該半導體層中之集極區，此集極區到 達該埋層，（f) 一形成在該半導體層之上的層間絶緣膜 ，此層間絶緣膜由第一集極闊口和第一基極開口形成， (g)—形成在層間絶緣膜之下，而由大小與第一基極開 口相同旦舆第一基極開口對齊之第二基極開口形成之基 極電極，此基極電極與該基極區接觸，（h)—形成在第 一和第二基極開口之内壁上的第一絶_ «壁，（i) 一形 •成在該基極區表面上之第一導電型射極區，U)—形成 在該第一絶線側壁内側表面上之射極電極，此射極電極· 與該射極區接觸，（k) 一形成在該第一集極開口之内壁 上的第二絶緣側壁，及（1) 一形成在該第二絶緣側壁之 内表面上的集極電極，此集極電極與該射極B接觸。 該第二絶緣側壁最好與該第一絶緣側壁同時形成，而 -7 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 315502 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 1 1 且 該 集 極 雷 極 最 好 與 該 射 極 電 極 同 時 形 成 〇 1 1 1 層 間 絶 緣 膜 可 設 計 成 fcb 其 他 在 要 形 成 基 極 電 極 和 集 極 1 電 極 之 區 域 的 部 分 薄 〇 /—、 請 ! 先 1 該 半 導 體 元 件 >ΙΛ m 可 包 含 形 成 在 層 間 絶 緣 膜 之 下 9 而 閲 1 1 由 大 小 與 第 集 極 開 相 同 且 與 第 一 集 極 開 口 配 向 之 第 背 面 1 I 之 二 集 極 開 P 形 成 的 模 擬 電 極 > 此 模 擬 電 極 設 計 成 與 栗 極 注 意 1 事 區 接 fm 觸 而 且 第 二 絶 緣 側 壁 覆 蓋 第 一 和 第 二 集 極 開 Π 之 項 [ 再 政 内 壁 〇 寫 本 根 據 本 發 明 上 面 之 敘 述 » 可 以 白 行 配 向 方 式 製 造 微 影 頁 S._^ 1 I 製 程 步 驟 數 比 傳 統 方 法 少 2 之 雙 極 性 電 晶' m > 因 此 本 1 1 發 明可以較少製造步驟數 製 造 比 習 知 方 法 有 效 高 製 造 良 1 率 和 較 低 成 本 之 雙 極 性 電 晶 鼷 〇 Ί Ίτ 由 下 面 參 考 附 圖 之 説 明 t 本 發 明 上 面 的 和 其 他 的 百 的 1 舆 優 點 特 擻 將 m 很 明 顯 > 其 中 在 所 有 圖 中 $ 相 似 之 參 考 | 文 字 表 示 相 同 或 相 似 的 部 分 〇 I 國 簡 沭 1 Λ I 第 1 A _到第 IF画為雙極性電晶體之横截面 bgr( 画 9 各 麵 表 示 製 造 一 雙 極 性 電 晶 體 之 習 知 方 法 的 各 步 驟 〇 第2 A圖到第 2 F圖為雙極性電晶 gjMr 麗 之 橫 截 面 圖 9 各 爾 表 1 1 示 1 根 據 本 發 明 第 實 施 例 兀 成 製 造 一 雙 極 性 舊 晶 麗 之 方 I 法 的 各 步 驟 〇 1 ί 第 3 A圖到第 3C圖為雙極性電 晶 體 之 橫 截 面 ΓΒΤ 圆 9 各 園 表 1 1 示 根 據 本 發 明 第 實 施 例 nd=a 兀 成 製 造 一 雙極性電 晶 am m 之 方 1 I 法 的 各 步 驟 〇 1 1 -8 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） . A7 B7 五、發明説明（7 ) 較住啻撫例說明 根據本發明之較佳實施例將參考圖式説明於下。 〔第一實施例] 如第2A圖所示，在p型半導體基板14之設定區形成一 η型埋層2，在半導體基板14上成長一 η型磊晶層1之 後，形成一界定在形成半導體元件之間的區域之溝渠式 隔離區3,然後完成第一徹影製程步驟，即，在第一徹 影製程步驟完成將磷（Ρ)離子植入在η型磊晶層1中選 擇之區域，例如，5X10 15 cm - 2之劑量以70 keV之能 量植入，而在η型磊晶層1形成一集_極區6。

然後，依熱氣化法或化學氣相澱積（CVD)法在所有産 生之結果上形成一二氣化矽膜4,接著，完成第二微影 製程步驟，以在要形成基極和射極之區域形成基極/射 極開口 BE,和在要形成集極電極之區域形成集極開口 C 然後，如第2B圖所示，將半導體基板14作熱退火，因 此形成比在基極/射極開口 BE和集極開口 C之中的第一 次形成之二氧化矽膜4薄的二氣化矽膜4a。 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 ------.if裝丨- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，如第2C画所示，利用CVD法，在所有的二氯化 矽膜.4和4a之上形成一多晶矽膜5,接著將硼（B)離子植 入比多晶矽膜5，然後，完成第三徹影製程步驟，明確 地說明，利用第三微影製程，而且還利用蝕刻將該多晶 矽膜5製作成圖案，因此在較薄之二氣化矽膜4a上形成 一基極電極5a和一模擬電極5b,其分別各自覆蓋基極/ 射極開口 BE和集極開口 C,如第2D圖所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央榡準局員工消費合作社印裝 315502 A7 B7 五、發明説明（8 ) 然後，利用CVD法在産生之結果上澱積一氮化矽膜7， 然後，完成第四徹影製程步驟，即，在第四微影製程步 驟，將該《化矽膜7及分別在要形成基極和集極«極之 區域的多晶矽膜5 a和5 b製作成圖案，然後成功地作移去 蝕刻，因此通過暴露之較薄的二氣化矽膜4a,形成基極 開口 7 B和集極開口 7 C ,如第2 E圖所示。 接著，用弱氫氟酸蝕刻，以去除該較薄之二氧化矽膜 4a的暴露部分和恰好位在多晶矽膜5a和5b之端點下的二 氧化矽膜4a部分，因此在多晶矽膜5a和5b之下形成下切 中空部分，然後，利用CVD法在基極和集極開口 7B和7C 澱積一多晶矽膜8,使其塡滿該下切中空部分，然後， 蝕刻此澱積之多晶矽膜8,使此多晶矽膜8僅存在於該 下切中空部分。 其次，將2 X 1 0 B c a - 2劑‘量之硼離子以1 〇 k e v之能 量，通過基極和集極開口 7 B和7 C植入磊晶層1，接著利 用熱退火在恰好在集極開口 7B之下的磊晶層1形成一基 極區11，應該注意到集極區6具有高的磷濃度，因此， 儘管上述之硼離子佈植該集極區6也不會反轉成p型。 然後，在産生之結果上澱積一絶緣膜9,再作非等向 性蝕刻使得此絶緣膜9只存在基極和i極開口 7 B和7 C的 内側壁上，然後，在産生之結果上形成一 η型多晶矽膜 ，再利用第五微影製程步驟製作圖案以形成覆蓋基極開 口 7Β之射極電極10a和覆蓋集極開口 7C之集極電極10b, 如第2F圖所示，然後，將半導體基板作熱退火，使η型 -1 0 - 本紙译尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 訂- Λ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) · 多晶矽膜10 a所含之雜質擴散進入基極區11,因而在其 中形成一射極區13。 在形成多晶矽膜8之後，完成上述之熱退火，尤其， 完成形成基極區11之熱退火，使多晶矽膜5a所含之P型 雜質通過多晶矽膜8擴散進入η型晶'晶層1,因而在該 基極區11附近形成外基極區12,如第2F圖所示，因為設. 計集極區6之磷濃度高於硼濃度，所以上述之ρ型雜質 擴散不會使該集極區6反轉成ρ型。 考慮前面明顯的說明，在元件隔離區3形成之後，為 了製造一電晶體要完成五次的撤影製程步驟•，換言之， 上述之第一實施例可能以比習知方法少2之徹影製程製 造電晶體。 〔第二實施例〕 根據第二實施例之方法具有舆已經參考第2Α圓到第2C 圖説明之第一實施例相同的步驟，因此，說明於下之第 二實施例的第一和第二撤影製程步驟已經完成。 利用CVD法在所有的二氧化矽膜4和4a之上形成一多 晶矽膜，接箸將硼（B)離子植入此多晶矽膜，然後，完 成第三徹影製程步驟，明確地説，藉由第三徹影製程， 還有蝕刻，製作該多晶矽膜之圖案，因此在較薄之二氣 化矽膜4a上形成一覆蓋基極/射極開口 BE之基極電極5a ，如第3A圖所示^ 其次，利用CVD法在産生之結果上澱積一氣.化矽膜7, 然後，完成第四徹影製程步驟，換言之，在第四微影製 -1 1 - (請先閲讀背面之注項再填寫本頁)

......1· 1- I -!- ......... _-11 --《 -I --訂-----------l· I ---------- 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明（10 ) 程步驟將在要分別形成基極和集極電極區域的氮化矽膜 7和多晶矽膜5a製作成圖案，再成功地作移去蝕刻，因 而形成通過暴露之較薄的二氧化矽膜4a之基極開口 7B和 集極開口 7C,如第3B圖所示^ 然後，用弱氫氟酸蝕刻，以移去較薄的二氣化矽膜4a 之暴露部分和恰好位在多晶矽膜5a端點下之二氣化矽膜 4a的部分，因此在該多晶矽膜5a之下形成下切中空部分 ，然後，在基極和集極開口 7B和7C,利用CVD法澱積一 多晶矽膜8,所以其隨即镇滿該下切中空部分。 接著，將- 2劑量之硼離子，以keV之能 量，通過基極•和集極開口 7 B和7 C ,植入磊晶層1 ,然後 再作熱退火，因此在恰好在基極開口 7B之下的磊晶層中 形成一基極區1 1。 其次，在産生之結果上澱積一絶線膜9，再作非等向 性蝕刻，使得此絶緣膜9僅存在在基極和集極開口 7 B和 7C之内側壁上，然後，在産生之結果上形成一 η型多晶 矽膜，且用磷佈植，然後，如第3C圖所示，利用第五微 影製程步驟和蝕刻，將此η型多晶矽膜製作成圖案，以 形成覆蓋基極開口 7Β之射極電極lQa和覆蓋集極開口 7C 之集極電極l〇b,然後，將半導體基板作熱退火，使η型 多晶矽膜10 a所含之雜質擴散進入基極區11,而在其中 形成一射極區1 3。 因為在上述之第二實施例中，多晶矽膜5所含之硼不 會擴散進入集極區6,所以可能使電晶體之集極電阻像 -1 2 - • t— I- 1 4— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、tT Μ 本紙張尺度適.用中國國家標率（CNS ) Α4规格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（11 ) 數小於第一實施例。 應該注意到恰好位在該集極區6之上的二氣化矽膜4 之較薄部分4a也可能形成在上述第一和第二實施例之集 極開口 7c。 當説明本發明有關之某優選實施例時，要明瞭本發明 之内容並不局限於那些特定之實施例，相反地，本發明 之内容僳包含所有可以包含在下文申請專利範圍之精神 和範圍中的變化例，修飾例和等效例。 (請先閲讀背面之注意事項再赛寫本頁) 袈_

、tT 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4规格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 第85115002號「半導體元件及其製造方法」專利申覆案 (86年01?月21日修正） · 六、申請專利範圍： 1. 一種半導體元件之製造方法.包含之步驟依序為 經濟部中夬揉準局Λ工消费合作社印製 , 在.， 晶 膜在區 部 層 多 案 在 層；而層 多 極緣以極 膜 晶 ·，的 圖! 埋層，埋 之 電絶 >集 緣 磊 壁雜. 成)p 型晶層該 雜 極間案該 絶 該 «摻 作(J 電磊晶逹 摻 基層圖在 的； 入 緣質 製 驟 導型磊到 質 一 一成和 下分 引 絶雜 膜 步 一電該區 雜 成成作口 之部 口 成型 矽 該 第導入極 型 形形製開 極空 開. 形電 晶。中 一 一 引集；電 以上極極 電中；.極·，上導 多極其 成第地該膜導 ，之電基 極切分基區壁二 之電 ， 形成性使緣二 案膜極一 基下部該極内第 雜極法 地形澤 ，絶第 圖緣基成 該成空過基之一 摻集方14-分時選區一一 成絶該形.，在.形中通 一口成 質該之-1 部同質極.成成 作該和域口位中切質成開形 雜和項 中上雜集形形 製和膜區開好膜aT雜形極上 型極1 板之型 一上上 膜極緣之極恰緣 & 型層集果 電電第 基層電成層膜 矽電絶區集該.絶镇電晶和結及導極圍 體埋導形晶縿 晶極間極一刻該矽導磊極之以二射範 導該一層磊絶 多基層基成蝕在晶二該基生.，第成利 半在第晶該該；該該該成形縿以多第在該産膜該形專 在且將磊在在膜將在將形上邊，用將而在在矽将以請 而 } 該 J } 砂 - }}要之} 分丨} ，}} 晶丨 ，申 «α b c d Θ f s h i j k _—- 0 J /fv rv r 」 /fv rv /UK /L /X fv -f\ /IV /IV /V ----[J I裝-------訂丨丨,-丨《丨線 (请先閲_背面之注$項再填寫本頁). 本紙張尺度適用中國國家樣象< CNS > Α4洗格（21 ΟΧ297公釐） ABCD 經濟部中央標準局貝工消費合作社_裝 々、申請專利範園 . 該步驟（g)和（h)之間完成。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，尚包含步驟：（η)在 該集極Β之上形成一模擬電極，該步驟（η)會與該步 驟（e)同時完成β 4. 如申請專利範圍第2項之方法，還包含、之步驟為：U) 在該集極區之上形成一模擬電極，該步驟（η)會舆該 步驟（e)同時完成。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該步驟（c)形 成之該絶緣膜，其在要形成該基極電極和集極電極之 區域的部分比其他部分要薄。 6. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在該步驟（c)形 成之該絶緣膜，其在要形成該基極電極和集極電極之 區域的部分比其他部分要薄。 7. 扣申請專利範圍第5項之方法，其中位在該集極區上 之該絶緣膜的該較薄部分之一係位在該集極開口之中。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中位在該集極區上 之該絶緣膜的該較薄部分之一偽位在該集極開口之中β 9. 一種半導體元件的製造方法，具有以自行與在要形成 基極區之基極開口配向方式所形成的基極區和射極區 ，至少包含之步驟為： U)在半導體基板上澱積一絶緣膜之前，在該半導體 基板形成一集極區；以及 (b)在要形成集極電極之區域與在要形成射極電極之 區域同時形成。 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公嫠） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) f n_ -^ 訂---^---^ *線- M濟部中夬橾準局属工消費合作社印製 區絶 .，電 側 電該 極 一 區極 緣 極 中 基 第 極射 絶 集 其 該 之 射的 二 的 * 。 與 上 型上 第 上 件成 係 壁 電面 的 面 元形 極 内 導表.，上 表 體時 電 口 一側觸壁 側。導同 極 開 第内接内 内觸半壁 基 極 之之區之 之接之側 該 基 上壁極口 壁區項緣 ' 二 面側射開 側極10絶6-極 第 表緣該極 緣集第一-1 電 和 區絶舆集 絶該圍第 極 一 極一偽 一 二與範該 基 第 基第極第 第極利與 之 該 該該電該 該電專像 成 在 在在極在 在極諳壁 形 成；成成射成及成集申倒 口 ； 形壁形形該形以形該述緣 開觸一側一 一 ，一 .，一 ，前絶 極接}緣_}極}壁} 極如二 h i .J k 1 rv- /Jv /V /---N /IV · 315502 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 . ίο. —種半導體元件，包含： U) —半導體基板； (b) —部分形成在該半導體基板之第一導電型埋層； (c) 一形成在該埋層上之第一導電型半導體層； (d) —形成在該半導體層之中的第二導電型基極區； (e) —形成在該半導體層之中的集極區，該集極B到 逹該埋層； (f) 一形成在該半導體層之上的層間絶縿膜，該層間 絶緣膜由第一集極開口和第^基極開口形成； (g) —形成在該層間絶緣膜之下而由具有舆該第一基 極開口尺寸相同且舆該第一基極開口對齊之第二基 本紙張尺度逍用中國國家標準（〇阳>六4«?>格（2丨0父297公釐） ---------f 1裝------訂—-——Λ:·線 t >» (价先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 12. 如前述申_專利範圍第10項之半導體元件，其中該 集極電極偽舆該射極電極同時形成。 13. 如前述申請專利範圍第11項之半導體元件，其中該 集極電極傜與該射極電極同時形成。 14. 如前述申菌專利範圍第10項之半導體元件，尚包含 一形成在該層間絶緣膜之下，而由具有與該第一集極 開口尺寸相同且舆該第一集極開口配向之第二集極開 口形成之模擬電極，該模擬電極與該集極B接觸，該 第二絶緣側壁覆蓋該第一和第二集極開口之内壁。 15. 如前述申請專利範圍第13項之半導體元件，尚包含 一形成在該層間絶緣膜之下，而由具有與該第一集極 開口尺寸相同且與該第一集極開口配向之第二集極開 口形成之模擬電極，該啞電極與該集極區接觸，該第二 絶緣侧壁覆蓋該第一和第二集極開口之内壁。 16. 如前述申請專利範圍第10項之半導體元件，其中在 要形成該集極電極和集極電掻之區域的該層間絶緣膜 比其他部分要薄。 17. 如前述申請專利範圍第13項之半導體元件，其中在 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) —線--- 膜 緣 絶 間 層 該 的 域 屋 之 極 極 集 和 極 。 電薄 極要 基分 該部 成他 形其 要比 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）