TW222615B - - Google Patents

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C ^ ^ 5 A 6 B 6 經濟部中央櫺準局β工消#合作社印製 五、發明説明（1 ) 本發明涤翮於介電组合物。更特定言之•本發明係關於 玻璃和陶瓷物質，其可在低溫下燒结而產生具有低熱膨張 係數和低於4.2介電常數之稠密物體。 習知地•氧化鋁（auo3)可使用做為微電子封裝的介電 物質。其具有優異電的（絕緣）、熱的和櫧械的（特別是 強度）特性。Μ氧化鋁為基礎之封装通常含有4_ 10重量 百分比玻璃，並需要1 5 0 0 C Μ上境结溫度，此將必需使 用耐火金靨如鉬或鎢作為電的互連•如此該金靨才能與封 装共-燒。這些金靨若與高導電性金屬如銅比較時有較差 的電導性•第二，彼等在所需的共一燒期間則需使甩強的 還氧氣層，及昂貴熔爐糸统。 多層陶瓷電路板的發展已_向-於較高頻率、較高密度和 較高速之装置。AU〇3有相當高介電數約9.9 ，會引起高 的訊號傳播延遲及低的訊號一對-噪音比（漏話現象）。 在陶瓷基材上訊號傳播延遲（t)是受基材的有效介電常 數（k')所影響•如下列等式：t = ( k 7 ) °-5κ c 其中C表示光速。頃發現訊號傳播延遲可羥由基材有效 介電常數的減少而顯著地減低。-舉例說明，如果物質的介 電常數由1Q (約為A 1 2 0 3之k ’）減低成5 ，則訊號傳播延遲 可減少30百分比。對於基材使用密樂橫體電路，例如超大 型續體電路（VLSI)來架構（housing)測定板（chip)時

TP (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) c，c c λ r -0' 4' 0 j. 〇 A 6 B6 經濟部屮央標準局A工消费合作社印製 五、發明説明（2 ) 小的訊號延遲特別重要。 再者，氧化鋁的熱膨脹係數與矽的3.4 10_βυ比較時 為約7.4 X 1〇-3/^〇 (在20 — 2001：範圍）。此熱膨脹的不 相配當把矽膠封於該基材上時會導致設計上的束縛和可信 度的事情。 迄今，大部份使用於多層電路的介電物質習知地都是厚 膜姐合物。典型的電路是藉由在通常為32 — 3S重量百分比 AU03的陶瓷基材上以連續地印刷、乾烽和具燃燒功能的 學膜層而装配成的。所需的多步驟因大量的加工步琛而使 此技術程序更密集，並由於高成本而產生損失。雖然如此 厚膜技術在電子工業中遨是有很重要的需求，並且在可預 見的未來將持續如此。 ^ 最近，具低介電常數之介電厚膜姐合物已引進了。然而 具有小於4 . 5之低介電常數和等於矽（3 . 4 p p m / t )之熱 膨脹係數的陶瓷基材尚未有可行性。 近來，低溫共一燃（LTCF)技術已被引用為製造多層電路 的方法。此技術提供了 HTCF技術之加工利益和厚膜技術之 物質利益的结合，這些LTCF線帶系统具有低於lOOOt：之燃 燒溫度並允許高専電性金屬如銀、金、銀/鈀和铜（然而 ，飼需在還原氣層）之使用。大部份的這些膠帶糸统具有 6到8之間的介電常數並包含有~ 一熱膨脹係數（T C E )範 圍。 近來·尚未具可行的低溫共溫一燃介電媒帶系统•其是 使用有低介電常數（小於4.5 )和膠封在矽土之TCE ( ΤΡ - 4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線. 太板诙尺沧这m中困03 ί:过淮iCNS) 痴格（2丨0乂297公帒） 5 經濟部屮央標準Λ,Ιβ工消費合作社印製 A 6 _Bj6 五、發明説明（3 ) 3.4 ppm/υ)的玻璃加陶瓷方式。 使用铜導體之多層陶瓷電路板之製法乃描述於美國專利 第4,642, 148號，由古利哈拉（Kuriha「a)等人所公佈。 其揭示陶瓷组合物含有1Q— 75重量百分比α —氧化鋁、5 —7〇 %重量百分比非一晶形石英（熔化二氧化矽）、20 — S0重量百分比硼矽酸鹽玻璃。所得之燃燒物質的介電常數 在4 . 8到9 . 6範圍内。 由許諾哈拉（ShUohara)等人公佈之美國專利第 4,672,152號描述了多層陶瓷電路板，其中該陶瓷是由50 一 95重量百分比可结晶玻璃和5 —5Q重量百分比陶瓷填充 劑之混合物所製得。該物質有一介電常數在5.1和6.0之 間並具有撓曲強度大於150 MPa』該可结晶玻璃是由5 — 2〇重量百分比氧化鋰、SO -SQ重量百分比二氧化矽、1 _ 10重量百分比氧化鋁和1 — 5重量百分比鹼金鼷氧化物而 非氧化鋰所姐成。該陶瓷填充劑則選自包含二氧化矽、召 —鋰霞石（L i M S i 0 4 )和氧化鋁。 由迪拉薩羅（DiLazzaro)等人所公佈之美國專利第 4,7 5 5,490號描述具有介電常數在4. 5和6.1間的低燃馆 溫度陶瓷物質。該物質具有3.9和4.2公分/公分/1〇 X 1〇_0間的熱膨脹係數。霣例11顯示k’=4.5和TCE = 3.9 。 該物質是由10 — Μ重量百分比化鋁、0 — 3Q重量百分比 熔化二氧化矽和別一 SQ重最百分比（約SQ — 7Q體撗百分比 )由約4重量百分比CaO ，約12重量百分比MgO 、約23重 量百分比B203和約42重量百分比Si02所組成之玻璃料的混 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) TP - 5 - 太敁泷尺疳读用中因因它坻旅（CNS)甲4插格（210乂297公烽） 222615 五、發明説明（）- ------------ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本页) 合物所形成。該姐合物可在低於1000 π下燃燒。 由巴鈴格（Barringer)等人所公佈之美國專利第 4,788,046號描述了用於積《霣路之具有低燒结溫度之玻 璃-陶瓷封裝。該焼结姐合物是藉由用玻璃塗覆陶瓷粒子 ，把該已塗覆粒子和玻璃分開及接著把該已塗覆粒子製成 半成品緊密盒而形成·。使用石英則可得具最低介電常數 (4.5)物質。此物霣具有大於5.5之熱膨脹係數。 由伯恩（Burn)所公佈之美國專利第4,879,261描述介 電體小於5.0之低介罨物質。該物質是由實質上含70-85 重量百分比二氧化矽和15-3〇重量百分比画砂鋅助熔劑之 细碎粒子混合物所形成·其可於氧化氣層中在10651 下 燃燒。該姐合物可用來製造具有内部鋦導賭之半成品線帶 和多層装置如多餍霣容器和多層互連器。 由上所述•可看出對低溫共一堍線帶介罨體有實質上的 需求•此介電體⑴有低介電常數（小於4 . 5 ί⑵具有非常 接近矽值（3.4 ΡΡΒ/υ )之熱膨脹係數*及⑶可在低溫下 (小於950 υ )空氣宁燃焴*因而允許高導電性治金如金 、銀和銀/鈀之使用。 本發明主要目的是提供可燒结成具有低於4.2介電常數 、低於4.0 ΡΡΒ/υ熱暌脹係數，及可在小於9501C 下空氣 中燃燒的胚體物質。· 本發明之另一目的是’提供在_低寧下燒结Μ產生具低熱膨 脹係數和低於4.2介電常數及低於體積百分比玻璃含量 之稠密胚體（大於95百分比理，論密度）的陶瓷物質。減小 甲 4(210Χ 297公沒） -82：A6 B6 ^、發明説研「—y 該燒结胚體之玻璃含量是非常需要，因為該玻璃相在共-熗期間是負責形狀扭曲或翹曲。若該燒结胚體欲使用於電 子封裝*則和高體積百分比玻璃含量有瞄的形狀扭曲會引 起孔洞（v i a h 〇丨es )在金靨和陶瓷共燒期間無法排成一線 。玻璃含量低於50體積百分比將可減小翹曲發生。 發明摘诚 本發明係鼷於用於製造具有介電常數小於4.2之陶瓷介 電電物體的陶瓷组合物，該姐合物可與高導電性金屬如金 、銀和銀/鈀共一燒。該組合物25 — 50體積百分比硼矽酸 鹽玻璃和5〇 - 75體積百分比高二氧化矽玻璃之细碎粒子混 合物。 t請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) -¾.. 合 聚 於 散 分 物 合 組 述 上 有- 含 0 於帶 翮線 係品 明成 發半 本燒 ’燃 念未 觀之 個中 二劑 第合 黏 間形 其燒 和燃 層被 物已 合；物 姐合 述集 上該 有， 含板 於基 關瓷 係陶 明層 發多 本之。 ，層構 念體結 觀導的 步銅封 一 之密 進連密 再互稠 有成 具成 並燒 層燃 物被 合已 組物 述合 上集 有該 含 ， 於器 關容 係電 明瓷 發陶 本層 . 多 念之 觀間。 個其構 一 在结 另層封明 有體密説 尚導密明 銅稠發 之分 份百 組份 要姐 主一 植毎 兩 。 有璃 含破 是矽 物化I 合氧- 姐二 瓷高 陶和 加璃 璃玻 玻鹽 的酸 佳矽 較硼 明 ： 發物 本合 is 终溫 最低 之及 質術 物技 瓷造 燒規 燃正 該 0 視可 乃體 ，物 化瓷 變陶 内的 圍密 0 稠 述。 所定 下而 如性 在持 可需 比所 •打· •if. 甲 4(210X 297乂沒） 經濟部屮央樑準局β工消费合作杜印製 A6 _B_6 五、發明説明（6 ) (即850-1000¾)燒结由此组合物而製得。在本發明較佳 應用中 > 此一混合物可製成薄線帶、在所需位置上把該線 帶穿孔所得孔洞（via hole)、及在該已穿孔線帶上形成 一種以上金靨導體路徑。用於導體路徑之合適金饜包括飼 、銀、金、鉑/金和鈀/銀。隨後典型地是在二個以上斷 面（section)被層合在一起Μ形成多層電路基材之後·再 把該線帶在低溫下燒结。 令人驚奇地，頃發現低燃燒溫度之玻璃加陶瓷姐合物可 由含小於5ϋ體積百分比硼矽酸鹽玻璃之混合物製成。如上 所述•減少該燒结物體之玻璃含量是非常需要的·因為該 玻璃相在共一燒期間是負責形狀扭曲或翹曲。玻璃合量低 於50體積百分比將可減少翹曲及_孔洞（ν ί a h ο 1 e )無法 "排成一槔之發生。本發明之低燃燒溫度玻璃加陶瓷姐合物 可藉由提供含25 — 5Q體積百分化硼矽酸鹽玻璃和50 — 75體 積百分比高二氧化矽玻璃之粉狀成份的混合物而製得•該 硼砂酸鹽玻璃是由 Al2〇3、 B2〇3、 CaO、 K20、 Li20、 Na20 、S i 0 2姐成，如此該混合物則具有钦化點7 9 3 1C 。然後把 多量該混合物以習知步琢製成所需形狀，並在至少85010 ，較佳為850-950C ，最佳為900-9501下燒结。此燒结 可在氧化，中性或遇原氣層下執行。 本文所用之”玻璃加陶瓷”一~詞是表示由结晶陶瓷和玻 璃之混合物所形成的燒结陶瓷组合物。該”玻瑀加陶瓷" 组合物之陶瓷和玻璃相在燃燒後運是很不同。在”玻璃加 陶瓷”系统中之玻璃在燃燒後遇保持其玻璃特激•並且在 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 装< 訂‘· 線. ΤΡ - 8 太板银β飧ii用Φ a « V4梅焓（210x297公修） 經濟部屮央標準局Μ工消#合作社印製 rw、ί' λ / 产 “ w i 5 A 6 _ B 6_ 五、發明説明（7 ) 該姐合物中是非一結晶玻璃。本文所用之”玻璃加陶瓷 一詞是在辨別含非-结晶玻璃與”玻璃-陶瓷”系统（其 中玻璃在燃燒時，受到支配而變得不透明並變成结晶形） 〇 本文所用之”硼矽酸鹽玻璃”玻璃表示含20-35重量百 分比氧化硼（B 2 0 3 )和SQ - 8Q重量百分比二氧化矽之玻璃族 〇 本文所用之”高二氧化矽玻璃”玻璃表示含大於S5重量 百分比二氧化矽（Si02)和含3 - 4重量百分比B2〇3 & 0 — 1重量百分比Al2〇3之玻璃族。”高二氧化矽玻璃”有一 軟化點大於15001C，並且當使用在低於1000T：下燃燒的陶 瓷姐合物時不會變得不透明。所”高二氧化碳玻璃”之 作為像S结晶形的填充劑，因為其和該物質的其他陶瓷姐 份還是明顯不同。 ”高二氧化矽玻璃”和”熔化二氧化矽玻璃”是不同的 ，由於”熔化二氧化矽玻璃”確實含有100百分比Si02。為 了本發明之故”高二氧化矽玻璃”和”熔化二氧化矽玻璃 ”之間的差異是有些嚴苛。”熔化二氧化矽玻璃”在提高 溫度下比”高二氧化矽玻璃”更易變得不透明而形成白矽 石结晶形。在燃堍期間所形成之白矽石相冷卻時仍保留在 該物質内並且因存在該已燃馈產~品中而提高了 TCE及降低 產品之機械強度。機械強度的損失乃由於和相赛換（其會 產生微裂）有關的體橫改變所致。”高二氧化矽玻璃”在 低於10001下將不會结晶成白矽石。

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比 分 百 量 置 S 比 分 百 量 &B 9 Γ ο 圃 範 份 姐 佳 較 之 物 〇 . 合 N 姐 wo^ 5陶 加 璃 玻 明 發 6本 9銳 、解 03例 B2實 比列 分下 百 ο 11 太 Λ iiffl 甲 4 捣格（210x297 公货） 經濟部+央樑準扁员工消费合作社印製 A 6 B 6_ 五、發明説明（9 ) 。在每一實例中I該硼矽酸鹽玻瑀包含有0.98重量百分 比六12〇3、26.7重量百分比8203、0.11重量百分比〇3〇、 0.84重量百分比K2〇、0.78重量百分比LU0、0.2重量百分 比Na20和69.8重量百分比SiO，而該高二氧化矽玻璃是康 寧的7913 。 在此實例中，起始物質之姐成S宵上為75體積百分比高 二氧化矽玻璃25體積百分比硼矽酸鹽玻璃。把該硼矽酸鹽 玻璃和高二氧化矽玻璃個別地放在1.3加侖球磨機内研磨 1S小時使達到2 — 4微米的粒子大小。因為硼矽酸鹽玻璃 和高二氧化矽玻璃的密度幾乎相词|所Μ體積百分比可約 略地相等於重量百分比。在此實例中該混合物的實際重量 百分比是75.2重最百分比高二氧化矽玻璃和24.8重量百分 比硼矽酸鹽玻璃。把此無機物質混合與5重量百分比聚乙 二酵黏合劑和SQ重量百分比1 _丙酵姐合並在管狀混合器 中混合2小時。然後在8〇°〇下把該物質過乾2小時並篩分 。接著藉由在一13,OOOps丨（910公斤/平方公分）模子中 壓縮此研磨過混合物使其乾壓成直徑1.9公分、高0.3公 分丸粒。把此丸粒在空氣中燃燒•此燃燒分成兩步猱。第 一步驟先把鲇合劑焴出。此乃ΙΓ由加熱該等丸粒至500t 並維持1小時而成。接續在各棰溫度範圍860 ¾ 到1 000 t 等溫地燒结該等丸粒4小時。此已燒结物質之馏结密度是 藉由根據ASTM程序C373-72水置換法測得。熱膨脹係數（ TP - 11 - 裝· 訂· 線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部屮央標準沿β工消费合作社印製 A 6 B 6 五、發明説明（10 ) TCE )是使用膨脹計並在室溫至200C 溫度範圍測得。介 電常數和介電損失是藉由在1MHz下由HP 4192 AC阻抗測得 。該物質之燒结密度如表I所報告。頃發現該所得燒结陶 瓷物質之密度為大於35百分比的9501C 理論密度（T.P.)。 而該物質之介電常數（k')，散逸因數（D.F.)和線性 熱膨脹係數（TCE)如表2所記錄。 鬣例_.2·. 除了無機姐合物是7Q體積百分比高二氧化矽玻璃、30體 積百分比硼矽酸鹽玻璃（分別是70.2重量百分比和29.8重 量百分比）外，重覆實例ί步驟。該物質之燒结密度如表 I所報告。該所得之燒结陶瓷物-質之密度經測量具為大於 35百分比之高於900C溫度理論密度（T.D.)。該物質之介 電常數（k')，散逸因數（D.F.)和線性熱膨脹偽數 (TCE )記錄於表2中。 啻例3 除了無機姐合物是SQ體積百分比高二氧化矽玻璃、4Q體 積百分比硼矽酸鹽玻璃（分別是60.2重量百分比和39.8重 量百分比）。該物質之燒结密度報告於表I中。該所得之 熵结陶瓷物質之密度經測量具為~大於95百分比之高於850 t理論密度（T.D.)。該物宵之介電常數（k')，敗逸 因數（D.F.)和線性熱膨脹涤數（TCE)記錄於表2中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装- 線_ A 6 B 6 五、發明説明（11) 苜例4 除了無機组合物是5Q體積百分比高二氧化矽玻璃、50體 積百分比硼矽酸鹽玻璃（分別是50.3重量百分比和49.7重 量百分比）外，重覆S例1步驟。該物質之燒结密度如表 I所報告。該所得之燒结陶瓷物質之密度經測量為具大於 95百分比之高於800t理論密度（T.D.)。該物質之介電常 數（k' ) ·散逸因數（D.F.)和線性熱膨脹涤數（TCE) 記錄於表2中。Μ_L_ — 溫摩 (V ) 姐合物（髑穑百分fch ) 800 850 9QQ 95Q BSG HSG _密麻 (% T . D .) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部屮央櫺準Αβ工消费合作社印製 25 75 68 . .2 78.7 9 1 , ‘4 98.2 30 70 Ί2 . .0 93.5 99 . ,9 99.9 40 60 95 .2 99 . 9 99 _ ,9 99.9 50 50 99 ,9 99.9 99 . .9 98.2 TP 13 疳这用ΦΒΗϊυ*迆（CNS)申4甩棋（210x297公资） ^^Gi5 A 6 B 6 五、發明説明（2 ) 2 組合 m (m m W ^ hh ) BSG HSG V, k， D.F. (¾ 25 75 950 3 .9-4.0 0.1-0. 30 70 90 0 3 .8-4.0 0.1-0. 40 60 900 3 .9-4.1 0.1-0. 50 50 900 3 .9-4.0 0.3-0. TC.F. (ppm/c.) 3.0- 3.2 3.0- 4.0 3.0- 4.0 3.4-3.6 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部屮央櫺準局β工消费合作社印製 茛例 體積百 玻瑀含 扭曲。 高燒结 貴金靨 组合物 再者 介電損 可減少 實例 了要形 1 - 4 分比） 量是非 S例1 密度（ 如金（ 使用於 •實例 失（在 在陶瓷 1-4 成用於 的產品 運少的 常需要 一 4的 含有比 玻璃含 的，因 產品具 那些文獻上所報告者（大於so 量（25 — 5Q體積百分比）。低 為其可避免在共 有在 800-950 t： 大於95百分比理論密度）。此 Au)和銀-鈀（Ag-Pd)者相容 共一燒的陶瓷/金靨電子封装 1 一 4之物質有低介電常數（ 1 Μ Η Z下0 . 1 - 0 · 4百''分比）是非 基材中之信號傳播延遲。 之物質可用來製造多層高頻率 多層高頻率電路封裝之介電靨 -燒時形狀的 空氣中所得之 燒结溫度可與 ，其將能使該 系統中。 3 . 8 - 4 . 1 )和低 常需要的，其 電路封装。為 ，該起始物質

TP 14 太/»沾期 甲4«Μί210χ297公货）

五、發明説明（） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 需在球磨機中研磨直至具2 - 4微米的平均粒子大小。然 後藉由把细磨粉末與合適溶劑和其他慣用添加劑，如增塑 劑和黏合劑Μ此藝中習知方法姐合，即可形成泥漿。使用 一習知之定厚器壓平程序把該泥漿薄造成具有約75到400 微米厚的”半成品”（未燃燒）薄板，其後再把該半成品 薄板平伏（blanked)成個別的（25毫米正方形薄板或線帶 。接著使用鑄模穿孔程序可在半成品薄板中形成孔洞（ via hole)。合逋的孔洞是約125微米直徑。使用網版印 刷程序把導體漿Μ所需之圓樣（pattern)塗覆在該已穿孔 之薄板上。同時該導體漿也塗覆在該孔洞（via hole)內 Μ形成在導體圖樣之間之連接。該導體的主要金靥姐份為 金、銀、銅、銀/鈀合金、金/鉑合金、或其他合適物質 。然後把該印刷半成品薄板Μ所需序列使用準線孔Μ確定 正確排位，並在35.和2 5 0公斤/平方公分間之壓力及在 50-100¾下使之層合在一起。最後在不超過1000¾溫度內 燃燒該已層合半成品薄板而形成稠密、燒结陶瓷多層電路 基板。如果該導體金學在燃燒溫度下不會對氧化作用敏感 ，則此燃馍可在空氣中完成。舉例說明，除了飼是箱要在 遨氧或中性氣層外，其他前面所指金覇都是這種情況。依 此方法所製成之薄板具有低玻璃含量（25 - 5〇體積百分比 )，所以有較低傾向的杻曲和翹曲。 本發明姐合物同時可用於以賁f上習知之技巧所製成之 硬式、非孔狀陶瓷物體。舉例說明，任一先前簧例的批次 成份可用水和有機黏合劑組合·，並以球磨約2〇小時之久， -15 - 甲 4(21〇X 297 7^) S22615 A 6 B 6 五、發明説明（14 ) 末各適 他英，其 做本修 粉造合 其石者時 中背和 子製的 但信再 P 陁違變 粒來亡 ，咸。00實不改 狀壓00述而故10體要類 球靜10。 描然之過 具只此 圓等過體來。E 高 述-M 為或超物眼中TC度 上果所 乎堞不瓷字明高溫 在結。。 幾乾在陶為發其至 可的圍中 到如體的璃本為焴 是當-ig.圍 得，胚结玻於因燃 即相利範 可巧該燏矽用-當 ，或專利 ，技把、化使的， 的同請專 缲形後密氧蓋用矽 明相申請 乾成然稠二涵使化 顯到之申 孩準。得高可能氧 當達文列 唄標體可以也不二 相 K 本下 纆由胚刖都矽是化。者正和在 漿藉的，明化石熔明 g 修理蓋 泥可狀燏發氧矽用透此或原涵 得末形燃本二白使不譜變述於 所粉需下然之或能得热改所欲 該該所度雖式 \ 不變對種明將 。。種溫 形和也會 各發正 ...............! .......裝....訂· . .線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部屮央標準局貝工消费合作杜印¾

Claims (1)

1. 222615 ’ Y 修 u: 六1 ^|_專:利範la

   ~種由细碎粒子所形成之陶瓷姐合物，該姐合物具有介 電常數小於4.2及热膨脹係數小於4.0 PPi/t，該姐合 物賁質上包含有： m 25 一 5D«稹百分比硼矽酸鹽玻璃，其含有20 _ 3$重 最百分比B2〇3和B0 _8〇重量百分比Si〇2 ; Μ及 ^ 50 — π «稹百分比之實質上由 0.5— 1重最百分比氧化鋁 一 5重最百分比Β2〇 和 (請先閱讀背面之注意事項再填鸾本页) 2 a 郎一μ重量百分比si〇2m姐成之玻璃。 根據申辅専利範圈第i項之陶瓷姐合物，其中該硼矽酸 鹽玻璃之姐成份為： 〇 一 3簠董百分比氧化鋁、_2〇 — 30重量百分比Β2〇3、 〇_3重量百分比〇3〇2、0 — 3重量百分|(2〇、0-3重悬百分比LU0、0 — 3重量百分比NaO，及60-8〇重最百分比Si02。 根據申請専利範圃第1項之陶瓷姐合物，其中該所製成 之陶瓷介電物體具有熱膨脹係數在3.0-4.0 ppm/C範团 内。 經濟部中央標準局印装 粒介溶 碎機機 细有有 該 該 該ί 中 中 中性 其 其。其和 , *劑 * 調 物 物合物鑄 合 合黏合可 姐 姐合姐有 瓷。瓷聚瓷具 陶中陶5L陶液 之質之中之散 _ 項介項琊項分 1機4溶5其 1 第有第拥第且 _ 醒於園有園並 範敗範於範劑 利分利溶利溶 專乃専一専性 諝物請括請發 申合申包申揮 據混據是據為 根子根質根劑 4.US cdTP f 4(210X297 公廣) 經濟部中央揉準局印製 222615 at B7 C7 _D7 六、申請專利範面 Castable Consistency) 0 7.—種可鑄型之陶瓷姐合物，其實質上含有: ») 實際上由20 -35重量百分比B20s# SO — 8〇重量百分 比Si 02所姐成之砸矽酸鹽玻璃25- 50嫌稹百分比 及50 - 75體稹百分比實質上由， 0.5— 1重量百分比氧化鋁 1 一 5重最百分比B2〇3，和 95 — 98重量百分比Si〇2所姐成之玻璃的混合物；Μ 及 (b) 15 - 3D重量百分比含有聚合黏合劑溶解於有桷溶劑 中之有機介質。 TP - 2 - 甲4(210X297 公瀠) ...................................................«-..............................^ (請先W讀背面之注*事項再填寫本页)