JPH0986955A - 絶縁体用ガラス組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路 - Google Patents
絶縁体用ガラス組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路Info
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜印刷多層回路における絶縁層を形成する
ための絶縁体ペーストであって、絶縁層上に形成された
導体膜の接着強度が高く、この絶縁層に接する厚膜から
なる導体や抵抗体の特性を損なわず、低誘電率で、高絶
縁性の絶縁層を形成できる絶縁体ペーストを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少な
くとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2
Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、
添付の図１に示す３元組成図において、点Ａ（６５，３
５，０）、点Ｂ（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，
０，１５）および点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領
域内にある、ガラス組成物１００重量部と、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2
Ｏ3 の少なくとも一種２５重量部以下と、有機ビヒクル
とを含む。ここにＡｌ2 Ｏ3 粉末等が添加されてもよ
い。
ための絶縁体ペーストであって、絶縁層上に形成された
導体膜の接着強度が高く、この絶縁層に接する厚膜から
なる導体や抵抗体の特性を損なわず、低誘電率で、高絶
縁性の絶縁層を形成できる絶縁体ペーストを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少な
くとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2
Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、
添付の図１に示す３元組成図において、点Ａ（６５，３
５，０）、点Ｂ（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，
０，１５）および点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領
域内にある、ガラス組成物１００重量部と、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2
Ｏ3 の少なくとも一種２５重量部以下と、有機ビヒクル
とを含む。ここにＡｌ2 Ｏ3 粉末等が添加されてもよ
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁体用ガラス
組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路に関する
ものである。
組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器に使用される厚膜印刷多層回路
には、種々の構造のものがあるが、多くの場合、電気絶
縁層を備え、このような絶縁層に接して導体膜が形成さ
れている。このような導体膜が外表面に露出するとき、
この導体膜に他の導体が半田付けされることもある。ま
た、絶縁層は、このように導体膜と接する状況のほか、
抵抗体と接する状況にあることもある。さらに、単層の
回路においても、絶縁性基板上に絶縁層を形成し、その
上に抵抗体や配線を形成することもある。
には、種々の構造のものがあるが、多くの場合、電気絶
縁層を備え、このような絶縁層に接して導体膜が形成さ
れている。このような導体膜が外表面に露出するとき、
この導体膜に他の導体が半田付けされることもある。ま
た、絶縁層は、このように導体膜と接する状況のほか、
抵抗体と接する状況にあることもある。さらに、単層の
回路においても、絶縁性基板上に絶縁層を形成し、その
上に抵抗体や配線を形成することもある。
【０００３】電子機器の高密度化および／または高速信
号化に伴い、これら電子機器に使用される厚膜印刷多層
回路または単層の回路に関連して用いられる絶縁層は、
高い絶縁性を有していることはもちろん、低誘電率であ
ることが求められている。従来、このような低誘電率を
必要とする絶縁層には、エポキシ系等の樹脂系材料が用
いられることが多い。
号化に伴い、これら電子機器に使用される厚膜印刷多層
回路または単層の回路に関連して用いられる絶縁層は、
高い絶縁性を有していることはもちろん、低誘電率であ
ることが求められている。従来、このような低誘電率を
必要とする絶縁層には、エポキシ系等の樹脂系材料が用
いられることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂系
の絶縁体は、高温時の耐久性が劣るという欠点を有して
いて、より高い耐久性を有する絶縁体の実現が望まれ
る。また、絶縁層上に導体膜が形成されるとき、この導
体膜が高い接着強度をもって絶縁層上に形成され得るこ
とが望まれる。特に、導体膜に半田付けが施される場合
のように、熱衝撃が加わっても、絶縁層上での導体膜の
接着強度が所定以上に維持されることが望まれる。
の絶縁体は、高温時の耐久性が劣るという欠点を有して
いて、より高い耐久性を有する絶縁体の実現が望まれ
る。また、絶縁層上に導体膜が形成されるとき、この導
体膜が高い接着強度をもって絶縁層上に形成され得るこ
とが望まれる。特に、導体膜に半田付けが施される場合
のように、熱衝撃が加わっても、絶縁層上での導体膜の
接着強度が所定以上に維持されることが望まれる。
【０００５】また、絶縁層と接して導体または抵抗体が
厚膜をもって形成されるとき、これら絶縁層または導体
もしくは抵抗体の形成に際して実施される焼成工程にお
ける加熱または雰囲気により、導体または抵抗体の特性
があまり変化しないことが望まれる。また、絶縁層は、
それほど高い温度を付与することなく形成できることが
望まれる。
厚膜をもって形成されるとき、これら絶縁層または導体
もしくは抵抗体の形成に際して実施される焼成工程にお
ける加熱または雰囲気により、導体または抵抗体の特性
があまり変化しないことが望まれる。また、絶縁層は、
それほど高い温度を付与することなく形成できることが
望まれる。
【０００６】そこで、この発明の目的は、低誘電率化の
要望に応え得るとともに、上述した種々の要望を満たし
得る、電気絶縁材料を提供しようとすることである。
要望に応え得るとともに、上述した種々の要望を満たし
得る、電気絶縁材料を提供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明では、樹脂系の
絶縁材料に代えて、まず、絶縁体用ガラス組成物が提供
される。このガラス組成物は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およ
びＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 と
Ｂ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にあることを特徴としてい
る。
絶縁材料に代えて、まず、絶縁体用ガラス組成物が提供
される。このガラス組成物は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およ
びＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 と
Ｂ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にあることを特徴としてい
る。
【０００８】この発明に係る絶縁体用ガラス組成物は、
好ましくは、上述のＳｉＯ2 とＢ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分１００重量部に対して、
Ａｌ 2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮ
ｄ2 Ｏ3 からなる群から選ばれた少なくとも一種を２５
重量部以下の割合でさらに含む。このような絶縁体用ガ
ラス組成物は、通常、粉末状とされ、これに有機ビヒク
ルが混合されることによって、ペースト状とされる。こ
の絶縁体ペーストは、たとえば絶縁層を形成するため、
適宜の基材上に印刷等により厚膜状に付与され、焼成さ
れる。
好ましくは、上述のＳｉＯ2 とＢ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分１００重量部に対して、
Ａｌ 2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮ
ｄ2 Ｏ3 からなる群から選ばれた少なくとも一種を２５
重量部以下の割合でさらに含む。このような絶縁体用ガ
ラス組成物は、通常、粉末状とされ、これに有機ビヒク
ルが混合されることによって、ペースト状とされる。こ
の絶縁体ペーストは、たとえば絶縁層を形成するため、
適宜の基材上に印刷等により厚膜状に付与され、焼成さ
れる。
【０００９】この発明では、また、上述したような厚膜
による絶縁層を形成するのに有利に用いられる絶縁体ペ
ーストのさらに好ましい組成が提供される。この絶縁体
ペーストは、上述したガラス組成物および有機ビヒクル
に加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドを
含み、ガラス組成物は、当該ガラス組成物とＡｌ2 Ｏ 3
粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド中のＡｌ2 Ｏ3 との合計
１００重量部に対して、６０重量部以上、９９．５重量
部以下含む。
による絶縁層を形成するのに有利に用いられる絶縁体ペ
ーストのさらに好ましい組成が提供される。この絶縁体
ペーストは、上述したガラス組成物および有機ビヒクル
に加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドを
含み、ガラス組成物は、当該ガラス組成物とＡｌ2 Ｏ 3
粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド中のＡｌ2 Ｏ3 との合計
１００重量部に対して、６０重量部以上、９９．５重量
部以下含む。
【００１０】この発明では、さらに、上述した絶縁体ペ
ーストを焼成してなる絶縁層を備える、厚膜印刷回路が
提供される。
ーストを焼成してなる絶縁層を備える、厚膜印刷回路が
提供される。
【００１１】
【発明の効果】この発明に係る絶縁体用ガラス組成物に
よれば、まず、ガラス成分で構成されるものであるの
で、樹脂系材料に比べて、高温時の耐久性に優れた材料
とすることができる。また、後述する実施例からわかる
ように、この発明に係るガラス組成物は、絶縁性が高
く、低誘電率である。また、ガラス軟化点が１０５０℃
以下というように比較的低く、それゆえ、このガラス組
成物の粉末も１０５０℃以下の比較的低温で焼結するた
め、絶縁層の形成などの加工を容易にかつ低コストで行
なうことができる。また、この発明に係るガラス組成物
によって形成された絶縁層に接するように導体や抵抗体
が厚膜をもって形成されるとき、これら絶縁層または導
体もしくは抵抗体の形成のための焼成工程における加熱
または雰囲気によって導体または抵抗体の特性が劣化す
ることがあまりない。また、この発明に係るガラス組成
物をもって形成された絶縁層上に導体膜が形成されたと
き、これら絶縁層と導体膜との間で比較的高い接着強度
を得ることができる。特に、導体膜に半田付けが施され
る場合のように、熱衝撃が加わっても、絶縁層上での導
体膜の接着強度が所定以上に維持されることができる。
よれば、まず、ガラス成分で構成されるものであるの
で、樹脂系材料に比べて、高温時の耐久性に優れた材料
とすることができる。また、後述する実施例からわかる
ように、この発明に係るガラス組成物は、絶縁性が高
く、低誘電率である。また、ガラス軟化点が１０５０℃
以下というように比較的低く、それゆえ、このガラス組
成物の粉末も１０５０℃以下の比較的低温で焼結するた
め、絶縁層の形成などの加工を容易にかつ低コストで行
なうことができる。また、この発明に係るガラス組成物
によって形成された絶縁層に接するように導体や抵抗体
が厚膜をもって形成されるとき、これら絶縁層または導
体もしくは抵抗体の形成のための焼成工程における加熱
または雰囲気によって導体または抵抗体の特性が劣化す
ることがあまりない。また、この発明に係るガラス組成
物をもって形成された絶縁層上に導体膜が形成されたと
き、これら絶縁層と導体膜との間で比較的高い接着強度
を得ることができる。特に、導体膜に半田付けが施され
る場合のように、熱衝撃が加わっても、絶縁層上での導
体膜の接着強度が所定以上に維持されることができる。
【００１２】したがって、この発明に係る絶縁体用ガラ
ス組成物は、高密度化および／または高速信号化された
電子機器に備える厚膜印刷多層回路あるいは単層の回路
に関連して用いられる絶縁層のような絶縁用部材のため
の絶縁材料として、有利に用いることができる。この発
明に係る絶縁体用ガラス組成物において、前述したよう
に、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含む主成分１００重量部に対して、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌ
ａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2 Ｏ3 からな
る群から選ばれた少なくとも一種を２５重量部以下の割
合でさらに含んでいると、ガラス軟化点を調整すること
ができる。また、誘電率の調整を可能にするという効果
もある。
ス組成物は、高密度化および／または高速信号化された
電子機器に備える厚膜印刷多層回路あるいは単層の回路
に関連して用いられる絶縁層のような絶縁用部材のため
の絶縁材料として、有利に用いることができる。この発
明に係る絶縁体用ガラス組成物において、前述したよう
に、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含む主成分１００重量部に対して、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌ
ａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2 Ｏ3 からな
る群から選ばれた少なくとも一種を２５重量部以下の割
合でさらに含んでいると、ガラス軟化点を調整すること
ができる。また、誘電率の調整を可能にするという効果
もある。
【００１３】次に、この発明に係る前述した好ましい絶
縁体ペーストは、上述のガラス組成物および有機ビヒク
ルに加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド
を含んでいる。このＡｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コ
ロイドは、当該ペーストを焼成して得られた絶縁層の強
度を高める効果を有している。すなわち、Ａｌ2 Ｏ3粉
末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドは、アモルファス状のガラ
ス中で微結晶を作り、絶縁層の強度を向上させる構造材
として機能する。また、当該絶縁層上に形成された導体
膜に半田付けが施されるときに用いられる半田とガラス
との熱膨張率の差は大きいが、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡ
ｌ2 Ｏ3 コロイドは、この熱膨張率の差を縮める効果を
有し、半田付けによる熱が絶縁層に加わったときに生じ
得るクラックの発生を抑えることができる。
縁体ペーストは、上述のガラス組成物および有機ビヒク
ルに加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド
を含んでいる。このＡｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コ
ロイドは、当該ペーストを焼成して得られた絶縁層の強
度を高める効果を有している。すなわち、Ａｌ2 Ｏ3粉
末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドは、アモルファス状のガラ
ス中で微結晶を作り、絶縁層の強度を向上させる構造材
として機能する。また、当該絶縁層上に形成された導体
膜に半田付けが施されるときに用いられる半田とガラス
との熱膨張率の差は大きいが、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡ
ｌ2 Ｏ3 コロイドは、この熱膨張率の差を縮める効果を
有し、半田付けによる熱が絶縁層に加わったときに生じ
得るクラックの発生を抑えることができる。
【００１４】次に、この発明に係る厚膜印刷回路は、上
述したような利点を有する絶縁層を備えているので、高
密度化および／または高速信号化された電子機器に備え
る厚膜印刷回路として、特に厚膜印刷多層回路として有
利に適用することができる。
述したような利点を有する絶縁層を備えているので、高
密度化および／または高速信号化された電子機器に備え
る厚膜印刷回路として、特に厚膜印刷多層回路として有
利に適用することができる。
【００１５】
【実施例】図２は、この発明の一実施例に従って製造さ
れようとする厚膜印刷多層回路１を示す断面図である。
この厚膜印刷多層回路１は、特に、特性評価用として適
した設計となっている。図１において、２は基板であ
り、３ａおよび３ｂは基板２上に形成される下導体膜で
ある。一方の下導体膜３ａは、コンデンサを形成するた
めの一方の容量電極であり、他方の下導体膜３ｂは、導
体の抵抗変化を調べるための細線である。また、４ａ、
４ｂ、４ｃおよび４ｄは、この発明に係る絶縁体ペース
トを塗布し焼成して得られた絶縁層であり、５は厚膜抵
抗体である。また、６ａ、６ｃおよび６ｄは、上導体膜
である。上導体膜６ａは、上述の下導体膜３ａと対向し
てコンデンサを形成するための他方の容量電極である。
上導体膜６ｃは、厚膜抵抗体５のターミナル電極であ
る。上導体膜６ｄは、絶縁層４ｄに対する接着強度を測
定するためのものである。
れようとする厚膜印刷多層回路１を示す断面図である。
この厚膜印刷多層回路１は、特に、特性評価用として適
した設計となっている。図１において、２は基板であ
り、３ａおよび３ｂは基板２上に形成される下導体膜で
ある。一方の下導体膜３ａは、コンデンサを形成するた
めの一方の容量電極であり、他方の下導体膜３ｂは、導
体の抵抗変化を調べるための細線である。また、４ａ、
４ｂ、４ｃおよび４ｄは、この発明に係る絶縁体ペース
トを塗布し焼成して得られた絶縁層であり、５は厚膜抵
抗体である。また、６ａ、６ｃおよび６ｄは、上導体膜
である。上導体膜６ａは、上述の下導体膜３ａと対向し
てコンデンサを形成するための他方の容量電極である。
上導体膜６ｃは、厚膜抵抗体５のターミナル電極であ
る。上導体膜６ｄは、絶縁層４ｄに対する接着強度を測
定するためのものである。
【００１６】上述した厚膜印刷多層回路１を得るため、
まず、基板２として、アルミナ基板を用意し、その上に
下導体膜３ａおよび３ｂを形成するため、Ａｇ系ペース
トをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成した。このと
き、コンデンサのための下導体膜３ａは、直径８mmの円
形とし、抵抗測定用の下導体膜３ｂは、長さ１．２mm、
幅１００μｍとした。そして、この段階で、下導体膜３
ｂの両端間の抵抗を測定しておいた。
まず、基板２として、アルミナ基板を用意し、その上に
下導体膜３ａおよび３ｂを形成するため、Ａｇ系ペース
トをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成した。このと
き、コンデンサのための下導体膜３ａは、直径８mmの円
形とし、抵抗測定用の下導体膜３ｂは、長さ１．２mm、
幅１００μｍとした。そして、この段階で、下導体膜３
ｂの両端間の抵抗を測定しておいた。
【００１７】他方、絶縁層４ａ〜４ｄを形成するための
絶縁体ペーストを以下の要領で作製した。ガラス成分の
出発原料として、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ａ
ｌ（ＯＨ）3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、
およびＮｄ2 Ｏ3 をそれぞれ準備し、これらを以下の表
１に示すガラス組成となるように混合した後、得られた
各混合物を１５００℃〜１７５０℃の範囲の各温度下で
それぞれ溶融させて溶融ガラスを作製した。なお、この
溶融に際して採用した温度は、各混合物が溶融するであ
ろう温度を予め想定して決定したものである。
絶縁体ペーストを以下の要領で作製した。ガラス成分の
出発原料として、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ａ
ｌ（ＯＨ）3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、
およびＮｄ2 Ｏ3 をそれぞれ準備し、これらを以下の表
１に示すガラス組成となるように混合した後、得られた
各混合物を１５００℃〜１７５０℃の範囲の各温度下で
それぞれ溶融させて溶融ガラスを作製した。なお、この
溶融に際して採用した温度は、各混合物が溶融するであ
ろう温度を予め想定して決定したものである。
【００１８】次いで、上述の各溶融ガラスを急冷した
後、粉砕して、ガラス粉末を得た。表１には、各試料に
ついて測定したガラス軟化点も示されている。次に、こ
れら各試料に係るガラス粉末と有機ビヒクルとを、重量
比で７０：３０になるように混合し、絶縁体ペーストを
得た。ここで、有機ビヒクルとしては、エチルセルロー
ス系樹脂をα−テルピネオールに溶解したものを用い
た。
後、粉砕して、ガラス粉末を得た。表１には、各試料に
ついて測定したガラス軟化点も示されている。次に、こ
れら各試料に係るガラス粉末と有機ビヒクルとを、重量
比で７０：３０になるように混合し、絶縁体ペーストを
得た。ここで、有機ビヒクルとしては、エチルセルロー
ス系樹脂をα−テルピネオールに溶解したものを用い
た。
【００１９】
【表１】
【００２０】前述した下導体膜３ａおよび３ｂの形成
後、絶縁層４ａ〜４ｄを形成するため、上述のようにし
て得られた絶縁体ペーストをスクリーン印刷し、空気中
において、以下の表２に示した焼成温度で焼成した。こ
こで、絶縁層４ａは、下導体膜３ａ上に直径６mmの円形
をもって形成し、絶縁層４ｂは、下導体膜３ｂ上に当該
下導体膜３ｂの両端を露出させた状態で形成し、絶縁層
４ｃおよび４ｄは、基板２上に形成した。
後、絶縁層４ａ〜４ｄを形成するため、上述のようにし
て得られた絶縁体ペーストをスクリーン印刷し、空気中
において、以下の表２に示した焼成温度で焼成した。こ
こで、絶縁層４ａは、下導体膜３ａ上に直径６mmの円形
をもって形成し、絶縁層４ｂは、下導体膜３ｂ上に当該
下導体膜３ｂの両端を露出させた状態で形成し、絶縁層
４ｃおよび４ｄは、基板２上に形成した。
【００２１】次に、絶縁層４ｃ上に、Ｒｕ2 Ｏ3 系抵抗
ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成して、厚
膜抵抗体５を形成した。次に、Ｃｕペーストをスクリー
ン印刷し、５８０℃のＮ2 雰囲気で焼成して、上導体膜
６ａ、６ｃおよび６ｄを形成した。ここで、上導体膜６
ａは、絶縁層４ａ上に直径４mmの円形をもって形成し、
上導体膜６ｃは、厚膜抵抗体５の両端にターミナル電極
となるように形成し、上導体膜６ｄは、絶縁層４ｄ上に
おいて当該絶縁層４ｄとの接着強度を評価するための２
mm□のパッドとなるように形成した。
ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成して、厚
膜抵抗体５を形成した。次に、Ｃｕペーストをスクリー
ン印刷し、５８０℃のＮ2 雰囲気で焼成して、上導体膜
６ａ、６ｃおよび６ｄを形成した。ここで、上導体膜６
ａは、絶縁層４ａ上に直径４mmの円形をもって形成し、
上導体膜６ｃは、厚膜抵抗体５の両端にターミナル電極
となるように形成し、上導体膜６ｄは、絶縁層４ｄ上に
おいて当該絶縁層４ｄとの接着強度を評価するための２
mm□のパッドとなるように形成した。
【００２２】このようにして、図２に示した厚膜印刷多
層回路１を得た。
層回路１を得た。
【００２３】
【表２】
【００２４】次に、表２に示した各特性を評価するた
め、以下のような操作を行なった。下導体膜３ａと上導
体膜６ａとを対向電極としながら絶縁層４ａを誘電体層
とするコンデンサの特性を測定して、絶縁層４ａ自身の
特性を評価した。すなわち、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖ
ｒｍｓ、温度２５℃の条件で、静電容量および誘電損失
（tan δ）を測定し、得られた静電容量とコンデンサの
寸法とから比誘電率（εr ）を算出した。また、８５
℃、８５％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００時間
印加した後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁抵抗
（ＩＲ）を測定した。
め、以下のような操作を行なった。下導体膜３ａと上導
体膜６ａとを対向電極としながら絶縁層４ａを誘電体層
とするコンデンサの特性を測定して、絶縁層４ａ自身の
特性を評価した。すなわち、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖ
ｒｍｓ、温度２５℃の条件で、静電容量および誘電損失
（tan δ）を測定し、得られた静電容量とコンデンサの
寸法とから比誘電率（εr ）を算出した。また、８５
℃、８５％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００時間
印加した後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁抵抗
（ＩＲ）を測定した。
【００２５】また、下導体膜３ｂの両端間の抵抗を測定
し、先に絶縁層４ｂを形成する前に測定した値を基準と
した抵抗変化率を、配線抵抗変化率として求めた。ま
た、上導体膜６ｄの半田付け後の接着強度を測定するた
め、図３に示すように、Ｌ字型の軟銅線７を半田８によ
り上導体膜６ｄに半田付けし、引っ張り試験を行ない、
その強度を測定した。
し、先に絶縁層４ｂを形成する前に測定した値を基準と
した抵抗変化率を、配線抵抗変化率として求めた。ま
た、上導体膜６ｄの半田付け後の接着強度を測定するた
め、図３に示すように、Ｌ字型の軟銅線７を半田８によ
り上導体膜６ｄに半田付けし、引っ張り試験を行ない、
その強度を測定した。
【００２６】さらに、試料１および試料７については、
厚膜抵抗体５の抵抗値および抵抗温度係数を測定した。
ここで、厚膜抵抗体５を形成するため、抵抗ペーストと
しては、面積抵抗が２０Ω／□、２ｋΩ／□、および２
ＭΩ／□の３種類のものを用い、３種類の厚膜抵抗体５
を作製した。抵抗値に関しては、５０個の厚膜抵抗体５
の各抵抗値を温度２５℃でそれぞれ測定し、その平均値
とばらつきとを求めた。また、抵抗温度係数に関して
は、２５℃での抵抗値を基準として、２５℃〜１５０℃
間の抵抗変化率（ＨＴＣＲ）と、２５℃〜−５５℃間の
抵抗変化率（ＣＴＣＲ）とをｐｐｍ／℃の単位で求め
た。なお、比較例として、絶縁層４ｃを形成するための
絶縁体ペーストに含まれるガラス成分がＡｌ−Ｂ−Ｓｉ
系ガラスである比較試料１、および絶縁体ペーストがガ
ラス成分を含まず樹脂系材料で構成された比較試料２を
用意し、同様の測定を実施した。これらの結果が、以下
の表３に示されている。
厚膜抵抗体５の抵抗値および抵抗温度係数を測定した。
ここで、厚膜抵抗体５を形成するため、抵抗ペーストと
しては、面積抵抗が２０Ω／□、２ｋΩ／□、および２
ＭΩ／□の３種類のものを用い、３種類の厚膜抵抗体５
を作製した。抵抗値に関しては、５０個の厚膜抵抗体５
の各抵抗値を温度２５℃でそれぞれ測定し、その平均値
とばらつきとを求めた。また、抵抗温度係数に関して
は、２５℃での抵抗値を基準として、２５℃〜１５０℃
間の抵抗変化率（ＨＴＣＲ）と、２５℃〜−５５℃間の
抵抗変化率（ＣＴＣＲ）とをｐｐｍ／℃の単位で求め
た。なお、比較例として、絶縁層４ｃを形成するための
絶縁体ペーストに含まれるガラス成分がＡｌ−Ｂ−Ｓｉ
系ガラスである比較試料１、および絶縁体ペーストがガ
ラス成分を含まず樹脂系材料で構成された比較試料２を
用意し、同様の測定を実施した。これらの結果が、以下
の表３に示されている。
【００２７】
【表３】
【００２８】これら表１ないし表３に示した種々の特性
に基づき決定されたＳｉＯ2 、Ｂ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
好ましい重量組成範囲が図１に示されている。この発明
に係る絶縁体用ガラス組成物は、表１に示すように、Ｓ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2Ｏの少なくとも一方とを含
み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比
（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図１に示す３元組
成図において、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，
２０，１５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８
５，１５，０）で囲まれた領域内にあるものとされる。
に基づき決定されたＳｉＯ2 、Ｂ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
好ましい重量組成範囲が図１に示されている。この発明
に係る絶縁体用ガラス組成物は、表１に示すように、Ｓ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2Ｏの少なくとも一方とを含
み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比
（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図１に示す３元組
成図において、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，
２０，１５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８
５，１５，０）で囲まれた領域内にあるものとされる。
【００２９】表１ないし表３において、試料１〜１１
は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 また
はＮｄ2 Ｏ3 を含まないものである。これら試料１〜１
１のうち、試料２、３、および５〜１０がこの発明の範
囲内のもので、試料１、４および１１はこの発明の範囲
外のものである。この発明の範囲外にある試料１は、図
１における領域Ｘに属している。また、試料４は、図１
における領域Ｙに属している。試料１１は、領域Ｚに属
している。
は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 また
はＮｄ2 Ｏ3 を含まないものである。これら試料１〜１
１のうち、試料２、３、および５〜１０がこの発明の範
囲内のもので、試料１、４および１１はこの発明の範囲
外のものである。この発明の範囲外にある試料１は、図
１における領域Ｘに属している。また、試料４は、図１
における領域Ｙに属している。試料１１は、領域Ｚに属
している。
【００３０】この発明の範囲外である領域Ｘでは、表２
に示した試料１からわかるように、絶縁層４ａの湿中負
荷の絶縁抵抗が１×１０10Ω（log ＩＲ＝１０）と低
く、また、下導体膜３ｂの配線抵抗変化率が１５％と大
きくなるため、好ましくない。さらに、表３に示した試
料１からわかるように、厚膜抵抗体５の抵抗値のばらつ
きおよび抵抗温度係数を大きくしてしまう。
に示した試料１からわかるように、絶縁層４ａの湿中負
荷の絶縁抵抗が１×１０10Ω（log ＩＲ＝１０）と低
く、また、下導体膜３ｂの配線抵抗変化率が１５％と大
きくなるため、好ましくない。さらに、表３に示した試
料１からわかるように、厚膜抵抗体５の抵抗値のばらつ
きおよび抵抗温度係数を大きくしてしまう。
【００３１】また、領域Ｙでは、表２に示した試料４か
らわかるように、絶縁層４ａの比誘電率が８．０と高
く、また、絶縁層４ａの湿中負荷の絶縁抵抗が１×１０
10Ω（log ＩＲ＝１０）と低く、さらに、下導体膜３ｂ
の配線抵抗変化率が１２％と大きくなるため、好ましく
ない。また、領域Ｚでは、表１に示した試料１１のガラ
ス軟化点からわかるように、ガラス軟化点が１０５０℃
を超え、表２に示すように、１０００℃で焼成しても、
絶縁層４ａ〜４ｄとしての膜が形成できないため、加工
性が悪く、好ましくない。
らわかるように、絶縁層４ａの比誘電率が８．０と高
く、また、絶縁層４ａの湿中負荷の絶縁抵抗が１×１０
10Ω（log ＩＲ＝１０）と低く、さらに、下導体膜３ｂ
の配線抵抗変化率が１２％と大きくなるため、好ましく
ない。また、領域Ｚでは、表１に示した試料１１のガラ
ス軟化点からわかるように、ガラス軟化点が１０５０℃
を超え、表２に示すように、１０００℃で焼成しても、
絶縁層４ａ〜４ｄとしての膜が形成できないため、加工
性が悪く、好ましくない。
【００３２】表１および表２において、試料１２〜１６
は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとを含む主成分１００
重量部に対して、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔ
ａ2Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 が２５重量部添加されたもの
である。より詳細には、試料１２〜１６は、ＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏについては試料７と同じ組成比を
有し、この試料７のガラス組成１００重量部に対して、
試料１２ではＡｌ2 Ｏ 3 が、試料１３ではＬａ2 Ｏ
3 が、試料１４ではＣａＯが、試料１５ではＴａ2Ｏ5
が、および試料１６ではＮｄ2 Ｏ3 が、それぞれ、２５
重量部添加されたものである。
は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとを含む主成分１００
重量部に対して、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔ
ａ2Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 が２５重量部添加されたもの
である。より詳細には、試料１２〜１６は、ＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏについては試料７と同じ組成比を
有し、この試料７のガラス組成１００重量部に対して、
試料１２ではＡｌ2 Ｏ 3 が、試料１３ではＬａ2 Ｏ
3 が、試料１４ではＣａＯが、試料１５ではＴａ2Ｏ5
が、および試料１６ではＮｄ2 Ｏ3 が、それぞれ、２５
重量部添加されたものである。
【００３３】したがって、試料１２〜１６と試料７とを
比較すればわかるように、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 が添加されることに
より、表１に示したガラス軟化点を調整することができ
る。そのため、絶縁層の形成といった加工性を高めるこ
とができる。また、これらＡｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 の添加は、比誘電率
を高める結果をもたらすものであるが、このことを逆に
利用して、所定の範囲内での比誘電率の調整を可能にす
るものである。
比較すればわかるように、Ａｌ2 Ｏ 3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 が添加されることに
より、表１に示したガラス軟化点を調整することができ
る。そのため、絶縁層の形成といった加工性を高めるこ
とができる。また、これらＡｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 の添加は、比誘電率
を高める結果をもたらすものであるが、このことを逆に
利用して、所定の範囲内での比誘電率の調整を可能にす
るものである。
【００３４】上述したＡｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃａ
Ｏ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 とＫ2 Ｏとを含む主成分１００重量部に対して、２５
重量部以下の割合で添加されるのが好ましい。この範囲
を超えると、比誘電率がたとえば７．５を超え、高くな
りすぎるとともに、ガラス軟化点を上昇させ、絶縁層と
しての膜の形成が困難になる、という不都合を招く。な
お、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およ
びＮｄ2 Ｏ3 は、その少なくとも一種が２５重量部以下
の割合で含有されればよく、この実施例のように、１種
ずつ含有される場合に限らず、２種以上含有されてもよ
い。
Ｏ、Ｔａ2 Ｏ5 またはＮｄ2 Ｏ3 は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 とＫ2 Ｏとを含む主成分１００重量部に対して、２５
重量部以下の割合で添加されるのが好ましい。この範囲
を超えると、比誘電率がたとえば７．５を超え、高くな
りすぎるとともに、ガラス軟化点を上昇させ、絶縁層と
しての膜の形成が困難になる、という不都合を招く。な
お、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ5 およ
びＮｄ2 Ｏ3 は、その少なくとも一種が２５重量部以下
の割合で含有されればよく、この実施例のように、１種
ずつ含有される場合に限らず、２種以上含有されてもよ
い。
【００３５】次に、以上のようにして得られる絶縁層の
強度をさらに高めることを可能にする実施例について説
明する。この実施例は、簡単に言えば、上述した絶縁体
ペーストに含まれるガラス組成物および有機ビヒクルに
加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドを含
んでいることを特徴としている。この実施例では、ガラ
ス組成物として、前述した試料７のガラス粉末が用いら
れた。この試料７のガラス粉末に、表４に示すような重
量比となるように、Ａｌ 2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コ
ロイドを調合した。なお、表４において、Ａｌ2Ｏ3 コ
ロイドの重量比は、Ａｌ2 Ｏ3 分の重量に基づいて示さ
れている。
強度をさらに高めることを可能にする実施例について説
明する。この実施例は、簡単に言えば、上述した絶縁体
ペーストに含まれるガラス組成物および有機ビヒクルに
加えて、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドを含
んでいることを特徴としている。この実施例では、ガラ
ス組成物として、前述した試料７のガラス粉末が用いら
れた。この試料７のガラス粉末に、表４に示すような重
量比となるように、Ａｌ 2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コ
ロイドを調合した。なお、表４において、Ａｌ2Ｏ3 コ
ロイドの重量比は、Ａｌ2 Ｏ3 分の重量に基づいて示さ
れている。
【００３６】
【表４】
【００３７】次に、これらガラス粉末およびＡｌ2 Ｏ3
粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド中のＡｌ2 Ｏ3 の合計７
０重量部に対して、有機ビヒクルが３０重量部となるよ
うに、両者を混合し、試料１７〜２６となる絶縁体ペー
ストをそれぞれ得た。有機ビヒクルとしては、Ａｌ2 Ｏ
3 コロイドを含む試料２５および２６を除いて、前述し
た実施例と同様、エチルセルロース系樹脂をα−テルピ
ネオールに溶解したものを用い、Ａｌ2 Ｏ3 コロイドを
含む試料２５および２６については、水系バインダを用
いた。なお、試料１７は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末もＡｌ2 Ｏ3
コロイドも含まないので、試料７と同等のものである。
粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド中のＡｌ2 Ｏ3 の合計７
０重量部に対して、有機ビヒクルが３０重量部となるよ
うに、両者を混合し、試料１７〜２６となる絶縁体ペー
ストをそれぞれ得た。有機ビヒクルとしては、Ａｌ2 Ｏ
3 コロイドを含む試料２５および２６を除いて、前述し
た実施例と同様、エチルセルロース系樹脂をα−テルピ
ネオールに溶解したものを用い、Ａｌ2 Ｏ3 コロイドを
含む試料２５および２６については、水系バインダを用
いた。なお、試料１７は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末もＡｌ2 Ｏ3
コロイドも含まないので、試料７と同等のものである。
【００３８】これら試料１７〜２６の絶縁体ペーストを
用いて、前述した実施例と同様、図２に示した厚膜印刷
多層回路１を作製した。ここで、これら絶縁体ペースト
の焼成温度は、表５に示すように、すべて８５０℃とし
た。そして、前述した実施例と同様の操作を経て、表５
に示すような比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、および接
着強度を求めた。
用いて、前述した実施例と同様、図２に示した厚膜印刷
多層回路１を作製した。ここで、これら絶縁体ペースト
の焼成温度は、表５に示すように、すべて８５０℃とし
た。そして、前述した実施例と同様の操作を経て、表５
に示すような比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、および接
着強度を求めた。
【００３９】
【表５】
【００４０】表４および表５からわかるように、Ａｌ2
Ｏ3 を添加することにより、絶縁層４ｄ上の上導体膜６
ｄの接着強度が向上している。また、比誘電率も、７未
満に抑えられている。Ａｌ2 Ｏ3 添加による接着強度向
上の効果は、試料１８を試料１７と比較すればわかるよ
うに、０．５重量部といった微量の添加でも現れてい
る。他方、試料２４および試料２６のように、Ａｌ2 Ｏ
3 の添加量が５０重量部以上になると、得られた絶縁層
の緻密性が損なわれ、絶縁抵抗の劣化を招く。これらの
ことから、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は、０．５重量部〜４０
重量部の範囲にあることが好ましい。すなわち、ガラス
組成物とＡｌ2 Ｏ3 との合計１００重量部に対して、ガ
ラス組成物を６０重量部以上、９９．５重量部以下含む
ことが好ましい。
Ｏ3 を添加することにより、絶縁層４ｄ上の上導体膜６
ｄの接着強度が向上している。また、比誘電率も、７未
満に抑えられている。Ａｌ2 Ｏ3 添加による接着強度向
上の効果は、試料１８を試料１７と比較すればわかるよ
うに、０．５重量部といった微量の添加でも現れてい
る。他方、試料２４および試料２６のように、Ａｌ2 Ｏ
3 の添加量が５０重量部以上になると、得られた絶縁層
の緻密性が損なわれ、絶縁抵抗の劣化を招く。これらの
ことから、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は、０．５重量部〜４０
重量部の範囲にあることが好ましい。すなわち、ガラス
組成物とＡｌ2 Ｏ3 との合計１００重量部に対して、ガ
ラス組成物を６０重量部以上、９９．５重量部以下含む
ことが好ましい。
【００４１】以上、この発明を実施例に関連して説明し
たが、この発明の範囲内において、これら実施例は、種
々に変更することができる。たとえば、絶縁体ペースト
を得るためにガラス成分に加えられる有機ビヒクルは、
エチルセルロース系樹脂をα−テルピネオールに溶解し
たものに限らず、樹脂成分に関しては、アクリル系樹
脂、ニトロセルロース系樹脂、ブチラール系樹脂など
を、また、溶剤成分に関しては、ブチルカルビトールな
どのアルコール系溶剤、ブチルカルビトールアセテート
や酢酸エステルなどのエステル系溶剤、あるいはケロシ
ンなどを、適宜用いることができる。さらに、用途に応
じて、フタル酸エステルなどの可塑剤を添加することも
可能である。
たが、この発明の範囲内において、これら実施例は、種
々に変更することができる。たとえば、絶縁体ペースト
を得るためにガラス成分に加えられる有機ビヒクルは、
エチルセルロース系樹脂をα−テルピネオールに溶解し
たものに限らず、樹脂成分に関しては、アクリル系樹
脂、ニトロセルロース系樹脂、ブチラール系樹脂など
を、また、溶剤成分に関しては、ブチルカルビトールな
どのアルコール系溶剤、ブチルカルビトールアセテート
や酢酸エステルなどのエステル系溶剤、あるいはケロシ
ンなどを、適宜用いることができる。さらに、用途に応
じて、フタル酸エステルなどの可塑剤を添加することも
可能である。
【００４２】また、上記実施例では、絶縁体ペーストを
空気中で焼成したが、中性雰囲気（Ｎ2 ）中で焼成して
も、同様の効果を得ることができる。また、この発明に
係る絶縁体ペーストあるいは絶縁体用ガラス組成物は、
厚膜印刷多層回路における絶縁層を形成するためだけに
限らず、単層の回路において、抵抗体や配線の特性ばら
つきを低減するためのアンダーグレーズとして用いるこ
ともできる。
空気中で焼成したが、中性雰囲気（Ｎ2 ）中で焼成して
も、同様の効果を得ることができる。また、この発明に
係る絶縁体ペーストあるいは絶縁体用ガラス組成物は、
厚膜印刷多層回路における絶縁層を形成するためだけに
限らず、単層の回路において、抵抗体や配線の特性ばら
つきを低減するためのアンダーグレーズとして用いるこ
ともできる。
【００４３】また、基板は、アルミナ基板に限らず、誘
電体基板、多層基板、ガラス基板等の絶縁基板であって
もよい。また、実施例において、上導体膜６ｄに含まれ
る導体は、Ｃｕであったが、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／
Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉなどであっても、同様の効果が得られ
る。さらに、このような導体の上には、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓ
ｎ−Ｐｄ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属膜を電解
めっき法、無電解めっき法などの膜形成方法を適宜用い
て形成してもよい。
電体基板、多層基板、ガラス基板等の絶縁基板であって
もよい。また、実施例において、上導体膜６ｄに含まれ
る導体は、Ｃｕであったが、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／
Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉなどであっても、同様の効果が得られ
る。さらに、このような導体の上には、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓ
ｎ−Ｐｄ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属膜を電解
めっき法、無電解めっき法などの膜形成方法を適宜用い
て形成してもよい。
【００４４】また、厚膜抵抗体５は、Ｒｕ2 Ｏ3 系抵抗
材料によって形成されたが、たとえばＬａＢ6 系などの
他の抵抗材料であっても、同様の効果が得られる。
材料によって形成されたが、たとえばＬａＢ6 系などの
他の抵抗材料であっても、同様の効果が得られる。
【図１】この発明に係る絶縁体用ガラス組成物の組成範
囲を示す３元組成図である。
囲を示す３元組成図である。
【図２】この発明による実施例において製造された厚膜
印刷多層回路１を示す断面図である。
印刷多層回路１を示す断面図である。
【図３】図２に示した厚膜印刷多層回路１の一部を拡大
して示すもので、上導体膜６ｄの接着強度を測定するた
めに軟銅線７が半田付けされた状態を示している。
して示すもので、上導体膜６ｄの接着強度を測定するた
めに軟銅線７が半田付けされた状態を示している。
１ 厚膜印刷多層回路 ２ 基板 ３ａ，３ｂ 下導体膜 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 絶縁層 ５ 厚膜抵抗体 ６ａ，６ｃ，６ｄ 上導体膜 ７ 軟銅線 ８ 半田
Claims (4)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少な
くとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2
Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ 2 Ｏ）が、
添付の図１に示す３元組成図において、点Ａ（６５，３
５，０）、点Ｂ（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，
０，１５）および点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領
域内にある、絶縁体用ガラス組成物。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分１００重量部に対して、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｔａ2 Ｏ 5 およびＮ
ｄ2 Ｏ3 からなる群から選ばれた少なくとも一種を２５
重量部以下の割合でさらに含む、請求項１に記載の絶縁
体用ガラス組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のガラス組成物
と、Ａｌ2 Ｏ3 粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイドと、有機
ビヒクルとを含み、前記ガラス組成物と前記Ａｌ2 Ｏ3
粉末またはＡｌ2 Ｏ3 コロイド中のＡｌ2 Ｏ3 との合計
１００重量部に対して、前記ガラス組成物を６０重量部
以上、９９．５重量部以下含む、絶縁体ペースト。 - 【請求項４】 請求項３に記載の絶縁体ペーストを焼成
してなる絶縁層を備える、厚膜印刷回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252282A JPH0986955A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 絶縁体用ガラス組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路 |
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