DE19639906A1 - Glaszusammensetzung zur Isolierung, Isolierpaste und gedruckte Dickfilmschaltung - Google Patents
Glaszusammensetzung zur Isolierung, Isolierpaste und gedruckte DickfilmschaltungInfo
- Publication number
- DE19639906A1 DE19639906A1 DE19639906A DE19639906A DE19639906A1 DE 19639906 A1 DE19639906 A1 DE 19639906A1 DE 19639906 A DE19639906 A DE 19639906A DE 19639906 A DE19639906 A DE 19639906A DE 19639906 A1 DE19639906 A1 DE 19639906A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glass composition
- paste
- parts
- insulating
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/087—Chemical composition of glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Glaszusammensetzung
zur Isolierung, eine Isolierpaste und eine gedruckte
Dickfilmschaltung.
Elektronische Maschinen und Geräte weisen vielschichtige
gedruckte Dickfilmschaltungen verschiedener Strukturen auf.
Sie werden üblicherweise aus aufeinander gelagerten Schichten
leitender Filme hergestellt. Dort, wo ein leitender Film
freiliegt, kann er mit einem anderen Leiter durch Löten
verbunden werden. Es gibt auch die Fälle, bei denen die
Isolierschicht in Kontakt mit Widerständen steht. Bei einer
einschichtigen Schaltung trägt ein Isoliersubstrat eine
Isolierschicht, die wiederum Widerstände und darauf erzeugte
Verdrahtungen trägt.
Moderne elektronische Maschinen und Geräte werden immer
kompakter und schneller und machen Isolierschichten bei viel-
oder einschichtigen gedruckten Dickfilmschaltungen mit hoher
Isolierleistung und zugleich niedriger Dielektrizitätskonstante
erforderlich. Es war bisher allgemein üblich, Isolierschichten
mit niedriger Dielektrizitätskonstante aus einem auf Epoxyharz
basierenden Material herzustellen. Unglücklicherweise zeigen
Isoliermaterialien auf Harzbasis bei hohen Temperaturen eine
schlechte Beständigkeit. Daher besteht Bedarf an einem
Isoliermaterial mit guter Haltbarkeit.
Darüber hinaus ist eine innige Bindung zwischen leitendem Film
und Isolierschicht notwendig, so daß keine Abschälung beim
Lötvorgang aufgrund des Hitzeschocks erfolgt. Außerdem ist
erforderlich, daß die Dickfilmleiter oder -widerstände, die in
Kontakt mit der Isolierschicht stehen, in ihren
charakteristischen Eigenschaften im wesentlichen unverändert
bleiben, wenn sie der Brennwärme oder -umgebung während ihrer
Herstellung ausgesetzt sind. Zudem ist die Herstellung der
Isolierschicht bei einer vergleichsweise geringen Temperatur
erwünscht.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung
eines neuartigen elektrischen Isoliermaterials, das eine
geeignete Dielektrizitätskonstante aufweist und die oben
genannten Anforderungen erfüllt. Dies wird eher durch eine
Glaszuammensetzung und durch ein Material auf Harzbasis
gewährleistet.
Die Glaszusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt
einen Hauptbestandteil, der SiO₂ und mindestens eines von B₂O₃
oder K₂O enthält, und mindestens einen Stoff, der gewählt wird
aus der Gruppe, bestehend aus Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ und
Nd₂O₃ in einer Menge von weniger als 25 Gewichtsanteilen pro
100 Gewichtsanteilen des besagten Hauptbestandteils. Der
Hauptbestandteil weist ein Verhältnis auf, das in die Region
fällt, die durch die durch Punkt A (65, 35, 0), Punkt B (65,
20, 15), Punkt C (85, 0, 15) und Punkt D (85, 15, O) gehenden
Linien im Diagramm der Zusammensetzungen für das ternäre System
von SiO₂, B₂O₃ und K₂O umschlossen ist.
Die Glaszusammensetzung kann zu einer Isolierpaste durch
Kombination mit einem organischen Bindemittel und wahlweise
Al₂O₃-Pulver oder -Kolloid verarbeitet werden.
Die Isolierpaste wird zur Herstellung von Isolierschichten bei
vielschichtigen gedruckten Dickfilmschaltungen verwendet. Auf
den resultierenden Isolierfilmen ist eine Aufbringung leitender
Filme bei hoher Bindefestigkeit möglich. Sie weisen eine
niedrige Dielektrizitätskonstante auf und zeigen gute
Isoliereigenschaften, ohne dabei die charakteristischen
Eigenschaften der an sie angrenzenden leitenden Dickfilme und
Widerstände zu beeinträchtigen.
Abb. 1 zeigt ein Diagramm der Zusammensetzungen, das das
Verhältnis der Bestandteile der Glaszusammensetzung zur
Isolierung gemäß der vorliegenden Erfindung wiedergibt.
Abb. 2 zeigt eine Querschnittsansicht der vielschichtigen
gedruckten Dickfilmschaltung, wie im Beispiel hergestellt.
Abb. 3 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht der in Abb. 2
gezeigten vielschichtigen gedruckten Dickfilmschaltung und
außerdem einen angelöteten Weichkupferdraht 7 zur Messung der
Bindefestigkeit des oberen leitenden Films 6d.
Die Grundlage der vorliegenden Erfindung stellt eine
Glaszusammensetzung zur Isolierung dar, welche SiO₂ und
mindestens eines von B₂O₃ oder K₂O in einem Verhältnis umfaßt,
das in die Region fällt, die durch die durch Punkt A (65, 35,
0), Punkt B (65, 20, 15), Punkt C (85, 0, 15) und Punkt D (85,
15, 0) gehenden Linien im Diagramm der Zusammensetzungen für
ein ternäres System umschlossen ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform enthält die
Glaszusammensetzung zur Isolierung zusätzlich zu den besagten
Hauptbestandteilen, umfassend SiO₂ und mindestens eines von
B₂O₃ oder K₂O, mindestens eine Art von Läuterungsmittel,
gewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅
und Nd₂O₅ in einer Menge von weniger als 25 Gewichtsanteilen
pro 100 Gewichtsanteilen der Hauptbestandteile.
Die resultierende Glaszusammensetzung zur Isolierung wird
gewöhnlich zu einem Pulver verarbeitet, welches weiter mit
einem organischen Bindemittel zum Erhalt einer Paste kombiniert
wird. Die Paste wird zu einer Dickfilm-Isolierschicht auf einem
geeigneten Träger durch Aufdrucken und anschließende Brennung
verarbeitet.
Gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt die Isolierpaste für
die Dickfilm-Isolierschicht die wie oben definierte
Glaszusammensetzung, ein organisches Bindemittel und wahlweise
Al₂O₃-Pulver oder Al₂O₃-Kolloid, wobei die Menge der
Glaszusammensetzung 60 bis 99,5 Gewichtsanteile pro 100
Gewichtanteilen der Gesamtmenge von Glaszusammensetzung und
Al₂O₃-Pulver oder Al₂O₃ im Al₂O₃-Kolloid beträgt.
Die Isolierpaste ergibt durch Brennung eine Isolierschicht, die
die durch die vorliegende Erfindung abgedeckte gedruckte
Dickfilmschaltung darstellt.
Im ersten Beispiel und schematisch im Querschnitt der Abb. 2
ist eine vielschichtige gedruckte Dickfilmschaltung gemäß der
vorliegenden Erfindung gezeigt. Dieses Beispiel dient speziell
der Auswertung der charakteristischen Eigenschaften.
Die Abbildung zeigt ein Substrat 2, auf dem die unteren
leitenden Filme 3a und 3b befestigt sind, wobei ersterer als
Kondensator-Elektrode zum Erhalt eines Kondensators und
letzterer als Dünndraht zur Untersuchung des Leiters auf eine
Widerstandsveränderung fungiert. Die Isolierschichten 4a und 4b
werden jeweils auf den unteren leitenden Filmen 3a und 3b
gebildet, wohingegen die Isolierschichten 4c und 4d auf das
Substrat 2 aufgebracht werden. Die Isolierschichten 4a-4d
werden durch Aufschichten und anschließendes Brennen aus der
Isolierpaste der vorliegenden Erfindung hergestellt. Ein
Dickfilm-Widerstand 5 wird auf die Isolierschicht 4c
aufgebracht. Die oberen leitenden Filme 6a, 6c und 6d werden
jeweils auf den Isolierschichten 4a, 4c und 4d erzeugt. Der
obere leitende Film 6a dient als eine Kondensator-Elektrode zum
Erhalt eines Kondensators mit dem entgegengesetzt angebrachten
leitenden Film 3a. Der obere leitende Filme 6c ist elektrisch
mit dem Dickfilm-Widerstand 5 verbunden, um als Endelektrode
für den Dickfilm-Widerstand 5 zu dienen. Die obere leitende
Elektrode 6d dient als Mittel zur Messung der Bindefestigkeit
für die Isolierschicht 4d.
Die vielschichtige gedruckte Dickfilmschaltung 1 wird in
folgender Weise hergestellt. Auf dem Substrat 2 aus
Aluminiumoxid werden die unteren-leitenden Filme 3a und 3b aus
einer Silberpaste mittels Siebdruck und anschließender Brennung
bei 850°C erzeugt. Der untere leitende Film 3a (für den
Kondensator) ist kreisförmig und mißt 8 mm im Durchmesser, und
der untere leitende Film 3b (zur Widerstandsmessung) ist 1,2 mm
lang und 100 µm breit. Zu diesem Zeitpunkt wird der Widerstand
quer durch den unteren leitenden Film 3b gemessen.
Die Isolierschichten 4a bis 4d werden aus der Isolierpaste
erzeugt, die in folgender Weise hergestellt wird. Die Rohstoffe
für den Glasbestandteil der Raste sind SiO₂, B₂O₃, K₂CO₃,
Al(OH)₃, La₂O₃, CaCO₃, Ta₂O₅ und Nd₂O₃. Sie werden gemäß der in
der nachstehenden Tabelle 1 gezeigten Formel gemischt, und das
Gemisch wird bei 1.500 bis 1.750°C, wie einzeln angegeben,
geschmolzen. Die gewählte Temperatur ist derart, daß das
Schmelzen des Gemischs zu erwarten ist. Die resultierende
Schmelze wird gelöscht und dann zerstoßen, um ein Glaspulver zu
erhalten, das den in Tabelle 1 gezeigten Erweichungspunkt
aufweist. Das Glaspulver wird mit einem organischen Bindemittel
(eine Lösung von Ethylcellulose in α-Terpineol) in einem
Verhältnis von 70 : 30 nach Gewicht gemischt. Auf diese Weise
wird die gewünschte Isolierpaste erhalten.
Nach Herstellung der unteren leitenden Filme 3a und 3b werden
die Isolierschichten 4a bis 4d aus der Isolierpaste mittels
Siebdruck und anschließende Brennung in Luft erzeugt. Die
Brenntemperatur ist in Tabelle 2 gezeigt. Die Isolierschicht 4a
(die auf der unteren Leitschicht 3a gebildet wird) ist
kreisförmig und mißt 6 mm im Durchmesser. Die Isolierschicht 4b
wird auf dem unteren leitenden Film 3b derart erzeugt, daß
beide Enden des Films 3b freiliegend bleiben. Die
Isolierschichten 4c und 4d werden auf dem Substrat 2 gebildet.
Dann wird auf der Isolierschicht 4c der Dickfilm-Widerstand 5
aus einer Widerstandspaste auf Ru₂O₃-Basis mittels Siebdruck
und anschließende Brennung bei 850°C erzeugt.
Die oberen leitenden Filme 6a, 6c und 6d werden aus einer
Kupferpaste mittels Siebdruck und anschließende Brennung bei
580°C in einer Stickstoff-Atmosphäre hergestellt. Der obere
leitende Filme 6a (der auf der Isolierschicht 4a erzeugt wird)
ist kreisförmig und mißt 4 mm in Durchmesser. Die oberen
leitenden Filme 6c werden derart hergestellt, daß sie als
Endelektroden für den Dickfilm-Widerstand 5 dienen. Der obere
leitende Film 6d (der auf der Isolierschicht 4d erzeugt wird)
ist quadratisch (2 × 2 mm) und zur Auswertung seiner
Bindefestigkeit an die Isolierschicht 4d vorgesehen.
In dieser Weise wird eine vielschichtige gedruckte
Dickfilmschaltung 1 erhalten, wie in Abb. 2 gezeigt.
Die charakteristischen Eigenschaften in Tabelle 2 wurden in
folgender Weise gemessen. Die charakteristischen Eigenschaften
der Isolierschicht 4a wurden gemessen indem sie als
dielektrische Schicht eines Kondensators betrachtet wurde, die
eingebracht war zwischen den unteren leitenden Film 3a und den
oberen leitenden Film 6a als den beiden entgegengesetzten
Elektroden. Das heißt, die elektrostatische Kapazität und der
elektrische Verlust (tanδ) wurden bei 1 MHz, 1 Vrms und 25°C
gemessen, und die relative Dielektrizitätskonstante (εr) wurde
aus der erhaltenen elektrostatischen Kapazität und den
Abmessungen des verwendeten Kondensators errechnet. Auch wurde
der Isolationswiderstand (IR) durch Anlegen einer Spannung von
50 V über 1.000 Stunden hinweg bei 85°C und 85% R.F. und
anschließendem Anlegen von 100 V (DC) über 1 Minute hinweg
gemessen.
Die Änderungsquote beim Schaltungswiderstand wurde durch
Vergleich des Widerstands durch den unteren leitenden Films 3b
mit dem Wert erhalten, der vor Aufbringung der Isolierschicht
4b gemessen wurde.
Die Bindefestigkeit (nach dem Löten) der oberen leitenden
Schicht 6d wurde durch Ziehen an einem L-förmigen
Weichkupferdraht 7 ausgewertet, der am oberen leitenden Film 6d
mit Lötzinn 8 befestigt war, wie in Abb. 3 gezeigt.
Der Dickfilm-Widerstand 5 der Proben 1 und 7 wurde auf
Widerstand und Temperaturkoeffizient gemessen. Drei
verschiedene Proben des Dickfilm-Widerstands 5 wurden aus
drei Arten von Widerstandspaste hergestellt, deren Werte
des Schichtwiderstands jeweils 20Ω/, 2 kΩ/ und 2 MΩ/
betrugen. Die Messungen des Widerstands wurden bei 25°C anhand
von 50 Proben des Dickfilm-Widerstands 5 vorgenommen, und ein
Durchschnittswert (zusammen mit Dispersion, d. h. der
Standardabweichung vom Mittelwert) wurde erhalten. Der
Temperaturkoeffizient des Widerstands ist in ppm/°C bei HTCR
(welches die Änderungsquote des Widerstands zwischen 25°C
und 150°C ist) und bei CTCR (welches die Änderungsquote des
Widerstands zwischen 25°C und -55°C ist) ausgedrückt.
Verglichen mit dem Widerstand bei 25°C als Bezugswert. Zum
Vergleich wurden die Messungen in derselben Weise wie oben
an den Vergleichsproben 1 und 2 vorgenommen, wobei erstere
Al-B-Si-Glas als Glaskomponente in der Isolierpaste für die
Isolierschicht 4c enthielt, und letztere einen Stoff auf
Harzbasis anstelle der Glaskomponente in der Isolierpaste
für die Isolierschicht 4c enthielt. Die Meßergebnisse sind
in nachstehender Tabelle 3 gezeigt.
Ausgehend von den in Tabellen 1 bis 3 gezeigten
charakteristischen Eigenschaften wurde die gewünschte Formel
für SiO₂, B₂O₃ und K₂O aufgestellt und im Diagramm der
Zusammensetzungen in Abb. 1 angegeben. Wie Tabelle 1 zeigt, ist
die Glaszusammensetzung zur Isolierung aus SiO₂ und mindestens
einem von B₂O₃ oder K₂O zusammengesetzt und die Formel (nach
Gewicht) dieser Bestandteile durch die Region definiert, die
durch die durch Punkt A (65, 35, 0), Punkt B (65, 20, 15),
Punkt C (85, 0, 15) und Punkt D (85, 15, 0) gehenden Linien
im Diagramm der Zusammensetzungen für ein ternäres System
umschlossen ist, wie in Abb. 1 gezeigt.
Die Proben 1 bis 11 (in Tabn. 1 bis 3 angegeben) enthalten kein
Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ oder Nd₂O₃. Die Proben 2, 3 und 5 bis
10 entsprechen der vorliegenden Erfindung, während die Proben
1, 4 und 11 außerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden
Erfindung liegen. Die Proben 1, 4 und 11 sind einzeln jeweils
durch Region X, Region Y und Region Z in Abb. 1 angegeben, die
außerhalb der durch die vorliegende Erfindung abgedeckten
Region liegen.
Die in die Region X fallenden Zusammensetzungen sind nicht
erwünscht, da die Isolierschicht 4a einen Belastungs-Isolationswiderstand
bei feuchten Bedingungen von nur
1 × 10¹⁰Ω (log IR = 10) aufweist und die Änderungsquote beim
Schaltungswiderstand des unteren leitenden Films 3b 15%
beträgt, wie durch Probe i in Tabelle 2 gezeigt. Darüber hinaus
zeigt der Dickfilm-Widerstand 5 im Falle solcher
Zusammensetzungen eine starke Fluktuation und einen großen
Temperaturkoeffizient des Widerstands, wie durch Probe 1 in
Tabelle 3 gezeigt.
Die in die Region Y fallenden Zusammensetzungen sind deshalb
nicht erwünscht, weil die Isolierschicht 4a eine relative
Dielektrizitätskonstante von 8,0 aufweist und ebenfalls einen
Belastungs-Isolationswiderstand bei feuchten Bedingungen von
nur 1 × 10¹⁰Ω (log IR = 10) aufweist. Die Änderungsquote beim
Schaltungswiderstand des unteren leitenden Films 3b betragt
12%, wie durch Probe 2 in Tabelle 2 gezeigt.
Die in die Region Z fallenden Zusammensetzungen sind deshalb
nicht erwünscht, weil sie eine Herstellung der Isolierschichten
4a bis 4d durch Brennung selbst bei 1000°C aufgrund des hohen
Glaserweichungspunkts von mehr als 1050°C nicht zulassen, wie
durch Probe 11 in Tabelle 1 gezeigt.
Die Proben 12 bis 16 in Tabellen 1 und 2 enthalten, zusätzlich
zu insgesamt 100 Gewichtsanteilen der drei Hauptbestandteile
SiO₂, B₂O₃ und K₂O, 25 Gewichtsanteile von Al₂O₃, La₂O₃, CaO,
Ta₂O₅ oder Nd₂O₃. In anderen Worten sind sie, was die drei
Hauptbestandteile anbetrifft, mit Probe 7 identisch. Probe 12
Jedoch enthält zusätzlich Al₂O₃, Probe 13 enthält zusätzlich
La₂O₃, Probe 14 enthält zusätzlich CaO, Probe 15 enthält
zusätzlich Ta₂O₅ und Probe 16 enthält zusätzlich Nd₂O₃. Die
Menge des zusätzlichen Bestandteils beträgt 25 Gewichtsanteile
pro 100 Gewichtsanteilen der drei Hauptbestandteile
zusammengenommen.
Ein Vergleich der Proben 12-16 mit Probe 7 zeigt, daß die
Aufnahme von Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ und Nd₂O₃ eine Kontrolle
des Glaserweichungspunkts möglich macht, wie in Tabelle 1
gezeigt, und dadurch die Herstellung der Isolierschicht
erleichtert wird. Darüber hinaus ermöglichen diese zusätzlichen
Bestandteile die Regulierung der relativen Dielektrizitäts
konstante innerhalb eines bestimmten Bereichs, wenn ein
Umkehrnutzen aus ihrem Nachteil gezogen wird, die relative
Dielektrizitätskonstante zu erhöhen.
Erwünscht ist die Verwendung dieser zusätzlichen Bestandteile
(Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ oder Nd₂O₃) in einer Menge von
weniger als etwa 25 Gewichtsanteilen pro 100 Gewichtsanteilen
der drei Hauptbestandteile (SiO₂, B₂O₃ und K₂O)
zusammengenommen. Eine Überschußmenge führt zu einer hohen
relativen Dielektrizitätskonstante (über 7,5) und einem
erhöhten Glaserweichungspunkt, was die Herstellung der
Isolierschicht erschwert. Diese zusätzlichen Bestandteile
können einzeln verwendet werden, wie bei diesem Beispiel, oder
in Kombination miteinander, solange die Gesamtmenge weniger als
25 Gewichtsanteile beträgt.
Entsprechend der detaillierten Analyse der erhaltenen
Testergebnisse ist eine Verwendung der zusätzlichen
Bestandteile (Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ oder Nd₂O₃) in einer
Menge von weniger als etwa 5 Gewichtsanteilen bevorzugt und ein
Verhältnis der Glaszusammensetzung innerhalb der Region, die
durch die durch Punkt A (65, 35, 0), Punkt B′ (65, 32, 3),
Punkt C′ (85, 12, 3) und Punkt D (85, 15, 0), und bevorzugter
Punkt A′′ (75, 24,5, 0,5), Punkt B′′ (75, 22, 3), Punkt C′
(85, 12, 3) und Punkt D′′ (85, 14,5, 0,5) gehenden Linien
umschlossen ist. In diesem Fall wird eine Glaszusammensetzung
mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstante von etwa 5 oder
weniger als 5 erhalten.
Die wie oben erhaltene Isolierschicht weist eine verbesserte
Festigkeit auf, wenn sie aus einer anderen Isolierpaste
hergestellt wird, wie im folgenden Beispiel gezeigt. Diese
Isolierpaste enthält, zusätzlich zur Glaszusammensetzung und
zum in der oben genannten Isolierpaste enthaltenen organischen
Bindemittel, Al₂O₃ in pulvriger oder kolloidaler Form. Die
Isolierpaste dieses Beispiels enthält als Glaszusammensetzung
dasselbe Glaspulver wie in oben erwähnter Probe 7 verwendet.
Jede Probe dieses Beispiels wurde durch Mischen des Glaspulvers
mit Al₂O₃-Pulver oder Al₂O₃-Kolloid in einer in Tabelle 4
einzeln angegebenen Menge hergestellt. (Die Menge an Al₂O₃-
Kolloid ist bezogen auf das Gewicht des Al₂O₃ ausgedrückt.)
Jede Isolierpaste (als Proben 17 bis 26) wurde durch
Kombinieren des Gemischs aus Glaspulver und Al₂O₃-Pulver oder
Al₂O₃-Kolloid (insgesamt 70 Gewichtsanteile) mit dem
organischen Bindemittel (30 Gewichtsanteile) hergestellt. Das
organische Bindemittel war eine Lösung von Ethylcellulose in
α-Terpineol (derselbe wie im vorangegangenen Beispiel
verwendet), mit Ausnahme von Beispielen 25 bis 26, die Al₂O₃-
Kolloid enthalten. Bei dem organischen Bindemittel in Beispiel
25 und 26 handelte es sich um ein wäßriges Bindemittel.
Zufälligerweise ist Probe 17, die weder Al₂O₃-Pulver noch
Al₂O₃-Kolloid enthält, mit Probe 7 identisch.
Jede der Isolierpasten der Proben 17 bis 26 wurde zur
Herstellung der vielschichtigen gedruckten Dickfilmschaltung 1,
wie in Abb. 2 gezeigt, in derselben Weise wie im
vorangegangenen Beispiel verwendet. Bei allen Proben wurde eine
festgelegte Brenntemperatur von 850°C angewandt, wie in Tabelle
5 gezeigt. Die resultierenden Proben wurde auf ihre relative
Dielektrizitätskonstante, den dielektrischen Verlust, den
Isolationswiderstand und ihre Bindefestigkeit in derselben
Weise wie im vorangegangenen Beispiel getestet. Die Ergebnisse
zeigt Tabelle 5.
Aus Tabellen 4 und 5 ist ersichtlich, daß Al₂O₃ die
Bindefestigkeit des oberen leitenden Films 6d auf der
Isolierschicht 4d verbessert, wobei gleichzeitig die relative
Dielektrizitätskonstante unter 7 bleibt. Aus dem Vergleich von
Probe 17 mit Probe 18 ist feststellbar, daß Al₂O₃ seine Wirkung
einer verbesserten Bindefähigkeit selbst dann erzielt, wenn
seine Menge lediglich 0,5 Gewichtsanteile beträgt. Andererseits
macht Al₂O₃ in Überschußmenge (etwa 50 Gewichtsanteile oder
mehr), wie in Proben 24 und 26, die Isolierschicht weniger
dicht und ergibt folglich einen schlechten Isolationswider
stand. Aus diesen Ergebnissen wird gefolgert, daß die geeignete
Menge an Al₂O₃ im Bereich von etwa 0,5 bis 40, und bevorzugt
etwa 10 bis 30 Gewichtsanteilen, liegen sollte. Das heißt, daß
die Menge der Glaszusammensetzung etwa 60 bis 99,5, und
bevorzugt etwa 75-85 Gewichtsanteile pro 100 Gewichtsanteilen
der Glaszusammensetzung und des Al₂O₃ zusammengenommen betragen
sollte.
Die vorliegende Erfindung wurde zwar in ihrer bevorzugten
Ausführungsform beschrieben, doch sollte zur Kenntnis genommen
werden, daß Modifikationen, wie unten gezeigt, vorgenommen
werden könne, ohne dabei vom Schutzumfang der Erfindung
abzuweichen.
So ist beispielsweise das organische Bindemittel, das dem
Glasbestandteil zum Erhalt der Isolierpaste beigegeben wird,
nicht auf eine Lösung von Ethylcellulose in α-Terpineol
beschränkt. Der gelöste Stoff kann durch Nitrocellulose,
Acrylharz, Butyralharz oder ähnliches ersetzt werden. Das
Lösungsmittel kann durch Alkohole (z. B. Butylcarbitol), Ester
(z. B. Acetate), Kerosin oder ähnliches ersetzt werden. Außerdem
kann das organische Bindemittel je nach Anwendungsform einen
Weichmacher (z. B. Phthalatester) enthalten.
Zwar wird bei den oben genannten Beispielen die Isolierpaste in
Luft gebrannt, doch wird dieselbe Wirkung selbst bei einer
Brennung in neutraler Atmosphäre, zum Beispiel Stickstoff,
erzielt.
Im vorangegangenen wurde die vorliegende Erfindung in Bezug auf
die Isolierpaste und die Glaszusammensetzung zur Isolierung
beschrieben, die zur Herstellung der Isolierschichten in der
vielschichtigen gedruckten Dickfilmschaltung verwendet werden.
Sie können jedoch auch als Unterglasur für einschichtige
Schaltungen verwendet werden, um die Eigenschaften von
Widerständen und Verdrahtungen zu stabilisieren.
Das oben genannte Aluminiumoxid-Substrat ist nicht
beschränkend; die vorliegende Erfindung schließt die Verwendung
von dielektrischen Substraten, vielschichtigen Substraten und
Isoliersubstraten (z. B. Glassubstrate) nicht aus.
Bei den oben genannten Beispielen wird der Fall
veranschaulicht, bei dem der obere leitende Film 6d einen
Leiter auf Kupfer-Basis enthält; dieselbe Wirkung wird jedoch
selbst in dem Fall erzielt, in dem Kupfer durch Ag, Ag/Pd,
Ag/Pt, Au, Ni oder ähnliches ersetzt wird. Außerdem kann der
leitende Film mit einem Metallfilm (z. B. Ni, Sn, Sn-Pd, Pd, Au,
Ag oder Cu) durch elektrolytische oder stromlose Plattierung
beschichtet werden. In den oben genannten Beispielen wird ein
Fall veranschaulicht, in dem der Dickfilm-Widerstand 5 aus
einem Widerstandsmaterials auf Ru₂O₃-Basis hergestellt ist;
dieselbe Wirkung wird jedoch selbst in dem Fall erzielt, in dem
dieses Material durch ein solches auf LaB₆-Basis oder ähnliches
ersetzt wird.
Wie ausführlich beschrieben wurde, stellt die vorliegende
Erfindung eine Glaszusammensetzung zur Isolierung bereit, die
auf einem Glasbestandteil basiert und daher den Stoffen auf
Harzbasis hinsichtlich Haltbarkeit bei Hochtemperaturen
überlegen ist. Die Glaszusammensetzung weist eine niedrige
Dielektrizitätskonstante auf und bietet gute Isoliereigen
schaften, wie in den Beispielen gezeigt. Sie besitzt einen
vergleichsweise niedrigen Glaserweichungspunkt (unter etwa
1050°C) und ist daher bei vergleichsweise niedrigen
Temperaturen (unter etwa 1050°C) sinterbar. Daher lassen sich
aus ihr leicht Isolierschichten herstellen. Die Isolierschicht
beeinträchtigt nicht die charakteristischen Eigenschaften des
an sie angrenzenden Dickfilmleiters oder -widerstands während
des Sinterns. Außerdem macht die Isolierschicht möglich, daß
auf ihr ein leitender Film bei vergleichsweise hoher
Bindefestigkeit zwischen beiden erzeugt wird. Diese
Bindefestigkeit ist gegen einen Wärmeschock durch Löten
praktisch unempfindlich.
Die Glaszusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung findet
als Isoliermaterial für Isolierschichten Anwendung, die in
vielschichtigen oder einschichtigen gedruckten Dickfilm
schaltungen eingesetzt werden, wobei sie den Anforderungen an
schnellere und kompaktere elektronische Maschinen und Geräte
genügen.
Die Glaszusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung kann,
zusätzlich zu 100 Gewichtsanteilen SiO₂ und mindestens einem
von B₂O₃ und K₂O, weniger als 25 Gewichtsanteile mindestens
eines Stoffes, gewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al₂O₃,
La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ und Nd₂O₃, enthalten. Diese zusätzlichen
Bestandteile ermöglichen eine Einstellung des Glaserweichungs
punkts und der Dielektrizitätskonstante nach Wunsch.
Die Isolierpaste gemäß der vorliegenden Erfindung kann,
zusätzlich zur oben genannten Glaszusammensetzung und dem
organischen Bindemittel, Al₂O₃-Pulver oder Al₂O₃-Kolloid
enthalten. Dieser zusätzliche Bestandteil erhöht die Festigkeit
der durch Sintern aus der Isolierpaste erzeugten Isolier
schicht. In anderen Worten erzeugt er winzige Kristalle im
amorphen Glas, durch die diese Wirkung erzielt wird. Außerdem
schützt er die Isolierschicht vor Bruch, wenn der darauf zu
erzeugende leitende Film angelötet wird, da er bewirkt, daß die
Isolierschicht einen Koeffizient der Wärmeexpansion nahe dem
des Lötzinns aufweist.
Eine gedruckte Dickfilmschaltung unter Anwendung der
vorliegenden Erfindung weist eine Isolierschicht mit den oben
genannten Vorteilen auf. Daher ist ihre Anwendung, besonders in
vorm der vielschichtigen gedruckten Dickfilmschaltung, für
schnellere und kompaktere elektronische Maschinen und Geräten
von Vorteil.
Claims (20)
1. Glaszusammensetzung zur Isolierung, umfassend:
Einen Hauptbestandteil aus SiO₂ und mindestens einem von B₂O₃ oder K₂O in einem Verhältnis, das in die Region fällt, die durch die durch Punkt A (65, 35, 0), Punkt B (65, 20, 15), Punkt C (85, 0, 15) und Punkt D (85, 15, 0) gehenden Linien in einem Diagramm der Zusammensetzungen für das ternäre System von SiO₂, B₂O₃ und K₂O umschlossen ist; und
mindestens einen Stoff, gewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ und Nd₂O₃ in einer Menge von weniger als etwa 25 Gewichtsanteilen pro 100 Gewichtsanteilen des besagten Hauptbestandteils.
Einen Hauptbestandteil aus SiO₂ und mindestens einem von B₂O₃ oder K₂O in einem Verhältnis, das in die Region fällt, die durch die durch Punkt A (65, 35, 0), Punkt B (65, 20, 15), Punkt C (85, 0, 15) und Punkt D (85, 15, 0) gehenden Linien in einem Diagramm der Zusammensetzungen für das ternäre System von SiO₂, B₂O₃ und K₂O umschlossen ist; und
mindestens einen Stoff, gewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al₂O₃, La₂O₃, CaO, Ta₂O₅ und Nd₂O₃ in einer Menge von weniger als etwa 25 Gewichtsanteilen pro 100 Gewichtsanteilen des besagten Hauptbestandteils.
2. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 1 definiert, welche
zusätzlich Al₂O₃ in einer Menge von weniger als etwa 50
Anteilen am Gesamtgewicht von besagtem Hauptbestandteil und
Al₂O₃ enthält.
3. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 2 definiert, worin die
Menge dieses Stoffes weniger als etwa 5 Anteile beträgt.
4. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 1 definiert, worin die
Menge dieses Stoffes weniger als etwa 5 Anteile beträgt.
5. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 1 definiert, worin
besagte Linien durch die Punkte A (65, 35, 0), B′ (65, 35, 3),
C′ (85, 12, 3) und D (85, 15, 0) gehen.
6. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 5 definiert, worin die
Menge dieses Stoffes weniger als 5 Anteile beträgt.
7. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 1 definiert, worin
besagte Linien durch die Punkte A′′ (75, 24,5, 0,5),
B′′ (75, 22, 3), C′ (85, 12, 3) und D′′ (85, 14,5, 0,5) gehen.
8. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 7 definiert, worin die
Menge dieses Stoffes weniger als etwa 5 Anteile beträgt.
9. Glaszusammensetzung, wie in Anspruch 8 definiert, welche
zusätzlich Al₂O₃ in einer Menge von weniger als etwa 50
Anteilen am Gesamtgewicht von besagtem Hauptbestandteil und
Al₂O₃ enthält.
10. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 1 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
11. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 2 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
12. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 3 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
13. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 4 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser raste.
14. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 5 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
15. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 7 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
16. Isolierpaste, welche eine Glaszusammensetzung umfaßt, wie
in Anspruch 9 definiert, und etwa 0,5 bis 30 Anteile eines
organischen Bindemittels, bezogen auf das Gewicht dieser Paste.
17. Gedruckte Dickfilmschaltung mit mindestens einer
Isolierschicht, worin diese Isolierschicht eine gebrannte
Isolierpaste ist, wie in Anspruch 10 definiert.
18. Gedruckte Dickfilmschaltung mit mindestens einer
Isolierschicht, worin diese Isolierschicht eine gebrannte
Isolierpaste ist, wie in Anspruch 11 definiert.
19. Gedruckte Dickfilmschaltung mit mindestens einer
Isolierschicht, worin diese Isolierschicht eine gebrannte
Isolierpaste ist, wie in Anspruch 13 definiert.
20. Gedruckte Dickfilmschaltung mit mindestens einer
Isolierschicht, worin diese Isolierschicht eine gebrannte
Isolierpaste ist, wie in Anspruch 16 definiert.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7252282A JPH0986955A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 絶縁体用ガラス組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19639906A1 true DE19639906A1 (de) | 1997-04-10 |
DE19639906C2 DE19639906C2 (de) | 2002-01-24 |
Family
ID=17235088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19639906A Expired - Fee Related DE19639906C2 (de) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | Isolierpaste |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5702996A (de) |
JP (1) | JPH0986955A (de) |
KR (1) | KR0166446B1 (de) |
CN (1) | CN1084918C (de) |
DE (1) | DE19639906C2 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3067580B2 (ja) * | 1995-04-04 | 2000-07-17 | 株式会社村田製作所 | 絶縁ペースト及びそれを用いた厚膜印刷多層回路 |
US6248680B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-06-19 | Alliedsignal, Inc. | Low temperature burnout screen printing frit vehicles and pastes |
KR100324266B1 (ko) * | 1999-07-19 | 2002-02-25 | 구자홍 | 고체 표시소자용 유전체후막 조성물 |
EP1323682A3 (de) * | 2001-12-25 | 2004-01-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielektrisches Material und dielektrischer, gesinterter Körper, und Leiterplatte |
US20050062585A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Tdk Corporation | Resistor and electronic device |
US20070123410A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Morena Robert M | Crystallization-free glass frit compositions and frits made therefrom for microreactor devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2466849A (en) * | 1944-01-03 | 1949-04-12 | Corning Glass Works | Molded glass article |
US4812422A (en) * | 1985-06-17 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric paste and method of manufacturing the paste |
EP0472165A1 (de) * | 1990-08-23 | 1992-02-26 | Aluminum Company Of America | Schwach dielektrische anorganische Zusammensetzung für eine mehrschichtige keramische Einheit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8623214D0 (en) * | 1986-09-26 | 1986-10-29 | Pilkington Brothers Plc | Glass compositions |
US4952531A (en) * | 1988-03-17 | 1990-08-28 | Olin Corporation | Sealing glass for matched sealing of copper and copper alloys |
EP0432907B1 (de) * | 1989-11-22 | 1995-05-17 | Johnson Matthey Public Limited Company | Verbesserte Pastenzusammensetzungen |
GB9106086D0 (en) * | 1991-03-22 | 1991-05-08 | Pilkington Plc | Glass composition |
JPH05254923A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Hitachi Ltd | セラミック組成物及びセラミック回路基板 |
US5503926A (en) * | 1995-01-11 | 1996-04-02 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Hipped silicon nitride having a reduced reaction layer |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP7252282A patent/JPH0986955A/ja active Pending
-
1996
- 1996-09-25 KR KR1019960042616A patent/KR0166446B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-09-27 US US08/720,053 patent/US5702996A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-27 DE DE19639906A patent/DE19639906C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-27 CN CN96120334A patent/CN1084918C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2466849A (en) * | 1944-01-03 | 1949-04-12 | Corning Glass Works | Molded glass article |
US4812422A (en) * | 1985-06-17 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric paste and method of manufacturing the paste |
EP0472165A1 (de) * | 1990-08-23 | 1992-02-26 | Aluminum Company Of America | Schwach dielektrische anorganische Zusammensetzung für eine mehrschichtige keramische Einheit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1150696A (zh) | 1997-05-28 |
DE19639906C2 (de) | 2002-01-24 |
KR0166446B1 (ko) | 1999-05-01 |
CN1084918C (zh) | 2002-05-15 |
JPH0986955A (ja) | 1997-03-31 |
KR970015508A (ko) | 1997-04-28 |
US5702996A (en) | 1997-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4109948C2 (de) | ||
DE69204571T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Mehrschichtschaltungen. | |
DE3317963C2 (de) | Keramikkondensator mit Schichtaufbau | |
DE2347709C3 (de) | Dielektrische Masse | |
DE3621667C2 (de) | ||
EP0000864B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren | |
DE3851548T2 (de) | Keramisches Mehrschichtsubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE4010827A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
DE19622690B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Monolithischen Keramikkondensators | |
DE2946753C2 (de) | ||
DE602005001305T2 (de) | Dickschichtwiderstandspaste und ein Dickschichtwiderstand | |
DE112007001868T5 (de) | Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik | |
DE2714196B2 (de) | Beschichtetes Aluminiumoxidsubstrat und Pulvergemisch zur Beschichtung solcher Substrate | |
DE69904889T2 (de) | Elektrisch leitende Paste und Glassubstrat mit aufgetragenem elektrischen Schaltkreis | |
DE2441207B2 (de) | Edelmetallhaltige pulver | |
DE4343934B4 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Vielfach-Dickschichtsubstraten | |
EP0124943B1 (de) | Dielektrisches Glas für Mehrschichtschaltungen und damit versehene Dickfilmschaltungen | |
DE69217033T2 (de) | Dielektrisches material für hochfrequenz und daraus hergestellter resonator und dessen herstellung | |
DE1646606C3 (de) | Masse zum Metallisieren von keramischen Werkstücken | |
DE19639906C2 (de) | Isolierpaste | |
DE602005001242T2 (de) | Eine Dickschicht-Widerstandspaste, ein Dickschicht-Widerstand hergestellt unter Verwendung der Dickschicht-Widerstandspaste und eine elektronische Vorrichtung umfassend den Dickschicht-Widerstand | |
DE112018004778T5 (de) | Dickschichtwiderstandselementpaste und Verwendung einer Dickschichtwiderstandselementpaste in einem Widerstand | |
EP0529195B1 (de) | Widerstandsmasse zur Herstellung von Dickschicht-Widerständen | |
DE3880884T2 (de) | Leitfaehige pastenzusammensetzung. | |
DE2935421C2 (de) | Siebdrucktinte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |