TW202036746A - 切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法 - Google Patents

切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202036746A
TW202036746A TW108144938A TW108144938A TW202036746A TW 202036746 A TW202036746 A TW 202036746A TW 108144938 A TW108144938 A TW 108144938A TW 108144938 A TW108144938 A TW 108144938A TW 202036746 A TW202036746 A TW 202036746A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
annular groove
outer periphery
cutting
inspection
Prior art date
Application number
TW108144938A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI809228B (zh
Inventor
國武尊貴
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202036746A publication Critical patent/TW202036746A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI809228B publication Critical patent/TWI809228B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/029—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a plurality of cutting blades
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

[課題]提供一種用以提升晶圓外周緣整圈形成環狀槽檢查效率之切割裝置及使用切割裝置之晶圓加工方法。[解決手段]切割裝置包含：切割晶圓外周緣形成環狀槽的切割單元、保持晶圓可旋轉的邊夾、攝像元件排成一列面對用邊夾保持晶圓環狀槽，沿著環狀槽寬度方向安裝的線掃瞄攝影機、由旋轉邊夾並拍攝環狀槽的線掃瞄攝影機所輸出訊號，獲取晶圓外周緣整圈環狀槽影像後，從影像檢測環狀槽寬度及崩缺的檢查部、當檢查部檢查結果超過預先登錄的容許範圍時發出警告資訊的警示部。

Description

切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法
本發明係關於一種切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法。
近年來，隨著電子儀器的輕薄短小化要求，半導體元件形成的半導體晶圓（以下稱為晶圓）越形薄化。由於這種晶圓外周緣會從正面到背面倒角成R型，因此有下述問題：研削晶圓背面進行薄化時，外周緣成為所謂刀刃狀態，研削中的晶圓外周緣容易發生崩缺。為解決此問題，開發了預先在晶圓的元件面側沿著外周緣形成環狀槽的修邊技術（例如，參考專利文獻1）。
另一方面，採用這種修邊時，若晶圓外周緣未去除至預定寬度，則有殘留R形狀的風險，因而設計出具備檢測外周緣環狀之槽寬度功能的切割裝置（例如，參考專利文獻2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-152906號公報 [專利文獻2]日本特開2013-149822號公報
[發明所欲解決的課題] 不過，由於傳統技術是使用攝像單元以預定角度間隔拍攝晶圓外周緣的環狀槽，並根據此攝影影像檢查環狀槽的寬度合格與否，故必須讓晶圓外周緣的預定點位正好定位到攝像單元下方，而拉長檢查所需時間。此外，因為是在預定角度間隔拍攝，無法檢查整圈環狀槽，故期能提升檢查效率。
所以，本發明之目的在於提供一種切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法，謀求提升形成在晶圓外周緣整圈的環狀槽之檢查效率。
[解決課題的技術手段] 根據本發明之一面向，提供一種切割裝置，具備：切割單元，具有裝設有切割刀片的主軸，切割晶圓的外周緣以形成環狀槽；邊夾，可旋轉地保持晶圓；線掃瞄攝影機，排成一列的受光元件面對由該邊夾保持之該晶圓的該環狀槽，並沿著該環狀槽的寬度方向配置；檢查部，一邊使該邊夾旋轉一邊自拍攝該環狀槽的該線掃瞄攝影機所輸出的訊號構成該晶圓之外周緣整圈的該環狀槽的影像，並從該影像檢測該環狀槽的寬度及崩缺；以及警示部，該檢查部的檢查結果超過預先登錄的容許範圍時發出警示資訊。
根據本發明另一面向，提供一種晶圓加工方法，使用切割裝置，切割於外周緣形成有從正面到背面的倒角部之晶圓的外周緣，該切割裝置具備：切割單元，具有裝設有切割刀片的主軸，切割晶圓的外周緣以形成環狀槽；邊夾，可旋轉地保持晶圓；線掃瞄攝影機，排成一列的受光元件面對該晶圓環狀槽，並沿著該環狀槽的寬度方向配置，該晶圓由該邊夾保持；檢查部，一邊使該邊夾旋轉一邊自拍攝該環狀槽的該線掃瞄攝影機所輸出的訊號構成該晶圓外周緣整圈的環狀槽影像，並從該影像檢測該環狀槽的寬度及崩缺；以及警示部，該檢查部的檢查結果超過預先登錄的容許範圍時發出警示資訊；該晶圓加工方法具備：圓形切割步驟，以保持面保持該晶圓，一邊使該切割刀片切入該晶圓的外周緣一邊使該邊夾旋轉，並於該外周緣形成該環狀槽；拍攝步驟，實施該圓形切割步驟後，將線掃描相機定位於面對該晶圓之該環狀槽的位置，拍攝該晶圓的同時使該邊夾旋轉，並拍攝該晶圓外周緣整圈以取得攝像影像，該晶圓由將晶圓保持為可旋轉的邊夾所保持；以及檢查步驟，以該檢查部檢查於該拍攝步驟所拍攝到的攝像影像，當該檢查部的檢查結果超出預先登錄的容許範圍時發出警示訊息。
[發明功效] 若依據本發明，藉由使用線掃描相機拍攝環狀槽，可一邊使保持部旋轉一邊在短時間內拍攝晶圓的外周緣整圈的環狀槽，而能有效率地檢查整圈環狀槽。
以下，參照圖面加以詳細說明本發明的實施方式。本發明不限定於下述實施方式所記載的內容。此外，以下記載的組成要件包含本領域之通常知識者可輕易想到、實質相同者。並且，以下記載的組成可適當地加以組合。再者，可在不超出本發明主旨之範圍內進行組成的各種省略、替換或變更。
依據圖面說明本實施方式的切割裝置。圖1係表示本實施方式之切割裝置的一例示之立體圖。圖2是表示保持晶圓的卡盤台之剖面圖。圖3是示意性地表示保持晶圓外周緣的邊夾和拍攝外周緣的線掃描相機之俯視圖。另外，圖3中省略了形成於晶圓正面的元件等。
晶圓100係以例如矽、藍寶石、SiC（碳化矽）或砷化鎵之類為基材的圓板形狀半導體元件晶圓及光學元件晶圓。晶圓100如圖1及圖2所示，在上表面（正面）101具有形成為格子狀的分割預定線102，以此分割預定線劃分的各區域中形成有IC、LSI等元件103。此外，如圖2所示，晶圓100的外周緣104係由上表面101到下表面（背面）105倒角為圓弧狀（R形狀）。在晶圓100的外周緣104的局部，形成晶體方向辨識標記的缺口106。
本實施方式的切割裝置1係在晶圓100經倒角之外周緣104的上表面101側沿著外周緣104形成（修邊加工）環狀槽，同時具備檢查所形成的環狀槽寬度是否在預定基準範圍內之功能的裝置。切割裝置1如圖1所示具有裝置本體2，此裝置本體2的上表面2a具備卡匣載置台3。卡匣載置台3可以升降，並可將收納多片晶圓100的卡匣4載置在此卡匣載置台3。
在裝置本體2的X軸方向前側部分，設有對卡匣4進行搬出及搬入晶圓100的搬送機械臂6。搬送機械臂6具備保持晶圓100的機械手6a，和使機械手6a移動到需要的位置的懸臂部6b。搬送機械臂6可利用未圖示的搬送機構在Y軸方向移動。
在裝置本體2之上表面2a的X軸方向後側部分，設有可在X軸方向移動的移動基台7，並設立如同跨越此移動基台7之路徑般的門型框架5。在移動基台7上設有：修整板保持手段8，保持用來將後述的切割刀片18之前端形狀修整平坦的修整板；卡盤台（保持部）10，保持晶圓100並可以自轉；以及加工進給機構13，將卡盤台10在X軸方向加工進給。
卡盤台10在其周緣部具有保持晶圓100之下表面105外周緣104側的環狀保持面11，如圖2所示，保持面11的內側區域成為不與晶圓100之下表面105接觸的凹狀空間12。在卡盤台10上形成有在保持面11開口的吸引口14，此吸引口14透過閥件15連接到吸引源16。加工進給機構13雖省略圖示，但構成為具備：習知的滾珠螺桿，設置為繞軸心旋轉自如；習知的馬達，使此滾珠螺桿繞軸心旋轉；以及習知的導軌，將卡盤台10支撐為在X軸方向移動自如。
此外，切割裝置1如圖1所示，具備一對切割單元17a、17b分別切割保持在卡盤台10的晶圓100之外周緣104。該等切割單元17a、17b是夾著卡盤台10面對面配置。一側的切割單元17a至少具有：切割刀片18，沿著外周緣104切割晶圓100的上表面101，以於外周緣104形成後述的環狀槽107；以及主軸19，具有Y軸方向軸心並使切割刀片18旋轉。另一側的切割單元17b也是和切割單元17a一樣的構造。另外，在切割晶圓100時，可以使2個切割單元17a、17b不同時運行，亦能使其同時運行。
在門型框架的X軸方向前方設有：將切割單元17a往Z軸方向切入進給的切入進給機構20a、將切割單元17a往Y軸方向分度進給的分度進給機構25a、將切割單元17b往Z軸方向切入進給的切入進給機構20b以及將切割單元17b往Y軸方向分度進給的分度進給機構25b。切入進給機構20a具備：Z軸方向延伸的滾珠螺桿21、連接到滾珠螺桿21一端的馬達22、與滾珠螺桿21平行延伸的一對導軌23以及連接到切割單元17a的升降板24。升降板24一側的面滑動接觸一對導軌23，滾珠螺桿21螺合於形成在升降板24中央部的未圖示的螺帽。然後，馬達22透過使滾珠螺桿21旋轉，而能使切割單元17a與升降板24一起以預定的進給速度在Z軸方向升降。另外，由於切入進給機構20b也是和切入進給機構20a相同的構成，所以構成切入進給機構20b的各部位標上與切入進給機構20a一樣的符號而省略其說明。
分度進給機構25a及分度進給機構25b分別具備：往Y軸方向延伸的滾珠螺桿26、連接到各別滾珠螺桿26的馬達27、與滾珠螺桿26平行延伸的導軌28，以及一側的面與切入進給機構20a和切入進給機構20b連接並且分別使切割單元17a及切割單元17b在Y軸方向移動的移動板29。移動板29另一側的面滑動接觸一對導軌28，滾珠螺桿26螺合於形成在移動板29中央部的未圖示的螺帽。當以馬達27驅動滾珠螺桿26轉動時，可使切割單元17a及切割單元17b與移動板29一起往Y軸方向分度進給。
切割裝置1配設有清洗加工後之晶圓100的清洗單元30，以及將加工後之晶圓100從卡盤台10搬送到清洗單元30的搬送墊9。清洗單元30至少具備：旋轉台31，保持晶圓100並自轉的同時可以升降；以及清洗水噴嘴32，供給清洗水到保持於旋轉台31上的晶圓。
在裝置本體2的上表面2a中央部，卡匣載置台3和清洗單元30中間，設有檢查形成於晶圓100外周緣的環狀槽寬度（槽寬）的檢查區域200。此檢查區域200中，切割裝置1具備：多個（至少3個）邊夾（保持部）40，夾持（保持）晶圓100的外周緣104；以及線掃瞄攝影機50，拍攝形成於被邊夾40保持的加工後之晶圓100的外周緣104上的環狀槽107。
多個邊夾40中的全部或某些，如圖3所示，在半徑方向上移動自如地設在晶圓100的外周緣104附近。此外，邊夾40形成為大致圓柱狀，且高度方向的中央部在圓周方向上橫向凹陷成V字形。又，邊夾40分別在水平面內旋轉驅動自如地被支撐在裝置本體2的上表面2a上，並且構成為不論晶圓100的厚度如何可以點接觸狀態夾持外周緣104。從而，邊夾40可旋轉自如地以夾持的狀態保持晶圓100外周緣104。
線掃瞄攝影機50如圖3所示，具備面對外周緣104的環狀槽107並配置在晶圓100上方的細長殼體50A，此殼體50A的長度方向沿著被邊夾40保持的晶圓100的半徑方向延伸。在此殼體50A的長度方向上，一列橫排地內建多個CCD影像感測器及CMOS影像感測器之類的攝像元件（受光元件）。因此，線掃瞄攝影機50的多個攝像元件是沿著晶圓100的環狀槽107之寬度方向配置，線掃瞄攝影機50在使保持於邊夾40的晶圓100旋轉的同時，逐行拍攝晶圓100的環狀槽107。線掃瞄攝影機50使用至少比環狀槽107的寬度還長的構件。此外，線掃瞄攝影機50構成為在上述半徑方向進退自如，較佳為在拍攝時延伸到晶圓100的環狀槽107上方，並在對邊夾40裝卸晶圓100時則從晶圓100的上方撤離。此外，線掃描相機50具備拍攝時照射環狀槽107的光源51。以線掃瞄攝影機50拍攝到的多個影像資訊（訊號），會輸出到切割裝置1所具備的控制單元60。
控制單元60如圖1所示，具備：運算處理部61、記憶部62、檢查部63及警示部64。運算處理部61構成為具備如同CPU（central processing unit，中央處理器）的微處理器，執行電腦程式，以產生用於控制切割裝置1的動作以及用於控制環狀槽107的檢查動作的各種控制訊號。所產生的控制訊號透過輸出入介面（未圖示）輸出到切割裝置1的各組成要件。記憶部62記憶各種資訊，尤其是線掃瞄攝影機50所輸出的影像資訊。由於線掃瞄攝影機50繞旋轉的晶圓100之外周緣104整圈拍攝環狀槽107，並依序輸出該等影像資訊，所以記憶部62至少會記憶外周緣104整圈量的影像資訊。
檢查部63在運算處理部61的控制下，從記憶部62所記憶的影像資訊形成晶圓100之外周緣104整圈量的影像，並由此影像檢查環狀槽107的寬度及環狀槽107區域的崩缺（崩裂）有無、大小。警示部64將檢查部63檢查到的環狀槽107的寬度及崩缺的大小和預先登錄的容許範圍進行比較。然後，若環狀槽107的寬度及崩缺的大小在容許範圍內，警示部64則判定是正常加工。此外，在運算處理部61的控制下，環狀槽107的寬度及崩缺的大小超出容許範圍時，警示部64會判定為未正常加工而發出警示資訊。警示資訊是例如閃爍警示燈號或發出警示聲響。另外，亦可在切割裝置1具備的操作面板上顯示加工異常的訊息。
接著，說明使用上述切割裝置1加工晶圓100的加工方法。圖4是表示本實施方式之晶圓加工方法的順序之流程圖。本實施方式的晶圓加工方法是在晶圓100的外周緣104形成環狀槽107，並檢查此環狀槽107的方法。晶圓加工方法如圖4所示，包含：圓形切割步驟ST1、清洗步驟ST2、拍攝步驟ST3及檢查步驟ST4。
（圓形切割步驟） 圖5係表示圓形切割步驟之側視剖面圖。圓形切割步驟ST1是一邊使切割刀片切入保持在卡盤台10上的晶圓100的外周緣104一邊使卡盤台10旋轉，並在外周緣104形成環狀槽107的步驟。本實施方式僅以一側的切割單元17a說明形成環狀槽107的情形。
首先，將晶圓100保持在卡盤台10。此時，使用如圖1所示的搬送機械臂6，從卡匣4取出加工前的晶圓100，並將此晶圓100的下表面105載置於卡盤台10的保持面11。接著，如圖2所示開啟閥件15並使吸引源16的吸引力作用到保持面11，以保持面11吸引保持晶圓100。此時，由於面向空間12的晶圓100之下表面105是非接觸狀態，而不會沾附髒污等。
晶圓100保持於卡盤台10時，使用移動基台7（圖1），使卡盤台10移動到切割單元17a的下方，並如圖5所示，在晶圓100的外周緣104形成環狀槽107。具體而言，使移動到切割單元17a下方的卡盤台10在例往箭頭A方向旋轉。切割單元17a藉由使主軸19旋轉，一邊使切割刀片18以預定的旋轉速度在例如箭頭E方向上旋轉時，一邊使用切入進給機構20a（圖1），使切割單元17a往Z軸方向下降，從而使旋轉的切割刀片18切入保持在卡盤台10的晶圓100之外周緣104。如此一來藉由切割刀片18去除圓弧狀地形成在晶圓100之外周緣104上的倒角之局部，並形成所需的寬度及深度的環狀槽107。另外，除了使切割單元17a往Z軸方向下降以使切割刀片18切入晶圓100的外周緣104之外，亦可預先將切割單元17a定位到預定的切入高度後，再使卡盤台10往X軸方向移動以使切割刀片18切入晶圓100的外周緣104。
（清洗步驟） 圖6係表示清洗步驟之側視剖面圖。清洗步驟ST2是清洗經切割加工環狀槽107的晶圓100之步驟。實施圓形切割步驟ST1之後，搬送墊9從卡盤台10搬送加工後的晶圓100到清洗單元30的旋轉台31。如圖6所示，當將晶圓100載置到旋轉台31時，開啟閥件15a，並藉由吸引源16a的吸引力將晶圓100吸引保持在旋轉台31的保持面31a中。之後，使旋轉台31以預定的旋轉速度，例如往箭頭B方向旋轉，並且從清洗水噴嘴32朝向保持在旋轉台31的晶圓100供給清洗水33，進行晶圓100的清洗。結束清洗後，使旋轉台31比清洗時更高速地旋轉，並進行噴射高壓氣體等，使晶圓100乾燥。另外，在清洗步驟ST2亦可使清洗水噴嘴32在晶圓100的上表面（正面）101上移動，以供給清洗水到該上表面101整面。
（拍攝步驟） 圖7係表示拍攝步驟之側視剖面圖。圖8係拍攝步驟中攝影區域的一例示圖。拍攝步驟ST3係利用線掃描相機50，一邊使晶圓100旋轉一邊拍攝該晶圓100的外周緣104整圈量的環狀槽107之影像的步驟。
實施清洗步驟ST2後，為了檢查環狀槽107是否成為所需的槽寬，使用搬送機械臂6從旋轉台31搬出清洗後的晶圓100，並搬送此晶圓100到檢查區域200。當晶圓100被搬送至檢查區域200時，如圖3所示，各邊夾40移動以在半徑方向上縮小，以夾住並固定晶圓100的外周緣104。此外，邊夾40分別旋轉，使晶圓100往例如圖中箭頭方向旋轉。
接著，線掃描相機50如圖3及圖7所示，朝晶圓100的半徑方向移動，被定位到面對環狀槽107的位置。使各邊夾40驅動旋轉以使晶圓100旋轉，同時線掃描相機50例如從缺口106（圖3）再回到缺口106，拍攝外周緣104整圈量的環狀槽107。線掃描相機50在殼體50A內具備排成一列的多個攝像元件50B，該等攝像元件50B在晶圓100半徑方向上排列。因此，線掃描相機50如圖8所示，配合晶圓100的旋轉，依序拍攝每個攝影區域80的環狀槽107，攝影區域80相當於一排的攝像元件50B。此攝影區域80往環狀槽107的半徑方向延伸，至少包含環狀槽107的槽內周緣107A與晶圓100的外周緣104之間的槽底107B。對應各攝影區域80的影像資訊輸出到記憶部62，且記憶部62記憶外周緣104整圈量的影像資訊。
（檢查步驟） 檢查步驟ST4係從記憶部62所記憶的影像資訊形成晶圓100之外周緣104整圈量的影像，並由此影像檢查環狀槽107的寬度及環狀槽107區域有無崩缺、崩缺的大小之步驟。圖9係由拍攝到的多個影像資訊所形成的晶圓之外周緣整圈量的影像之一例示圖。晶圓100的外周緣104整圈量的影像90如圖9所示，是將對應攝影區域80的影像資訊連接而形成。檢查部63根據此影像90，檢查環狀槽107的寬度L及環狀槽107區域的崩缺108有無，以及崩缺108的大小。環狀槽107的寬度L係指環狀槽107的槽內周緣107A與晶圓100的外周緣104之間在半徑方向的長度。此外，環狀槽107區域的崩缺108係指例如環狀槽107的槽內周緣107A上產生的缺陷處，崩缺108的大小D係指崩缺108在半徑方向的長度。
檢查部63判斷環狀槽107的寬度L是否在預先登錄的容許範圍內。具體來說，檢查部63從整圈量的數值讀取晶圓100的環狀槽107寬度L的最大值和最小值，判斷此最大值和最小值是否在容許範圍內。此外，檢查部63判斷環狀槽107的區域是否產生崩缺108，若產生時，則判斷崩缺108的大小D是否在預先登錄的容許範圍內。此崩缺108的大小D不僅是在晶圓100（環狀槽107）的徑方向，亦可包含圓周方向的長度（大小）。
當該等判斷中，環狀槽107的寬度L或崩缺108的大小D超出容許範圍時，判定環狀槽107未獲正常加工，警示部64發出警示資訊。警示資訊是例如閃爍警示燈號或發出警示聲響。另外，亦可在切割裝置1具備的操作面板上顯示加工異常的訊息。由於環狀槽107的寬度L或崩缺108的大小D超出容許範圍時，有可能是在切割刀片18的前端形狀發生偏磨耗，所以可使旋轉的切割刀片18切入圖1所示的修整板保持手段8所保持的修整板以進行修整磨銳，或可藉由平面修整調整切割刀片18前端的形狀。此外，亦可依照切割刀片18的偏磨耗程度，更換新的切割刀片18。
實施檢查步驟ST4後，使用搬送機械臂6從檢查區域200搬出晶圓100，將此晶圓100收納至卡匣4。另外，使切割裝置1的記憶部62記住，實施檢查步驟ST4而環狀槽107的寬度L或崩缺108的大小D不在容許範圍內的晶圓100，作為不良晶圓被收納在卡匣4的哪一層。也能同時記憶以缺口106為基準時哪一位置的寬度L或崩缺108大小D不在容許範圍內。此外，亦可將環狀槽107的寬度L或崩缺108的大小D不在容許範圍內的晶圓100收納到原本收納的卡匣4之外的其他卡匣。
如同以上說明，本實施方式的切割裝置1具備：切割單元17a、17b，具有安裝有切割刀18的主軸19，切割晶圓100的外周緣104以形成環狀槽107；邊夾40，可旋轉地保持晶圓100；線掃瞄攝影機50，排成一列的攝像元件50B面對保持在邊夾40的晶圓100之環狀槽107，並沿著環狀槽107的寬度方向配置；檢查部63，一邊使邊夾40旋轉一邊自拍攝環狀槽107的線掃瞄攝影機50所輸出的訊號構成晶圓100之外周緣104整圈的環狀槽107的影像90，並從此影像90檢測出環狀槽107的寬度L及崩缺108的有無和大小D；以及警示部64，檢查部63的檢查結果超出預先登錄的容許範圍時發出警示資訊。若根據此構成，藉由使用線掃瞄攝影機50拍攝環狀槽107，能夠一邊使邊夾40旋轉一邊在短時間內拍攝晶圓100之外周緣104整圈的環狀槽107，而且可以有效率地檢查整圈環狀槽107。
根據發明人的實驗，使用傳統的面掃描攝影機，在以預定角度間隔拍攝環狀槽107多處（例如36處）時，由於必須每次將預定的攝影點定位到面掃描攝影機的下方，所以拍攝36處需時150秒。此外，由於以此構成是按預定角度間隔拍攝，無法檢查外周緣104整圈的環狀槽107。相對於此，若是使用線掃瞄攝影機50的本實施方式之構成的話，使用邊夾40以預定速度（5 mm/s）使晶圓100旋轉時，則能以過去的1/10以下的時間，即12.6秒拍攝外周緣104整圈的環狀槽107。
藉此，能夠判斷每一晶圓100的環狀槽107的寬度L或崩缺108的大小D是否在容許範圍內，並簡單且迅速地檢測出晶圓100是否不良，所以能夠提升產品的生產力。
另外，本發明不限定於上述實施方式。亦即，在未超出本發明骨架範圍中能夠實施各種變化。舉例來說，在上述實施方式中，雖是在晶圓100以邊夾40使其旋轉的狀態下藉由線掃瞄攝影機50拍攝外周緣104的整圈，但亦可以構成為在將晶圓100保持於卡盤台（保持部）10的狀態下線掃瞄攝影機50以面對晶圓100的環狀槽107之方式移動。
換句話說，使用切割單元17a、17b，並在晶圓100的外周緣104形成環狀槽107的圓形切割步驟ST1後，亦可不使晶圓100移動，而在使卡盤台10（晶圓100）旋轉的狀態下，以面對晶圓100的環狀槽107之方式使線掃描相機50移動以拍攝外周緣104的整圈。若根據此構成，不移動晶圓100，則切割後可以直接在卡盤台10上檢查的緣故，檢查的時間效率更佳。
1:切割裝置 10:卡盤台（保持部） 17a、17b:切割單元 18:切割刀片 30:清洗單元 40:邊夾（保持部） 50:線掃瞄攝影機 50A:殼體 50B:攝像元件（受光元件） 60:控制單元 63:檢查部 64:警示部 80:攝影區域 90:影像 100:晶圓 101:上表面（正面） 104:外周緣 105:下表面（背面） 107:環狀槽 108:崩缺 200:檢查區域
圖1係本發明實施方式之切割裝置的一例示之立體圖。 圖2係表示保持晶圓的卡盤台之剖面圖。 圖3係示意性地表示保持晶圓外周緣的邊夾和拍攝外周緣的線掃描相機之俯視圖。 圖4係表示本實施方式之晶圓加工方法的順序之流程圖。 圖5係表示圓形切割步驟之側視剖面圖。 圖6係表示清洗步驟之側視剖面圖。 圖7係表示拍攝步驟之側視剖面圖。 圖8係拍攝步驟中攝影區域的一例示圖。 圖9係由拍攝到的多個影像資訊所形成的晶圓之外周緣整圈量的影像之一例示圖。
1:切割裝置
2:裝置本體
2a:裝置本體的上表面
3:卡匣載置台
4:卡匣
5:門型框架
6:搬送機械臂
6a:機械手
6b:懸臂部
7:移動基台
8:修整板保持手段
9:搬送墊
10:卡盤台(保持部)
11:保持面
12:凹狀空間
13:加工進給機構
17a、17b:切割單元
18:切割刀片
19:主軸
20a:切入進給機構
20b:切入進給機構
21:滾珠螺桿
22:馬達
23:導軌
24:升降板
25a:分度進給機構
25b:分度進給機構
26:滾珠螺桿
27:馬達
28:導軌
29:移動板
30:清洗單元
31:旋轉台
32:清洗水噴嘴
40:邊夾(保持部)
50:線掃瞄攝影機
51:光源
60:控制單元
61:運算處理部
62:記憶部
63:檢查部
64:警示部
100:晶圓
101:上表面(正面)
103:元件
104:外周緣
105:下表面(背面)
106:缺口
200:檢查區域

Claims (2)

  1. 一種切割裝置，具備： 切割單元，具有裝設有切割刀片的主軸，切割晶圓的外周緣以形成環狀槽； 邊夾，可旋轉地保持晶圓； 線掃瞄攝影機，排成一列的受光元件面對由該邊夾保持之該晶圓的該環狀槽，並沿著該環狀槽的寬度方向配置； 檢查部，一邊使該邊夾旋轉一邊自拍攝該環狀槽的該線掃瞄攝影機所輸出的訊號構成該晶圓之外周緣整圈的該環狀槽的影像，並從該影像檢測該環狀槽的寬度及崩缺；以及 警示部，該檢查部的檢查結果超出預先登錄的容許範圍時發出警示資訊。
  2. 一種晶圓加工方法，使用切割裝置，切割於外周緣形成有從正面到背面的倒角部之晶圓的外周緣，該切割裝置具備：切割單元，具有裝設有切割刀片的主軸，切割晶圓的外周緣以形成環狀槽；邊夾，可旋轉地保持晶圓；線掃瞄攝影機，排成一列的受光元件面對由該邊夾保持之該晶圓的該環狀槽，並沿著該環狀槽的寬度方向配置；檢查部，一邊使該邊夾旋轉一邊自拍攝該環狀槽的該線掃瞄攝影機所輸出的訊號構成該晶圓之外周緣整圈的該環狀槽的影像，並從該影像檢測該環狀槽的寬度及崩缺；以及警示部，該檢查部的檢查結果超出預先登錄的容許範圍時發出警示資訊；該晶圓加工方法具備： 圓形切割步驟，以保持面保持該晶圓，一邊使該切割刀片切入該晶圓的外周緣一邊使該邊夾旋轉，並在該外周緣形成該環狀槽； 拍攝步驟，實施該圓形切割步驟後，將線掃描相機定位於面對該晶圓之該環狀槽的位置，拍攝該晶圓的同時使該邊夾旋轉，並拍攝該晶圓外周緣整圈以取得攝像影像，該晶圓由將晶圓保持為可旋轉的邊夾所保持；以及 檢查步驟，以該檢查部檢查於該拍攝步驟所拍攝到的攝像影像，當該檢查部的檢查結果超出預先登錄的容許範圍時發出警示訊息。
TW108144938A 2018-12-11 2019-12-09 切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法 TWI809228B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018231861A JP7266398B2 (ja) 2018-12-11 2018-12-11 切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法
JP2018-231861 2018-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202036746A true TW202036746A (zh) 2020-10-01
TWI809228B TWI809228B (zh) 2023-07-21

Family

ID=70859665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108144938A TWI809228B (zh) 2018-12-11 2019-12-09 切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200185241A1 (zh)
JP (1) JP7266398B2 (zh)
KR (1) KR20200071670A (zh)
CN (1) CN111312616A (zh)
DE (1) DE102019219221A1 (zh)
SG (1) SG10201911509QA (zh)
TW (1) TWI809228B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI806486B (zh) * 2021-03-24 2023-06-21 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 加工裝置及加工品的製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210125726A (ko) * 2020-04-09 2021-10-19 삼성전자주식회사 웨이퍼 트리밍 장치
TWM600933U (zh) * 2020-05-07 2020-09-01 鈦昇科技股份有限公司 晶圓裝卸機
JP2021187985A (ja) 2020-06-02 2021-12-13 日東電工株式会社 半導体加工用粘着シート
US20220063135A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-03 Dia&Co Inc. Method and apparatus for manufacturing high-hardness diamond simulant by cutting a gemstone into 100-sided body
TWI756142B (zh) * 2021-06-15 2022-02-21 博磊科技股份有限公司 基板切斷裝置及基板切斷裝置的作動方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662130B2 (ja) * 1998-11-19 2005-06-22 東芝セラミックス株式会社 半導体インゴット切断装置およびこれを用いた切断方法
JP4252740B2 (ja) * 2001-06-04 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
TW559937B (en) * 2002-10-21 2003-11-01 Uni Tek System Inc Dicing process flow with forced rotation of wafer
JP2004179211A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd レジスト塗布装置のエッジリンス機構
JP2007096091A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法
JP4774286B2 (ja) 2005-12-08 2011-09-14 株式会社ディスコ 基板の切削加工方法
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
DE102007042271B3 (de) * 2007-09-06 2009-02-05 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Lage der Entlackungskante eines scheibenförmigen Objekts
JP2009194346A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Kenichi Kojima 単軸駆動アライナー
JP2010030007A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP4918537B2 (ja) * 2008-12-11 2012-04-18 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP5308934B2 (ja) 2009-06-29 2013-10-09 オリンパス株式会社 基板検査方法および基板検査装置
JP2013149822A (ja) 2012-01-20 2013-08-01 Disco Abrasive Syst Ltd エッジトリミング方法
JP6242619B2 (ja) 2013-07-23 2017-12-06 株式会社ディスコ 加工装置
DE102013219468B4 (de) * 2013-09-26 2015-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP6255238B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP6654435B2 (ja) * 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP2018161733A (ja) 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2019155707A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 株式会社東京精密 ダイシング装置及びダイシング方法並びにダイシングテープ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI806486B (zh) * 2021-03-24 2023-06-21 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 加工裝置及加工品的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7266398B2 (ja) 2023-04-28
US20200185241A1 (en) 2020-06-11
TWI809228B (zh) 2023-07-21
KR20200071670A (ko) 2020-06-19
CN111312616A (zh) 2020-06-19
SG10201911509QA (en) 2020-07-29
DE102019219221A1 (de) 2020-06-18
JP2020096050A (ja) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI809228B (zh) 切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法
TWI708285B (zh) 被加工物的檢查方法、檢查裝置、雷射加工裝置、及擴張裝置
KR102467559B1 (ko) 장치
TWI751354B (zh) 切割裝置及晶圓的加工方法
JP6242619B2 (ja) 加工装置
TWI741151B (zh) 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置
JP2018122421A (ja) 加工装置
CN111834243A (zh) 检查装置和加工装置
US10937697B2 (en) Method of processing a semiconductor wafer that involves cutting to form grooves along the dicing lines and grinding reverse side of the wafer
TWI606501B (zh) Processing device
JP2007320001A (ja) ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置
JP7408306B2 (ja) 切削装置
KR20180127910A (ko) 절삭 장치의 절삭 블레이드 검출 기구
JP7366637B2 (ja) ワークの確認方法、及び、加工方法
JP2019046923A (ja) ウエーハの加工方法
TW202132046A (zh) 加工裝置
TW202029312A (zh) 關鍵圖案檢測方法及裝置
JP2018129372A (ja) ダイシング装置及びダイシング方法
TWI822312B (zh) 切斷裝置及切斷品的製造方法
TWI720254B (zh) 磨削裝置
JP7370265B2 (ja) 加工方法及び加工装置
KR102461790B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법 및 시스템
JP2015076555A (ja) 加工装置
JP2023028108A (ja) 検査装置、及び加工システム
JP2022083252A (ja) 加工装置及び加工方法