TW201934526A - 二羥基萘之精製方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種二羥基萘之精製方法，可抑制軟顆粒之產生，並可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的二羥基萘。
解決該課題之手段為一種二羥基萘之精製方法，具有將前述二羥基萘中之硫成分藉由吸附劑除去的步驟，並使用中性氧化鋁作為前述吸附劑。

Description

二羥基萘之精製方法
本發明關於二羥基萘之精製方法。
二羥基萘樹脂具有優異的耐熱性、耐濕性，故作為下層膜材料、光阻材料等廣泛用在半導體領域(專利文獻1)。
一般的二羥基萘(1)在工業上通常利用下列方法製造。亦即，使起始物質之萘(1-1)磺化並製成磺酸化合物(1-2)後，藉由鹼熔(alkali fusion)轉化為羥基，而獲得二羥基萘(1)。
【化1】
式中，n及m係滿足0≦m≦2、0≦n≦2、m＋n＝2的整數。
在該製造步驟中，磺酸化合物(1-2)不會因鹼熔而完全消耗掉，在一般工業等級的二羥基萘(1)中會有就元素成分中之硫元素之含量以質量比計為數100ppm至數1000ppm程度的磺酸化合物(1-2)殘留(以下，亦將該磺酸化合物稱為「硫成分」)。含有如此之雜質的工業等級之二羥基萘以往係主要用於染料，故如此之雜質並未成為問題。
一般將半導體裝置製造用有機膜形成用組成物用於半導體裝置之製造步驟時，為了消除於塗布膜之缺陷、乾蝕刻後之缺陷，必須利用使用了具有微細孔目之過濾器的精密過濾進行精製。該精製操作不足的話，於塗布膜之缺陷、乾蝕刻後之缺陷會導致半導體裝置中之電子電路發生不良情況，半導體裝置製造時之產能會降低。為了防止如此之半導體裝置製造時之產能降低，必須在過濾器前後精密地控制該組成物的液壓差以進行精密過濾。
利用以習知的工業等級之二羥基萘作為起始原料而製得的二羥基萘樹脂來製造半導體裝置製造用有機膜形成用組成物的話，對於最先進之半導體裝置製造用加工材料而言係必要的利用20nm以下之孔目之微細過濾器的精密過濾精製步驟中會發生閉塞，難以用作半導體裝置製造用加工材料。
據認為如此之二羥基萘樹脂中包含較硬的異物(以下，稱為硬顆粒(hard particle))、含有溶劑且以輕微的力即可使其變形之較柔軟的異物(以下，稱為軟顆粒(soft particle))。為了將如此之二羥基萘樹脂之溶液、含有該樹脂之組成物(以下，稱為二羥基萘組成物)使用於半導體裝置製造用組成物，需利用微細的過濾器進行精製。例如，為了將二羥基萘組成物中之硬顆粒除去並精製而使用微細的過濾器進行精密過濾的話，可在過濾器表面捕獲硬顆粒。該硬顆粒即使被過濾器表面捕獲，硬顆粒彼此仍存在空隙，故過濾時之通液量不會變化，二羥基萘樹脂組成物之精製能力得以保持。另一方面，該組成物中之軟顆粒雖暫時被過濾器表面捕獲，但會因應該組成物之流動而產生變形，且軟顆粒彼此並無空隙，使得過濾器的通液變困難，該組成物之精製能力會降低。進一步，該狀態持續的話，最終過濾器會閉塞，而需更換過濾器。重複如此之過濾器更換的話，用於生成該組成物之過濾器的消耗量會變大，而不具經濟性。
此時，為了確保該組成物之通液量而使過濾器前後之液壓差大於50KPa的話，本來須被過濾器捕獲的異物，尤其軟顆粒會因該壓力差而通過過濾器的細孔並混入到濾液側，過濾精製變得不充分。於是，塗布缺陷、蝕刻後缺陷變多，半導體裝置製造時之產能會降低。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-75937號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係鑒於上述問題而成，旨在提供一種二羥基萘之精製方法，可抑制軟顆粒之產生，並可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的二羥基萘。
[解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明提供一種二羥基萘之精製方法，具有將前述二羥基萘中之硫成分藉由吸附劑除去的步驟，並使用中性氧化鋁作為前述吸附劑。
若為如本發明之二羥基萘之精製方法，可抑制軟顆粒之產生，並可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的硫成分少之二羥基萘(以下，稱為精製二羥基萘)。
又，宜將前述二羥基萘溶解於有機溶劑，在該溶液中加入前述中性氧化鋁且進行攪拌，並將前述中性氧化鋁濾去較佳。
若為如此之精製方法，可更輕易地獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的精製二羥基萘。
又，所加入之前述中性氧化鋁的量相對於前述二羥基萘100質量份宜設定為5質量份以上，溫度宜設定為0～150℃，並攪拌0.1小時以上較佳。
若為如此之精製方法，會更確實地除去硫成分，軟顆粒之產生受到抑制，可獲得係過濾性更良好之樹脂、組成物之原料的精製二羥基萘。
又，前述待精製之二羥基萘宜為1,5-二羥基萘或2,7-二羥基萘。
若為本發明之二羥基萘之精製方法，尤其可理想地用於1,5-二羥基萘與2,7-二羥基萘。
又，前述精製後之二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量，以質量比計宜為100ppm以下。
前述精製後之二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量，以質量比計為50ppm以下更佳。
若為如此之硫元素之含量，就含有使用精製二羥基萘製得之樹脂的組成物而言，可更確實地進行對於最先進之半導體裝置製造用加工材料而言係必要的利用20nm以下之孔目之過濾器所為的精密過濾精製。
[發明之效果]
如上述，若為本發明之二羥基萘之精製方法，可有效地除去成為軟顆粒之原因的磺酸化合物，故可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的二羥基萘。
如上述，尋求開發一種可抑制軟顆粒之產生，並可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的二羥基萘的精製方法。
如前述，有機膜形成用組成物中含有軟顆粒的話，有時會有使有機膜形成用組成物之製造步驟之生產性降低，或使半導體製造裝置之產能降低的情況，故需防止軟顆粒的產生。
於是，本案發明人等為了達成上述目的而努力研究的結果，發現若使用中性氧化鋁作為吸附劑而將係起始物質之二羥基萘中含有的磺酸化合物除去，則可抑制軟顆粒的產生。又，發現若製造含有使用精製二羥基萘而得之樹脂的組成物，可進行對於最先進之半導體裝置製造用加工材料而言係必要的利用20nm以下之孔目之過濾器所為的精密過濾精製，而完成了本發明。
亦即，本發明係一種二羥基萘之精製方法，具有將前述二羥基萘中之硫成分藉由吸附劑除去的步驟，並使用中性氧化鋁作為前述吸附劑。
以下，針對本發明之實施形態進行詳細說明，但本發明並不限定於該等。
本發明之精製方法中可使用之二羥基萘並無特別限定，例如可列舉：1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,4-二羥基萘、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、1,7-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,8-二羥基萘等，特佳為1,5-二羥基萘、2,7-二羥基萘。
如前述，二羥基萘(1)在工業上一般利用下列方法製造。亦即，使起始物質之萘(1-1)磺化並製成磺酸化合物(1-2)後，藉由鹼熔轉化為羥基，而獲得二羥基萘(1)。
【化2】
式中，m、n如上述。
此時，磺酸化合物(1-2)不會因鹼熔而完全消耗掉，在一般工業等級的二羥基萘(1)中會有就元素成分中之硫元素之含量以質量比計為數100ppm至數1000ppm程度的磺酸化合物(1-2)殘留。下表1中表示一般工業等級之二羥基萘含有的硫元素之以質量比計之含量。
【表1】
此外，就二羥基萘(1)中之硫元素的定量方法而言，已知有：試樣燃燒與滴定之組合法、試樣燃燒與離子層析之組合法、及感應耦合電漿發射光譜分析(ICP-AES/OES)等，其中，宜為更高感度的ICP-AES/OES。
本發明中，為了除去工業等級之二羥基萘中含有的雜質即磺酸化合物(1-2)，係利用中性氧化鋁進行吸附處理。利用中性氧化鋁進行吸附處理時，也可混合使用活性碳、酸性氧化鋁、或鹼性氧化鋁等中性氧化鋁以外的吸附劑。
本發明中使用之中性氧化鋁，宜為色相係淡黃色至白色的細粒，為白色細粒更佳。又，氧化鋁之純度宜為85%以上，為94.0%以上更佳。吸附劑部之燒失量宜為8%以下，若為5.5%以下更佳。吸附劑之體密度(bulk density)宜為8～20ml/10g，為12～16ml/10g更佳。又，活性氧化鋁的pH宜為6.5～8.5，為7.0～8.0更佳。
就作為吸附劑使用之中性氧化鋁的粒度分布而言，63μm～250μm者宜為80%以上，未達63μm者宜未達10%。進一步，為了使吸附後之中性氧化鋁的除去步驟變得容易，未達60μm者更佳為未達5%。
又，將中性氧化鋁作為吸附劑使用的方法並無特別限定，例如宜為如下方法：將二羥基萘溶解於有機溶劑，在該溶液中加入作為吸附劑之中性氧化鋁且進行攪拌，並將中性氧化鋁濾去。
此時，使精製前之二羥基萘溶解的有機溶劑並無特別限定，例如可列舉：如甲醇、乙醇、丙醇、丙二醇甲醚、甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇之醇類；如甲乙酮、甲基異丁酮、甲基戊酮、環己酮之酮類；如乙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯之酯類；如戊烷、己烷之脂肪族烴類；如甲苯、二甲苯之芳香族系烴類；如四氫呋喃、二㗁烷之醚類等。
就中性氧化鋁的添加量而言，相對於精製前之二羥基萘100質量份宜為5質量份以上。若為如此之中性氧化鋁的添加量，可確實地除去二羥基萘中之硫成分。上限並無特別限定，由於大量使用會不具經濟性，故使用100質量份即足夠。
上述方法中，在加入中性氧化鋁後，將溶液進行攪拌時的溫度宜為0～150℃。又，攪拌時間宜為0.1小時以上。攪拌時間的上限並無特別限定，但進行20小時即足夠。
藉由本發明獲得之精製二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量，以質量比計宜為100ppm以下，為50ppm以下更佳。精製二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量以質量比計為100ppm以下的話，在含有使用如此之精製二羥基萘製得之樹脂的組成物中，軟顆粒的生成受到抑制，並可確實地進行對於最先進之半導體裝置製造用加工材料而言係必要的利用20nm以下之孔目之過濾器所為的精密過濾精製，故較佳。
若為如此之本發明之二羥基萘之精製方法，可有效地除去成為軟顆粒之原因的磺酸化合物，故可獲得聚合時會成為過濾性良好之樹脂的二羥基萘。
[實施例]
以下，例示實施例、比較例對本發明進行具體地說明，但本發明並不限定於該等記載。此外，就分子量而言，係求出利用凝膠滲透層析法(GPC)獲得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)，並由該等值求導出分散度(Mw/Mn)。
(實施例1-1)
將市售的1,5-二羥基萘(以下稱為15DHN，硫元素含量400ppm，利用ICP-OES測得)72.2g溶解於丙二醇甲醚(以下稱為PGME)127.6g、甲基異丁酮(以下稱為MIBK)353.6g之混合溶劑中。在其中加入中性氧化鋁(富田製藥製，Tomita AD-250NS，粒徑60～250μm，pH7.5)57.2g，於室溫攪拌12小時後，將中性氧化鋁濾去，利用離子交換水對獲得之15DHN之PGME/MIBK溶液進行水洗，追加PGME並濃縮，得到500g的13wt%15DHN-PGME溶液(精製原料1)。利用ICP-OES測定該15DHN溶液之每單位固體成分之硫元素含量，結果為45ppm。
(比較例1-1)
使用矽膠(關東化學製，Silica gel 60，粒徑63～210μm，細孔徑6.5μm，pH6.0)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料1。
(比較例1-2)
使用酸性氧化鋁(和光純藥製，MP Alumina，Activated，Acidic，Super I，粒徑50-200μm，pH4.5)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料2。
(比較例1-3)
使用鹼性氧化鋁(和光純藥製，MP Alumina，Activated，Basic，Activity：I，粒徑50-200μm，pH9.0)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料3。
(比較例1-4)
使用活性碳(可樂麗公司製，GLC，粒徑72μm，細孔2.8nm)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料4。
(比較例1-5)
使用活性碳(Japan EnviroChemicals製，Shirasagi M，粒徑75μm，細孔2.0nm)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料5。
(比較例1-6)
使用陽離子性離子交換樹脂(三菱化學製，DIAION SK110，強酸性碸型離子交換樹脂)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料6。
(比較例1-7)
使用陰離子性離子交換樹脂(三菱化學製，DIAION SA10A，強鹼性四級銨型離子交換樹脂)替代中性氧化鋁，除此以外，利用與實施例1-1同樣的反應進行精製，得到比較精製原料7。
[利用ICP-OES之硫元素含量測定方法]
(前處理：微波分解法)
本樣品(精製原料1、比較精製原料1～7)的ICP-OES用前處理，係利用微波試樣分解裝置(MULTIWAVE3000，Anton Paar公司製)來實施。將樣品0.5g及69.0%硝酸(Ultrapur-100，關東化學製)10ml裝入PTFE(polytetrafluoroethylene)製分解容器並靜置1小時，然後，利用本裝置實施85分鐘的微波分解。分解後將溶液移至TPX製保存容器，利用蒸餾水稀釋以使總量成為50g，製作100倍稀釋樣品。
(ICP-OES測定)
利用ICP-OES之硫元素含量之分析，係使用CID/ICP發光分析裝置(iCAP6000DUO，Thermo Fisher SCIENTIFIC公司製)來實施。依以下設定條件對經前述前處理之100倍稀釋樣品實施測定。測得之硫元素含量示於下表2。
(ICP-OES設定條件)
高頻輸出：1150W
電漿氣體流量：12.0L/min
輔助氣體流量：0.5L/min
霧化器氣體流量：0.5L/min
蠕動幫浦(peristalic pump)轉速：50rpm
測定方向：軸向
分析積分時間(低波長/高波長)：10秒/10秒
分析積分次數：3次
試樣更換時間：30秒
【表2】
(合成例1)
於1000ml之燒瓶中將實施例1-1精製而得的13wt%15DHN-PGME溶液(精製原料1)500g(0.5莫耳)、對甲苯磺酸2.8g、及PGME2.8g予以混合，邊在80℃攪拌邊添加50wt%甲醛水溶液14.3g。於將溫度維持在80℃的狀態攪拌6小時後，冷卻至室溫(單體轉化率77%)。將獲得之溶液進行減壓濃縮後，加入己烷540g，使聚合物成分分離沉澱。將上部濾液濾去、除去後，重複本操作，使殘留單體成為5%以下。將殘留的聚合物成分再溶解於MIBK200g，並加入離子交換水200g，實施金屬離子成分的除去。在已除去金屬離子成分的MIBK溶液中，加入丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)300g，進行減壓濃縮，得到約20wt%的如下式之聚合物1之PGMEA溶液。就獲得之聚合物的聚苯乙烯換算之分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)進行凝膠滲透層析(GPC)測定，就硫元素含量進行ICP-OES測定，結果分子量(Mw)為3,500，分散度(Mw/Mn)＝2.01，每單位固體成分之硫元素含量為45ppm。
【化3】
式中，n表示重複單元的數目，為2～100。
(比較合成例1)
將市售的15DHN不經利用中性氧化鋁處理而使用於聚合反應，除此以外，利用與合成例1同樣的反應得到比較聚合物1。就獲得之比較聚合物1的聚苯乙烯換算之分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)進行凝膠滲透層析(GPC)測定，就硫元素含量進行ICP-OES測定，結果分子量(Mw)為3,600，分散度(Mw/Mn)＝2.03，硫元素含量為435ppm。
[聚合物(二羥基萘樹脂)的過濾探討1]
調製合成例1中獲得之聚合物1(中性氧化鋁處理品)、比較合成例1中獲得之比較聚合物1(中性氧化鋁未處理品)的20質量%PGMEA溶液，利用具0.1μm之孔目之10英吋PTFE製過濾器實施過濾，結果過濾時間與通液重量之關係如圖1所示，確認到比較聚合物1之過濾性顯著較差，而聚合物1之過濾性係良好。
又，利用SEM觀察發生比較聚合物1之過濾不良的過濾器，結果如圖2所示，確認到過濾器上附著有黏稠物10(軟顆粒)的成分。
比較聚合物1中，據推測由於在聚合物中引入有如下所示之磺酸雜質，會生成使過濾性惡化之過濾器附著物。
【化4】
式中，x、y、z表示重複單元的數目。x＋y＋z為2～100。
[聚合物(二羥基萘樹脂)的過濾探討2]
調製合成例1中獲得之聚合物1(中性氧化鋁處理品)、比較合成例1中獲得之比較聚合物1(中性氧化鋁未處理品)的20質量%PGMEA溶液，利用具20nm之孔目之尼龍製過濾器實施過濾，結果聚合物1能以50kPa之過濾壓力進行過濾，但比較聚合物1則發生過濾器閉塞，即使將壓力提升至500kPa，亦無法獲得濾液。
如上述，可知為了除去二羥基萘中含有的硫成分而使用中性氧化鋁的實施例1-1，可將硫成分除去至硫元素之含量以質量比計成為100ppm以下。反觀可知使用中性氧化鋁以外之物質作為吸附劑的比較例1-1～7中，無法如本發明般除去硫成分。又，使用經如合成例1般除去硫成分後之精製二羥基萘而得的樹脂，其過濾性良好，但使用如比較合成例1般未除去硫成分之二羥基萘而得的樹脂，其過濾性不佳。
[有機下層膜形成用組成物(二羥基萘組成物)之調製]
然後，依下列表3所示之組成(()內之單位為kg)調製聚合物1、比較聚合物1、各種添加劑，使用有機下層膜形成用組成物之製造設備，並利用10英吋大小且具20nm之孔目之尼龍製過濾器進行過濾，藉此，製造有機下層膜形成用組成物(SOL-1、2、比較SOL-1、2)。
【表3】
所使用之交聯劑CL1、酸產生劑AG1、界面活性劑SF1如下。
【化5】
SF1：3M公司製FC-4430
利用過濾器進行過濾時的流速、過濾器前後的壓力差示於表4。
【表4】
將獲得之有機下層膜形成用組成物連接至東京威力科創公司製CLEAN TRACK ACT12，並以在連接配管不連接過濾器的狀態將有機下層膜形成用組成物塗布在12英吋(直徑300mm)矽晶圓，進行250℃、60秒烘烤，而製作塗布膜，就該塗布膜之缺陷而言，利用KLA-Tencor公司製暗視野缺陷檢查裝置SP5實施60nm以上之大小的缺陷檢查(實施例2-1～4、比較例2-1～4)。其結果示於下表5。
【表5】
由該等結果可知，如實施例2-1～4般，使用使利用本發明之精製方法精製而得之精製二羥基萘縮合得到的二羥基萘樹脂的話，由獲得之組成物製得之塗布膜中的缺陷少。又，可知如比較例2-1～4般，使用未實施本發明之精製的二羥基萘，因而使所含硫元素之含量以質量比計超過100ppm的二羥基萘樹脂的話，對組成物進行過濾精製時之過濾器前後的壓力差會上升，導致組成物中之異物難以被過濾器捕捉，進行由獲得之組成物製得之塗布膜中的檢查，發現塗布膜中的缺陷多。
由上可知，根據本發明，可抑制源自硫成分之軟顆粒的產生，並可獲得係過濾性良好之樹脂、組成物之原料的二羥基萘。
此外，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態係例示，具有與本發明之專利申請範圍所記載之技術思想實質上相同的構成，並起到同樣的作用效果者，皆包含於本發明之技術範圍內。
10‧‧‧黏稠物
[圖1]繪製合成例1與比較合成例1中製造之聚合物之過濾器過濾量隨時間經過而變化的圖。
[圖2]利用SEM觀察將比較合成例1中製造之聚合物過濾後之過濾器而得的照片。

Claims (8)

  1. 一種二羥基萘之精製方法，其特徵為：具有將該二羥基萘中之硫成分藉由吸附劑除去的步驟，並使用中性氧化鋁作為該吸附劑。
  2. 如申請專利範圍第1項之二羥基萘之精製方法，其中，係將該二羥基萘溶解於有機溶劑，在該溶液中加入該中性氧化鋁且進行攪拌，並將該中性氧化鋁濾去。
  3. 如申請專利範圍第2項之二羥基萘之精製方法，其中，所加入之該中性氧化鋁的量相對於該二羥基萘100質量份設定為5質量份以上，溫度設定為0～150℃，並攪拌0.1小時以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之二羥基萘之精製方法，其中，該待精製之二羥基萘為1,5-二羥基萘或2,7-二羥基萘。
  5. 如申請專利範圍第2項之二羥基萘之精製方法，其中，該待精製之二羥基萘為1,5-二羥基萘或2,7-二羥基萘。
  6. 如申請專利範圍第3項之二羥基萘之精製方法，其中，該待精製之二羥基萘為1,5-二羥基萘或2,7-二羥基萘。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之二羥基萘之精製方法，其中，該精製後之二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量，以質量比計為100ppm以下。
  8. 如申請專利範圍第7項之二羥基萘之精製方法，其中，該精製後之二羥基萘含有的成分元素中之硫元素之含量，以質量比計為50ppm以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6983059B2 (ja) * 2017-12-26 2021-12-17 信越化学工業株式会社 ジヒドロキシナフタレン縮合物の製造方法及びジヒドロキシナフタレン縮合物
JP6894364B2 (ja) * 2017-12-26 2021-06-30 信越化学工業株式会社 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、及びパターン形成方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0667865B2 (ja) * 1986-08-02 1994-08-31 三井石油化学工業株式会社 ジヒドロキシナフタレンの精製方法
JPH04290833A (ja) * 1991-03-15 1992-10-15 Nippon Steel Chem Co Ltd 芳香族化合物のアルカリ溶融反応方法
US5491268A (en) * 1994-09-23 1996-02-13 General Electric Company Process for removal of acidic compounds from phenol process streams
JPH0987220A (ja) * 1995-09-20 1997-03-31 Sumikin Chem Co Ltd ２，３−ジヒドロキシナフタレンの精製法
JPH09208518A (ja) * 1996-02-05 1997-08-12 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 高純度ナフタレンジカルボン酸の製造法
JP3826960B2 (ja) * 1996-02-05 2006-09-27 三菱瓦斯化学株式会社 高純度ナフタレンジカルボン酸の製造方法
CN102442889A (zh) * 2011-11-15 2012-05-09 南通柏盛化工有限公司 2，3-二羟基萘的精制方法
CN103467249A (zh) * 2013-09-09 2013-12-25 南通柏盛化工有限公司 2,6-二羟基萘提纯方法
KR102279987B1 (ko) 2014-06-12 2021-07-22 디아이씨 가부시끼가이샤 영구막용 감광성 조성물, 레지스트 재료, 및 도막
CN107614473A (zh) * 2015-05-27 2018-01-19 三菱瓦斯化学株式会社 羟基取代芳香族化合物的制造方法
JP7306790B2 (ja) * 2015-09-04 2023-07-11 三菱瓦斯化学株式会社 化合物の精製方法

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