TW201933956A - 配線電路基板 - Google Patents

Abstract

本發明之配線電路基板具備：絕緣層；配線，其埋設於絕緣層中；及對準標記，其與配線電性獨立，且以厚度方向一面自絕緣層露出之方式配置於絕緣層。對準標記之周邊部僅包含絕緣層，並具有30 μm以下之厚度。

Description

配線電路基板

本發明係關於一種配線電路基板。

先前，已知於各種配線電路基板中設置對準標記，並利用該對準標記於後續步驟進行對準。

例如，提案有電路基板，其具備絕緣基底、配置於絕緣基底表面之端子部分及對準標記、及被覆對準標記之上表面之透明層(例如，參照專利文獻1)。

於專利文獻1，自設置於電路基板之背面側之光源將光照射於電路基板，並將透過電路基板之光由設置於表面側之受光元件接收，且確認對準標記之位置(透過模式)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2003-304041號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，於對準標記中，謀求上述透過模式中更優異之視認性。

再者，於對準標記中，於電路基板照射光，然後，產生反射光並接收此之反射模式中，亦謀求優異之視認性。但，於專利文獻1，對準標記被透明層被覆，有無法滿足上述要求之不良。

本發明提供一種反射模式及透過模式兩者之對準標記之視認性優異之配線電路基板。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含配線電路基板，其具備：絕緣層；配線，其埋設於上述絕緣層中；及對準標記，其與上述配線電性獨立，且以厚度方向一面自上述絕緣層露出之方式配置於上述絕緣層；且上述對準標記之周邊部僅包含上述絕緣層，並具有30 μm以下之厚度。

於該配線電路基板中，對準標記將厚度方向一面自絕緣層露出。因此，將光自對準標記之厚度方向一側照射至厚度方向一面，檢測對準標記之厚度方向一面所產生之反射光之反射模式中，可使該光之光量較由絕緣層(透明層)被覆之對準標記之厚度方向一面之反射光之光量增大。其結果，反射模式之對準標記之視認性優異。

又，於該配線電路基板中，周邊部僅包含絕緣層，且周邊部之厚度薄至30 μm以下。因此，將光照射於周邊部，檢測透過周邊部之光之透過模式中，可提高該光之透過率，因此，可增大透過模式之周邊部之透過光之光量。其結果，透過模式之對準標記之視認性優異。

因此，該配線電路基板之反射模式及透過模式兩者之對準標記之視認性優異。

本發明(2)包含(1)所記述之配線電路基板，其中上述絕緣層具有貫通上述厚度方向之貫通孔，上述對準標記配置於上述貫通孔內，上述厚度方向一面及另一面之至少任一者自上述絕緣層露出。

於該配線電路基板中，因對準標記之厚度方向一面及另一面之至少任一面露出，故反射模式之對準標記之視認性優異。

本發明(3)包含(1)或(2)所記述之配線電路基板，其進而具備與上述配線電性連接之端子，上述絕緣層具備基底絕緣層，上述基底絕緣層具有貫通上述厚度方向且彼此空出間隔配置之第1貫通孔及第2貫通孔，上述對準標記具備：標記本體部，其配置於上述第1貫通孔內；標記內側部，其配置於上述標記本體部之上述厚度方向另一側；及標記外側部，其以自上述標記內側部連續之方式，配置於上述基底絕緣層之上述厚度方向另一面，並與上述端子獨立；且上述端子具備：端子本體部，其配置於上述第2貫通孔內；端子內側部，其配置於上述端子本體部之上述厚度方向另一側；及端子外側部，其以自上述端子內側部連續之方式，配置於上述基底絕緣層之上述厚度方向另一面，並與上述配線電性連接。

於該配線電路基板中，因對準標記具備上述構成之標記本體部、標記內側部及標記外側部，端子具備上述構成之端子本體部、端子內側部及端子外側部，故對準標記及端子可具有相同之構成。其結果，對準標記之相對於端子之位置精度較高，可提高藉由對準之安裝零件對端子之對準精度。

本發明(4)包含(3)所記述之配線電路基板，其中上述對準標記與上述端子之最短距離為3 mm以下。

於該配線電路基板中，因周邊部之厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra大至0.04 μm以上，故於將光自周邊部之厚度方向一側照射時，光於周邊部之粗糙厚度方向一面散射而可減少反射光之光量。因此，反射模式之對準標記之視認性優異。

本發明(5)包含(1)至(4)中任一項記述之配線電路基板，其中上述周邊部之上述厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra為0.04 μm以上。

於該配線電路基板中，因周邊部之厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra小至不足0.15 μm，故可將較薄之安裝零件精度較佳地安裝於配線電路基板之平坦之厚度方向一面。

本發明(6)包含(1)至(5)中任一項記述之配線電路基板，其中上述周邊部之上述厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra不足0.15 μm。

於該配線電路基板中，因對準標記與端子之最短距離短至3 mm以下，故藉由對準標記之安裝零件對端子之對準精度優異。 [發明之效果]

本發明之配線電路基板之反射模式及透過模式兩者之對準標記之視認性優異。

於圖2，紙面上下方向顯示上下方向(厚度方向之一例)，紙面上側顯示上側(厚度方向一側之一例)，紙面下側顯示下側(厚度方向另一側之一例)。紙面左右方向顯示面方向(正交於厚度方向之方向之一例)。

具體而言，方向依據各圖之方向箭頭。

未意圖藉由該等方向之定義，限定配線電路基板1之製造時及使用時之方向。

[一實施形態] 如圖1及圖2所示，一實施形態之配線電路基板1安裝了安裝零件60(參照假想線)，並裝備於各種裝置(未圖示)。又，該配線電路基板1係於反射模式及透過模式之兩個模式中使用後述之對準標記15，安裝例如安裝零件60(假想線)之安裝用配線電路基板。

配線電路基板1具有於面方向(正交於厚度方向之方向)延伸之大致矩形薄片形狀。配線電路基板1具備：複數個端子13，其等配置於安裝區域12之面方向內側；及對準標記15，其配置於安裝區域12之面方向外側。

安裝區域12係於配線電路基板1之厚度方向一面預定安裝零件60之安裝之俯視下大致矩形狀之區域。

複數個端子13於安裝區域12內，空出間隔配置。複數個端子13之各者例如具有俯視下大致圓形狀。複數個端子13各者之面方向之最大長度(具體而言，直徑)例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。

對準標記15例如對應於1個安裝區域12設置有1個。對準標記15於例如具有俯視下大致十字(交叉)形狀。對準標記15之面方向之最大長度L(具體而言，構成交叉之2邊之最大長度L)為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下，更佳為0.3 mm以下，又，例如為0.05 mm以上。若對準標記15之最大長度L為上述之上限以下，則可提高對準精度。

另，若對準標記15之最大長度L小至1 mm以下，則難以正確地辨識對準標記15，但因將反射光量比(後述)設定為較大，故可克服上述困難。

又，對準標記15之寬度W(各邊之線寬W)例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，又，例如為10 μm以上。若對準標記15之寬度W為上述之上限以下，則可提高對準精度。

又，對準標記15之周邊部23為對準標記15之附近部分，且為去除對準標記15之部分。該周邊部23位於安裝區域12之外側。周邊部23為距對準標記15之中心(若對準標記15為俯視下大致十字形狀，則為2邊之交點)例如10 mm以下，較佳為5 mm以下之範圍之區域。

配線電路基板1具備作為絕緣層之一例之基底絕緣層2、導體層4、作為絕緣層之一例之中間絕緣層5、屏蔽層6、覆蓋絕緣層7、及金屬保護層14。

基底絕緣層2具有於面方向延伸之大致矩形薄片形狀。基底絕緣層2具有向厚度方向一側露出之厚度方向一面21、與平行於該一面21之厚度方向另一面。又，基底絕緣層2具有貫通厚度方向之複數個基底開口部3。基底絕緣層2之材料係絕緣材料。作為絕緣材料，列舉例如聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、丙烯酸、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂(透明樹脂)等。較佳為，列舉聚醯亞胺等。即，基底絕緣層2較佳為聚醯亞胺層。基底絕緣層2之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下。

周邊部23之基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra例如為0.04 μm以上，較佳為0.07 μm以上。算術平均粗糙度Ra係由JIS B 0601：2013定義並測定。後述之算術平均粗糙度Ra之定義及測定方法亦與上述同樣。若基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra為上述之下限以上，則可將基底絕緣層2之厚度方向一面21設定為較粗糙，因此，於第2步驟(後述)中，若自厚度方向一側照射光，則第2反射光RL2散射而可減少其光量。

又，周邊部23之基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra不足0.15 μm，較佳為0.13 μm以下。另一方面，周邊部23之基底絕緣層2之厚度方向21之最大高度Rz(JIS B 0601：2013)例如為2 μm以下，較佳為1 μm以下。

若基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra及/或十點平均粗糙度Rz低於上述之上限，則可將較薄之安裝零件60精度較佳地安裝於配線電路基板1之平坦之厚度方向一面(安裝區域12)。

另，基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra及/或最大高度Rz雖限定於周邊部23，但亦可為例如周邊部23及甚至其周圍之部分(即，周邊部23以外之區域)之厚度方向一面21。

複數個基底開口部3彼此空出間隔配置。基底開口部3具有對應於後述之標記本體部16及端子本體部40之形狀。具體而言，基底開口部3具有俯視下大致圓形狀。對應於標記本體部16之基底開口部3係第1貫通孔28，對應於端子本體部40之基底開口部3係第2貫通孔29。第1貫通孔28及第2貫通孔29於面方向彼此空出間隔配置。

導體層4具備標記部10、與配線11及端子部13。

標記部10包含於後續說明之1個對準標記15。又，標記部10設置為與配線11獨立(更具體而言，絕緣)。標記部10一體地具備標記本體部16、標記內側部17、及標記外側部18。

標記本體部16填充於基底開口部3內。標記本體部16之厚度方向一面與基底絕緣層2之厚度方向一面21為齊平面。

標記內側部17配置於標記本體部16之周端部之下側。

標記外側部18以自標記內側部17連續之方式，配置於基底絕緣層2之下表面。又，標記外側部18自標記內側部17之周端緣向外側凸出。藉此，標記部10具有向厚度方向另一側打開之剖視大致帽形狀。標記外側部18與端子13及配線11獨立。

標記內側部17及標記外側部18之下表面為齊平面。標記內側部17及標記外側部18之厚度例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為10 μm以下。

配線11雖未圖示，但與接下來說明之端子13電性連接。對應於複數個端子13(參照圖1)設置有複數個，且彼此空出間隔配置。又，配線11之一端電性連接於上述之端子13，配線11之另一端電性連接於未圖示之外部用端子(裝備於外部機器之外部用端子)。配線11埋設於絕緣層(基底絕緣層2及中間絕緣層4)中。

端子13如上所述，具有俯視下大致圓形狀。端子13一體地具備端子本體部40、端子內側部41、及端子外側部42。

端子本體部40填充於基底開口部3內。端子本體部40之厚度方向一面與基底絕緣層2之厚度方向一面21為齊平面。

端子內側部41配置於端子本體部40之周端部之下側。

端子外側部42以自端子內側部41連續之方式，配置於基底絕緣層2之下表面。又，端子外側部42自端子內側部41之周端緣向外側凸出。藉此，端子13具有向厚度方向另一側打開之剖視大致帽形狀。端子外側部42於配線11之一端連續。端子內側部41及端子外側部42之下表面為齊平面。

端子內側部41及端子外側部42之厚度與標記內側部17及標記外側部18之厚度相同。

因此，端子13具有與標記部10相同之層構成。

端子13與對準標記15之最短距離例如為3 mm以下，較佳為2.5 mm以下，更佳為2 mm以下，又，例如為0.1 mm以上。若最短距離為上述之上限以下，則藉由對準標記15之安裝零件60對端子13之對準精度優異。

作為導體層4之材料，列舉例如銅、銀、金、鎳或包含其等之合金、焊料等金屬材料。較佳為列舉銅。

中間絕緣層5於基底絕緣層2之厚度方向另一面，以被覆標記外側部18、端子外側部42及配線11之厚度方向另一面及側面之方式配置。

又，中間絕緣層5具有貫通厚度方向之複數個中間開口部19。中間開口部19設置為與複數個基底開口部3對應。複數個中間開口部19之各者與複數個基底開口部3之各者於厚度方向連通。中間開口部19露出標記本體部16及端子內側部41之厚度方向另一面。中間開口部19與基底開口部3一起形成將絕緣層(基底絕緣層2及中間絕緣層4)於厚度方向貫通之貫通孔。

中間絕緣層5之材料與基底絕緣層2之材料相同。中間絕緣層5之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下。

屏蔽層6配置於中間絕緣層5之厚度方向另一面。屏蔽層6具有於厚度方向投影時與配線11重複但另一方面不與端子13及標記部10重複之圖案。再者，屏蔽層6具有亦不與標記部10之周邊部23重複之圖案。屏蔽層6之材料與導體層4之材料相同。作為屏蔽層6，列舉例如濺鍍層、鍍覆層，較佳為列舉濺鍍層。屏蔽層6之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，又，例如為1000 nm以下，較佳為500 nm以下。

覆蓋絕緣層7配置於屏蔽層6之厚度方向另一面。覆蓋絕緣層7具有被覆屏蔽層6之圖案。覆蓋絕緣層7之材料與基底絕緣層2之材料相同。覆蓋絕緣層7之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為30 μm以下，較佳為10 μm以下。

金屬保護層14具備：一側保護層25，其配置於標記部10之厚度方向一面及端子13之厚度方向一面；及另一側保護層26，其配置於標記部10之厚度方向另一面及端子13之厚度方向另一面。

一側保護層25與本體15之厚度方向一面、及端子本體部40之厚度方向一面獨立配置。一側保護層25之各者位於較基底絕緣層2之厚度方向一面21更靠厚度方向一側，並具有於面方向延伸之薄膜形狀。

另，對應於本體15之一側保護層25與標記部10一起形成裝備於對準標記15之標記層27。即，對準標記15具備標記部10、及標記層27。較佳為，對準標記15僅包含標記部10、及標記層27。

另一側保護層26與標記本體部16之厚度方向另一面、及端子內側部41之厚度方向另一面獨立配置，並具有沿著其等各面之薄膜形狀。另一側保護層26各者位於中間開口部19內。

作為金屬保護層14，列舉例如鍍覆層、濺鍍層，較佳為列舉鍍覆層。作為金屬保護層14之材料，列舉例如金、銀、銅、錫、鋁、鉻、鎳、其等之合金等光反射性材料或耐腐蝕性材料，較佳為列舉金。

另，對準標記15之周邊部23僅包含基底絕緣層2及中間絕緣層4。周邊部23之厚度(具體而言，基底絕緣層2及中間絕緣層5之厚度之總和)為30 μm以下，較佳為25 μm以下，更佳為20 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上。若周邊部23之厚度超過上述之上限，則周邊部23之厚度無法足夠薄，因此，無法充分降低周邊部23之光透過率，於透過模式中，將光照射於周邊部23時，無法使透過周邊部23之第2透過光TL2(後述)之光量增大，且無法使透過光量比(第1透過光TL1之光量/第2透過光TL2之光量)減小。換言之，若周邊部23之厚度為上述之上限以下，則周邊部23之厚度可足夠薄，因此，可充分降低周邊部23之光透過率，於透過模式中，將光照射於周邊部23時，可使透過周邊部23之第2透過光TL2之光量增大，且可使透過光量比(第1透過光TL1之光量/第2透過光TL2之光量)減小。

另，周邊部23之中間絕緣層4之厚度方向另一面24(即，周邊部23之厚度方向另一面)之算術平均粗糙度Ra例如為0.015 μm以下，較佳為0.01 μm以下，更佳為0.008 μm以下，又，例如為0.001 μm以上。若中間絕緣層4之厚度方向另一面24之算術平均粗糙度Ra為上述之上限以下，則自厚度方向另一側照射光時，可使透過周邊部23之中間絕緣層4之平坦之厚度方向另一面24之第2透過光TL2(後述)之散射變少而增大其光量。

配線電路基板1之厚度例如為50 μm以下，較佳為40 μm以下，又，例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。

如圖3A所示，於該配線電路基板1，於自厚度方向一側將光(例如，可視光線等)照射至對準標記15及周邊部23時，由對準標記15反射並檢測之第1反射光RL1之光量之相對於由周邊部23反射並檢測之第2反射光RL2之光量的反射光量比(第1反射光RL1之光量/第2反射光RL2之光量)為1.5以上，較佳為2以上，更佳為2.5以上，進而較佳為5以上，又，例如為100以下。若反射光量比為上述之下限以上，則可提高對準標記15之視認性。

上述較大之反射光量比基於例如基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra大至0.04 μm以上之點、及對準標記15之材料為金等光反射性材料(較佳為鍍金層)之點(再者，基底絕緣層2之材料為聚醯亞胺之點等)之至少任1點而達成。

第1反射光RL1及第2反射光RL2均為對於對準標記15及周邊部23自厚度方向一側照射光，並於其等之厚度方向一面朝向上側反射而產生之光。第1反射光RL1包含對準標記15之厚度方向一面上反射而產生之光。第2反射光RL2包含周邊部23之基底絕緣層2之厚度方向一面21上反射而產生之光。

又，如圖3B所示，於配線電路基板1中，於自厚度方向另一側將光照射至對準標記15及周邊部23時，由對準標記15反射並檢測之第3反射光RL3之光量之相對於由周邊部23反射並檢測之第4反射光RL4之光量的反射光量比(第3反射光RL3之光量/第4反射光RL4之光量)與上述之反射光量比相同。第3反射光RL3及第4反射光RL4均為對於對準標記15及周邊部23自厚度方向另一側照射光，並於其等之厚度方向另一面朝向下側反射而產生之光。第3反射光RL3包含標記層27之厚度方向另一面上反射而產生之光。第4反射光RL4包含周邊部23之中間絕緣層4之厚度方向另一面上反射而產生之光。

再者，如圖3C所示，於該配線電路基板1中，於自厚度方向另一側將光(例如，可視光線等)照射至對準標記15及周邊部23時，透過對準標記15檢測之第1透過光TL1之光量之相對於透過周邊部23檢測之第2透過光TL2之光量的透過光量比(第1透過光TL1之光量/第2透過光TL2之光量)為0.67以下，較佳為0.5以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.01以下，又，例如為0.0001以上。若透過光量比為上述之上限以下，則可提高對準標記15之視認性。

上述較小之透過光量比基於以下至少任1點而達成：周邊部23之厚度較薄，因此周邊部23之光透過率較高之點；周邊部23之中間絕緣層4之厚度方向另一面24之算術平均粗糙度Ra較小，故周邊部23之平坦之厚度方向另一面24之第2透過光TL2之散射較少之點；及對準標記15之材料為銅之點(再者，基底絕緣層2為聚醯亞胺等透明樹脂之點)。

為了獲得該配線電路基板1，例如首先準備包含不鏽鋼等之金屬支持基板(未圖示)。接著，依序形成基底絕緣層2、導體層4、中間絕緣層5、屏蔽層6、及覆蓋絕緣層7。另，基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra與金屬支持基板之厚度方向另一面之算術平均粗糙度Ra大致相同。

另，於藉由對金屬支持基板之厚度方向另一面之塗佈而形成基底絕緣層2之情形時，將未圖示之金屬支持基板之厚度方向另一面之表面形狀轉印於基底絕緣層2之厚度方向一面21。因此，如上所述，基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra與金屬支持基板之厚度方向另一面之算術平均粗糙度Ra大致相同。

其後，由例如蝕刻等去除金屬支持基板，接著，形成金屬保護層14。藉由例如鍍覆、濺鍍等薄膜形成方法形成金屬保護層14，較佳由鍍覆形成。更佳為進行鍍金，形成金屬保護層14作為鍍金層。

藉此，獲得配線電路基板1。

配線電路基板1之對準標記15之用途若為對準則並未特別限定，亦可列舉例如安裝零件60之對準(具體而言，面方向之定位)等。

如圖3A所示，接著，說明於反射模式(自厚度方向一側照射光之反射模式)使用對準標記15將安裝零件60對準，並安裝於配線電路基板1之方法。

於該方法中，首先，準備上述之配線電路基板1、安裝零件60、及檢測裝置30。

安裝零件60具有例如於面方向延伸之形狀，並於厚度方向另一端部具備端子22。作為安裝零件60，並無特別限定，例如，列舉CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)感測器、CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合裝置)感測器等攝像元件(固體攝像元件)等。若安裝零件60為攝像元件，則該配線電路基板1為攝像元件安裝用配線電路基板。攝像元件安裝用配線電路基板為用於安裝攝像元件之基板，雖未圖示，但裝備於攝像裝置。即，攝像裝置具備攝像元件、及攝像元件安裝用配線電路基板。

攝像元件為小型，具體而言，具有於面方向延伸之大致平板形狀，且其面方向之最大長度例如為25 mm以下，較佳為20 mm以下，更佳為15 mm以下，又，例如為1 mm以上。又，攝像元件之厚度例如為1000 μm以下，較佳為800 μm以下，更佳為500 μm以下，又，例如為50 μm以上。

配線電路基板1因具備上述較小之對準標記15，可確保使用該對準標記15之高精度之安裝，故攝像元件適合作為安裝零件60。

檢測裝置30係具備例如出射部31、及檢測部32之反射型之光感測器。

出射部31具備例如光源等，並向配線電路基板1出射光。

檢測部32具備例如光學感測器等，並檢測第1反射光RL1及第2反射光RL2(後述)。

接著，將檢測裝置30及安裝零件60於配線電路基板1之厚度方向一側空出間隔配置。

接著，自出射部31將光(例如，可視光線)照射至對準標記15及周邊部23，並由檢測部32檢測於其等之厚度方向一面產生並朝向上側之反射光。反射光包含由對準標記15反射而產生之第1反射光RL1、與由周邊部23反射而產生之第2反射光RL2。

如此一來，第1反射光RL1之光量之相對於第2反射光RL2之光量之反射光量比如上所述，大至1.5以上，且其等之對比度差變大。因此，檢測裝置30容易且精確地檢測對準標記15之面方向之位置。

其後，基於檢測裝置30之對準標記15之檢測，一面將安裝零件60之端子22相對於與端子13對應之另一側保護層26進行對準(定位)，一面使其等接觸並將安裝零件60安裝於配線電路基板1。

接著，說明於反射模式(自厚度方向另一側照射光之反射模式)使用對準標記15將安裝零件60對準，並安裝於配線電路基板1之方法。

檢測裝置30配置於配線電路基板1之厚度方向另一側。

接著，自出射部31將光照射至對準標記15及周邊部23，並由檢測部32檢測於其等之厚度方向另一面產生並朝向下側之反射光。藉此，檢測裝置30容易且精確地檢測對準標記15之面方向之位置。其後，基於檢測裝置30之對準標記15之檢測，一面將安裝零件60之端子22相對於與端子13對應之另一側保護層26進行對準(定位)，一面使其等接觸，並將安裝零件60安裝於配線電路基板1。

再者，如圖3C所示，說明於透過模式使用對準標記15將安裝零件60對準，並安裝於配線電路基板1之方法。

於該方法中，檢測裝置30係透過型之光感測器。將檢測裝置30之檢測部32及出射部31於厚度方向空出間隔對向配置。

接著，將配線電路基板1配置於檢測部32及出射部31之間。具體而言，以覆蓋絕緣層7朝向出射部31(厚度方向另一側)，第2標記本體部36(於由對準標記15被覆之情形時，為對準標記15)朝向檢測部32(厚度方向一側)之方式，將配線電路基板1安裝於檢測裝置30。

接著，自出射部31將光(例如，可視光線)照射至第2對準標記18及周邊部23，並由檢測部32檢測透過其等之透過光。透過光包含透過第2對準標記18之第1透過光RL1、與透過周邊部23之第2透過光TL2。

如此一來，第1透過光TL1之光量之相對於第2透過光TL2之光量之透過光量比(第1透過光TL1之光量/第2透過光TL2之光量)如上所述小至0.67以下，其等之對比度差變大。因此，檢測裝置30容易且精確地檢測第2對準標記18之面方向之位置。

其後，基於檢測裝置30之第2對準標記18之檢測，一面將安裝零件60之端子22相對於與端子13對應之另一側保護層26進行對準(定位)，一面使其等接觸，並將安裝零件60安裝於配線電路基板1。

然後，於該配線電路基板1中，對準標記15之標記本體部10將厚度方向一面自基底絕緣層2露出。因此，將光自對準標記15之厚度方向一側照射至厚度方向一面，檢測對準標記15之標記層27之厚度方向一面所產生之第1反射光RL1之反射模式中，可使該光之光量較由絕緣層(透明層)被覆之對準標記15之厚度方向一面之反射光之光量(參照專利文獻1)增大。其結果，反射模式之對準標記15之視認性優異。

又，於該配線電路基板1中，周邊部23僅包含基底絕緣層2及中間絕緣層4，周邊部23之厚度薄至30 μm以下。因此，將光照射至周邊部23，檢測透過周邊部23之光之透過模式中，可提高該光之透過率，因此，可增大透過模式之周邊部23之透過光之光量。其結果，透過模式之對準標記15之視認性優異。

因此，該配線電路基板1之反射模式及透過模式兩者之對準標記15之視認性優異。

因此，可選擇反射模式及透過模式之任一者，或，亦可採用兩者。

又，於該配線電路基板1中，因對準標記15之標記部10將厚度方向一面及另一面之兩面之各者自基底絕緣層2及中間絕緣層4之各者露出，故即使於來自厚度方向之任一側之反射模式中，對準標記15之視認性亦優異。

再者，於該配線電路基板1中，對準標記15具備上述構成之標記本體部16、標記內側部17及標記外側部18，且端子13具備上述構成之端子本體部40、端子內側部41及端子外側部42，故對準標記15及端子13可具有相同之構成。其結果，對準標記15之相對於端子13之位置精度較高，可提高藉由對準標記15之安裝零件對端子13之對準精度。

又，於該配線電路基板1中，於周邊部23之厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra大至0.04 μm以上之情形時，於自周邊部23之厚度方向一側照射光時，光於周邊部23之粗糙之基底絕緣層2之厚度方向一面24散射而可減少第2反射光RL2之光量。因此，反射模式之對準標記15之視認性優異。

於該配線電路基板1中，於周邊部23之厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra小至不足0.15 μm之情形時，可將較薄之安裝零件20精度較佳地安裝於配線電路基板1之平坦之厚度方向一面。

又，於該配線電路基板1中，於對準標記15與端子13之最短距離短至3 mm以下之情形時，藉由對準標記15之安裝零件60對端子13之對準精度優異。 [變化例] 於變化例中，對與一實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。再者，變化例除特別記述以外，皆可發揮與一實施形態同樣之作用效果。

於圖4中，標記內側部17及端子外側部42自中間絕緣層4於厚度方向下側露出。又，標記內側部17及端子外側部42之厚度方向另一面亦可被另一側保護層26被覆。

於圖5中，標記內側部17及端子內側部41均被中間絕緣層4直接被覆。金屬保護層14不具備另一側保護層26。

於圖6中，標記部10不具備磁性層18，僅包含標記本體部16及標記內側部17。於圖5所示之變化例中，標記部10之厚度方向另一面被中間絕緣層5被覆，另一方面，標記部10(詳細而言，標記層27)之厚度方向一面露出，故自厚度方向一側照射光之反射模式之對準標記15之視認性優異。

又，雖未圖示，但標記內側部17除標記本體部16之周端部以外，亦可設置於中央部之厚度方向另一側。

又，雖未圖示，但如參照圖3C，於透過模式中，亦可自配線電路基板1之厚度方向一側照射光。

於一實施形態中，配線電路基板1作為攝像元件安裝用配線電路基板進行說明，但其用途並不限定於此，例如，可使用於檢查用基板(各向異導電性薄片)、可撓性配線電路基板等。

對準標記15之俯視形狀並不限定於上述形狀，雖未圖示，但亦可為例如大致圓形狀、大致多角形狀(包含三角形狀、矩形狀)、大致L(或V)字形狀、大致線形狀、大致星形狀等。

又，對準標記15之數量相對於1個安裝區域12，例如雖未圖示，但可為複數個。

又，對準標記15之數量亦可相對於複數個安裝區域12為1個。

又，亦可使用對準標記15例如作為切割標記，具體而言，於製造包含複數個配線電路基板1之集合體薄片後，藉由切割將配線電路基板1單片化時，作為切割標記使用。

於一實施形態中，雖基於金屬支持基板之厚度方向另一面之算術平均粗糙度Ra之轉印設定基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra，但例如亦可代替此，藉由粗面化處理等之表面處理調整基底絕緣層2之厚度方向一面21之算術平均粗糙度Ra。於該情形時，於去除金屬支持基板後，將基底絕緣層2之厚度方向一面21進行表面處理。 另，上述發明雖作為本發明之例示之實施形態提供，但此僅為例示，而並非限定性地解釋。由該技術領域之從業者所明瞭之本發明之變化例包含於後述申請專利範圍。 [產業上之可利用性]

配線電路基板裝備於攝像裝置。

1‧‧‧配線電路基板

2‧‧‧基底絕緣層

3‧‧‧基底開口部

4‧‧‧導體層

5‧‧‧中間絕緣層

6‧‧‧屏蔽層

7‧‧‧覆蓋絕緣層

10‧‧‧標記部

11‧‧‧配線

12‧‧‧安裝區域

13‧‧‧端子

14‧‧‧金屬保護層

15‧‧‧對準標記

16‧‧‧標記本體部

17‧‧‧標記內側部

18‧‧‧標記外側部

19‧‧‧中間開口部

21‧‧‧基底絕緣層之厚度方向一面

22‧‧‧端子

23‧‧‧周邊部

24‧‧‧中間絕緣層之厚度方向另一面

25‧‧‧一側保護層

26‧‧‧另一側保護層

27‧‧‧標記層

28‧‧‧第1貫通孔

29‧‧‧第2貫通孔

30‧‧‧檢測裝置

31‧‧‧出射部

32‧‧‧檢測部

40‧‧‧端子本體部

41‧‧‧端子內側部

42‧‧‧端子外側部

60‧‧‧安裝零件

L‧‧‧最大長度

RL1‧‧‧第1反射光

RL2‧‧‧第2反射光

RL3‧‧‧第3反射光

RL4‧‧‧第4反射光

TL1‧‧‧第1透過光

TL2‧‧‧第2透過光

W‧‧‧寬度

圖1顯示本發明之配線電路基板之一實施形態之俯視圖。 圖2顯示圖1所示之配線電路基板之剖視圖。 圖3A～圖3C顯示圖2所示之配線電路基板之對準之視認模式之各者，圖3A顯示自厚度方向一側照射光之反射模式，圖3B顯示自厚度方向另一側照射光之反射模式，圖3C顯示自厚度方向另一側照射光之透過模式。 圖4顯示本發明之配線電路基板之變化例之剖視圖。 圖5顯示本發明之配線電路基板之變化例之剖視圖。 圖6顯示本發明之配線電路基板之變化例之剖視圖。

Claims (6)

1. 一種配線電路基板，其特徵在於具備： 絕緣層； 配線，其埋設於上述絕緣層中；及 對準標記，其與上述配線電性獨立，且以厚度方向一面自上述絕緣層露出之方式配置於上述絕緣層；且 上述對準標記之周邊部僅包含上述絕緣層，並具有30 μm以下之厚度。
2. 如請求項1之配線電路基板，其中上述絕緣層具有貫通上述厚度方向之貫通孔；且 上述對準標記配置於上述貫通孔內，並將上述厚度方向一面及另一面之至少任一者自上述絕緣層露出。
3. 如請求項1之配線電路基板，其進而具備與上述配線電性連接之端子；且 上述絕緣層具備基底絕緣層； 上述基底絕緣層具有貫通上述厚度方向且彼此空出間隔配置之第1貫通孔及第2貫通孔； 上述對準標記具備： 標記本體部，其配置於上述第1貫通孔內； 標記內側部，其配置於上述標記本體部之上述厚度方向另一側；及 標記外側部，其以自上述標記內側部連續之方式，配置於上述基底絕緣層之上述厚度方向另一面，並與上述端子獨立；且 上述端子具備： 端子本體部，其配置於上述第2貫通孔內； 端子內側部，其配置於上述端子本體部之上述厚度方向另一側；及 端子外側部，其以自上述端子內側部連續之方式，配置於上述基底絕緣層之上述厚度方向另一面，並與上述配線電性連接。
4. 如請求項3之配線電路基板，其中上述對準標記與上述端子之最短距離為3 mm以下。
5. 如請求項1之配線電路基板，其中上述周邊部之上述厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra為0.04 μm以上。
6. 如請求項1之配線電路基板，其中上述周邊部之上述厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra不足0.15 μm。