TW201921435A - 半導體製造裝置之設置方法、程式、電腦記錄媒體及設置系統 - Google Patents

半導體製造裝置之設置方法、程式、電腦記錄媒體及設置系統

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Abstract

本發明之目的係以較少人數且較短時間設置半導體製造裝置。 本設置方法包含:運送程序,將PS區塊(處理站區塊)3運送至設置有CS區塊(匣盒站區塊)2之地面上的既定區域;移動裝置安裝程序,將具有支持PS區塊3的支持部之複數個移動裝置300安裝於PS區塊3之既定處;面內調整程序,依據PS區塊3在水平面內相對於目標位置之位置之資訊,使複數個移動裝置300之支持部同步移動,以調整PS區塊3在水平面內之位置;高度調整程序,依據PS區塊3相對於高度方向中目標位置之位置的資訊,使複數個移動裝置300之支持部同步移動,以調整PS區塊3之高度;及傾斜度調整程序,依據PS區塊3的傾斜度之資訊,使複數個移動裝置300之支持部個別移動,以調整PS區塊3的傾斜度。

Description

半導體製造裝置之設置方法、程式、電腦記錄媒體及設置系統
本發明關於一種半導體製造裝置之設置方法及半導體製造裝置之設置系統,特別是關於一種由複數區塊並排在無塵室的地面所構成,以對被處理基板進行既定處理的半導體製造裝置之設置方法、程式、電腦記錄媒體及設置系統。
現有塗布顯影處理系統作為半導體製造裝置之1種。塗布顯影處理系統,係進行於半導體晶圓(以下稱為晶圓)上供給塗布液而形成光阻膜等之塗布處理、或進行使曝光成既定圖案的光阻膜顯影之顯影處理等,讓晶圓上形成既定光阻圖案,並搭載了處理晶圓之各種處理裝置或運送晶圓之運送機構等。
這種塗布顯影處理系統之類的半導體製造裝置,設置於塵埃較少的無塵室內。另外,半導體製造裝置係由複數區塊所構成。例如,上述塗布顯影處理系統,具有:將晶圓以匣盒單位送入送出該系統之匣盒站區塊、進行上述塗布處理等既定處理之處理站區塊、在處理站區塊與所鄰接的曝光裝置之間進行晶圓的傳遞之介面站區塊(參照專利文獻1)。半導體製造裝置,係將這些複數區塊並排在無塵室的地面所構成。
如同上述的半導體製造裝置,係在一般的道路上運送,所以各區塊是在未互相連接之狀態,送入無塵室內。 半導體製造裝置對於無塵室內之設置,以往係以例如以下方式進行。 首先,將1區塊運送至既定位置,並調整該1區塊的傾斜度。藉此完成該1區塊之設置。接下來,將另一區塊,運送至上述1區塊的附近,然後,挪動上述另一區塊來調整該另一區塊之位置,使得上述另一區塊與上述1區塊之距離為適當的(例如5mm)。上述另一區塊的位置調整,因為無法將起重機等大型器具攜入無塵室內,所以作業人員係以徒手操作來挪動或抬起移動該另一區塊,所進行的。接下來,也調整上述另一區塊的傾斜度。並因應需求,重複進行如同上述的位置調整及傾斜度調整。藉此,完成上述另一區塊之設置。對其餘的所有區塊進行與上述同樣之處理,從而完成半導體製造裝置整體之設置。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2012-33886號公報
[發明所欲解決之問題]
不過,半導體製造裝置之各區塊重達數噸。因此,區塊之位置調整,必須要有例如6人等較多的作業人員。另外,如上所述各區塊非常沉重,所以難以在徒手操作下進行釐米單位的區塊之位置調整,調整上很費時。如上所述難以進行位置調整,所以再次調整中,區塊彼此碰撞,讓位置或傾斜度已經調整完畢之區塊的位置或傾斜度變得不確實,該已經調整完畢之區塊需要再次調整。也就是說,在以往之方法中,半導體製造裝置之區塊的位置或傾斜度調整非常費時,有此情形存在。
另外,由於上述區塊之位置調整,讓區塊間之距離變得不適當,在此情形下會有各種問題。例如,在半導體製造裝置內藉由運送裝置運送晶圓時,上述運送裝置碰撞到其他部分,發生運送錯誤,無法讓半導體製造裝置內的壓力狀態為所預期者,結果,無法排出微粒,無法維持該裝置內的潔淨度。另外,必須令半導體製造裝置內相對於裝置外部成正壓,若區塊間之距離大於適當値,為了如上所述成正壓所必要的氣體量增多,在節能觀點來看並不適宜。
專利文獻1,並未就上述重點,有所開示。
本發明,係有鑒於上述緣由所製出,其目的在於:由複數區塊並排在無塵室的地面所構成,對被處理基板進行既定處理之半導體製造裝置,能以較少人數且較短時間設置。 [解決問題之技術手段]
本發明要解決上述問題,是一種半導體製造裝置之設置方法,該半導體製造裝置係將複數區塊並排在地面所構成,以對被處理基板進行既定處理; 該半導體製造裝置之設置方法,其特徵為包含: 設置程序,將第1區塊設置在該地面上的既定位置; 運送程序,將第2區塊運送至以設置於該既定位置之該第1區塊為基準的目標位置算起,位於既定距離內的該地面上的既定區域; 移動裝置安裝程序,該移動裝置為複數,具有支持該第2區塊的既定處之支持部,可使該支持部在與該地面平行之既定面內移動,並且使該支持部在與該地面垂直之高度方向移動,而該複數個移動裝置分別安裝於該既定處; 面內調整程序,依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整在該第2區塊在該既定面內之位置; 高度調整程序,依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整該第2區塊就該高度方向之位置;及 傾斜度調整程序,依據該第2區塊的傾斜度之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部個別移動,以調整該第2區塊的傾斜度。
在本發明之半導體製造裝置之設置方法中,使用上述移動裝置,以進行以第1區塊為基準之第2區塊的位置調整或第2區塊的傾斜度調整,所以能以較少人數且較短時間設置半導體製造裝置。
該面內調整程序亦可包含以下程序:依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置之資訊,將該位置顯示於顯示部;因應對操作部進行之操作,讓所有的該移動裝置之該支持部於該既定面內移動。
該面內調整程序亦可包含以下程序:依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置之資訊,以決定該支持部在該既定面內的移動方向及移動量;依據所決定的該支持部之移動方向及該移動量,讓所有的該移動裝置之該支持部於該既定面內移動。
該高度調整程序亦可包含以下程序:依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置之資訊,將該位置顯示於顯示部;因應對操作部進行之操作,讓所有的該移動裝置之該支持部於高度方向移動。
該高度調整程序亦可包含以下程序:依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置之資訊,以決定該支持部在該高度方向的移動方向及移動量;依據所決定的該支持部之移動方向及該移動量,讓所有的該移動裝置之該支持部於該高度方向移動。
該傾斜度調整程序亦可包含:傾斜度顯示程序,依據該第2區塊的傾斜度之資訊,將該傾斜度相關資訊顯示於顯示部;因應對操作部進行之操作,讓該複數個移動裝置一部分的該支持部於高度方向移動。
該傾斜度顯示程序,亦可以顏色顯示該傾斜程度。
該傾斜度調整程序亦可包含以下程序:依據該傾斜度之資訊,以決定要讓該支持部於高度方向移動之該移動裝置,並決定所決定的該移動裝置之支持部的移動方向及移動量;依據所決定的該支持部的移動方向及該移動量,讓所決定的該移動裝置之支持部移動。
該運送程序,亦可將該第2區塊搭載於在該地面上移動之運送裝置,加以運送。
亦可包含裝置安裝程序;該裝置係用以取得:該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置的位置之資訊、以及該第2區塊就該高度方向相對於該目標位置的位置之資訊。
亦可包含裝置安裝程序;該裝置係用以取得:該第2區塊的傾斜度之資訊。
在另一觀點中根據本發明,提供一種程式,為了讓設置系統去執行該半導體製造裝置之設置方法,進而在控制該設置系統之控制部的電腦上運作。
另外在另一觀點中根據本發明,提供一種電腦記錄媒體,可進行讀取,儲存了該程式。
此外在另一觀點中本發明,是一種半導體製造裝置之設置系統; 將複數區塊並排在地面所構成的該半導體製造裝置之設置系統,其特徵為包含: 位置資訊取得用裝置,用以取得第2區塊在與該地面平行的既定面內、相對於以第1區塊為基準的目標位置之位置之資訊,及第2區塊就與該既定面垂直的高度方向、相對於該目標位置之位置之資訊; 水平量測器,用以取得該第2區塊的傾斜度之資訊; 複數個移動裝置,具有支持該第2區塊的既定處之支持部,可使該支持部在該既定面內移動,並且使該支持部在該高度方向移動,該複數個移動裝置分別安裝於該既定處;及 控制裝置,控制該位置資訊取得用裝置、該水平量測器、以及該複數個移動裝置,使其進行以下程序: 面內調整程序,將該第1區塊設置在該地面上的既定位置,將該第2區塊運送至自目標位置算起,位於既定距離內的該地面上的既定區域,該複數個移動裝置分別安裝於該既定處之後,依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整在該第2區塊在該既定面內之位置; 高度調整程序,依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整該第2區塊就該高度方向之位置;及 傾斜度調整程序,依據該第2區塊的傾斜度之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部個別移動,以調整該第2區塊的傾斜度。 [發明功効]
根據本發明,由複數區塊並排在無塵室的地面所構成,對被處理基板進行既定處理之半導體製造裝置,能以較少人數且較短時間設置。
以下,針對本發明之實施形態,參照圖式並說明之。再者,在本說明書及圖式中,就實質上具有相同功能構成的要素,賦予相同符號,藉以省略重複說明。
首先,針對由本發明所屬的設置方法所設置、對晶圓進行既定處理之半導體製造裝置進行說明。 圖1係顯示半導體製造裝置的一例即塗布顯影處理系統1之內部構成概要的說明圖。圖2及圖3,係顯示各個塗布顯影處理系統1之內部構成概要的前視圖與後視圖。
塗布顯影處理系統1,如圖1所示例如,在與外部之間將匣盒C送入送出之匣盒站區塊(以下稱為CS區塊)2、具備施行光阻塗布處理或PEB等既定處理的複數各種處理裝置之處理站區塊(以下稱為PS區塊)3、在PS區塊3與所鄰接的曝光裝置4之間進行晶圓W的傳遞之介面站區塊(以下稱為IF區塊)5,並排在無塵室之地面(參照圖5的符號F),成一體連接所構成。再者,以下,將塗布顯影處理系統1之上述各區塊相連方向稱為前後方向或Y方向,將與無塵室之地面平行的既定面內、上述前後方向之直交方向稱為左右方向或X方向,將上述既定面的垂直方向稱為高度方向或Z方向。另外,與上述地面平行的既定面,係指例如水平面,所以以下,上述既定面係以水平面進行說明。 此外,塗布顯影處理系統1,具有進行該塗布顯影處理系統1的控制之控制部6。
CS區塊2,分為例如匣盒送入送出部10與晶圓運送部11。例如匣盒送入送出部10,設於塗布顯影處理系統1之Y方向負側(圖1之左側)的端部。匣盒送入送出部10,設有匣盒載置台12。匣盒載置台12上,設有複數例如4片載置板13。載置板13,成一列並排設置在X方向(圖1的上下方向)。這些載置板13,可在將匣盒C對塗布顯影處理系統1的外部送入送出之際,載置匣盒C。
晶圓運送部11,如圖1所示,設有在往X方向延伸的運送通路20上自由移動之晶圓運送裝置21。晶圓運送裝置21,亦於高度方向及鉛直軸周圍(θ方向)自由移動,可在各載置板13上之匣盒C,與後述PS區塊3的區塊G3之傳遞裝置之間運送晶圓W。
PS區塊3,設有具備各種裝置的複數例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如PS區塊3之正面側(圖1的X方向負側),設有區塊G1;PS區塊3之背面側(圖1的X方向正側),設有區塊G2。另外,PS區塊3之CS區塊2側(圖1的Y方向負側),設有區塊G3;PS區塊3之IF區塊5側(圖1的Y方向正側),設有區塊G4。
區塊G1,如圖2所示,由下依序配置有:複數液體處理裝置,例如對晶圓W進行顯影處理之顯影處理裝置30、於晶圓W塗布光阻液塗布來形成光阻膜之光阻塗布裝置31。
例如顯影處理裝置30、光阻塗布裝置31,分別有3個並排配置於水平方向。再者,這些顯影處理裝置30、光阻塗布裝置31之數量或配置,可任意選擇。
這些顯影處理裝置30、光阻塗布裝置31,進行例如於晶圓W上塗布既定處理液之旋轉塗佈法。旋轉塗佈法,係例如自塗布噴嘴將處理液噴吐於晶圓W上,而且使晶圓W旋轉,讓處理液於晶圓W之表面擴散。再者,光阻塗布裝置31之構成則於後述之。
例如區塊G2,如圖3所示,於上下方向與水平方向並排設置有:進行晶圓W的加熱或冷卻等熱處理之熱處理裝置40、或讓晶圓W的外周部曝光之周邊曝光裝置41。這些熱處理裝置40、周邊曝光裝置41的數量或配置,亦可任意選擇。
區塊G3,設有複數傳遞裝置50。另外,區塊G4,設有複數傳遞裝置60,其上設有缺陷檢査裝置61。再者,缺陷檢査裝置61的構成則於後述之。
如圖1所示,於區塊G1~區塊G4所圍繞之區域,形成有晶圓運送區域D。晶圓運送區域D,配置有例如晶圓運送裝置70。
晶圓運送裝置70,具有例如於Y方向、前後方向、θ方向及上下方向自由移動之運送臂70a。晶圓運送裝置70,在晶圓運送區域D內移動,可將晶圓W運送至周圍的區塊G1、區塊G2、區塊G3及區塊G4內之既定裝置。晶圓運送裝置70,例如如圖3所示,上下配置有複數台,可將晶圓W運送至例如各區塊G1~G4的相同程度高度之既定裝置。
另外,晶圓運送區域D,設有在區塊G3與區塊G4之間直線運送晶圓W之穿梭運送裝置71。
穿梭運送裝置71,在例如圖3之Y方向直線地自由移動。穿梭運送裝置71,在支持晶圓W之狀態下於Y方向移動,可在相同程度高度的區塊G3之傳遞裝置50與區塊G4之傳遞裝置60之間運送晶圓W。
如圖1所示,於區塊G3之X方向正側,設有晶圓運送裝置72。晶圓運送裝置72,具有例如於前後方向、θ方向及上下方向自由移動之運送臂72a。晶圓運送裝置72,在支持晶圓W之狀態下上下移動,可將晶圓W運送至區塊G3內之各傳遞裝置50。
IF區塊5,設有晶圓運送裝置73與傳遞裝置74。晶圓運送裝置73,具有例如於Y方向、θ方向及上下方向自由移動之運送臂73a。晶圓運送裝置73,例如由運送臂73a支持晶圓W,可在區塊G4內之各傳遞裝置60、傳遞裝置74及曝光裝置4之間運送晶圓W。
此外,塗布顯影處理系統1之CS區塊2、PS區塊3及IF區塊5,分別於下面,如圖2及圖3所示,設有將各區塊支持在無塵室之地面的腳部80。腳部80,係所謂的調整式足部,其高度為任意調整。
控制部6,為例如電腦,具有程式儲存部(無圖示)。程式儲存部儲存有程式,以控制上述各種處理裝置或運送裝置等驅動系統之運作,控制塗布顯影處理系統1中的晶圓W之處理。再者,前述程式,保存於例如可電腦讀取的硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可電腦讀取的記錄媒體H,亦可自該記錄媒體H安裝於控制部6。
接著,說明利用塗布顯影處理系統1之晶圓處理。
利用塗布顯影處理系統1之晶圓處理中,首先,藉由晶圓運送裝置21,將晶圓W自匣盒載置台12上之匣盒C取出,運送至PS區塊3之傳遞裝置50。
接著晶圓W,由晶圓運送裝置70運送至區塊G2之熱處理裝置40,予以溫度調節處理。然後,晶圓W,運送至區塊G1之光阻塗布裝置31,讓晶圓W上形成光阻膜。然後晶圓W,運送至熱處理裝置40,予以預烘烤處理(PAB:Pre-Applied Bake)。再者,在預烘烤處理或後段之PEB處理、後烘烤處理中,進行同樣的熱處理。但是,用於各熱處理之熱處理裝置40互不相同。
然後,晶圓W,運送至周邊曝光裝置41,予以周邊曝光處理。接著晶圓W,運送至曝光裝置4,以既定圖案予以曝光處理。
接著晶圓W,運送至熱處理裝置40,予以PEB處理。然後晶圓W,運送至例如顯影處理裝置30,予以顯影處理。顯影處理結束後,晶圓W,運送至熱處理裝置40,予以後烘烤處理。晶圓W,運送至缺陷檢査裝置61,進行晶圓W之缺陷檢査。在缺陷檢査中,進行是否有傷痕、異物附著等檢査。然後,晶圓W運送至載置板13之匣盒C,完成一連串的光微影程序。
(第1實施形態) 接著,說明本發明之第1實施形態所屬設置系統。該設置系統,係用於塗布顯影處理系統之設置方法。 圖4係顯示第1實施形態所屬設置系統100之構成概要的說明圖。設置系統100,係用於塗布顯影處理系統1之設置方法,例如,設置於既定位置的作為本發明所屬「第1區塊」之CS區塊2,可在以其作為基準之目標位置,設置作為「第2區塊」之PS區塊3。該設置系統100,具備攝像裝置200、測距裝置210、複數水平量測器220、複數個移動裝置300、控制裝置400。
攝像裝置200,拍攝CS區塊2之PS區塊3側的面亦即背面2a所形成之不圖示的目標標記,由例如利用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)感測器之影像處理用相機所構成,安裝於PS區塊3之既定位置。攝像裝置200之攝像結果,係用來取得PS區塊3就X方向及Z方向、相對於上述目標位置之位置之資訊。換言之,攝像裝置200,是用來取得PS區塊3相對於目標位置的X方向位置的資訊之裝置,即X方向位置資訊取得用裝置,而且是用來取得PS區塊3相對於目標位置的Z方向位置的資訊之裝置,即Z方向位置資訊取得用裝置。 該攝像裝置200所拍攝的目標標記為例如正圓形,在PS區塊3配置於目標位置之情形,形成於攝像裝置200之光軸與該目標標記之中心一致的位置。
測距裝置210,測量PS區塊3到CS區塊2之距離,具體而言,測量PS區塊3之CS區塊2側的面亦即前面3a到CS區塊2之背面2a之距離,由例如三角測距感測器所構成,安裝於PS區塊3之既定位置。測距裝置210之測量結果,係用來取得PS區塊3相對於目標位置的Y方向位置之資訊。換言之,測距裝置210,是用來取得PS區塊3相對於目標位置的Y方向位置之資訊的裝置,即Y方向位置資訊取得用裝置。再者,測距裝置210,亦可安裝於CS區塊2,另外,亦可設置複數,將測距結果之平均値加以利用。
水平量測器220,測量PS區塊3之既定測量位置P1A~P1D的水平亦即傾斜度,由例如加速度感測器所構成,以既定方向安裝於上述測量位置P1A~P1D。測量位置P1A,為PS區塊3之X方向正側且Y方向負側之位置;測量位置P1B,為PS區塊3之X方向正側且Y方向正側之位置;測量位置P1C,為PS區塊3之X方向負側且Y方向負側之位置;測量位置P1D,為PS區塊3之X方向負側且Y方向正側之位置。以下,分別令載置於測量位置P1A~P1D之水平量測器220,為水平量測器220A~220D。
移動裝置300,使PS區塊3移動,以既定方向安裝於PS區塊3之既定安裝位置P2A~P2D。安裝位置P2A,為PS區塊3之X方向正側端且Y方向負側之位置;安裝位置P2B,為PS區塊3之X方向正側端且Y方向正側之位置;安裝位置P2C,為PS區塊3之X方向負側端且為Y方向負側之位置;安裝位置P2D,為PS區塊3之X方向負側端且Y方向正側之位置。以下,分別令載置於安裝位置P2A~P2D之移動裝置300,為移動裝置300A~300D。
再者,移動裝置300及水平量測器220的數量並不限於4個,視安裝位置,亦可為3個。另外,移動裝置300的數量與水平量測器220的數量亦可互不相同。
圖5係顯示移動裝置300A的構成概要之側視圖。移動裝置300A,如圖5所示,具有抵接PS區塊3的底面來支持該PS區塊3之支持部310。另外,移動裝置300A,具有使支持部310於X方向、Y方向及Z方向移動之XYZ平台320。
XYZ平台320,例如具有:Z方向驅動裝置321,支持了支持部310,使該支持部310於Z方向移動;XY平台322,支持Z方向驅動裝置321,並於X方向及Y方向移動,藉此讓Z方向驅動裝置321亦即支持部310於X方向及Y方向移動。XY平台322,可藉由不圖示之XY方向驅動裝置於X方向及Y方向移動。再者,在本例中,Z方向驅動裝置321及XY方向驅動裝置之驅動方式,雖為利用含滾珠螺桿的電動式線性致動器之方式,但亦可為利用油壓缸筒之方式等,其他方式。 另外,在本例中,XY平台322,支持著支持了支持部310之Z方向驅動裝置321,但亦可由XY平台322支持了支持部310,並以Z方向驅動裝置321支持該XY平台322。
移動裝置300A還具有在無塵室之地面F支持XYZ平台320之基座330。 甚至,移動裝置300A,具有:作業人員移動該移動裝置300A時所把持之把持部340、用來讓作業人員方便移動該移動裝置300A之不圖示的車輪。
移動裝置300B~300D,和移動裝置300A為同樣構成。但是,移動裝置300A、300B,係在以既定方向安裝於PS區塊3之既定位置P2A、P2B的狀態中,於X方向正側之位置具有把持部340,但移動裝置300C、300D,係在以既定方向安裝於PS區塊3之既定位置P2C、P2D的狀態中,於X方向負側之位置具有把持部340。
回到圖4之說明。控制裝置400,控制攝像裝置200、測距裝置210、水平量測器220A~220D及移動裝置300A~300D,與攝像裝置200、測距裝置210、水平量測器220A~220D及移動裝置300A~300D,係以可通訊方式連接。該通訊,係使用例如無線區域網絡或Bluetooth(註冊商標)通訊等,眾所皆知之無線通訊技術。
控制裝置400,由例如個人電腦所構成,具有控制部410、顯示部420與操作部430。 控制部410,由CPU(Central Processing Unit)等所構成,控制了控制裝置400整體。 顯示部420,由例如液晶顯示器、有機EL顯示器等平板型影像顯面板所構成。顯示部420亦可設置觸控面板。 操作部430,由按鈕、或方向鍵、顯示部420所設之觸控面板、或是,這些構件的組合所構成。
接著,說明利用設置系統100的塗布顯影處理系統1之設置方法。圖6係所屬設置方法的主要程序示例的流程圖。圖8、圖10及圖12,係依所屬設置方法的塗布顯影處理系統1設置之際,顯示部420所顯示的畫面之一例示圖。圖7、圖9及圖11,為所屬設置方法中,後述面內位置調整程序、高度調整程序、傾斜度調整程序示例的流程圖。
首先,將CS區塊2以既定方向設置於無塵室之地面F上的既定位置,並且調整CS區塊2的傾斜度(步驟S1)。
接著,由複數作業人員以徒手操作,將PS區塊3運送至以設置於既定位置之CS區塊2為基準的目標位置算起,位於既定距離內的地面F上的既定區域(步驟S2)。上述既定距離,係指可藉由移動裝置300A~300D之XY平台322移動之距離,例如10~30mm。再者,之後的處理即使必須由作業人員進行作業,也可由一位作業人員來進行。
步驟S2之後,作業人員將攝像裝置200及測距裝置210安裝於既定位置(步驟S3)。
接著,作業人員,對PS區塊3安裝複數個移動裝置300(步驟S4)。具體而言,作業人員,對PS區塊3之既定位置P2A~P2D,分別安裝移動裝置300A~300D。安裝之際,例如係在移動裝置300A~300D的支持部310最下沉之狀態下讓移動裝置300A~300D移動,讓該支持部310插入PS區塊3之下。接下來,作業人員,使支持部310上升,以移動裝置300A~300D來支持PS區塊3。支持部310之上升,例如可透過控制裝置400的操作部430來進行。然後,作業人員,讓腳部80之高度縮短,以便在PS區塊3之位置及傾斜度調整時,該腳部80不會干擾到地面F。
步驟S4後,作業人員,對PS區塊3安裝複數水平量測器220(步驟S5)。具體而言,作業人員,對PS區塊3之既定測量位置P1A~P1D,分別安裝水平量測器220A~220D(步驟S5)。 步驟S3之程序、步驟S4之程序及步驟S5之程序的進行順序為任意的。
控制裝置400,利用攝像裝置200的攝像結果及測距裝置210的測距結果,計算PS區塊3相對於目標位置在水平面內的位置之資訊,依據該資訊,使複數個移動裝置300A~300D的支持部310同步移動,以調整PS區塊3於水平面內的位置(步驟S6)。
步驟S6的水平面內位置調整程序當中,如圖7所示,控制裝置400,取得PS區塊3相對於目標位置在水平面內的位置之資訊,亦即PS區塊3相對於目標位置的X方向位置及Y方向位置的資訊(步驟S61)。PS區塊3相對於目標位置之Y方向位置,可依據測距裝置210之測距結果計算出來,具體而言,可從上述測距結果,與上述目標位置之Y座標値(例如5mm)計算出來。另外,PS區塊3相對於目標位置之X方向位置,可依據測距裝置210的測距結果,與攝像裝置200的攝像結果計算出來,具體而言,可依據上述測距結果,與攝像裝置200所得出攝像影像當中,目標標記和該攝像影像中心於X方向的偏移量,計算出來。
接著,控制裝置400,依據PS區塊3相對於目標位置於水平面內之位置之資訊,將例如圖8所示的畫面I1顯示於顯示部420(步驟S62)。該畫面I1,顯示了:PS區塊3相對於目標位置於水平面內之現在位置,亦即,PS區塊3相對於目標位置之X方向現在位置,以及,PS區塊3相對於目標位置之Y方向現在位置。作業人員,可從本例的畫面I1得知,要在水平面內,讓PS區塊3位於目標位置,必須將PS區塊3挪動至Y方向正側亦即靠近CS區塊2之方向,將PS區塊3挪動至X方向正側。
作業人員,依據畫面I1,判斷在水平面內,PS區塊3是否位於目標位置(步驟S63)。位於目標位置之情形(是的情形),作業人員按壓不圖示的結束按鈕,讓水平面內位置調整程序結束。另一方面,不位於目標位置之情形(否的情形),作業人員,依據畫面I1,在X方向負方向、X方向正方向、Y方向負方向及Y方向正方向當中,選擇要讓PS區塊3移動之方向,按壓所對應的按鈕(步驟S64)。接下來,控制裝置400,因應按壓,藉由XY平台322使移動裝置300A~300D之支持部310同步移動,讓PS區塊3往所選擇方向以既定距離移動(步驟S65)。因應1次的按鈕按壓而移動之距離亦即上述既定距離預先記錄於不圖示之記錄部。
然後,再次實施步驟S61之後的步驟。在步驟S63中,判斷在水平面內,PS區塊3位於目標位置時,就結束水平面內位置調整程序。
步驟S6之水平面內位置調整程序後,控制裝置400,利用攝像裝置200之攝像結果及測距裝置210之測距結果,計算出PS區塊3相對於目標位置之高度方向(在本例中為鉛直方向)的位置之資訊,依據該資訊,使複數個移動裝置300A~300D之支持部310同步移動,以調整PS區塊3就高度方向之位置(步驟S7)。
在步驟S7之高度調整程序中,如圖9所示,取得PS區塊3相對於目標位置之高度方向的位置之資訊,亦即,PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置的資訊(步驟S71)。PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置,可依據測距裝置210之測距結果,與攝像裝置200之攝像結果計算出來,具體而言,可依據上述測距結果,與攝像裝置200所得出攝像影像當中,目標標記和該攝像影像中心於Z方向的偏移量,計算出來。
接著,控制裝置400,依據PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置的資訊,將例如圖10所示之畫面I2顯示於顯示部420(步驟S72)。該畫面I2,顯示了:PS區塊3相對於目標位置亦即目標高度的Z方向現在位置亦即現在高度。作業人員,可從本例的畫面I2得知,要在高度方向中,讓PS區塊3位於目標位置,必須將PS區塊3挪動至Z方向正側。
作業人員,依據畫面I2,判斷在高度方向中,PS區塊3是否位於目標位置(步驟S73)。位於目標位置之情形(是的情形),作業人員按壓不圖示的結束按鈕,讓高度調整程序結束。另一方面,不位於目標位置之情形(否的情形),作業人員,依據畫面I2,在Z方向負方向及Z方向正方向當中,選擇要讓PS區塊3移動之方向,按壓所對應的按鈕(步驟S74)。接下來,控制裝置400,因應按壓,藉由Z方向驅動機構使移動裝置300A~300D之支持部310同步移動,讓PS區塊3往所選擇方向以既定距離移動(步驟S75)。因應1次的按鈕按壓而移動之距離亦即上述既定距離預先記錄於不圖示之記錄部。
然後,再次實施步驟S71之後的步驟。在步驟S73中,判斷在高度方向中,PS區塊3位於目標位置時,就結束高度調整程序。
步驟S7之高度調整程序後,控制裝置400,依據水平量測器220A~220D的量測結果,使移動裝置300A~300D之支持部310個別移動,以調整PS區塊3的傾斜度(步驟S8)。
在步驟S8的傾斜度調整程序中,如圖11所示,從各測量位置P1A~P1D所安裝的水平量測器220A~220D,取得PS區塊3的各測量位置P1A~P1D當中傾斜度之資訊(步驟S81)。
接著,控制裝置400,依據PS區塊3的各測量位置P1A~P1D當中傾斜度之資訊,將例如圖12所示之畫面I3顯示於顯示部420(步驟S82)。該畫面I3,將各測量位置P1A~P1D當中的傾斜程度以顏色顯示,例如,將傾斜度在容許範圍內之測量位置以藍色(在圖中為白色)顯示,將傾斜度在容許範圍外卻在既定範圍內之測量位置以黃色(在圖中為淡灰色)顯示,將傾斜度在容許範圍外且在既定範圍外之測量位置以紅色(在圖中為濃灰色)顯示。作業人員,從本例之畫面I3,可知必須對測量位置P1A及P1B調整傾斜度。
作業人員,依據畫面I3,判斷所有的測量位置P1A~P1D的傾斜度是否保持在容許範圍內(步驟S83)。全都保持在容許範圍內之情形(是的情形),作業人員按壓不圖示之結束按鈕,讓傾斜度調整程序結束。另一方面,有未保持在容許範圍內的情形(否的情形),作業人員,依據畫面I3,選擇要對哪一個測量位置P1A~P1D調整傾斜度,按壓所對應的按鈕(步驟S84)。
接下來,控制裝置400,因應上述按壓,將作業人員所選擇測量位置P1的傾斜度調整所必要之移動裝置300,與為了將上述所選擇測量位置P1的傾斜度保持在容許範圍內所必要之支持部310的Z方向移動量,相對應地顯示於顯示部420(步驟S85)。至於Z方向移動量,係以例如用來使支持部310於Z方向移動之按鈕的按壓次數顯示。 作業人員所選擇測量位置P1的傾斜度調整所必要之移動裝置300的決定方法,或為了將上述傾斜度保持在容許範圍內所必要之支持部310的Z方向移動量之決定方法,可使用例如日本特開2017-73538號公報所記載者。
作業人員,依據顯示部420之顯示結果,對操作部430進行操作,例如以顯示畫面所顯示之按壓次數,按壓相應的按鈕(步驟S86)。控制裝置400,因應上述按壓,使相應的移動裝置300之支持部310,往Z方向正方向或是負方向移動,以調整PS區塊3的傾斜度(步驟S87)。再者,支持部310往Z方向之移動距離,為上述按壓次數所對應的距離,另外,1次的該按壓所對應的距離預先記錄於不圖示之記錄部。
然後,再次實施步驟S81之後的步驟。在步驟S83中,判斷所有的測量位置P1A~P1D的傾斜度保持在容許範圍內時,讓傾斜度調整程序結束。
接下來,作業人員,將PS區塊3之腳部80延伸至無塵室之地面F之後,讓移動裝置300A~300D之支持部310下降,以腳部80將PS區塊3支持在無塵室之地面F。將移動裝置300A~300D取下(步驟S9)。然後,將CS區塊2與PS區塊3,用螺栓與螺帽等加以固定,完成PS區塊3之設置。
設置IF區塊5,並且調整IF區塊5的傾斜度(步驟S10)。如此,結束本實施形態之塗布顯影處理系統的設置處理。
根據本實施形態,PS區塊3就X方向、Y方向、Z方向的位置調整、或PS區塊3的傾斜度調整,係利用可讓支持PS區塊3的支持部於X方向、Y方向及Z方向移動之移動裝置300來進行的,所以能以較少人數且較短時間設置塗布顯影處理系統1。
另外,根據本實施形態,移動裝置300,係以自由裝卸方式安裝於PS區塊3,所以在其他塗布顯影處理系統的設置之際亦可加以使用。 至於攝像裝置200或測距裝置210、水平量測器220,亦可自由裝卸,使得這些構件在其他塗布顯影處理系統的設置之際亦可加以使用。 至於由攝像裝置200所拍攝之目標標記,也是以自由裝卸方式所形成,因而在其他塗布顯影處理系統的設置之際亦可加以使用。
此外,根據本實施形態,將PS區塊3的各測量位置P1A~P1D的傾斜程度以顏色顯示,所以作業人員,可直覺判斷,所有的測量位置P1A~P1D的傾斜度是否保持在容許範圍內,或應該要調整傾斜度之測量位置P1A~P1D。
(第2實施形態) 在第1實施形態中,水平面內的位置調整、高度調整、及傾斜度調整,係因應作業人員之操作來進行,亦即以手動進行,但在本實施形態中,這些調整將會自動進行。
在本實施形態所屬塗布顯影處理系統1之設置方法中,例如進行第1實施形態之設置方法當中步驟S1~S5之後,作業人員按壓顯示部420所顯示之「AUTO」按鈕時,控制裝置400,就自動進行PS區塊3之水平面內位置調整、或高度調整、傾斜度調整。這些調整結束時,控制裝置400,為了將此事告知作業人員,便將例如表示結束的「FINISH」訊息顯示於顯示部420。
在本實施形態所屬設置方法與第1實施形態所屬設置方法中,只有步驟S6的水平面內位置調整程序、步驟S7的高度調整程序、步驟S8的傾斜度調整程序有所不同,所以只說明這些程序。圖13~圖15,分別係本實施形態所屬面內位置調整程序、高度調整程序及傾斜度調整程序示例的流程圖。
在本實施形態所屬水平面內位置調整程序中,如圖13所示,取得PS區塊3相對於目標位置於水平面內之位置之資訊,亦即PS區塊3相對於目標位置之X方向位置及Y方向位置的資訊(步驟S101)。
接著,控制裝置400,依據所取得之在上述水平面內的位置之資訊,判斷在水平面內,PS區塊3是否位於目標位置(步驟S102)。位於目標位置之情形(是的情形),控制裝置400,結束水平面內位置調整程序。另一方面,不位於目標位置之情形(否的情形),控制裝置400,依據PS區塊3相對於目標位置於水平面內之位置之資訊,在X方向負方向、X方向正方向、Y方向負方向及Y方向正方向當中,選擇要讓支持部310移動之方向(步驟S103)。再者,PS區塊3無論在X方向或Y方向,均與目標位置偏移之情形,就選擇例如與目標位置偏移最多之方向,以作為要讓支持部310移動之方向。
控制裝置400,計算出所選擇方向當中PS區塊3與目標位置之偏移量,亦即,為了讓所選擇方向當中PS區塊3位於目標位置所需的支持部310之移動量(步驟S104)。
接著,控制裝置400,依據所選擇的支持部310的移動方向及所計算出的移動量,讓所有的移動裝置300A~300D之支持部310於水平面內移動,亦即讓所有的移動裝置300A~300D之支持部310,往所選擇之移動方向,以所計算出之移動量移動(步驟S105)。
然後,再次實施步驟S101之後的步驟。在步驟S102中,判定在水平面內,PS區塊3位於目標位置時,控制裝置400,結束水平面內位置調整程序。
在本實施形態所屬高度調整程序中,如圖14所示,控制裝置400,取得PS區塊3相對於目標位置之高度方向的位置之資訊,亦即,PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置的資訊(步驟S111)。
接著,控制裝置400,依據PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置的資訊,判斷在高度方向中,PS區塊3是否位於目標位置(步驟S112)。位於目標位置之情形(是的情形),控制裝置400,結束高度調整程序。另一方面,不位於目標位置之情形(否的情形),控制裝置400,依據PS區塊3相對於目標位置之Z方向位置的資訊,在Z方向負方向及Z方向正方向當中,選擇要讓支持部310移動之方向(步驟S113)。
控制裝置400,計算出Z方向當中PS區塊3與目標位置之偏移量,亦即,為了讓Z方向當中PS區塊3位於目標位置所需的支持部310之移動量(步驟S114)。
接著,控制裝置400,依據所選擇的支持部310的移動方向及所計算出的移動量,讓所有的移動裝置300A~300D之支持部310於高度方向移動,亦即讓所有的移動裝置300A~300D之支持部310,往所選擇之移動方向,以所計算出之移動量移動(步驟S115)。
然後,再次實施步驟S111之後的步驟。在步驟S112中,判定在高度方向中,PS區塊3位於目標位置時,控制裝置400,結束高度調整程序。
再者,在本實施形態所屬水平面內位置調整程序及高度調整程序中,也有所計算出的支持部310之移動量,與實際的PS區塊3之移動量不一致之情形。在此情形,最好以少量使支持部310移動,將所計算出的支持部310之移動量與實際的PS區塊3之移動量之對應關係計算出來,而反饋該對應關係之計算結果,亦即依據所計算出的對應關係,以修正支持部310之移動量。
在本實施形態所屬傾斜度調整程序中,如圖15所示,控制裝置400,從各測量位置P1A~P1D所安裝的水平量測器220A~220D,取得PS區塊3的各測量位置P1A~P1D當中傾斜度之資訊(步驟S121)。
接著,控制裝置400,依據PS區塊3的各測量位置P1A~P1D當中傾斜度之資訊,判斷所有的測量位置P1A~P1D的傾斜度是否保持在容許範圍內(步驟S122)。全都保持在容許範圍內之情形(是的情形),控制裝置400,結束傾斜度調整程序。另一方面,有未保持在容許範圍內的情形(否的情形),控制裝置400,依據PS區塊3的各測量位置P1A~P1D當中傾斜度之資訊,從任一個測量位置P1A~P1D之中選擇傾斜度調整對象(步驟S123)。例如,控制裝置400,選擇該傾斜度最偏移容許範圍之測量位置,以作為傾斜度調整對象。
接下來,控制裝置400,決定出調整所選擇測量位置P1的傾斜度所必要之移動裝置300(步驟S124)。針對該步驟S124所決定之移動裝置300的支持部310,決定出:為了將上述所選擇測量位置P1的傾斜度保持在容許範圍內所必要之移動方向及移動量(步驟S125)。
接著,控制裝置400,依據步驟S125所決定的支持部310之移動方向及移動量,讓步驟S124所決定的移動裝置300之支持部310移動,也就是說,讓步驟S124所決定的移動裝置300之支持部310,往步驟S125所決定的支持部310之移動方向,以步驟S125所決定的移動量移動(步驟S126)。
然後,再次實施步驟S121之後的步驟。在步驟S122中,判定所有的測量位置P1A~P1D的傾斜度保持在容許範圍內時,控制裝置400,結束傾斜度調整程序。
根據本實施形態,PS區塊3就X方向、Y方向、Z方向之位置調整、或PS區塊3的傾斜度調整,係利用可讓支持PS區塊3的支持部於X方向、Y方向及Z方向移動之移動裝置300自動進行的,所以能以較少人數且比第1實施形態更短時間設置塗布顯影處理系統1。
(第1及第2實施形態之變形例) 圖16,係PS區塊3之運送程序的另一例之說明圖。在前述之例中,在PS區塊3之運送程序,由複數作業人員以徒手操作運送了PS區塊3。可是,PS區塊3之運送方法,並不限於此方法,如圖16所示,亦可利用複數運送裝置500來進行運送。運送裝置500,以上面500a支持PS區塊3,具有由車輪等所構成之行駛機構(不圖示)。運送裝置500,可在控制裝置400(參照圖4)的控制之下,藉由上述行駛機構,在搭載了PS區塊3的狀態下於無塵室之地上移動。
利用此運送裝置500之情形,在上述PS區塊3的運送程序中,首先,將PS區塊3搭載於複數運送裝置500上。搭載後,作業人員,對控制裝置400進行操作,藉此讓PS區塊3運送至既定位置。
根據本例,可縮短PS區塊3的運送時間,所以可更加縮短塗布顯影處理系統1的設置所費時間。另外,可減少運送程序時作業人員的數量。
再者,運送裝置500,最好具有使其上面500a升降之升降機構。這是因為也能以較少人數將PS區塊3搭載於運送裝置500上。 另外,運送裝置500與移動裝置300亦可成一體。
在以上的說明中,高度調整與傾斜度調整分別各進行了1次,但亦可交互進行多次。 另外,在以上的說明中,水平面內位置調整,係在高度調整與傾斜度調整之前進行,但亦可在高度調整與傾斜度調整之後進行。 此外,在以上的說明中,在水平量測器的設置之後,進行了水平面內位置調整或高度調整,但水平量測器的設置,只要是在傾斜度調整之前,就可在水平面內位置調整或高度調整之後進行。
甚至,在以上的說明中,將測距裝置210用於取得PS區塊3的位置之資訊。可是,亦可在PS區塊3的運送程序前,將測距裝置210先設置於該PS區塊3的角部,在運送時,當測距裝置210的測量結果為既定値以下時,藉由聲音來告知。藉此,可防止在PS區塊3的運送時,該PS區塊3碰撞到牆壁等。尤其是,一位作業人員,利用運送裝置500運送PS區塊3之情形,該作業人員的視野有限,所以運送時或許會讓PS區塊3碰撞到。可是,採用如同上述的構成,因此即使是以一人運送之情形,亦可防止PS區塊3碰撞到牆壁等。
再者,CS區塊2或IF區塊5之設置或傾斜度調整,亦可適用本實施形態所屬設置方法。 另外,CS區塊2,如前述般,分成匣盒送入送出部10與晶圓運送部11,所以匣盒送入送出部10或晶圓運送部11之設置或傾斜度調整,亦可適用本實施形態所屬設置方法。
以上,就本發明之實施形態進行了說明,但本發明並不限於所屬例。只要是所屬技術領域中具通常知識者,在申請專利範圍所記載之技術性思想範圍內,自能思及各種的變更例或修正例,並了解到其等當然屬於本發明之技術範圍。
例如,在上述實施形態中,半導體製造裝置,係以塗布顯影處理系統進行了說明,但本發明所適用之半導體製造裝置並不限於塗布顯影處理系統。 [產業上利用性]
本發明,可利用於塗布顯影處理系統等半導體製造裝置之設置技術。
1‧‧‧塗布顯影處理系統
2‧‧‧匣盒站區塊(CS區塊)
2a‧‧‧背面
3‧‧‧處理站區塊(PS區塊)
3a‧‧‧前面
4‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧介面站區塊(IF區塊)
6‧‧‧控制部
10‧‧‧匣盒送入送出部
11‧‧‧晶圓運送部
12‧‧‧匣盒載置台
13‧‧‧載置板
20‧‧‧運送通路
21‧‧‧晶圓運送裝置
30‧‧‧顯影處理裝置
31‧‧‧光阻塗布裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧周邊曝光裝置
50、60‧‧‧傳遞裝置
61‧‧‧缺陷檢査裝置
70‧‧‧晶圓運送裝置
70a‧‧‧運送臂
71‧‧‧穿梭運送裝置
72‧‧‧晶圓運送裝置
72a‧‧‧運送臂
73‧‧‧晶圓運送裝置
73a‧‧‧運送臂
74‧‧‧傳遞裝置
80‧‧‧腳部
100‧‧‧設置系統
200‧‧‧攝像裝置
210‧‧‧測距裝置
220、220A~220D‧‧‧水平量測器
300、300A~300D‧‧‧移動裝置
310‧‧‧支持部
320‧‧‧XYZ平台
321‧‧‧Z方向驅動裝置
322‧‧‧XY平台
330‧‧‧基座
340‧‧‧把持部
400‧‧‧控制裝置
410‧‧‧控制部
420‧‧‧顯示部
430‧‧‧操作部
500‧‧‧運送裝置
500a‧‧‧上面
C‧‧‧匣盒
D‧‧‧晶圓運送區域
F‧‧‧地面
G1~G4‧‧‧區塊
H‧‧‧記錄媒體
I1~3‧‧‧畫面
P1、P1A~P1D‧‧‧測量位置
P2、P2A~P2D‧‧‧安裝位置
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本實施形態所屬塗布顯影處理系統的構成概要之俯視圖。 圖2係顯示本實施形態所屬塗布顯影處理系統的構成概要之前視圖。 圖3係顯示本實施形態所屬塗布顯影處理系統的構成概要之後視圖。 圖4係顯示第1實施形態所屬塗布顯影處理系統設置方法所使用的設置系統的構成概要之說明圖。 圖5係顯示移動裝置的構成概要之側視圖。 圖6係第1實施形態所屬塗布顯影處理系統設置方法的主要程序示例之流程圖。 圖7係面內位置調整程序示例之流程圖。 圖8係第1實施形態所屬塗布顯影處理系統設置方法在設置之際所顯示畫面之一例示圖。 圖9係高度調整程序示例之流程圖。 圖10係第1實施形態所屬塗布顯影處理系統設置方法在設置之際所顯示畫面之另一例示圖。 圖11係傾斜度調整程序示例之流程圖。 圖12係第1實施形態所屬塗布顯影處理系統設置方法在設置之際所顯示畫面之又一例示圖。 圖13係顯示面內位置調整程序之另一例的流程圖。 圖14係顯示高度調整程序之另一例的流程圖。 圖15係顯示傾斜度調整程序之另一例的流程圖。 圖16係第1及第2實施形態的變形例之說明圖。

Claims (14)

  1. 一種半導體製造裝置之設置方法,該半導體製造裝置係將複數區塊並排在地面所構成,以對被處理基板進行既定處理; 該半導體製造裝置之設置方法,其特徵為包含: 設置程序,將第1區塊設置在該地面上的既定位置; 運送程序,將第2區塊運送至以設置於該既定位置之該第1區塊為基準的目標位置算起,位於既定距離內的該地面上的既定區域; 移動裝置安裝程序,設有複數個移動裝置,該移動裝置具有支持該第2區塊的既定處之支持部,可使該支持部在與該地面平行之既定面內移動,並使該支持部在與該地面垂直之高度方向移動,將該複數個移動裝置分別安裝於該既定處; 面內調整程序,依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置的資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整該第2區塊在該既定面內之位置; 高度調整程序,依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置的資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整該第2區塊在該高度方向中之位置;及 傾斜度調整程序,依據該第2區塊之傾斜度的資訊,使該複數個移動裝置之該支持部個別移動,以調整該第2區塊之傾斜度。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該面內調整程序包含以下程序: 依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置的資訊,將該位置顯示於顯示部; 因應對操作部進行之操作,令所有的該移動裝置之該支持部於該既定面內移動。
  3. 如申請專利範圍第1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該面內調整程序包含以下程序: 依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置的資訊,以決定該支持部在該既定面內的移動方向及移動量; 依據所決定的該支持部之移動方向及該移動量,令所有的該移動裝置之該支持部於該既定面內移動。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該高度調整程序包含以下程序: 依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置的資訊,將該位置顯示於顯示部; 因應對操作部進行之操作,令所有的該移動裝置之該支持部於高度方向移動。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該高度調整程序包含以下程序: 依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置的資訊,以決定該支持部在該高度方向中的移動方向及移動量; 依據所決定的該支持部之移動方向及該移動量,令所有的該移動裝置之該支持部於該高度方向移動。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該傾斜度調整程序包含: 傾斜度顯示程序,依據該第2區塊的傾斜度之資訊,將該傾斜度相關資訊顯示於顯示部; 因應對操作部進行之操作,令該複數個移動裝置中之一部分的該支持部於高度方向移動。
  7. 如申請專利範圍第6項的半導體製造裝置之設置方法,其中, 該傾斜度顯示程序,以顏色顯示該傾斜程度。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,該傾斜度調整程序包含以下程序: 依據該傾斜度之資訊,以決定要令該支持部於高度方向移動之該移動裝置,並決定所決定出的該移動裝置之支持部的移動方向及移動量; 依據所決定的該支持部的移動方向及該移動量,令所決定出的該移動裝置之支持部移動。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中, 該運送程序,係將該第2區塊搭載於在該地面上移動之運送裝置,而加以運送。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,更包含用以安裝一裝置的裝置安裝程序; 該裝置用以取得:該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置的位置之資訊、以及該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置的資訊。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任1項的半導體製造裝置之設置方法,其中,更包含用以安裝一裝置的裝置安裝程序; 該裝置用以取得:該第2區塊的傾斜度之資訊。
  12. 一種程式,在控制一設置系統之控制部的電腦上運作,以令該設置系統執行如申請專利範圍第1至11項中任1項的半導體製造裝置之設置方法。
  13. 一種可讀取的電腦記錄媒體,儲存了如申請專利範圍第12項之程式。
  14. 一種半導體製造裝置之設置系統,該該半導體製造裝置係將複數區塊並排在地面所構成,該設置系統之特徵為包含: 位置資訊取得用裝置,用以取得第2區塊在與該地面平行的既定面內相對於以第1區塊為基準的目標位置之位置的資訊,及第2區塊相對於與該既定面垂直的高度方向中的該目標位置之位置的資訊; 水平量測器,用以取得該第2區塊的傾斜度之資訊; 複數個移動裝置,具有支持該第2區塊的既定處之支持部,可使該支持部在該既定面內移動,並使該支持部在該高度方向移動,該複數個移動裝置分別安裝於該既定處;及 控制裝置,控制該位置資訊取得用裝置、該水平量測器、以及該複數個移動裝置,使其進行以下程序: 面內調整程序,將該第1區塊設置在該地面上的既定位置,將該第2區塊運送至自目標位置算起,位於既定距離內的該地面上的既定區域,將該複數個移動裝置分別安裝於該既定處,其後,依據該第2區塊在該既定面內相對於該目標位置之位置的資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整在該第2區塊在該既定面內之位置; 高度調整程序,依據該第2區塊相對於該高度方向中的該目標位置之位置的資訊,使該複數個移動裝置之該支持部同步移動,以調整該第2區塊在該高度方向中之位置;及 傾斜度調整程序,依據該第2區塊的傾斜度之資訊,使該複數個移動裝置之該支持部個別移動,以調整該第2區塊的傾斜度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60239813A (ja) * 1984-05-14 1985-11-28 Hitachi Zosen Corp 位置調整装置
JP3618191B2 (ja) * 1997-03-19 2005-02-09 アピックヤマダ株式会社 半導体製造装置の着脱機構
JPH11340299A (ja) * 1998-05-27 1999-12-10 Nikon Corp 基板処理装置
JP2002329654A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 光源装置の調整方法及び光源装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7682454B2 (en) 2003-08-07 2010-03-23 Sundew Technologies, Llc Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2009093002A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理装置を構成するステージの設置方法
JP5635452B2 (ja) 2010-07-02 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR101528138B1 (ko) * 2011-01-18 2015-06-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 기판 지지구 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2015061049A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 日本電産リード株式会社 処理対象物搬送システム、及び基板検査システム
JP6412782B2 (ja) * 2014-11-26 2018-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 処理装置およびその据え付け方法
JP6430870B2 (ja) * 2015-03-20 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 クランプ装置及びこれを用いた基板搬入出装置、並びに基板処理装置
JP6724622B2 (ja) * 2015-10-08 2020-07-15 東京エレクトロン株式会社 水平設置装置及び被設置物の水平設置方法
US10014196B2 (en) * 2015-10-20 2018-07-03 Lam Research Corporation Wafer transport assembly with integrated buffers

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