TW201920775A - 表面處理裝置及表面處理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種在對被處理物實施表面處理時,可提升表面處理品質的表面處理裝置及表面處理方法。
一種表面處理裝置,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其特徵為:
該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部,
前述噴射部係對向於前述被處理物而設,且
具有噴射部旋轉手段及被處理物旋轉手段之中至少一方,
該噴射部旋轉手段,係在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,
該被處理物旋轉手段,係在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。

Description

表面處理裝置及表面處理方法
本發明是有關對印刷基板、半導體、晶圓等的被處理物實施表面處理的裝置及方法。表面處理是除了對被處理物實施電鍍等的被覆處理以外,也意思包含從被處理物除去附著於機械加工時等的樹脂殘渣等之除膠渣處理、對被處理物實施預定的處理之前的前處理、實施預定的處理之後的後處理、在各處理的前後因應所需進行的洗淨處理等。
印刷基板、半導體、晶圓等是可藉由對於被處理物進行所望的機械加工等之後,實施除膠渣處理,電鍍等的被覆處理來取得。並且,也有在各處理的前後,因應所需進行前處理或後處理,且進行洗淨處理的情形。如此的各處理是在將被處理物裝入至處理槽,將被處理物的至少一部分或全部浸漬於液的狀態下進行。例如,作為對印刷基板等的板狀工件進行電鍍的技術,有專利文獻1的技術為人所知。專利文獻1的技術是本案申請人先提案者,記載有為了使電鍍處理的品質提升,而在表面處理裝置或電鍍槽設置朝向被處理物噴出電鍍處理液的噴出手段。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2013-11004號公報
(發明所欲解決的課題)
在被實施各種的處理之印刷基板、半導體、晶圓等的表面是形成有通孔(via hole)(層間連接孔)或溝(配線溝)等,為了對應於半導體裝置的高集成化,通孔的直徑或溝的寬度有減少的傾向。另一方面,深度相對於通孔的直徑的比(通孔的深度/直徑)或深度相對於溝的寬度的比(通孔的深度/寬度)是有變大的傾向。因此,即使對印刷基板、半導體、晶圓等的表面實施處理,也有處理液或洗淨液未充分浸透至通孔或溝的內部,發生處理不均的情形。
本發明是著眼於上述般的情事而研發者,其目的是在於提供一種在對被處理物實施表面處理時,可提升表面處理品質的表面處理裝置及表面處理方法。

(用以解決課題的手段)
所為可解決上述課題的本發明的第一表面處理裝置,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其於下述的點具有特徵,
該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部,
前述噴射部係對向於前述被處理物而設,且
具有噴射部旋轉手段及被處理物旋轉手段之中至少一方,
該噴射部旋轉手段,係在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,
該被處理物旋轉手段,係在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。
在上述第一表面處理裝置中,前述被處理物或前述噴射部的至少一方,係以平均旋轉速度100~3000 mm/分來旋轉為理想。又,前述被處理物或前述噴射部的至少一方,係以相當於圓直徑20~200mm來旋轉為理想。
上述課題,係藉由第二表面處理裝置也可解決,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,
該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部,
具有:
將前述被處理物相對於液面傾斜而固定的固定手段;及
使前述噴射部旋轉的噴射部旋轉手段。
上述第二表面處理裝置,係更具有傾斜手段為理想,該傾斜手段係以前述被處理物的被處理面與從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式,將前述噴射部傾斜。
上述課題,係藉由第三表面處理裝置也可解決,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其特徵為:
該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部,
前述噴射部係對向於前述被處理物而設,且
具有噴射部旋轉手段,其係以平行於前述被處理面的軸為中心使前述噴射部旋轉。
在上述第二及第三表面處理裝置中,前述噴射部,係以平均旋轉速度100~3000mm/分來旋轉為理想。又,前述噴射部,係以相當於圓直徑20~200mm來旋轉為理想。
有關上述第一~第三表面處理裝置,前述噴射部,係以平均流速1~30m/秒來噴射前述處理液為理想。又,更具有:從前述表面處理裝置的處理槽抽出前述處理液,往前述噴射部送給的循環路徑、及在該循環路徑上,用以從前述處理槽抽出前述處理液的泵為理想。前述表面處理為電鍍處理時,電鍍浴溫係20~50℃為理想。前述表面處理為電解電鍍處理時,平均電流密度係1~30A/dm2 為理想。前述噴射部,係噴射孔徑1~5mm為理想。前述噴射部的噴射孔,係相鄰的噴射孔的平均距離5~150mm為理想。前述噴射部的噴射孔與前述被處理物的距離,係10~100mm為理想。前述噴射部的方向,係從該噴射部噴射的處理液的噴射方向的角度,當將水平方向設為0度時,-70度~+70度為理想。
可解決上述課題的本發明的第一表面處理方法,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其於下述的點具有特徵,
從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,
將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且
進行以下之至少一方:在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,或在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。
在上述第一表面處理方法中,使前述被處理物或前述噴射部的至少一方以平均旋轉速度100~3000mm/分來旋轉為理想。又,使前述被處理物或前述噴射部的至少一方以相當於圓直徑20~200mm來旋轉為理想。
上述課題,係藉由第二表面處理方法也可解決,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其特徵為:
從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,使前述被處理物相對於液面傾斜,且使前述噴射部旋轉。
在上述第二表面處理方法中,以前述被處理物的被處理面與從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式,將前述噴射部傾斜為理想。
上述課題,係藉由第三表面處理方法也可解決,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其特徵為:
從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且以平行於前述被處理面的軸為中心使前述噴射部旋轉。
在上述第二及第三表面處理方法中,前述噴射部,係以平均旋轉速度100~3000mm/分來旋轉為理想。又,前述噴射部,係以相當於圓直徑20~200mm來旋轉為理想。
有關上述第一~第三表面處理方法,使前述處理液從前述噴射部以平均流速1~30m/秒噴射為理想。至少準備2個前述被處理物,以該被處理物的被處理面作為外側配置於處理槽內為理想。前述被處理物,係亦可在表層具有凹部。具有前述凹部的被處理物,例如為印刷基板、半導體或晶圓。前述表面處理,亦可為電解電鍍處理或無電解電鍍處理。前述表面處理為電鍍處理時,電鍍浴溫係20~50℃為理想。前述表面處理為電解電鍍處理時,平均電流密度係1~30A/dm2 為理想。從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向的角度,係當將水平方向設為0度時,為-70度~+70度為理想。

[發明的效果]
若根據本發明,則在對被處理物實施表面處理時,從對向於被處理物而設的噴射部朝向被處理物噴射處理液,且使噴射部或被處理物的至少一方旋轉。其結果,被噴射於被處理物的表面之處理液的方向會各種變化,因此可減低處理不均,可提升表面處理品質。
本發明的第一~第三表面處理方法皆是對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理的方法,從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液的點共通。
而且,本發明的第一表面處理方法是在從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且進行:在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,或在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉,至少一方之處具有特徴。藉由使前述噴射部旋轉,或使前述被處理物旋轉,從噴射部噴射的處理液接觸於被處理物的位置或方向會變動,因此處理液會從各種的方向接觸於被處理物。其結果,處理液會均一地接觸於被處理物的表面,所以可減低處理不均,可提升表面處理品質。
本發明的第二表面處理方法是在從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,使前述被處理物相對於液面傾斜,且使前述噴射部旋轉之處有特徴。藉由使前述噴射部旋轉,從噴射部噴射的處理液接觸於被處理物的位置或方向會變動,因此處理液會從各種的方向接觸於被處理物。並且,藉由使前述被處理物相對於液面傾斜,附著於被處理物表面的氣泡或附著於被形成於被處理物表面的凹部或貫通孔內的氣泡會容易被除去、排出。其結果,處理液會均一地接觸於被處理物的表面,因此可減低處理不均,可提升表面處理品質。
在上述第二表面處理方法中,以前述被處理物的被處理面與從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式將前述噴射部傾斜為理想。藉由將相對於液面之被處理物的被處理面的傾斜角度與相對於液面之噴射部的傾斜角度設為相同,處理液會均一地接觸於被處理物的表面,因此可減低處理不均,可更提升表面處理品質。
本發明的第三表面處理方法是在從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且以平行於前述被處理面的軸為中心來使前述噴射部旋轉之處有特徴。藉由將噴射部對向於被處理物而設,使此噴射部以平行於被處理面的軸為中心旋轉,從噴射部噴射的處理液接觸於被處理物的位置或方向會變動,因此處理液會從各種的方向接觸於被處理物。其結果,處理液會均一地接觸於被處理物的表面,因此可減低處理不均,可提升表面處理品質。
如以上般,在本發明的第一表面處理方法中,使噴射部或被處理物的至少一方旋轉,在第二、第三表面處理方法中,藉由使噴射部旋轉,可提升表面處理品質。以下,詳細說明有關第一~第三表面處理方法。
在本發明的表面處理方法中,將被處理物的至少一部分浸漬於液,從噴射部噴射處理液至此被處理物。
浸漬上述被處理物的液、及從上述噴射部噴射的處理液的組成是可為相同或相異。
上述被處理物是只要至少一部分被浸漬於處理槽內的液即可,亦可為全部被浸漬。又,亦可為上述被處理物一部分浸漬於處理槽內的液的狀態與全部浸漬的狀態會週期性或隨機地被重複。
上述噴射部是朝向上述被處理物的被處理面而設,在上述噴射部的前端是設有噴射處理液的噴射孔。有關噴射孔是在後詳述。
在上述第一表面處理方法中,使噴射部或被處理物的至少一方旋轉,在第二、第三表面處理方法中,使噴射部旋轉。
上述被處理物或上述噴射部的旋轉方向是未被特別加以限定,可為順時針(正方向)或反時針(反轉方向)。又,亦可週期性或隨機地重複順時針與反時針。
上述被處理物或上述噴射部的旋轉條件是未被特別加以限定,但理想的條件是如其次般。
[平均旋轉速度]
上述被處理物或上述噴射部是以平均旋轉速度100~ 3000mm/分來使旋轉為理想。平均旋轉速度未滿100mm/分,不能充分取得旋轉所致之表面處理品質提升效果。平均旋轉速度是較理想為150mm/分以上,更理想為200mm/分以上。但,若平均旋轉速度超過3000mm/分,則由於處理槽內的液被過攪拌,因此在被處理物上的處理液的流速會變過大,表面處理的反應未被促進,反而有表面處理品質劣化的情形。平均旋轉速度是較理想為2500mm/分以下,更理想為2000mm/分以下,特別理想是1500mm/分以下,最理想是1000mm/分以下。
上述被處理物或上述噴射部的旋轉速度是亦可以平均旋轉速度符合上述範圍的方式適當變更。例如,亦可為表面處理的初期是相對性地擴大旋轉速度,後期是相對性地縮小旋轉速度。藉由在表面處理的初期擴大旋轉速度,處理液會到達至通孔或溝的內部,藉由縮小旋轉速度,處理液會與通孔或溝的前面側接觸,因此可均一地進行表面處理。又,亦可為表面處理的初期是擴大旋轉速度,與時間的經過一同縮小。另一方面,亦可為表面處理的初期是相對性地縮小旋轉速度,後期是相對性地擴大旋轉速度。藉由縮小表面處理的初期的旋轉速度,可使在被處理物上的處理緩和地進展,因此可使表面性狀形成良好。上述被處理物或上述噴射部的旋轉速度,由使表面處理品質提升的觀點來看,初期是相對性地擴大旋轉速度,後期是相對性地縮小旋轉速度為理想。
所謂上述表面處理的初期是意思相對於噴射處理液至被處理物的處理時間全體,至少含1/3的時間的時間,所謂上述表面處理的後期是意思相對於噴射處理液至被處理物的處理時間全體,至少含1/3的時間的時間(以下相同)。
[相當於圓直徑]
使上述被處理物或上述噴射部旋轉時的大小是相當於圓直徑20~200mm(旋轉半徑10~100mm)為理想。相當於圓直徑為未滿20mm是不能充分取得旋轉所致之表面處理品質提升效果。相當於圓直徑是較理想為30mm以上,更理想為40mm以上。但,若相當於圓直徑超過200mm,則旋轉所致之表面處理品質提升效果飽和。相當於圓直徑是較理想為150mm以下,更理想是100mm以下。
[旋轉軌跡]
使上述被處理物或上述噴射部旋轉時的旋轉軌跡是未被特別加以限定,例如,可舉真圓、楕圓、三角、四角、多角等,亦可為組合2個以上。例如,亦可使旋轉為8字形。
在上述第一表面處理方法中,上述被處理物或上述噴射部是只要使至少一方旋轉即可,亦可使雙方旋轉。藉由使上述被處理物及上述噴射部的雙方旋轉,處理液容易接觸於被處理物的被處理面,因此表面處理會被促進,提升表面處理品質。使上述被處理物及上述噴射部的雙方旋轉時,可使雙方旋轉於同一方向,亦可使一方順時針,另一方反時針旋轉。
使上述被處理物及上述噴射部的雙方旋轉時的條件是可針對被處理物、噴射部的各者在上述的範圍內適當調整平均旋轉速度、相當於圓直徑、旋轉軌跡等。
在上述第一表面處理方法中,上述被處理物或上述噴射部是亦可一面使該被處理物或該噴射部旋轉,一面使搖動。例如,可一面使被處理物旋轉,一面使旋轉的被處理物往復移動而搖動。使搖動的方向是例如相對於液面水平方向、相對於液面上下方向等,可使往復移動於直線方向。
在上述第一表面處理方法中,亦可使上述被處理物或上述噴射部之中,一方旋轉,使另一方搖動。例如,亦可使上述被處理物旋轉,且使上述噴射部往復移動於水平方向而搖動。使搖動的方向是例如相對於液面水平方向,相對於液面上下方向等,可使往復移動於直線方向。
在上述第二及第三表面處理方法中,亦可一面使上述噴射部旋轉,一面使搖動。例如,可一面使噴射部旋轉,一面使旋轉的噴射部往復移動而搖動。使搖動的方向是例如相對於液面水平方向,相對於液面上下方向等,可使往復移動於直線方向。
上述被處理物或上述噴射部的搖動條件是為被特別加以限定,但理想的條件是如次般。
[被處理物或噴射部的移動距離]
使被處理物或噴射部往復移動而使搖動時的單程的移動距離是例如5~500mm為理想。移動距離過短,過長,處理液接觸於被處理物的效率也會降低,因此難以取得搖動所致之表面處理品質提升效果。移動距離是較理想為10mm以上,更理想為30mm以上,較理想為450mm以下,更理想為400mm以下。
[1往復所要的時間]
使搖動時的1往復所要的時間是例如1~600秒為理想。若時間過短,則被處理物或噴射部變振動,被處理物上的反應難進展,因此難取得搖動所致之表面處理品質提升效果。又,若時間過長,則由於被處理物或噴射部幾乎不搖動,因此處理液接觸於被處理物的效率降低,難取得表面處理品質提升效果。1往復所要的時間是較理想為30秒以上,更理想為60秒以上,較理想為550秒以下,更理想為500秒以下。
在上述第一~第三表面處理方法中,從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液,從噴射部噴射的處理液的平均流速的理想範圍是如其次般。
[處理液的平均流速]
使從上述噴射部噴射的上述處理液的平均流速是1~30 m/秒為理想。平均流速為未滿1m/秒是不能充分取得處理液的噴射所致之表面處理品質提升效果。平均流速是較理想為3m/秒以上,更理想為5m/秒以上。但,若平均流速超過30m/秒,則被處理物的表面會損傷,反而有表面處理品質劣化的情形。平均流速是較理想為25m/秒以下,更理想為20m/秒以下。
上述處理液的流速是亦可以平均流速符合上述範圍的方式適當變更。例如,亦可為表面處理的初期是相對性地擴大處理液的流速,後期是相對性地縮小處理液的流速。藉由在表面處理的初期擴大處理液的流速,處理液會到達至通孔或溝的內部,藉由縮小處理液的流速,處理液會與通孔或溝的前面側接觸,因此可均一地進行表面處理。又,處理液的流速是亦可為初期擴大,與時間的經過一同縮小。另一方面,亦可為表面處理的初期是相對性地縮小處理液的流速,後期是相對性地擴大處理液的流速。藉由縮小表面處理的初期的處理液的流速,可使在被處理物上的處理緩和地進展,因此可使表面性狀形成良好。上述處理液的流速,由使表面處理品質提升的觀點來看,初期是相對性地擴大,後期是相對性地縮小為理想。
上述處理液是可從上述噴射部連續性地噴射或斷續性地噴射。藉由使斷續性地噴射,處理液接觸於被處理物的表面的機會增加,因此表面處理會被促進。使斷續性地噴射時,可使週期性地噴射或使隨機地噴射。
以本發明的表面處理方法來對複數的被處理物實施表面處理時,是以被處理物的被處理面形成外側之方式,背對背來配置於處理槽內為理想。亦即,只要至少準備2個上述被處理物,以該被處理物的被處理面作為外側配置於處理槽內而進行表面處理即可。
上述被處理面的表面性狀是未被特別加以限定,可為平滑或在表層具有凹部。在本發明中,由於使噴射部或被處理物旋轉,因此即使在被處理物的表層有凹部,也可使處理液浸透至凹部的內部,可無不均表面處理。
上述凹部是意思被形成於被處理部的表層的開口部,可舉通孔或溝。通孔是朝向被處理物的厚度方向,可為貫通孔或非貫通孔。具有上述凹部的被處理物是例如可舉印刷基板、半導體、晶圓。上述晶圓是例如可舉晶圓級晶片尺寸封裝(Wafer level Chip Size Package)或扇出型晶圓級封裝(fan-out wafer-level packaging)等。
上述表面處理是對被處理物實施電鍍等的被覆處理以外,從被處理物除去在機械加工時等附著的樹脂殘渣等之除膠渣處理、對被處理物實施預定的處理之前的前處理、實施預定的處理之後的後處理、在各處理的前後因應所需而進行的洗淨處理等也包含的意思。上述被覆處理是可舉電鍍處理,具體而言,可為電解電鍍處理或無電解電鍍處理。
電鍍處理的理想條件是如其次般。
[電鍍浴溫]
上述電鍍處理的電鍍浴溫是例如20~50℃為理想。若電鍍浴溫過低,則電鍍處理難進展。另一方面,若電鍍浴溫過高,則電鍍不均容易發生,反而表面處理品質劣化。電鍍浴溫是較理想為23℃以上,更理想為25℃以上,較理想為45℃以下,更理想為40℃以下。
[電解電鍍處理的平均電流密度]
上述電解電鍍處理的平均電流密度是例如1~30A/dm2 為理想。若平均電流密度過小,則電解電鍍處理難進展。另一方面,若平均電流密度過大,則電解電鍍不均容易發生,反而表面處理品質劣化。平均電流密度是較理想為3A/dm2 以上,更理想為5A/dm2 以上,較理想為25A/dm2 以下,更理想為20A/dm2 以下。
[電解電鍍處理的時間]
上述電解電鍍處理的時間是按照被要求的電鍍膜厚來調整為理想。
其次,說明有關本發明的表面處理裝置。本發明的第一表面處理裝置是對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理的裝置,該裝置是具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部,前述噴射部是對向於前述被處理物而設。而且,在具有噴射部旋轉手段及被處理物旋轉手段之中至少一方的點具有特徵,該噴射部旋轉手段是在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,該被處理物旋轉手段是在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。
關於本發明的第一表面處理裝置,利用圖面來說明有關具體的型態。在以下是說明有關用以對印刷基板進行電解電鍍處理的第一表面處理裝置,但本發明的第一表面處理裝置是不限於此。
圖1是表示本發明的第一表面處理裝置的構成例的模式圖,具有在相對於被處理物的被處理面平行的面內使噴射部旋轉的噴射部旋轉手段。在圖1中,在處理槽1是儲存有液體3,被處理物2的全部會被浸漬於液體3。3a是表示處理液的液面。搬送手段4是將被處理物2出入於處理槽1的手段。在圖1中,被處理物2會利用治具5來被保持於搬送手段4。治具導件6是保持治具5。陽極7是被設在處理槽1的壁面附近。
噴射手段21是噴射處理液的手段,朝向被處理物2的被處理面2a噴上處理液的手段。在噴射手段21是設有噴射部22,噴射部22是對向於被處理物2的被處理面2a。噴射部22是以下有稱為噴灑器(sparger)的情形。噴射部22是與噴灑器管23連通。利用圖2來詳細說明有關上述噴射手段21。
圖2的(a)是噴射手段21的側面圖,與在圖1所示的噴射手段21同樣的圖。圖2的(b)是從A方向來表示在(a)所示的噴射手段21的圖,圖2的(c)是從B方向來表示在(a)所示的噴射手段21的圖。在噴射部22是設有複數個噴射孔24,此噴射孔24是對向於被處理物2的被處理面2a。
[噴射孔與被處理物的被處理面之距離]
上述噴射孔24與上述被處理物2的被處理面2a之距離是例如10~100mm為理想。若上述距離過小,則被處理物的表面會有因處理液的力量而損傷的情形,若上述距離過大,則須提高使從噴射部噴射的處理液的流速,設備負荷變大。上述距離是較理想為15mm以上,更理想為20mm以上,較理想為90mm以下,更理想為80mm以下。
在圖2是表示設置10個噴射部22的構成例,但噴射部22的數量是未被特別加以限定,可考慮表面處理方法的種類、表面處理的條件、第一表面處理裝置的大小等來決定。
在圖2的(b)所示的噴射孔24的數量也未特別加以限定,只要考慮表面處理方法的種類、表面處理的條件、第一表面處理裝置(特別是噴射部22)的大小等來設置即可。
回到圖1繼續說明。循環路徑8是用以使液體3循環的路徑,從處理槽1抽出液體3,通過設在噴射手段21的噴灑器管23來朝噴射部22送給的路徑。在循環路徑8是設有:用以從處理槽1抽出液體3的泵9、用以除去含在液體3中的固體部分的過濾器10。藉由從循環路徑8將液體3供給至噴射手段21,可從噴射部22將液體3作為處理液噴射至被處理物2的被處理面2a。另外,在圖1中顯示設置循環路徑8的構成,但循環路徑8是亦可不設,不設循環路徑8時,從未圖示的路徑往噴射手段21供給處理液,且從未圖示的路徑排出處理槽1的多餘的液體3為理想。
噴射手段21是被安裝於噴射部旋轉手段31,噴射部22是被構成為在相對於被處理物2的被處理面2a平行的面內旋轉。亦即,噴射手段21是被保持於管支柱32,管支柱32與框33是經由拖架34來連接。
將表示框33與馬達35的連接狀態的立體圖顯示於圖3。基於說明的方便起見,在圖3中,圖1的一部分是未被圖示。並且,在圖3所示的無括號的符號與附符號的符號是表示同樣的構成構件。
如圖3所示般,框33是經由軸36a~36e、正時滑輪(timing pulley)37a~37e、正時皮帶(timing belt)38a~ 38c來與馬達35連接。
如圖1、圖3所示般,馬達35的旋轉動力會經由軸、正時滑輪、正時皮帶來傳達至框33,藉此噴射部22是在相對於被處理物2的被處理面2a平行的面內旋轉。並且,在圖1中,分別設置軸承39、保持馬達35等的框40、用以使框40移動的移動台座41、用以使移動台座41移動的軌道42。
藉由使上述移動台座41搖動於相對於紙面左右方向,可使噴射部22與被處理物2的被處理面2a的距離變動。藉由使噴射部22與被處理物2的被處理面2a的距離變動,處理液會容易均一地接觸於被處理物的表面,表面處理品質會提升。
[變動寬度]
上述噴射部22與上述被處理面2a的距離的變動寬度是未被特別加以限定,但例如10~100mm為理想。若上述變動寬度過小或過大,則難以取得藉由使被處理物移動之表面處理品質提升效果。上述變動寬度是較理想為20mm以上,更理想為30mm以上,較理想為90mm以下,更理想為80mm以下。
使上述噴射部22與上述被處理面2a的距離變動時的條件是未被特別加以限定,亦可為表面處理的初期是縮短上述距離,朝表面處理的末期拉長上述距離。
使上述移動台座41相對於紙面來移動於左右方向時的週期也未被特別加以限定,但1往復所要的時間是例如設為1~300秒為理想。若上述1往復所要的時間過短或過長,則難以取得藉由使上述噴射部22與上述被處理面2a的距離變動之表面處理品質提升效果。上述1往復所要的時間是較理想為30秒以上,更理想為60秒以上,較理想為250秒以下,更理想為200秒以下。
另外,在圖1是顯示為了使馬達35等移動,而設置移動台座41及軌道42的例子,但不使馬達35等移動時,移動台座41及軌道42是可不設。
在上述圖1中顯示設置1個噴射部旋轉手段31的構成例,但噴射部旋轉手段31的數量是不限於1個,亦可設置2個以上。例如,設置2個噴射部旋轉手段31時,準備2個被處理物2,以該被處理物2的被處理面2a作為外側來配置於處理槽1內,噴射部22可配置為在相對於各被處理面平行的面內旋轉。
其次,利用圖4來說明有關本發明的第一表面處理裝置的其他的構成例。
圖4是具有在相對於從噴射部22噴射的處理液的噴射方向垂直的面內旋轉被處理物2的被處理物旋轉手段61。在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。另外,圖4所示的第一表面處理裝置也表示對被處理物2的表面實施電解電鍍的裝置。
在圖4的處理槽1是儲存有液體3,被處理物2會浸漬於液體3中。上述被處理物2是藉由未圖示的搬送手段來搬送至處理槽1者,沿著被設在治具支座53的治具導件54來裝入至治具支座53,被浸漬於處理槽1內。
在圖4中,二個的被處理物會以被處理面2a及2b作為外側配置於處理槽1內,且分別對向於被處理面2a及2b來設有噴射部22a及22b。
噴射部22a及22b是分別連通至噴灑器管23a及23b,噴灑器管23a及23b是藉由固定具52a及52b、固定具55a、55b來被固定於處理槽1。
在圖4也與上述圖1同樣,設置將處理槽1的液體3循環的循環路徑8。循環路徑8是在途中,分歧成路徑8a及路徑8b,路徑8a是連接至噴灑器管23a,路徑8b是連接至噴灑器管23b。
上述治具支座53是被安裝於被處理物旋轉手段61,被處理物2是被構成為在相對於從噴射部22a、22b噴射的處理液的噴射方向垂直的面內旋轉。亦即,被處理物2是被保持於治具支座53,治具支座53與框33是被連接於拖架34。
在連接上述治具支座53與上述被處理物旋轉手段61時,例如,只要取代圖3所示的管支柱32,安裝治具支座53,取代噴灑器管23,安裝被處理物2即可。另外,在治具支座53是如上述般設置治具導件54,可將安裝於治具5的被處理物2沿著治具導件54來裝入至治具支座53。
上述被處理物2是馬達35的旋轉動力會經由軸、正時滑輪、正時皮帶來傳達至框33,藉此在相對於從噴射部22a、22b噴射的處理液的噴射方向垂直的面內旋轉。
在圖4是顯示設置2個被處理物旋轉手段61的構成例,但被處理物旋轉手段61的數量是不限於2個,亦可為1個,或設置3個以上。
以上,在圖1是顯示具備在相對於被處理物的被處理面平行的面內旋轉噴射部的噴射部旋轉手段之第一表面處理裝置,在圖4是顯示具備在相對於從噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內旋轉被處理物的被處理物旋轉手段之第一表面處理裝置。
其次,利用圖5及圖6來說明本發明的第一表面處理裝置的其他的構成例。圖5所示的第一表面處理裝置是表示與上述圖1所示的第一表面處理裝置同樣,具備在相對於被處理物的被處理面平行的面內旋轉噴射部的噴射部旋轉手段之第一表面處理裝置的構成例。圖6是從A方向來表示圖5所示的第一表面處理裝置的剖面圖。
在上述圖1所示的第一表面處理裝置與在上述圖5所示的第一表面處理裝置是具有使噴射部旋轉的手段的點一致,在圖1中,將噴射部旋轉手段安裝於框33,使馬達35的旋轉動力傳達至框33,藉此使噴射部旋轉手段旋轉,相對的,在圖5、6中,將噴射部旋轉手段安裝於垂直框106,利用軸36i、銷107及軸承39a~軸承39d來將該垂直框106固定於基底框101的點不同。
以下,詳述有關圖5及圖6。另外,在與圖1~圖4同樣之處附上同一符號而避免重複說明。並且,在圖5及圖6中,省略圖1~圖4所示的構件的一部分來表示。
首先,參酌圖6。與噴灑器管23連通的噴射部(噴灑器)是對向於被處理物2的被處理面,噴灑器管23是被安裝於垂直框106。垂直框106是以隔著處理槽1的方式具備1組,被連接於水平框102。
在垂直框106是固定有軸承39c及軸承39d。以通過軸承39c及軸承39d的方式設置銷107,銷107的兩端是分別被固定於偏離板105i及板105j的中心軸的位置。另一方面,在板105i及板105j的中心是分別連接軸36i及軸36j。
在基底框101是固定有軸承39a及軸承39b,通過上述板105j的中心的軸36j是與軸承39b連接。另一方面,通過上述板105i的中心的軸36i是與軸承39a連接,軸36i的末端是被連接至接合器104。在接合器104是以軸36k來和齒輪箱(gear box)103連接。
其次,參酌圖5。基底框101是包圍處理槽1的一部分的U字狀,軸承39會被固定於基底框101。在圖5是顯示4個軸承39,但軸承39的數量是不限於此。在齒輪箱103c是與軸36k分開另外連接軸36h,軸36h的末端是被連接至齒輪箱103c。並且,軸36h是被固定於軸承39。
本發明的第一表面處理裝置是不限於該等的構成,例如,亦可在相對於被處理物的被處理面平行的面內使噴射部旋轉,且在相對於從噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內旋轉被處理物,亦即,亦可將噴射部與被處理物的雙方旋轉。
其次,說明有關本發明的第二表面處理裝置。本發明的第二表面處理裝置是對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理的裝置,該裝置是具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部。而且,在具有將前述被處理物相對於液面傾斜而固定的固定手段及使前述噴射部旋轉的噴射部旋轉手段之點具有特徴。
利用圖7來詳細說明有關本發明的第二表面處理裝置的構成例。在以下是說明有關用以對印刷基板進行電解電鍍處理的第二表面處理裝置,但本發明的第二表面處理裝置是不限於此。另外,在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
在圖7所示的噴射部是以平行於液面的軸為中心旋轉的點,與上述圖6同樣。另一方面,在圖7中,藉由未圖示的固定手段,將被處理物2相對於液面傾斜而固定。藉由使被處理物2相對於液面而傾斜,附著於被處理物表面的氣泡,或附著於被形成於被處理物表面的凹部或貫通孔內的氣泡會被排出、除去。其結果,處理液會均一地接觸於被處理物的表面,因此可減低處理不均,可提升表面處理品質。
上述被處理物2的被處理面與液面所成的角度θ是超過0度,未滿90度為理想,較理想為20度以上,更理想為40度以上,較理想為80度以下,更理想為60度以下。
另外,在被處理物2形成有貫通孔時,上述被處理物2的被處理面與液面所成的角度θ是例如亦可為超過90度,未滿180度。角度θ是較理想為110度以上,更理想為130度以上,較理想為170度以下,更理想為150度以下。
其次,利用圖8來詳細說明有關本發明的第二表面處理裝置的其他的構成例。在以下是說明有關用以對印刷基板進行電解電鍍處理的第二表面處理裝置,但本發明的第二表面處理裝置是不限於此。另外,在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
在圖8所示的噴射部是以平行於液面的軸為中心旋轉的點,與上述圖6及圖7同樣。並且,在圖8中,藉由未圖示的固定手段,將被處理物2相對於液面傾斜而固定的點,與圖7同樣。另一方面,在圖8中,以前述被處理物2的被處理面與從前述噴射部22噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式,在噴灑器管23的途中更具有將前述噴射部22傾斜的傾斜手段25。藉由調整傾斜手段25的角度,可調整噴射部22相對於液面的傾斜角度θ1。
藉由將相對於液面之被處理物2的被處理面的傾斜角度θ與相對於液面之噴射部22的傾斜角度θ1設為相同,處理液會均一地接觸於被處理物2的表面,因此可減低處理不均,可更提升表面處理品質。
上述角度θ及θ1是朝過0度,未滿90度為理想,較理想為20度以上,更理想為40度以上,較理想為80度以下,更理想為60度以下。另外,在被處理物2形成有貫通孔時,上述角度θ及θ1是例如亦可為超過90度,未滿180度。角度θ是較理想為110度以上,更理想為130度以上,較理想為170度以下,更理想為150度以下。
在圖8中,從噴射孔的前端到上述被處理物2的被處理面的最短距離是例如10~100mm為理想。若上述最短距離過小,則被處理物的表面會有因處理液的力量而損傷的情形,若上述最短距離過大,則須提高使從噴射部噴射的處理液的流速,設備負荷變大。上述最短距離是較理想為15mm以上,更理想為20mm以上,較理想為90mm以下,更理想為80mm以下。
其次,說明有關本發明的第三表面處理裝置。本發明的第三表面處理裝置是對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理的裝置,該裝置是具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部。而且,前述噴射部是對向於前述被處理物而設,且在具有以平行於前述被處理面的軸為中心來使前述噴射部旋轉的噴射部旋轉手段之點具有特徴。
利用圖9來詳細說明有關本發明的第三表面處理裝置的構成例。在以下是說明有關用以對印刷基板進行電解電鍍處理的第三表面處理裝置,但本發明的第三表面處理裝置是不限於此。另外,在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
在圖9所示的噴射部是以平行於液面的軸為中心旋轉的點,與上述圖6、圖7、及圖8同樣。另一方面,在圖9中,藉由未圖示的固定手段,以被處理物2的被處理面與液面成為平行的方式固定,且被處理物2的被處理面與噴射部是對向。亦即,在第三表面處理裝置中,在水平框43設有噴灑器管23,在噴灑器管23的噴射部22的下方配置被處理物2,噴射部與被處理物的被處理面是相對於液面平行。從噴射部22噴射的處理液是被噴射至鉛直方向下方向。藉由將噴射部22對向於被處理物2而設,使此噴射部22以平行於被處理物2的被處理面的軸為中心旋轉,從噴射部22噴射的處理液接觸於被處理物2的位置或方向會變動,因此處理液會從各種的方向接觸於被處理物2。其結果,由於處理液會均一地接觸於被處理物2的表面,因此可減低處理不均,可提升表面處理品質。
從噴射部22的噴射孔的前端到上述被處理物2的被處理面的最短距離是例如10~100mm為理想。若上述最短距離過小,則被處理物2的表面會有因處理液的力量而損傷的情形,若上述最短距離過大,則須提高使從噴射部22噴射的處理液的流速,設備負荷變大。上述最短距離是較理想為15mm以上,更理想為20mm以上,較理想為90mm以下,更理想為80mm以下。
另外,在上述圖9中,說明有關固定被處理物2的構成例,但本發明是不限於此,亦可在相對於從噴射部22噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使被處理物2旋轉。
在上述圖9所示的第三表面處理裝置中,亦可設置在相對於被處理物的被處理面平行的面內使噴射部旋轉的噴射部旋轉手段。利用圖10來詳細說明有關該噴射部旋轉手段。另外,在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
在圖10中,垂直框44會被連接至水平框43,噴灑器管23會被連接至垂直框44。在噴灑器管23是設有用以將處理液供給至噴灑器管23的供給口45。在水平框43是除了垂直框之外,具備有正時滑輪37f~37i,正時滑輪37f與正時滑輪37g是以正時皮帶38d來連接,正時滑輪37g與正時滑輪37h是以正時皮帶38e來連接,正時滑輪37f與正時滑輪37i是以正時皮帶38f來連接。正時滑輪37f與馬達35也以皮帶連接。
如圖10所示般,馬達35的旋轉動力會經由正時滑輪及正時皮帶來被傳達至水平框43,水平框43是在相對於液面平行的面內旋轉。藉由水平框43在相對於液面平行的面內旋轉,被連接至該水平框43的垂直框44也旋轉,噴灑器管23也旋轉。
其次,說明有關在上述第一~第三表面處理裝置中設置的噴射孔。
[噴射孔的孔徑]
上述噴射孔24的孔徑是未特別加以限定,但例如1~5mm為理想。若孔徑過小,則接觸於被處理物的處理液的力量過強,因此有被處理物的表面損傷的情形,若孔徑過大,則用以從噴射部噴射處理液的設備負荷變大。孔徑是較理想為1.3mm以上,更理想為1.5mm以上,較理想為4mm以下,更理想為3mm以下。
[相鄰的噴射孔的平均距離]
上述噴射孔24是相鄰的噴射孔的平均距離為5~150mm為理想。若上述平均距離過短,則處理液難從噴射部噴射,若上述平均距離過長,則由於從噴射部噴射的處理液不會均一地接觸於被處理物,因此難以取得表面處理品質提升效果。上述平均距離是較理想為10mm以上,更理想為30mm以上,較理想為130mm以下,更理想為100mm以下。
上述噴射孔24是如圖2的(b)所示般,可配列成矩形格子狀,或亦可配列成斜方格子狀、六角格子狀(有被稱為交錯狀的情形)、正方格子狀、平行體格子狀。
[噴射方向的角度]
從上述噴射部22的上述噴射孔24噴射的處理液的噴射方向是未被特別加以限定,將水平方向設為0度時,噴射方向的角度是例如-70度~+70度的範圍為理想。若噴射方向的角度在正方向或負方向過大,則從噴射部噴射的處理液會難以接觸於被處理物的表面,因此難以取得藉由噴射處理液之表面處理品質提升效果。噴射方向的角度是較理想為-50度以上,更理想為-30度以上,較理想為50度以下,更理想為30度以下。
上述噴射部22的上述噴射孔24的配列狀態也未被特別加以限定,亦可以全部的噴射孔24的方向成為水平方向、下方向或上方向的方式調整角度,或亦可按每個噴射部22以噴射孔24的方向成為水平方向、下方向或上方向的方式調整角度。又,亦可按每個噴射孔24調整方向。
[面積的比例]
相對於上述被處理物2的被處理面2a的面積,上述噴射手段21之中設有噴射孔24的領域的面積的比例是例如100~200%為理想。若上述面積的比例過小,則從噴射部噴出的處理液難以均一地接觸於被處理物的表面,因此難以取得表面處理品質提升效果。另一方面,即使擴大上述面積的比例,使處理液噴射所致的效果也會飽和,成為浪費。上述面積的比例是較理想為103%以上,更理想為105%以上,較理想為180%以下,更理想為160%以下。
其次,說明有關利用本發明的表面處理裝置來對被處理物實施表面處理的程序。圖11是用以說明利用具有圖1所示的噴射部旋轉手段31的第一表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的程序的模式圖。在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
圖11的(a)是表面處理設備的俯視圖,在圖11的(a)是配置4個(I~IV)具有噴射部旋轉手段31的第一表面處理裝置。並且,將從A方向來表示在圖11的(a)的II所示的第一表面處理裝置的剖面圖顯示於圖11的(b)。在圖11中,鄰接於處理槽1來設置漲落槽1a。另外,在圖11中,顯示設置漲落槽1a的構成例,但漲落槽1a是亦可不設。
圖11的4a是搬送被處理物2的搬送裝置,可移動於軌道71上。第一表面處理裝置I~IV是鄰接於軌道71而配置,在圖11的(a)中,搬送裝置4a與第一表面處理裝置II會被連接。被處理物2是從搬送裝置4a往第一表面處理裝置II裝入,或從第一表面處理裝置II朝搬送裝置4a取出。
圖11的(b)是表示連接搬送裝置4a與第一表面處理裝置II的狀態。被處理物2是以治具5來被保持於搬送裝置4a。在圖11的(b)是以虛線來表示在儲存於處理槽1的液體3中浸漬被處理物2的狀態、及將裝入至漲落槽1a的被處理物2一部分浸漬於液體3的狀態。
從搬送裝置4a將被處理物2朝處理槽1裝入時,首先,將被設在漲落槽1a的遮板81a降下,使安裝在搬送裝置4a的被處理物2連同治具5往搬送手段4水平滑動而裝入至漲落槽1a。其次,升起遮板81a,至漲落槽1a內的被處理物2浸漬為止儲存液體3。其次,將遮板81b降下,使安裝被處理物2的治具5朝處理槽1內滑動。在處理槽1內是只要預先儲存液體3即可。一旦將被處理物2搬送至處理槽1內,則升起遮板81b,在圖11的(b)是只要藉由未圖示的噴射部旋轉手段31來對被處理物2的表面實施處理即可。被處理物2的表面處理後是只要以相反的程序來使被處理物2從處理槽1取出即可。
圖12是用以說明利用具有圖4所示的被處理物旋轉手段61的第一表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的程序的模式圖。在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
圖12的(a)是表面處理設備的俯視圖,在圖12的(a)是配置4個(I~IV)具有被處理物旋轉手段61的第一表面處理裝置。並且,將從A方向來表示在圖12的(a)的II所示的第一表面處理裝置的剖面圖顯示於圖12的(b)。
圖12的(b)是表示連接搬送裝置4a與第一表面處理裝置II的狀態。被處理物2是以治具5來保持於搬送裝置4a。在圖12的(b)是以虛線來表示將被處理物2浸漬於處理槽1所儲存液體3的狀態。
從搬送裝置4a將被處理物2朝處理槽1裝入時,首先,使安裝於搬送裝置4a的被處理物2連同治具5水平滑動至處理槽1的上方。其次,使以治具5保持的被處理物2垂下至處理槽1內,裝入至設在處理槽1內的治具支座53。在治具支座53的壁面是如圖4所示般,只要設置治具導件54即可。在處理槽1內是亦可預先儲存液體3。
一旦將被處理物2搬送至處理槽1內,則只要一面藉由在圖12的(b)未圖示的被處理物旋轉手段61來使被處理物2旋轉,一面對被處理物2的表面實施處理即可。被處理物2的表面處理後是只要以相反的程序來從處理槽1取出被處理物2即可。
另外,在圖12是顯示設置一個處理槽,使被處理物2從處理槽1的上方垂下而裝入的構成例,但本發明是不限於此,如上述圖11所示般,亦可在處理槽1的壁面設置遮板,從水平方向往處理槽1內裝入被處理物2,或與處理槽1分開另外設置漲落槽1a。
圖13是用以說明利用與上述圖11同樣具有圖1所示的噴射部旋轉手段31的第一表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的其他的程序的模式圖,在圖13是設置2個噴射部旋轉手段31。並且,在圖13中,與上述圖11不同,漲落槽1a是未設置。在與上述圖面同樣之處附上同一符號而避免重複說明。
在圖13中,以被處理物2的被處理面形成向外的方式配置,對向於各者的被處理面來設置噴射部。噴射部是在相對於被處理物2的被處理面平行的面內旋轉。
如圖13的(b)所示般,從搬送裝置4a將被處理物2朝處理槽1裝入時,首先,使安裝於搬送裝置4a的被處理物2連同治具5水平滑動至處理槽1的上方。其次,使以治具5保持的被處理物2垂下至處理槽1內,可用設在處理槽1內的治具導件6來固定。在處理槽1內是亦可預先儲存液體3。
一旦將被處理物2搬送至處理槽1內,則只要一面藉由在圖13的(b)未圖示的噴射部旋轉手段31來使噴射部旋轉,一面對被處理物2的表面實施處理即可。被處理物2的表面處理後是只要以相反的程序來從處理槽1取出被處理物2即可。
本案是根據2017年9月20日申請的日本專利申請案第2017-180414號主張優先權。上述日本專利申請案第2017-180414號的說明書的全內容為了本案參考而被援用。

[實施例]
以下,舉實施例來更具體地說明本發明,但本發明並非依據下述實施例來受限,當然可在適合於前述及後述的主旨範圍加以變更而實施,該等皆為本發明的技術範圍所包含。
利用圖1所示的第一表面處理裝置,對被處理物的被處理面實施表面處理。使用附圖案及通孔的印刷基板,作為被處理物,進行電解電鍍,作為表面處理。在被處理物的表層是形成有通孔,作為凹部。通孔的開口部的相當於圓直徑是40μm。電解電鍍時的電鍍浴溫是設為30℃,平均電流密度是設為10A/dm2 。在表面處理時,一面使噴射部在相對於被處理物的被處理面平行的面內旋轉,一面從噴射部使處理液噴射至被處理物的被處理面。
上述噴射部是設為10個,設在各噴射部的噴射孔的孔徑是設為2mm,相鄰的噴射孔的平均距離是設為50mm(亦即,噴射孔是上下左右皆各離開50mm),噴射孔的平面配列是設為矩形格子狀。從上述噴射孔噴射的處理液的噴射方向是水平方向(0度)。相對於上述被處理面的面積,設有上述噴射孔的領域的面積的比例是110%。上述噴射孔與上述被處理面的距離是設為35mm。
使上述噴射部旋轉時的相當於圓直徑是設為75mm(旋轉半徑是37.5mm)旋轉方向是設為正方向(順時針),平均旋轉速度是設為600mm/分。使從上述噴射部噴射的上述處理液的平均流速是設為10m/秒。
表面處理後,以剖面觀察測定被處理物的表層,觀察是否在凹部實施電鍍,評價表面處理品質。其結果,至凹部的內部為止實施電鍍,表面處理品質良好。
1‧‧‧處理槽
1a‧‧‧漲落槽
2‧‧‧被處理物
2a、2b‧‧‧被處理面
3‧‧‧液
3a‧‧‧液面
4‧‧‧搬送手段
4a‧‧‧搬送裝置
5‧‧‧治具
6‧‧‧治具導件
7‧‧‧陽極
8‧‧‧循環路徑
8a、8b‧‧‧路徑
9‧‧‧泵
10‧‧‧過濾器
21‧‧‧噴射手段
22、22a、22b‧‧‧噴射部
23、23a、23b‧‧‧噴灑器管
24‧‧‧噴射孔
25‧‧‧傾斜手段
31‧‧‧噴射部旋轉手段
32‧‧‧管支柱
33‧‧‧框
34‧‧‧拖架
35‧‧‧馬達
36a~36e、36i~36k、36h‧‧‧軸
37a~37i‧‧‧正時滑輪
38a~38f‧‧‧正時皮帶
39‧‧‧軸承
40‧‧‧框
41‧‧‧移動台座
42‧‧‧軌道
43‧‧‧水平框
44‧‧‧垂直框
45‧‧‧供給口
52a、52b‧‧‧固定具
53‧‧‧治具支座
54‧‧‧治具導件
55a、55b‧‧‧固定具
61‧‧‧被處理物旋轉手段
71‧‧‧軌道
81a、81b‧‧‧遮板
圖1是表示本發明的第一表面處理裝置的構成例的模式圖。
圖2的(a)是圖1所示的噴射手段21的側面圖,圖2的(b)是從A方向表示(a)所示的噴射手段21的圖,圖2的(c)是從B方向表示(a)所示的噴射手段21的圖。
圖3是表示框33與馬達35的連接狀態的立體圖。
圖4是表示本發明的第一表面處理裝置的其他的構成例的模式圖。
圖5是表示本發明的第一表面處理裝置的其他的構成例的模式圖。
圖6是從A方向表示圖5所示的第一表面處理裝置的剖面圖。
圖7是表示本發明的第二表面處理裝置的構成例的模式圖。
圖8是表示本發明的第二表面處理裝置的其他的構成例的模式圖。
圖9是表示本發明的第三表面處理裝置的構成例的模式圖。
圖10是用以說明在相對於被處理物的被處理面平行的面內使噴射部旋轉的噴射部旋轉手段的模式圖。
圖11是用以說明利用具有圖1所示的噴射部旋轉手段31的表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的程序的模式圖。
圖12是用以說明利用具有圖4所示的被處理物旋轉手段61的表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的程序的模式圖。
圖13是用以說明利用具有圖1所示的噴射部旋轉手段31的表面處理裝置,對被處理物2實施表面處理的其他的程序的模式圖。

Claims (32)

  1. 一種表面處理裝置,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其特徵為: 該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部, 前述噴射部係對向於前述被處理物而設,且 具有噴射部旋轉手段及被處理物旋轉手段之中至少一方, 該噴射部旋轉手段,係在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉, 該被處理物旋轉手段,係在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理裝置,其中,前述被處理物或前述噴射部的至少一方,係以平均旋轉速度100~3000mm/分來旋轉。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之表面處理裝置,其中,前述被處理物或前述噴射部的至少一方,係以相當於圓直徑20~200mm來旋轉。
  4. 一種表面處理裝置,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其特徵為: 該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部, 具有: 將前述被處理物相對於液面傾斜而固定的固定手段;及 使前述噴射部旋轉的噴射部旋轉手段。
  5. 如申請專利範圍第4項之表面處理裝置,其中,更具有傾斜手段,其係以前述被處理物的被處理面與從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式,將前述噴射部傾斜。
  6. 一種表面處理裝置,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之裝置,其特徵為: 該裝置,係具有朝向被處理物的被處理面噴射處理液的噴射部, 前述噴射部係對向於前述被處理物而設,且 具有噴射部旋轉手段,其係以平行於前述被處理面的軸為中心使前述噴射部旋轉。
  7. 如申請專利範圍第4~6項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部,係以平均旋轉速度100~ 3000mm/分來旋轉。
  8. 如申請專利範圍第4~7項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部,係以相當於圓直徑20~200 mm來旋轉。
  9. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部,係以平均流速1~30m/秒來噴射前述處理液。
  10. 如申請專利範圍第1~9項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,更具有: 從前述表面處理裝置的處理槽抽出前述處理液,往前述噴射部送給的循環路徑;及 在該循環路徑上,用以從前述處理槽抽出前述處理液的泵。
  11. 如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述表面處理為電鍍處理,電鍍浴溫為20~50℃。
  12. 如申請專利範圍第1~11項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述表面處理為電解電鍍處理,平均電流密度為1~30A/dm2
  13. 如申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部,係噴射孔徑為1~5mm。
  14. 如申請專利範圍第1~13項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部的噴射孔,係相鄰的噴射孔的平均距離為5~150mm。
  15. 如申請專利範圍第1~14項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部的噴射孔與前述被處理物的距離為10~100mm。
  16. 如申請專利範圍第1~15項中的任一項所記載之表面處理裝置,其中,前述噴射部的方向,係從該噴射部噴射的處理液的噴射方向的角度,當將水平方向設為0度時,為 -70度~+70度。
  17. 一種表面處理方法,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其特徵為: 從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時, 將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且 進行以下之至少一方:在相對於前述被處理物的被處理面平行的面內使前述噴射部旋轉,或在相對於從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向垂直的面內使前述被處理物旋轉。
  18. 如申請專利範圍第17項之表面處理方法,其中,使前述被處理物或前述噴射部的至少一方以平均旋轉速度100~3000mm/分來旋轉。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之表面處理方法,其中,使前述被處理物或前述噴射部的至少一方以相當於圓直徑20~200mm來旋轉。
  20. 一種表面處理方法,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其特徵為: 從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,使前述被處理物相對於液面傾斜,且使前述噴射部旋轉。
  21. 如申請專利範圍第20項之表面處理方法,其中,以前述被處理物的被處理面與從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向成為垂直的方式,將前述噴射部傾斜。
  22. 一種表面處理方法,係對至少一部分被浸漬於液的被處理物實施表面處理之方法,其特徵為: 從噴射部朝向被處理物的被處理面噴射處理液時,將前述噴射部對向於前述被處理物而設,且以平行於前述被處理面的軸為中心使前述噴射部旋轉。
  23. 如申請專利範圍第20~22項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述噴射部,係以平均旋轉速度100~ 3000mm/分來旋轉。
  24. 如申請專利範圍第20~23項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述噴射部,係以相當於圓直徑20~200mm來旋轉。
  25. 如申請專利範圍第17~24項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,使前述處理液從前述噴射部以平均流速1~30m/秒噴射。
  26. 如申請專利範圍第17~25項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,至少準備2個前述被處理物,以該被處理物的被處理面作為外側配置於處理槽內。
  27. 如申請專利範圍第17~26項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述被處理物,係於表層具有凹部。
  28. 如申請專利範圍第27項之表面處理方法,其中,具有前述凹部的被處理物為印刷基板、半導體或晶圓。
  29. 如申請專利範圍第17~28項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述表面處理為電解電鍍處理或無電解電鍍處理。
  30. 如申請專利範圍第17~28項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述表面處理為電鍍處理,將電鍍浴溫設為20~50℃。
  31. 如申請專利範圍第17~28項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,前述表面處理為電解電鍍處理,將平均電流密度設為1~30A/dm2
  32. 如申請專利範圍第17~31項中的任一項所記載之表面處理方法,其中,從前述噴射部噴射的處理液的噴射方向的角度,係當將水平方向設為0度時,為-70度~+70度。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111841967A (zh) * 2020-07-20 2020-10-30 昆山蕴鼎自动化科技有限公司 喷淋装置及电镀机

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1431022A (en) 1921-03-02 1922-10-03 Jr Thomas H Mumford Agitating apparatus for tanks
JPS592116Y2 (ja) * 1979-09-05 1984-01-20 松下電器産業株式会社 メッキ装置
JPS5642976A (en) 1979-09-17 1981-04-21 Toa Gosei Chem Ind Groundinggresistance reducing agent
US4304641A (en) 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
JPS62274093A (ja) * 1986-05-21 1987-11-28 Hitachi Cable Ltd 帯状体へのメツキ方法
US5421987A (en) * 1993-08-30 1995-06-06 Tzanavaras; George Precision high rate electroplating cell and method
US6685817B1 (en) 1995-05-26 2004-02-03 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
JPH11328749A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Sony Disc Technology:Kk 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤
JP3364485B2 (ja) 2001-03-07 2003-01-08 株式会社半導体先端テクノロジーズ めっき装置、及び半導体装置の製造方法
US20040084318A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-06 Uri Cohen Methods and apparatus for activating openings and for jets plating
EP1602127A2 (en) 2003-03-11 2005-12-07 Ebara Corporation Plating apparatus
JP2004359994A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 電気めっき装置および電気めっき方法
JP4624738B2 (ja) 2003-08-21 2011-02-02 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP2006117966A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
DE102007026633B4 (de) 2007-06-06 2009-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
JP5731917B2 (ja) 2011-06-30 2015-06-10 上村工業株式会社 表面処理装置およびめっき槽
JP6217312B2 (ja) 2012-12-05 2017-10-25 アイシン精機株式会社 陽極酸化処理装置及び陽極酸化処理方法
KR101494175B1 (ko) * 2013-05-22 2015-02-17 (주)포인텍 도금조의 노즐 요동장치
EP3176288A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-07 ATOTECH Deutschland GmbH Method for galvanic metal deposition
JP6458760B2 (ja) 2016-03-31 2019-01-30 株式会社豊田自動織機 圧縮機

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