JPH11328749A - 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤 - Google Patents

原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤

Info

Publication number
JPH11328749A
JPH11328749A JP12875798A JP12875798A JPH11328749A JP H11328749 A JPH11328749 A JP H11328749A JP 12875798 A JP12875798 A JP 12875798A JP 12875798 A JP12875798 A JP 12875798A JP H11328749 A JPH11328749 A JP H11328749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
master
cathode electrode
electroforming
storage tank
forming means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12875798A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Shirasagi
俊彦 白鷺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Music Solutions Inc
Original Assignee
Sony Disc Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Disc Technology Inc filed Critical Sony Disc Technology Inc
Priority to JP12875798A priority Critical patent/JPH11328749A/ja
Publication of JPH11328749A publication Critical patent/JPH11328749A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メッキ時間を短縮でき、原盤におけるメッキ
の膜厚分布を均一化することができる原盤の電鋳装置と
電鋳方法及びメタル原盤を提供すること。 【解決手段】 ディスク状の原盤に対して電鋳によりメ
ッキを施すための原盤の電鋳装置10であり、メッキ液
が収容される収容槽12と、収容槽12内に配置され
て、原盤を着脱自在に支持して回転するカソード電極1
4と、収容槽12内に原盤支持部に対向して配置される
アノード電極16と、収容槽12内のメッキ液の乱流を
作る乱流形成手段20とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク状の原盤
に対して電鋳によりメッキを施すための原盤の電鋳装置
と、電鋳方法及びそれにより得られるメタル原盤に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】ディスク状の原盤、たとえば光ディスク
の製造の際に使用される光ディスク原盤に対しては、そ
の表面にメッキを施すことがある。このようなディスク
状の原盤としては、たとえばガラス原盤があるが、この
ガラス原盤に対してたとえばニッケルメッキのようなメ
ッキを電鋳装置により施すことでメタル原盤が得られ
る。図11は、従来の電鋳装置の一例を示しており、メ
ッキ槽100の中にはメッキ液101が収容されてお
り、収容槽100の中にはカソード電極102とアノー
ド電極103及びノズル104が配置されている。カソ
ード電極102に対してはディスク状の原盤105が取
り付けられて、ノズル104からはメッキ液101が噴
出するようになっている。カソード電極102とアノー
ド電極103の間に電圧が与えられると、アノード電極
103内のアノードが金属イオンとして溶解し、ディス
ク状の原盤105の表面に対してメッキを施すようにな
っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような電鋳工程に
おいて、原盤105におけるメッキ面の異常析出現象や
原盤105自体の反りの影響を防ぐために、カソード電
極102とアノード電極103の間における電流密度は
ある一定値以上に上げることができず、そのために原盤
105のメッキ時間がある一定以上は掛かり短縮するこ
とができない。アノード電極103とカソード電極10
2間に向けてメッキ液をノズル104から吐き出すの
で、メッキ液101の流れはアノード電極103とカソ
ード電極102にほぼ平行な層流となり、カソード電極
102の近傍の金属析出によって使用された金属イオン
を積極的に補うことが難しい。
【0004】この理由から、図11の従来の電鋳装置
は、高濃度の金属イオンがカソード電極102に供給で
きないので、原盤105の高速メッキ処理には不向きで
ある。又メッキ液が層流で流れるので、これによりメッ
キが施された原盤のメッキの膜厚分布は、ディスク状の
原盤の面内においてバラツキが非常に大きくそのバラツ
キを抑えることが難しい。そこで本発明は上記課題を解
消し、メッキ時間を短縮でき、原盤におけるメッキの膜
厚分布を均一化することができる原盤の電鋳装置と電鋳
方法及びメタル原盤を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、ディスク状の原盤に対して電鋳によりメッキを
施すための原盤の電鋳装置であり、メッキ液が収容され
る収容槽と、収容槽内に配置されて、原盤を着脱自在に
支持して回転するカソード電極と、収容槽内に原盤支持
部に対向して配置されるアノード電極と、収容槽内のメ
ッキ液の乱流を作る乱流形成手段と、を備えることを特
徴とする原盤の電鋳装置により、達成される。
【0006】本発明では、ディスク状の原盤に対して電
鋳によりメッキを施すための原盤の電鋳装置であり、収
容槽はメッキ液が収容されている。カソード電極は、収
容槽内に配置されて原盤を着脱可能に支持して回転す
る。アノード電極は、収容槽内に原盤支持部に対向して
配置されている。乱流形成手段は、収容槽内のメッキ液
の乱流を作る。これにより、カソード電極とアノード電
極に電圧を印加して原盤に対してメッキを施す際に、メ
ッキ液の乱流を乱流形成手段が作るので、高速メッキが
可能となりメッキ時間が短縮でき、この電鋳によって作
成されるメタル原盤のメッキの膜厚分布を均一化するこ
とができる。
【0007】本発明において、好ましくは乱流形成手段
がカソード電極側に配置されており、乱流形成手段は凸
状に又は凹状に形成されている。乱流形成手段は、収容
槽とアノード電極から離して配置されている。これによ
り乱流形成手段が収容槽やアノード電極に当たるような
ことがない。本発明において好ましくは、カソード電極
は原盤を着脱可能に取り付けるための固定治具とこの固
定治具を着脱可能に保持する回転ヘッドを有し、乱流形
成手段は固定治具に設けられている。これにより原盤は
固定治具に対して取り付けた後に、固定治具を回転ヘッ
ドに取り付けることで、簡単に原盤をカソード電極に着
脱可能に固定することができる。しかも乱流形成手段が
固定治具に設けられているので、回転ヘッドが回転すれ
ば、自動的にメッキ液の乱流を形成することができる。
【0008】上記目的は、本発明にあっては、メッキ液
が収容された収容槽内でカソード電極とアノード電極間
に電圧をかけることで、カソード電極に固定されたディ
スク状の原盤に対して電鋳によりメッキを施すための原
盤の電鋳方法であり、カソード電極に原盤を支持して回
転する際に、このカソード電極の回転によりカソード電
極とアノード電極の間で、乱流形成手段が収容槽内のメ
ッキ液の乱流を作ることを特徴とする原盤の電鋳方法に
より、達成される。
【0009】本発明では、メッキ液が収容された収容槽
内でカソード電極とアノード電極間に電圧を掛けること
で、カソード電極に固定されたディスク状の原盤に対し
て電鋳によりメッキを施すための原盤の電鋳方法であ
り、カソード電極に原盤を支持して回転する際に、この
カソード電極の回転によりカソード電極とアノード電極
の間で、乱流形成手段が収容槽内のメッキ液の乱流を作
る。これにより、カソード電極とアノード電極に電圧を
印加して原盤に対してメッキを施す際に、メッキ液の乱
流を乱流形成手段が作るので、高速メッキが可能となり
メッキ時間が短縮でき、この電鋳によって作成されるメ
タル原盤のメッキの膜厚分布を均一化することができ
る。
【0010】本発明の原盤の電鋳方法において、好まし
くは乱流形成手段が収容槽内のメッキ液の乱流を作るこ
とにより、収容槽内でのアノードから溶解した金属イオ
ンの供給される方向を、カソード電極の原盤の半径方向
からカソード電極の原盤におけるメッキ液の膜厚方向に
変換することができる。これにより、原盤におけるメッ
キ膜の膜厚分布をより均一にすることができる。
【0011】上記目的は、本発明にあっては、メッキ液
が収容された収容槽内でカソード電極とアノード電極間
に電圧をかけることで、カソード電極に固定されたディ
スク状の原盤に対して電鋳によりメッキを施して得られ
るメタル原盤であり、カソード電極に原盤を支持して回
転する際に、このカソード電極の回転によりカソード電
極とアノード電極の間で、乱流形成手段が収容槽内のメ
ッキ液の乱流を作ることで得られるディスク状のメタル
原盤により、達成される。本発明では、このように作ら
れるディスク状のメタル原盤は、乱流形成手段が収容槽
内のメッキ液の乱流を作ることで原盤のメッキ膜の膜厚
分布が面内において均一になり、良質のメタル原盤とな
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【0013】図1は、本発明の原盤の電鋳装置の好まし
い実施の形態を示している。この原盤の電鋳装置10
は、概略的には収容槽12、カソード電極14、アノー
ド電極16、メッキ液の乱流形成手段20等を有してい
る。収容槽12の中には、メッキ液22が収容されてお
り、このメッキ液22はノズル24から噴出することが
できる。このノズル24の配置されている方向は、アノ
ード電極16の長さ方向Xとほぼ平行である。ノズル2
4には供給ポンプ26が接続されており、この供給ポン
プ26が作動すると、収容槽12内のメッキ液22がノ
ズル24から勢いよく噴出する。
【0014】カソード電極14とアノード電極16は、
収容槽12内のメッキ液22の中に対向して配置されて
いる。カソード電極14は、ディスク状の原盤32を交
換する際に、図1で示す状態からT方向にたとえば回転
して収容槽12の中から取り出すことが可能になってい
る。カソード電極14は、モータ26の作動により、た
とえばR方向に連続回転できる。カソード電極14は、
回転ヘッド28と、固定治具30を有している。回転ヘ
ッド28はモータ26によりR方向に連続回転できると
ともに、固定治具30を図示しない取り付け機構を用い
て、着脱可能に固定することができる。この固定治具3
0を取り付ける取り付け機構としては、たとえばねじ込
みによる取り付け機構、はめ込みによる取り付け機構等
を採用することができる。
【0015】固定治具30は、電鋳処理をしようとする
対象物であるディスク状の原盤32を着脱可能に取り付
けることができる。このディスク状の原盤32の取り付
け機構としては、フックにより取り付ける方式や真空吸
引等を採用することができる。固定治具30と回転ヘッ
ド28は、ほぼ円形状である。このカソード電極14
は、アノード電極16に対して平行に対向するように配
置されている。回転ヘッド28の回転軸28Aの方向
は、アノード電極16の設定方向Xとは直交している。
カソード電極14とアノード電極16に対しては電源3
4から電圧を印加することができる。この電源34、モ
ータ26及び供給ポンプ26は制御部36により制御す
ることが可能である。
【0016】次に、上述した固定治具30及び乱流形成
手段20について説明する。図2〜図4は、固定治具3
0と乱流形成手段20の一例を示している。図2〜図4
において、固定治具30は上述したように円板状であ
り、その中央部には原盤32を上述したような取り付け
方法によりしっかりと固定することができる。乱流形成
手段20は、固定治具30の表面40の端部位置に形成
されている。この乱流形成手段20は、多段型の凹形状
のものである。図2〜図4の例では、この乱流形成手段
20は、たとえば表面40から見て菱形形状になってお
り、表面40側から内部に行くに従って段部20A,2
0B,20C,20Dと段々小さくなっている。
【0017】次に、上述した図1の原盤電鋳装置10に
より、ディスク状の原盤32に対してメッキ膜を形成す
る原盤の電鋳方法について説明する。収容槽12の中に
はメッキ液22が収容されている。このメッキ液22と
しては、たとえばスルファミン酸ニッケル溶液を用いる
ことができる。カソード電極14は、図1における破線
で示すように収容槽12の外に退出しており、このカソ
ード電極14の回転ヘッド28に対して、図2〜図4に
示すような固定治具30が固定されている。この固定治
具30にはディスク状の原盤32が固定されている。
【0018】カソード電極14が、図1の破線の状態か
ら実線の状態に移動されて、カソード電極14はメッキ
液22の中に入る。この状態では、カソード電極14が
アノード電極16に対向しており、ディスク状の原盤3
2はアノード電極16に対面している。しかもディスク
状の原盤32とアノード電極16の間には所定の間隔が
設定されている。制御部36はモータ26に指令を与え
てカソード電極14をR方向に連続回転させるととも
に、原盤32を作動してカソード電極14とアノード電
極16の間に電圧を印加し、供給ポンプ26を作動して
ノズル24から勢いよくメッキ液22を噴出して循環さ
せる。
【0019】カソード電極14が回転することにより、
乱流形成手段20がR方向に回転するので、ノズル24
から吹き出されたメッキ液22の流れは層流ではなく乱
流に変わる。これにより、メッキ液22はS方向(原盤
の半径方向)に流れる状態から、ディスク状の原盤32
の面に形成されるメッキ膜の膜厚方向Wに沿って変換さ
れる。つまりアノードから溶解した金属イオン(たとえ
ばニッケルイオン)の供給方向が、カソード電極14の
原盤32の面に沿った方向からメッキ膜の膜厚方向に変
換されるのである。
【0020】メッキ液の流れが層流から乱流になること
により、アノード電極16やカソード電極14の近傍の
金属析出によって使用された金属イオンを積極的に補う
ことができる。従って、高濃度の金属イオンがカソード
電極14側に供給できるので、原盤32の高速メッキ処
理を行うことができる。そして層流から乱流方式にメッ
キ液の流れを変えることができ、しかもそのメッキ液の
供給方向が原盤の面方向からメッキ膜の膜厚方向へ変換
できるので、原盤32に形成されていくメッキ膜の膜厚
分布は、原盤の面内バラツキを極力小さくすることがで
きる。
【0021】乱流を作りながらメッキ液を原盤32に対
して供給できるので、金属イオンを積極的に素早く、層
流の時よりも多数箇所に供給できることになる。すなわ
ち金属イオンの原盤における成長点の数が多くなる。メ
ッキ液の流れる方向がカソード電極14の方向になるの
で、原盤の膜厚方向へのメッキ成長が促進されて、原盤
32の高速メッキを行うことが可能である。従ってメッ
キ処理により得られるメタル原盤を作成する時間が従来
の時間よりも短縮することができる。以上のようにして
原盤に対するニッケルメッキのようなメッキ処理を行っ
た後には、モータ26を停止し、かつ電源34からの電
圧供給を停止するとともに供給ポンプ26も停止させ
る。そしてカソード電極14を実線の状態から破線の状
態に持ち上げてメッキ液22の外に出す。そして、固定
治具30を回転ヘッド28から取り外すとともに、固定
治具30からディスク状の原盤32を取り外せばよい。
【0022】図5〜図10は、本発明の固定治具30及
び乱流形成手段20の別の実施の形態を示している。ま
ず図5と図6の実施の形態では、固定治具30の表面4
0の端部には乱流形成手段120が形成されている。こ
の乱流形成手段120は、曲線状の段部120aから作
られており、全体的には凹状の部分である。図7と図8
に示す固定治具30と乱流形成手段220では2つの羽
根状の乱流形成手段220が表面40の端部に固定され
ている。このような乱流形成手段220は、表面40か
ら突出している凸状のものである。図9と図10の実施
の形態では、固定治具30の周囲面30Aにおいて複数
の羽根状の乱流形成手段320が形成されている。この
乱流形成手段320は周囲面30Aから突出した凸状の
ものである。
【0023】本発明の原盤の電鋳装置は、図示例の実施
の形態に限らず、たとえば次のようなものも採用でき
る。たとえばノズルから吐き出されたメッキ液の流れが
層流の状態から乱流の状態になった状態で、アノード電
極からカソード電極の方向に送ることができるようなも
のであれば、上述した実施の形態に限定されず多様な乱
流形成手段を採用することができる。たとえばキャップ
とも呼んでいる原盤の固定治具30に対して、乱流形成
手段を直接加工する場合には、上述したような凸形状や
凹形状に限らず深い楔形のものやあるいは細かいストラ
イプ状のものその他多数の穴を形成する等多様なものが
採用できる。また、カソード電極14が収容槽12の中
から出す方式としては、図1のような回転方式でなく、
図1のカソード電極14の状態のまま上方に持ち上げる
方式であってもよい。
【0024】固定治具の側面側に取り付けるものとして
は、上述したような羽根(プロペラ)状のものに限ら
ず、他の形状のあるいは数の変更や、大きさの変更ある
いは表面積等の変更を行うことが勿論可能である。本発
明の原盤の電鋳装置及び電鋳方法を用いることにより、
従来の電鋳方法に対して固定治具を改造すれば簡単にメ
ッキ液の流れを層流から乱流に変換することができ、低
コストでそのような処置を行うことができる。メッキ液
の流れを層流から乱流にすることができるので、原盤の
高速メッキが可能となり、メッキ時間を大幅に短縮でき
る。メッキ液の流れが層流から乱流に変えることができ
るので、電鋳によって作られるメタル原盤におけるメッ
キ膜の膜厚分布を均一化することができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メッキ時間を短縮でき、原盤におけるメッキの膜厚分布
を均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原盤の電鋳装置の好ましい実施の形態
を示す図。
【図2】図1の原盤の電鋳装置に用いられる固定治具と
乱流形成手段の一例を示す正面図。
【図3】図2の固定治具と乱流形成手段を示す、一部切
り欠き部分を有する側面図。
【図4】図2の固定治具と乱流形成手段を示す斜視図。
【図5】本発明の別の実施の形態の固定治具と乱流形成
手段を示す正面図。
【図6】図5の固定治具と乱流形成手段の側面図。
【図7】本発明のさらに別の固定治具と乱流形成手段を
示す正面図。
【図8】図7の固定治具と乱流形成手段を示す側面図。
【図9】本発明のさらに別の固定治具と乱流形成手段を
示す正面図。
【図10】図9の固定治具と乱流形成手段の側面図。
【図11】従来の電鋳装置を示す図。
【符号の説明】
10・・・原盤の電鋳装置、12・・・収容槽、14・
・・カソード電極、16・・・アノード電極、20・・
・乱流形成手段、24・・・ノズル、30・・・固定治

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ディスク状の原盤に対して電鋳によりメ
    ッキを施すための原盤の電鋳装置であり、 メッキ液が収容される収容槽と、 収容槽内に配置されて、原盤を着脱自在に支持して回転
    するカソード電極と、 収容槽内に原盤支持部に対向して配置されるアノード電
    極と、 収容槽内のメッキ液の乱流を作る乱流形成手段と、 を備えることを特徴とする原盤の電鋳装置。
  2. 【請求項2】 乱流形成手段は、カソード電極側に配置
    される請求項1に記載の原盤の電鋳装置。
  3. 【請求項3】 乱流形成手段は、凸状に又は凹状に形成
    されている請求項1に記載の原盤の電鋳装置。
  4. 【請求項4】 乱流形成手段は、収容槽とアノード電極
    からは離して配置されている請求項1に記載の原盤の電
    鋳装置。
  5. 【請求項5】 カソード電極は原盤を着脱可能に取り付
    けるための固定治具と、この固定治具を着脱可能に保持
    する回転ヘッドと、を有し、乱流形成手段は固定治具に
    設けられている請求項1に記載の原盤の電鋳装置。
  6. 【請求項6】 メッキ液が収容された収容槽内でカソー
    ド電極とアノード電極間に電圧をかけることで、カソー
    ド電極に固定されたディスク状の原盤に対して電鋳によ
    りメッキを施すための原盤の電鋳方法であり、 カソード電極に原盤を支持して回転する際に、このカソ
    ード電極の回転によりカソード電極とアノード電極の間
    で、乱流形成手段が収容槽内のメッキ液の乱流を作るこ
    とを特徴とする原盤の電鋳方法。
  7. 【請求項7】 乱流形成手段が収容槽内のメッキ液の乱
    流を作ることにより、収容槽内でのメッキ液の供給され
    る方向が、カソード電極の原盤の半径方向からカソード
    電極の原盤におけるメッキ膜の膜厚方向に変換される請
    求項6に記載の原盤の電鋳方法。
  8. 【請求項8】 メッキ液が収容された収容槽内でカソー
    ド電極とアノード電極間に電圧をかけることで、カソー
    ド電極に固定されたディスク状の原盤に対して電鋳によ
    りメッキを施して得られるメタル原盤であり、 カソード電極に原盤を支持して回転する際に、このカソ
    ード電極の回転によりカソード電極とアノード電極の間
    で、乱流形成手段が収容槽内のメッキ液の乱流を作るこ
    とで得られるディスク状のメタル原盤。
JP12875798A 1998-05-12 1998-05-12 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤 Pending JPH11328749A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12875798A JPH11328749A (ja) 1998-05-12 1998-05-12 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12875798A JPH11328749A (ja) 1998-05-12 1998-05-12 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11328749A true JPH11328749A (ja) 1999-11-30

Family

ID=14992722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12875798A Pending JPH11328749A (ja) 1998-05-12 1998-05-12 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11328749A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019058860A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 上村工業株式会社 表面処理装置および表面処理方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019058860A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 上村工業株式会社 表面処理装置および表面処理方法
JP2019056137A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 上村工業株式会社 表面処理装置および表面処理方法
CN111094635A (zh) * 2017-09-20 2020-05-01 上村工业株式会社 表面处理装置及表面处理方法
KR20200056409A (ko) * 2017-09-20 2020-05-22 우에무라 고교 가부시키가이샤 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법
TWI745617B (zh) * 2017-09-20 2021-11-11 日商上村工業股份有限公司 表面處理裝置及表面處理方法
US11389818B2 (en) 2017-09-20 2022-07-19 C. Uyemura & Co., Ltd. Surface treatment apparatus and surface treatment method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6113759A (en) Anode design for semiconductor deposition having novel electrical contact assembly
US6251251B1 (en) Anode design for semiconductor deposition
JP3992168B2 (ja) 電着ブレードの製造方法
US3591466A (en) Composite structure production
US4855020A (en) Apparatus and method for the electrolytic plating of layers onto computer memory hard discs
JPH11328749A (ja) 原盤の電鋳装置と電鋳方法及びメタル原盤
US6736945B2 (en) Wafer plating apparatus
KR100704685B1 (ko) 메쉬형 회전 음극드럼 도금법에 의한 연속 금속메쉬 제조장치
JP2002004076A (ja) 電鋳装置
JPH0441698A (ja) 電解めっき方法および装置並びにそれに使用される治具
JP2004043873A (ja) アルミニウム合金の表面処理方法
JPH09310200A (ja) 電着めっき装置
JPH07331500A (ja) 電解用電極および該電極の電解液槽への取付装置
JP3864152B2 (ja) バレル、バレルめっき装置及びバレルめっき方法
US3434956A (en) Apparatus for the electrolytic thinning of metallic specimens for transmission electron microscopy
JP2002327291A (ja) 電気めっき装置
JP4541791B2 (ja) 切削砥石の製造方法
JPH06210570A (ja) 三層構造電鋳ブレード
JP2001024308A (ja) めっき装置
JPH02225693A (ja) 噴流式ウエハメッキ装置
JPH03202488A (ja) メッキ装置
CN217839167U (zh) 一种电镀设备
JP2002294495A (ja) 液処理装置
JP2868470B2 (ja) パドル回転式めっき方法およびめっき装置
JP2000328282A (ja) ディスク型記録担体用電鋳装置及び電鋳方法