TW201920759A - 溫度控制的基板支撐組件 - Google Patents

溫度控制的基板支撐組件 Download PDF

Info

Publication number
TW201920759A
TW201920759A TW107147096A TW107147096A TW201920759A TW 201920759 A TW201920759 A TW 201920759A TW 107147096 A TW107147096 A TW 107147096A TW 107147096 A TW107147096 A TW 107147096A TW 201920759 A TW201920759 A TW 201920759A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heater
heaters
pixel
substrate support
support assembly
Prior art date
Application number
TW107147096A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI695906B (zh
Inventor
帕克維傑Ｄ
馬可拉契夫康斯坦汀
小野真德
郭智強
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=53775556&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW201920759(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201920759A publication Critical patent/TW201920759A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI695906B publication Critical patent/TWI695906B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

本文所述之實施方式提供像素化基板支撐組件，該組件賦能靜電夾盤與加熱組件之間熱傳遞之側向及方位角調諧。像素化基板支撐組件包括上表面及下表面；安置於像素化基板支撐件中之一或更多個主要電阻式加熱器；及複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於基板支撐件中。像素加熱器數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。

Description

溫度控制的基板支撐組件
本文所述之實施方式一般係關於半導體製造，並且更特定而言，係關於溫度控制之基板支撐組件及使用該組件之方法。
隨著裝置圖案之特徵結構大小越變越小，該等特徵結構之臨界尺寸(critical dimension; CD)需求成為穩定及可再現的裝置效能之更重要之標準。在處理腔室內處理之整個基板之容許的CD變化由於腔室不對稱性而難以實現，該等不對稱性為例如腔室及基板溫度、流導率，及射頻場。
在利用靜電夾盤之製程中，整個基板表面之溫度控制均勻性由於基板下方之夾盤之非均質構造而更具挑戰性。例如，靜電夾盤中一些區域具有氣孔，而其他區域則具有側向偏離氣孔之升舉銷孔。又一些其他區域具有夾緊電極，而其他區域則具有側向偏離夾緊電極之加熱器電極。因為靜電夾盤之結構可發生側向及方位角改變，因此夾盤與基板之間的熱傳遞均勻性十分複雜並且極難獲得，從而導致整個夾盤表面之局部熱點及冷點，此情況由此導致沿基板表面之處理結果之不均勻性。
夾盤與基板之間之熱傳遞的側向及方位角均勻性由於靜電夾盤所安裝至之習用基板支撐件中常用的熱傳遞方案而進一步複雜化。例如，習用基板支撐件通常僅具有邊緣至中心之溫度控制。由此，在利用習用基板支撐件之熱傳遞特徵時，不能補償靜電夾盤內之局部熱點與冷點。
由此，存在對改良之基板支撐組件之需求。
本文所述之實施方式提供像素化基板支撐組件，該組件賦能靜電夾盤與加熱組件之間的熱傳遞之側向及方位角調諧。像素化基板支撐組件包括上表面及下表面；安置於像素化基板支撐件中之一或更多個主要電阻式加熱器；及複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於基板支撐件中。像素加熱器數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。
在一個實施例中，基板支撐組件包括具有基板支撐表面及下表面之基板支撐件；耦接至基板支撐件或安置於基板支撐件內之複數個電阻式加熱器，該複數個電阻式加熱器相對於彼此為獨立可控的；及耦接至該複數個電阻式加熱器之像素加熱器控制器，其中該像素加熱器控制器包括光學裝置及加熱器控制器。
在又一實施例中，處理腔室包括腔室主體及像素化基板支撐組件。像素化基板支撐組件包括上表面及下表面；安置於像素化基板支撐件中之一或更多個主要電阻式加熱器；及複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於基板支撐件中。像素加熱器數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。
本文所述之實施方式提供像素化基板支撐組件，該組件賦能包括基板支撐組件之靜電夾盤的溫度之側向及方位角調諧，此舉隨後容許在基板支撐組件上處理之基板之側向溫度分佈的側向及方位角調諧。此外，像素化基板支撐組件亦賦能基板上之局部熱點或冷點被大體上消除。本文中亦描述用於對在像素化基板支撐組件上處理之基板之側向溫度分佈進行調諧之方法。儘管像素化基板支撐組件在下文中經描述處於蝕刻處理腔室中，但像素化基板支撐組件亦可用於其他類型之電漿處理腔室中，如物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、離子佈植腔室及其他腔室，以及需要側向溫度分佈之方位角調諧之其他系統中。亦預期像素化加熱器亦可用以控制其他表面之溫度，包括不用於半導體處理之彼等表面之溫度。
在一或更多個實施例中，像素化基板支撐組件容許在真空製程（如蝕刻、沉積、佈植，等等）期間藉由容許利用基板溫度以補償腔室不均勻性（如溫度、流導率、電場、電漿密度，等等）來校正基板邊緣處之臨界尺寸(critical dimension; CD)變化。此外，一些實施例已證實將跨基板溫度均勻性控制在小於約±0.3℃之能力。
第1圖是示例性蝕刻處理腔室100之示意性橫剖面視圖，該蝕刻處理腔室100中具有像素化基板支撐組件126。如上文之論述，像素化基板支撐組件126可用於其他處理腔室中，例如電漿處理腔室、退火腔室、物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室，離子佈植腔室及其他腔室，以及需要控制表面或工件（如基板）之溫度分佈之能力之其他系統中。跨於表面的橫跨諸多分立區域之溫度的獨立及局部控制有利地賦能溫度分佈之方位角調諧、溫度分佈之中心至邊緣調諧，及局部溫度突點（諸如熱點及冷點）之減少。
處理腔室100包括接地之腔室主體102。腔室主體102包括壁104、底部106及頂蓋108，上述各者圍封內部容積124。像素化基板支撐組件126安置於內部容積124中，並且在處理期間將基板134支撐在該組件上。
處理腔室100之壁104包括開口（未圖示），基板134可由機器人經由該開口移送進出內部容積124。泵送埠110在腔室主體102之壁104或底部106之一者中形成，並且泵送埠110以流體方式連接至泵送系統（未圖示）。泵送系統用以維持處理腔室100之內部容積124內之真空環境，同時移除處理副產物。
氣體分配盤112將處理氣體及/或其他氣體經由一或更多個入口端114提供至處理腔室100之內部容積124，該等入口端114穿過腔室主體102之蓋108或壁104之至少一者而形成。由氣體分配盤112提供之處理氣體在內部容積124內經激勵以形成電漿122，該電漿122用以處理安置於像素化基板支撐組件126上之基板134。可由感應耦合至處理氣體之射頻功率對處理氣體激勵，該射頻功率來自定位在腔室主體102外部之電漿施用器120。在第1圖中繪示之實施例中，電漿施用器120是一對共軸線圈，該共軸線圈經由匹配電路118耦接至射頻電源116。
控制器148耦接至處理腔室100以控制處理腔室100之操作及對基板134之處理。控制器148可為具有任何形式之通用資料處理系統之一者，該處理系統可在工業設定中用於控制多種子處理器及子控制器之。一般而言，控制器148包括與記憶體174及輸入/輸出(input/output; I/O)電路系統176通訊之中央處理單元(central processing unit; CPU) 172，及其他常用元件。由控制器148之CPU執行之軟體命令使處理腔室執行例如以下操作：將蝕刻劑氣體混合物（亦即，處理氣體）引入內部體積124，藉由施用來自電漿施用器120之射頻功率而利用處理氣體形成電漿122，並且蝕刻基板134上之材料層。
像素化基板支撐組件126一般包括至少一基板支撐件132。基板支撐件132可為真空夾盤、靜電夾盤、晶座，或其他工件支撐表面。在第1圖之實施例中，基板支撐件132是靜電夾盤，並且基板支撐件132在下文中將作為靜電夾盤132進行描述。像素化基板支撐組件126可額外包括加熱器組件170。像素化基板支撐組件126亦可包括冷卻基座130。或者，可將冷卻基座與像素化基板支撐組件126分隔開。像素化基板支撐組件126可以可移除方式耦接至支撐台座125。支撐台座125可包括台座基底128及設施板180，該支撐台座125安裝至腔室主體102。可週期性地將像素化基板支撐組件126從支撐台座125上移除，以容許對像素化基板支撐組件126之一或更多個元件進行整修。
設施板180經配置以容納複數個驅動機構，該等驅動機構經配置以升高及降低複數個升舉銷。此外，設施板180經配置以容納來自靜電夾盤132及冷卻基座130之複數個流體連接器。設施板180亦經配置以容納來自靜電夾盤132及加熱器組件170之複數個電連接裝置。在設施板180為該等連接裝置提供與各個終點之介面之時，該多種連接裝置可在像素化基板支撐組件126外部或內部執行。
靜電夾盤132具有安裝表面131及與安裝表面131相對之工件表面133。靜電夾盤132一般包括埋置入介電體150之夾緊電極136。夾緊電極136可經配置為單極性或雙極性電極，或其他適合之配置。夾緊電極136經由射頻濾波器182耦接至夾緊電源138，該夾緊電源提供射頻或直流電功率以用靜電方式將基板134緊固至介電體150之上表面。射頻濾波器182防止將在處理腔室100內形成電漿122之射頻功率損害電氣設備或在腔室外部導致電氣危害。介電體150可由陶瓷材料製造而成，如AlN或Al2O3。或者，介電體150可由聚合物製造而成，如聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚芳醚酮，等等。
靜電夾盤132之工件表面133可包括氣道（未圖示），該等氣道用於將背側熱傳遞氣體提供至在基板134與靜電夾盤132之工件表面133之間界定之間隙空間。靜電夾盤132亦可包括升舉銷孔，該等升舉銷孔用於容納升舉銷（兩者皆未圖示）以用於將基板134提高至靜電夾盤132之工件表面133上方，以便於機器人移送進出處理腔室100。
溫度控制冷卻基座130耦接至熱傳遞流體源144。熱傳遞流體源144提供熱傳遞流體，如液體、氣體或兩者之組合，該熱傳遞流體經由安置於基座130中之一或更多個管道160循環。流經相鄰管道160之流體可經隔絕以賦能靜電夾盤132與冷卻基座130中不同區域之間的熱傳遞之局部控制，此舉協助控制基板134之側向溫度分佈。
流體分配器可以流體方式耦接在熱傳遞流體源144之出口與溫度控制冷卻基座130之間。流體分配器操作以控制被提供至管道160之熱傳遞流體量。流體分配器可安置於處理腔室100外部、像素化基板支撐組件126內、台座基底128內，或其他適合之位置。
加熱器組件170可包括一或更多個主要電阻式加熱器154及/或埋置入主體152之複數個像素加熱器140。可提供主要電阻式加熱器154以將像素化基板支撐組件126之溫度提升至用於實施腔室製程之溫度。像素加熱器140為像素化基板支撐組件126之溫度分佈提供局部化調整，該溫度分佈由主要電阻式加熱器154所產生。由此，主要電阻式加熱器154以全域化宏觀尺度操作，而像素加熱器則以局部化微小尺度操作。主要電阻式加熱器154經由射頻濾波器184耦接至主加熱器電源156。電源156可向主要電阻式加熱器154提供500瓦特或以上之功率。控制器148可控制主加熱器電源156之操作，此電源操作一般經設定以將基板134加熱至大約預定的溫度。在一個實施例中，主要電阻式加熱器154包括複數個側向分隔之加熱區，其中控制器148賦能主要電阻式加熱器154之一個區域相對於位於其他區域中之一或更多者中之主要電阻式加熱器154而言得以優先加熱。例如，主要電阻式加熱器154可在複數個分隔之加熱區域中以同心方式排列。
像素加熱器140經由射頻濾波器186耦接至像素加熱器電源142。像素加熱器電源142可向像素加熱器140提供10瓦特或更少之功率。在一個實施例中，由像素加熱器電源142供應之功率是小於由主要電阻式加熱器之電源156供應之功率的數量級。像素加熱器140可額外耦接至像素控制器202。像素控制器202可定位在基板支撐組件126內或外部。像素控制器202可管理自像素加熱器電源142向單個像素加熱器140或像素加熱器140之群組提供之功率，以便控制在側向分佈於整個基板支撐組件126上之每一像素加熱器140處局部產生之熱。光學電源178可將像素控制器202耦接至控制器148，以使控制器148與射頻能量對於處理腔室100之影響解耦。
或者，一或更多個主要電阻式加熱器154及/或像素加熱器140可在靜電夾盤132中形成。在主要電阻式加熱器154與像素加熱器140形成於靜電夾盤132中之一實施例中，像素化基板支撐組件126可在沒有加熱器組件170之情況下形成，並且靜電夾盤132可直接安置於冷卻基座130上。
靜電夾盤132可包括一或更多個熱電偶（未圖示）以用於向控制器148提供溫度反饋資訊，以便控制由主要加熱器電源156施加至主要電阻式加熱器154之功率，控制冷卻基座130之操作，並且控制由像素加熱器電源142施加至像素加熱器140之功率。
處理腔室100中之基板134的表面溫度可受藉由泵對處理氣體之抽真空、狹縫閥門、電漿122及其他因素之影響。冷卻基座130、一或更多個主要電阻式加熱器154，及像素加熱器140全部有助於控制基板134之表面溫度。
在主要電阻式加熱器154之兩個區域配置中，主要電阻式加熱器154可用以將基板134加熱至適於處理之溫度，該溫度從一個區域到另一個區域之變化為約+/-10℃。在用於主要電阻式加熱器154之四個區域組件中，主要電阻式加熱器154可用以將基板134加熱至適於處理之溫度，該溫度在一特定區域內之變化為約+/-1.5℃。依據製程條件及參數，每一區域與相鄰區域之溫度差異可為自約0℃至約20℃。然而，對將整個基板之臨界尺寸變化減至最小之需求已降低所決定之基板表面之表面製程溫度之可接受變化。基板134之表面溫度之0.5℃的變化可在基板中導致相當於一奈米之結構成型差異。像素加熱器140藉由將溫度分佈變化減少至約+/-0.3℃來改良由主要電阻式加熱器154產生之基板134表面之溫度分佈。經由使用像素加熱器140，可使溫度分佈在基板134所有區域中變得均勻或以預定方式產生精確差異，以賦能所需之結果之實現。
第2圖是局部橫剖面示意圖，該圖例示像素化基板支撐組件126之部分。第2圖中包括靜電夾盤132、加熱器組件170，及設施板180之部分。
加熱器組件170之主體152可由諸如聚醯亞胺之聚合物製造而成。主體152在平面圖中一般可為圓柱形，但亦可以其他幾何形狀形成。主體152具有上表面270及下表面272。上表面270面對靜電夾盤132，而下表面272則面對冷卻基座130。
加熱器組件170之主體152可由兩個或兩個以上之介電層（在第2圖中展示為三個介電層260、262、264）形成，並且在壓力下加熱層260、262、264以形成單個主體152。例如，主體152可由聚醯亞胺層260、262、264形成，該等層分隔主要電阻式加熱器154與像素加熱器140，該等層在壓力下經加熱以形成加熱器組件170之單個主體152。在形成主體152之前，像素加熱器140可被置於第一、第二或第三層260、262、264之中、之上，或之間。此外，在裝配之前，主要電阻式加熱器154可被置於第一、第二或第三層260、262、264之中、之上或之間，層260、262、264中之至少一者將加熱器154、140分隔開及電絕緣。以此方式，像素加熱器140及主要電阻式加熱器154成為加熱器組件170之組成部分。
主要電阻式加熱器154及像素加熱器140之位置的替代性配置可將加熱器154、140中之一者或兩者置於靜電夾盤132之中或以下。第4A-4E圖是像素化基板支撐組件126之局部示意圖，該等圖詳細說明像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之多種位置，但不限定於全部實施例。
在第4A圖中繪示之實施例中，像素化基板支撐組件126不具有加熱器組件(170)，並且像素加熱器140及主要電阻式加熱器154安置於靜電夾盤132中，例如在夾緊電極136下方。儘管像素加熱器140展示位於主要電阻式加熱器154下方，但像素加熱器140可替代性地定位在主要電阻式加熱器154上方。在第4B圖中繪示之實施例中，像素化基板支撐組件126之加熱器組件170包括像素加熱器140，同時，主要電阻式加熱器154安置於靜電夾盤132中，例如在夾緊電極136下方。或者，像素加熱器140可安置於靜電夾盤132中，而主要電阻式加熱器154則安置於加熱器組件170中。在第4C圖中繪示之實施例中，像素化基板支撐組件126之加熱器組件170中安置有主要電阻式加熱器154。像素加熱器140安置於靜電夾盤132中，例如在夾緊電極136下方。在第4D圖中繪示之實施例中，像素化基板支撐組件126之加熱器組件170中安置有像素加熱器140，而主要電阻式加熱器154則安置於加熱器組件170或靜電夾盤132之一者中。加熱器組件170將像素加熱器140與冷卻板130隔絕。在第4E圖中繪示之實施例中，像素化基板支撐組件126之加熱器組件170中安置有主要電阻式加熱器154。像素加熱器140安置於加熱器組件170之中或之上，例如在靜電夾盤132下方。設想像素加熱器140及主要電阻式加熱器154可以其他定向排列。例如，像素化基板支撐組件126可能僅具有複數個像素加熱器140以用於加熱基板134。在一個實施例中，像素加熱器140及主要電阻式加熱器154在像素化基板支撐組件126內直接安置於彼此下方。像素加熱器140為基板134之溫度分佈提供精細調諧控制，該基板134由像素化基板支撐組件126所支撐。
像素加熱器140可形成於或安置於加熱器組件170之主體152或靜電夾盤132之上或之中。像素加熱器140可藉由電鍍、噴墨印刷、網印、物理氣相沉積、壓印、金屬絲網或其他適合之方式形成。以此方式，像素化基板支撐組件126之製造得以簡化。在一個實施例中，在形成加熱器組件170之同時，像素加熱器140安置於加熱器組件170內。在另一實施例中，像素加熱器140直接安置於靜電夾盤132之安裝表面131上。例如，像素加熱器140可為可附著於靜電夾盤132之安裝表面131的片狀，或像素加熱器可藉由其他方式沉積。例如，像素加熱器140可藉由物理氣相沉積、化學氣相沉積、網印或其他適合之方法在安裝表面131上沉積。主要電阻式加熱器154可能處於靜電夾盤132或加熱組件170中，如上文所示。
主要電阻式加熱器154可形成於或安置於加熱器組件170之主體152或靜電夾盤132之上或之中。主要電阻式加熱器154可藉由電鍍、噴墨印刷、網印、物理氣相沉積、壓印、金屬絲網或其他適合之方式形成。以此方式，像素化基板支撐組件126之製造得以簡化。在一個實施例中，在形成加熱器組件170之同時，主要電阻式加熱器154安置於加熱器組件170內。在另一實施例中，主要電阻式加熱器154直接安置於靜電夾盤132之安裝表面131上。例如，主要電阻式加熱器154可為可附著於靜電夾盤132之安裝表面131的片狀，或主要電阻式加熱器154可藉由其他方式沉積。例如，主要電阻式加熱器154可藉由物理氣相沉積、化學氣相沉積、網印或其他適合之方法在安裝表面131上沉積。像素加熱器140可能處於靜電夾盤132或加熱組件170中，如上文所示。
在一些實施例中，主要電阻式加熱器154之製造可與像素加熱器140類似，並且在該等實施例中，可在不利用額外像素加熱器140之情況下使用主要電阻式加熱器154。換言之，像素化基板支撐組件126之主要電阻式加熱器154經像素化，亦即分段為複數個精細的電阻式加熱元件。將主要電阻式加熱器154分段為小型電阻式加熱器之形式容許對基板134表面上之熱點及冷點進行局部控制。依據所需之溫度控制等級，額外的像素加熱器140層是可選的。
第7圖是經分段之主要電阻式加熱器154之佈線佈局的圖形繪示，該等主要電阻式加熱器由複數個單位加熱器846形成。可經由使用像素控制器202來控制單位加熱器846，如上所述，或經由使用具有硬體佈線鍵802之形式之像素加熱器控制器來控制單位加熱器846，如第7圖中所繪示。第8圖中所展示之設施板180之頂部平面圖中例示使用硬體佈線鍵802之一個實施方式。
請結合參看第7圖及第8圖，像素化基板支撐組件126可具有一或更多個主要電阻式加熱器154（圖中說明性展示為四個主要電阻式加熱器154），每一主要電阻式加熱器界定四個區域810、820、830、840中之一者。每一區域810、820、830、840中之溫度可藉由與該區域關聯之主要電阻式加熱器154而經獨立控制。此外，每一主要電阻式加熱器154包含複數個單獨之單位加熱器846。單位加熱器846可為有效（有效單位加熱器842）或無效（無效單位加熱器844）。有效單位加熱器842耦接至電源，並且向主要電阻式加熱器154提供熱。無效單位加熱器844是電源，因此不向主要電阻式加熱器154提供熱。由此，藉由選擇性地選擇哪些主要電阻式加熱器154為有效單位加熱器842或無效單位加熱器844，可控制基板支撐組件126之溫度分佈（例如控制局部熱點或冷點）以提供中心至邊緣之溫度分佈調諧，並且提供像素化基板支撐組件126之側向溫度分佈之方位角調諧，並且因此為在該組件上處理之基板134之側向溫度分佈提供方位角調諧。
每一主要電阻式加熱器154之單位加熱器846可經選擇以在區域810、820、830、840中之每一者內形成有效加熱器密度圖案。單位加熱器846之圖案可為緊湊堆積及均勻的，類似於標記854之單位加熱器之圖案。或者，單位加熱器846之圖案可為間隔鬆散的。單位加熱器846在有效單位加熱器842與無效單位加熱器844之間可藉由使用諸如硬體佈線鍵802之硬體、像素控制器202、由控制器148執行之軟體或韌體，或經由另一方法或裝置進行切換。由此，可藉由選擇性地啟動單位加熱器846來控制由主要電阻式加熱器154供應之熱，以便精化由區域810、820、830、840中之每一者中之主要電阻式加熱器154產生之溫度分佈。
每一單位加熱器846（全部為有效單位加熱器842及全部為無效單位加熱器844）具有佈線連接860。佈線連接860經路由至插座804，該插座例如形成於設施板180中。在一個實施例中，佈線連接860可向像素化基板支撐組件126之外延伸，並且沿著像素化基板支撐組件126外側向下延伸到達設施板180中之插座804。或者，佈線連接860可在內部延伸穿過加熱器組件170，例如穿過冷卻基座130中之孔洞到達設施板180中之插座804。
設施板180中之插座804具有內表面805與側表面806。佈線連接860可端接在內表面805處，由此形成連接器或插口。控制板連接868可利用連接器或插口端接在側表面806處。控制板連接868可為單一電源引線或複數根電源引線。佈線連接860及控制板連接868為電路之一部分。或者，佈線連接860及控制板連接868可同時位於設施板180之同一表面上。例如，佈線連接860及控制板連接868可位於插座804之內表面805上。電路中之間隙在插座804處形成，使得沒有電流可流經電路，亦即自控制板連接868流至佈線連接860。
硬體佈線鍵802經配置以適合裝入插座804中。硬體佈線鍵802可與設施板180之外表面880齊平，而硬體佈線鍵802之正面885與插座804之內表面805接觸。此外，硬體佈線鍵802之側表面886接觸插座之側表面806。硬體佈線鍵802經配置以選擇性地在插座804處充填電路中之間隙，使得電流可自控制板連接868流至經選擇之佈線連接860。以此方式，佈線連接860與控制板連接868之間可進行電連接。由此，硬體佈線鍵802經配置以選擇性地向單位加熱器846提供功率。
硬體佈線鍵802可對每一佈線連接860使用共用負極端子。例如，全部負極端子可利用共用匯流排，該共用匯流排可在硬體佈線鍵802之封套中形成，或負極端子可為共享銷連接。或者，硬體佈線鍵802可對每一佈線連接860使用單獨的負極端子。負極端子可具有閘開關或其他手段以用於選擇性地中斷電流穿過端子之流動。
硬體佈線鍵802可以一方式形成以僅預先選擇需要成為有效的彼等電路可用於向單位加熱器846輸送功率。無效電路可具有間隙或閘864、硬體佈線鍵802內之未形成之電路系統，或絕緣頂蓋（未圖示），並且其他用於中斷到達主要電阻式加熱器154內之單位加熱器846之佈線連接860之功率流之適合手段。由此，一個硬體佈線鍵802可用以在執行一個製程之同時提供基板之預定側向溫度分佈，並且該硬體佈線鍵可由對電路具有不同預先選擇之硬體佈線鍵802替代，該等電路需要變得有效及可用以向單位加熱器846輸送功率，此舉將在執行另一製程之同時產生基板之不同預定側面溫度分佈。以此方式，可有效地交換出不同的硬體佈線鍵802，以提供不同溫度分佈，並且由此提供確保有利處理結果之更好的靈活性。
佈線連接860可圍繞設施板180之外表面880而經劃分及等距間隔。在一個實施例中，設施板具有四個插座804，每一插座具有大體上相等數目之佈線連接860。此配置容許像素化基板支撐組件126得以對稱平衡，並且使佈線對在處理腔室100內發生之製程之效應最小化。有利地，單位加熱器846與連接之配置為像素化基板支撐組件126提供均質構造並且提高製程對稱性。
主要電阻式加熱器154之單位加熱器846容許主要電阻式加熱器154具有在約環境溫度至約500℃之溫度範圍，具有將側向溫度分佈之增量控制為約0.3℃之能力。像素化基板支撐組件126（具有主要電阻式加熱器154，該等加熱器配置有單位加熱器846）已證實將在該組件上處理之基板的溫度均勻性控制在低於約±1.5℃之能力。
請返回第2圖中繪示之實施例，加熱器組件170可藉由利用黏結劑244而耦接至靜電夾盤132之安裝表面131。黏結劑244可為黏合劑，如丙烯酸基黏合劑、環氧樹脂、矽基黏合劑、氯丁橡膠型黏合劑，或其他適合之黏合劑。在一個實施例中，黏結劑244是環氧樹脂。黏結劑244可具有選自從0.01至200 W/mK之範圍中及在一個示例性實施例中，選自從0.1至10 W/mK之範圍中之熱傳導係數。包括黏結劑244之黏合劑材料可額外包括至少一種熱傳導陶瓷填料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)，及二硼化鈦(TiB2 )，等等。
在一個實施例中，加熱器組件170藉由利用黏結劑242耦接至冷卻基座130。黏結劑242可類似於黏結劑244，並且可為黏合劑，如丙烯酸基黏合劑、環氧樹脂、矽基黏合劑、氯丁橡膠型黏合劑，或其他適合之黏合劑。在一個實施例中，黏結劑242是環氧樹脂。黏結劑242可具有選自從0.01至200 W/mK之範圍中及在一個示例性實施例中，選自從0.1至10 W/mK之範圍中之熱傳導係數。包括黏結劑242之黏合劑材料可額外包括至少一種熱傳導陶瓷填料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)，及二硼化鈦(TiB2 )，等等。
當整修靜電夾盤132、冷卻基座130及加熱器組件170中之一者或兩者時，可移除黏結劑244、242。在其他實施例中，加熱器組件170以可移除方式耦接至靜電夾盤132，並且藉由利用緊固件或夾持器（未圖示）耦接至冷卻基座130。
加熱器組件170包括複數個像素加熱器140，該等像素加熱器說明性展示為像素加熱器140a、140b、140c。像素加熱器140一般是加熱器組件170內之封閉容積，在該容積中，複數個電阻式加熱器在加熱器組件170與靜電夾盤132之間實行熱傳遞。每一像素加熱器140可在整個加熱器組件170上側向排列，並且由此在加熱器組件170內界定單元200以用於向與該單元200對準之加熱器組件170之區域（以及主要電阻式加熱器154之部分）局部地提供額外之熱。在加熱器組件170中形成之像素加熱器140之數目可有所不同，並且預期像素加熱器140（與單元200）的數目比主要電阻式加熱器154之數目大至少一數量級。在加熱器組件170具有四個主要電阻式加熱器154之一個實施例中，可能有大於40個像素加熱器140。然而，預期在經配置以用於300 mm基板之基板支撐組件126之一給定實施例中，可能有約200個、約400個，乃至更多個像素加熱器140。像素加熱器140之示例性分佈在下文中藉由參考第3A-3D圖進行進一步描述。
單元200可穿過一或更多個層260、262、264而形成，該等層包括加熱器組件170之主體152。在一個實施例中，該等單元向主體152之下表面272及上表面270開放。該等單元可包括側壁214。側壁214可包含充當熱扼流器216之材料（或間隙）。熱扼流器216形成於主體152之上表面270中。熱扼流器216分隔相鄰單元200，並且降低該等單元之間之傳導性。由此，藉由分別及單獨控制提供至每一像素加熱器140之功率，並且因此控制經由單元200之熱傳遞，可實現用於溫度控制之逐個像素方法，該方法賦能基板134之特定點受熱或冷卻，由此賦能確實可解決之對基板134表面之側向溫度分佈調諧及控制。
額外熱扼流器216可在徑向最外側單元200與主體152之側向最外側側壁280之間形成。此最外側熱扼流器216位於單元200與主體152之側向最外側側壁280之間，該熱扼流器使單元200（與側向最外側側壁280鄰接）與處理腔室100之內部容積124之間的熱傳遞最小化。由此容許在更靠近像素化基板支撐組件126邊緣處進行更多精密溫度控制，並且因此容許對基板134之外徑邊緣進行更佳溫度控制。
如上文所論述，每一像素加熱器140可獨立耦接像素控制器202。像素控制器202可安置於像素化基板支撐組件126中。像素控制器202可調整在加熱器組件170中每一單元200相對於其他單元200之像素加熱器140溫度，或者調整在加熱器組件170中一組單元200相對於另一組單元200之一組像素加熱器140溫度。像素控制器202可捺跳開/關狀態或控制單個像素加熱器140或像素加熱器140群組之工作循環。或者，像素控制器202可控制傳遞至單獨像素加熱器140或像素加熱器140群組之功率量。例如，像素控制器202可提供一或更多個功率為10瓦特之像素加熱器140、功率為9瓦特之其他像素加熱器140，及功率為1瓦特之更多其他像素加熱器。
在一個實施例中，每一單元200可例如藉由使用熱扼流器216而與相鄰單元200熱隔絕，此舉賦能更精密之溫度控制。在另一實施例中，每一單元200可與相鄰單元熱接合，從而沿加熱器組件170之上表面270產生類似的（亦即，平滑或混合之）溫度分佈。例如，諸如鋁箔之金屬層可用作主要電阻式加熱器154與像素加熱器140之間之均熱器。
利用獨立可控的像素加熱器140以對由主要電阻式加熱器154產生之溫度分佈進行平滑化或矯正，賦能將整個基板之局部溫度均勻性控制至極小容差，由此在處理基板134時賦能精密之製程與CD控制。此外，像素加熱器140相對於主要電阻式加熱器154之小尺寸及高密度賦能在像素化基板支撐組件126之特定位置處進行溫度控制，同時大體上不影響鄰近區域之溫度，由此容許局部熱點及冷點得以補償，同時不引入偏斜或其他溫度不對稱性。像素化支撐組件126（具有複數個像素加熱器140）已證實將在該組件上處理之基板134的溫度均勻性控制在低於約±0.3℃之能力。
像素化基板支撐組件126之一些實施例中之另一優勢是能夠阻止射頻功率通過控制電路系統。例如，像素控制器202可包括電功率電路210與光學控制電路220。電功率電路210耦接至像素加熱器140。每一像素加熱器140具有一對電源引線（連接器250），該等電源引線連接至電功率電路210。在具有五十個像素加熱器140之示例性加熱器組件170中，需要50對電源引線（連接器250）以用於控制像素加熱器140。供應至處理腔室100內以用於形成電漿之射頻能量耦合至電源引線。諸如第1圖中展示之射頻濾波器182、184、186之濾波器用以防護諸如主要加熱器電源156之電氣設備避免接觸射頻能量。藉由將電源引線（連接器250）端接在電功率電路210處，並且利用光學控制電路220以控制向每一像素加熱器140提供多少功率，電功率電路210與電源156之間僅需要單個射頻濾波器184。在習用應用中，每一加熱器需要一專用射頻濾波器。由此，因為專用射頻濾波器所用空間極為有限，因此基板支撐組件內使用之加熱器數目亦有限，由此限制可使用之主要加熱器區域之數目，並且使得像素化矯正加熱器不可能實施。由此，利用具有光學控制電路220之電功率電路210容許更多加熱器，並且因此容許進行優良的側向溫度控制。
請簡要參看第6圖，像素加熱器140之簡化佈線示意圖例示減少數目之需用以防護電氣腔室部件避免接觸射頻信號之射頻濾波器。撓性電路600可用以協助控制複數個像素加熱器140。撓性電路600可利用像素加熱器140形成矩陣模式。撓性電路600可由數個不相交之正引線640及負引線650組成，每一引線之一端部附著至像素控制器202。每一正引線640可具有複數個像素加熱器組件662，該等組件將連接器橋接至對應負引線650。由此，像素加熱器組件662置放於正引線640與負引線650之每一連接之間。在一個示例性實施例中，撓性電路600可具有9個正引線640及9個負引線650，並且因此具有多達81個像素加熱器組件662。
像素加熱器組件662具有串聯的像素加熱器663及二極體664。像素加熱器663附著於正引線640及二極體664可附著至負引線650。或者，像素加熱器663附著於負引線650及二極體630可附著至正引線640。二極體664確保電流僅向一個方向流動。在一個實施例中，每一像素加熱器組件662之電流方向是從正引線640流向負引線650。
像素控制器202可斷開及/或閉合單個電路以提供跨於選定之正引線640與負引線650之預定電流。例如，像素控制器202可在標記為641之正引線上提供電流，並且在標記為653之負引線上提供電流回流，而所有其他正引線640與負引線650則充當斷開電路。或者，像素控制器202可選擇性地在標記為642與643之正引線上提供電流，同時在負引線652上提供回流，所有其他正引線640與負引線650則充當斷開電路。像素控制器202可因此選擇性地向安置於選定之正引線640與負引線650組合之間的像素加熱器組件662提供電流。撓性電路600利用最少數目之連接完成返回像素控制器202之電路以用於向每一像素加熱器663供電。
在一個實施例中，像素控制器202在標記為641之正引線上提供電流，並且在全部負引線650上提供電流返回路徑。沿頂列612之像素加熱器140選擇性地開啟（有效），而剩餘像素加熱器140則為無效。在另一實施例中，像素控制器202在標記為641與642之正引線上提供電流，並且在標記為651與652之負引線上提供電流之返回路徑。在此配置中，四個像素加熱器691、692、693、694之小組選擇性地開啟，同時剩餘像素加熱器140保持無效（亦即未通電）。由此，像素控制器202可用以藉由啟動選定正引線640與選定負引線650來選擇性地啟動多個像素加熱器140。像素控制器202亦可控制整個給定像素加熱器之電壓或穿過該像素加熱器之電流，以控制由特定像素加熱器產生之熱量。或者，或此外，像素控制器202可控制給定像素加熱器之工作循環，以控制由特定像素加熱器經過一段時間後產生之熱量。或者，或此外，像素控制器202可掃描整個給定像素加熱器，以控制由特定像素加熱器經過一段時間後產生之熱量。
撓性電路600可在層260、262、264中之一者之中、之上，或之下形成，該等層包括加熱器組件170之主體152。像素加熱器140可安置於撓性電路600上方或與撓性電路600共同安置。撓性電路600可沉積、電鍍、噴墨列印、網印，或以任何適合之方式形成。正引線640與負引線650可形成一或更多個連接器250以將撓性電路600連接至像素控制器202。連接器250可在內部延伸穿過像素化基板支撐組件126。例如，冷卻基座130與設施板180可具有穿過該兩者而形成之一或更多個通路，以容納連接器250之通過。連接器250可以抵消佈線對於處理腔室100中正在進行之電漿製程之任何效應的方式在整個像素化基板支撐組件126中經劃分、定位或分佈。例如，四個連接器250可穿過圍繞像素化基板支撐組件126之中心形成之四個等距通路。在一個實施例中，撓性電路600可在加熱器組件170層之上或之內列印而成，該電路具有一百個或更多個端子引線以用於操作五十個或更多個像素加熱器140。在一實例中，四百個端子引線用於向兩百個像素加熱器140提供功率。端子引線可被分成單獨可撓性帶條，如帶狀電纜或電路，該等引線可貫穿在冷卻板130中形成之槽。包含端子引線之可撓性帶條藉由貫穿等距之槽（該等槽穿過冷卻板130而形成）到達設施板180以提供對稱幾何形狀，該對稱幾何形狀促進對稱溫度控制與製程均勻性。
請返回參看第2圖，電功率電路210可切換或循環自撓性電路600到達複數個連接器250之功率。電功率電路210向每一連接器250提供功率，以啟動一或更多個像素加熱器140。儘管電源最終向複數個像素加熱器140供電，但電功率電路210具有單個電源，亦即像素加熱器電源142，並且因此僅需要一個濾波器184。有利地，用於額外濾波器之空間及開銷得以減輕，同時賦能對眾多加熱器與加熱器區域之使用。
光學控制電路220可藉由諸如光纖電纜之光纜226耦接至電功率電路210，以控制供應至連接器250之功率，並且由此控制供應至像素加熱器140之功率。光學控制電路220可經由光學波導228耦接至光學電源178。光學電源178耦接至控制器148以用於提供控制像素加熱器140功能之信號。光纜226及光學波導228不經受電磁干擾或射頻能。由此，在像素控制器202中並不需要用以保護光學電源178免於射頻能之射頻濾波器，由此容許基板支撐組件126中有更多空間用於路由其他設施。
光學控制電路220可發送命令或指令至電功率電路210，以用於調整每一像素加熱器140或像素加熱器140群組/區域。如第6圖之撓性電路600中可見，單個像素加熱器140或像素加熱器140之群組/區域可藉由使用最少數目之連接返回電功率電路210而啟動，並且可由光學控制電路220控制。
光學控制電路220可藉由量測每一像素加熱器140處之升溫而經程式化及校準。升溫可與向像素加熱器140之功率遞增相關聯。例如，升溫可與供應至像素加熱器140之功率的增長百分數（例如5%）增長關聯。可藉由使用此方法獲得溫度圖。該圖可使每一像素加熱器140之CD或溫度與功率分佈曲線相關聯。由此，像素加熱器140可用以基於一程式而產生基板上的溫度分佈，該程式為單個像素加熱器140調整功率設定。可將邏輯直接置於光學控制電路220中或置於外部連接控制器中，如控制器148。
現將藉由參考第3A-3D圖論述像素加熱器140之配置。第3A圖是根據一個實施例沿剖面線A-A截取之第2圖橫剖面視圖。第3B-3D圖是根據替代性實施例沿第2圖之同一剖面線A-A截取之橫剖面視圖。
現請參看第3A圖，複數個像素加熱器140沿穿過加熱器組件170主體152之橫剖面線A-A之平面安置。熱扼流器216安置於每一相鄰單元200之間，每一單元200與像素加熱器140中之至少一者關聯。此外，熱扼流器216沿像素化基板支撐組件126之外表面326安置。例示之單元200數目僅以說明為目的，並且任何數目之實施例可具有大體上更多（或更少）單元200。像素加熱器140之數目可為至少大於主要電阻式加熱器154數目之數量級。位於整個像素化基板支撐組件126中之像素加熱器140之數目可能易於超過數百。
每一像素加熱器140具有電阻器304，該電阻器以端子306、308終止。當電流進入一個端子（如標記為306之端子）時，並且當存在其他端子（如標記為308之端子）時，電流穿過電阻器304之線路及產生熱。像素加熱器140可具有設計功率密度以沿像素化基板支撐組件126之外表面326提供適當升溫。由電阻器304釋放之熱量與電流穿過之平方面積成正比例。功率設計密度可在約1瓦特/單元至約100瓦特/單元之間，如10瓦特/單元。
電阻器304可由鎳鉻合金、錸、鎢、鉑、鉭或其他適當材料之薄膜形成。電阻器304可具有電阻率(ρ)。較低ρ指示易於容許電荷移動穿過電阻器304之材料。電阻(R)取決於ρ乘以長度(l)除以線路橫剖面積(A)，或簡寫為R=ρ•Ι/Α。鉑在20℃下具有約1.06×10-7 (Ω•m)之ρ。鎢在20℃下具有約5.60×10-8 (Ω•m)之ρ。鎳鉻合金在20℃下具有約1.1×10-8 至約1.5×10-8 (Ω•m)之ρ。在前述三種材料中，包含鎳鉻合金之電阻器304容許電荷更容易地移動，因此產生更多熱。然而，鎢之電特性在某些溫度範圍中可能將材料辨別為電阻式加熱器。
電阻器304可具有薄膜厚度（未圖示）及金屬線厚度372，該等厚度經配置以當電流沿電阻器304通過時有效地提供熱。電阻器304之金屬線厚度372之增大可導致電阻器304之電阻R減小。鎢線之金屬線厚度372可自約0.05 mm至約0.5 mm，並且鎳鉻合金線之金屬線厚度372可自約0.5 mm至約1 mm。
請再次參看方程式R=ρ•l/Α，可見材料、金屬線長度，並且金屬線厚度可經選擇以用於電阻器304以控制成本本、功率消耗，及由每一像素加熱器140產生之熱。在一個實施例中，電阻器304包含鎢，具有約0.08 mm之金屬線厚度372及在10瓦特功率下具有約50歐姆之電阻。
像素加熱器140可以一圖案390配置以有效地沿像素化基板支撐組件126表面產生熱分佈。圖案390可為圍繞中點392而對稱，同時在孔洞322中及周圍為升舉銷或其他機構、流體或電連接裝置提供空隙。每一像素加熱器140可由像素控制器202控制。像素控制器202可開啟界定加熱器340之單個像素加熱器140；或複數個像素加熱器140，該等加熱器經分組以界定內側楔362、周邊群組364、餅狀區域360，或其他所需之幾何構型，包括非連續性配置。以此方式，可在沿像素化基板支撐組件126表面之獨立位置處精密地控制溫度，該種獨立位置不限定於同心環件，如該項技術中已知之同心環件。儘管所示圖案包含更小單元，但該圖案可替代性地具有更大及/或更小單元，延伸至邊緣，或具有其他形式。
第3B圖是根據另一實施方式之沿穿過主體152之橫剖面線AA的平面安置之複數個像素加熱器140之頂視圖。熱扼流器216可選擇性地存在。像素加熱器140以柵格形式排列，由此界定亦以柵格圖案排列之溫度控制單元200的陣列。儘管像素加熱器140之柵格圖案展示為包含列及行之X/Y柵格，但像素加熱器140之柵格圖案可替代地具有一些其他均勻堆積之形式，如六角形密集堆積。將瞭解，如上文論述，像素加熱器140可以群組方式或單獨啟動。
第3C圖是根據另一實施方式之沿穿過主體152之橫剖面線AA的平面安置之複數個像素加熱器140之頂視圖。第3C圖例示在主體152中以極性陣列排列之複數個像素加熱器140。視需要，熱扼流器216中之一或更多者可安置於像素加熱器140之間。像素加熱器140之極性陣列圖案界定相鄰單元200，該等單元由此亦以極性陣列方式排列。視需要，熱扼流器216可用以將相鄰單元200與相鄰單元200隔絕。
第3D圖是根據另一實施方式之沿穿過主體152之橫剖面線A-A的平面安置之複數個像素加熱器140之頂視圖。第3D圖例示在主體152中以同心通道形式排列之複數個像素加熱器140。像素加熱器140之同心通道圖案可可選地由熱扼流器216分隔。預期像素加熱器140及單元200可以其他定向排列。
簡要參看第9圖，該圖為主要電阻式加熱器154及像素加熱器140之替代佈線方案提供圖形繪示。佈線方案不利用硬件鍵（第7圖中之802）。主要電阻式加熱器154及像素加熱器140可附著於控制器902。控制器902經由共用之濾波器910附著於電源978。控制器902類似於第1圖及第2圖中例示之控制器202，並且控制器902具有類似版本之電控制器210及光學控制器220。
像素加熱器140(1-n) 經象徵性地展示，並且應理解，像素加熱器1401 可表示共同區域中之較大像素加熱器群組，或者安置於整個像素化基板支撐組件126中之全部像素加熱器140。像素加熱器140之數量級大於主要加熱器154，因此存在與電控制器210及光學控制器220之連接之更大數量級。
電控制器210經由穿過冷卻基座130形成之孔洞或槽920接受來自像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之複數個功率帶條912、922。帶條912、922以圖形方式繪示每一像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之數個電源引線。例如，電源帶條912包括用於像素加熱器140(1-n)之單獨的電源引線。在一個實施例中，每一電源引線具有一開關960，該開關可由各個控制引線啟動。預期單個帶條，或甚至三個或更多帶條可用以路由像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之電源引線。
光學控制器220經由穿過冷卻基座130形成之槽920接受來自像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之複數個控制帶條940、950。帶條940、950以圖形方式繪示每一像素加熱器140及主要電阻式加熱器154之數個控制引線。例如，控制帶條940包括單獨的控制引線。光學控制器220可從一程式、溫度測量裝置、外部控制器、使用者或藉由其他來源接收輸入，並且決定將激勵哪些像素加熱器140及主要電阻式加熱器154。由於光學控制器220使用光學裝置以在輸入裝置、開關與電控制器之間進行傳輸，因此光學控制器不經受射頻干擾及不將射頻干擾傳播至處理腔室外部區域。預期單個帶條，或甚至三個或更多帶條可用以路由控制引線。
控制引線940提供由光學控制器220產生之信號，以控制開關960之狀態。開關960可為場效應電晶體或其他適合之電子開關。或者，開關960可埋置入電控制器210中之光控電路板中。開關960在經激勵之（有效）狀態與去激勵（無效）狀態之間可為加熱器154、140提供簡單循環。或者，開關可為可變電阻或其他適合之裝置，該開關可控制供應至加熱器154、140之功率量。
在一個實施例中，控制器202沿控制帶條9401提供信號以指示開關9601 容許50%之功率通過該開關。功率控制器210沿功率帶條9121 提供約10瓦特功率。開關9601 容許50%之供應功率穿過像素加熱器1401 ，該像素加熱器利用約5瓦特功率進行加熱。
在另一實施例中，控制器202沿控制帶條9502 提供信號以指示開關9602 以容許100%之功率通過該開關。功率控制器210沿功率帶條9222 提供約100瓦特功率。開關9602 容許100%之供應功率穿過主要電阻式加熱器1542 ，該加熱器利用約100瓦特功率進行加熱。同樣，主要電阻式加熱器154(1-N) 可全部從控制器202進行操作。
在又一實施例中，像素控制器202沿控制帶條940提供信號以指示開關960處於有效狀態或者無效狀態，該有效狀態容許功率通過開關，該無效狀態阻止功率從開關通過。功率控制器210沿功率帶條912向耦接至有效狀態下的開關960之每一像素加熱器140提供約10瓦特功率。像素控制器202獨立地控制以下各者中至少一者：開關960保持有效狀態之歷時，並且每一開關960相對於其他開關960之工作循環，從而最終為像素化基板支撐組件126與定位於該組件上之基板提供溫度均勻性控制。控制到達主要電阻式加熱器154之功率之開關960可受類似控制。
在另一實施例中，每一主要電阻式加熱器154(1-N) （表示一單獨區域）可具有單獨的控制器202。在此實施例中，對於具有一個主要電阻式加熱器154(1-N) 之區域為共用之像素加熱器(1-N) 可與共用主要電阻式加熱器154(1-N) 共享控制器202。例如，如若有四個區域，則將有四個主要電阻式加熱器154(1-4) 及四個等距之控制器202。第10圖是具有孔洞960之冷卻基座130之頂部平面圖，該等孔洞經配置用於四個區域與四個等距之控制器202之佈線方案。
在其他實施例中，單獨的控制器202可用以分割由單個控制器服務之像素加熱器140之數目。分割像素加熱器140之控制容許更小之控制器及更少所需空間以經由槽920路由帶條，該等槽穿過冷卻基座而形成，如第9圖中所例示。
返回參看第2圖，像素加熱器140之數目及密度促進將整個基板之溫度均勻性控制在極小容差之能力，從而在處理基板134時賦能精密的製程及CD控制。此外，對一個像素加熱器140相對於另一像素加熱器140之獨立控制賦能在像素化基板支撐組件126中之特定位置處進行溫度控制，同時大體上不影響鄰近區域之溫度，由此容許局部熱點及冷點得以補償，同時不引入偏斜或其他溫度不對稱性。像素加熱器140可具有在約0.0℃與約10.0℃之間的單獨溫度範圍，具有將升溫控制在約0.1℃增量之能力。在一個實施例中，像素化基板支撐組件126中與主要電阻式加熱器154結合之複數個像素加熱器140已證實將在該組件上處理之基板134的溫度均勻性控制在低於約±0.3℃之能力。由此，像素加熱器140容許對在像素化基板支撐組件126上進行處理之基板134之側向溫度分佈之側向及方位角調諧。
第5圖是用於利用像素化基板支撐組件處理基板之方法500之一個實施例的流程圖，該像素化基板支撐組件如上述像素化基板支撐組件及其他組件。方法500從方塊502開始，向在像素化基板支撐組件中形成之主要電阻式加熱器施加功率。主要電阻式加熱器可為單個加熱器，或分段為區域。主要電阻式加熱器區域可為獨立可控的。
在方塊504中，將功率提供至在像素化基板支撐組件內側向分佈之複數個像素加熱器。像素加熱器中至少兩者產生預定之不同熱量。一個像素加熱器相對於另一像素加熱器所產生之熱的差異可藉由控制施加於一個像素加熱器相對於另一像素加熱器之功率的工作循環、電壓、電流、歷時中之至少一或更多者而得以控制。亦可在整個像素加熱器上連續掃描功率。
可經由與安置於像素化基板支撐組件中之控制器介面連接的光學信號對提供對像素加熱器之功率控制。
在方塊506中，諸如基板之工件可在像素化基板支撐組件上進行處理。例如，基板可在真空腔室中進行處理，例如藉由使用電漿製程處理。可在處理腔室內有電漿之情況下選擇性地執行之真空製程可為蝕刻、化學氣相沉積、物理氣相沉積、離子佈植、電漿處理、退火、氧化物移除、剝蝕或其他電漿製程中之一者。預期工件可在其他環境（例如在大氣條件下）中之溫度控制表面上進行處理以用於其他應用。
視需要，在方塊506中，提供至在像素化基板支撐組件內側向分佈之複數個像素加熱器之功率可回應於製程條件或製程配方變更而變更。例如，提供至複數個像素加熱器之功率可藉由利用來自像素控制器202之命令而變更，或藉由將一個硬體佈線鍵802變更成不同的硬體佈線鍵802而變更。
除上述實例之外，一些額外的非限定性實例亦可描述如下。
實例1. 一種處理腔室，包括：
腔室主體；
像素化基板支撐組件，包括：
上表面及下表面；
一或更多個主要電阻式加熱器，安置於像素化基板支撐組件中；及
複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於像素化基板支撐件中，其中像素加熱器之數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。
實例2. 如實例1所述之處理腔室，其中該像素化基板支撐件是靜電夾盤。
實例3. 如實例1所述之處理腔室，其中靜電夾盤具有陶瓷主體。
實例4. 如實例3所述之處理腔室，其中該等主要電阻式加熱器及該複數個像素加熱器中之至少一者形成於該陶瓷主體之該下表面上。
實例5. 如實例3所述之處理腔室，其中該等主要電阻式加熱器及該複數個像素加熱器中之至少一者安置於聚合物主體中，該聚合物主體耦接至該陶瓷主體之該下表面。
實例6. 如實例1所述之處理腔室，進一步包括：冷卻板，耦接至該像素化基板支撐件。
實例7. 如實例6所述之處理腔室，用於調整對每一像素加熱器之溫度輸出的像素加熱器控制器耦接至該冷卻板。
實例8. 如實例7所述之處理腔室，其中該像素加熱器控制器包括光纖控制電路及電功率控制裝置。
實例9. 一種基板支撐組件，包括：
基板支撐件，具有基板支撐表面及下表面；
跨該基板支撐件安置於的複數個電阻式加熱器，該複數個電阻式加熱器經分組為同心區域；及
耦接每一組電阻式加熱器的像素加熱器控制器，該像素加熱器控制器可操作以控制給定區域內之哪些電阻式加熱器比給定區域內其他電阻式加熱器產生更多熱。
實例10. 如實例9所述之處理腔室，其中該像素加熱器控制器包括：
光纖控制電路與電功率控制器。
實例11. 如實例9所述之處理腔室，其中該像素加熱器控制器包括：
一或更多個硬體佈線鍵。
儘管前述內容係針對本發明之實施方式，但可在不背離本發明之基本範疇之前提下設計本發明之其他及更多實施方式，並且本發明之範疇由下文中之專利申請範圍決定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧壁
106‧‧‧底部
108‧‧‧頂蓋
110‧‧‧泵送埠
112‧‧‧氣體分配
114‧‧‧入口端
116‧‧‧射頻電源
118‧‧‧匹配電路
120‧‧‧電漿施用器
122‧‧‧電漿
124‧‧‧內部容積
125‧‧‧支撐台座
126‧‧‧像素化基板支撐組件
128‧‧‧台座基底
130‧‧‧冷卻基座
131‧‧‧安裝表面
132‧‧‧靜電夾盤
133‧‧‧工件表面
134‧‧‧基板
136‧‧‧夾緊電極
138‧‧‧夾緊電源
140‧‧‧像素加熱器
1401‧‧‧像素加熱器
1402‧‧‧像素加熱器
1403‧‧‧像素加熱器
140N‧‧‧像素加熱器
140A‧‧‧像素加熱器
140B‧‧‧像素加熱器
140C‧‧‧像素加熱器
142‧‧‧像素加熱器電源
144‧‧‧熱傳遞流體源
148‧‧‧控制器
150‧‧‧介電體
152‧‧‧主體
154‧‧‧主要電阻式加熱器
1541‧‧‧主要電阻式加熱器
1542‧‧‧主要電阻式加熱器
1543‧‧‧主要電阻式加熱器
154N‧‧‧主要電阻式加熱器
156‧‧‧主加熱器電源
160‧‧‧管道
170‧‧‧加熱器組件
172‧‧‧中央處理單元
174‧‧‧記憶體
176‧‧‧I/O電路系統
178‧‧‧光學電源
180‧‧‧設施板
182‧‧‧射頻濾波器
184‧‧‧射頻濾波器
186‧‧‧射頻濾波器
200‧‧‧單元
202‧‧‧像素控制器
210‧‧‧電功率電路
216‧‧‧熱扼流器
220‧‧‧光學控制電路
226‧‧‧光纜
228‧‧‧光學波導
242‧‧‧黏結劑
244‧‧‧黏結劑
250‧‧‧連接器
260‧‧‧層
270‧‧‧上表面
272‧‧‧下表面
280‧‧‧側壁
304‧‧‧電阻器
308‧‧‧端子
322‧‧‧孔洞
326‧‧‧外表面
340‧‧‧加熱器
360‧‧‧餅狀區域
362‧‧‧內側楔
364‧‧‧周邊群組
372‧‧‧金屬線厚度
390‧‧‧圖案
500‧‧‧方法
502‧‧‧方塊
504‧‧‧方塊
506‧‧‧方塊
508‧‧‧方塊
600‧‧‧撓性電路
612‧‧‧頂列
630‧‧‧二極體
640‧‧‧正引線
641‧‧‧正引線
642‧‧‧正引線
643‧‧‧正引線
650‧‧‧負引線
651‧‧‧負引線
652‧‧‧負引線
662‧‧‧像素加熱器組件
663‧‧‧像素加熱器
664‧‧‧二極體
691‧‧‧像素加熱器
692‧‧‧像素加熱器
693‧‧‧像素加熱器
694‧‧‧像素加熱器
802‧‧‧硬體鍵
804‧‧‧插座
805‧‧‧內表面
806‧‧‧側表面
810‧‧‧區域
820‧‧‧區域
830‧‧‧區域
840‧‧‧區域
842‧‧‧單位加熱器
844‧‧‧單位加熱器
846‧‧‧單位加熱器
854‧‧‧單位加熱器
860‧‧‧佈線連接
864‧‧‧間隙/閘
868‧‧‧控制板連接
880‧‧‧外表面
886‧‧‧側表面
902‧‧‧控制器
910‧‧‧共用濾波器
912‧‧‧功率條
9121‧‧‧功率條
920‧‧‧槽
922‧‧‧功率條
9222‧‧‧功率條
9401‧‧‧控制條
950‧‧‧控制條
9502‧‧‧控制條
960‧‧‧開關
9601‧‧‧開關
9602‧‧‧開關
978‧‧‧電源
為詳細理解本發明之上述特徵，可藉由參考實施方式對上文中簡短概述之本發明進行更為特定之描述，該等實施方式中之一些在附圖中進行例示。然而，將注意，附圖僅例示本發明之典型實施方式，因此將不被視作限制本發明之範疇，因為本發明可承認其他同等有效之實施方式。
第1圖是處理腔室之示意性橫剖面側視圖，該處理腔室中具有像素化基板支撐組件之一個實施例；
第2圖是局部示意性橫剖面側視圖，該圖詳細說明像素化基板支撐組件之部分；
第3A圖是沿第2圖之剖面線A-A截取之橫剖面視圖；
第3B-3D圖是沿第2圖之剖面線A-A截取之橫剖面視圖，該等圖例示像素加熱器之替代性佈局；
第4A-4E圖是局部示意性側視圖，該等圖例示像素化基板支撐件內用於像素加熱器及主要電阻式加熱器之多個位置；
第5圖是用於利用像素化基板支撐組件處理基板之方法之一個實施例的流程圖；
第6圖是用於操作像素加熱器之簡化佈線示意圖；
第7圖是具有硬體鍵之主要電阻式加熱器之佈線的圖形繪示；
第8圖是經配置以使用硬體鍵之設施板之頂部平面圖；
第9圖是沒有硬體鍵之主要電阻式加熱器的替代性佈線簡圖之圖形繪示；及
第10圖是冷卻基座之頂部平面圖，該冷卻基座經配置用於第9圖中繪示之佈線簡圖。
為便於理解，在可能之情況下已使用相同元件符號以指定圖式中共有之相同元件。預期在一個實施方式中揭示之元件可以有利方式用於其他實施方式，無需特定詳述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (14)

  1. 一種處理腔室，包含： 腔室主體；以及 一基板支撐組件，包含： 具有一主體的一基板支撐件，該主體包含： 一上表面與一下表面； 一或更多個主要電阻式加熱器，安置於該基板支撐組件中； 複數個次要加熱器，與該等主要電阻式加熱器同行，並安置於該基板支撐件中，其中該等次要加熱器之一數量是大於該等主要電阻式加熱器之一數量之一數量級；以及 一或更多個硬體佈線鍵，安置於該主體中，其中該等硬體鍵經配置以將該等次要加熱器中之每一者置於一有效或無效狀態。
  2. 根據請求項1所述之處理腔室，其中該基板支撐件係為一靜電夾盤。
  3. 根據請求項2所述之處理腔室，其中該等主要電阻式加熱器與該等複數個次要加熱器中之至少一者係形成於該主體的該下表面上。
  4. 根據請求項2所述之處理腔室，其中該等主要電阻式加熱器與該等複數個次要加熱器中之至少一者係安置於耦接到該主體的該下表面的一聚合物主體中。
  5. 根據請求項1所述之處理腔室，其中該主體具有複數個插座，該等複數個插座經配置以在其中容納該等硬體鍵。
  6. 根據請求項5所述之處理腔室，其中該等次要加熱器中之每一者具有連到該等複數個插座中之一者的一各別有線連接。
  7. 根據請求項6所述之處理腔室，其中該硬體鍵經配置以選擇性填充該插座處的該有線連接中的間隙，而使得電流可以從一控制板流動到所選擇的有線連接，以將每一次要加熱器置於該有效或無效狀態。
  8. 根據請求項1所述之處理腔室，其中該硬體佈線鍵係利用一種僅預選期望變成有效的那些次要加熱器之方式而形成，並將功率遞送到那些次要加熱器。
  9. 一種基板支撐組件，包含： 一基板支撐件，具有一基板支撐表面、一下表面、及一外周邊； 複數個電阻式加熱器，安置跨於該基板支撐件上，該等複數個電阻式加熱器分組成同心區域； 一或更多個硬體佈線鍵，沿著該外周邊安置於該基板支撐件中；以及 一加熱器控制器，透過該硬體鍵耦接到該等電阻式加熱器中之一選擇，該硬體鍵可操作地形成一電路，以控制將哪些電阻式加熱器耦接到該加熱器控制器。
  10. 根據請求項9所述之基板支撐組件，進一步包含： 該基板支撐件中的一或更多個插座，經配置以接收該硬體鍵，其中該等電阻式加熱器具有連到該一或更多個插座中之一各別插座的一各別有線連接。
  11. 根據請求項10所述之基板支撐組件，其中該電路中的一間隙係形成於該插座處，而使得沒有電流可以從該加熱器控制器而跨越該電路流動到該等有線連接。
  12. 根據請求項11所述之基板支撐組件，其中該硬體鍵進一步包含： 用於該等複數個電阻式加熱器中之一各別電阻式加熱器的一單個電路，其中該電路中的該等間隙使得該等複數個電阻式加熱器中的與該間隙相關聯的電阻式加熱器變為無效。
  13. 根據請求項9所述之基板支撐組件，其中該硬體鍵係與該外周邊齊平。
  14. 一種基板支撐組件，包含： 一基板支撐件，具有一基板支撐表面、一下表面、及一外周邊； 複數個電阻式加熱器，安置跨於該基板支撐件上，該等複數個電阻式加熱器分組成同心區域； 一或更多個硬體佈線鍵，沿著該外周邊安置於該基板支撐件中，而作為預配置成提供利用基板支撐組件校準期間所建立的溫度補償的加熱器控制器。
TW107147096A 2014-02-07 2015-02-03 溫度控制的基板支撐組件 TWI695906B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461937348P 2014-02-07 2014-02-07
US61/937,348 2014-02-07
US14/285,606 US11158526B2 (en) 2014-02-07 2014-05-22 Temperature controlled substrate support assembly
US14/285,606 2014-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201920759A true TW201920759A (zh) 2019-06-01
TWI695906B TWI695906B (zh) 2020-06-11

Family

ID=53775556

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104103592A TWI650442B (zh) 2014-02-07 2015-02-03 溫度控制的基板支撐組件
TW107147096A TWI695906B (zh) 2014-02-07 2015-02-03 溫度控制的基板支撐組件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104103592A TWI650442B (zh) 2014-02-07 2015-02-03 溫度控制的基板支撐組件

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11158526B2 (zh)
JP (4) JP6709736B2 (zh)
KR (2) KR102315349B1 (zh)
CN (3) CN105474382A (zh)
TW (2) TWI650442B (zh)
WO (1) WO2015119734A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI740577B (zh) * 2020-06-09 2021-09-21 南韓商光洋熱系統韓國股份有限公司 熱處理爐的加熱器供電裝置
TWI748774B (zh) * 2020-12-01 2021-12-01 天虹科技股份有限公司 晶圓承載盤及應用晶圓承載盤的薄膜沉積裝置

Families Citing this family (250)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5973731B2 (ja) * 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TW201448108A (zh) 2013-03-12 2014-12-16 Applied Materials Inc 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤
US10332772B2 (en) 2013-03-13 2019-06-25 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated ESC with independent edge zones
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
JP6607873B2 (ja) 2014-07-02 2019-11-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 埋め込み式ファイバーオプティクス及びエポキシ光ディフューザーを使用した基板の温度制御のための装置、システム、並びに方法
CN106971964A (zh) 2014-07-23 2017-07-21 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10847571B2 (en) 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10700120B2 (en) 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN107851586B (zh) 2015-01-23 2021-07-06 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9999947B2 (en) * 2015-05-01 2018-06-19 Component Re-Engineering Company, Inc. Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10187966B2 (en) * 2015-07-24 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas abatement
CN107113921B (zh) * 2015-08-20 2020-09-11 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
US10237916B2 (en) * 2015-09-30 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Systems and methods for ESC temperature control
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6530701B2 (ja) * 2015-12-01 2019-06-12 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
US9812342B2 (en) * 2015-12-08 2017-11-07 Watlow Electric Manufacturing Company Reduced wire count heater array block
US10690414B2 (en) * 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
US10499461B2 (en) * 2015-12-21 2019-12-03 Intel Corporation Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10582570B2 (en) * 2016-01-22 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
KR102513443B1 (ko) * 2016-03-15 2023-03-24 삼성전자주식회사 정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
WO2017170374A1 (ja) 2016-03-29 2017-10-05 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11069553B2 (en) * 2016-07-07 2021-07-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10366867B2 (en) 2016-08-19 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Temperature measurement for substrate carrier using a heater element array
US20180053666A1 (en) * 2016-08-19 2018-02-22 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with array of independently controllable heater elements
US10685861B2 (en) 2016-08-26 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates through optical guide
CN108076683B (zh) * 2016-09-16 2021-03-09 佳能安内华股份有限公司 加热装置、基板加热装置及半导体装置的制造方法
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
EP3539775A4 (en) * 2016-11-09 2020-05-06 Tongtai Machine & Tool Co., Ltd. HEATING AND REFRIGERATION DEVICE
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10910195B2 (en) 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US20180213608A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with radio frequency isolated heaters
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6341457B1 (ja) * 2017-03-29 2018-06-13 Toto株式会社 静電チャック
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP6688763B2 (ja) * 2017-05-30 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP7158131B2 (ja) * 2017-05-30 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 ステージ及びプラズマ処理装置
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10128084B1 (en) * 2017-09-18 2018-11-13 Axcelis Technologies, Inc. Wafer temperature control with consideration to beam power input
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
TWI743446B (zh) * 2018-02-20 2021-10-21 美商應用材料股份有限公司 用於原子層沉積(ald)溫度均勻性的熱解氮化硼(pbn)加熱器
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN111385915B (zh) * 2018-12-27 2022-04-26 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子反应器及其加热装置
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102253808B1 (ko) * 2019-01-18 2021-05-20 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
FR3092436B1 (fr) * 2019-02-04 2021-02-12 Aloxtec Four d’oxydation latérale de VCSEL avec modification locale de la vitesse d’oxydation
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
US11551951B2 (en) * 2020-05-05 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Methods and systems for temperature control for a substrate
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11688615B2 (en) * 2020-08-19 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for heating semiconductor wafers
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN114959654B (zh) * 2021-02-26 2024-01-09 鑫天虹(厦门)科技有限公司 晶圆承载盘及应用晶圆承载盘的薄膜沉积装置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
KR102579400B1 (ko) * 2021-05-12 2023-09-18 주식회사 한국제이텍트써모시스템 열처리 오븐의 히터 전원 연결장치
JP7213592B1 (ja) 2021-08-19 2023-01-27 アダプティブ プラズマ テクノロジー コーポレーション 多重加熱領域構造の静電チャック
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11831252B2 (en) 2021-12-07 2023-11-28 The Boeing Company Pixelated electrostatic adhesion
EP4344364A1 (en) * 2022-09-23 2024-03-27 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Thermal processing device and method

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5986395A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Toshiba Corp 光制御装置
US6133557A (en) * 1995-01-31 2000-10-17 Kyocera Corporation Wafer holding member
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
JPH11111823A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JPH11354528A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Toshiba Mach Co Ltd ウェーハ加熱用ヒータ
JP3764278B2 (ja) * 1998-07-13 2006-04-05 株式会社東芝 基板加熱装置、基板加熱方法及び基板処理方法
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6190040B1 (en) * 1999-05-10 2001-02-20 Sensarray Corporation Apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool
JP2001118662A (ja) * 1999-08-09 2001-04-27 Ibiden Co Ltd セラミックヒータ
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP4328009B2 (ja) 2000-11-30 2009-09-09 日本碍子株式会社 加熱装置
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
US6921724B2 (en) * 2002-04-02 2005-07-26 Lam Research Corporation Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck
US20050217799A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Wafer heater assembly
US7126092B2 (en) 2005-01-13 2006-10-24 Watlow Electric Manufacturing Company Heater for wafer processing and methods of operating and manufacturing the same
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP2008115440A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置
JP2009054871A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
US20090274590A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US8755204B2 (en) 2009-10-21 2014-06-17 Lam Research Corporation RF isolation for power circuitry
CN102652352B (zh) 2009-12-15 2015-12-02 朗姆研究公司 调节基板温度来改进关键尺寸（cd）的均匀性
US8274017B2 (en) 2009-12-18 2012-09-25 Applied Materials, Inc. Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control
US8274020B2 (en) * 2010-05-04 2012-09-25 Whirlpool Corporation Apparatus and method of controlling a triple heating element of a cooking appliance
US8546732B2 (en) * 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
US9307578B2 (en) 2011-08-17 2016-04-05 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
CN103918347B (zh) 2011-08-30 2016-05-04 沃特洛电气制造公司 热阵列系统
US8624168B2 (en) 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
US8461674B2 (en) * 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
US9324589B2 (en) 2012-02-28 2016-04-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
US8809747B2 (en) * 2012-04-13 2014-08-19 Lam Research Corporation Current peak spreading schemes for multiplexed heated array
US8937800B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
TW201448108A (zh) 2013-03-12 2014-12-16 Applied Materials Inc 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤
US10332772B2 (en) 2013-03-13 2019-06-25 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated ESC with independent edge zones
US9196514B2 (en) 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
CN106971964A (zh) 2014-07-23 2017-07-21 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
JP7030420B2 (ja) * 2017-04-10 2022-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI740577B (zh) * 2020-06-09 2021-09-21 南韓商光洋熱系統韓國股份有限公司 熱處理爐的加熱器供電裝置
TWI748774B (zh) * 2020-12-01 2021-12-01 天虹科技股份有限公司 晶圓承載盤及應用晶圓承載盤的薄膜沉積裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105474382A (zh) 2016-04-06
JP6987166B2 (ja) 2021-12-22
KR102413035B1 (ko) 2022-06-23
US11158526B2 (en) 2021-10-26
US20150228513A1 (en) 2015-08-13
US20220013374A1 (en) 2022-01-13
CN113539931A (zh) 2021-10-22
JP2017512385A (ja) 2017-05-18
JP7444842B2 (ja) 2024-03-06
KR20160117407A (ko) 2016-10-10
JP2020109845A (ja) 2020-07-16
TW201534754A (zh) 2015-09-16
KR102315349B1 (ko) 2021-10-19
TWI650442B (zh) 2019-02-11
JP2022043074A (ja) 2022-03-15
JP2020145468A (ja) 2020-09-10
WO2015119734A1 (en) 2015-08-13
TWI695906B (zh) 2020-06-11
CN113539932A (zh) 2021-10-22
KR20210126164A (ko) 2021-10-19
JP7023321B2 (ja) 2022-02-21
JP6709736B2 (ja) 2020-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI650442B (zh) 溫度控制的基板支撐組件
US20200152500A1 (en) Tunable temperature controlled substrate support assembly
US11265971B2 (en) Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
JP2019505092A5 (zh)