JPS5986395A - 光制御装置 - Google Patents
光制御装置Info
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- JPS5986395A JPS5986395A JP57195347A JP19534782A JPS5986395A JP S5986395 A JPS5986395 A JP S5986395A JP 57195347 A JP57195347 A JP 57195347A JP 19534782 A JP19534782 A JP 19534782A JP S5986395 A JPS5986395 A JP S5986395A
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- JP
- Japan
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- optical
- optical fiber
- circuit side
- light emitting
- diodes
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/092—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Selective Calling Equipment (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は受光素子を備えた主回路側と、発光素子を備え
た制御回路側を光ファイバーによって光学的に結合し、
制御回路側からの光信号によって主回路側を制御する光
制御装置に関するもので、籍に、高゛醒圧を主回路側に
受ける光制御装置に関するものである。
た制御回路側を光ファイバーによって光学的に結合し、
制御回路側からの光信号によって主回路側を制御する光
制御装置に関するもので、籍に、高゛醒圧を主回路側に
受ける光制御装置に関するものである。
近年、発光素子を制御回路側に備え、その光を元ファイ
バーによって、受光素子を備える主回路側に伝達し、制
御回路側からのプを信号によって主回路側の動作を制御
する方式が広く行なわれるようになった。
バーによって、受光素子を備える主回路側に伝達し、制
御回路側からのプを信号によって主回路側の動作を制御
する方式が広く行なわれるようになった。
そして、この試みは高電圧を取扱う、電力の送配電分野
にも応用されようとしている。
にも応用されようとしている。
光制御の場合、制御回路側の低い電圧、例えば、発光素
子を発光させるために必要な電圧(せいぜい数百V)に
よって、主回路側の高電圧(例えば数百KV)を制御で
き、また、両回路間も光ファイバーによシ光学的に結合
されているため主回路側の電気的ノイズ(例えば雷によ
る影響)によって制御回路側が影響されるということは
ない。
子を発光させるために必要な電圧(せいぜい数百V)に
よって、主回路側の高電圧(例えば数百KV)を制御で
き、また、両回路間も光ファイバーによシ光学的に結合
されているため主回路側の電気的ノイズ(例えば雷によ
る影響)によって制御回路側が影響されるということは
ない。
しかし、逆に、主回路側が高電圧になるに従い、制御回
路側との電位差が大きくなり、そのために、両回路間を
光学的に結合する光ファイバーを伝って漏れ電流が流れ
、制御回路側の発光素子を破壊するといった事故が発生
する場合がある。
路側との電位差が大きくなり、そのために、両回路間を
光学的に結合する光ファイバーを伝って漏れ電流が流れ
、制御回路側の発光素子を破壊するといった事故が発生
する場合がある。
すなわち、(光ファイバーからの光をできるだけ有効に
利用するため、光ファイバーの両端は発光素子、受光素
子にできるだけ近接するように構成されるため、場合に
よっては、その両端は各素子に当接される。したがって
低い電圧時では問題にならなかったが、光ファイバーが
高電圧時には電気的な漏れ電流路になシ、これが発光素
子の破壊の原因になっていることが判明した。
利用するため、光ファイバーの両端は発光素子、受光素
子にできるだけ近接するように構成されるため、場合に
よっては、その両端は各素子に当接される。したがって
低い電圧時では問題にならなかったが、光ファイバーが
高電圧時には電気的な漏れ電流路になシ、これが発光素
子の破壊の原因になっていることが判明した。
本発明は、上記欠点に鑑みなされたものであ夛、高電圧
を主回路側に受ける場合においても、制御回路側の素子
が破壊されないようにすることを目的とする。
を主回路側に受ける場合においても、制御回路側の素子
が破壊されないようにすることを目的とする。
本発明においては、主―路側と制御回路側を光結合する
光ファイバーを接地し、主回路側からの漏れ電流の影響
を制御回路側に及ぼさないようにしている。
光ファイバーを接地し、主回路側からの漏れ電流の影響
を制御回路側に及ぼさないようにしている。
第1図は、゛本発明が利用されうる、高電圧を使用する
直流送電のシステムの概略図を示したものである。(1
)は交流発電機で、その出力は交流−直流変換器(2)
(以下AC/DC変換器)によυ直流に変換され、この
状態で送電される。(3)は直流−交流変換器(以下1
)C/AC変換器)で、これによ)交流に再び変換され
、負荷(交流′tLwJ機)(4)に供給される。
直流送電のシステムの概略図を示したものである。(1
)は交流発電機で、その出力は交流−直流変換器(2)
(以下AC/DC変換器)によυ直流に変換され、この
状態で送電される。(3)は直流−交流変換器(以下1
)C/AC変換器)で、これによ)交流に再び変換され
、負荷(交流′tLwJ機)(4)に供給される。
第2図は、そのAC/DC変換器(2)に応用した本発
明の一実施例を示す図であシ、゛第′″1・烟の各構成
要素に対応するものには同一符号を付している。
明の一実施例を示す図であシ、゛第′″1・烟の各構成
要素に対応するものには同一符号を付している。
図において(21)〜(26)は各々N個の光サイリス
タの直列接続から構成されるアームと呼ばれる部分でア
シ、これら6個のアームがブリッジと呼ばれる整流回路
(20)を構成する。そして、各アームには、各々光サ
イリスタの数に対応した個数の発光ダイオードを備えた
制御回路(30) (−例として、アーム(24)に対
応した部分だけ示す)が設けられる。また、各光サイリ
スタと発光ダイオードとは0 光ファイバー(101)〜(狙N)によって光学的に結
合される。そして、各光ファイバーは接地されている。
タの直列接続から構成されるアームと呼ばれる部分でア
シ、これら6個のアームがブリッジと呼ばれる整流回路
(20)を構成する。そして、各アームには、各々光サ
イリスタの数に対応した個数の発光ダイオードを備えた
制御回路(30) (−例として、アーム(24)に対
応した部分だけ示す)が設けられる。また、各光サイリ
スタと発光ダイオードとは0 光ファイバー(101)〜(狙N)によって光学的に結
合される。そして、各光ファイバーは接地されている。
また、発光ダイオード(30s )〜(3ON)に対し
て直列にトランジスタ(12)が接続されておシ、その
ベースには制御信号を発生する信号発生器(14)が接
続されている。そして、この信号発生器(14)からの
信号によってトランジスタ(12)がONすると各発光
ダイオード(301)〜(3ON)が発光し、それに対
して、アーム構成する光サイリスタ(241)〜(24
N)がONすることになる。そして、発電機(1)から
の出力電圧の位相に応じて各アームを順次導通させるこ
とによ)出力端子(18)から直流出力が出力されるこ
とになる。なお、光7アイバー(10) 、 整流回路
(20) 、制御回路(30)が八C/I)C変換器(
2)を構成することになる。
て直列にトランジスタ(12)が接続されておシ、その
ベースには制御信号を発生する信号発生器(14)が接
続されている。そして、この信号発生器(14)からの
信号によってトランジスタ(12)がONすると各発光
ダイオード(301)〜(3ON)が発光し、それに対
して、アーム構成する光サイリスタ(241)〜(24
N)がONすることになる。そして、発電機(1)から
の出力電圧の位相に応じて各アームを順次導通させるこ
とによ)出力端子(18)から直流出力が出力されるこ
とになる。なお、光7アイバー(10) 、 整流回路
(20) 、制御回路(30)が八C/I)C変換器(
2)を構成することになる。
さて、例えば直流出力電圧として250KVDQを出力
する場合には各アームは125 KVD Q以上の耐圧
を狭する。例として、アーム(24)について考えると
端子(15)には125KVDOの電圧が印加されるこ
とになる。また制御回路(30)側の端子(11)に供
給される電圧を550VDOとすると両端子間の電位差
は約125KVDOが生ずる。この電位差によル、本来
は電気絶縁体である光ファイバー(10l)〜(1ON
)に漏れ′α流が流れる。しかし、本発明においては各
光ファイバーは、接地されているため、主回路側からの
漏れ電流が発光ダイオードに流れることはない。従って
発光ダイオードを漏れ電流による破壊から保譲すること
ができる。
する場合には各アームは125 KVD Q以上の耐圧
を狭する。例として、アーム(24)について考えると
端子(15)には125KVDOの電圧が印加されるこ
とになる。また制御回路(30)側の端子(11)に供
給される電圧を550VDOとすると両端子間の電位差
は約125KVDOが生ずる。この電位差によル、本来
は電気絶縁体である光ファイバー(10l)〜(1ON
)に漏れ′α流が流れる。しかし、本発明においては各
光ファイバーは、接地されているため、主回路側からの
漏れ電流が発光ダイオードに流れることはない。従って
発光ダイオードを漏れ電流による破壊から保譲すること
ができる。
第3図は光ファイバーと発光素子側との結合部を発光ダ
イオード(aOl)について11?百図的に示した図で
ある。すなわち、結合部は元ファイバーQo1)発光ダ
イオードチップ((資)、)これらを保持する金属製の
シャーシー(37)、および光ファイバー(101)、
!:発光素子のパッケージとを絶縁する絶縁物(39)
を主な構成要素としている。
イオード(aOl)について11?百図的に示した図で
ある。すなわち、結合部は元ファイバーQo1)発光ダ
イオードチップ((資)、)これらを保持する金属製の
シャーシー(37)、および光ファイバー(101)、
!:発光素子のパッケージとを絶縁する絶縁物(39)
を主な構成要素としている。
すなわちQo+>は光ファイバでメジ、例えば石英ファ
イバーの束がシリコーン樹脂の被膜によって覆われたも
のが使用される。そして、先端部は樹脂被膜がはがされ
、金属製の膜によって専ねられる(410部分)。また
(10A)は金属製の光コネクタプラグであシ、石英フ
ァイバーを受光側に機械的に接続するために用いられる
。一方、発光ダイオードのパッケージにはキャンタイプ
のものが使用され、発光ダイオードチップ(301)、
金属製のステム(30A) 、発光ダイオードテッグ(
30s)からの光を放出するための窓(30C)を備え
たキャン(30D) 、リード(33) 、およびリー
ドと発光ダイオードチップを接続するワイヤリード(3
0B)を具備している。
イバーの束がシリコーン樹脂の被膜によって覆われたも
のが使用される。そして、先端部は樹脂被膜がはがされ
、金属製の膜によって専ねられる(410部分)。また
(10A)は金属製の光コネクタプラグであシ、石英フ
ァイバーを受光側に機械的に接続するために用いられる
。一方、発光ダイオードのパッケージにはキャンタイプ
のものが使用され、発光ダイオードチップ(301)、
金属製のステム(30A) 、発光ダイオードテッグ(
30s)からの光を放出するための窓(30C)を備え
たキャン(30D) 、リード(33) 、およびリー
ドと発光ダイオードチップを接続するワイヤリード(3
0B)を具備している。
また、(”s)は金属製(例えば真鍮部)のコネクタで
、前述した光コネクタプラグ(IOA)、シャーシー
(37) 、絶縁層(例えばテフロン樹脂からなる)(
39)と機械的に結合される。なお、この際、光コネク
タグラブ(IOA)、コネクタ(38)およびシャーシ
ー (37)が金属製であるため、このシャーシー(3
7)を接地することによ)、光7アイパーは接地される
ことになる。
、前述した光コネクタプラグ(IOA)、シャーシー
(37) 、絶縁層(例えばテフロン樹脂からなる)(
39)と機械的に結合される。なお、この際、光コネク
タグラブ(IOA)、コネクタ(38)およびシャーシ
ー (37)が金属製であるため、このシャーシー(3
7)を接地することによ)、光7アイパーは接地される
ことになる。
また(40)は発光ダイオードの点灯によって生じた熱
を放散するだめの放熱板で、ネジ(423) (424
)によ)発光ダイオード(30)がマウントされている
ステム(30A)に当接されている。
を放散するだめの放熱板で、ネジ(423) (424
)によ)発光ダイオード(30)がマウントされている
ステム(30A)に当接されている。
本実施例で示すように発光ダイオード部と光フアイバ一
部とを絶縁物(39)によシ絶縁することによし、光フ
ァイバーを接地することによる効果と相まって、光ファ
イバーを伝って流れる漏れ電流が発光ダイオードに流れ
るのをより完全に防ぐことができる。
部とを絶縁物(39)によシ絶縁することによし、光フ
ァイバーを接地することによる効果と相まって、光ファ
イバーを伝って流れる漏れ電流が発光ダイオードに流れ
るのをより完全に防ぐことができる。
なお、各発光ダイオード(302)〜(3ON)につい
ても同様な構成がとられることになる。
ても同様な構成がとられることになる。
以上説明しfc様に、本発明によれば、光制御装置の主
回路側と制御回Mijlllに大きな電位差がある場合
にも、信頼性の高い制御を提供することができる。
回路側と制御回Mijlllに大きな電位差がある場合
にも、信頼性の高い制御を提供することができる。
また、発光素子自体の耐圧をそれ程考照する必要がない
ため、小型のものが使用でき、コストを上げることなく
高電圧を扱う制御系への適用が可能となる。
ため、小型のものが使用でき、コストを上げることなく
高電圧を扱う制御系への適用が可能となる。
第1図は直流送電の概略図を示す図、第2図は本発明の
一実施例を示す図、第3図は光ファイノく−と発光素子
側との結合部を断面図的に示した図である。 1・・・発電機、 2・・・AC,/I)C変換
器、3・・・D C/AC変換器、 4・・・負荷(
電動機)、10・・・光ファイバー、14・・・信号発
生器、20・・・整流回路、21〜26・・・アーム、
241〜24N・・・光サイリスタ、 30、〜3ON・・・発光ダイオード、37・・・シャ
ーシー、38・・・コネクタ、39・・・絶縁層、
40・・・放熱板、421〜424・・・ネ ジ。 (7317) 代理人 弁理士 則近憲佑(池1名) 策1図 策20 ′f3図
一実施例を示す図、第3図は光ファイノく−と発光素子
側との結合部を断面図的に示した図である。 1・・・発電機、 2・・・AC,/I)C変換
器、3・・・D C/AC変換器、 4・・・負荷(
電動機)、10・・・光ファイバー、14・・・信号発
生器、20・・・整流回路、21〜26・・・アーム、
241〜24N・・・光サイリスタ、 30、〜3ON・・・発光ダイオード、37・・・シャ
ーシー、38・・・コネクタ、39・・・絶縁層、
40・・・放熱板、421〜424・・・ネ ジ。 (7317) 代理人 弁理士 則近憲佑(池1名) 策1図 策20 ′f3図
Claims (3)
- (1)受光素子を備えた主回路と、発光素子を備えた制
御回路とを光ファイバーによって光学的に結合し、前記
制御回路からの出力によって主回路側″の動作の制御を
行なう光制御装置において、前記光ファイバを電気的に
接地する手段を設けたことを特徴とする光制御装置。 - (2)前記光ファイバーの発光素子側の一端には金属製
の光コネクタ手段が設けられておシ、この光コネクタ手
段が接地されることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光制御装置。 - (3)前記発光素子と光コネクタ間には絶縁物が介在さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第2項の光制御装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195347A JPS5986395A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光制御装置 |
DE8383110929T DE3373245D1 (en) | 1982-11-09 | 1983-11-02 | Optically controlling apparatus |
EP83110929A EP0108391B1 (en) | 1982-11-09 | 1983-11-02 | Optically controlling apparatus |
US06/548,729 US4614873A (en) | 1982-11-09 | 1983-11-04 | Signal isolator with optical fiber grounding means |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195347A JPS5986395A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5986395A true JPS5986395A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16339652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57195347A Pending JPS5986395A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 光制御装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4614873A (ja) |
EP (1) | EP0108391B1 (ja) |
JP (1) | JPS5986395A (ja) |
DE (1) | DE3373245D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3426768A1 (de) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zum betrieb von thyristoren in einem ventilzweig |
JP2659931B2 (ja) * | 1985-06-29 | 1997-09-30 | 財団法人 半導体研究振興会 | 光制御電力変換装置 |
JPH059698Y2 (ja) * | 1986-11-27 | 1993-03-10 | ||
FR2636184B1 (fr) * | 1988-09-02 | 1994-04-01 | Merlin Et Gerin | Dispositif de coupure statique pour circuit electrique a moyenne tension |
US4948960A (en) * | 1988-09-20 | 1990-08-14 | The University Of Delaware | Dual mode light emitting diode/detector diode for optical fiber transmission lines |
DE3834394A1 (de) * | 1988-10-10 | 1990-04-12 | Telefunken Electronic Gmbh | Kopplungsvorrichtung einer optischen faser mit einer lichtemittierenden diode |
US5093879A (en) * | 1990-06-22 | 1992-03-03 | International Business Machines Corporation | Electro-optical connectors |
US5475215A (en) * | 1994-01-03 | 1995-12-12 | Hsu; Winston | Optical communicating apparatus for communcating optical signals between electronic circuts |
IT1274365B (it) * | 1995-03-27 | 1997-07-17 | Alcatel Italia | Sistema di connessione tra una piastra a circuito stampato e un cavo e bussola per l'uso in detto sistema di connessione |
US6670210B2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-12-30 | Intel Corporation | Optical waveguide with layered core and methods of manufacture thereof |
JP2004103559A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | Mems装置 |
US11158526B2 (en) * | 2014-02-07 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled substrate support assembly |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3459943A (en) * | 1967-02-06 | 1969-08-05 | Gen Electric | Silicon controlled rectifier gating circuits with a high frequency triggering voltage and photocells |
US3590344A (en) * | 1969-06-20 | 1971-06-29 | Westinghouse Electric Corp | Light activated semiconductor controlled rectifier |
US3809908A (en) * | 1973-06-29 | 1974-05-07 | Itt | Electro-optical transmission line |
US3859536A (en) * | 1974-01-07 | 1975-01-07 | Corning Glass Works | Optical communication system source-detector pair |
US4151427A (en) * | 1977-07-15 | 1979-04-24 | Travin Lev V | High-voltage zero-crossing detector |
US4222629A (en) * | 1978-03-27 | 1980-09-16 | Sperry Corporation | Fiber optic connector assembly |
US4273413A (en) * | 1979-02-26 | 1981-06-16 | Amp Incorporated | Photoelectric element/optical cable connector |
JPS5911772A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57195347A patent/JPS5986395A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-02 DE DE8383110929T patent/DE3373245D1/de not_active Expired
- 1983-11-02 EP EP83110929A patent/EP0108391B1/en not_active Expired
- 1983-11-04 US US06/548,729 patent/US4614873A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3373245D1 (en) | 1987-10-01 |
US4614873A (en) | 1986-09-30 |
EP0108391A2 (en) | 1984-05-16 |
EP0108391B1 (en) | 1987-08-26 |
EP0108391A3 (en) | 1985-08-07 |
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