TW201912412A - 電路基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明中的電路基板具備第一層及第二層，該第一層包含纖維基材、和被含浸於該纖維基材中的熔融性氟系樹脂，該第二層各自被配置於前述第一層的雙面，並包含非熔融性氟系樹脂。

Description

電路基板及其製造方法
本發明關於一種電路基板及其製造方法。
自先前以來，針對電路基板使用了氟系樹脂來作為低介電係數的樹脂。並且，由氟系樹脂所形成的電路基板，尤其被使用來作為高頻用的電路基板。例如，專利文獻1中揭示了一種電路基板，其是使聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)含浸於玻璃纖維等的纖維基材中所得。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2001-148550號公報。
[發明所欲解決的問題]
但是，如上所述的電路基板，會有氟系樹脂未充分地含浸於纖維基材而在纖維基材內形成空隙這樣的問題。並且，若存在有這樣的空隙，有時水分會被吸收至電路基板內。其結果，會有產生下述問題的疑慮：電路基板的介電系數等的電性特性發生變化；或者，電路基板上的導電層也就是金屬會沿著空隙析出，而產生電路的短路等。本發明是解決上述所欲解決問題而完成的，其目的在於提供一種電路基板及其製造方法，該電路基板能夠防止水分的吸收。 [解決問題的技術手段]
本發明中的電路基板具備第一層及第二層，該第一層包含纖維基材、和被含浸於該纖維基材中的熔融性氟系樹脂，該第二層各自被配置於前述第一層的雙面，並包含非熔融性氟系樹脂。
在上述電路基板中，前述各第二層的氟系樹脂中，能夠含有無機微粒。
在上述電路基板中，能夠進一步具備第三層，該第三層各自覆蓋於前述各第二層，並包含非熔融性氟系樹脂。
在上述各電路基板中，前述熔融性氟系樹脂能夠設為：四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚樹脂(PFA)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/乙烯共聚物(ETFE)、聚偏二氟乙烯樹脂(PVDF)、三氟氯乙烯樹脂(CTFE)或該等的組合。
在上述各電路基板中，前述熔融性氟系樹脂能夠設為聚四氟乙烯(PTFE)。
在上述各電路基板中，在前述各第二層的氟系樹脂中，能夠含有無機微粒，並且，以體積比作為基準計，前述各第二層的氟系樹脂與前述無機微粒的混合比，較佳為5：5～3：7。
本發明中的電路基板的製造方法，具備下述步驟：成形第一層的步驟，其使熔融性氟系樹脂含浸於纖維基材中，並以比起該熔融性氟系樹脂的熔點更低的溫度進行加熱，藉此將第一層成形；及，形成第二層的步驟，其將包含非熔融性氟系樹脂之第二層各自形成在前述第一層的雙面上。
在上述電路基板的製造方法中，在前述各第二層的氟系樹脂中，能夠含有無機微粒。
在上述電路基板的製造方法中，以體積比作為基準計，前述各第二層的氟系樹脂與前述無機微粒的混合比，較佳為5：5～3：7。
在上述電路基板的製造方法中，能夠進一步具備形成第三層的步驟，該第三層各自覆蓋於前述各第二層，並包含非熔融性氟系樹脂。 [發明的效果]
根據本發明，能夠防止水分的吸收。
以下，一邊參照圖式，一邊說明本發明的電路基板的一實施形態。第1圖是顯示本實施形態中的電路基板的概略結構的剖面圖。
〈1.電路基板的概要〉 如第1圖所示，此電路基板具備：薄片狀的第一層1；一對的第二層2，其被配置於此第一層1的雙面；及，一對的第三層3，其被配置於各第二層2的表面上。並且，在第三層3的表面上，形成有用以形成電路的導電層4。以下，詳細地說明各層的構成。
〈2.第一層〉 第一層1，是藉由使熔融性氟系樹脂(以下，有時僅稱為熔融性樹脂)12含浸於纖維基材11中來形成。纖維基材11並無特別限定，例如能夠列舉：如玻璃纖維、碳纖維、芳醯纖維(芳香族聚醯胺)、聚對伸苯苯并雙噁唑(PBO，poly p-phenylenebenzobisoxazole)纖維、聚乙烯醇(PVA)纖維、聚乙烯(PE)纖維、聚醯亞胺纖維等的塑膠纖維；如玄武岩纖維等的無機纖維。或者，能夠列舉如不鏽鋼纖維等的金屬纖維等。又，能夠使用上述纖維基材11中的1種，或組合2種以上來使用。
纖維基材11的基重，雖然並無特別限定，但是例如若纖維基材11的基重變小，在形成第一層1時加熱並在之後回復常溫時，會由於第二層2的非熔融性氟系樹脂的收縮，而有纖維基材11變形的疑慮。另一方面，若纖維基材11的基重較大，會由於纖維基材11的介電係數與熔融性氟系樹脂12的介電係數的差異，而有電路基板的介電係數的分布變得不均勻的疑慮。從這個觀點來看，纖維基材11的基重較佳是設為20～60g/m2 ，進一步較佳是設為30～48g/m2 。
熔融性氟系樹脂12，例如能夠設為：四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚樹脂(PFA)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚樹脂(FEP)、四氟乙烯/乙烯共聚樹脂(ETFE)、聚偏二氟乙烯樹脂(PVDF)、三氟氯乙烯(CTFE)樹脂或該等的組合。
此處，所謂的熔融性氟系樹脂，意指容易含浸於纖維基材11的纖維間這樣的流動性高的氟系樹脂。具體而言，除了上述的組成物之外，例如能夠設為下述樹脂，其依據ASTM(美國材料和試驗協會標準) D 1238在372℃且5kg的負重條件中所測得的熔體流動速率(Melt Flow Rate，MFR)為1～30g/10分鐘。只要熔體流動速率為1g/10分鐘以上，在成形時，容易含浸於纖維基材11的纖維間，而不易形成縫隙。另一方面，當熔體流動速率小於1g/10分鐘，在成形時會無法含浸於纖維基材11的纖維間，而容易形成縫隙。又，第一層1的厚度，較佳為10～30μm。
〈3.第二層〉 繼而，說明第二層2。第二層2，是由含有無機填料之非熔融性氟系樹脂(以下，有時僅稱為非熔融性樹脂)所形成。非熔融性氟系樹脂，例如能夠設為聚四氟乙烯(PTFE)、PTFE改質體或該等的組合。所謂的前述改質體，是在PTFE分子鏈的末端上具有羥基、胺基、羧基之PTFE。或者，所謂的前述改質體，亦能夠設為混合後的樹脂，其是將至少超過50重量%的PTFE設為主成分，並將前述熔融性氟系樹脂或液晶聚合物(LCP)等設為副成分。
此處，所謂的非熔融性氟系樹脂，意指流動性低的氟系樹脂。具體而言，能夠設為在上述的條件中無法進行熔體流動速率的測定這樣的氟系樹脂。
雖然為了抑制由非熔融性氟系樹脂所造成的第二層2的膨脹而含有無機填料(無機微粒)，但是其具體的組成並無特別限定。例如能夠列舉：氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈦、碳化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、鈦白、滑石、黏土、雲母、玻璃纖維等。又，作為無機填料，可以是混合自上述之中的2種以上而成者。
無機填料整體的平均粒徑(D50 )，較佳為0.5～20μm。又，以體積比作為基準計，上述非熔融性氟系樹脂與無機填料的混合比，例如較佳是設為6：4～3：7，進一步較佳是設為5：5～3：7，特佳是設為4.5：5.5～3.5：6.5。亦即，無機填料的比例，如後所述，根據製造方法能夠設為比非熔融性氟系樹脂更少，亦能夠設為更多。又，第二層2的厚度，較佳為60～100μm。
〈4.第三層〉 繼而，說明第三層3。第三層3，雖然與第二層2同樣地是由非熔融性氟系樹脂所形成，但是不含有無機填料。第三層3的非熔融性樹脂，可以與第二層2不同，但是較佳是由相同的非熔融性樹脂所形成。第三層3，可發揮覆蓋第二層2的效果。亦即，若無機填料露出，導電層4會有變得不易黏著並容易剝離的疑慮。又，因為無機填料中具有氧化矽這樣親水性較高的成分，所以若這樣的無機填料露出，會有吸收水分的疑慮。從而，為了防止這樣的缺陷，而設置有第三層3。又，第三層3的厚度，較佳為20～50μm。
〈5.導電層〉 導電層4是由金屬箔所形成，例如能夠藉由銅箔等來形成。當以銅箔來形成導電層4時，例如，能夠使用下述銅箔：表面粗糙度(由日本工業規格(JIS)-B-0601所規定的中心線平均粗糙度)Ra為0.2μm以下且經施行未粗糙化處理的銅箔；或表面粗糙度(由JIS-B-0601所規定的十點平均粗糙度)Rz的最大值為5μm以下且經施行低粗糙度的粗糙化處理而成的銅箔(JIS-C-6515的種類中為V者)。例如，可使用雙面未經粗糙化處理或黑化處理且呈平滑面的銅箔(壓延銅箔)。並且，針對於這樣的導電層4，藉由蝕刻等的處理，可形成特定的導電圖案。
〈6.電路基板的製造方法〉 繼而，說明如上述所構成的電路基板的製造方法的一例。首先，為了形成第一層1，使熔融性樹脂的分散液(dispersion)含浸在纖維基材11中。使其通過一對輥子之間，來使熔融性樹脂含浸在纖維基材11中，並且調整厚度。繼而，對其以比起熔融性樹脂的熔點更低的100℃左右進行乾燥，之後，以比起熔融性樹脂的熔點更低且可使分散液的分散劑(界面活性劑)被加熱分解的溫度進行加熱。加熱分解溫度，例如當使用PFA分散液作為熔融性樹脂的分散液時，能夠設為比起PFA的熔點也就是300～310℃更低的小於300℃。若如此設定，第一層1的表面便不會變得過硬，並且接下來說明的第二層2會變得容易積層。如此一來，便可形成預浸體也就是第一層1。再者，能夠重複進行以上的含浸、乾燥及加熱步驟，直到第一層1成為期望的厚度為止。
繼而，形成第二層2。亦即，將第一層1浸泡在非熔融性樹脂和無機填料的分散液(dispersion)中，使第二層2的材料附著於第一層1的雙面上。但是，以體積比作為基準計，非熔融性樹脂較佳為以比起無機填料更多的方式來混合。使其通過一對輥子之間，來調整第二層2的厚度。繼而，對其以比起非熔融性樹脂的熔點更低的100℃進行乾燥，之後，以比起非熔融性樹脂的熔點更高的超過310℃的溫度進行加熱。能夠重複進行以上的含浸、乾燥及加熱步驟，直到第二層2成為期望的厚度為止。如此一來，便能夠形成第一中間體，其是在第一層1的雙面上形成第二層2而成。
接續以上步驟，將第三層3形成在第一中間體的雙面上。亦即，將第一中間體浸泡在非熔融性樹脂也就是PFA的分散液(dispersion)中，使第三層3的材料附著在第一中間體的雙面也就是第二層2的雙面上。使其通過一對輥子之間，來調整第三層3的厚度。繼而，對其以比起非熔融性樹脂的熔點更低的100℃左右進行乾燥，之後，以比起非熔融性樹脂的熔點更高的超過310℃的溫度進行加熱。能夠重複進行以上的含浸、乾燥及加熱步驟，直到第三層3成為期望的厚度為止。如此一來，便能夠形成第二中間體。
最後，將導電體4形成在第二中間體的雙面上。例如，將銅箔等的導電層4積層在第二中間體的雙面上後，以380℃進行熱壓接(加壓成形)。藉此，導電層4便能夠黏著在第二中間層的雙面上。如此一來，便可形成電路基板。
〈7.特徵〉 根據以上的電路基板，使用了熔融性氟系樹脂作為構成第一層1的樹脂。此熔融性氟系樹脂因為流動性高，所以能夠充分地含浸於纖維基材11之間。因此，便能夠防止空隙形成在第一層1中，並能夠防止水分被吸收至電路基板內。其結果，便能夠防止由於水分造成電路基板的電性特性發生變化的情形。
〈8.變形例〉 以上，說明了本發明的一實施形態，但是本發明並不限定於上述實施形態，只要在不脫離其要旨的範圍內，能夠進行各種變更。例如，能夠進行以下的變更。又，以下的變形例能夠適當地組合。
〈8-1〉 在上述實施形態中，將形成有導電層4者設為電路基板，但是本發明中的電路基板，亦能夠設為上述第二中間體。亦即，能夠後續再將導電層4設置在第二中間體上。
〈8-2〉 雖然在上述實施形態中，當形成第一層1時將PFA分散液設為比起PFA的熔點也就是300～310℃更低的小於300℃，但是這是因為如同上述，以體積比作為基準計，第二層的構成中無機填料比非熔融性樹脂更少的緣故。如此一來，若無機填料的比例較小，侵入第二層2的錨固效果便會較小，所以藉由降低第一層1的PFA的溫度，使表面不會變得過硬，從而使第二層2變得容易積層。
針對這點，亦能夠將第二層2的無機填料的比例設為比非熔融性樹脂更多。此時，即便使第一層1的熔融性樹脂(PFA等)的加熱溫度比起熔點更高而使表面變硬，仍能夠期待第二層2的無機填料侵入第一層1中的錨固效果。從而，即便第一層1的熔融性樹脂的溫度變高，仍能夠將第二層2堅固地積層在第一層1上。又，若提高熔融性樹脂12的加熱溫度，熔融性樹脂12會充分地含浸於第一層1的纖維基材11，便能夠進一步防止在纖維基材11內形成空隙。
〈8-3〉 第二層2中，可以不必包含無機填料，亦能夠僅由非熔融性氟系樹脂構成第二層2。此時，不需要第三層3，並能夠依據需要而將第四層4形成在第二層2的表面上。
〈8-4〉 第二層2，亦能夠由不包含無機填料之非熔融性氟系樹脂層、與在前述非熔融性氟系樹脂層的兩側的包含無機填料之非熔融性氟系樹脂層構成。此時，能夠將第三層3形成在前述中間體的兩側。 [實施例]
以下，說明本發明的實施例。但是，本發明並不限定於以下的實施例。
用以下方式來形成實施例1、2及比較例中的電路基板。
(1)實施例1 準備30g/m2 的玻璃纖維作為纖維基材。繼而，使PFA的分散液含浸在此纖維基材中。繼而，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。然後，對其以比起PFA的熔點更低的小於300℃進行加熱，便形成第一層。
繼而，將第一層浸泡在混合有PTFE與作為無機填料的氧化矽之分散液中，來使此混合液附著在第一層的雙面上。氧化矽的平均粒徑為5μm。又，將PTFE與氧化矽的體積比設為6：4。然後，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。繼而，對其以比起PTFE的熔點更高的約360℃進行加熱，便形成積層有第二層之第一中間體。
繼而，將該第一中間體浸泡在PTFE的分散液中，使PTFE附著在第一層的雙面上。然後，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。繼而，對其以比起PTFE的熔點更高的約360℃進行加熱，便形成積層有第三層之第二中間體。此處，將該第二中間體當作實施例1。
(2)實施例2 準備30g/m2 的玻璃纖維作為纖維基材。繼而，使PFA的分散液含浸在此纖維基材中。繼而，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。然後，對其以比起PFA的熔點更高的340℃進行加熱，便形成第一層。
繼而，將第一層浸泡在混合有PTFE與作為無機填料的氧化矽之分散液中，來使此混合液附著在第一層的雙面上。氧化矽的平均粒徑為5μm。又，將PTFE與氧化矽的體積比設為4：6。然後，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。繼而，對其以比起PTFE的熔點更高的約340℃進行加熱，便形成積層有第二層之第一中間體。
繼而，與實施例1同樣地積層第三層，來形成第二中間體。此處，將該第二中間體當作實施例2。
(3)比較例 準備30g/m2 的玻璃纖維作為纖維基材。繼而，使PTFE的分散液含浸在該纖維基材中。繼而，使其通過一對輥子之間來調整厚度，並在約100℃進行乾燥。繼而，對其以比起PTFE的熔點更高的360℃進行加熱，便形成第一層。
繼而，對於此第一層，與實施例1同樣地使第二層和第三層積層，來形成第二中間體。此處，將此第二中間體當作比較例。
(4)評估 分別製作各5個的上述實施例1、2及比較例，並對該等實行吸水試驗，該吸水試驗為依據JIS C 6481 5.14的印刷線路板用覆銅積層板試驗方法-吸水率。所計算出來的吸水率的平均如以下所述。 ‧實施例1：0.09% ‧實施例2：0.07% ‧比較例：0.18%
由以上的結果可知，在實施例1、2可實現約為比較例的50%的吸水率。從而，認為若在第一層中使用熔融性樹脂也就是PFA，PFA便會充分地含浸於纖維基材中，而可防止縫隙形成。並且，認為藉此吸水率降低。尤其，在實施例2中，因為在形成第一層時的加熱溫度設為比起PFA的熔點更高的340℃，所以認為PFA進一步含浸於纖維基材中，從而進一步防止空隙的形成。其結果，實施例2實現了比實施例1更低的吸水率。
1‧‧‧第一層
11‧‧‧纖維基材
12‧‧‧熔融性氟系樹脂
2‧‧‧第二層
3‧‧‧第三層
4‧‧‧導電層
第1圖是本發明的一實施形態中的電路基板的剖面圖。
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Claims (10)

  1. 一種電路基板，其具備第一層及第二層，該第一層包含纖維基材、和被含浸於該纖維基材中的熔融性氟系樹脂，該第二層各自被配置於前述第一層的雙面，並包含非熔融性氟系樹脂。
  2. 如請求項1所述之電路基板，其中，前述各第二層的氟系樹脂中含有無機微粒。
  3. 如請求項2所述之電路基板，其中，進一步具備第三層，該第三層各自覆蓋於前述各第二層，並包含非熔融性氟系樹脂。
  4. 如請求項1～3中任一項所述之電路基板，其中，前述熔融性氟系樹脂為四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚樹脂也就是PFA、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物也就是FEP、四氟乙烯/乙烯共聚物也就是ETFE、聚偏二氟乙烯樹脂也就是PVDF、三氟氯乙烯樹脂也就是CTFE、或該等的組合。
  5. 如請求項1～4中任一項所述之電路基板，其中，前述非熔融性氟系樹脂為聚四氟乙烯也就是PTFE。
  6. 如請求項1～5中任一項所述之電路基板，其中，前述各第二層的氟系樹脂中含有無機微粒，並且以體積比作為基準計，前述各第二層的氟系樹脂與前述無機微粒的混合比為5：5～3：7。
  7. 一種電路基板的製造方法，其具備以下步驟： 成形第一層的步驟，其使熔融性氟系樹脂含浸於纖維基材中，並以比起該熔融性氟系樹脂的熔點更低的溫度進行加熱，藉此將第一層成形；及， 形成第二層的步驟，其將包含非熔融性氟系樹脂之第二層各自形成在前述第一層的雙面上。
  8. 如請求項7所述之電路基板的製造方法，其中，前述各第二層的氟系樹脂中含有無機微粒。
  9. 如請求項8所述之電路基板的製造方法，其中，以體積比作為基準計，前述各第二層的氟系樹脂與前述無機微粒的混合比為5：5～3：7。
  10. 如請求項8或9所述之電路基板的製造方法，其中，進一步具備形成第三層的步驟，該第三層將前述各第二層各自覆蓋，並包含非熔融性氟系樹脂。
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