TW202402540A - 可撓性層壓材料 - Google Patents
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Abstract
一種層壓物品包括：介電基材，其包括全氟共聚物基質，該全氟共聚物基質包含氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物；L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。
Description
無
經金屬包覆之層壓體係在各種電子應用中用作為印刷線路板基材。
在一態樣中，一種層壓物品包括介電基材，該介電基材包括：全氟共聚物基質，其包括氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物；L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
L-玻璃織物包括L-玻璃、NL-玻璃、或L2-玻璃之紗線。
層壓物品具有在20 µm與200 µm之間之厚度，例如在30 µm與90 µm之間或在30 µm與60 µm之間。
介電基材在10 GHz下具有在2.10與2.70之間之介電常數，例如在2.10與2.40之間。
介電基材具有介電常數之熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250至+50 ppm/℃之間。
介電基材在10 GHz下具有小於0.0015之散逸因數，例如在0.0006與0.001之間或在0.0006與0.0008之間。
層壓物品具有定義X-Y平面之平面形狀，且其中層壓物品在X-Y平面中之熱膨脹係數係在5與25 ppm/℃之間，例如在14與20 ppm/℃之間或在16與22 ppm/℃之間。
氟化全氟共聚物包括氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，且其中非氟化全氟共聚物包括非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
全氟共聚物基質包括在50與90重量百分比之間的氟化全氟共聚物，例如在10與50重量百分比之間的非氟化全氟共聚物。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目足以使層壓物品不形成導電陽極絲(conductive anodic filament, CAF)。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目為層壓物品提供介電基材與導電包覆之間大於2 lb/吋之剝離強度。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目係在30與70之間。
氟化全氟共聚物每百萬個碳原子具有5或更少個羧基端基。
非氟化全氟共聚物每百萬個碳原子具有在100與300個之間之羧基端基。
全氟共聚物基質具有在10 g/10分鐘與30 g/10分鐘之間之熔體流動速率(melt flow rate, MFR)。
全氟共聚物基質在288℃下具有至少10秒之耐浮焊性(solder float resistance)。
L-玻璃具有小於100 g/m
2之基礎重量，例如小於50 g/m
2。
L-玻璃織物具有在10 µm與100 µm之間之厚度，例如在10 µm與30 µm之間。
L-玻璃織物包括胺基矽烷或甲基丙烯酸酯矽烷表面化學處理。
L-玻璃織物包括經電漿處理或經電暈處理之L-玻璃織物。
L-玻璃織物係用氟聚合物浸漬。
L-玻璃織物包括氟聚合物塗層。
L-玻璃織物在併入層壓物品中前係用氟聚合物處理來預處理。
介電基材包括在5與20體積百分比之間的L-玻璃織物及在80與95體積百分比之間的全氟共聚物基質。
L-玻璃織物之水接觸角係在0°與60°之間。
添加劑材料包括無機粒子，諸如氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子。
添加劑材料包括熱固性聚合物。
添加劑材料係以小於2%之體積百分比存在於全氟共聚物基質中。
添加劑材料係均質地分散於整個全氟共聚物基質中。
導電包覆係設置於介電基材之兩個相對表面上。
導電包覆包括銅箔。在一些情況下，銅箔係藉由層壓程序設置於介電基材之表面上。
導電包覆具有小於72 µm之厚度，例如在5 µm與18 µm之間。
導電包覆具有小於1 µm之均方根(RMS)粗糙度，例如小於0.5 µm。
在一態樣中，一種印刷線路板包括具有前述特徵中之任一者之層壓物品，其中導體圖案係形成於導電包覆中。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
通孔係穿過層壓物品之厚度定義；及包括電鍍通孔之銅膜。
在一態樣中，一種多層印刷線路板包括多層層壓結構，該多層層壓結構包括多個根據先前態樣之印刷線路板。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
多層印刷線路板包括設置於層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱塑性黏著劑。在一些情況下，熱塑性黏著劑係在較全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合。在一些情況下，熱塑性黏著劑係在較全氟共聚物基質之熔點低0與50℃之間之溫度下黏合。
多層印刷線路板包括設置於層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱固性黏著劑。在一些情況下，熱固性黏著劑係在150℃與250℃之間之溫度下固化。
通孔係穿過多層印刷線路板之厚度之至少一部分定義；及包括電鍍通孔之銅膜。
可與5G通訊網路一起使用之天線可包括根據前述態樣之印刷線路板。
在一態樣中，一種製造多層印刷線路板之方法包括在多個具有前述特徵中之任一者之層壓物品中之各者之導電包覆中形成導體圖案，以形成各別印刷線路板；及層壓該多個印刷線路板，以形成多層層壓結構。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
層壓多個印刷線路板包括使用熱塑性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。在一些情況下，該方法包括在較全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合熱塑性黏著劑。在一些情況下，該方法包括在較全氟共聚物基質之熔點低0與50℃之間之溫度下黏合熱塑性黏著劑。
層壓多個印刷線路板包括使用熱固性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。在一些情況下，該方法包括在150℃與250℃之間之溫度下固化熱固性黏著劑。
該方法包括穿過多層層壓結構之厚度之至少一部分定義通孔。在一些情況下，該方法包括在紫外線雷射鑽孔程序中定義通孔。
在一態樣中，一種製造層壓物品之方法包括形成層狀物品，該層狀物品包括：第一及第二聚合物膜，各膜包括：包括氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物之全氟共聚物基質、及能夠吸收紫外光之添加劑材料，L-玻璃織物設置於該第一與該第二聚合物膜之間；及導電包覆，其經設置以與該第一膜接觸；及將熱及壓力施加至該層狀物品，以形成該層壓物品。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
氟化全氟共聚物包括氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，且非氟化全氟共聚物包括非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
將熱及壓力施加至層狀物品包括在經加熱壓板中壓製層狀物品。
將熱及壓力施加至層狀物品包括在卷對卷層壓程序中加工層狀物品。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加較全氟共聚物基質之熔點大10與30℃之間之溫度。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加在300℃與400℃之間之溫度。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加在200 psi與1000 psi之間之壓力。
該方法包括在熔融加工及擠出程序中形成第一及第二膜。在一些情況下，形成第一及第二膜包括將氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物混合。在一些情況下，該方法包括在將氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物混合前，將添加劑材料分散於氟化全氟共聚物中。
該方法包括將L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理。在一些情況下，將L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理包括將L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈。在一些情況下，將L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包括將L-玻璃織物以溶液塗佈程序塗佈。在一些情況下，將L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包括將氟聚合物粒子沉積在L-玻璃織物之表面上。
各聚合物膜包括第一層，第一層包括氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物；及第二層，第二層包括非氟化全氟共聚物，且其中各第二層經設置以與石英織物接觸，且各第二層經設置以與導電包覆接觸。在隨附圖式及以下實施方式中闡述一或多個實施方案之細節。其他特徵及優點將從實施方式及圖式、及從申請專利範圍中顯而易見。
吾人在此處描述經金屬包覆之可撓性層壓體，其在高頻率下（例如在10 GHz下）具有低介電常數及低散逸。本文所述之可撓性層壓體可用於高頻應用中印刷線路板之基材，諸如用於5G蜂巢式通訊網路中之天線、或與汽車雷達一起使用、及其他應用。本文所述之可撓性層壓體包括介電基材，介電基材係由具有嵌入於其中之L-玻璃織物（例如編織L-玻璃織物）之全氟共聚物基質形成。全氟共聚物基質包括完全氟化全氟共聚物（本文中稱為「氟化全氟共聚物(fluorinated perfluorocopolymer)」）及未完全氟化全氟共聚物（本文中稱為「非氟化全氟共聚物(non-fluorinated perfluorocopolymer)」），諸如完全氟化及未完全氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。在介電基材中之添加劑材料能夠吸收紫外光，使得層壓體可用紫外線雷射鑽孔，例如用於形成穿過層壓體之厚度之通孔。可撓性層壓體係由導電包覆（諸如銅箔）在一或兩側上包覆。
L-玻璃織物之存在導致層壓體具有高度的平坦度，例如足以使層壓體之多個層之間在鑽孔程序期間能夠對準之平坦度。例如，在多層層壓結構中，高度的平坦度使在穿過多層結構之厚度鑽導孔之期間能夠對準。不受理論束縛，咸信L-玻璃織物之熱膨脹係數(CTE)與全氟共聚物基質之CTE之間之差異、連同L-玻璃織物之相對低模數（例如，相較於石英織物）使得L-玻璃織物在層壓體冷卻期間之收縮足夠小以避免在層壓體中產生波紋。
參照圖1，經金屬包覆之可撓性層壓體100包括介電基材102及導電包覆，諸如金屬（例如銅）箔104a、104b（統稱為導電包覆104），其係分別設置於介電基材102之頂部及底部表面106a、106b上。儘管在圖1中介電基材102之兩個表面106a、106b上存在導電包覆104，但在一些實例中，導電包覆僅設置於介電基材102之單一表面（例如僅頂部表面106a）上。
可撓性層壓體100之介電基材102包括L-玻璃織物108，諸如編織L-玻璃織物（例如編織至織物中之L-玻璃、NL-玻璃、或L2-玻璃紗線），其嵌入全氟共聚物基質110中，該全氟共聚物基質包括氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物，諸如氟化及非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。如下文所進一步論述，全氟共聚物基質110為介電基材102提供低介電常數及低散逸因數，而L-玻璃織物使介電基材102在x-y平面中之熱膨脹係數(CTE)能夠匹配導電包覆104之CTE。添加劑材料112能夠吸收紫外(UV)光，例如具有在180 nm與400 nm之間之波長的光，且係分散於全氟共聚物基質110中。UV反應性添加劑材料112之存在使可撓性層壓體100能夠藉由UV雷射鑽孔，例如用於形成電路結構，諸如穿過可撓性層壓體100之厚度之導孔。
可撓性層壓體100係平面結構，其具有小於約200 µm或小於約100 µm之沿著z軸之厚度，例如在20 µm與200 µm之間，例如在30 µm與90 µm之間或在30 µm與60 µm之間。介電基材102之厚度構成可撓性層壓體100之大部分厚度。例如，介電基材102具有小於約200 µm或小於約100 µm之沿著z軸之厚度，例如在20 µm與200 µm之間，例如在30 µm與90 µm之間或在30 µm與60 µm之間。各導電包覆104a、104b具有小於約72 µm之沿著z軸之厚度，例如小於約18 µm，例如在5 µm與18 µm之間。
可撓性層壓體100之介電基材102具有低介電常數，例如在10 GHz下小於約2.7之介電常數，例如在2.1與2.7之間，例如在2.1與2.4之間。介電常數具有熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250與50 ppm/℃之間，例如在-100與50 ppm/℃之間或在-50與25 ppm/℃之間。介電基材102亦具有低散逸因數，例如在10 GHz下小於0.0015之散逸因數，諸如小於0.001或小於0.0008，例如在0.0002與0.001之間，例如在0.0006與0.001之間，例如在0.0006與0.0008之間。
可撓性層壓體100之改善電氣性質（例如低介電常數及低散逸因數）使設計者能夠實現插入損失之改善，例如相對於現有可撓性材料，給定特性阻抗改善高達25%或更多。咸信在導電包覆104中之鐵磁性元素（例如Fe、Ni、或Co）之低水平可有助於達到低插入損失。
介電基材102之熱膨脹係數(CTE)及導電包覆104之CTE在可撓性層壓體100之x-y平面中係類似的。例如，當導電包覆104係銅箔時，介電基材102在x-y平面中之CTE可在5與25 ppm/℃之間，例如在16與22 ppm/℃之間，例如在14與20 ppm/℃之間。介電基材102與導電包覆104之間之CTE值之匹配為可撓性層壓體100提供尺寸穩定性，例如小於約0.1%之尺寸穩定性，例如使得當使可撓性層壓體經受導電包覆之移除及溫度變化時，將其原始尺寸保持在約0.1%內。
可撓性層壓體100之導電包覆104係強力黏附至介電基材。例如，在介電基材102與導電包覆104之間之剝離強度係大於2 lb./吋，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間。可撓性層壓體100針對彎曲係機械性堅固的，且可在電子裝置中常見的彎曲半徑上彎曲，而不會使可撓性層壓體100之組件中之任一者失效。此可撓性促進可撓性層壓體100安裝至裝置中。
可撓性層壓體100可藉由UV雷射鑽孔且可與金屬化技術相容，例如電漿金屬化，使得通孔可穿過可撓性層壓體100之厚度（例如，沿著可撓性層壓體100之z軸）形成。可撓性層壓體100之介電基材102在288℃下具有至少5秒、至少10秒、至少30秒、或至少60秒之耐浮焊性，例如在5與20秒之間、在10與15秒之間、在10與30秒之間、在10與60秒之間、或在30與60秒之間。
可撓性層壓體100可用於印刷線路板，例如用於可撓性印刷電路板天線。例如，可撓性層壓體100之尺寸及電氣性質可使可撓性層壓體100適用於高頻應用中，諸如用於可在5G通訊網路上使用之行動裝置之天線（如下文所進一步論述）、或與汽車雷達一起使用、或其他高頻應用。在一些實例中，多個可撓性層壓體100本身可層壓至多層電路板結構中。可撓性層壓體實質上不含空隙且可抵抗導電陽極絲之形成，其有助於可撓性層壓體作為印刷線路板基材之電氣可靠性。
可撓性層壓體100之介電基材102之低介電常數及低散逸因數至少部分地歸因於全氟共聚物基質110之組成。全氟共聚物基質110包括氟化全氟共聚物，諸如氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物；及非氟化全氟共聚物，諸如非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。氟化全氟共聚物、非氟化全氟共聚物、或兩者可係直鏈、無支鏈聚合物。氟化全氟共聚物具有低極性或零極性，且因此具有低介電常數及低散逸因數。然而，氟化全氟共聚物通常係非反應性的，例如，氟化共聚物對L-玻璃織物108及導電包覆104具有不良黏著性。非氟化全氟共聚物具有反應性端基（例如羧基或醯胺端基），其被吸引至L-玻璃織物108及導電包覆104。此等反應性端基之存在促進全氟共聚物基質與L-玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性。
在一些實例中，全氟共聚物係由水性分散液聚合製成，且所聚合者(as-polymerized)每10
6個碳原子可含有至少約400個反應性端基。大部分此等端基係熱不穩定的，因為當暴露於熱（諸如在擠出及膜形成期間、或膜層壓條件下遇到的熱）時，其等可經歷化學反應，諸如分解及去羧，而使擠出之聚合物變色、或填充不均勻氣泡、或兩者。為了製造本文所述之氟化全氟共聚物，將聚合之全氟共聚物穩定，以藉由熱穩定的-CF3端基置換實質上所有的反應性端基。穩定之實例方法係使氟聚合物暴露於氟化劑，諸如元素氟，例如藉由如美國專利第4,742,122號及美國專利第4,743,658號中所揭示之程序，其等之內容全文以引用方式併入本文中。
非氟化全氟共聚物一般具有較氟化全氟共聚物高的散逸因數。全氟共聚物基質110之組成可經定制以達到介電基材102之足夠低的介電常數及足夠低的散逸因數、及對L-玻璃織物108及導電包覆104之足夠的黏著性。例如，全氟共聚物基質110之組成可經定制以提供盡可能多的氟化共聚物，同時仍維持對L-玻璃織物108及導電包覆104之足夠的黏著性。介電基材102之足夠低的介電常數係在10 GHz下小於約2.7之介電常數，例如在2.1與2.7之間，例如在2.1與2.4之間。介電基材102之足夠低的散逸因數係在10 GHz下小於0.0015之散逸因數，諸如在0.0002與0.001之間，例如在0.0006至0.001之間，例如在0.0006與0.0008之間。在一些實例中，全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性之充分性係藉由介電基材102與導電包覆104之間之剝離強度判定。例如，若剝離強度大於2 lb./吋，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間，則黏著性係足夠的。在一些實例中，全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性之充分性係藉由可撓性層壓體100抵抗導電陽極絲(CAF)之形成的傾向判定，其在下文進一步論述。
在一些實例中，全氟共聚物基質110之組成係由氟化全氟共聚物與非氟化全氟共聚物之比率（例如重量或體積比）指示。氟化全氟共聚物之重量百分比可在50%與90%之間，諸如在50%與80%之間，例如50%、60%、70%、75%、80%、或90%；且非氟化全氟共聚物之重量百分比可在10%與50%之間，例如10%、20%、25%、30%、40%、或50%。
在一些實例中，全氟共聚物基質110之組成係由全氟共聚物基質110中存在之羧基端基之數目（例如數目濃度）指示。此類羧基端基之非限制性實例包括-COF、-CONH
2、-CO
2CH
3、及-CO
2H且係藉由聚合態樣判定，諸如聚合介質、起始劑、鏈轉移劑（若存在）、及緩衝劑（若存在）之選擇。全氟共聚物基質100中存在之每百萬個碳原子之羧基端基之數目可在30與70之間，例如在35與65之間。此羧基端基之數目可經選擇以在全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108及導電包覆104之間達到足夠的黏著性，同時亦達到足夠低的介電常數及散逸因數。例如，可選擇羧基端基之數目使得可撓性層壓體100中無CAF形成。在一些實例中，氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物之組成係由各類型的全氟共聚物中存在之羧基端基之數目（例如數目濃度）指示。氟化全氟共聚物每百萬個碳原子可具有少於10個羧基端基，例如每百萬個碳原子5或更少、或1或更少、或少於1個羧基端基。非氟化全氟共聚物每百萬個碳原子可具有在100與300個之間之羧基端基，例如每百萬個碳原子在120與280個之間或在150與250個之間之羧基端基。全氟共聚物中之羧基端基之分析及定量可藉由紅外光譜法進行，諸如描述於美國專利第3,085,083號、美國專利第4,742,122號、及美國專利第4,743,658號中，所有其等之內容全文以引用方式併入本文中。熱穩定的端基-CF3（氟化之產物）之存在係由在氟處理之後不存在不穩定的端基推論。相較於其他端基，–CF3端基之存在導致全氟共聚物之散逸因數降低。
氟化全氟共聚物、非氟化全氟共聚物、或兩者之熔體流動速率(MFR)亦可影響全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性。具有高MFR之聚合物在可撓性層壓體100之層壓期間較具有較低MFR之聚合物更容易流動。全氟共聚物基質110在層壓程序（在下文更詳細地論述）期間之流動使全氟共聚物基質110能夠完全包封L-玻璃織物108之纖維，產生實質上不含空隙（例如無孔）之介電基材102。無空隙介電基材102可抵抗CAF形成。例如，氟化全氟共聚物之MFR可在1與40 g/10分鐘之間，例如在2與15 g/10分鐘之間，例如2 g/10分鐘、4 g/10分鐘、6 g/10分鐘、8 g/10分鐘、10 g/10分鐘、12 g/10分鐘、14 g/10分鐘、16 g/10分鐘、18 g/10分鐘、20 g/10分鐘、25 g/10分鐘、30 g/10分鐘、35 g/10分鐘、或40 g/10分鐘。非氟化全氟共聚物之MFR可在1與40 g/10分鐘之間，例如在2與20 g/10分鐘之間，例如2 g/10分鐘、5 g/10分鐘、10 g/10分鐘、15 g/10分鐘、或20 g/10分鐘。氟化及非氟化全氟共聚物可以導致全氟共聚物基質之整體MFR在10與30 g/10分鐘之間之比率提供，例如10 g/10分鐘、15 g/10分鐘、18 g/10分鐘、21 g/10分鐘、24 g/10分鐘、27 g/10分鐘、或30 g/10分鐘。
適用於氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)全氟共聚物之材料包括分別具有約40 g/10分鐘之MFR之Teflon™全氟烷(PFA) 416Hp或具有約16 g/10分鐘或14 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 440HP (A/B) (The Chemours Company, Wilmington, DE)。適用於非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)之材料包括具有約40 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 316或具有約14 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 340 (Chemours)。
氟化全氟共聚物、非氟化全氟共聚物、或兩者具有高熔點，諸如在250℃與350℃之間，例如在280℃與320℃之間、在290℃與310℃之間，例如約305℃。氟化全氟共聚物、非氟化全氟共聚物、或兩者之高熔點導致全氟共聚物基質100耐高溫並為介電基材102提供足夠的耐浮焊性，諸如在288℃下至少5秒、至少10秒、至少30秒、或至少60秒之耐浮焊性，例如在5與20秒之間、在10與15秒之間、在10與30秒之間、在10與60秒之間、或在30與60秒之間，如根據IPC-TM-650測試方法所測量。
可選擇全氟共聚物基質110之組成以使介電基材102能夠與電漿處理相容，例如用於穿過可撓性層壓體100之厚度形成之通孔的金屬化。
適用於包括在全氟共聚物基質100中之氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物之具體實例包括具有約40 g/10分鐘之MFR之Teflon™全氟烷(PFA) 416HP或具有約14 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 440HP (The Chemours Company, Wilmington, DE)。適用於包括在全氟共聚物基質100中之非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物之具體實例包括具有約40 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 316或具有約14 g/10分鐘之MFR之Teflon™ PFA 340 (The Chemours Company)。
在一些實例中，全氟共聚物基質100係由具有氟化端基及反應性端基兩者之單一類型的全氟共聚物（例如，而非氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物之混合物）形成。選擇單一類型的全氟共聚物中之氟化端基與反應性端基之比率，以達到全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108之間足夠的黏著性及足夠低的介電常數及散逸因數兩者。
編織L-玻璃織物108之存在使介電基材102之CTE能夠與金屬箔104之CTE匹配。嵌入全氟共聚物基質110中之編織L-玻璃織物108係由偏光玻璃(spread glass)（例如L-玻璃）束形成。
L-玻璃之組成係顯示於表1中。亦顯示E-玻璃之組成以供比較。L-玻璃具有較全氟共聚物基質110低的CTE，諸如在2.5 ppm/℃與4 ppm/℃之間之CTE，例如在2.5 ppm/℃與3 ppm/℃之間或在3 ppm/℃與4 ppm/℃之間。藉由調整全氟共聚物基質110與編織玻璃織物108之比率，介電基材102在x-y平面中之CTE可與金屬箔104之面內CTE匹配，從而提供具有尺寸穩定性之可撓性層壓體100。例如，介電基材102可包括在5與20體積百分比之間的編織L-玻璃織物108及對編織L-玻璃織物108在80與95體積百分比之間的全氟共聚物基質110。介電基材102之x-y平面中之CTE可在5與25 ppm/℃之間，例如在16與22 ppm/℃之間，例如在14與20 ppm/℃之間，從而提供小於約0.1%之尺寸穩定性。相比之下，單獨全氟共聚物基質110之CTE可在100與300 ppm/℃之間。
表1. L-玻璃之組成
| L- 玻璃 | E- 玻璃 | |
| SiO 2 | 52至56% | 52至56% |
| CaO | 0至10% | 20至25% |
| Al 2O 3 | 10至15% | 12至16% |
| B 2O 3 | 15至20% | 5至10% |
| MgO | 0至5% | 0至5% |
| Na 2O,K 2O | 0至1% | 0至1% |
| TiO 2,LiO 2 | 0至5% | 0% |
L-玻璃具有低介電常數，諸如在10 GHz下在4.0與5.0之間之介電常數，例如在4.5與5.0之間或在4.5與4.8之間。因此，即使存在嵌入全氟共聚物基質中之L-玻璃織物，介電基材102具有低介電常數及低損失。L-玻璃亦具有低散逸因數，諸如在10 GHz下在0.002與0.003之間之散逸因數，例如0.002、0.0023、0.0025、0.0028、或0.003。
編織L-玻璃織物108具有小於約100 µm之厚度，例如在約30 µm與100 µm之間或在10 µm與30 µm之間，有助於實現薄介電基材102。石英織物108之基礎重量係小於約1000 g/m
2，例如小於約50 g/m
2，例如在10 g/m
2與50 g/m
2之間。在一具體實例中，L-玻璃織物108係NL1035 NL-玻璃織物(Asahi Kasei Corporation, Tokyo, Japan)。
在一些實例中，使編織L-玻璃織物108經受一或多種表面處理，以改善全氟共聚物基質110對編織L-玻璃織物108之纖維之潤濕性以移除殘餘有機物質，或以機械地改變纖維之表面以增強L-玻璃織物108之纖維與全氟共聚物基質110之間的黏著性。表面處理之目的可係促進L-玻璃纖維被全氟共聚物實質上完全潤濕，使得全氟共聚物完全包封L-玻璃纖維（例如L-玻璃紗線）束。全氟共聚物對L-玻璃纖維束之充分包封及黏著使介電基材102能夠實質上不含空隙（例如無孔），繼而有助於防止導電陽極絲之形成及在後加工期間（例如，在穿過可撓性層壓體100之厚度形成導孔之期間）電遷移之發生。
表面處理可包括熱處理以自L-玻璃纖維之表面移除殘餘有機物質（例如殘餘澱粉），使得乾淨的L-玻璃表面暴露於全氟共聚物。表面處理可包括在L-玻璃纖維之表面上添加助黏劑，諸如甲基丙烯酸酯矽烷、胺基矽烷、或氟矽烷。表面處理可包括電漿處理或電暈處理。表面處理可包括用聚合物塗層處理，諸如氟聚合物，例如全氟烷(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)、或Teflon™非晶氟聚合物，以在L-玻璃纖維之表面上形成聚合物（例如氟聚合物）膜。例如，可將L-玻璃織物浸入含有氟聚合物之分散液之溶液中，以在L-玻璃纖維之表面上形成氟聚合物之單層。表面處理可包括用氟化矽烷處理，以在L-玻璃纖維之表面上形成氟化分子之層，例如單層。可施加表面處理之組合，諸如熱處理、接著電漿處理或電暈處理。施加至L-玻璃織物108之（多個）表面處理可改善全氟共聚物基質110對纖維之潤濕性，使全氟共聚物基質110能夠更好地包封L-玻璃織物108之纖維及全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108之纖維之間的黏著性更強，從而有助於形成可抵抗CAF形成之無空隙介電基材102。
L-玻璃織物之潤濕性可藉由水接觸角(water contact angle, WCA)表徵。表面處理後之編織L-玻璃織物可具有在0°與60°之間之WCA。
在一些實例中，層壓結構可經設計以達到L-玻璃織物之良好包封，例如除了對L-玻璃織物施加表面處理之外或替代對L-玻璃織物施加表面處理。參照圖2，實例經金屬包覆之可撓性層壓體可藉由層壓一組層150來製造。該組層包括多層氟聚合物膜，其包括設置於L-玻璃織物108之任一側上之非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)層162a、162b、及設置於各非氟化層162之面向外側上之全氟共聚物層164a、164b，該全氟共聚物層包括氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物。導電包覆（諸如上述金屬（例如銅）箔104a、104b）係設置於該組層150之兩個外側上。當將圖2中所示之結構層壓以產生可撓性層壓體時（關於層壓程序之進一步論述參見下文），非氟化層162包封L-玻璃織物108，使得非氟化層162及全氟共聚物層164形成基質，L-玻璃織物108嵌入基質中，例如形成可撓性層壓體之介電基材。
再次參照圖1，添加劑材料112係分散（例如均質地分散）於全氟共聚物基質110中。添加劑材料112係能夠吸收UV光之材料，使得可撓性層壓體100可藉由UV鑽孔程序加工，例如以在可撓性層壓體100之頂部與底部表面106之間形成導孔。添加劑材料112係以小於2%之體積百分比存在於介電基材102中，例如在1與2體積百分比之間，例如1 vol.%、1.25 vol.%、1.5 vol.%、或2 vol.%。添加劑材料112可係具有相對低介電常數之材料，例如在10與1000之間之介電常數，使得在全氟共聚物基質110中包括添加劑材料112不會顯著增加介電基材102之介電常數或散逸因數。例如，以小於2體積%包括添加劑材料112可造成介電基材102之介電常數增加小於10%，例如小於5%或小於2%。
在一些實例中，添加劑材料112係無機粒子，例如氧化鈰(CeO
2)、二氧化鈦(TiO
2)、二氧化矽(SiO
2)、鈦酸鋇(BaTiO
3)、鈦酸鈣(CaTiO
3)、氧化鋅(ZnO)、或其他合適材料之粒子。粒子可具有小於約5 µm、小於約2 µm、小於約1 µm、或小於約0.5 µm之直徑，例如在0.1 µm與0.5 µm之間。例如，較小的粒子通常較類似組成之較大的粒子更有效吸收UV光。在一些實例中，添加劑材料112係有機（例如聚合物）添加劑，諸如低損耗熱固性材料，諸如聚醯亞胺，其係摻入全氟共聚物基質110中。在一些實例中，無機粒子及有機添加劑兩者皆用作添加劑材料。
可撓性層壓體100之銅箔104提供可在其上定義導電圖案之平台，例如使得可撓性層壓體100可用作印刷線路板。在一些實例中，銅箔104係藉由機械程序（例如卷對卷層壓程序）設置於介電基材102之（多個）表面106上。例如，銅箔可係電沉積銅箔或輥軋銅箔。在一些實例中，銅箔104係沉積（例如電解電鍍）至介電基材102上。
銅箔104具有小於約72 µm之厚度，例如小於約18 µm，例如在10 µm與18 µm之間。銅箔104具有低均方根(RMS)粗糙度，諸如小於1 µm之RMS粗糙度，例如小於0.5 µm，如藉由非接觸干涉測量法所測量。銅箔104之低RMS粗糙度有助於維持由可撓性層壓體100製成之電路系統之低插入損失。在一些實例中，銅箔104之RMS粗糙度經選擇以平衡低插入損失（例如，可藉由低RMS粗糙度達到）與銅箔104與介電基材102之間的良好黏著性（例如，可藉由較高RMS粗糙度達到）。例如，如上文所論述，介電基材102與銅箔104之間足夠高的剝離強度係大於2 lb./吋之剝離強度，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間。
銅箔104具有至少約99.9%之純度。銅箔104之表面化學可能受表面處理（諸如用鋅、熱穩定性添加劑處理、及用以抵抗氧化之處理）影響。此等表面處理可施加至銅箔104之一或兩個表面。已發現諸如鐵及鋅之元素有效增強剝離強度而不明顯降低基材之電氣性能。
如上文所論述，可撓性層壓體100之介電基材102實質上不含空隙，且在全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108之間具有足夠的黏著性，其使可撓性層壓體能夠抵抗導電陽極絲(CAF)之形成。CAF係由於例如由施加電場誘導之金屬電遷移而例如在介電基材之空隙或弱區域中形成之金屬絲。CAF形成可導致電氣失效，例如當CAF在穿過印刷線路板之導孔之間建立短路路徑時。當在整個測試持續期間電阻下降小於十倍（在初始96小時平衡期之後電阻大於10 M歐姆）時，可撓性層壓體可被視為沒有CAF形成。在施加在100 VDC與1000 VDC之間之電壓下，CAF測試可持續多達1000小時或更長，例如取決於應用標準。
CAF形成之實例係顯示於圖3A中。圖3A顯示假設層壓體200，其具有其中嵌入玻璃纖維204之介電基質202。通孔(through-hole)（有時亦稱為導孔(via)）206係穿過層壓體200之厚度形成且電鍍有金屬208（例如銅）。電場之施加造成金屬208在介電基質202中陽極溶解、遷移、及再沉積，例如在介電基質202與玻璃纖維204之間的界面，形成在相鄰導孔206之間延伸之絲210。
圖3B顯示假設層壓體250中之CAF形成之另一實例，其具有其中嵌入玻璃纖維254之介電基質252及定義於層壓體250之頂部、底部、及內部表面上之導體圖案262（例如銅圖案）。金屬（例如銅）之絲260在導體圖案262與玻璃纖維254之間之界面處形成。
再次參照圖1，可撓性層壓體之介電基材102實質上不含空隙且在全氟共聚物基質110與L-玻璃織物108之間具有強黏著性。此係例如藉由全氟共聚物之本質（例如反應性端基之數目濃度）、L-玻璃織物之表面化學、及製造參數（諸如壓力及溫度）（在下文論述）達到。此外，在全氟共聚物基質110中之L-玻璃織物108之配置使得織物之纖維與導電包覆104之間實質上無接觸。因此，介電基材102中之CAF形成最少，且可撓性層壓體100可用作可靠且堅固的印刷線路板基材。
參照圖4，多層印刷線路板300可由上文所述之多個可撓性層壓體100形成。在圖4之實例中，多層印刷線路板300包括藉由黏著劑層302連接之兩個可撓性層壓體100a、100b。導孔（亦稱為通孔；未圖示）可穿過多層印刷線路板之厚度之全部或一部分定義，例如藉由UV鑽孔，其中UV能量由可撓性層壓體100之介電基材中之添加劑材料吸收。導孔可電鍍有金屬，諸如銅膜。黏著劑層302可係例如可在較可撓性層壓體100之全氟共聚物基質之熔點低之溫度下黏合之黏著劑。在一些實例中，黏著劑係熱塑性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與50℃之間之溫度下黏合。在一些實例中，黏著劑係熱固性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與200℃之間之溫度下黏合，例如在150℃與250℃之間之溫度下。
參照圖5，將多個（此處，三個）可撓性層壓體100層壓在一起，以形成多層印刷線路板400。中心可撓性層壓體100c包括頂部及底部導電包覆。可撓性層壓體100d、100e各包括單一導電包覆。可撓性層壓體100c、100d分別藉由黏著劑層402a、402b黏合至中心可撓性層壓體100e。黏著劑層402a、402b可係例如可在較可撓性層壓體100之全氟共聚物基質之熔點低之溫度下黏合之黏著劑。在一些實例中，黏著劑係熱塑性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與50℃之間之溫度下黏合。在一些實例中，黏著劑係熱固性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與200℃之間之溫度下黏合。
導孔（未圖示）可穿過多層印刷線路板400之厚度之全部或一部分定義，例如藉由UV鑽孔。
由本文所述之可撓性層壓體100製成之印刷線路板可用於各種應用中，例如高頻應用，諸如高頻通訊應用。例如，參照圖6，包括一或多個可撓性層壓體之印刷線路板502可用於可在5G通訊網路上操作之通訊裝置500（例如行動通訊裝置）之天線或天線饋線。例如，可撓性層壓體可用作用於通訊裝置天線或天線饋線之印刷線路板之基材，以連接位於不同平面上之裝置之電子組件。包括一或多個可撓性層壓體之印刷線路板504可用於通訊網路設備中，諸如用於蜂巢式通訊網路之塔508中之傳輸天線中。包括可撓性層壓體之印刷線路板亦可用於其他應用中，諸如用於行動計算裝置中之相機饋線。
本文所述之可撓性層壓體可藉由層壓程序製造。參照圖7，在一實例中，L-玻璃織物108係設置於兩個全氟共聚物膜120a、120b之間。各全氟共聚物膜120a、120b具有在10 µm與100 µm之間之厚度，例如在10 µm與80 µm之間、在10 µm與60 µm之間、或在20 µm與50 µm之間。導電包覆104a、104b係分別設置於全氟共聚物膜120a、120b上。例如，導電包覆104係電沉積銅箔或輥軋退火銅箔。各導電包覆104a、104b具有小於約72 µm之厚度，例如小於約18 µm，例如在10 µm與18 µm之間。
將材料之層104、108、120加熱並壓製，以壓實材料之層，從而形成可撓性層壓體100。在一些實例中，將L-玻璃織物108及兩個全氟共聚物膜120a、120b層壓以形成介電基材，且在第二加工步驟中將導電包覆（例如銅箔）電沉積至介電基材上。
選擇層壓程序之參數（例如溫度、時間、及壓力）以達到全氟共聚物之目標黏度，其使全氟共聚物能夠流動，從而潤濕及包封L-玻璃織物108之玻璃束，並使全氟共聚物與導電包覆104之間具有良好黏著性。例如，選擇程序參數使得全氟共聚物在330℃下達到在2000 Pa-s與5000 PA-s之間之零剪切黏度。溫度可大於全氟共聚物之熔點，例如較全氟共聚物之熔點高10℃與30℃之間。例如，溫度可在300℃與400℃之間，例如在320℃與330℃之間，例如300℃、320℃、340℃、360℃、380℃、或400℃。溫度上升速率可在1與5℃/分鐘之間，例如1℃/分鐘、2℃/分鐘、3℃/分鐘、4℃/分鐘、或℃/分鐘。施加至材料之層之壓力可在100 psi與1000 psi之間，例如在200 psi與1000 psi之間或在600 psi與1000 psi之間。停留時間（例如，用於靜態層壓程序）可在30分鐘與120分鐘之間，例如30分鐘、60分鐘、90分鐘、或120分鐘。
圖7描繪使用一組輥600之等壓卷對卷層壓程序。在一些實例中，卷對卷層壓程序係等容、間隙控制之層壓程序。在一些實例中，層壓程序係靜態層壓程序，其中材料之層係在經加熱壓板之間壓製。
全氟共聚物膜120係藉由例如熔融加工及擠出形成。在一些實例中，將添加劑材料混合至熔融氟化全氟共聚物中，且將氟化共聚物及添加劑材料之混合物與熔融非氟化全氟共聚物混合。在一些實例中，將添加劑材料混合至熔融非氟化全氟共聚物中，且將非氟化全氟共聚物及添加劑材料之混合物與熔融氟化全氟共聚物混合。將所得全氟共聚物混合物擠出以形成全氟共聚物膜。將添加劑材料與非氟化全氟共聚物混合有助於添加劑材料在整個全氟共聚物膜中之整合及分散。
圖8係用於製造可撓性層壓體100之實例程序之流程圖。將能夠吸收紫外光之添加劑材料分散於非氟化全氟共聚物（諸如非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)全氟共聚物）中(700)。添加劑材料係例如氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子；或聚合物添加劑，諸如聚醯亞胺。將具有經分散添加劑材料之非氟化全氟共聚物與氟化全氟共聚物（諸如氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)全氟共聚物）混合(702)，以形成全氟共聚物混合物。將全氟共聚物混合物熔融加工並擠出，以形成全氟共聚物膜(704)。
使編織L-玻璃織物暴露於表面處理，諸如熱處理、電暈處理、或電漿處理，或在L-玻璃織物之纖維之表面上形成塗層(706)。亦使銅箔（例如電沉積銅箔或經輥軋退火銅箔）暴露於表面處理，諸如熱處理、電暈處理、或電漿處理，或沉積助黏劑或熱穩定性添加劑(708)。
形成材料之層狀堆疊(710)，其包括設置於兩個全氟共聚物膜之間之經處理L-玻璃織物，其中在堆疊之頂部及底部兩者上皆具有經處理導電包覆。藉由施加熱及壓力將材料之層狀堆疊層壓，以形成可撓性層壓體(712)，例如在靜態層壓程序或卷對卷層壓程序中。
實例
在此等實例中使用下列聚合物及聚合物分散液。
PFA1：Teflon™ PFA 440HP (A/B) (Chemours)，高純度氟化全氟烷氧基(PFA)可熔融加工樹脂，其具有16 g/10 min（對於「A」）及14 g/10 min（對於「B」）之MFR。
PFA2：Teflon™ PFA 340 (Chemours)，通用非氟化PFA可熔融加工樹脂，其具有14 g/10 min之MFR。
PFA3：Teflon™ PFA 416HP (Chemours)，高純度氟化PFA可熔融加工樹脂，其具有40 g/10 min之MFR。
實例1 ：具有L- 玻璃或石英織物之可撓性經銅包覆之層壓體之機械表徵
執行實驗以研究併入L-玻璃織物及石英織物的經銅包覆之層壓體之厚度、平坦度、及尺寸穩定性。將PFA膜與來自Asahi之NL1035 NL-玻璃織物或來自Shin-Etsu之1027C-04石英織物、及來自JX Nippon Mining & Metals Corporation (Tokyo, Japan)之12 µm厚的BHFX-P92F-HG輥軋銅箔組合，以形成可撓性經銅包覆之層壓體。PFA膜係由50 wt.% PFA1、25% wt.PFA2、及22.5 wt.% PFA3構成，具有2.5 wt.%的TiO2粒子（50.63 vol.% PFA1、25.31% vol.PFA2、及22.78 vol.% PFA3，具有1.28 vol.%的TiO2粒子），在膜之兩側上用電暈處理來處理。將材料在320℃之峰值溫度及200 psi之壓力下於熱油真空壓機中層壓。
實驗組態（包括所使用之材料）之細節係顯示於表2中。「構造」欄中之五個值係指層壓體之各側上之銅包覆之厚度（在此實例中為12 µm）、用以產生層壓體之全氟共聚物膜之厚度（在此實例中為54 µm）、及織物之類型（在此實例中為NL1035 L-玻璃或1035石英玻璃織物）。將材料在320℃之停留溫度及200 psi之壓力下於熱油真空壓機中層壓，停留時間為60分鐘，真空度為1 atm，且上升速率為2℃/分鐘。在測試前，使樣本在23℃及50%相對濕度下平衡24小時。
表2.實驗細節。
| 運行ID | 材料細節 | |||
| 構造 | 銅 | 膜厚度 | 玻璃 | |
| G2-81-1 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | NL1035 |
| G2-81-2 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | 1035C-04 |
| G2-81-3 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | NL1035 |
| G2-81-4 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | 1035C-04 |
| G2-81-5 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | NL1035 |
| G2-81-6 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm BHFX-P92F-HG | 54 µm | 1035C-04 |
層壓體係顯示於圖9之照片中。以目視表徵各層壓體之平坦度。由圖9可看出，包括L-玻璃織物之層壓體較包括石英織物之層壓體平坦。
根據IPC TM-650 2.2.18測試方法，在蝕刻之後測量各層壓體之厚度，且結果係顯示於圖10中。大致上，L-玻璃層壓體較石英玻璃層壓體厚。厚度及估計的擠出結果係顯示於表3中。藉由測量擠壓時距層壓體之邊緣的膜流動距離來測量估計的擠出。各層壓體之樹脂含量係顯示於圖11中。
表3.實驗之實驗測試數據係詳述於表2中。
| 運行ID | 估計的擠出，吋 | 平均厚度，µm |
| G2-81-1 | 0.57 | 113.9 |
| G2-81-2 | 0.60 | 119.3 |
| G2-81-3 | 0.47 | 116.5 |
| G2-81-4 | 0.50 | 122.1 |
| G2-81-5 | 0.50 | 119.9 |
| G2-81-6 | 0.38 | 130.5 |
在機器方向(machine direction, MD)及橫向機器方向(cross machine direction, CMD)中測試之層壓體之尺寸穩定性結果係顯示於圖12A（根據IPC TM-650 2.2.4b測試）及圖12B（根據IPC TM-650 2.2.4c執行之測試）中。此等結果顯示L-玻璃層壓體之尺寸穩定性值較石英玻璃層壓體低。
實例2 ：具有L- 玻璃或石英織物之可撓性經銅包覆之層壓體之表徵
執行額外實驗以研究厚度與平坦度及尺寸穩定性之間的關係。將各種類型的PFA膜與各種類型的玻璃織物組合，包括來自Shin-Etsu之1017C-02、1027C-04、1035C-04、1078C-04、或2116C-04石英織物、或來自Asahi之NL1027、NL1035、NL-1078、或L2-1078 L-玻璃或NL-玻璃織物。將PFA膜及玻璃織物與來自JX Nippon Mining & Metals Corporation之12 µm厚的BHFX-P92F-HG輥軋銅箔層壓，以形成可撓性經銅包覆之層壓體。在一些情況下，以1.25 vol.%之填料裝載量添加R101二氧化鈦粒子(Chemours)。將材料在320℃之峰值溫度及200 psi之壓力下於熱油真空壓機中層壓，停留時間為60分鐘，真空度為1 atm，且上升速率為2℃/min。
• 測試各種PFA膜，包括下列：
• PFA膜1，由50 wt.% PFA1、25% wt.PFA2、及22.5 wt.% PFA3構成，具有2.5 wt.%的TiO
2粒子（50.63 vol.% PFA1、25.31% vol.PFA2、及22.78 vol.% PFA3，具有1.28 vol.%的TiO
2粒子），在膜之兩側上用電暈處理來處理。
• PFA膜2，由75 wt.% PFA3及25 wt.% PFA 2構成，與2.5 wt.% (1.25 vol. %) R101 TiO
2粒子混合。
表4.實驗細節。
| 運行ID | 材料細節 | |||
| 構造 | 銅 | 膜 | 玻璃 | |
| G2-82-1 | 12/20/1017/20/12 | 12 µm | 20 µm PFA膜1 | 1017C-02 |
| G2-82-2 | 12/25/1027/25/12 | 12 µm | 25 µm PFA膜1 | 1027C-04 |
| G2-82-3 | 12/25/1027/25/12 | 12 µm | 25 µm PFA膜1 | NL1027 |
| G2-82-4 | 12/25/1027/25/12 | 12 µm | 25 µm PFA膜2 | 1027C-04 |
| G2-82-5 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 | 1035C-04 |
| G2-82-6 | 12/54/1035/54/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 | NL1035 |
| G2-82-7 | 12/54/1078/54/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 | 1078C-04 |
| G2-82-8 | 12/54/1078/54/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 | NL-1078 |
| G2-82-9 | 12/54/1078/54/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 | L2-1078 |
| G2-82-10 | 12/25/54/2116/54/25/12 | 12 µm | 54 µm PFA膜1 + 25 µm UMY4/TE9877-C | 2116C-04 |
自此等實驗獲得之數據係顯示於圖13至圖17中。圖13係各層壓體之平坦度之目視表徵之圖，其中得分1為最低（平坦度最差）且5為最佳（非常平坦）。圖14係根據IPC TM-650 2.2.18測試方法，在蝕刻之後測量的各層壓體之厚度之圖。此等結果顯示大致上較厚的層壓體比較薄的層壓體平坦。圖15係各層壓體之樹脂含量之圖。
亦測量各樣本之介電常數及散逸因數。根據IPC TM-650 2.5.5.13測試方法，在23℃及50%相對濕度下測量介電常數及散逸因數。結果係顯示於圖16及圖17中。根據方法B及C之尺寸穩定性結果係顯示於圖18A及圖18B中。
此等結果顯示對於相同樹脂含量，L-玻璃織物相對於石英玻璃織物對層壓體之介電常數及散逸因數的效應。
實例3 ：端基含量對經銅包覆之層壓體的效應
藉由以PFA2與PFA1之各種比率與R101二氧化鈦(Chemours)組合製備PFA1（氟化PFA）及PFA2（非氟化PFA）樹脂來評估端基含量對經銅包覆之層壓體性質的效應。將~ 70克樹脂之混合物乾式摻合，接著饋入裝備有含有滾筒葉片之60 cc體積混合碗之Rheometer Services Inc. System 10批次混合器中。將此等摻合物在350℃下以150 rpm混合10分鐘以分散所有組分。接著將混合物自碗移出，隨後在350℃下壓製成~ 100 mm x 100 mm厚度~ 0.20 mm之板，以用於電氣測試及後續層壓。測試經壓製膜並發現其具有表5中所示之電氣性質：
表5.具有不同PFA2與PFA1之比率的模製PFA膜在10 GHz下之電氣性質。
| 裝載 | PFA2 wt. % | PFA1 wt. % | TiO2 wt. % | Dk 平均值/標準偏差 | Df 平均值/標準偏差 |
| 100% PFA2 | 97.50% | 0.00% | 2.50% | 2.089 | 9.52E-04 |
| 聚合物基礎 | 100% | 0% | 0.025 | 2.62E-05 | |
| 75% PFA2 | 73.13% | 24.38% | 2.50% | 2.075 | 7.72E-04 |
| 聚合物基礎 | 75% | 25% | 0.025 | 8.59E-06 | |
| 50% PFA2 | 48.75% | 48.75% | 2.50% | 2.102 | 5.80E-04 |
| 聚合物基礎 | 50% | 50% | 0.026 | 1.79E-05 | |
| 25% PFA2 | 24.38% | 73.13% | 2.50% | 2.106 | 4.32E-04 |
| 聚合物基礎 | 25% | 75% | 0.027 | 9.18E-06 | |
| 15% PFA2 | 14.63% | 82.88% | 2.50% | 2.080 | 3.49E-04 |
| 聚合物基礎 | 15% | 85% | 0.041 | 1.5E-05 | |
| 10% PFA2 | 9.75% | 87.75% | 2.50% | 2.104 | 3.11E-04 |
| 聚合物基礎 | 10% | 90% | 0.066 | 1.46E-05 | |
| 5% PFA2 | 4.88% | 92.63% | 2.50% | 2.079 | 2.85E-40 |
| 聚合物基礎 | 5% | 95% | 0.049 | 1.76E-05 | |
| 0% PFA2 | 0.00% | 97.50% | 2.50% | 2.111 | 2.55E-04 |
| 聚合物基礎 | 0% | 100% | 0.045 | 9.88E-06 |
如所預期，介電常數(Dk)與PFA2裝載保持相當一致，且隨著摻合物中之PFA2濃度增加，散逸因數(DF)以線性方式上升。
亦進行測量以判定所選摻合物每10
6個碳原子之羧基端基之總數目，且結果係顯示於表6中。
表6.具有不同340及440比率的PFA摻合物之端基水平
| 裝載 | PFA2 wt. % | PFA1 wt. % | TiO2 wt. % | 羧基端基 |
| 100% PFA2 | 97.50% | 0.00% | 2.50% | 214 |
| 聚合物基礎 | 100% | 0% | ||
| 75% PFA2 | 73.13% | 24.38% | 2.50% | 178 |
| 聚合物基礎 | 75% | 25% | ||
| 50% PFA2 | 48.75% | 48.75% | 2.50% | 95 |
| 聚合物基礎 | 50% | 50% | ||
| 25% PFA2 | 24.38% | 73.13% | 2.50% | 53 |
| 聚合物基礎 | 25% | 75% | ||
| 0% PFA2 | 0.00% | 97.50% | 2.50% | 7 |
| 聚合物基礎 | 0% | 100% |
與散逸因數數據一樣，發現添加PFA2至摻合物會以大致上線性方式增加所測量之端基之量。顯示所測量之散逸因數隨端基水平而變動之圖係顯示於圖19中。此用以顯示端基之水平如何對摻合膜之所測量之電氣行為產生直接影響。
將此等經摻合PFA膜與NL2116織物(Asahi Kasei, Japan)及35 µm EXP-WS銅箔(Furukawa Electric Co., Ltd, Japan)組合，並在320℃及400 psi下於電加熱壓機(PHI, USA)中層壓，停留時間為60分鐘，以形成經銅包覆之層壓體。實驗細節係顯示於表7A及表7B中。
表7A.實驗細節。
表7B.實驗細節。
| 運行ID | 構造 | PFA膜 | 膜MFR | 端基數目 |
| G2-134-1 | 12/233/2116/224/12 | 100% PFA2 | 14.0 | 214.0 |
| G2-134-2 | 12/216/2116/244/12 | 75% PFA2 / 25% PFA1 | 14.0 | 178.3 |
| G2-134-3 | 12/222/2116/220/12 | 50% PFA2 / 50% PFA1 | 14.0 | 95.0 |
| G2-134-4 | 12/215/2116/220/12 | 25% PFA2 / 75% PFA1 | 14.0 | 52.6 |
| G2-134-5 | 12/240/2116/213/12 | 15% PFA2 / 85% PFA1 | 14.0 | 33.6 |
| G2-134-6 | 12/207/2116/216/12 | 10% PFA2 / 90% PFA1 | 14.0 | 22.8 |
| G2-134-7 | 12/219/2116/213/12 | 5% PFA2 / 95% PFA1 | 14.0 | 12.0 |
| G2-134-8 | 12/214/2116/210/12 | 100% PFA1 | 14.0 | 6.6 |
| 運行ID | 膜零剪切黏度，Pa-s | 玻璃模數，GPa | 玻璃CTE，ppm/C | 玻璃基礎重量，g/m 2 | 總膜厚度，µm | 膜基礎重量，g/m 2 | 理論樹脂含量，% |
| G2-134-1 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 457.0 | 9871.2 | 98.3% |
| G2-134-2 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 460.0 | 9936.0 | 98.3% |
| G2-134-3 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 442.0 | 9547.2 | 98.2% |
| G2-134-4 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 435.0 | 9396.0 | 98.2% |
| G2-134-5 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 453.0 | 9784.8 | 98.3% |
| G2-134-6 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 423.0 | 9136.8 | 98.1% |
| G2-134-7 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 432.0 | 9331.2 | 98.2% |
| G2-134-8 | ~5000 | 62 | 3.9 | 85.5 | 424.0 | 9158.4 | 98.2% |
測試層壓材料之各種性質。此等結果係顯示於表8A及表8B中。
表8A. PFA2/PFA1摻合研究之實驗測試結果。
表8B. PFA2/PFA1摻合研究之實驗測試結果。
| 運行ID | DK @ 10GHz | DF @ 10GHz |
| G2-134-1 | 2.48 | 0.0013 |
| G2-134-2 | 2.41 | 0.0012 |
| G2-134-3 | 2.42 | 0.0011 |
| G2-134-4 | 2.43 | 0.0010 |
| G2-134-5 | 2.42 | 0.0009 |
| G2-134-6 | 2.47 | 0.0009 |
| G2-134-7 | 2.46 | 0.0009 |
| G2-134-8 | 2.37 | 0.0008 |
| 運行ID | MD剝離強度，pli | 平均D/E厚度（經蝕刻），µm | 由於擠出之厚度減少，% | 浮焊(288C/60s) | Sharpie芯吸，mm | 估計的擠出，吋 |
| G2-134-1 | 3.1 | 248.4 | 45.6% | 通過 | 0.00 | 1.03 |
| G2-134-2 | 3.0 | 281.8 | 38.7% | 通過 | 0.00 | 0.88 |
| G2-134-3 | 2.8 | 253.9 | 42.6% | 通過 | 0.00 | 0.94 |
| G2-134-4 | 3.1 | 270.0 | 37.9% | 通過 | 0.00 | 1.00 |
| G2-134-5 | 2.5 | 276.4 | 39.0% | 通過 | 0.00 | 1.06 |
| G2-134-6 | 2.8 | 240.5 | 43.1% | 通過 | 0.00 | 1.00 |
| G2-134-7 | 2.1 | 245.5 | 43.2% | 通過 | 1.06 | 0.75 |
| G2-134-8 | 0.5 | 251.7 | 40.6% | 通過 | 3.00 | 1.13 |
發現每10
6個碳原子之端基之總數目與散逸因數之間有非常良好的相關性，且銅剝離強度與端基之間有建議的關係。此等數據可見於圖20及圖21中。
實例4 ：市售層壓體之Sharpie 芯吸行為
在Sharpie芯吸測試中，在可撓性層壓體中形成孔，用Sharpie
®永久記號筆在孔之邊緣周圍摩擦，且將孔用異丙醇清潔以移除過量墨水。測量距墨水經芯吸至孔之邊緣的徑向距離。不受理論束縛，咸信此芯吸測試可作為石英織物之纖維與全氟共聚物基質之間的黏著性之指標；不良黏著性或不良包封留下墨水可芯吸至其中之空隙，導致較長的行進距離。相比之下，具有良好黏著性及良好包封之基材將展現出低芯吸距離。
層壓體之Sharpie芯吸測試結果可預測層壓體在CAF測試下之性能。為了證明此關聯，使已知具有良好CAF抗性之市售材料經受sharpie芯吸測試。此等測試之結果係顯示於表9中。此等結果指示小於0.5 mm之sharpie芯吸結果對應於具有良好CAF抗性之材料。咸信具有L-玻璃之可撓性經銅包覆之層壓體展現出小於1 mm之sharpie芯吸。
表9.市售材料之Sharpie芯吸結果。
| 運行ID | 銅 | Sharpie芯吸，mm |
| G2-39-1 | 5密耳RO4835T 5E/5E (Rogers Corporation, Chandler, AZ) | 0.38 |
| G2-39-2 | 5密耳RO3003G2 TH/TH (Rogers) | 0.46 |
| G2-39-3 | 5密耳CLTE-MW TH/TH (Rogers) | 0.39 |
| G2-39-4 | 5密耳85N HH/HH (Arlon Electronic Materials, Rancho Cucamonga, CA) | 0.32 |
| G2-39-5 | 5密耳R5785 WH/WH (Panasonic, Osaka, Japan) | 0.35 |
| G2-39-6 | 5密耳R5785GN WH/WH (Panasonic) | 0.41 |
已描述標的之具體實施例。其他實施例係在以下申請專利範圍之範疇內。例如，申請專利範圍中所敍述之行動可以不同順序執行且仍達到所欲結果。作為一個實例，隨附圖式中所描繪之程序不一定需要所示之特定順序或依序順序來達到所欲結果。在某些實施方案中，多工及平行加工可係有利的。
100:可撓性層壓體/全氟共聚物基質
100a:可撓性層壓體
100b:可撓性層壓體
100c:可撓性層壓體
100d:可撓性層壓體
100e:可撓性層壓體
102:介電基材
104:導電包覆/金屬箔/銅箔
104a:金屬箔/導電包覆
104b:金屬箔/導電包覆
106:表面
106a:頂部表面
106b:底部表面
108:L-玻璃織物/編織玻璃織物/石英織物
110:全氟共聚物基質
112:添加劑材料
120:全氟共聚物膜
120a:全氟共聚物膜
120b:全氟共聚物膜
150:層
162:非氟化層
162a:層
162b:層
164:全氟共聚物層
164a:全氟共聚物層
164b:全氟共聚物層
200:層壓體
202:介電基質
204:玻璃纖維
206:通孔/導孔
208:金屬
210:絲
250:層壓體
252:介電基質
254:玻璃纖維
260:絲
262:導體圖案
300:多層印刷線路板
302:黏著劑層
400:多層印刷線路板
402a:黏著劑層
402b:黏著劑層
500:通訊裝置
502:印刷線路板
504:印刷線路板
508:塔
600:輥
700:步驟
702:步驟
704:步驟
706:步驟
708:步驟
710:步驟
712:步驟
圖1係可撓性、經金屬包覆之層壓體之示意圖。
圖2係用於可撓性、經金屬包覆之層壓體之層狀結構之示意圖。
圖3A及圖3B係具有導電陽極絲之層壓體之示意圖。
圖4及圖5係印刷線路板之示意圖。
圖6係通訊網路之示意圖。
圖7係卷對卷層壓程序之示意圖。
圖8係製造可撓性、經金屬包覆之層壓體之方法之流程圖。
圖9係可撓性經銅包覆之層壓體之照片。
圖10係各種可撓性經銅包覆之層壓體之厚度之圖。
圖11係各種可撓性經銅包覆之層壓體之樹脂含量之圖。
圖12A及圖12B係各種可撓性經銅包覆之層壓體之尺寸穩定性測量之圖。
圖13係各種可撓性經銅包覆之層壓體之平坦度之圖。
圖14係各種可撓性經銅包覆之層壓體之厚度之圖。
圖15係各種可撓性經銅包覆之層壓體之樹脂含量之圖。
圖16係各種可撓性經銅包覆之層壓體之介電常數之圖。
圖17係各種可撓性經銅包覆之層壓體之散逸因數之圖。
圖18A及圖18B係各種可撓性經銅包覆之層壓體之尺寸穩定性測量之圖。
圖19係摻合PFA膜之散逸因數隨膜中每106個碳原子之羧基端基之數目而變動之圖。
圖20係層壓體之散逸因數隨摻合PFA膜中每106個碳原子之羧基端基之數目而變動之圖。
圖21係層壓體之銅剝離強度隨摻合PFA膜中每106個碳原子之羧基端基之數目而變動之圖。
100:可撓性層壓體/全氟共聚物基質
102:介電基材
104a:金屬箔/導電包覆
104b:金屬箔/導電包覆
106a:頂部表面
106b:底部表面
108:L-玻璃織物/編織玻璃織物/石英織物
110:全氟共聚物基質
112:添加劑材料
Claims (80)
- 一種層壓物品，其包含： 介電基材，其包含： 全氟共聚物基質，其包含氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物； L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及 添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及 導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。
- 如請求項1之層壓物品，其中該L-玻璃織物包含L-玻璃、NL-玻璃、或L2-玻璃之紗線。
- 如請求項1或2之層壓物品，其中該層壓物品具有在20 µm與200 µm之間之厚度。
- 如請求項3之層壓物品，其中該層壓物品之該厚度係在30 µm與90 µm之間。
- 如請求項4之層壓物品，其中該層壓物品之該厚度係在30 µm與60 µm之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下具有在2.10與2.70之間之介電常數。
- 如請求項6之層壓物品，其中該介電基材之該介電常數係在2.10與2.40之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材具有介電常數之熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250至+50 ppm/℃之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下具有小於0.0015之散逸因數。
- 如請求項9之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下具有在0.0006與0.001之間之散逸因數。
- 如請求項10之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下之該散逸因數係在0.0006與0.0008之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該層壓物品具有定義X-Y平面之平面形狀，且其中該層壓物品在該X-Y平面中之熱膨脹係數係在5與25 ppm/℃之間。
- 如請求項12之層壓物品，其中該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在14與20 ppm/℃之間。
- 如請求項12之層壓物品，其中該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在16與22 ppm/℃之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該氟化全氟共聚物包含氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，且其中該非氟化全氟共聚物包含非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質包含在50與90重量百分比之間的該氟化全氟共聚物。
- 如請求項16之層壓物品，其中該全氟共聚物基質包含在10與50重量百分比之間的該非氟化全氟共聚物。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目足以使該層壓物品不形成導電陽極絲(CAF)。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目為該層壓物品提供該介電基材與該導電包覆之間大於2 lb/吋之剝離強度。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目係在30與70之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該氟化全氟共聚物每百萬個碳原子具有5或更少個羧基端基。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該非氟化全氟共聚物每百萬個碳原子具有在100與300個之間之羧基端基。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質具有在10 g/10分鐘與30 g/10分鐘之間之熔體流動速率(MFR)。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質在288℃下具有至少10秒之耐浮焊性(solder float resistance)。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃具有小於100 g/m 2之基礎重量。
- 如請求項25之層壓物品，其中該L-玻璃織物之該基礎重量係小於50 g/m 2。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物具有在10 µm與100 µm之間之厚度。
- 如請求項27之層壓物品，其中該L-玻璃織物具有在10 µm與30 µm之間之厚度。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物包括胺基矽烷或甲基丙烯酸酯矽烷表面化學處理。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物包含經電漿處理或經電暈處理之L-玻璃織物。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物係用氟聚合物浸漬。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物包含氟聚合物塗層。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物在併入該層壓物品中前係用氟聚合物處理來預處理。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材包含在5與20體積百分比之間的該L-玻璃織物及在80與95體積百分比之間的該全氟共聚物基質。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該L-玻璃織物之水接觸角係在0°與60°之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料包含無機粒子。
- 如請求項36之層壓物品，其中該等無機粒子包含氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料包含熱固性聚合物。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料係以小於2%之體積百分比存在於該全氟共聚物基質中。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料係均質地分散於整個該全氟共聚物基質中。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆係設置於該介電基材之兩個相對表面上。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆包含銅箔。
- 如請求項42之層壓物品，其中該銅箔係藉由層壓程序設置於該介電基材之該表面上。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆具有小於72 µm之厚度。
- 如請求項44之層壓物品，其中該導電包覆之該厚度係在5 µm與18 µm之間。
- 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆具有小於1 µm之均方根(RMS)粗糙度。
- 如請求項46之層壓物品，其中該導電包覆之該RMS粗糙度係小於0.5 µm。
- 一種印刷線路板，其包含： 如前述請求項中任一項之層壓物品， 其中導體圖案係形成於該導電包覆中。
- 如請求項48之印刷線路板，其中通孔係穿過該層壓物品之厚度定義；及包含電鍍該通孔之銅膜。
- 一種多層印刷線路板，其包含： 多層層壓結構，其包含多個如請求項48或49之印刷線路板。
- 如請求項50之多層印刷線路板，其包含設置於該層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱塑性黏著劑。
- 如請求項51之多層印刷線路板，其中該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合。
- 如請求項52之多層印刷線路板，其中該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之該熔點低0與50℃之間之溫度下黏合。
- 如請求項50之多層印刷線路板，其包含設置於該層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱固性黏著劑。
- 如請求項54之多層印刷線路板，其中該熱固性黏著劑係在150℃與250℃之間之溫度下固化。
- 如請求項50至55中任一項之多層印刷線路板，其中通孔係穿過該多層印刷線路板之該厚度之至少一部分定義；及包含電鍍該通孔之銅膜。
- 一種可與5G通訊網路一起使用之天線，該天線包含： 如請求項50至56中任一項之印刷線路板。
- 一種製造多層印刷線路板之方法，該方法包含： 在多個如請求項1之層壓物品中之各者之該導電包覆中形成導體圖案，以形成各別印刷線路板；及 層壓該多個印刷線路板，以形成多層層壓結構。
- 如請求項58之方法，其中層壓該多個印刷線路板包含使用熱塑性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
- 如請求項59之方法，其包含在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
- 如請求項60之方法，其包含在較該全氟共聚物基質之該熔點低0與50℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
- 如請求項58之方法，其中層壓該多個印刷線路板包含使用熱固性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
- 如請求項62之方法，其包含在150℃與250℃之間之溫度下固化該熱固性黏著劑。
- 如請求項58至63中任一項之方法，其包含穿過該多層層壓結構之該厚度之至少一部分定義通孔。
- 如請求項64之方法，其包含在紫外線雷射鑽孔程序中定義該通孔。
- 一種製造層壓物品之方法，該方法包含： 形成層狀物品，該層狀物品包含： 第一及第二聚合物膜，各膜包含： 全氟共聚物基質，其包含氟化全氟共聚物及非氟化全氟共聚物，及 添加劑材料，其能夠吸收紫外光， L-玻璃織物，其係設置於該第一與該第二聚合物膜之間；及 導電包覆，其經設置以與該第一膜接觸；及 將熱及壓力施加至該層狀物品，以形成該層壓物品。
- 如請求項66之方法，其中該氟化全氟共聚物包含氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，且該非氟化全氟共聚物包含非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
- 如請求項66或67之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含在經加熱壓板中壓製該層狀物品。
- 如請求項66至68中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含在卷對卷層壓程序中加工該層狀物品。
- 如請求項66至69中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加較該全氟共聚物基質之熔點大10與30℃之間之溫度。
- 如請求項66至70中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加在300℃與400℃之間之溫度。
- 如請求項66至71中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加在200 psi與1000 psi之間之壓力。
- 如請求項66至72中任一項之方法，其包含在熔融加工及擠出程序中形成該第一及該第二膜。
- 如請求項73之方法，其中形成該第一及該第二膜包含將該氟化全氟共聚物及該非氟化全氟共聚物混合。
- 如請求項74之方法，其包含在將該氟化全氟共聚物及該非氟化全氟共聚物混合前，將該添加劑材料分散於該氟化全氟共聚物中。
- 如請求項66至75中任一項之方法，其包含將該L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理。
- 如請求項76之方法，其中將該L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理包含將該L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈。
- 如請求項77之方法，其中將該L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包含將該L-玻璃織物以溶液塗佈程序塗佈。
- 如請求項77或78之方法，其中將該L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包含將氟聚合物粒子沉積在該L-玻璃織物之表面上。
- 如請求項66至79中任一項之方法，其中各聚合物膜包含第一層，該第一層包含該氟化全氟共聚物及該非氟化全氟共聚物；及第二層，該第二層包含該非氟化全氟共聚物，且其中各第二層經設置以與該石英織物接觸，且各第二層經設置以與該導電包覆接觸。
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