TW201909301A - 檢查系統 - Google Patents

檢查系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201909301A
TW201909301A TW107124558A TW107124558A TW201909301A TW 201909301 A TW201909301 A TW 201909301A TW 107124558 A TW107124558 A TW 107124558A TW 107124558 A TW107124558 A TW 107124558A TW 201909301 A TW201909301 A TW 201909301A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inspection
unit
conveying
units
wafer
Prior art date
Application number
TW107124558A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI761555B (zh
Inventor
小西顯太朗
鹿川大紀
藤原潤
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201909301A publication Critical patent/TW201909301A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI761555B publication Critical patent/TWI761555B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
    • G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077—Imaging
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/48—Thermography; Techniques using wholly visual means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明之課題為在複數層且橫向上複數地配置有複數檢查單元之檢查系統中，縮小每個檢查單元的佔置空間。 該檢查系統具有： 檢查區域，係具有檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的檢查單元，該檢查單元係具有測試器，及測試器與被檢查體之間所設置之探針卡，來進行被檢查體的電性檢查；以及 載置區域，係具有設置於檢查部之一方向的端部側且配置有被檢查體的收納容器之配置部，及在收納容器與檢查區域之間進行被檢查體的傳遞之載置器； 檢查區域另具有鄰接於檢查部的各層且延伸於一方向之複數搬送道，以及可移動地沿著各搬送道，且在與各層的檢查單元之間傳遞被檢查體之複數搬送機構。

Description

檢查系統
本發明係關於一種進行基板檢查之檢查系統。
於半導體元件的製造過程中，在基板(即半導體晶圓，以下簡稱作晶圓)之所有製程已結束的階段中，會進行晶圓所形成之複數半導體元件(device)的電性檢查。進行上述般電性檢查的檢查裝置，一般來說係具有晶圓台座(夾具頂部)、具有會接觸於晶圓所形成複數元件的探針之探針卡、以及透過探針卡來將電性訊號傳遞至晶圓所形成的元件以檢查元件的各種電氣特性之測試器。 又，為了對複數晶圓有效率地進行上述般電性檢查，係使用一種於高度方向上層積有複數層具有晶圓台座、探針卡及測試器的檢查單元，且在各層中，於橫向上並排有複數檢查部之檢查裝置(檢查系統)(例如專利文獻1)。 專利文獻1之技術中，係對向於多層且橫向地配列有上述般複數檢查單元之檢查區域，來設置具有收納複數晶圓的收納容器(FOUP)之搬出入區域(載置區域)，且在檢查區域與載置區域之間，於所有的單位(cell)設置有共通的搬送機器人來進行晶圓搬送，並且針對橫向上的複數單位而於各層設置有共通的對位器(移動台)來進行晶圓對位。又，各層係設置有可移動於複數單位橫向上的配列方向之對位用照相機。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2016-46285號公報 在上述般檢查系統中，被要求更有效率的檢查，而為了提高產能，被要求更加增加單位數，但無塵室的高度有所限制，故難以增加檢查單元在高度方向上的數量。又，若增加檢查單元橫向上的數量，則對向於檢查區域所設置之載置區域便會產生閒置空間。又，亦需要有從搬送機器人朝晶圓台座之搬送用的空間或對位用照相機的移動空間等。於是，便會因該等空間而導致檢查系統之每個檢查單元的佔置空間變大。 因此，本發明係提供一種在複數層且橫向上複數地配置有複數檢查單元之檢查系統中能縮小每個檢查單元的佔置空間之技術。
為解決上述課題，本發明提供一種檢查系統，具有：檢查區域，係具有檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的該檢查單元，該檢查單元係具有用以進行被檢查體的電性檢查之測試器，以及該測試器與該被檢查體之間所設置之探針卡，來進行該被檢查體的電性檢查；以及載置區域，係具有設置於該檢查部之該一方向的端部側且配置有該被檢查體的收納容器之配置部，以及在該收納容器與該檢查區域之間進行該被檢查體的傳遞之載置器；該檢查區域另具有：複數搬送道，係鄰接設置於該檢查部的各層且延伸於該一方向；以及複數搬送機構，係可移動地沿著各該搬送道來加以設置，而在與該各層的該檢查單元之間傳遞從該載置器所搬入的該被檢查體。 在上述第1觀點中，較佳地，該載置區域的該配置部係於正交於該檢查單元的配列方向之方向上配列有該收納容器。又，較佳地，該檢查區域係將該搬送道挾置其中而在與該檢查部為相反側上另具有其他檢查部，該其他檢查部係於垂直方向上設置有複數層該檢查單元，且於水平方向的該一方向上配列有複數個該複數層的該檢查單元。 本發明第2觀點提供一種檢查系統，係相距間隔且對向般地具有2個檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的該檢查單元，該檢查單元係具有用以進行被檢查體的電性檢查之測試器，以及該測試器與該被檢查體之間所設置之探針卡，來進行該被檢查體的電性檢查；另具有：複數搬送道，係設置於2個該檢查部的各層之間且延伸於該一方向；以及複數搬送機構，係可移動地沿著各該搬送道來加以設置，且在與該各層的該檢查單元之間傳遞該被檢查體。 上述第1觀點中，該檢查區域係將該搬送道挾置其中而在與該檢查部為相反側上另具有其他檢查部之情況，以及上述第2觀點中，可構成為係沿著各該搬送道而可移動地設置有2個搬送機構，該搬送機構中的一者會相對於該檢查部中的一者所屬之該檢查單元來進行該被檢查體的傳遞，該搬送機構中的另一者則會相對於該檢查部中的另一者所屬之該檢查單元來進行該被檢查體的傳遞。 在上述第1及第2觀點中，可另具有對位器，該對位器係設置於該檢查部的各層，而相對於該檢查單元的該探針卡來決定台座所載置之該被檢查體的位置。該對位器可構成為可存取地設置於1個或2個該檢查部的各層中之所有該檢查單元。 該檢查單元可構成為在檢查時，以該台座上的該被檢查體會接觸至該探針卡的探針之狀態來吸附該台座，該對位器可構成為會在一該檢查單元中，使該台座上升來使該被檢查體接觸至該探針而將該台座吸附後，從一該檢查單元移動至已結束檢查後的其他該檢查單元，來實施該檢查單元之該台座的卸除動作。 可另具有照相機單元，該照相機單元係可移動地沿著該搬送道來加以設置，且具有該台座所載置之該被檢查體的對位用照相機。該照相機單元亦可具有用以測量該台座上的基板溫度之輻射溫度計。 該照相機單元可構成為與該搬送機構為上下設置，並可移動地沿著相互共通之導軌而設置於該搬送道。 依據本發明，由於係具有：檢查區域，係具有檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的檢查單元；以及載置區域，係設置於檢查部之一方向的端部側；檢查區域另具有鄰接於檢查部的各層且延伸於一方向之複數搬送道，以及可移動地沿著各搬送道來加以設置，且在與檢查單元之間傳遞所搬入的被檢查體之複數搬送機構，故可在複數層且橫向上複數地配置有複數檢查單元之檢查系統中，藉由減少閒置空間等來縮小每個檢查單元的佔置空間。
以下，參閱添附圖式來針對本發明之實施型態詳細地說明。 ＜第1實施型態＞ 首先，針對第1實施型態加以說明。 圖1係顯示本發明第1實施型態相關之檢查系統的概略結構之平面圖，圖2為圖1之檢查系統的II-II′線剖面圖，圖3為圖1之檢查系統的III-III′線剖面圖。 本實施型態之檢查系統10係用以檢查被檢查體(即晶圓)所形成之複數元件的電氣特性。 檢查系統10具有框體11，框體11內係具有會進行晶圓W所形成之元件的電氣特性檢查之檢查區域12，以及進行晶圓W相對於檢查區域12的搬出入之載置區域13。 檢查區域12具有：第1檢查部12a，係於Z方向(上下方向)上配置有3層檢查單元列，該檢查單元列係沿著圖中的X方向而配置有複數個(圖式中為5個以上)檢查單元30；以及第2檢查部12b，係與第1檢查部12a呈對向設置。第2檢查部12b係與第1檢查部12a同樣地於Z方向上配置有3層檢查單元列，該檢查單元列係沿X方向配置有複數檢查單元30。 第1檢查部12a及第2檢查部12b之間係形成有分別對應於該等各層而沿著X方向延伸之3個搬送道14，該等搬送道14係設置有可分別移動於X方向之搬送機構15。搬送機構15係具有基座15a與設置於其上之搬送臂15b，搬送臂15b可前後移動、上下移動及旋轉。又，各搬送道14係設置有包含可同樣地移動於X方向的對位用照相機之照相機單元16。 又，分別對應於第1檢查部12a及第2檢查部12b的各層般，而在各層之第1檢查部12a及第2檢查部12b的檢查單元30中設置有用以進行晶圓W的對位之3個對位器17。 載置區域13具有：載置台19，係連接於檢查區域12之長邊方向的一端部，且載置有用以收納複數晶圓W的容器(即FOUP18)，並具有載置埠；及搬送室20，係設置有用以搬送晶圓W之載置器21。載置台19的內部係收納有控制部70等。載置台19係沿著與檢查單元30的配列方向(即X方向)呈正交之Y方向而載置有複數個(圖式中為4個)FOUP18。搬送室20之高度方向(Z方向)及寬度方向(Y方向)的長度皆與檢查區域12相同，載置器21可在搬送室20內移動於Y方向及Z方向。載置器21係具有基座21a與設置於其上之搬送臂21b，搬送臂21b可前後移動、上下移動及旋轉。 上述檢查區域12的各搬送機構15係搬送道14之搬送室20側的端部會成為起始位置23，起始位置23之一側部係設置有會進行晶圓W的預對位之預對位部24，另一側部則設置有能夠暫置晶圓W之緩衝部25。緩衝部25係具有複數晶圓載置部。 搬送室20內的載置器21可從任一FOUP18來取出晶圓W，並將晶圓W搬送至檢查區域12各層的緩衝部25之任一晶圓載置部，或各層的預對位部24。各層的搬送機構15會收取已在預對位部24被預對位的晶圓W，或預對位後已暫置在緩衝部25的晶圓W，並在搬送道14行走來將晶圓W搬送至任一檢查單元30。又，各層之任一檢查單元30中的檢查後晶圓W會從搬送機構15被載置於緩衝部25的任一晶圓載置部，再藉由載置器21而被收取並送回FOUP18。 如圖3所示，檢查單元30具有：將檢查訊號傳送至晶圓W所形成的元件之測試器31；具有會接觸至晶圓W所形成複數元件的電極之複數探針32a之探針卡32；設置於測試器31的下方來支撐探針卡32之支撐板33；連接測試器31與探針卡32之接觸塊體34；從支撐板33垂下而圍繞探針卡32般地加以設置之伸縮管35；以及，藉由真空吸附來吸附支撐晶圓W，且會調整晶圓W的溫度之夾具頂部(台座)36。接觸塊體34的上下面係設置有將探針卡32與測試器31加以電連接之複數彈針34a。伸縮管35係用以在使探針卡32的複數探針32a接觸於晶圓W之狀態下，來形成包含有探針卡32與晶圓W之密閉空間者，並藉由將其密閉空間真空抽氣來將夾具頂部36上的晶圓W吸附在夾具頂部36。 對位器17具有：X塊體42，係在該層之基底板40上從第1檢查部12a橫跨第2檢查部12b而延伸，且在於基底板40上沿X方向所設置之4根導軌41上移動於X方向；Y塊體44，係在於X塊體42上沿Y方向所設置之導軌43上移動於Y方向；以及Z塊體45，係相對於Y塊體44而移動於Z方向，Z塊體45上係以保持特定的位置關係之狀態而卡合有夾具頂部36。X塊體42可從最接近載置區域13之檢查單元30移動至最遠的檢查單元30，Y塊體44可從第1檢查部12a的檢查單元30橫跨搬送道14來移動至第2檢查部12b的檢查單元30。此外，Y塊體44的周壁係設置有用以拍攝探針卡32的下面之下照相機46。 對位器17係在進行檢查單元30中之晶圓W的對位、朝夾具頂部36的探針卡32之安裝、以及自探針卡32之夾具頂部36的卸除時會被使用。 搬送道14的上部係沿著X方向而設置有2根導軌50，照相機單元16可沿著導軌50移動。照相機單元16係具有對位用照相機51及輻射溫度計52。對位用照相機51如圖4所示，會拍攝安裝在對位器17之夾具頂部36所載置晶圓W的狀態。此時，係藉由對位器17來進行夾具頂部36的位置調整。又，如圖5所示，係取代晶圓W而是搬送黑體晶圓BW並進行對位動作，藉此，輻射溫度計52便可測量各對位部位之黑體晶圓BW的溫度。亦即，藉由對位器17來進行夾具頂部36的位置調整，便可在黑體晶圓BW的複數位置處進行溫度測定。 又，導軌50亦支撐有搬送機構15，搬送機構15可沿著導軌50而在X方向移動於搬送道14。2個導軌50的上部係分別可移動地卡合有分別形成為Γ狀及倒Γ狀之滑動件53a及53b，搬送機構15的基座15a係透過支撐組件54a及54b而被可升降地支撐在滑動件53a及53b的垂直部。藉此，搬送機構15便可移動於X方向及Z方向。搬送機構15通常雖僅移動於X方向，但在晶圓W的搬送時，若有干擾到搬送機構15與對位器17上的夾具頂部36之虞的情況，則會退避至Z方向上方。 在搬送機構15與夾具頂部36之間進行晶圓W傳遞的情況，如圖6所示，係藉由對位器17所內建之機構來使升降銷47自夾具頂部36突出之狀態下，將搬送機構15的搬送臂15b所載置之晶圓W傳遞至升降銷47上，或搬送臂15b會收取升降銷47上的晶圓W。 又，搬送機構15的搬送臂15b與夾具頂部36之間之晶圓W的傳遞如圖7所示，可使對位器17移動至搬送道14來進行，抑或可如圖8所示般，使對位器17一直位在測試器31的下方位置，而讓搬送臂15a朝對位器17上的夾具頂部36移動。 此外，本實施型態中，搬送道14的上部係設置有2根導軌50，照相機單元16及搬送機構15雖會以被支撐在導軌50之狀態而沿X方向行走，但亦可將該等中的一者或兩者支撐在使對位器17的X塊體42沿X方向行走之導軌41而行走於X方向。 控制部70基本上係由電腦所構成，具有主控制部，及輸入裝置(鍵盤、滑鼠等)、輸出裝置(印表機等)、顯示裝置(顯示器等)及記憶裝置(記憶媒體)，該主控制部係具有會控制構成檢查系統10的各構成部(例如各檢查單元30的測試器31、真空吸附機構、對位器17、搬送機構15、載置器21等)之CPU。控制部70的主控制部會依據例如記憶裝置所內建之記憶媒體、或安裝在記憶裝置之記憶媒體所記憶的處理配方來使檢查系統10實行特定的動作。 接下來，針對上述方式構成之檢查系統10的動作，參閱圖9、圖10來加以說明。 首先，以載置器21來將檢查前的晶圓W從FOUP18取出並搬送至預對位部24或緩衝部25，有關在預對位部24進行預對位之晶圓W，則是藉由搬送機構15來將晶圓W從預對位部24或緩衝部25搬送至應搬送的檢查單元30，並載置於對位器17上的夾具頂部36上(圖9(a))。此時，一邊移動對位器17一邊以照相機單元16的對位用照相機51來拍攝晶圓W。此外，在將晶圓W載置於夾具頂部36前的適當時間點，預先以輻射溫度計52來測量夾具頂部36表面之複數點的溫度。 將晶圓W載置於夾具頂部36上後，使對位器17移動而藉由下照相機46來拍攝探針卡32的下面後，藉由對位器17來進行夾具頂部36之水平方向的對位(圖9(b))。 在此狀態下，使對位器17的Z塊體45上升，來使夾具頂部36上的晶圓W接觸於探針卡32的探針32a，並在此狀態下，藉由密封環(圖中未顯示)來使伸縮管35的下部與夾具頂部36的上面密著，且將伸縮管35所圍繞之空間真空抽氣，藉此夾具頂部36便會成為被吸附在支撐板33之狀態(圖9(c))。 在此狀態下，進行晶圓W的電氣特性檢查，且使對位器17的Z塊體45下降(圖9(d))。然後，使對位器17移動至接著進行晶圓W的傳遞之檢查單元30。 其檢查單元30中，晶圓W的電氣特性測定已結束，且對位器17會被定位於可支撐支撐板33所吸附的夾具頂部36之位置(圖10(a))。在此狀態下，使對位器17的Z塊體45上升來將夾具頂部36支撐在Z塊體45(圖10(b))。 在此狀態下，解除夾具頂部36的真空吸附，且連同Z塊體45一起使夾具頂部36下降(圖10(c))。然後，使對位器17移動至搬送道14(圖10(d))。然後，藉由搬送機構15的搬送臂15b來收取夾具頂部36上的晶圓W，並使搬送機構15移動至起始位置23而載置於緩衝部25。其晶圓W會藉由載置區域13的載置器21而被送回FOUP18。 連續進行上述般動作來針對FOUP18所收納之所有晶圓W進行電氣特性檢查。 依據本實施型態之檢查系統10，由於並非將載置區域13如傳統般地對向於檢查區域來加以設置，而是設置在檢查區域12中之檢查單元配列方向的一端部，故即便增加橫向上之檢查單元30的數量，仍能減少閒置空間。 亦即，由於過去係如圖11所示般地將載置區域13對向於檢查區域12來加以設置，故若增加檢查單元30之橫向上的數量，則載置區域13中除了對應於所需FOUP18的數量之區域以外，亦會產生不須置放FOUP18之閒置空間80。於是，即使增加檢查單元30的數量，但每個檢查單元30的佔置空間卻幾乎不會減少。相對於此，本實施型態中，由於係設置於檢查區域12中之檢查單元配列方向的一端部，故不會產生上述般的閒置空間。於是，藉由增加橫向上之檢查單元30的數量，便可較過去要縮小每個檢查單元30的佔置空間。 又，藉由使載置器21的搬送方向，即FOUP18的配列方向與搬送機構15的搬送方向呈正交，便可更加縮小佔置空間。 又，傳統的檢查系統由於係相對於多層的所有檢查單元30而以載置器21來進行晶圓W的搬送，故必須在確保照相機單元16的行走空間之情況下來於其空間的外側設置載置器21用的搬送空間，相對於此，本實施型態中，則是於各層設置有搬送機構15，並使搬送機構15在照相機單元16的配置空間，即搬送道14行走，故可較過去更縮小搬送空間。藉此，便可更加縮小每個檢查單元30的佔置空間。又，由於可如此般地縮小搬送空間，故亦可於檢查單元30的背面設置有維修保養空間。 再者，由於係如此般地於搬送道14的兩側設置有檢查單元30，故檢查系統本身雖會較過去變得更大，但卻可大幅縮小每台檢查單元30的佔置空間。 又再者，由於照相機單元16除了照相機51以外亦設置有輻射溫度計，故藉由搬送黑體晶圓BW並使其對位之極簡單的動作，便可測量夾具頂部36上之晶圓的溫度。又，由於此時的對位點可自由改變，故亦可測量晶圓的溫度分佈。 過去，夾具頂部36上之晶圓的溫度測定雖係藉由於夾具頂部上面設置有於夾具頂部36的表面安裝有熱電耦之錘來進行，但由於操作煩雜且檢查作業費時，故已被要求溫度測定作業的縮短化･自動化。又，以低溫來進行檢查的情況，若欲如此般地從外部設置熱電耦來進行溫度測定，則必須使夾具頂部周圍的露點為低溫環境，且在設置熱電耦後必須有讓露點穩定的待機時間，而導致溫度測定作業更加費時。 因此，本實施型態中，藉由於照相機單元16設置有輻射溫度計52，並搬送黑體晶圓BW且使其對位之極簡單的動作，則不需進行上述般煩雜且費時的作業，便可在線測量夾具頂部上之晶圓的溫度及溫度分佈。 ＜第2實施型態＞ 接下來，針對第2實施型態加以說明。 圖12係顯示第2實施型態相關的檢查系統之平面圖。本實施型態之檢查系統10′係與第1實施型態之檢查系統10不同而具有檢查區域12′，該檢查區域12′僅包含有檢查部12a以及於下述各層的側邊沿X方向延伸之3個搬送道14，該檢查部12a係於Z方向(上下方向)上配置有3層沿X方向配置有複數個(圖式中為5個以上)檢查單元30的檢查單元列，檢查區域12′並未存在有第2檢查部12b。其他的構成則與第1實施型態之檢查系統10相同。 依據本實施型態之檢查系統10′，檢查單元30的數量雖會較第1實施型態的檢查系統10減少，但由於並非如過去般地將載置區域13對向於檢查區域12來加以設置，而是設置在檢查區域12中之檢查單元配列方向的一端部，故與第1實施型態同樣地，縱使增加橫向上之檢查單元30的數量，仍可減少閒置空間。於是，藉由增加橫向上之檢查單元30的數量，便可較過去要縮小每個檢查單元30的佔置空間。 又，本實施型態中亦與第1實施型態同樣地，由於係於各層設置有搬送機構15，且使搬送機構15在照相機單元16的配置空間，即搬送道14行走，故可較過去更縮小搬送空間。藉此，便可更加縮小每個檢查單元30的佔置空間。又，由於可如此般地縮小搬送空間，故亦可於檢查單元30的背面設置有維修保養空間。 再者，檢查單元30的數量雖較第1實施型態而成為一半，但檢查系統本身為集積化，又，可較第1實施型態要減少搬送機構15的負擔。 ＜第3實施型態＞ 接下來，針對第3實施型態加以說明。 圖13係顯示第3實施型態相關的檢查系統之平面圖。本實施型態之檢查系統10″係與第1實施型態之檢查系統10不同而具有檢查區域12″，該檢查區域12″係於第1檢查部12a與第2檢查部12b之間之搬送道14′的各層設置有2個沿X方向移動之搬送機構15。一搬送機構15為第1檢查部12a所專用，另一搬送機構15則為第2檢查部12b所專用。 又，在2個搬送機構15的起始位置23處，該等的側邊係具有兼作備預對位部與緩衝部之晶圓載置部26。其他的構成則與第1實施型態相同。 依據本實施型態之檢查系統10″，為了讓2個搬送機構15行走，各層之搬送道14′的寬度係較第1實施型態之搬送道14的寬度要寬，該變寬的部分雖會導致佔置空間變大，而使檢查系統大型化，但由於係設置有2個搬送機構15，而使一者為第1檢查部12a的檢查單元30所專用，另一者為第2檢查部12b的檢查單元30所專用，故可使搬送機構15的負擔較第1實施型態要輕，從而提高處理的產能。 ＜其他應用＞ 此外，本發明不限於上述實施型態，可在本發明之思想範圍內做各種變化。 例如，上述實施型態中，雖已顯示個別地設置有對位器與搬送機構之範例，但亦可以對位器乃安裝有夾具頂部之狀態來構成搬送台，而使搬送台兼具有對位器的功能與搬送機構的功能。 又，亦可於各檢查單元設置有對位器，且藉由搬送機構而在與各檢查單元的對位器之間搬送晶圓。 再者，上述實施型態中，雖已顯示使檢查單元之高度方向上的層數為3層之範例，但並未限定於此，可依檢查系統的配置空間來適當地設定層數即可。
10､10′､10″‧‧‧檢查系統
11‧‧‧框體
12､12′､12″‧‧‧檢查區域
13‧‧‧載置區域
14､14′‧‧‧搬送道
15‧‧‧搬送機構
16‧‧‧照相機單元
17‧‧‧對位器
18‧‧‧FOUP
21‧‧‧載置器
30‧‧‧檢查單元
70‧‧‧控制部
W‧‧‧晶圓(被檢查體)
圖1係顯示本發明第1實施型態相關之檢查系統的概略結構之平面圖。 圖2為圖1之檢查系統的II-II′線剖面圖。 圖3為圖1之檢查系統的III-III′線剖面圖。 圖4係用以說明圖1之檢查系統中，照相機單元之對位用照相機的使用狀態之圖式。 圖5係用以說明圖1之檢查系統中，照相機單元之輻射溫度計的使用狀態之圖式。 圖6係用以說明圖1之檢查系統中，在搬送機構與夾具頂部之間進行晶圓傳遞情況的狀態之圖式。 圖7係顯示圖1之檢查系統中，在搬送機構與夾具頂部之間進行晶圓傳遞情況的一方法例之圖式。 圖8係顯示圖1之檢查系統中，在搬送機構與夾具頂部之間進行晶圓傳遞情況的其他方法例之圖式。 圖9係用以說明圖1之檢查系統中，將晶圓朝未存在有晶圓之檢查單元的夾具頂部搬送，且藉由對位器來使夾具頂部上的晶圓接觸至探針卡而成為檢查狀態，再使對位器下降的動作之圖式。 圖10係用以說明圖1之檢查系統中，在檢查結束後的檢查單元中將夾具頂部卸除，並將夾具頂部上的晶圓搬出之動作之圖式。 圖11係顯示傳統檢查系統的概略結構之平面圖。 圖12係顯示本發明第2實施型態相關之檢查系統的概略結構之平面圖。 圖13係顯示本發明第3實施型態相關之檢查系統的概略結構之平面圖。

Claims (11)

  1. 一種檢查系統，具有： 檢查區域，係具有檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的該檢查單元，該檢查單元係具有用以進行被檢查體的電性檢查之測試器，以及該測試器與該被檢查體之間所設置之探針卡，來進行該被檢查體的電性檢查；以及 載置區域，係具有設置於該檢查部之該一方向的端部側且配置有該被檢查體的收納容器之配置部，以及在該收納容器與該檢查區域之間進行該被檢查體的傳遞之載置器； 該檢查區域另具有：複數搬送道，係鄰接設置於該檢查部的各層且延伸於該一方向；以及複數搬送機構，係可移動地沿著各該搬送道來加以設置，而在與該各層的該檢查單元之間傳遞從該載置器所搬入的該被檢查體。
  2. 如申請專利範圍第1項之檢查系統，其中該載置區域的該配置部係於正交於該檢查單元的配列方向之方向上配列有該收納容器。
  3. 如申請專利範圍第1項之檢查系統，其中該檢查區域係將該搬送道挾置其中而在與該檢查部為相反側上另具有其他檢查部，該其他檢查部係於垂直方向上設置有複數層該檢查單元，且於水平方向的該一方向上配列有複數個該複數層的該檢查單元。
  4. 一種檢查系統，係相距間隔且對向般地具有2個檢查部，該檢查部係於垂直方向上設置有複數層檢查單元，且於水平方向的一方向上配列有複數個其複數層的該檢查單元，該檢查單元係具有用以進行被檢查體的電性檢查之測試器，以及該測試器與該被檢查體之間所設置之探針卡，來進行該被檢查體的電性檢查； 另具有： 複數搬送道，係設置於2個該檢查部的各層之間且延伸於該一方向；以及 複數搬送機構，係可移動地沿著各該搬送道來加以設置，且在與該各層的該檢查單元之間傳遞該被檢查體。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之檢查系統，其係沿著各該搬送道而可移動地設置有2個搬送機構，該搬送機構中的一者會相對於該檢查部中的一者所屬之該檢查單元來進行該被檢查體的傳遞，該搬送機構中的另一者則會相對於該檢查部中的另一者所屬之該檢查單元來進行該被檢查體的傳遞。
  6. 如申請專利範圍第1或4項之檢查系統，其另具有對位器，該對位器係設置於該檢查部的各層，而相對於該檢查單元的該探針卡來決定台座所載置之該被檢查體的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之檢查系統，該對位器係可存取地設置於1個或2個該檢查部的各層中之所有該檢查單元。
  8. 如申請專利範圍第6項之檢查系統，該檢查單元係構成為在檢查時，以該台座上的該被檢查體會接觸至該探針卡的探針之狀態來吸附該台座，該對位器會在一該檢查單元中，使該台座上升來使該被檢查體接觸至該探針而將該台座吸附後，從一該檢查單元移動至已結束檢查後的其他該檢查單元，來實施該檢查單元之該台座的卸除動作。
  9. 如申請專利範圍第6項之檢查系統，其另具有照相機單元，該照相機單元係可移動地沿著該搬送道來加以設置，且具有該台座所載置之該被檢查體的對位用照相機。
  10. 如申請專利範圍第9項之檢查系統，該照相機單元係具有用以測量該台座上的基板溫度之輻射溫度計。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之檢查系統，該照相機單元係與該搬送機構為上下設置，並可移動地沿著相互共通之導軌而設置於該搬送道。
TW107124558A 2017-07-19 2018-07-17 檢查系統 TWI761555B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017139936A JP6887332B2 (ja) 2017-07-19 2017-07-19 検査システム
JP2017-139936 2017-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201909301A true TW201909301A (zh) 2019-03-01
TWI761555B TWI761555B (zh) 2022-04-21

Family

ID=65015135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107124558A TWI761555B (zh) 2017-07-19 2018-07-17 檢查系統

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11067624B2 (zh)
JP (2) JP6887332B2 (zh)
KR (1) KR102413295B1 (zh)
TW (1) TWI761555B (zh)
WO (1) WO2019017050A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804888B (zh) * 2021-03-23 2023-06-11 日商鎧俠股份有限公司 儲存系統

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018235411A1 (ja) * 2017-06-21 2018-12-27 東京エレクトロン株式会社 検査システム
JP7274350B2 (ja) * 2019-05-28 2023-05-16 東京エレクトロン株式会社 搬送システム、検査システム及び検査方法
CN113053774A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 迪科特测试科技(苏州)有限公司 探测装置
JP7390934B2 (ja) 2020-03-03 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2023097019A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63229836A (ja) * 1987-03-19 1988-09-26 Nikon Corp ウエハ検査装置
JP2952331B2 (ja) 1990-04-05 1999-09-27 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP3312748B2 (ja) * 1992-06-05 2002-08-12 株式会社東京精密 ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
JPH08335614A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Tokyo Electron Ltd プロ−ブシステム
JP5450391B2 (ja) * 2007-05-15 2014-03-26 ロナルド・シー・シューバート ウェーハプローブ試験および検査システム
CN101689522B (zh) * 2007-06-29 2011-11-02 爱德万测试株式会社 测试装置
KR100892756B1 (ko) 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5139253B2 (ja) 2008-12-18 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空搬送装置
KR101321467B1 (ko) * 2009-02-12 2013-10-28 가부시키가이샤 아드반테스트 반도체 웨이퍼 시험장치
JP2011009362A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5952645B2 (ja) * 2012-06-06 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
JP5918682B2 (ja) * 2012-10-09 2016-05-18 東京エレクトロン株式会社 プローブカード取り付け方法
JP5690321B2 (ja) * 2012-11-29 2015-03-25 株式会社アドバンテスト プローブ装置および試験装置
JP5718379B2 (ja) * 2013-01-15 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板収納処理装置及び基板収納処理方法並びに基板収納処理用記憶媒体
JP6333112B2 (ja) * 2014-08-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置
JP6418394B2 (ja) * 2015-02-27 2018-11-07 株式会社東京精密 プローバ及びプローブカードのプリヒート方法
JP6652361B2 (ja) * 2015-09-30 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置及びウエハ検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804888B (zh) * 2021-03-23 2023-06-11 日商鎧俠股份有限公司 儲存系統

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019017050A1 (ja) 2019-01-24
JP2019021804A (ja) 2019-02-07
JP2021119638A (ja) 2021-08-12
TWI761555B (zh) 2022-04-21
KR20200033288A (ko) 2020-03-27
JP6887332B2 (ja) 2021-06-16
KR102413295B1 (ko) 2022-06-27
US11067624B2 (en) 2021-07-20
US20200158775A1 (en) 2020-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201909301A (zh) 檢查系統
JP4049751B2 (ja) 塗布膜形成装置
KR101335146B1 (ko) 프로브 카드 검출 장치, 웨이퍼의 위치 정렬 장치 및 웨이퍼의 위치 정렬 방법
TWI447837B (zh) 基板處理裝置
JP4173309B2 (ja) センタリング装置及び枚葉式検査装置
JP7018784B2 (ja) コンタクト精度保証方法および検査装置
JP6625423B2 (ja) ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法
JP2009071323A (ja) 基板搬送装置
TWI523134B (zh) 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體
JP2013191737A (ja) ウエハ検査装置
CN110709972B (zh) 检查系统和检查系统中的温度测定方法
JP2019021804A5 (zh)
TWI534931B (zh) Mounted platform drive
JP2017092487A (ja) プローバ
JP4069980B2 (ja) 塗布膜形成装置
JP2006332558A (ja) 基板の処理システム
JP4910033B2 (ja) プローブ装置
JP3878441B2 (ja) 基板処理装置
TW202204913A (zh) 電子元件處理裝置以及電子元件測試裝置
JP4402011B2 (ja) 基板の処理システム及び基板の処理方法
KR101736849B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
US20230106927A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3901967B2 (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理装置
TW202338978A (zh) 對於半導體製造系統群之電力供給系統
KR101736873B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.