TW201827930A - 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體 - Google Patents

感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體 Download PDF

Info

Publication number
TW201827930A
TW201827930A TW106142645A TW106142645A TW201827930A TW 201827930 A TW201827930 A TW 201827930A TW 106142645 A TW106142645 A TW 106142645A TW 106142645 A TW106142645 A TW 106142645A TW 201827930 A TW201827930 A TW 201827930A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photosensitive resin
less
mass
resin composition
laminate
Prior art date
Application number
TW106142645A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI666521B (zh
Inventor
松田隆之
西澤豪
宮崎純
Original Assignee
日商旭化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商旭化成股份有限公司 filed Critical 日商旭化成股份有限公司
Publication of TW201827930A publication Critical patent/TW201827930A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI666521B publication Critical patent/TWI666521B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明提供一種即便於曝光時之焦點偏移時亦表現出高解像性及良好之線寬再現性的感光性樹脂積層體。該感光性樹脂積層體係具備支持膜、及形成於該支持膜上之包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂組合物層者,其中於支持膜之任意10處切出一邊5 mm之正方形狀之小片時,各小片中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以上述10處平均計為0~200個。

Description

感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體
本發明係關於一種感光性樹脂組合物等。
於個人電腦、行動電話等電子機器中,為了安裝零件、半導體等而使用印刷配線板等。作為印刷配線板等之製造用光阻,先前使用於支持膜上積層感光性樹脂層,進而於該感光性樹脂層上視需要積層保護膜而成之感光性樹脂積層體、所謂之乾膜光阻(以下有時亦稱作DF)。作為感光性樹脂層,目前通常為使用弱鹼性水溶液作為顯影液之鹼顯影型者。於使用DF製作印刷配線板等時,例如經過以下步驟。於DF具有保護膜之情形時,首先將保護膜剝離。其後,使用貼合機等將DF層壓於銅箔積層板或軟性基板等永久電路製作用基板上,透過配線圖案光罩膜等進行曝光。繼而,視需要將支持膜剝離,利用顯影液將未硬化部分(例如負型時為未曝光部分)之感光性樹脂層溶解或分散去除,從而於基板上形成硬化光阻圖案(以下有時亦簡稱為光阻圖案)。 形成光阻圖案後,形成電路之製程大體分為2種方法。第一種方法係將未被光阻圖案覆蓋之基板面(例如銅箔積層板之銅面)進行蝕刻去除後,利用較顯影液更強之鹼性水溶液將光阻圖案部分去除之方法(蝕刻法)。第二種方法係於上述基板面進行銅、焊料、鎳、錫等之鍍覆處理後,以與第一種方法相同之方式將光阻圖案部分去除,繼而對出現之基板面(例如銅箔積層板之銅面)進行蝕刻之方法(鍍覆法)。蝕刻時使用氯化銅、氯化鐵、銅氨錯合物溶液等。近年來,隨著電子機器之小型化及輕量化,印刷配線板不斷微細化及高密度化,要求於如上所述之製造步驟中賦予高解像性、良好之線寬再現性等之高性能DF。作為實現此種高解像性者,於專利文獻1中記載有利用特定之熱塑性樹脂、單體、及光聚合性起始劑而提高解像性之感光性樹脂組合物。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-249884號公報
[發明所欲解決之問題] 然而,於近年來常用之繪圖圖案之直接繪圖、或使光罩之圖像透過透鏡而投影之曝光方法等情形時,焦點位置對解像性或線寬再現性產生較大影響。例如,若因基板之翹曲及變形、曝光裝置之設定不良等而導致曝光時之焦點位置自基板表面偏移,則解像性或光阻線寬再現性會嚴重變差。其結果,有於利用蝕刻法形成電路時產生短路問題,於利用鍍覆法形成電路時產生缺損、斷線、鍍覆不良等問題之情形。又,亦會產生無法獲得所需之電路寬度之問題。就該觀點而言,上述專利文獻1中所記載之技術仍有改良之餘地。 因此,本發明之課題在於提供一種即便於曝光時之焦點偏移時亦表現出高解像性及良好之線寬再現性之感光性樹脂積層體、及用以形成該感光性樹脂積層體之支持膜及感光性樹脂組合物、以及使用該感光性樹脂積層體之光阻圖案之形成方法及導體圖案之形成方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者為了解決上述問題而進行銳意研究並反覆進行實驗。其結果,發現藉由以下技術手段可解決該問題。 即,本發明為如下所述。 [1] 一種感光性樹脂積層體,其係具備支持膜、及形成於該支持膜上之包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂組合物層者,其中於上述支持膜之任意10處切出一邊5 mm之正方形狀之小片時,各小片中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以上述10處平均計為0~200個。 [2] 如[1]記載之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~200個。 [3] 如[1]記載之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~100個。 [4] 如[1]記載之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~50個。 [5] 如[1]記載之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~20個。 [6] 如[1]記載之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~10個。 [7] 如[1]至[6]中任一項記載之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物以該感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量基準計包含以下成分: (A)鹼可溶性高分子:10質量%~90質量%; (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%;及 (C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%。 [8] 如[7]記載之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼可溶性高分子之單體成分具有芳香族烴基。 [9] 如[7]或[8]記載之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼可溶性高分子之玻璃轉移溫度Tg之重量平均值Tgtotal 為30℃以上且135℃以下。 [10] 如[7]至[9]中任一項記載之感光性樹脂積層體,其中以感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量基準計進而包含以下成分: (D)酚系衍生物:0.001質量%~10質量%。 [11] 如[1]至[10]中任一項記載之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.7%以下。 [12] 如[11]記載之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.6%以下。 [13] 如[11]記載之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.5%以下。 [14] 如[1]至[13]中任一項記載之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為80%以下。 [15] 如[14]記載之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為70%以下。 [16] 如[14]記載之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為60%以下。 [17] 一種光阻圖案之形成方法,其包括以下步驟: 積層步驟,其係將如[1]至[16]中任一項記載之感光性樹脂積層體積層於基板; 曝光步驟,其係將該感光性樹脂積層體之感光性樹脂層曝光;及 顯影步驟,其係將該感光性樹脂層之未曝光部分顯影去除。 [18] 如[17]記載之光阻圖案之形成方法,其中藉由利用繪圖圖案之直接繪圖之曝光方法、或使光罩之圖像透過透鏡而投影之曝光方法進行上述曝光步驟。 [發明之效果] 根據本發明,可提供一種即便於曝光時之焦點偏移時亦表現出高解像性及良好之線寬再現性之感光性樹脂積層體、及用以形成該感光性樹脂積層體之支持膜及感光性樹脂組合物、以及使用該感光性樹脂積層體之光阻圖案之形成方法及導體圖案之形成方法。其結果,即便於因基板之翹曲及變形、曝光裝置之設定不良等而導致曝光時之焦點位置自基板表面偏移時,亦可於藉由蝕刻法形成電路時減少短路問題,於藉由鍍覆法形成電路時減少缺損、斷線、鍍覆不良等問題。又,亦可獲得所需之電路寬度。
以下,對用以實施本發明之例示之形態(以下簡稱為「實施形態」)詳細地進行說明。再者,本發明不限定於以下實施形態,可於其主旨之範圍內進行各種變化而實施。又,關於本說明書中之各種測定值,只要未特別說明,則依照本揭示之[實施例]之項中所記載之方法或業者理解與其同等之方法進行測定。 [感光性樹脂積層體] 本發明之感光性樹脂積層體係具備支持膜、及形成於該支持膜上之包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂組合物層者,其中於支持膜之任意10處切出一邊5 mm之正方形狀之小片時,各小片中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為0~200個。1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子中包含直徑為1.5 μm以上且未達4.5 μm之一次粒子、及一次粒子之凝聚物之直徑為1.5 μm以上且未達4.5 μm之一次粒子凝聚物。再者,於一次粒子並非完全球體之情形時,將一次粒子之最長寬度設為該一次粒子之直徑。又,於一次粒子凝聚物並非完全球體之情形時,將一次粒子凝聚物之最長寬度設為該一次粒子凝聚物之直徑。感光性樹脂積層體視需要亦可於感光性樹脂層之與支持層側為相反側之表面具有保護層。 隨著近年來之電子機器之小型化、薄型化,配線之高密度化、軟性印刷配線板之應用、以及多層化之需求提高。而且,隨著不斷多層化,表面之起伏放大,有隨著曝光時之焦點偏移而解像性變差或線寬再現性變差之擔憂。其結果,短路不良或缺損、斷線、鍍覆不良之問題、無法形成所需之銅線之問題日益緊要。以大型基板進行曝光時之吸附不良、或面內之膜厚不均一性等亦會產生同樣之問題。因此,本發明者等人發現:著眼於使焦點位置對準基材表面而進行曝光時與使焦點位置對準自該基材表面向該基材之內側偏移後之位置(相對於上述表面之起伏量等焦點位置之偏移量設定為非常大之偏移量的基準值)而進行該曝光時的線寬之差或解像度之差而設計感光性樹脂積層體對於解決上述問題較為有效。 若該支持膜之一邊5 mm之正方形狀之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以任意10處平均計為0~200個,則可抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差。作為對該等性能產生影響之微粒子之大小,若為1.5 μm以上且未達4.5 μm,則於通常之曝光時不會對該等性能產生影響,但於利用直接繪圖之曝光方法等時,若因基板之應變或基板對平台之吸附不足、基板表面之凹凸之影響而導致曝光部分之焦點偏移,則微粒子對光之散射之影響變大。其結果,線寬變寬,解像性(尤其是提取性)變差。於4.5 μm以上之微粒子之情形時,即便於通常之曝光時解像性亦變差。於未達1.5 μm之微粒子之情形時,即便於曝光時之焦點偏移時亦不會出現線寬變寬或解像性變差。 就抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差之觀點而言,支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計較佳為180個以下,較佳為150個以下,較佳為120個以下,較佳為100個以下,更佳為80個以下,更佳為50個以下,進而較佳為30個以下,更佳為20個以下,尤佳為15個以下,進而較佳為10個以下,最佳為6個以下。 又,就支持膜與感光性樹脂層之密接性優異之方面而言,1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量較佳為1個以上。若支持膜中以任意10處平均計包含1個以上之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子,則支持膜之滑動性變佳,可減少支持膜之剝離等。若向基板進行層壓後局部產生支持膜之剝離,則有氧氣進入支持膜與感光性樹脂組合物層之間,因該氧氣而即便進行曝光亦產生感光性樹脂組合物之硬化不良之情形。 支持膜中之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量可為2個以上,亦可為3個以上,亦可為5個以上,亦可為8個以上,亦可為10個以上。 再者,於本申請案中,於支持膜中之任意10處測定粒子之數量,若存在滿足本申請案技術方案所規定之粒子數之10處,則其感光性樹脂積層體當作處於本申請案發明之申請專利範圍內。即,於即便於某10處進行測定時不滿足規定之粒子數,但於另外10處進行測定時滿足規定之粒子數之情形時,其感光性樹脂積層體當作處於本申請案發明之申請專利範圍內。 作為支持膜中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子,例如為無機微粒子或有機微粒子,有潤滑劑、添加劑之凝聚物、混入原料中之異物、於製造步驟中混入之異物等。作為微粒子之具體例,可列舉:碳酸鈣、磷酸鈣、氧化矽(二氧化矽)、高嶺土、滑石、二氧化鈦、氧化鋁(alumina)(氧化鋁(aluminium oxide))、硫酸鋇、氟化鈣、氟化鋰、沸石、硫化鉬等無機粒子、交聯高分子粒子、草酸鈣等有機粒子等。該等可單獨,亦可為兩種以上之組合。 微粒子係依照常規方法調配於膜中。為了製造本發明之支持膜,例如可列舉利用4.5 μm以下之目之過濾器過濾樹脂等方法。 作為支持膜,較佳為使自曝光光源放射之光透過之透明支持膜。作為此種支持膜,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯醇膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚偏二氯乙烯膜、偏二氯乙烯共聚膜、聚甲基丙烯酸甲酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯腈膜、苯乙烯共聚物膜、聚醯胺膜、纖維素衍生物膜等。該等膜視需要亦可使用經延伸者。 作為支持膜,就抑制曝光時之光散射之觀點而言,較佳為霧度5%以下者,更佳為2%以下,進而較佳為1.5%以下,尤佳為1.0%以下。就同樣之觀點而言,與感光層接觸之面之表面粗糙度Ra較佳為30 nm以下,更佳為20 nm以下,尤佳為10 nm以下。關於膜之厚度,雖然越薄則圖像形成性及經濟性越高故而較為有利,但為了維持感光性樹脂積層體之強度,較佳為使用10 μm~30 μm者。 又,支持膜可為單層結構,亦可為積層由複數種組成所形成之樹脂層而成之多層結構。於多層結構之情形時,亦可存在抗靜電層。於如2層結構或3層結構之多層結構之情形時,例如可於一面A形成含有微粒子之樹脂層,並於另一面B採用(1)與面A同樣地含有微粒子、(2)含有較面A少量之微粒子、(3)含有較面A細之微粒子、(4)不含有微粒子之結構。於(2)、(3)、(4)之結構之情形時,較佳為於面B側形成感光性樹脂層。此時,若於面A側存在含有微粒子之樹脂層,則就膜之滑動性等觀點而言較佳。作為此時之微粒子之大小,就本發明之效果之觀點而言,亦較佳為未達1.5 μm。 用於感光性樹脂積層體之保護層之重要特性係與感光性樹脂層之密接力較支持層充分較小而可容易地剝離。例如,聚乙烯膜或聚丙烯膜可較佳地用作保護層。又,亦可使用日本專利特開昭59-202457號公報中所示之剝離性優異之膜。保護層之膜厚較佳為10 μm~100 μm,更佳為10 μm~50 μm。 聚乙烯膜表面有時存在被稱作魚眼之凝膠。於使用具有魚眼之聚乙烯膜作為保護層之情形時,有該魚眼被轉印至感光性樹脂層之情形。若魚眼被轉印至感光性樹脂層,則於層壓時有夾帶空氣而成為空隙之情形,會引起光阻圖案之缺損。就防止魚眼之觀點而言,作為保護層之材質,較佳為延伸聚丙烯。作為具體例,可列舉王子製紙(股)製造之Arufun E-200A。 感光性樹脂積層體中之感光性樹脂層之厚度根據用途而不同,較佳為1 μm~300 μm,更佳為3 μm~100 μm,尤佳為5 μm~60 μm,最佳為10 μm~30 μm。感光性樹脂層之厚度越薄,則解像度越高,又,越厚,則膜強度越高。 繼而,對感光性樹脂積層體之製造方法進行說明。 作為依序積層支持層及感光性樹脂層、以及視需要之保護層而製作感光性樹脂積層體之方法,可採用已知之方法。例如,可將用於感光性樹脂層之感光性樹脂組合物與溶解其之溶劑混合而製成均一之溶液,先使用棒式塗佈機或輥式塗佈機塗佈於支持層上,繼而進行乾燥而將上述溶劑去除,藉此而於支持層上積層包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層。繼而視需要可藉由於感光性樹脂層上層壓保護層而製作感光性樹脂積層體。 [感光性樹脂組合物] 於本實施形態中,感光性樹脂組合物較佳為包含(A)鹼可溶性高分子、(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物、及(C)光聚合起始劑。感光性樹脂組合物較佳為以該感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量基準計包含:(A)鹼可溶性高分子:10質量%~90質量%;(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%;及(C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%。以下,依次對各成分進行說明。 <(A)鹼可溶性高分子> 於本揭示中,(A)鹼可溶性高分子包含易溶於鹼性物質之高分子。更具體而言,(A)鹼可溶性高分子中所包含之羧基之量以酸當量計為100~600,較佳為250~450。所謂酸當量,係指於其分子中具有1當量之羧基之聚合物之質量(單位:克)。為了對感光性樹脂層賦予對鹼性水溶液之顯影性及剝離性,(A)鹼可溶性高分子中之羧基是必需的。使酸當量為100以上就提高顯影耐性、解像性、及密接性之觀點而言較佳。而且,更佳為使酸當量為250以上。另一方面,使酸當量為600以下就提高顯影性及剝離性之觀點而言較佳。而且,更佳為使酸當量為450以下。於本揭示中,酸當量係使用電位差滴定裝置,藉由利用0.1 mol/L之NaOH水溶液進行滴定之電位差滴定法所測得之值。 (A)鹼可溶性高分子之重量平均分子量較佳為5,000~500,000。使重量平均分子量為500,000以下就提高解像性及顯影性之觀點而言較佳。更佳為使重量平均分子量為100,000以下,進而較佳為使重量平均分子量為60,000以下,尤佳為使重量平均分子量為50,000以下。另一方面,使重量平均分子量為5,000以上就控制顯影凝聚物之性狀、以及製成感光性樹脂積層體之情形時之邊緣熔融性及切割碎片性等未曝光膜之性狀之觀點而言較佳。更佳為使重量平均分子量為10,000以上,進而較佳為使重量平均分子量為20,000以上。所謂邊緣熔融性,係指以感光性樹脂積層體之形式捲取為捲筒狀之情形時感光性樹脂層(即包含感光性樹脂組合物之層)自捲筒之端面之易露程度。所謂切割碎片性,係指利用切割器將未曝光膜切斷之情形時碎片之易飛程度。若該碎片附著於感光性樹脂積層體之上表面等,則會於之後之曝光步驟等中轉印至光罩而成為不良品之原因。(A)鹼可溶性高分子之分散度較佳為1.0~6.0,更佳為1.0~5.0,進而較佳為1.0~4.0,進而較佳為1.0~3.0。 於本實施形態中,就抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差之觀點而言,感光性樹脂組合物較佳為包含具有芳香族烴基之單體成分作為(A)鹼可溶性高分子者。再者,作為此種芳香族烴基,例如可列舉經取代或未經取代之苯基、或經取代或未經取代之芳烷基。該(A)鹼可溶性高分子中之具有芳香族烴基之單體成分之含有比率以全部單體成分之合計質量為基準較佳為20質量%以上,更佳為40質量%以上,進而較佳為50質量%以上,尤佳為55質量%以上,最佳為60質量%以上。作為上限,並無特別限定,較佳為95質量%以下,更佳為80質量%以下。再者,含有複數種(A)鹼可溶性高分子之情形時之具有芳香族烴基之單體成分的含有比率係以重量平均值之形式求出。 作為上述具有芳香族烴基之單體,例如可列舉:具有芳烷基之單體、苯乙烯、及可聚合之苯乙烯衍生物(例如甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、第三丁氧基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、4-乙烯基苯甲酸、苯乙烯二聚物、苯乙烯三聚物等)。其中,較佳為具有芳烷基之單體、或苯乙烯。 作為芳烷基,可列舉經取代或未經取代之苯烷基(除苄基以外)、或經取代或未經取代之苄基等,較佳為經取代或未經取代之苄基。 作為具有苯烷基之共聚單體,可列舉(甲基)丙烯酸苯乙酯等。 作為具有苄基之共聚單體,可列舉:具有苄基之(甲基)丙烯酸酯、例如(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸氯苄酯等;具有苄基之乙烯基單體、例如乙烯基苄氯、乙烯基苄醇等。其中,較佳為(甲基)丙烯酸苄酯。 含有具有芳香族烴基之單體成分之(A)鹼可溶性高分子較佳為藉由使具有芳香族烴基之單體與下述第一單體之至少1種及/或下述第二單體之至少1種進行聚合而獲得。 不含有具有芳香族烴基之單體成分之(A)鹼可溶性高分子較佳為藉由使下述第一單體之至少1種進行聚合而獲得,更佳為藉由使第一單體之至少1種與下述第二單體之至少1種進行共聚而獲得。 第一單體係分子中具有羧基之單體。作為第一單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸、反丁烯二酸、桂皮酸、丁烯酸、亞甲基丁二酸、4-乙烯基苯甲酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸半酯等。該等中,較佳為(甲基)丙烯酸。 再者,於本說明書中,所謂「(甲基)丙烯酸」,意指丙烯酸或甲基丙烯酸,所謂「(甲基)丙烯醯基」,意指丙烯醯基或甲基丙烯醯基,且所謂「(甲基)丙烯酸酯」,意指「丙烯酸酯」或「甲基丙烯酸酯」。 第一單體之共聚比率以全部單體成分之合計質量為基準較佳為10~50質量%。使該共聚比率為10質量%以上就表現出良好之顯影性之觀點、控制邊緣熔融性等觀點而言較佳,更佳為15質量%以上,進而較佳為20質量%以上。使該共聚比率為50質量%以下就光阻圖案之高解像性及麓部形狀之觀點而言、進而就光阻圖案之耐化學品性之觀點而言較佳,就該等觀點而言,更佳為35質量%以下,進而較佳為30質量%以下,尤佳為27質量%以下。 第二單體係非酸性且分子中具有至少1個聚合性不飽和基之單體。作為第二單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等(甲基)丙烯酸酯類;乙酸乙烯酯等乙烯醇之酯類;以及(甲基)丙烯腈等。其中,較佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、及(甲基)丙烯酸正丁酯。 含有具有芳烷基之單體及/或苯乙烯作為單體就抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差之觀點而言較佳。例如較佳為包含甲基丙烯酸、甲基丙烯酸苄酯及苯乙烯之共聚物、包含甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸苄酯及苯乙烯之共聚物等。 (A)鹼可溶性高分子可單獨使用1種,或者亦可將2種以上混合而使用。於將2種以上混合而使用之情形時,較佳為混合使用2種包含具有芳香族烴基之單體成分之鹼可溶性高分子、或混合使用包含具有芳香族烴基之單體成分之鹼可溶性高分子與不包含具有芳香族烴基之單體成分之鹼可溶性高分子。於後者之情形時,包含具有芳香族烴基之單體成分之鹼可溶性高分子之使用比率相對於(A)鹼可溶性高分子全部較佳為50質量%以上,更佳為70質量%以上,較佳為80質量%以上,更佳為90質量%以上。 (A)鹼可溶性高分子之合成較佳為藉由如下方式進行:向利用丙酮、甲基乙基酮、異丙醇等溶劑將上述說明之一種或複數種單體稀釋而成之溶液中添加適量之過氧化苯甲醯、偶氮異丁腈等自由基聚合起始劑,並進行加熱攪拌。亦有一面將混合物之一部分滴加至反應液一面進行合成之情形。亦有於反應結束後進而添加溶劑而調整至所需之濃度之情形。作為合成方法,除溶液聚合以外,亦可使用塊狀聚合、懸浮聚合、或乳化聚合。 (A)鹼可溶性高分子之玻璃轉移溫度Tg之重量平均值Tgtotal 較佳為30℃以上且135℃以下。Tgtotal 係藉由下述實施例中所記載之方法而算出。藉由於感光性樹脂組合物中使用具有135℃以下之Tgtotal 之(A)鹼可溶性高分子,可抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差。就該觀點而言,(A)鹼可溶性高分子之Tgtotal 更佳為120℃以下,進而較佳為115℃以下,更佳為110℃以下,進而較佳為105℃以下,尤佳為110℃以下。又,使用具有30℃以上之Tgtotal 之(A)鹼可溶性高分子就提高耐邊緣熔融性之觀點而言較佳。就該觀點而言,(A)鹼可溶性高分子之Tgtotal 更佳為40℃以上,進而較佳為50℃以上,尤佳為60℃以上。 (A)鹼可溶性高分子相對於感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量之比率較佳為10質量%~90質量%之範圍,更佳為30質量%~70質量%,進而較佳為40質量%~60質量%。使(A)鹼可溶性高分子相對於感光性樹脂組合物之比率為90質量%以下就控制顯影時間之觀點而言較佳。另一方面,使(A)鹼可溶性高分子相對於感光性樹脂組合物之比率為10質量%以上就提高耐邊緣熔融性之觀點而言較佳。 <(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物> 就硬化性及與(A)鹼可溶性高分子之相容性之觀點而言,(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物較佳為包含分子內具有(甲基)丙烯醯基之化合物。(B)化合物中之(甲基)丙烯醯基之數量只要為1個以上即可。 作為具有1個(甲基)丙烯醯基之(B)化合物,例如可列舉:對聚環氧烷之一末端加成(甲基)丙烯酸而成之化合物、或對聚環氧烷之一末端加成(甲基)丙烯酸並使另一末端烷基醚化或烯丙基醚化而成之化合物、苯二甲酸系化合物等;就剝離性或硬化膜柔軟性之觀點而言較佳。 作為此種化合物,例如可列舉: 作為將聚乙二醇加成至苯基而成之化合物之(甲基)丙烯酸酯的苯氧基六乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、作為將加成有平均2莫耳之環氧丙烷之聚丙二醇與加成有平均7莫耳之環氧乙烷之聚乙二醇加成至壬基苯酚而成之化合物之(甲基)丙烯酸酯的4-正壬基苯氧基七乙二醇二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、作為將加成有平均1莫耳之環氧丙烷之聚丙二醇與加成有平均5莫耳之環氧乙烷之聚乙二醇加成至壬基苯酚而成之化合物之(甲基)丙烯酸酯的4-正壬基苯氧基五乙二醇單丙二醇(甲基)丙烯酸酯、作為將加成有平均8莫耳之環氧乙烷之聚乙二醇加成至壬基苯酚而成之化合物之丙烯酸酯的4-正壬基苯氧基八乙二醇(甲基)丙烯酸酯(例如東亞合成(股)製造,M-114)等。 又,若包含γ-氯-β-羥基丙基-β'-甲基丙烯醯氧基乙基-鄰苯二甲酸酯,則除上述觀點以外,就感度、解像性、密接性之觀點而言亦較佳。 作為分子內具有2個(甲基)丙烯醯基之化合物,例如可列舉:於環氧烷鏈之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物、或於環氧乙烷鏈與環氧丙烷鏈以無規或嵌段鍵結而成之環氧烷鏈之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物等。 作為此種化合物,例如可列舉:四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、五乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、六乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、七乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、八乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、九乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、十乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、於12莫耳之環氧乙烷鏈之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物等之聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等,以及聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為化合物中包含環氧乙烷基與環氧丙烷基之聚環氧烷二(甲基)丙烯酸酯化合物,例如可列舉:對加成有平均12莫耳之環氧丙烷之聚丙二醇之兩末端進而分別加成平均3莫耳之環氧乙烷而成之二醇的二甲基丙烯酸酯、對加成有平均18莫耳之環氧丙烷之聚丙二醇之兩末端進而分別加成平均15莫耳之環氧乙烷而成之二醇的二甲基丙烯酸酯、FA-023M、FA-024M、FA-027M(製品名,日立化成工業製造)等。該等就柔軟性、解像性、密接性等觀點而言較佳。 作為分子內具有2個(甲基)丙烯醯基之化合物之其他例,藉由將雙酚A進行環氧烷改性而於兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物就解像性及密接性之觀點而言較佳。 具體而言,可使用下述通式(I)所表示之化合物。 [化1]{式中,R1及R2分別獨立地表示氫原子或甲基,A為C2 H4 ,B為C3 H6 ,n1及n3分別獨立地為1~39之整數,且n1+n3為2~40之整數,n2及n4分別獨立地為0~29之整數,且n2+n4為0~30之整數,-(A-O)-及-(B-O)-之重複單元之排列可為無規,亦可為嵌段;而且,於為嵌段之情形時,-(A-O)-與-(B-O)-均可為聯苯基側} 例如,對雙酚A之兩端分別加成平均各5莫耳之環氧乙烷而成之聚乙二醇之二甲基丙烯酸酯、對雙酚A之兩端分別加成平均各2莫耳之環氧乙烷而成之聚乙二醇之二甲基丙烯酸酯、對雙酚A之兩端分別加成平均各1莫耳之環氧乙烷而成之聚乙二醇之二甲基丙烯酸酯就解像性、密接性之方面而言較佳。 又,亦可使用上述通式(I)中之芳香環具有雜原子及/或取代基之化合物。 作為雜原子,例如可列舉鹵素原子等,而且,作為取代基,可列舉:碳數1~20之烷基、碳數3~10之環烷基、碳數6~18之芳基、苯甲醯甲基、胺基、碳數1~10之烷基胺基、碳數2~20之二烷基胺基、硝基、氰基、羰基、巰基、碳數1~10之烷基巰基、芳基、羥基、碳數1~20之羥基烷基、羧基、烷基之碳數為1~10之羧基烷基、烷基之碳數為1~10之醯基、碳數1~20之烷氧基、碳數1~20之烷氧基羰基、碳數2~10之烷基羰基、碳數2~10之烯基、碳數2~10之N-烷基胺甲醯基或包含雜環之基、或者經該等取代基取代之芳基等。該等取代基可形成縮合環,或者亦可該等取代基中之氫原子被取代為鹵素原子等雜原子。於通式(I)中之芳香環具有複數個取代基之情形時,複數個取代基可相同,或者亦可不同。 作為分子內具有3個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物,係藉由如下方式而獲得:作為中心骨架而具有3莫耳以上之可使分子內加成環氧烷基之基,使其加成伸乙氧基、伸丙氧基、伸丁氧基等伸烷氧基而獲得醇,將該醇製成(甲基)丙烯酸酯。於該情形時,作為可成為中心骨架之化合物,例如可列舉:甘油、三羥甲基丙烷、五赤藻糖醇、二-五赤藻糖醇、異氰尿酸酯環等。作為該等化合物,可列舉:三(甲基)丙烯酸酯、例如乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、五赤藻糖醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(例如對三羥甲基丙烷加成平均21莫耳之環氧乙烷而成之三甲基丙烯酸酯、對三羥甲基丙烷加成平均30莫耳之環氧乙烷而成之三甲基丙烯酸酯就柔軟性、密接性、滲出抑制之觀點而言較佳)等;四(甲基)丙烯酸酯、例如二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、五赤藻糖醇四(甲基)丙烯酸酯、二-五赤藻糖醇四(甲基)丙烯酸酯等;五(甲基)丙烯酸酯、例如二-五赤藻糖醇五(甲基)丙烯酸酯等;六(甲基)丙烯酸酯、例如二-五赤藻糖醇六(甲基)丙烯酸酯等。具有3個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物就解像性、密接性、光阻麓部形狀之觀點而言較佳,更佳為具有3個以上之甲基丙烯醯基之化合物。 作為四(甲基)丙烯酸酯,較佳為五赤藻糖醇四(甲基)丙烯酸酯。五赤藻糖醇四(甲基)丙烯酸酯可為對五赤藻糖醇之4個末端加成有合計1~40莫耳之環氧烷之四(甲基)丙烯酸酯等。 作為六(甲基)丙烯酸酯,較佳為對二-五赤藻糖醇之6個末端加成有合計1~40莫耳之環氧乙烷之六(甲基)丙烯酸酯、對二-五赤藻糖醇之6個末端加成有合計1~20莫耳之ε-己內酯之六(甲基)丙烯酸酯。 上述所說明之(甲基)丙烯酸酯化合物可分別獨立使用或組合而使用。感光性樹脂組合物亦可包含其他化合物作為(B)具有乙烯性不飽和鍵之化合物。作為其他化合物,可列舉:具有胺基甲酸酯鍵之(甲基)丙烯酸酯、使α,β-不飽和羧酸與多元醇進行反應而獲得之化合物、使α,β-不飽和羧酸與含縮水甘油基化合物進行反應而獲得之化合物、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物相對於感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量的比率較佳為5質量%~70質量%。使該比率為5質量%以上就感度、解像性及密接性之觀點而言較佳。更佳為使該比率為20質量%以上,進而較佳為使該比率為30質量%以上。另一方面,使該比率為70質量%以下就抑制邊緣熔融及硬化光阻之剝離延遲之觀點而言較佳。更佳為使該比率為50質量%以下。 <(C)光聚合起始劑> (C)光聚合起始劑係利用光使單體聚合之化合物。感光性樹脂組合物包含本技術領域中通常已知之化合物作為(C)光聚合起始劑。 感光性樹脂組合物中之(C)光聚合起始劑之總含量為較佳為0.01~20質量%、更佳為0.05質量%~10質量%、進而較佳為0.1質量%~7質量%、尤佳為0.1質量%~6質量%之範圍內。就獲得充分之感度之觀點而言,(C)光聚合起始劑之總含量較佳為0.01質量%以上,就使光充分地透過至光阻底面而獲得良好之高解像性之觀點而言,較佳為20質量%以下。 作為(C)光聚合起始劑,可列舉醌類、芳香族酮類、苯乙酮類、醯基氧化膦類、苯偶姻或苯偶姻醚類、二烷基縮酮類、9-氧硫類、二烷基胺基苯甲酸酯類、肟酯類、吖啶類(例如9-苯基吖啶、雙吖啶基庚烷、9-(對甲基苯基)吖啶、9-(間甲基苯基)吖啶就感度、解像性、密接性之方面而言較佳),進而可列舉六芳基聯咪唑、吡唑啉化合物、蒽化合物(例如9,10-二丁氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽就感度、解像性、密接性之方面而言較佳)、香豆素化合物(例如7-二乙胺基-4-甲基香豆素就感度、解像性、密接性之方面而言較佳)、N-芳基胺基酸或其酯化合物(例如N-苯基甘胺酸就感度、解像性、密接性之方面而言較佳)、及鹵素化合物(例如三溴甲基苯基碸)等。該等可單獨使用1種或將2種以上組合而使用。此外,亦可使用2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基噻吩基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦、三苯基氧化膦。 作為芳香族酮類,例如可列舉:二苯甲酮、米其勒酮[4,4'-雙(二甲胺基)二苯甲酮]、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲胺基二苯甲酮。該等可單獨使用1種或將2種以上組合而使用。該等中,就密接性之觀點而言,較佳為4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮。進而,就透過率之觀點而言,感光性樹脂組合物中之芳香族酮類之含量為較佳為0.01質量%~0.5質量%、進而較佳為0.02質量%~0.3質量%之範圍內。 作為六芳基聯咪唑之例,可列舉:2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基聯咪唑、2,2',5-三-(鄰氯苯基)-4-(3,4-二甲氧基苯基)-4',5'-二苯基聯咪唑、2,4-雙-(鄰氯苯基)-5-(3,4-二甲氧基苯基)-二苯基聯咪唑、2,4,5-三-(鄰氯苯基)-二苯基聯咪唑、2-(鄰氯苯基)-雙-4,5-(3,4-二甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2-氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3-二氟甲基苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,4-二氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,5-二氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,6-二氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3,4-三氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3,5-三氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3,6-三氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,4,5-三氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,4,6-三氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3,4,5-四氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、2,2'-雙-(2,3,4,6-四氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑、及2,2'-雙-(2,3,4,5,6-五氟苯基)-4,4',5,5'-四-(3-甲氧基苯基)-聯咪唑等;該等可單獨使用1種或將2種以上組合而使用。就高感度、解像性及密接性之觀點而言,較佳為2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物。 於本實施形態中,就提高感光性樹脂層之剝離特性及/或感度之觀點而言,感光性樹脂組合物中之六芳基聯咪唑化合物之含量較佳為0.05質量%~7質量%、更佳為0.1質量%~6質量%、進而較佳為1質量%~5質量%之範圍內。 就感光性樹脂層之剝離特性或感度、解像性、密接性之觀點而言,感光性樹脂組合物較佳為亦包含吡唑啉化合物作為光增感劑。 作為吡唑啉化合物,就上述觀點而言,例如可較佳地列舉:1-苯基-3-(4-第三丁基-苯乙烯基)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉、1-(4-(苯并㗁唑-2-基)苯基)-3-(4-第三丁基-苯乙烯基)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯)-5-(4-第三辛基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-異丙基苯乙烯基)-5-(4-異丙基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)-5-(4-甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(3,5-二甲氧基苯乙烯基)-5-(3,5-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-5-(3,4-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,6-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,6-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,5-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,5-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,3-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,3-二甲氧基苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(2,4-二甲氧基苯乙烯基)-5-(2,4-二甲氧基苯基)-吡唑啉等。該等中,更佳為1-苯基-3-(4-聯苯)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉。 於本實施形態中,就提高感光性樹脂層之剝離特性及/或感度之觀點而言,感光性樹脂組合物中之光增感劑之含量較佳為0.05質量%~5質量%、更佳為0.1質量%~3質量%之範圍內。 <(D)酚系衍生物> 於本實施形態中,感光性樹脂組合物較佳為進而包含(D)酚系衍生物。作為(D)酚系衍生物,例如可列舉:對甲氧基苯酚、對苯二酚、鄰苯三酚、第三丁基兒茶酚、2,6-二-第三丁基-對甲酚、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,5-二-第三戊基對苯二酚、2,5-二-第三丁基對苯二酚、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、雙(2-羥基-3-第三丁基-5-乙基苯基)甲烷、三乙二醇-雙[3-(3-第三丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇-雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、季戊四醇基-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2-硫基-二伸乙基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、N,N'-六亞甲基雙(3,5-二-第三丁基-4-羥基-氫桂皮醯胺)、3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基膦酸酯-二乙基酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯、三-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)-異氰尿酸酯、4,4'-硫代雙(6-第三丁基-間甲酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷、苯乙烯化苯酚(例如川口化學工業(股)製造,Antage SP)、三苄基苯酚(例如川口化學工業(股)製造,TBP,具有1~3個苄基之苯酚)、聯苯酚等。含有(D)酚系衍生物就可抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差之觀點而言較佳,就同樣之觀點而言,較佳為受阻酚或聯苯酚。又,就同樣之觀點而言,(D)酚系衍生物較佳為具有2核以上之酚核。 (D)酚系衍生物相對於感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量之比率較佳為0.001質量%~10質量%。就可抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差之觀點而言,該比率較佳為0.001質量%以上,更佳為0.005質量%以上,進而較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,尤佳為0.1質量%以上。另一方面,就感度降低較少之方面及解像性提高之方面而言,該比率較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為3質量%以下,尤佳為2質量%以下,最佳為1.5質量%以下。 <添加劑> 感光性樹脂組合物視需要可包含染料、塑化劑、抗氧化劑、穩定化劑等添加劑。例如可使用日本專利特開2013-156369號公報中所列舉之添加劑。 (染料及著色物質) 於本實施形態中,感光性樹脂組合物視需要亦可進而含有選自由染料(例如隱色染料、螢光黃母體染料等)及著色物質所組成之群中之至少1種。 作為著色物質,例如可列舉:一品紅、酞菁綠、金黃胺鹼、對品紅、結晶紫、甲基橙、尼羅藍2B、維多利亞藍、孔雀綠(例如保土谷化學(股)製造 Aizen(註冊商標) MALACHITE GREEN)、鹼性藍20、鑽石綠(例如保土谷化學(股)製造 Aizen(註冊商標) DIAMOND GREEN GH)。感光性樹脂組合物中之著色物質之含量於將感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量設為100質量%時較佳為0.001質量%~1質量%。使該含量為0.001質量%以上就提高感光性樹脂組合物之操作性之觀點而言較佳。另一方面,使該含量為1質量%以下就維持感光性樹脂組合物之保存穩定性之觀點而言較佳。 感光性樹脂組合物藉由含有染料而曝光部分顯色,故而就視認性之方面而言較佳,又,於檢查機等讀取用於曝光之位置對準標記之情形時,曝光部分與未曝光部分之對比度較大時容易識別而較為有利。作為就該觀點而言較佳之染料,可列舉隱色染料及螢光黃母體染料。 作為隱色染料,可列舉三(4-二甲胺基苯基)甲烷[隱色結晶紫]、雙(4-二甲胺基苯基)苯基甲烷[隱色孔雀綠]等。尤其,就對比度變得良好之觀點而言,作為隱色染料,較佳為使用隱色結晶紫。感光性樹脂組合物中之隱色染料之含量相對於感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量較佳為0.1質量%~10質量%。使該含量為0.1質量%以上就使曝光部分與未曝光部分之對比度良好之觀點而言較佳。該含量更佳為設為0.2質量%以上,尤佳為設為0.4質量%以上。另一方面,使該含量為10質量%以下就維持保存穩定性之觀點而言較佳。該含量更佳為設為5質量%以下,尤佳為設為2質量%以下。 又,於感光性樹脂組合物中將隱色染料與(C)光聚合起始劑中上述之鹵素化合物組合而使用就使密接性及對比度最佳化之觀點而言較佳。於將隱色染料與該鹵素化合物併用之情形時,感光性樹脂組合物中之該鹵素化合物之含量於將感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量設為100質量%時為0.01質量%~3質量%就維持感光層中之色相之保存穩定性之觀點而言較佳。 (其他添加劑) 為了提高熱穩定性及保存穩定性,感光性樹脂組合物亦可進而含有選自由自由基聚合抑制劑、苯并三唑類及羧基苯并三唑類所組成之群中之至少1種化合物。 作為自由基聚合抑制劑,例如可列舉:萘胺、氯化亞銅、亞硝基苯基羥基胺鋁鹽、二苯基亞硝基胺等。為了不損害感光性樹脂組合物之感度,較佳為亞硝基苯基羥基胺鋁鹽。 作為苯并三唑類,例如可列舉:1,2,3-苯并三唑、1-氯-1,2,3-苯并三唑、雙(N-2-乙基己基)胺基亞甲基-1,2,3-苯并三唑、雙(N-2-乙基己基)胺基亞甲基-1,2,3-甲苯并三唑、雙(N-2-羥基乙基)胺基亞甲基-1,2,3-苯并三唑等。 作為羧基苯并三唑類,例如可列舉:4-羧基-1,2,3-苯并三唑、5-羧基-1,2,3-苯并三唑、N-(N,N-二-2-乙基己基)胺基亞甲基羧基苯并三唑、N-(N,N-二-2-羥基乙基)胺基亞甲基羧基苯并三唑、N-(N,N-二-2-乙基己基)胺基伸乙基羧基苯并三唑等。 自由基聚合抑制劑、苯并三唑類及羧基苯并三唑類之合計含量於將感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量設為100質量%時較佳為0.01質量%~3質量%,更佳為0.05質量%~1質量%。使該含量為0.01質量%以上就對感光性樹脂組合物賦予保存穩定性之觀點而言較佳。另一方面,使該含量為3質量%以下就維持感度且抑制染料之脫色之觀點而言較佳。 染料之脫色可利用波長630 nm之透過率進行測定。波長630 nm之透過率較高表示染料脫色。支持膜與感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率較佳為80%以下,較佳為78%以下,較佳為75%以下,較佳為72%以下,較佳為70%以下,較佳為68%以下,較佳為65%以下,較佳為62%以下,較佳為60%以下,較佳為58%以下,較佳為55%以下,較佳為52%以下,較佳為50%以下。該透過率為支持膜與感光性樹脂組合物層之積層體之透過率,不包含保護層。 於本實施形態中,感光性樹脂組合物亦可進而含有雙酚A之環氧化合物類。作為雙酚A之環氧化合物類,例如可列舉利用聚丙二醇修飾雙酚A使末端環氧化而成之化合物等。 於本實施形態中,感光性樹脂組合物亦可進而含有塑化劑。作為塑化劑,例如可列舉:苯二甲酸酯類(例如鄰苯二甲酸二乙酯等)、鄰甲苯磺醯胺、對甲苯磺醯胺、檸檬酸三丁酯、檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三正丙酯、乙醯檸檬酸三正丁酯、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇烷基醚、聚丙二醇烷基醚等。又,亦可列舉:ADEKA NOL SDX-1569、ADEKA NOL SDX-1570、ADEKA NOL SDX-1571、ADEKA NOL SDX-479(以上為旭電化(股)製造)、NEWPOL BP-23P、NEWPOL BP-3P、NEWPOL BP-5P、NEWPOL BPE-20T、NEWPOL BPE-60、NEWPOL BPE-100、NEWPOL BPE-180(以上為三洋化成(股)製造)、Uniol DB-400、Uniol DAB-800、Uniol DA-350F、Uniol DA-400、Uniol DA-700(以上為日本油脂(股)製造)、BA-P4U Glycol、BA-P8 Glycol(以上為日本乳化劑(股)製造)等具有雙酚骨架之化合物。 感光性樹脂組合物中之塑化劑之含量係相對於感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量較佳為1質量%~50質量%,更佳為1質量%~30質量%。使該含量為1質量%以上就抑制顯影時間之延遲且對硬化膜賦予柔軟性之觀點而言較佳。另一方面,使該含量為50質量%以下就抑制硬化不足及冷流之觀點而言較佳。 若感光性樹脂組合物中之水分量較多,則會急遽地促進感光性樹脂組合物之局部塑化,從而發生邊緣熔融。就抑制邊緣熔融之觀點而言,以將感光性樹脂組合物調合液塗佈於支持膜並乾燥後之感光性樹脂組合物為基準,感光性樹脂組合物中之水分量較佳為0.7%以下。感光性樹脂組合物中之水分量較佳為0.65%以下,較佳為0.6%以下,較佳為0.55%以下,較佳為0.5%以下,較佳為0.45%以下,較佳為0.4%以下,較佳為0.35%以下,較佳為0.3%以下,較佳為0.25%以下,較佳為0.2%以下。 [溶劑] 感光性樹脂組合物可溶解於溶劑而以感光性樹脂組合物調合液之形態用於感光性樹脂積層體之製造。作為溶劑,可列舉酮類、醇類等。上述酮類係以甲基乙基酮(MEK)、丙酮為代表。上述醇類係以甲醇、乙醇、及異丙醇為代表。於製造感光性樹脂積層體時,溶劑較佳為以塗佈於支持層上之感光性樹脂組合物調合液於25℃下之黏度成為500 mPa・s~4,000 mPa・s般之量添加至感光性樹脂組合物中。 <光阻圖案之形成方法> 繼而,對使用本實施形態之感光性樹脂積層體製造光阻圖案之方法之一例進行說明。該方法可包括:層壓步驟,其係將感光性樹脂積層體積層於基板;曝光步驟,其係將該感光性樹脂積層體之感光性樹脂層進行曝光;及顯影步驟,其係將該感光性樹脂層之未曝光部分顯影去除。作為光阻圖案,例如可列舉:印刷配線板、半導體元件、印刷版、液晶顯示面板、軟性基板、引線框架基板、COF(chip on film,薄膜覆晶)用基板、半導體封裝用基板、液晶用透明電極、液晶用TFT(thin-film transistor,薄膜電晶體)用配線、PDP(plasma display panel,電漿顯示面板)用電極等圖案。作為一例,如下所述般對印刷配線板之製造方法進行說明。 印刷配線板係經由以下各步驟而製造。 (1)層壓步驟 首先,於層壓步驟中使用貼合機於基板上形成感光性樹脂層。具體而言,於感光性樹脂積層體具有保護層之情形時,將保護層剝離後,利用貼合機將感光性樹脂層加熱壓接於基板表面而進行層壓。作為基板之材料,例如可列舉:銅、不鏽鋼(SUS)、玻璃、氧化銦錫(ITO)等。 於本實施形態中,感光性樹脂層可僅層壓於基板表面之單面,或者視需要亦可層壓於兩面。層壓時之加熱溫度通常為40℃~160℃。又,藉由進行2次以上層壓時之加熱壓接,可提高所獲得之光阻圖案對基板之密接性。於加熱壓接時,可使用具備雙聯輥之二級式貼合機,或者亦可藉由使基板與感光性樹脂層之積層物於輥上重複通過數次而進行壓接。 (2)曝光步驟 於本步驟中,藉由如下之曝光方法將感光性樹脂層進行曝光:使具有所需之配線圖案之光罩膜密接於支持層上並使用活性光源進行之曝光方法;藉由將作為所需之配線圖案之繪圖圖案直接繪圖而進行之曝光方法;或藉由使光罩之圖像透過透鏡進行投影而進行之曝光方法。本實施形態之感光性樹脂組合物之優點於利用繪圖圖案之直接繪圖之曝光方法、或使光罩之圖像透過透鏡而投影之曝光方法中更為顯著,於利用繪圖圖案之直接繪圖之曝光方法中尤為顯著。 (3)顯影步驟 於本步驟中,於曝光後將感光性樹脂層上之支持層剝離,繼而使用鹼性水溶液之顯影液將未曝光部分顯影去除,藉此於基板上形成光阻圖案。 作為鹼性水溶液,使用Na2 CO3 或K2 CO3 之水溶液。鹼性水溶液係根據感光性樹脂層之特性而適當地選擇,較佳為約0.2質量%~約2質量%之濃度且約20℃~約40℃之Na2 CO3 水溶液。 經由上述(1)~(3)之各步驟可獲得光阻圖案。該等步驟後,視情況亦可進而進行約100℃~約300℃之加熱步驟。藉由實施該加熱步驟,可進一步提高耐化學品性。加熱時可使用熱風、紅外線、或遠紅外線方式之加熱爐。又,該加熱步驟亦可於曝光步驟後實施。 (4)蝕刻步驟或鍍覆步驟 對藉由顯影而露出之基板表面(例如銅箔積層板之銅面)進行蝕刻或鍍覆而製造導體圖案。 (5)剝離步驟 其後,利用具有較顯影液強之鹼性之水溶液使光阻圖案自基板剝離。關於剝離用之鹼性水溶液,並無特別限制,較佳為約2質量%~約5質量%之濃度且約40~約70℃之溫度之NaOH或KOH之水溶液。剝離液中亦可添加少量之水溶性溶劑。 本實施形態之感光性樹脂積層體係適合製造印刷配線板、軟性基板、引線框架基板、COF用基板、半導體封裝用基板、液晶用透明電極、液晶用TFT用配線、PDP用電極等導體圖案之感光性樹脂積層體。 再者,關於上述各種參數,只要未特別說明,則依照下述實施例中之測定方法或業者理解與其同等之方法進行測定。 [實施例] 繼而,列舉實施例及比較例更加具體地對本實施形態進行說明。然而,本實施形態只要不脫離其主旨,則不限定於以下實施例。實施例中之物性係藉由以下方法進行測定。 對高分子之物性值之測定、高分子之玻璃轉移溫度之計算、以及實施例及比較例之評價用樣品之製作方法進行說明。又,示出針對所獲得之樣品之評價方法及其評價結果。 (1)物性值之測定或計算 <高分子之重量平均分子量或數量平均分子量之測定> 高分子之重量平均分子量或數量平均分子量係利用日本分光(股)製造之凝膠滲透層析儀(GPC)(使用利用泵:Gulliver、PU-1580型,管柱:昭和電工(股)製造之Shodex(註冊商標)(KF-807、KF-806M、KF-806M、KF-802.5)4根串聯,移動層溶劑:四氫呋喃、聚苯乙烯標準樣品(昭和電工(股)製造之Shodex STANDARD SM-105)獲得之校準曲線)而以聚苯乙烯換算之形式求出。 進而,高分子之分散度係以重量平均分子量相對於數量平均分子量之比(重量平均分子量/數量平均分子量)之形式算出。 <酸當量> 於本說明書中,所謂酸當量,意指分子中具有1當量之羧基之聚合物之質量(克)。使用平沼產業(股)製造之平沼自動滴定裝置(COM-555),使用0.1 mol/L之氫氧化鈉水溶液藉由電位差滴定法測定酸當量。 <玻璃轉移溫度Tg之重量平均值Tgtotal > 鹼可溶性高分子之玻璃轉移溫度Tg之重量平均值Tgtotal 係依照下述式所求出之值。 [數1]{式中,Wi 為各鹼可溶性高分子之固形物重量,Tgi 為各鹼可溶性高分子之利用Fox式所求出之玻璃轉移溫度,Wtotal 為各鹼可溶性高分子之合計固形物重量,且n為感光性樹脂組合物中所包含之鹼可溶性高分子之種類之數量} 此處,於求出玻璃轉移溫度Tgi時,作為包含形成對應之鹼可溶性高分子之共聚單體之均聚物的玻璃轉移溫度,使用Brandrup, J. Immergut, E. H.編輯之「Polymer handbook, Third edition, John wiley & sons, 1989, p. 209 Chapter VI 『Glass transition temperatures of polymers』」中所示之值。再者,將於實施例中用於計算之包含各共聚單體之均聚物之玻璃轉移溫度示於表3。 (2)評價用樣品之製作方法 評價用樣品係以如下方式進行製作。 <感光性樹脂積層體之製作> 將下文所載之表1中所示之成分(其中,各成分之數字表示以固形物成分計之調配量(質量份))及溶劑充分地攪拌、混合而獲得感光性樹脂組合物調合液。將表1中以略號表示之成分之名稱示於下述表2。 作為支持膜,準備表1所示之16 μm厚之聚對苯二甲酸乙二酯膜。各聚對苯二甲酸乙二酯膜中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之總數係藉由以下方法而求出。 即,使用光學顯微鏡於整個厚度方向上測定聚對苯二甲酸乙二酯膜之一邊5 mm之正方形狀之小片內存在的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之個數。再者,於微粒子並非完全之球體之情形時,將微粒子之最長寬度設為該微粒子之直徑。於聚對苯二甲酸乙二酯膜之面內對任意10處進行該測定,算出其平均值。 使用棒式塗佈機於聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面均勻地塗佈該調合液,並於95℃之乾燥機中乾燥2.5分鐘而形成感光性樹脂組合物層。感光性樹脂組合物層之乾燥厚度為25 μm。 繼而,於感光性樹脂組合物層之未積層聚對苯二甲酸乙二酯膜之側之表面上貼合19 μm厚之聚乙烯膜(TAMAPOLY(股)製造,GF-818)作為保護層而獲得感光性樹脂積層體。 <基板整面> 於實施例1~13及比較例1中,作為圖像性之評價基板,利用軟蝕刻劑(菱江化學(股)製造,CPE-900)對積層有35 μm壓延銅箔之0.4 mm厚之銅箔積層板進行處理,並利用10質量%H2 SO4 將基板表面洗淨。 <層壓> 一面將感光性樹脂積層體之聚乙烯膜(保護層)剝離,一面利用加熱輥貼合機(旭化成(股)公司製造,AL-700)以輥溫度105℃將感光性樹脂積層體層壓於預熱至60℃之銅箔積層板。氣壓係設為0.35 MPa,層壓速度係設為1.5 m/min。 <曝光> 利用直接繪圖曝光機(日立Via Mechanics(股)製造,DE-1DH,光源:GaN藍紫二極體,主波長405±5 nm),使用Stouffer41級階段式曝光表或特定之直接成像(DI)曝光用光罩圖案於照度85 mW/cm2之條件下進行曝光。曝光係以將上述Stouffer41級階段式曝光表作為光罩進行曝光、顯影時之最高殘膜級數成為14級之曝光量而進行。 <顯影> 將聚對苯二甲酸乙二酯膜(支持層)剝離後,使用鹼顯影機(FUJIKIKO製造,乾式膜用顯影機),歷時特定時間噴射30℃之1質量%Na2 CO3 水溶液,以最短顯影時間之2倍之時間將感光性樹脂層之未曝光部分溶解去除。此時,將未曝光部分之感光性樹脂層完全溶解所需之最短時間設為最短顯影時間。 <線寬(通常)之評價> 使用具有曝光部分與未曝光部分之寬度為1:1之比率之線圖案的繪圖資料將層壓後經過2小時後之評價用基板進行曝光。此時,使曝光時之焦點位置對準聚對苯二甲酸乙二酯膜表面。繼而,將聚對苯二甲酸乙二酯膜(支持層)剝離後,以最短顯影時間之2倍之顯影時間進行顯影。而且,利用光學顯微鏡測定L/S=70 μm/70 μm之圖案之線寬。再者,對5條線進行該測定,測定各線中寬度最寬之部分之線寬,將該5個線寬之平均值作為線寬(通常)之值。 <線寬變寬A之評價> 使曝光時之焦點位置自聚對苯二甲酸乙二酯膜表面沿該評價基板之厚度方向向基板內側偏移400 μm。除此以外,與上述線寬(通常)之測定相同。而且,將此時之線寬減去上述線寬(通常)所得之值作為線寬變寬A之值。 <線寬變寬B之評價> 使曝光時之焦點位置自聚對苯二甲酸乙二酯膜表面沿該評價基板之厚度方向向基板內側偏移800 μm。除此以外與上述線寬(通常)之測定相同。而且,將此時之線寬減去上述線寬(通常)所得之值作為線寬變寬B之值。 <解像度A之評價> 使用具有未曝光部分成為圓孔之圖案之繪圖資料將層壓後經過2小時後之評價用基板進行曝光。此時,使曝光時之焦點位置對準聚對苯二甲酸乙二酯膜表面。繼而,將聚對苯二甲酸乙二酯膜(支持層)剝離後,以最短顯影時間之2倍之顯影時間進行顯影。而且,將未曝光部分之圓孔(32個)全部正常形成之最小之圓孔徑設為解像度A之值。再者,對硬化光阻圖案中於未曝光部分之基板表面無殘留光阻而基板表面露出,亦無自硬化光阻之光阻成分之突起而正常形成之最小之圓孔徑進行評價。作為解像度之值,30 μm以下時使用以2 μm刻紋所獲得之繪圖圖案進行曝光,30 μm以上且50 μm以下時使用以5 μm刻紋所獲得之繪圖圖案進行曝光,50 μm以上時使用以10 μm刻紋所獲得之繪圖圖案進行曝光。再者,未曝光部分成為圓孔之圖案因未曝光部分之周圍被曝光部分包圍而未曝光部分難以顯影,故而為與通常之解像度評價相比非常嚴格之評價。 <解像度B之評價> 使曝光時之焦點位置自聚對苯二甲酸乙二酯膜表面沿該評價基板之厚度方向向基板內側偏移200 μm。除此以外與上述解像度A之測定相同而評價解像度B。 <解像度C之評價> 使曝光時之焦點位置自聚對苯二甲酸乙二酯膜表面沿該評價基板之厚度方向向基板內側偏移400 μm。除此以外與上述解像度A之測定相同而評價解像度C。 [表1] [表2] [表3] 自表1及2之結果讀取以下內容。 可知於支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為0~200個之實施例1~13中,通常時與聚焦時之解像度之差、即解像度B-解像度A、解像度C-解像度A與微粒子之數量多於200之比較例1相比被抑制得較小,又,線寬變寬A、線寬變寬B亦被抑制得較小。 又,使用1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量與實施例3相同之16 μm厚之聚對苯二甲酸乙二酯膜(Toray(股)製造,16QS68),並使用與實施例3相同之感光性樹脂組合物進行評價,結果為與實施例3相同之結果。 再者,關於實施例1,向基板層壓後未觀察到局部之聚對苯二甲酸乙二酯膜之剝離,但關於實施例7,向基板層壓後局部觀察到聚對苯二甲酸乙二酯膜之剝離。若於曝光前支持膜自感光性樹脂組合物層剝離,則有氧氣進入支持膜與感光性樹脂組合物層之間,因該氧氣而即便進行曝光亦產生感光性樹脂組合物之硬化不良之情形。 由實施例與比較例之對比可知:若使用本實施形態之支持膜或感光性樹脂組合物,則即便於曝光時之焦點偏移時,線寬變寬亦較少,且亦可減少解像性變差。藉由使用該聚對苯二甲酸乙二酯膜或感光性樹脂組合物而利用蝕刻法或鍍覆法形成圖案時,即便於基板表面存在凹凸或起伏之情形時,光罩線寬再現性亦良好,可形成無短路不良或缺損、斷線、鍍覆不良等問題之高精細之電路。 以上對本發明之實施形態進行了說明,但本發明不限定於此,可於不脫離發明之主旨之範圍內適當地進行變更。 [產業上之可利用性] 本發明之感光性樹脂積層體由於可抑制曝光時之焦點位置偏移時之線寬變寬或解像度變差,故而即便於因基板之翹曲及變形、曝光裝置之設定不良等而導致曝光時之焦點位置自基板表面偏移時,亦可於藉由蝕刻法形成電路時防止短路問題,於藉由鍍覆法形成電路時防止缺損、斷線、鍍覆不良等問題,又,亦可獲得所需之電路寬度。因此,該感光性樹脂積層體可較佳地用於製造印刷配線板、軟性基板、引線框架基板、COF(薄膜覆晶)用基板、半導體封裝用基板、液晶用透明電極、液晶用TFT用配線、PDP(電漿顯示面板)用電極等導體圖案。

Claims (18)

  1. 一種感光性樹脂積層體,其係具備支持膜、及形成於該支持膜上之包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂組合物層者,其中於上述支持膜之任意10處切出一邊5 mm之正方形狀之小片時,各小片中所包含之1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以上述10處平均計為0~200個。
  2. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~200個。
  3. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~100個。
  4. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~50個。
  5. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~20個。
  6. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述5 mm見方之支持膜之小片中所包含的1.5 μm以上且未達4.5 μm之微粒子之數量以10處平均計為1~10個。
  7. 如請求項1至6中任一項之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物以該感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量基準計包含以下成分: (A)鹼可溶性高分子:10質量%~90質量%; (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%;及 (C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%。
  8. 如請求項7之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼可溶性高分子之單體成分具有芳香族烴基。
  9. 如請求項7或8之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼可溶性高分子之玻璃轉移溫度Tg之重量平均值Tgtotal 為30℃以上且135℃以下。
  10. 如請求項7至9中任一項之感光性樹脂積層體,其中以感光性樹脂組合物之全部固形物成分質量基準計進而包含以下成分: (D)酚系衍生物:0.001質量%~10質量%。
  11. 如請求項1至10中任一項之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.7%以下。
  12. 如請求項11之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.6%以下。
  13. 如請求項11之感光性樹脂積層體,其中上述感光性樹脂組合物中所包含之水分量為0.5%以下。
  14. 如請求項1至13中任一項之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為80%以下。
  15. 如請求項14之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為70%以下。
  16. 如請求項14之感光性樹脂積層體,其中上述支持膜與上述感光性樹脂組合物層之積層體之波長630 nm下之透過率為60%以下。
  17. 一種光阻圖案之形成方法,其包括以下步驟: 積層步驟,其係將如請求項1至16中任一項之感光性樹脂積層體積層於基板; 曝光步驟,其係將該感光性樹脂積層體之感光性樹脂層進行曝光;及 顯影步驟,其係將該感光性樹脂層之未曝光部分顯影去除。
  18. 如請求項17之光阻圖案之形成方法,其中藉由利用繪圖圖案之直接繪圖之曝光方法、或使光罩之圖像透過透鏡而投影之曝光方法進行上述曝光步驟。
TW106142645A 2016-12-07 2017-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate TWI666521B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-237556 2016-12-07
JP2016237556 2016-12-07
JP2017-058855 2017-03-24
JP2017058855 2017-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201827930A true TW201827930A (zh) 2018-08-01
TWI666521B TWI666521B (zh) 2019-07-21

Family

ID=62491417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106142645A TWI666521B (zh) 2016-12-07 2017-12-06 Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate

Country Status (6)

Country Link
JP (2) JP6985291B2 (zh)
KR (2) KR102458384B1 (zh)
CN (1) CN109690404B (zh)
MY (1) MY192472A (zh)
TW (1) TWI666521B (zh)
WO (1) WO2018105620A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI780648B (zh) * 2020-04-03 2022-10-11 日商旭化成股份有限公司 感光性元件、及抗蝕圖案之形成方法
US20240012326A1 (en) 2021-01-29 2024-01-11 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Photosensitive element, and method for forming resist pattern

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001013681A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法
CN1630680A (zh) * 2002-01-10 2005-06-22 东丽株式会社 双轴取向热塑性树脂薄膜
JP2003345000A (ja) * 2002-05-29 2003-12-03 Teijin Dupont Films Japan Ltd フォトレジスト用積層フィルム
KR101307124B1 (ko) * 2005-08-03 2013-09-10 도아고세이가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 솔더 레지스트용 조성물 및 감광성 건식 필름
US8092980B2 (en) * 2007-01-31 2012-01-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive element
JP5223923B2 (ja) * 2008-07-31 2013-06-26 日立化成株式会社 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2010249884A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Dupont Mrc Dryfilm Ltd 光重合性樹脂組成物およびこれを用いた感光性フィルム
JP2011048270A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
CN106918991A (zh) * 2010-07-13 2017-07-04 日立化成工业株式会社 感光性元件、抗蚀图案的形成方法、印刷电路布线板的制造方法及印刷电路布线板
JP5768521B2 (ja) * 2010-07-13 2015-08-26 日立化成株式会社 感光性エレメント、それを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR101444044B1 (ko) * 2010-12-16 2014-09-23 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP2014074764A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性エレメント及びこれを用いたレジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法
JP6095337B2 (ja) * 2012-11-27 2017-03-15 日本写真印刷株式会社 シール付きドライフィルムレジストロール
JP6046746B2 (ja) * 2012-12-27 2016-12-21 旭化成株式会社 感光性樹脂積層体ロール
JP6318484B2 (ja) * 2013-07-09 2018-05-09 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
TWI541596B (zh) * 2013-12-26 2016-07-11 Asahi Kasei E Materials Corp A photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate
KR102375653B1 (ko) * 2014-02-12 2022-03-16 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 엘리먼트
CN111694218B (zh) * 2014-05-21 2023-09-08 旭化成株式会社 感光性树脂组合物以及电路图案的形成方法
MY189073A (en) * 2015-07-08 2022-01-24 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive element, laminated body, method for forming resist pattern, and method for producing printed circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
KR102458384B1 (ko) 2022-10-24
KR20210082545A (ko) 2021-07-05
WO2018105620A1 (ja) 2018-06-14
MY192472A (en) 2022-08-22
CN109690404B (zh) 2023-04-04
KR20190035864A (ko) 2019-04-03
JP2021113984A (ja) 2021-08-05
TWI666521B (zh) 2019-07-21
JP6985291B2 (ja) 2021-12-22
JPWO2018105620A1 (ja) 2019-06-24
CN109690404A (zh) 2019-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI667539B (zh) Photosensitive resin composition
TWI660241B (zh) Photosensitive resin composition and method for forming circuit pattern
TWI674478B (zh) 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體
JP7340643B2 (ja) 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体
TW202006466A (zh) 感光性樹脂組合物及光阻圖案之形成方法
TWI700183B (zh) 感光性樹脂積層體
JP7137370B2 (ja) 感光性樹脂積層体ロール
TWI620015B (zh) Photosensitive resin composition
TWI666521B (zh) Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate
TWI625594B (zh) Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for forming photoresist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
TWI812546B (zh) 感光性樹脂組合物及抗蝕圖案之形成方法
WO2010027061A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、レジストパターン形成方法並びに導体パターン、プリント配線板、リードフレーム、基材及び半導体パッケージの製造方法
CN108469717B (zh) 感光性树脂组合物及感光性树脂层叠体
JP6630088B2 (ja) 感光性樹脂組成物