TW201816810A - 積層陶瓷電容 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種即便於縮小外部電極之環繞部之厚度之情形時，亦可縮小環繞部自電容本體剝離之擔憂之積層陶瓷電容。 積層陶瓷電容10具有輔助介電層11d，該輔助介電層11d具有：第1被覆部11d1，其將電容元件11'之高度方向兩面各自之2個第1基底導體膜11c之間覆蓋；及第2被覆部11d2，其與第1被覆部11d1連續，且將第1基底導體膜11c各自之長度方向一部分覆蓋。各外部電極12及13具有：第2基底導體膜12a及13a，其等附著於電容元件11'之長度方向之面及2個第1基底導體膜11c之長度方向之端緣；及表面導體膜12b及13b，其等連續地附著於第2基底導體膜12a及13a之表面及2個第1基底導體膜11c之未被第2被覆部11d2覆蓋之表面部分。

Description

積層陶瓷電容
本發明係關於一種外部電極具有環繞至電容本體之至少高度方向一面之環繞部之積層陶瓷電容。
積層陶瓷電容之尺寸係由長度、寬度及高度規定，其中之高度係指沿著內部電極層之積層方向之尺寸。又，積層陶瓷電容通常具備大致長方體狀之電容本體，其具有複數個內部電極層介隔介電層積層而成之電容部；及1對外部電極，其等設置於電容本體之長度方向兩端部，且交替地連接有複數個內部電極層。 此處，於外部電極具有環繞至電容本體之至少高度方向一面之環繞部之情形時，作為不改變積層陶瓷電容之尺寸而使電容增加之方法，已知有減小環繞部之厚度之方法(例如參照專利文獻1)。即，該方法係使電容本體之高度增大相當於外部電極之環繞部之厚度減小之量，使內部電極層之數增加之方法。 然而，若減小外部電極之環繞部之厚度，則產生環繞部對於電容本體之密接力下降，環繞部自電容本體剝離之擔憂。例如，於對塗佈電極膏且進行乾燥者實施烘烤處理，形成環繞部之基底導體膜之情形時，對於基底導體膜用之電極膏添加通常用以提昇密接力之玻璃材或相同材料(與電容本體相同之介電體材料等)。然而，若減小基底導體膜之厚度，則該基底導體膜中所含之玻璃材或相同材料之絕對量減少，故而與厚度較大之情形時相比，密接力容易降低。又，存在已塗佈之電極膏之周緣部分之厚度極其小於其他部分之厚度之情形，故而於此種情形時，基底導體膜之周緣部分變得難以密接。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-256947號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明之課題在於提供一種即便減小外部電極之環繞部之厚度，亦可減小環繞部自電容本體剝離之擔憂之積層陶瓷電容。 [解決問題之技術手段] 為解決上述課題，本發明之積層陶瓷電容具備大致長方體狀之電容本體、及設置於上述電容本體之長度方向兩端部之1對外部電極，上述外部電極各自具有環繞至上述電容本體之至少高度方向一面之環繞部，且上述電容本體具有：(a1)大致長方體狀之電容元件；(a2)第1基底導體膜，其設置於上述電容元件之至少高度方向一面之長度方向兩端部；及(a3)輔助介電層，其具有將上述電容元件之至少高度方向一面中之上述第1基底導體膜之間覆蓋之第1被覆部、及與該第1被覆部連續且將上述第1基底導體膜各自之長度方向一部分覆蓋之第2被覆部；上述外部電極之一者具有：(b1)第2基底導體膜，其附著於上述電容元件之長度方向一面及於上述電容本體之長度方向一側存在之上述第1基底導體膜之長度方向一端緣；及(b2)表面導體膜，其連續地附著於上述第2基底導體膜之表面及上述第1基底導體膜中之未被上述第2被覆部覆蓋之表面部分；且藉由上述第1基底導體膜與上述表面導體膜之附著於上述第1基底導體膜之環繞部位構成上述環繞部，上述外部電極之另一者具有：(c1)第2基底導體膜，其附著於上述電容元件之長度方向另一面及於上述電容本體之長度方向另一側存在之上述第1基底導體膜之長度方向另一端緣；及(c2)表面導體膜，其連續地附著於上述第2基底導體膜之表面及上述第1基底導體膜中之未被上述第2被覆部覆蓋之表面部分；且藉由上述第1基底導體膜與上述表面導體膜之附著於上述第1基底導體膜之環繞部位構成上述環繞部。 [發明之效果] 根據本發明之積層陶瓷電容，即便減小外部電極之環繞部之厚度，亦可減小環繞部自電容本體剝離之擔憂。
首先，使用圖1～圖3，對適用本發明之積層陶瓷電容10之構造進行說明。於該說明中，將圖1之左右方向記為長度方向，將圖1之上下方向記為寬度方向，將圖2之上下方向記為高度方向，並且將分別沿著該等長度方向、寬度方向及高度方向之尺寸記為長度、寬度及高度。 圖1～圖3所示之積層陶瓷電容10之尺寸係由長度L、寬度W及高度H規定。作為參考，成為圖1～圖3之基礎之第1試製品之長度L、寬度W及高度H之實際尺寸分別為600 μm、300 μm及300 μm，第2試製品之長度L、寬度W及高度H之實際尺寸分別為1000 μm、500 μm及500 μm，均具有長度L＞寬度W＝高度H之關係。該積層陶瓷電容10具備：大致長方體狀之電容本體11；第1外部電極12，其設置於電容本體11之長度方向一端部；及第2外部電極13，其設置於電容本體11之長度方向另一端部。 電容本體11具有：(a1)大致長方體狀之電容元件11'，其具有將複數個內部電極層11a1介隔介電層11a2積層而成之電容部11a、及設置於電容部11a之高度方向兩側之介電體邊限部11b；(a2)第1基底導體膜11c(共計4個)，其等設置於電容元件11'之高度方向兩面各自之長度方向兩端部；及(a3)輔助介電層11d，其具有將電容元件11'之高度方向兩面各自之2個第1基底導體膜11c之間覆蓋之第1被覆部11d1、及與該第1被覆部11d1連續且將第1基底導體膜11c各自之長度方向一部分覆蓋之第2被覆部11d2。再者，於圖2及圖3中，為便於圖示，而描繪共計24個內部電極層11a1，但內部電極層11a1之數並無特別限制。 各內部電極層11a1具有大致相同之外形(大致矩形狀)與大致相同之厚度。各內部電極層11a1之長度(省略符號)小於電容元件11'之長度(省略符號)，且各內部電極層11a1之寬度(省略符號)小於電容元件11'之寬度(省略符號)。各內部電極層11a1之厚度係例如於0.5～3 μm之範圍內設定。 各介電層11a2具有大致相同之外形(大致矩形狀)與大致相同之厚度。各介電層11a2之長度(省略符號)與電容元件11'之長度大致相同，且各介電層11a2之寬度(省略符號)與電容元件11'之寬度大致相同。各介電層11a2之厚度係例如於0.5～3 μm之範圍內設定。 各介電體邊限部11b具有大致相同之外形(大致矩形狀)與大致相同之厚度。各介電體邊限部11b之長度(省略符號)與電容元件11'之長度大致相同，且各介電體邊限部11b之寬度(省略符號)與電容元件11'之寬度大致相同。各介電體邊限部11b之厚度係例如於5～30 μm之範圍內設定。 各內部電極層11a1之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、及該等之合金等金屬材料。各介電層11a2之主成分與各介電體邊限部11b之主成分、即電容元件11'之除內部電極層11a1以外之部分之主成分例如為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電體材料(介電體陶瓷材料)。 各第1基底導體膜11c具有大致相同之外形(大致矩形狀)與大致相同之厚度。各第1基底導體膜11c之長度La係例如於積層陶瓷電容10之長度L之1/6～3/7之範圍內設定，且各第1基底導體膜11c之寬度(省略符號)與電容元件11'之寬度大致相同。各第1基底導體膜11c之厚度ta係例如於2～6 μm之範圍內設定。 各第1基底導體膜11c之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、及該等之合金等金屬材料，較佳為與各內部電極層11a1之主成分相同。 各輔助介電層11d具有大致相同之外形(大致矩形狀)與大致相同之厚度。各輔助介電層11d之長度(相當於Lb＋2Lc)大於電容元件11'之高度方向兩面各自之2個第1基底導體膜11c之長度方向間隔(相當於Lb)，且各輔助介電層11d之寬度(省略符號)與電容元件11'之寬度大致相同。 各輔助介電層11d之第1被覆部11d1之長度Lb為{電容元件11'之長度－(2×第1基底導體膜11c之長度La)}。各輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度tb係例如於2～6 μm之範圍內設定，較佳為與第1基底導體膜11c之厚度ta相同。再者，「第1被覆部11d1之厚度tb」係指自各第1被覆部11d1將存在於其長度方向兩端部之「朝向各第2被覆部11d2於高度方向上延伸之部分」去除所得之部分之厚度。即，「第1被覆部11d1之厚度tb」不包含該「朝向各第2被覆部11d2於高度方向上延伸之部分」之厚度。又，各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc例如為第1基底導體膜11c之長度La之5/100以上，較佳為於第1基底導體膜11c之長度La之5/100～6/10之範圍內設定。各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之厚度tc係例如於1～5 μm之範圍內設定，較佳為與下述表面導體膜12b及13b之環繞部位12b1及13b1之厚度te相同。即，各輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度tb成為相對於第1基底導體膜11c之厚度ta與下述表面導體膜12b及13b之環繞部位12b1及13b1之厚度te之和、即下述環繞部12c及13c之厚度之同等以下。 各輔助介電層11d之主成分例如為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電體材料(介電體陶瓷材料)，較佳為與電容元件11'之除內部電極層11a1以外之部分之主成分相同。 第1外部電極12具有：(b1)第2基底導體膜12a，其附著於電容元件11'之長度方向一面(圖3之左面)、及於電容本體11之長度方向一側(圖3之左側)存在之2個第1基底導體膜11c之長度方向一端緣(圖3之左端緣)；及(b2)表面導體膜12b，其連續地附著於第2基底導體膜12a之表面、及上述2個第1基底導體膜11c各自之未被輔助介電層11d之第2被覆部11d2覆蓋之表面部分。即，第1外部電極12藉由各第1基底導體膜11c與表面導體膜12b之附著於各第1基底導體膜11c之環繞部位12b1構成分別環繞至電容本體11之高度方向兩面之2個環繞部12c。 第2外部電極13具有：(c1)第2基底導體膜13a，其附著於電容元件11'之長度方向另一面(圖3之右面)、及於電容本體11之長度方向另一側(圖3之右側)存在之2個第1基底導體膜11c之長度方向另一端緣(圖3之右端緣)；及(c2)表面導體膜13b，其連續地附著於第2基底導體膜13a之表面、及上述2個第1基底導體膜11c各自之未被輔助介電層11d之第2被覆部11d2覆蓋之表面部分。即，第2外部電極13係藉由各第1基底導體膜11c與表面導體膜13b之附著於各第1基底導體膜11c之環繞部位13b1構成分別環繞至電容本體11之高度方向兩面之2個環繞部13c。 即，各外部電極12及13具有環繞至電容本體11之高度方向兩面之2個環繞部12c及13c。根據圖3得知，上文所述之複數個內部電極層11a1之端緣係交替地連接於第1外部電極12之第2基底導體膜12a與第2外部電極13之第2基底導體膜13a。再者，於圖1～圖3中，作為各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a，描繪了各個高度方向兩端緣略微覆蓋各第1基底導體膜11c者，但該覆蓋部分亦可不存在，覆蓋部分之長度亦可略微大於圖示之長度。 各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a之厚度td係例如於5～15 μm之範圍內設定。各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之厚度te係例如於1～5 μm之範圍內設定。又，各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之環繞部位12b1及13b1之長度Ld係{第1基底導體膜11c之長度La－輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc}。 各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、及該等之合金等金屬材料。又，各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之主成分例如為銅、鎳、錫、鈀、金、鋅、及該等之合金等金屬材料。再者，於圖3中示出單層構成者作為各表面導體膜12b及13b，但各表面導體膜12b及13b亦可設為包含主成分不同之2層以上之膜之多層構成。附帶而言，於各內部電極層11a1之主成分、各第1基底導體膜11c之主成分及各第2基底導體膜12a及13a之主成分為鎳之情形時，單層構成之表面導體膜12b及13b中可較佳地利用將錫作為主成分之膜，又，2層構成之表面導體膜12b及13b中可較佳地利用將鎳作為主成分之膜與將錫作為主成分之膜之組合，且3層構成之表面導體膜12b及13b中可較佳地利用將銅作為主成分之膜、將鎳作為主成分之膜及將錫作為主成分之膜之組合。 繼而，使用圖4～圖7，且引用圖1～圖3所示之符號，對圖1～圖3所示之積層陶瓷電容10之製造方法例、具體而言電容元件11'之除內部電極層11a1以外之部分之主成分與各輔助介電層11d之主成分為鈦酸鋇、各內部電極層11a1之主成分、各第1基底導體膜11c之主成分及各第2基底導體膜12a及13a之主成分為鎳、各表面導體膜12b及13b之主成分為錫之情形時之製造方法例進行說明。此處說明之製造方法僅為一例，並不限制上述積層陶瓷電容10之製造方法。 於製造時，首先，準備含有鈦酸鋇粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之陶瓷漿料、含有鎳粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之第1電極膏、及含有鎳粉末、鈦酸鋇粉末(共同材料)、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之第2電極膏。 繼之，將陶瓷漿料塗佈於載體膜之表面上進行乾燥，藉此製作第1片材。又，將第1電極膏印刷於該第1片材之表面上進行乾燥，藉此製作形成有矩陣排列或鋸齒排列之未焙燒之內部電極層圖案群之第2片材。進而，將第2電極膏印刷於第1片材之表面上進行乾燥，藉此形成與各第1基底導體膜11c對應之條紋狀之未焙燒之第1基底導體膜圖案群後，以將相鄰之未焙燒之第1基底導體膜圖案之間覆蓋且將相鄰之未焙燒之第1基底導體膜圖案各自之一部分覆蓋之方式印刷陶瓷漿料後進行乾燥，藉此形成與各輔助介電層11d對應之條紋狀之未焙燒之輔助介電層圖案群，從而製作形成有未焙燒之第1基底導體膜圖案群與未焙燒之輔助介電層圖案群之第3片材。 繼之，重複進行將自第1片材中取出之單位片材積層至特定片數進行熱壓接之作業，藉此形成與高度方向一側之介電體邊限部11b對應之部位。繼之，重複進行將自第2片材中取出之單位片材(包含未焙燒之內部電極層圖案群)積層至特定片數進行熱壓接之作業，藉此形成與電容部11a對應之部位。繼之，重複進行將自第1片材中取出之單位片材積層至特定片數進行熱壓接之作業，藉此形成與高度方向另一側之介電體邊限部11b對應之部位。最後，藉由對整體實施熱壓接而製作未焙燒之第1積層片材(參照圖4)。再者，於圖4中，為便於圖示，作為未焙燒之第1積層片材，描繪了與1個上述積層陶瓷電容10對應者，但實際之未焙燒之第1積層片材具有與多片對應之尺寸。 繼之，將第3片材分別積層於未焙燒之第1積層片材之高度方向兩面進行熱壓接，並視需要對整體實施熱壓接，藉此製作未焙燒之第2積層片材(參照圖5)。再者，於圖5中，作為未焙燒之第2積層片材，描繪了與1個上述積層陶瓷電容10對應者，但實際之未焙燒之第2積層片材具有與多片對應之尺寸。 繼之，將具有與多片對應之尺寸之未焙燒之第2積層片材以格子狀切斷，藉此製作與電容本體11對應之未焙燒之電容本體(參照圖5)。繼之，藉由浸漬或輥塗等方法將第2電極膏塗佈於未焙燒之電容本體之長度方向兩面上進行乾燥，藉此製作與各第2基底導體膜12a及13a對應之未焙燒之第2基底導體膜(參照圖6)。 繼之，將具有未焙燒之第2基底導體膜之未焙燒之電容本體投入至焙燒爐中，於還原環境下以與鈦酸鋇及鎳對應之溫度分佈成批地將多個進行焙燒(包含脫黏合劑處理與焙燒處理)，製作具有第2基底導體膜12a及13a之電容本體11(參照圖6)。繼之，藉由電解鍍覆等濕式鍍覆法製作連續地附著於各第2基底導體膜12a及13a之表面及各第1基底導體膜11c之表面之表面導體膜12b及13b(主成分為錫)(參照圖7)。 再者，各第2基底導體膜12a及13a亦可藉由如下處理製作：對上文中所述之未焙燒之電容本體(參照圖5)實施上述相同之焙燒，製作電容本體11後，將第2電極膏塗佈於該電容本體11之長度方向兩面進行乾燥後，對其實施烘烤處理。 又，電容元件11'之除內部電極層11a1以外之部分之主成分亦可為鈦酸鋇以外之介電體材料、各輔助介電層11d之主成分亦可為鈦酸鋇以外之介電體材料、各內部電極層11a1之主成分亦可為鎳以外之金屬材料、各第1基底導體膜11c之主成分亦可為鎳以外之金屬材料、各第2基底導體膜12a及13a之主成分亦可為鎳以外之金屬材料、各表面導體膜12b及13b之主成分亦可為錫以外之金屬材料係如上所述。此外，亦可將各表面導體膜12b及13b設為包含主成分不同之2層以上之膜之多層構成亦如上所述。 繼而，使用圖8與圖9對適用本發明之其他積層陶瓷電容之構造進行說明。 圖8所示之積層陶瓷電容係將其高度H設為圖1～圖3所示之積層陶瓷電容10之高度H之1/2而成者。作為參考，成為圖8之基礎之第3試製品之長度L、寬度W及高度H之實際尺寸分別為600 μm、300 μm及150 μm，第4試製品之長度L、寬度W及高度H之實際尺寸分別為1000 μm、500 μm及250 μm，均具有長度L＞寬度W＞高度H之關係。此處所示之高度H之數值(150 μm與250 μm)僅為一例，只要小於上述積層陶瓷電容10之寬度W，則高度H之數值並無特別限制。再者，於圖8中，與圖1～圖3同樣地，作為各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a，描繪了各個高度方向兩端緣略微覆蓋各第1基底導體膜11c者，但亦可不存在該覆蓋部分，且覆蓋部分之長度亦可略微大於圖示之長度。 圖9所示之積層陶瓷電容係將圖1～圖3所示之存在於積層陶瓷電容10之電容本體11之高度方向另一面(圖3之上表面)之2個第1基底導體膜11c與輔助介電層11d排除，並且隨著該排除亦將高度方向另一面側之環繞部位12b1及13b1自各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b中排除而成者。即，圖9所示之積層陶瓷電容之各外部電極12及13具有僅環繞至電容本體11之高度方向一面(圖9之下表面)之1個環繞部(12c及13c，參照圖1～圖3)。此處所示之各外部電極12及13之形態亦可適用於使用圖8說明之高度H較小之積層陶瓷電容。再者，於圖9中，與圖1～圖3同樣地，作為各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a，描繪了各個高度方向兩端緣略微覆蓋各第1基底導體膜11c及電容本體11之高度方向另一面(圖9之上表面)者，但亦可不存在該覆蓋部分，且覆蓋部分之長度亦可略微大於圖示之長度。 又，雖省略圖示，但只要於圖1～圖3所示之積層陶瓷電容10之電容本體11之寬度方向兩側，以與各第1基底導體膜11c連續之方式設置第3基底導體膜，且以亦附著於該等各第3基底導體膜之表面之方式設置表面導體膜(12b及13b)，則亦可構成具有除了環繞至電容本體11之高度方向兩面以外亦環繞至寬度方向兩面之共計4個環繞部之各外部電極(12及13)。 繼而，對利用圖1～圖3所示之積層陶瓷電容10所得之效果進行說明。此處說明之效果亦可於圖8與圖9中分別所示之積層陶瓷電容中同樣地獲得。 [效果1]構成各外部電極12及13之環繞部12c及13c之第1基底導體膜11c之長度方向一部分係由輔助介電層11d之第2被覆部11d2覆蓋，故而即便減小第1基底導體膜11c之厚度，亦可藉由第2被覆部11d2而有效地進行第1基底導體膜11c之密接輔助，從而可減小第1基底導體膜11c自電容本體11剝離之擔憂、即各外部電極12及13之環繞部12及13c自電容本體11剝離之擔憂。 [效果2]輔助介電層11d具有與上述第2被覆部11d2連續之第1被覆部11d1，故而即便減小積層陶瓷電容10之高度H，亦可藉由第1被覆部11d1進行電容本體11之強度輔助。 [效果3]輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度tb成為相對於各外部電極12及13之環繞部12c及13c之厚度(相當於ta＋te)之同等以下，故而於將積層陶瓷電容10安裝於電路基板時或收容於零件內置基板時，第1被覆部11d1不成為障礙。 [效果4]只要將構成各外部電極12及13之環繞部12c及13c之第1基底導體膜11c之長度La對應於輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc或積層陶瓷電容10之尺寸等，於積層陶瓷電容10之長度L之1/6～3/7之範圍內設定，則於將積層陶瓷電容10安裝於電路基板時或收容於零件內置基板時，可對於各外部電極12及13之環繞部12c及13c確保充分之連接面積。 繼而，使用圖10且引用圖1～圖3所示之符號，對上述效果1(與剝離相關之效果)之驗證結果進行說明。 圖10所示之第1試製品係長度L為600 μm、寬度W為300 μm、高度H為300 μm之積層陶瓷電容，第2試製品係長度L為1000 μm、寬度W為500 μm、高度H為500 μm之積層陶瓷電容。第1試製品及第2試製品之構造係如使用圖1～圖3於上文中說明所述。 又，第1試製品及第2試製品之電容元件11'之除內部電極層11a1以外之部分之主成分與各輔助介電層11d之主成分為鈦酸鋇，各內部電極層11a1之主成分、各第1基底導體膜11c之主成分及各第2基底導體膜12a及13a之主成分為鎳，各表面導體膜12b及13b之主成分為錫，兩試製品依據使用圖4～圖7所說明之製造方法例而製造。 第1試製品之主要部分之規格係各第1基底導體膜11c之長度La為150 μm，各第1基底導體膜11c之厚度ta為4 μm，各輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度tb為4 μm，各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之厚度tc為3 μm，各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a之厚度td為10 μm，各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之厚度te為3 μm。於驗證時，作為第1試製品，將各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc不同者各準備100個(參照圖10)。 第2試製品之主要部分之規格係各第1基底導體膜11c之長度La為250 μm，各第1基底導體膜11c之厚度ta為4 μm，各輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度tb為4 μm，各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之厚度tc為3 μm，各外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a之厚度td為10 μm，各外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之厚度te為3 μm。於驗證時，作為第2試製品，將各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc不同者各準備100個(參照圖10)。 圖10之「剝離試驗」表示檢查各外部電極12及13之環繞部12c及13c之對於剝離之耐受性所得之結果。具體而言，分別對第2被覆部11d2之長度Lc不同者進行將具有每25 mm為10 N之附著力之黏著帶(Nichiban製造，CT-24)壓抵於第1試製品及第2試製品之各外部電極12及13之環繞部12c及13c後剝離之試驗，於第2被覆部11d2之每一長度Lc以n/100記錄即便1處亦產生剝離之個數n。 根據圖10之「剝離試驗」之數值得知，於第1試製品，若{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.050以上，則各外部電極12及13之環繞部12c及13c中不再產生剝離。又，於第2試製品，若{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.050以上，則各外部電極12及13之環繞部12c及13c中不再產生剝離。 根據上述情況，只要使{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.050以上，則第1試製品及第2試製品自不必說，即便於上文所述之其他積層陶瓷電容之構造中，亦可減小各外部電極12及13之環繞部12c及13c中產生剝離之擔憂。 圖10之「焊接試驗」表示檢查使用焊料將各外部電極12及13連接於試驗基板之2個導體焊墊時之狀態所得之結果。第1試製品用之試驗基板之導體焊墊為大致矩形狀，且其長度為250 μm，寬度為400 μm，導體焊墊間之間隔為300 μm。於試驗時，將熔點260℃之焊錫膏以30 μm之厚度印刷於該第1試製品用之試驗基板之2個導體焊墊之表面，且將第1試製品之各外部電極12及13載置於該等後，投入至回流焊爐中進行焊接。又，第2試製品用之試驗基板之導體焊墊為大致矩形狀，且其長度為350 μm，寬度為600 μm，導體焊墊間之間隔為650 μm。於試驗時，與上述同樣地將焊錫膏印刷於該第2試製品用之試驗基板之2個導體焊墊之表面，且將第2試製品之各外部電極12及13載置於該等後，投入至回流焊爐中進行焊接。繼之，利用實體顯微鏡將第1試製品100個連接狀態與第2試製品100個連接狀態放大5倍後進行確認，於第2被覆部11d2之每一長度Lc以m/100記錄各外部電極12及13自導體焊墊凸出而連接之個數m。 根據圖10之「焊接試驗」之數值得知，於第1試製品，若{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.600以下，則各外部電極12及13未自導體焊墊中凸出而可適當地連接。又，於第2試製品，若{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.600以下，則各外部電極12及13亦未自導體焊墊中凸出而可適當地連接。 根據上述情況，只要使{各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc/各第1基底導體膜11c之長度La}成為0.600以下，則第1試製品及第2試製品自不必說，即便於上文中所述之其他積層陶瓷電容之構造中，亦可良好地進行各外部電極12及13對導體焊墊之焊接、即積層陶瓷電容對於電路基板之安裝。 若對圖10之「剝離試驗」之結果與「焊接試驗」之結果進行綜合評價，則只要將各輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度Lc於第1基底導體膜11c之長度La之5/100～6/10之範圍內設定，便可減小各外部電極12及13之環繞部12c及13c中產生剝離之擔憂，並且可良好地進行各外部電極12及13對於導體焊墊之焊接、即積層陶瓷電容對於電路基板之安裝。
10‧‧‧積層陶瓷電容
11‧‧‧電容本體
11'‧‧‧電容元件
11a‧‧‧電容部
11a1‧‧‧內部電極層
11a2‧‧‧介電層
11b‧‧‧介電體邊限部
11c‧‧‧第1基底導體膜
11d‧‧‧輔助介電層
11d1‧‧‧輔助介電層之第1被覆部
11d2‧‧‧輔助介電層之第2被覆部
12‧‧‧第1外部電極
12a‧‧‧第2基底導體膜
12b‧‧‧表面導體膜
12b1‧‧‧表面導體膜之環繞部位
12c‧‧‧環繞部
13‧‧‧第2外部電極
13a‧‧‧第2基底導體膜
13b‧‧‧表面導體膜
13b1‧‧‧表面導體膜之環繞部位
13c‧‧‧環繞部
H‧‧‧高度
L‧‧‧長度
La‧‧‧第1基底導體膜11c之長度
Lb‧‧‧輔助介電層11d之第1被覆部11d1之長度
Lc‧‧‧輔助介電層11d之第2被覆部11d2之長度
Ld‧‧‧外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之環繞部位12b1及13b1之長度
ta‧‧‧第1基底導體膜11c之厚度ta
tb‧‧‧輔助介電層11d之第1被覆部11d1之厚度
tc‧‧‧輔助介電層11d之第2被覆部11d2之厚度
td‧‧‧外部電極12及13之第2基底導體膜12a及13a之厚度
te‧‧‧外部電極12及13之表面導體膜12b及13b之厚度
W‧‧‧寬度
圖1係自高度方向一面側觀察適用本發明之積層陶瓷電容所得之圖。 圖2係自寬度方向一面側觀察圖1所示之積層陶瓷電容所得之圖。 圖3係圖1所示之積層陶瓷電容之沿S1-S1線之剖視圖。 圖4係用以對圖1所示之積層陶瓷電容之製造方法例進行說明之圖3對應圖。 圖5(A)及圖5(B)係圖1所示之積層陶瓷電容之製造方法例之說明圖，圖5(A)係圖3對應圖，圖5(B)係圖1對應圖。 圖6係用以對圖1所示之積層陶瓷電容之製造方法例進行說明之圖3對應圖。 圖7係用以對圖1所示之積層陶瓷電容之製造方法例進行說明之圖3對應圖。 圖8係適用本發明之其他積層陶瓷電容之圖3對應圖。 圖9係適用本發明之其他積層陶瓷電容之圖3對應圖。 圖10係表示效果之驗證結果之圖。

Claims (6)

  1. 一種積層陶瓷電容，其具備大致長方體狀之電容本體、及設置於上述電容本體之長度方向兩端部之1對外部電極，上述外部電極各自具有環繞至上述電容本體之至少高度方向一面之環繞部， 上述電容本體具有：(a1)大致長方體狀之電容元件；(a2)第1基底導體膜，其設置於上述電容元件之至少高度方向一面之長度方向兩端部；及(a3)輔助介電層，其具有將上述電容元件之至少高度方向一面中之上述第1基底導體膜之間覆蓋之第1被覆部、及與該第1被覆部連續且將上述第1基底導體膜各自之長度方向一部分覆蓋之第2被覆部； 上述外部電極之一者具有：(b1)第2基底導體膜，其附著於上述電容元件之長度方向一面、及於上述電容本體之長度方向一側存在之上述第1基底導體膜之長度方向一端緣；及(b2)表面導體膜，其連續地附著於上述第2基底導體膜之表面、及上述第1基底導體膜中之未被上述第2被覆部覆蓋之表面部分；且藉由上述第1基底導體膜與上述表面導體膜之附著於上述第1基底導體膜之環繞部位構成上述環繞部， 上述外部電極之另一者具有：(c1)第2基底導體膜，其附著於上述電容元件之長度方向另一面、及於上述電容本體之長度方向另一側存在之上述第1基底導體膜之長度方向另一端緣；及(c2)表面導體膜，其連續地附著於上述第2基底導體膜之表面、及上述第1基底導體膜中之未被上述第2被覆部覆蓋之表面部分；且藉由上述第1基底導體膜與上述表面導體膜之附著於上述第1基底導體膜之環繞部位構成上述環繞部。
  2. 如請求項1之積層陶瓷電容，其中 上述輔助介電層之上述第1被覆部之厚度係相對於上述外部電極各自之上述環繞部之厚度為同等以下。
  3. 如請求項1或2之積層陶瓷電容，其中 上述第1基底導體膜之長度係於上述積層陶瓷電容之長度之1/6～3/7之範圍內設定。
  4. 如請求項1或2之積層陶瓷電容，其中 上述輔助介電層之上述第2被覆部之長度係上述第1基底導體膜之長度之5/100以上。
  5. 如請求項1或2之積層陶瓷電容，其中 上述輔助介電層之上述第2被覆部之長度係於上述第1基底導體膜之長度之5/100～6/10之範圍內設定。
  6. 如請求項1或2之積層陶瓷電容，其中 上述外部電極各自具有環繞至上述電容本體之高度方向兩面之2個環繞部。
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