JP4211510B2 - 積層型ptcサーミスタの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 92
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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- H—ELECTRICITY
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- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、正の抵抗温度特性を有し、過電流保護、温度制御、モーター起動、及び消磁等に用いられる積層型PTCサーミスタの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子部品の面実装対応の要求が強くなり、積層型PTCサーミスタも例をもれず小型化及び低抵抗化が求められている。このような要求を満たすものとして、積層型PTCサーミスタが開発されてきている。この積層型PTCサーミスタは、内部電極と半導体セラミック層とを交互に積層したセラミック素体の両端面に、内部電極と接続されるように外部電極が形成されている。このような構造にすることにより、半導体セラミック層と内部電極との厚みを薄層化することで、従来より小型化が可能となり、面実装が容易になる。また、内部電極間の距離を調整することで、セラミック素体の抵抗値が決定される。このため、セラミック素体の寸法の相違等で生じていた抵抗値のばらつきを防ぐことができ、低抵抗化を図ることができる。
【0003】
このような積層型PTCサーミスタは、従来、内部電極となる内部電極用導電性ペーストと、半導体セラミック層となるセラミックグリーンシートとを、内部電極用導電性ペーストがセラミックグリーンシートの一端に導出されるように交互に積層して一体焼成し、その後、この焼結体の両端面に内部電極と接続されるように外部電極となる外部電極用導電性ペーストを塗布して焼き付けるという方法で形成していた。
【0004】
しかしながら、内部電極にニッケル等の卑金属を用いた場合、内部電極と半導体セラミック層とを積層して一体焼成されるため、融点の低い内部電極が酸化されやすくセラミック素体としての比抵抗が高くなるという問題が生じていた。そこで、内部電極にニッケル等の卑金属を用いる場合には、内部電極が酸化されないように内部電極と半導体セラミック層とを還元雰囲気で同時焼成し、その後にPTC特性を出現させるために大気中あるいは酸化雰囲気中で焼成温度よりも低い温度で熱処理を行ってから、外部電極を形成していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような方法で形成された積層型PTCサーミスタを、室温にて1000時間の通電試験を行ったところ、時間が経つにつれて室温抵抗が著しく増加することが判明した。このような経時的な抵抗増加は、例えば低抵抗が求められる過電流保護回路において消費電力の増大、発熱量の増大、及び過電流保護機能の低下といった問題につながる。
【0006】
上記のような問題に鑑み、本発明の目的は、内部電極と半導体セラミック層とを還元雰囲気下で一体焼成し、焼成温度よりも低い温度で再酸化してセラミック素体を形成される積層型PTCサーミスタにおいて、積層型PTCサーミスタの信頼性の向上、具体的には通電試験における室温抵抗の経時変化を安定させることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本願第1の発明の積層型PTCサーミスタの製造方法は、内部電極と正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック層とを交互に積層してなるセラミック素体に外部電極が形成されてなる積層型PTCサーミスタの製造方法であって、前記内部電極となる内部電極用導電性ペーストと前記半導体セラミック層となるセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する第1工程と、前記積層体を還元雰囲気で焼成してセラミック素体を形成し、前記セラミック素体を再酸化するための再酸化熱処理を施し、前記セラミック素体の両端面に前記外部電極を形成する第2工程と、前記外部電極が形成された前記セラミック素体に60℃以上200℃以下の熱処理を行う第3工程と、を備えることを特徴とする。また、本願第2の発明の積層型PTCサーミスタの製造方法は、前記第2工程において、前記セラミック素体の両端面に前記外部電極を形成する際に、前記再酸化熱処理を兼ねることを特徴とする。また、本願第3の発明の積層型PTCサーミスタの製造方法は、前記第2工程において、前記積層体の両端面に外部電極となる外部電極用導電性ペーストを塗布し、前記積層体と前記外部電極用導電性ペーストとを還元性雰囲気中で同時焼成した後、前記再酸化熱処理を行うことを特徴とする。
【0008】
このような製造方法を用いることによって、得られた積層型PTCサーミスタの通電試験における室温抵抗値の経時変化率を安定化させることができる。このメカニズムは今後の研究によらなければならないが、外部電極が形成されたセラミック素体に、外部電極を焼き付けた温度よりも低い温度の温度履歴をあらかじめ加えることによって、PTC特性を出現させている粒界が高温焼成及び雰囲気焼成により生じていた歪みを開放し、粒界の経時変化を安定化させることができたためと考えられる。
【0009】
ここでいう半導体セラミック層は、正の抵抗温度特性を有するセラミックからなればよく、特にチタン酸バリウム系半導体セラミックを含んでいる場合に効果的である。また、内部電極用導電性ペーストとしては卑金属粉末、その中でもニッケルを含有している場合に効果的であるが、これに限るものではない。
【0010】
また、本願第4の発明である積層型PTCサーミスタの製造方法は、上記第3工程において、前記外部電極が形成された前記セラミック素体に80℃以上150℃以下の熱処理を行うことが好ましい。
【0011】
このような製造方法を用いることによって、得られる積層型PTCサーミスタに1000時間以上の通電試験を行っても、室温抵抗値の経時変化率を5%以内に安定化させることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の積層型PTCサーミスタの製造方法を図1に示す積層型PTCサーミスタの概略断面図に基づき説明する。
1.第1工程
まず、内部電極3となる内部電極用導電性ペーストと半導体セラミック層2となるセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する。ここで用いるセラミックグリーンシートは、セラミック粉末と、純水と、有機バインダとを混合分散してスラリー状にする。このようにして得られたセラミックスラリーをシート状に成形する。シート状に形成する方法としては、ドクターブレードが好ましいが、ロールコータ、引き上げ法等のシート成形法を適宜用いることができる。また、ここで用いる内部電極用導電性ペーストは、ニッケル、銅等の卑金属粉末と有機バインダとを、ワニス等の有機溶剤に混合分散して、混練して得られることが好ましい。
【0013】
次に内部電極用導電性ペーストは、セラミックグリーンシートの表面に所望のパターンとなるように印刷される。この印刷にはスクリーン印刷が好ましいが、グラビア印刷等の他の印刷法を適宜用いることができる。そして、内部電極用導電性ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを複数用意し、印刷されている内部電極用導電性ペーストが互いに対向するように積み重ねられる。その後、内部電極用導電性ペーストが積層体の端面に導出されるように所望の形状に切断され、積層体を形成する。
【0014】
2.第2工程
次に積層体を焼成してセラミック素体4を形成し、セラミック素体4の両端面に外部電極5を形成する。この工程では第1工程で得られた積層体を焼成する工程と、焼成して得られたセラミック素体4の両端面に外部電極5を形成する工程とを含む。まず、積層体を焼成する工程においては、還元性雰囲気で焼成してセラミック素体4を得る。これは内部電極3にニッケル等の卑金属粉末を用いると、大気中、もしくは酸化性雰囲気で焼成した場合、内部電極3が酸化されてセラミック素体4の室温抵抗値が高くなることを防ぐためである。
【0015】
また、セラミック素体4の両端面に外部電極5を形成する工程においては、得られたセラミック素体4の両端面に引き出された内部電極3と導通されるように外部電極用導電性ペーストを塗布し焼き付けて外部電極5が形成される。外部電極用導電性ペーストは、銀、または銀パラジウム等の導電性粉末と有機バインダとを、有機溶剤に混合分散させたものである。なお、外部電極5の形成方法は、外部電極用導電性ペーストを塗布して焼き付ける方法以外に、セラミック素体4を外部電極用導電性ペーストが入っている浴槽に直接つけて、セラミック素体4の両端面に外部電極用導電性ペーストを付与した後、熱を加えて乾燥させる方法、及びセラミック素体4の両端面に外部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷により付与し、熱を加えて乾燥さて形成する方法等を用いることができる。このような方法で外部電極5を形成する際に熱処理を行うことになるが、この熱処理とセラミック素体4の再酸化とを兼ねることが好ましい。
【0016】
なお、ここでは半導体セラミック層2と内部電極用導電性ペーストとの積層体を焼成してセラミック素体4を得る工程と、セラミック素体4の両端面に外部電極5を形成する工程とを別工程にしているが、積層体を焼成する前に、積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、積層体と外部電極用導電性ペーストとを還元性雰囲気中で同時焼成することも可能である。この場合、積層体と外部電極用導電性ペーストとを同時焼成した後、別途再酸化工程を設ける必要がある。
【0017】
また、外部電極5は複数層形成されてもよい。すなわち、セラミック素体4の両端面の導出されている内部電極3と直接接続される部分には、内部電極3に含まれるニッケルと同じ成分のニッケルを含む第1外部電極5aを形成し、その第1外部電極5aの表面に銀を主成分とする第2外部電極5bを形成しても良い。このような構成にした場合、セラミック素体4と外部電極5との導通性が向上し、接合強度を高めることができる。
【0018】
また、別の外部電極5の形成方法として、セラミック素体4を再酸化した後に、セラミック素体4の両端面にCr、Cu、Ni、Ag、Au、及びPt等の金属、あるいはそれらの合金を、スパッタリングすることによって外部電極5を形成することもできる。この場合も別途再酸化工程を設ける必要がある。
【0019】
また、外部電極5を形成する前に、セラミック素体4の表面、具体的には外部電極5を形成する領域以外のセラミック素体4の表面に、無機絶縁層としてガラスコート層6等を形成してもよい。このようなガラスコート層6を設けることによって、後に形成するめっき膜がセラミック素体4の表面に形成されることを防ぐことができる。
【0020】
3.第3工程
次に外部電極5が形成されたセラミック素体4を60℃以上200℃以下で熱処理する。特に好ましくは80℃以上150℃以下で熱処理することが好ましい。熱処理が60℃以下の場合、熱処理温度が低いため、本願発明の効果が十分に得られない。また、熱処理温度が200℃よりも高い場合、内部電極3が酸化されてしまい、かえって室温抵抗値が高くなり、経時変化率が高くなる。
【0021】
この第3工程の後に、得られたセラミック素体4をめっき浴に浸漬してめっき層を形成してもよい。めっき層としてNiめっき7とSnめっき8とを順次形成することが好ましいが、外部電極5に用いた金属粉末との相性によって適宜変えることができ、上記のめっき層以外にもはんだめっき等を用いることができる。
【0022】
以下、積層型PTCサーミスタの製造方法の一実施例をより具体的に説明する。
(実施例)
まず、セラミックグリーンシートのセラミック粉末の出発原料として、BaCO3、TiO2、Sm2O3を用意し以下の式を満たすように調合した。
(Ba0.9998Sm0.0002)TiO3
次に、調合したセラミック粉末に純水を加えてジルコニアボールとともに16時間混合粉砕し、乾燥した後、1000℃〜1200℃で2時間仮焼した。この仮焼粉末に、有機バインダ、分散剤、及び水を加えて、ジルコニアボールとともに数時間混合した後、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形し、乾燥させてセラミックグリーンシートを得た。
【0023】
次にセラミックグリーンシート主面上にスクリーン印刷により所望のパターンとなるようにNi電極ペーストを塗布した。その後、Ni電極ペーストがセラミックグリーンシートを介して対向するようにセラミックグリーンシートを積み重ね、さらにNi電極ペーストを塗布していない保護用セラミックグリーンシートを上下に配置して圧着し、完成品においてL2.0mm×W1.2mm×T0.9mmの寸法になるように切断して生チップを得た。こうして得られた生チップに乾式バレル研磨を行うことによって、角隅部及び稜線部分の角部が丸くなった生チップを得た。なお、生チップの両端面にNi電極ペーストが交互に導出されるようにした。この導出されたNi電極ペーストと接続されるように、生チップの両端面にNi電極ペーストを塗布して乾燥させた後、H2/N2=3%の還元雰囲気下にて1200℃〜1350℃2時間で生チップとNi電極ペーストとを同時焼成し、図1に示すような半導体セラミック層2と内部電極3とが交互に積層され、端面にNi外部電極5aを形成されたセラミック素体4を得た。次に、ガラスペーストをセラミック素体4の表面に塗布し、500℃〜600℃の温度で焼きつけてセラミック素体4の表面にガラスコート層6を形成した。なお、このガラスペーストの焼き付けはセラミック素体4の再酸化熱処理を兼ねている。次に、ガラスコート層6が形成されたセラミック素体4の両端面にAg粉末を有機ビヒクル中に分散させて得たAg導電性ペーストを塗布して乾燥させ、800℃で焼きつけてAg外部電極5bを形成した。次に、Ag外部電極5bが形成されたセラミック素体4に表1に示す温度にて100時間の熱処理を行った後、Ag外部電極5bの表面にNiめっき層7、続いてSnめっき層8を形成し試料1〜12の積層型PTCサーミスタ1を得た。なお、Ag外部電極5bが形成されたセラミック素体4に熱処理を行わず、Ag外部電極5bの表面にNiめっき層7、続いてSnめっき層8を形成した積層型PTCサーミスタ1を参考例とした。
【0024】
以上の試料1〜12、及び参考例を用いて以下の点について特性の評価を行い、その結果を表1に示した。
(室温抵抗の経時変化率)
まず、試料1〜12、及び参考例の積層型PTCサーミスタ1をそれぞれ5個づつ用意した。これらの積層型PTCサーミスタ1の初期抵抗値をあらかじめ測定した後に、各積層型PTCサーミスタ1に6Vの電流をかけ、98時間、263時間、507時間、1002時間の通電試験を行い、室温抵抗値を測定した。各試料について初期抵抗値から室温抵抗値までに上昇した抵抗値の割合を計算し、室温抵抗値の経時変化率とした。
【0025】
【表1】
【0026】
表1の試料3〜10においては、98時間後の室温抵抗の経時変化率は5%以下と小さく、98時間後から1002時間後までの通電試験を行っても室温抵抗の経時変化率が低いことがわかった。特に、熱処理温度が80℃〜150℃である試料4〜7においては98時間後の室温抵抗の経時変化率が3%以下、1002時間後の室温抵抗値の経時変化率でも5%以下と非常に小さく、経時変化を大きく低減できている。一方、本願発明の範囲外である試料1、2、11、及び12は、98時間後の室温抵抗値の経時変化率でも5%以上と高く、1002時間後の室温抵抗値の経時変化率はいずれも10%以上と大きいことがわかった。特に試料12は熱処理温度が高いため、積層型PTCサーミスタ1の内部電極3が酸化してしまい、さらに大きな経時変化を示したと考えられる。また、参考例も98時間後の経時変化率が20%以上と高いことがわかった。
【0027】
【発明の効果】
本発明の積層型PTCサーミスタの製造方法は、内部電極となる内部電極用導電性ペーストと半導体セラミック層となるセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する第1工程と、前記積層体を焼成してセラミック素体を形成し、該セラミック素体の両端面に外部電極を形成する第2工程と、前記外部電極が形成された前記セラミック素体に60℃以上200℃以下の熱処理を行う第3工程と、を備えることによって、得られる積層型PTCサーミスタの室温抵抗値の経時変化率を安定化させることができる。
また、本願第4の積層型PTCサーミスタの製造方法を用いることによって室温抵抗値の経時変化率をさらに安定化させることができ、経時変化率を5%以下にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の積層型PTCサーミスタの一実施例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 積層型PTCサーミスタ
2 半導体セラミック層
3 内部電極
4 セラミック素体
5 外部電極
5a Ni外部電極
5b Ag外部電極
6 ガラスコート層
7 Niめっき層
8 Snめっき層
Claims (4)
- 内部電極と正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック層とを交互に積層してなるセラミック素体に外部電極が形成されてなる積層型PTCサーミスタの製造方法であって、
前記内部電極となる内部電極用導電性ペーストと前記半導体セラミック層となるセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する第1工程と、
前記積層体を還元雰囲気で焼成してセラミック素体を形成し、前記セラミック素体を再酸化するための再酸化熱処理を施し、前記セラミック素体の両端面に前記外部電極を形成する第2工程と、
前記外部電極が形成された前記セラミック素体に60℃以上200℃以下の熱処理を行う第3工程と、
を備えることを特徴とする積層型PTCサーミスタの製造方法。 - 前記第2工程において、前記セラミック素体の両端面に前記外部電極を形成する際に、前記再酸化熱処理を兼ねることを特徴とする請求項1に記載の積層型PTCサーミスタの製造方法。
- 前記第2工程において、前記積層体の両端面に外部電極となる外部電極用導電性ペーストを塗布し、前記積層体と前記外部電極用導電性ペーストとを還元性雰囲気中で同時焼成した後、前記再酸化熱処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の積層型PTCサーミスタの製造方法。
- 前記第3工程において、前記外部電極が形成された前記セラミック素体に80℃以上150℃以下の熱処理を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の積層型PTCサーミスタの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194486A JP4211510B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-07-09 | 積層型ptcサーミスタの製造方法 |
TW092121855A TW200411680A (en) | 2002-08-13 | 2003-08-08 | Manufacturing method of laminated PTC (positive temperature coefficient) thermistor |
CNB031530931A CN1260742C (zh) | 2002-08-13 | 2003-08-11 | 叠层型ptc热敏电阻器的制造方法 |
KR10-2003-0055337A KR100524090B1 (ko) | 2002-08-13 | 2003-08-11 | 적층형 ptc 서미스터의 제조방법 |
US10/639,483 US6984543B2 (en) | 2002-08-13 | 2003-08-13 | Method of producing laminated PTC thermistor |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002236075 | 2002-08-13 | ||
JP2003194486A JP4211510B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-07-09 | 積層型ptcサーミスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004134744A JP2004134744A (ja) | 2004-04-30 |
JP4211510B2 true JP4211510B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=31719886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003194486A Expired - Lifetime JP4211510B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-07-09 | 積層型ptcサーミスタの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6984543B2 (ja) |
JP (1) | JP4211510B2 (ja) |
KR (1) | KR100524090B1 (ja) |
CN (1) | CN1260742C (ja) |
TW (1) | TW200411680A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4310585B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2009-08-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
DE102004037588A1 (de) * | 2004-08-03 | 2006-02-23 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements |
GB2422958B (en) * | 2005-02-04 | 2008-07-09 | Siemens Magnet Technology Ltd | Quench protection circuit for a superconducting magnet |
WO2007034831A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
EP1939898B1 (en) | 2005-09-20 | 2018-04-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer positive temperature coefficient thermistor |
DE102006017796A1 (de) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Epcos Ag | Elektrisches Kaltleiter-Bauelement |
TW200903527A (en) | 2007-03-19 | 2009-01-16 | Murata Manufacturing Co | Laminated positive temperature coefficient thermistor |
DE102007044453A1 (de) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
DE102007046607A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Vielschichtbauelements |
JP5844507B2 (ja) | 2008-03-19 | 2016-01-20 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物の製造方法及び半導体磁器組成物を用いたヒータ |
JP5590494B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2014-09-17 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物−電極接合体の製造方法 |
JP2009277715A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP6134507B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2017-05-24 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
DE112016000618T5 (de) * | 2015-02-06 | 2017-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterelement und Verfahren zur Fertigung desselben |
JP6841611B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-03-10 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6778535B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
CN112857605B (zh) * | 2021-01-05 | 2021-12-31 | 电子科技大学 | 温度传感器及其应用和制备温度感知模块的方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5331553B2 (ja) | 1973-07-26 | 1978-09-02 | ||
JPH04206603A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Komatsu Ltd | 正特性サーミスタの製造方法 |
JP3141642B2 (ja) * | 1993-09-06 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 正特性サーミスタの製造方法 |
JPH11233305A (ja) | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ptcサーミスタ薄膜素子 |
JPH11297508A (ja) | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
JP4419214B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2010-02-24 | パナソニック株式会社 | チップ形ptcサーミスタ |
JP3736602B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2006-01-18 | 株式会社村田製作所 | チップ型サーミスタ |
JP4200765B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-12-24 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
-
2003
- 2003-07-09 JP JP2003194486A patent/JP4211510B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-08 TW TW092121855A patent/TW200411680A/zh unknown
- 2003-08-11 CN CNB031530931A patent/CN1260742C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-11 KR KR10-2003-0055337A patent/KR100524090B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-13 US US10/639,483 patent/US6984543B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040033629A1 (en) | 2004-02-19 |
US6984543B2 (en) | 2006-01-10 |
JP2004134744A (ja) | 2004-04-30 |
KR100524090B1 (ko) | 2005-10-27 |
CN1260742C (zh) | 2006-06-21 |
KR20040015681A (ko) | 2004-02-19 |
CN1482628A (zh) | 2004-03-17 |
TW200411680A (en) | 2004-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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