TWI743269B - 積層陶瓷電子零件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即便於使積層陶瓷電子零件薄型化之情形時，亦可儘量防止向零件本體內之濕氣滲入之積層陶瓷電子零件。 本發明係於積層陶瓷電容器10之電容器本體11之第3方向之一面設置有第1絕緣體層13-1，上述第1絕緣體層13-1具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分A1及A2；且於電容器本體11之第3方向之另一面設置有第2絕緣體層13-1，上述第2絕緣體層13-1具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分A3及A4。
Description
本發明係關於一種積層陶瓷電容器或積層陶瓷電感器等積層陶瓷電子零件。
積層陶瓷電容器或積層陶瓷電感器等積層陶瓷電子零件，例如積層陶瓷電容器一般具備：大致長方體狀之電容器本體，其具有將複數個內部電極層經由介電層積層而成之電容部；及1對外部電極，其等設置於電容器本體。於外部電極之一者連接有複數個內部電極層之一部分，於外部電極之另一者連接有複數個內部電極層之其餘部分。 於上述積層陶瓷電容器之安裝形態中，除了配置於電路基板之表面並與佈線連接之安裝形態以外，亦有配置於電路基板之內部並與佈線連接之安裝形態，尤其是於後者之安裝形態中，需要薄型積層陶瓷電容器(參照下述專利文獻1)。然而，即便為此種薄型積層陶瓷電容器，所要求之靜電電容一般亦較大。 作為於薄型積層陶瓷電容器中儘量獲得較大之電容之方法，有儘量使構成電容器本體之電容部之內部電極層之厚度及介電層的厚度變小之方法。然而，該方法存在技術極限，因此將儘量使位於電容部之兩側之介電體邊緣部之厚度變小之方法併用的情況居多。 然而，若使上述各介電體邊緣部之厚度變小，例如成為10 μm以下，則濕氣容易通過各介電體邊緣部而滲入至電容器本體內，因此，因該濕氣於內部電極層產生腐蝕而導致產生功能障礙之顧慮變高。即，於使積層陶瓷電容器薄型化之情形時，必須於構造上設法能夠儘量防止向電容器本體內之濕氣滲入。 再者，之前敍述之因濕氣所導致之功能障礙不限於積層陶瓷電容器，亦可同樣地產生於在具有內部導體層之大致長方體狀之零件本體設置有外部電極之積層陶瓷電感器等其他積層陶瓷電子零件、尤其是薄型積層陶瓷電子零件中。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2016-149487號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明所欲解決之課題在於提供一種即便於使積層陶瓷電子零件薄型化之情形時，亦可儘量防止向零件本體內之濕氣滲入之積層陶瓷電子零件。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，本發明之積層陶瓷電子零件係一種積層陶瓷電子零件，其係於具有內部導體層之大致長方體狀之零件本體設置有外部電極而成，且於將上述零件本體之6個面中之相對之2個面之對向方向設為第1方向，將相對之另外2個面之對向方向設為第2方向，將相對之其餘2個面之對向方向設為第3方向時，上述外部電極具有位於上述零件本體之第3方向之一面之第1部分，且於上述零件本體之第3方向之一面設置有具有由上述外部電極之第1部分所覆蓋之部分的絕緣體層。 [發明之效果] 根據本發明之積層陶瓷電子零件，即便於使積層陶瓷電子零件薄型化之情形時，亦可儘量防止向零件本體內之濕氣滲入。
《第1實施形態》 該第1實施形態係將本發明應用於積層陶瓷電容器者。首先，利用圖1～圖5，對本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器10之構造進行說明。再者，於以下之說明中，為了方便，將下述大致長方體狀之電容器本體11之6個面中之相對之2個面的對向方向(相當於圖1之左右方向)記為第1方向，將相對之另外2個面之對向方向(相當於圖1之上下方向)記為第2方向，將相對之其餘2個面之對向方向(相當於圖2之上下方向)記為第3方向，並且將沿著各方向之尺寸記為第1方向尺寸、第2方向尺寸及第3方向尺寸。僅供參考，成為圖1～圖5之基礎之試製品(積層陶瓷電容器)之第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H分為為1000 μm、500 μm及150 μm。 該積層陶瓷電容器10除了具備大致長方體狀之電容器本體11、及設置於電容器本體11之第1方向之兩端部(圖1～圖4之左端部及右端部)各者之外部電極12以外，亦具備設置於電容器本體11之第3方向之一面(圖2、圖3及圖5之下表面)之第1絕緣體層13-1、及設置於電容器本體11之第3方向之另一面(圖2、圖3及圖5之上表面)之第2絕緣體層13-2。 電容器本體11具有將複數個內部電極層11a1經由介電層11a2積層而成之電容部11a、及設置於電容部11a之第3方向之兩側之介電體邊緣部11b(參照圖3及圖5)。複數個內部電極層11a1之一部分(自圖3之上起第奇數個)連接於外部電極12之一者(圖3之左側之外部電極12)，複數個內部電極層11a1之其餘部分(自圖3之上起第偶數個)連接於外部電極12之另一者(圖3之右側之外部電極12)。再者，於圖2、圖3及圖5中，為了方便圖示，而繪製共6個內部電極層11a1，但內部電極層11a1之數量無特別之限制。 各內部電極層11a1具有大致矩形狀之外形。各內部電極層11a1之第1方向尺寸L1a小於電容器本體11之第1方向尺寸L1(參照圖3及圖5)。各內部電極層11a1之相當於{第1方向尺寸L1－第1方向尺寸L1a}之第1方向尺寸L1b之部分係相鄰之內部電極層11a1不對向的引出部分。即，各內部電極層11a1係經由該引出部分而連接於各外部電極12。各內部電極層11a1之第2方向尺寸(省略符號)小於電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)(參照圖4)。各內部電極層11a1之第3方向尺寸(省略符號)係設定於例如0.3～3 μm之範圍內。 各介電層11a2具有大致矩形狀之外形。各介電層11a2之第1方向尺寸(省略符號)與電容器本體11之第1方向尺寸L1大致相同(參照圖3及圖5)。各介電層11a2之第2方向尺寸(省略符號)與電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)大致相同(參照圖4)。各介電層11a2之第3方向尺寸(省略符號)係設定於例如0.3～3 μm之範圍內。 各介電體邊緣部11b具有大致矩形狀之外形。各介電體邊緣部11b之第1方向尺寸(省略符號)與電容器本體11之第1方向尺寸L1大致相同(參照圖3及圖5)。各介電體邊緣部11b之第2方向尺寸(省略符號)與電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)大致相同。各介電體邊緣部11b之第3方向尺寸(省略符號)係設定於例如5～10 μm之範圍內。 各內部電極層11a1之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、該等之合金等金屬材料。各介電層11a2之主成分及各介電體邊緣部11b之主成分、即除電容器本體11之除內部電極層11a1以外之部分之主成分例如為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電材料(介電陶瓷材料)。再者，各介電層11a2之主成分與各介電體邊緣部11b之主成分可相同，亦可不同。 各外部電極12連續具有位於電容器本體11之第1方向之一面(圖3及圖4之左表面)或第1方向之另一面(圖3及圖4之右表面)的基礎部分12a、位於電容器本體11之第3方向之一面(圖3之下表面)之第1部分12b、位於電容器本體11之第3方向之另一面(圖3之上表面)之第2部分12c、位於電容器本體11之第2方向之一面(圖4之下表面)之第3部分12d、及位於電容器本體11之第2方向之另一面(圖4之上表面)之第4部分12e(參照圖3～圖5)。各外部電極12之第1部分12b～第4部分12e之第1方向尺寸L2係設定於例如積層陶瓷電容器10之第1方向尺寸L之1/5～2/5的範圍內。各外部電極12之基礎部分12a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分12b與第2部分12c之第3方向尺寸t1、及第3部分12d與第4部分12e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如3～30 μm之範圍內。 自圖3～圖5可知，各外部電極12包含基底導體膜14、及覆蓋基底導體膜14之表面導體膜15。 各基底導體膜14連續具有密接於電容器本體11之第1方向之一面(圖3及圖4之左表面)或第1方向之另一面(圖3及圖4之右表面)的基礎部分14a、密接於電容器本體11之第3方向之一面(圖3之下表面)之第1部分14b、密接於電容器本體11之第3方向之另一面(圖3之上表面)之第2部分14c、密接於電容器本體11之第2方向之一面(圖4之下表面)之第3部分14d、及密接於電容器本體11之第2方向之另一面(圖4之上表面)之第4部分14e(參照圖3～圖5)。各基底導體膜14之基礎部分14a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分14b與第2部分14c之第3方向尺寸t1a、及第3部分14d與第4部分14e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如2～15 μm之範圍內。 各表面導體膜15連續具有密接於各基底導體膜14之基礎部分14a之表面之基礎部分15a、密接於各基底導體膜14之第1部分14b之表面之第1部分15b、密接於各基底導體膜14之第2部分14c之表面之第2部分15c、密接於各基底導體膜14之第3部分14d之表面之第3部分15d、及密接於各基底導體膜14之第4部分14e之表面之第4部分15e(參照圖3～圖5)。各表面導體膜15之基礎部分15a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分15b與第2部分15c之第3方向尺寸t1b、及第3部分15d與第4部分15e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如1～15 μm之範圍內。 各基底導體膜14之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、該等之合金等金屬材料。又，各表面導體膜15之主成分例如為銅、鎳、錫、鈀、金、鋅、該等之合金等金屬材料。再者，於圖3～圖5中，為了方便圖示，而繪製由基底導體膜14及表面導體膜15所構成者作為各外部電極12，但亦可對各外部電極12採用使主成分不同之1種以上之中間導體膜介置於基底導體膜14與表面導體膜15之間的構成。又，若以使出現於各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面之凹凸未達2 μm的方式提高表面平坦性，則將積層陶瓷電容器10配置於電路基板(省略圖示)之內部並與佈線連接時，能夠良好地進行佈線側之導通孔導體與各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面的接合，並且於將積層陶瓷電容器10配置於電路基板(省略圖示)之內部後藉由雷射加工而形成上述導通孔導體用之通孔時，不會受到於各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面出現之凹凸的影響，能夠良好地進行該通孔之形成。 第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2具有大致矩形狀之外形。第1絕緣體層13-1之第1方向尺寸L3小於電容器本體11之第1方向尺寸L1，且大於各外部電極12之第1部分12b之第1方向之相互間隔IN(參照圖3及圖5)。第2絕緣體層13-2之第1方向尺寸L3小於電容器本體11之第1方向尺寸L1，且大於各外部電極12之第2部分12c之第1方向之相互間隔IN(參照圖3及圖5)。第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之第2方向尺寸(省略符號)分別與電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)大致相同。第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第1部分12b之第3方向尺寸t1，詳細而言，小於各基底導體膜14之第1部分14b之第3方向尺寸t1a(參照圖3及圖5)。第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第2部分12c之第3方向尺寸t1，詳細而言，小於各基底導體膜14之第2部分14c之第3方向尺寸t1a(參照圖3及圖5)。第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2分別設定於例如1～6 μm之範圍內。 即，第1絕緣體層13-1於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分A1及A2(參照圖3)。詳細而言，該等部分A1及A2係將第3方向之另一面(圖3之上表面)相接於電容器本體11之第3方向之一面(圖3之下表面)，且以接觸狀態由各基底導體膜14之第1部分14b覆蓋第3方向之一面(圖3之下表面)。另一方面，第2絕緣體層13-2於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分A3及A4(參照圖3)。詳細而言，該等部分A3及A4係將第3方向之一面(圖3之下表面)相接於電容器本體11之第3方向之另一面(圖3之上表面)，且以接觸狀態由各基底導體膜14之第2部分14c覆蓋第3方向之另一面(圖3之上表面)。 部分A1～A4之第1方向尺寸L3a係設定於例如5～15 μm之範圍內(參照圖5)。部分A1～A4之第1方向尺寸L3a可為全部相同之尺寸，亦可為全部不同之尺寸，亦可為部分A1～A4中之2個相同、其餘2個相同或不同之尺寸，亦可為部分A1～A4中之3個相同、其餘不同之尺寸。 第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分例如為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電材料(介電陶瓷材料)，較佳為與電容器本體11之各介電體邊緣部11b之主成分相同者。再者，第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分亦可與各介電體邊緣部11b之主成分不同。又，第1絕緣體層13-1之主成分與第2絕緣體層13-2之主成分可相同，亦可不同。進而，第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分亦可使用介電材料以外之絕緣體材料、例如合成樹脂材料或玻璃材料等。 其次，利用圖6，且引用圖1～圖5所示之符號，對上述積層陶瓷電容器10之製造方法例、詳細而言對電容器本體11之除內部電極層11a1以外之部分之主成分、第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分為鈦酸鋇，各內部電極層11a1之主成分及各基底導體膜14之主成分為鎳，各表面導體膜15之主成分為錫之情形時之製造方法例進行說明。此處說明之製造方法僅為一例，並不限制上述積層陶瓷電容器10之製造方法。 製造時，首先準備含有鈦酸鋇粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之陶瓷漿料、以及含有鎳粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之電極膏。 繼而，藉由將陶瓷漿料塗佈於承載膜之表面並進行乾燥，而製作於承載膜之表面形成有坯片之第1片材。又，藉由將電極膏印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，而製作於第1片材之坯片之表面形成有矩陣排列或錯位排列之未焙燒之內部電極層圖案群的第2片材。進而，藉由將陶瓷漿料印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，而製作於第1片材之坯片之表面形成有條狀排列之未焙燒之絕緣體層圖案群的第3片材。 繼而，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第2片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之內部電極層圖案群)達到特定片數為止，而形成與電容部11a對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與另一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，於其堆積方向之兩面分別堆積自第3片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之絕緣體層圖案群)並進行熱壓接合，最後對整體實施熱壓接合，藉此製作未焙燒之積層片材(參照圖6(A))。再者，於圖6(A)中，為了方便圖示，而繪製與上述積層陶瓷電容器10之1個對應者作為未焙燒之積層片材，但實際之未焙燒之積層片材具有與多數個成型對應之尺寸。 繼而，藉由將具有與多數個成型對應之尺寸之未焙燒之積層片材切斷成格子狀，而製作未焙燒之電容器本體(11)(參照圖6(A))。於該未焙燒之電容器本體(11)之第3方向之一面(圖6(A)之下表面)設置未焙燒之第1絕緣體層(13-1)，於第3方向之另一面(圖6(A)之上表面)設置未焙燒之第2絕緣體層(13-2)。 繼而，藉由將電極膏浸漬或塗佈於具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)及未焙燒之第2絕緣體層(13-2)之未焙燒之電容器本體(11)之第1方向的兩端部各者並進行乾燥，而製作未焙燒之基底導體膜(14)(參照圖6(B))。製作該未焙燒之基底導體膜(14)時，未焙燒之基底導體膜(14)各者之第1部分(14b)及第2部分(14c)稍微覆蓋未焙燒之第1絕緣體層(13-1)之第1方向之兩端部及未焙燒之第2絕緣體層(13-2)之第1方向的兩端部各者。 繼而，將具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)、未焙燒之第2絕緣體層(13-2)及2個未焙燒之基底導體膜(14)之未焙燒之電容器本體(11)放入焙燒爐，於還原氣體氛圍中以與鈦酸鋇及鎳對應之溫度分佈一次性焙燒(包括去黏合劑處理及焙燒處理)多個，藉此製作具有第1絕緣體層13-1、第2絕緣體層13-2及2個基底導體膜14之電容器本體11(參照圖6(B))。 繼而，藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法製作覆蓋各基底導體膜14之表面之表面導體膜15(主成分為錫)(參照圖6(C))。以上，上述積層陶瓷電容器10之製造完成。 再者，各基底導體膜14亦可藉由如下方式製作，即，對圖6(A)所示之未焙燒之電容器本體(11)實施焙燒，製作具有第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之電容器本體11，然後將電極膏浸漬或塗佈於該電容器本體11之第1方向之兩端部各者並進行乾燥，對其等實施燒接處理。 其次，對藉由上述積層陶瓷電容器10所獲得之效果進行說明。 [效果1-1]即便於使積層陶瓷電容器10薄型化之情形時，詳細而言於使各介電體邊緣部11b之第3方向尺寸變小之情形時，藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面且具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分A1與A2的第1絕緣體層13-1、及設置於電容器本體11之第3方向之另一面且具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分A3與A4的第2絕緣體層13-2，亦可儘量防止自電容器本體11之第3方向之兩面向電容器本體11內之濕氣滲入。並且，第1絕緣體層13-1之部分A1及A2係將第3方向之另一面相接於電容器本體11之第3方向的一面，且以接觸狀態由基底導體膜14之第1部分14b覆蓋第3方向之一面，第2絕緣體層13-2之部分A3及A4係將第3方向之一面相接於電容器本體11之第3方向的另一面，且以接觸狀態由基底導體膜14之第2部分14c覆蓋第3方向之另一面(圖3之上表面)，因此，亦可儘量防止自第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端附近及第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端附近向電容器本體11內的濕氣滲入。 [效果1-2]又，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第1部分12b之第3方向尺寸t1，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第2部分12c之第3方向尺寸t1，詳細而言，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各基底導體膜14之第1部分14b之第3方向尺寸t1a，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各基底導體膜14之第2部分14c之第3方向尺寸t1a，故而能夠確實地抑制各外部電極12之第1部分12b各者之第3方向尺寸t1及第2部分12c各者之第3方向尺寸t1增加，換言之，能夠確實地抑制積層陶瓷電容器10之第3方向尺寸H增加。 [效果1-3]進而，由於藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面之第1絕緣體層13-1及設置於第3方向之另一面的第2絕緣體層13-2亦獲得補充電容器本體11之強度之作用，故而即便於使積層陶瓷電容器10薄型化時使電容器本體11之第3方向尺寸變小之情形時，亦可謀求電容器本體11之強度提高。 [效果1-4]進而，由各外部電極12之基底導體膜14之第1部分14b覆蓋第1絕緣體層13-1之部分A1及A2，且由各外部電極12之基底導體膜14之第2部分14c覆蓋第2絕緣體層13-2之部分A3及A4，因此，即便於藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法於各基底導體膜14之表面製作表面導體膜15之情形時，亦可確實地進行各表面導體膜15之製作。 《第2實施形態》 該第2實施形態係將本發明應用於積層陶瓷電容器者。首先，利用圖7～圖11，對本發明之第2實施形態之積層陶瓷電容器20之構造進行說明。再者，於以下之說明中，為了方便，將下述大致長方體狀之電容器本體11之6個面中之相對之2個面的對向方向(相當於圖7之左右方向)記為第1方向，將相對之另外2個面之對向方向(相當於圖7之上下方向)記為第2方向，將相對之其餘2個面之對向方向(相當於圖8之上下方向)記為第3方向，並且將沿著各方向之尺寸記為第1方向尺寸、第2方向尺寸及第3方向尺寸。又，於圖7～圖11中，對與上述積層陶瓷電容器10相同之名稱部分使用相同之符號。僅供參考，成為圖7～圖11之基礎之試製品(積層陶瓷電容器)之第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H分別為1000 μm、500 μm及150 μm。 該積層陶瓷電容器20除了具備大致長方體狀之電容器本體11、及設置於電容器本體11之第1方向之兩端部(圖7～圖10之左端部及右端部)各者之外部電極12以外，亦具備設置於電容器本體11之第3方向之一面(圖8、圖9及圖11之下表面)之第1絕緣體層13-1、及設置於電容器本體11之第3方向之另一面(圖8、圖9及圖11之上表面)之第2絕緣體層13-2。 電容器本體11之構造由於與上述積層陶瓷電容器10之電容器本體11之構造相同，故而省略其說明。 各外部電極12連續具有位於電容器本體11之第1方向之一面(圖9及圖10之左表面)或第1方向之另一面(圖9及圖10之右表面)的基礎部分12a、位於電容器本體11之第3方向之一面(圖9之下表面)之第1部分12b、位於電容器本體11之第3方向之另一面(圖9之上表面)之第2部分12c、位於電容器本體11之第2方向之一面(圖10之下表面)之第3部分12d、及位於電容器本體11之第2方向之另一面(圖10之上表面)之第4部分12e(參照圖9～圖11)。各外部電極12之第1部分12b及第2部分12c之第1方向尺寸L2係設定於例如積層陶瓷電容器10之第1方向尺寸L之1/5～2/5的範圍內。各外部電極12之第3部分12d及第4部分12e之第1方向尺寸(省略符號)小於第1部分12b及第2部分12c之第1方向尺寸L2。各外部電極12之基礎部分12a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分12b與第2部分12c之第3方向尺寸t1、及第3部分12d與第4部分12e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如3～30 μm之範圍內。 自圖9～圖11可知，各外部電極12包含基底導體膜14、2個第2基底導體膜16、及覆蓋基底導體膜14與2個第2基底導體膜16之表面導體膜15。2個第2基底導體膜16分別設置於電容器本體11之第3方向之一面(圖9及圖11之下表面)及第3方向之另一面(圖9及圖11之上表面)。 各基底導體膜14連續具有密接於電容器本體11之第1方向之一面(圖9及圖10之左表面)或第1方向之另一面(圖9及圖10之右表面)的基礎部分14a、密接於電容器本體11之第3方向之一面(圖9之下表面)之第1部分14b、密接於電容器本體11之第3方向之另一面(圖9之上表面)之第2部分14c、密接於電容器本體11之第2方向之一面(圖10之下表面)之第3部分14d、及密接於電容器本體11之第2方向之另一面(圖10之上表面)之第4部分14e(參照圖9～圖11)。各基底導體膜14之第1部分14b～第4部分14e之第1方向尺寸(省略符號)係設定於例如各外部電極12之第1部分12b及第2部分12c之第1方向尺寸L2之1/5～4/5的範圍內。各基底導體膜14之基礎部分14a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分14b與第2部分14c之第3方向尺寸t1a、及第3部分14d與第4部分14e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如2～15 μm之範圍內。 各第2基底導體膜16具有大致矩形狀之外形。於各外部電極12中，各第2基底導體膜16相較於各基底導體膜14之第1部分14b及第2部分14c向內側隔開間隔CL，並以接觸狀態覆蓋第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端部各者(參照圖9及圖11)。各第2基底導體膜16之第1方向尺寸(省略符號)小於各外部電極12之第1部分12b及第2部分12c之第1方向尺寸L2。各第2基底導體膜16之第2方向尺寸(省略符號)與電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)大致相同。間隔CL設定為各基底導體膜14之第1部分14b及第2部分14c與各第2基底導體膜16不接觸之最低限度之尺寸、例如4 μm左右。各第2基底導體膜16之第3方向尺寸t1c係設定於例如2～15 μm之範圍內。 各表面導體膜15連續具有密接於各基底導體膜14之基礎部分14a之表面之基礎部分15a、密接於各基底導體膜14之第1部分14b之表面與第2基底導體膜16(圖9及圖11之下側之第2基底導體膜16)之表面的第1部分15b、密接於各基底導體膜14之第2部分14c之表面與第2基底導體膜16(圖9及圖11之上側之第2基底導體膜16)之表面的第2部分15c、密接於各基底導體膜14之第3部分14d之表面之第3部分15d、及密接於各基底導體膜14之第4部分14e之表面之第4部分15e(參照圖9～圖11)。各表面導體膜15之基礎部分15a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分15b與第2部分15c之第3方向尺寸t1b、及第3部分15d與第4部分15e之第2方向尺寸(省略符號)分別設定於例如1～15 μm之範圍內。 如之前敍述，於各外部電極12中，於各基底導體膜14之第1部分14b及第2部分14c與各第2基底導體膜16之間分別設置有用以使兩者不接觸之間隔CL，因此，不論表面導體膜15之製作方法，均會於各表面導體膜15之第1部分15b及第2部分15c之表面分別出現基於間隔CL之溝槽(無符號)。若將上述間隔CL設為各基底導體膜14之第1部分14b及第2部分14c與各第2基底導體膜16不接觸之最低限度之尺寸，則該溝槽之第3方向尺寸亦可成為1 μm以下。即，將積層陶瓷電容器20配置於電路基板(省略圖示)之表面或內部並與佈線連接時，於各表面導體膜15之第1部分15b及第2部分15c之表面分別出現之溝槽不會成為連接之障礙。 各基底導體膜14之主成分及各第2基底導體膜16之主成分例如為鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、該等之合金等金屬材料。再者，各基底導體膜14之主成分與各第2基底導體膜16之主成分可相同，亦可不同。又，各表面導體膜15之主成分例如為銅、鎳、錫、鈀、金、鋅、該等之合金等金屬材料。再者，於圖9～圖11中，為了方便圖示，而繪製由基底導體膜14、第2基底導體膜16及表面導體膜15所構成者作為各外部電極12，但亦可對各外部電極12採用使主成分不同之1種以上之中間導體膜介置於基底導體膜14及第2基底導體膜16與表面導體膜15之間的構成。又，若以使出現於各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面之凹凸未達2 μm的方式提高表面平坦性，則將積層陶瓷電容器20配置於電路基板(省略圖示)之內部並與佈線連接時，能夠良好地進行佈線側之導通孔導體與各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面的接合，並且於將積層陶瓷電容器20配置於電路基板(省略圖示)之內部後藉由雷射加工而形成上述導通孔導體用之通孔時，不會受到於各外部電極12之第1部分12b之表面及第2部分12c之表面出現之凹凸的影響，能夠良好地進行該通孔之形成。 第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2具有大致矩形狀之外形。第1絕緣體層13-1之第1方向尺寸L3小於電容器本體11之第1方向尺寸L1，且大於各外部電極12之第1部分12b之第1方向之相互間隔IN(參照圖9及圖11)。第2絕緣體層13-2之第1方向尺寸L3小於電容器本體11之第1方向尺寸L1，且大於各外部電極12之第2部分12c之第1方向之相互間隔IN(參照圖9及圖11)。第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之第2方向尺寸(省略符號)分別與電容器本體11之第2方向尺寸(省略符號)大致相同。第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第1部分12b之第3方向尺寸t1，詳細而言，小於各第2基底導體膜16之第3方向尺寸t1c(參照圖9及圖11)。第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第2部分12c之第3方向尺寸t1，詳細而言，小於各第2基底導體膜16之第3方向尺寸t1c(參照圖9及圖11)。第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2分別設定於例如1～6 μm之範圍內。 即，第1絕緣體層13-1於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分B1及B2(參照圖9)。詳細而言，該等部分B1及B2係將第3方向之另一面(圖9之上表面)相接於電容器本體11之第3方向之一面(圖9之下表面)，且以接觸狀態由各第2基底導體膜16覆蓋第3方向之一面(圖9之下表面)。另一方面，第2絕緣體層13-2於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分B3及B4(參照圖9)。詳細而言，該等部分B3及B4係將第3方向之一面(圖3之下表面)相接於電容器本體11之第3方向之另一面(圖9之上表面)，且以接觸狀態由各第2基底導體膜16覆蓋第3方向之另一面(圖9之上表面)。 部分B1～B4之第1方向尺寸L3a係設定於例如50～150 μm之範圍內(參照圖5)。部分B1～B4之第1方向尺寸L3a可為全部相同之尺寸，亦可為全部不同之尺寸，亦可為部分B1～B4中之2個相同、其餘2個相同或不同之尺寸，亦可為部分B1～B4中之3個相同、其餘不同之尺寸。 第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分例如為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電材料(介電陶瓷材料)，較佳為與電容器本體11之各介電體邊緣部11b之主成分相同。再者，第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分亦可與各介電體邊緣部11b之主成分不同。又，第1絕緣體層13-1之主成分與第2絕緣體層13-2之主成分可相同，亦可不同。進而，第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分亦可使用介電材料以外之絕緣體材料、例如合成樹脂材料或玻璃材料等。 其次，利用圖12，且引用圖7～圖11所示之符號，對上述積層陶瓷電容器20之製造方法例，詳細而言對電容器本體11之除內部電極層11a1以外之部分之主成分、第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分為鈦酸鋇，各內部電極層11a1之主成分、各基底導體膜14之主成分及各第2基底導體膜16之主成分為鎳，各表面導體膜15之主成分為錫之情形時之製造方法例進行說明。此處說明之製造方法僅為一例，並不限制上述積層陶瓷電容器20之製造方法。 製造時，首先準備含有鈦酸鋇粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之陶瓷漿料、以及含有鎳粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之電極膏。 繼而，藉由將陶瓷漿料塗佈於承載膜之表面並進行乾燥，而製作於承載膜之表面形成有坯片之第1片材。又，藉由將電極膏印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，而製作於第1片材之坯片之表面形成有矩陣排列或錯位排列之未焙燒之內部電極層圖案群的第2片材。進而，將陶瓷漿料印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，之後印刷電極膏並進行乾燥，藉此製作第3片材，該第3片材係於第1片材之坯片之表面形成有條狀排列之未焙燒的絕緣體層圖案群，且各未焙燒之絕緣體層圖案之第1方向之兩端部由呈帶狀之未焙燒的第2基底導體膜圖案所覆蓋。 繼而，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第2片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之內部電極層圖案群)達到特定片數為止，而形成與電容部11a對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與另一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，於其堆積方向之兩面分別堆積自第3片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之絕緣體層圖案群及未焙燒的第2基底導體膜圖案群)並進行熱壓接合，最後對整體實施熱壓接合，藉此製作未焙燒之積層片材(參照圖12(A))。再者，於圖12(A)中，為了方便圖示，而繪製與上述積層陶瓷電容器20之1個對應者作為未焙燒之積層片材，但實際之未焙燒之積層片材具有與多數個成型對應之尺寸。 繼而，藉由將具有與多數個成型對應之尺寸之未焙燒之積層片材切斷成格子狀，而製作未焙燒之電容器本體(11)(參照圖12(A))。於該未焙燒之電容器本體(11)之第3方向之一面(圖12(A)之下表面)設置未焙燒之第1絕緣體層(13-1)及覆蓋其第1方向之兩端部各者之未焙燒的第2基底導體膜(16)，於第3方向之另一面(圖12(A)之上表面)設置未焙燒之第2絕緣體層(13-2)及覆蓋其第1方向之兩端部各者之未焙燒的第2基底導體膜(16)。 繼而，藉由將電極膏浸漬或塗佈於具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)、未焙燒之第2絕緣體層(13-2)及4個未焙燒之第2基底導體膜(16)之未焙燒之電容器本體(11)之第1方向的兩端部各者並進行乾燥，而製作未焙燒之基底導體膜(14)(參照圖12(B))。製作該未焙燒之基底導體膜(14)時，未焙燒之基底導體膜(14)各者之第1部分(14b)之端及第2部分(14c)之端不與未焙燒的第2基底導體膜(16)之端各者相接，能夠確保圖11所示之間隔CL。 繼而，將具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)、未焙燒之第2絕緣體層(13-2)、4個未焙燒之第2基底導體膜(16)及2個未焙燒之基底導體膜(14)之未焙燒的電容器本體(11)放入焙燒爐，於還原氣體氛圍中以與鈦酸鋇及鎳對應之溫度分佈一次性焙燒(包括去黏合劑處理及焙燒處理)多個，藉此製作具有第1絕緣體層13-1、第2絕緣體層13-2、4個第2基底導體膜16及2個基底導體膜14之電容器本體11(參照圖12(B))。 繼而，藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法製作連續覆蓋各基底導體膜14之表面及各第2基底導體膜16之表面之表面導體膜15(主成分為錫)(參照圖12(C))。以上，上述積層陶瓷電容器20之製造完成。 再者，各基底導體膜14亦可藉由如下方式製作，即，對圖12(A)所示之未焙燒之電容器本體(11)實施焙燒，製作具有第1絕緣體層13-1、第2絕緣體層13-2及4個第2基底導體膜16之電容器本體11，然後，將電極膏浸漬或塗佈於該電容器本體11之第1方向之兩端部各者並進行乾燥，對其等實施燒接處理。又，各第2基底導體膜16亦可藉由如下方式製作，即，製作自圖12(B)所示之電容器本體11除去各第2基底導體膜16之電容器本體11，然後將電極膏浸漬或塗佈於該電容器本體11之第3方向之兩面各者並進行乾燥，對其等實施燒接處理，或者利用乾式鍍覆法於該電容器本體11之第3方向之兩面分別形成成為各第2基底導體膜16之導體膜。 其次，對藉由上述積層陶瓷電容器20所獲得之效果進行說明。 [效果2-1]即便於使積層陶瓷電容器20薄型化之情形時，詳細而言於使各介電體邊緣部11b之第3方向尺寸變小之情形時，藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面且具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分B1與B2的第1絕緣體層13-1、及設置於電容器本體11之第3方向之另一面且具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分B3與B4的第2絕緣體層13-2，亦可儘量防止自電容器本體11之第3方向之兩面向電容器本體11內之濕氣滲入。並且，第1絕緣體層13-1之部分B1及B2係將第3方向之另一面相接於電容器本體11之第3方向的一面，且以接觸狀態由第2基底導體膜16覆蓋第3方向之一面，第2絕緣體層13-2之部分B3及B4係將第3方向之一面相接於電容器本體11之第3方向之另一面，且以接觸狀態由第2基底導體膜16覆蓋第3方向之另一面，因此，亦可儘量防止自第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端附近及第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端附近向電容器本體11內的濕氣滲入。 [效果2-2]又，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第1部分12b之第3方向尺寸t1，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第2部分12c之第3方向尺寸t1，詳細而言，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各第2基底導體膜16之第3方向尺寸t1c，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各第2基底導體膜16之第3方向尺寸t1c，故而能夠確實地抑制各外部電極12之第1部分12b各者之第3方向尺寸t1及第2部分12c各者之第3方向尺寸t1增加，換言之，能夠確實地抑制積層陶瓷電容器10之第3方向尺寸H增加。 [效果2-3]進而，由於藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面之第1絕緣體層13-1及設置於第3方向之另一面的第2絕緣體層13-2亦獲得補充電容器本體11之強度之作用，故而即便於使積層陶瓷電容器10薄型化時使電容器本體11之第3方向尺寸變小之情形時，亦可謀求電容器本體11之強度提高。 [效果2-4]進而，由各外部電極12之第2基底導體膜16覆蓋第1絕緣體層13-1之部分B1及B2，且由各外部電極12之第2基底導體膜16覆蓋第2絕緣體層13-2之部分B3及B4，因此，即便於藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法於各第2基底導體膜16及各基底導體膜14之表面製作表面導體膜15之情形時，亦可確實地進行各表面導體膜15之製作。 《第3實施形態》 該第3實施形態係將本發明應用於積層陶瓷電容器者。首先，利用圖13及圖14(C)，對本發明之第3實施形態之積層陶瓷電容器30之構造進行說明。再者，於以下之說明中，為了方便，將下述大致長方體狀之電容器本體11之6個面中之相對之2個面的對向方向(相當於圖14(C)之左右方向)記為第1方向，將相對之另外2個面之對向方向(相當於圖14(C)之前後方向)記為第2方向，將相對之其餘2個面之對向方向(相當於圖14(C)之上下方向)記為第3方向，並且將沿著各方向之尺寸記為第1方向尺寸、第2方向尺寸及第3方向尺寸。又，於圖13及圖14(C)中，對與上述積層陶瓷電容器20相同之名稱部分使用相同之符號。僅供參考，成為圖13及圖14(C)之基礎之試製品(積層陶瓷電容器)之第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H分別為1000 μm、500 μm及150 μm。 該積層陶瓷電容器30之各外部電極12之構造與上述積層陶瓷電容器20之各外部電極12的構造不同。此外與上述積層陶瓷電容器20之構造相同，因此使用相同之符號並省略其說明。 自圖13及圖14(C)可知，積層陶瓷電容器30之各外部電極12包含基底導體膜14、第2基底導體膜16'、及覆蓋第2基底導體膜16'之表面導體膜15，且於以下方面，使構造與上述積層陶瓷電容器20之各外部電極12不同： ・使各外部電極12之基底導體膜14之基礎部分14a之第1方向尺寸(省略符號)、第1部分14b與第2部分14c之第3方向尺寸t1a、及第3部分14d與第4部分14e之第2方向尺寸(省略符號)之各者變小； ・將各外部電極12之第2基底導體膜16'延長，亦覆蓋各基底導體膜14之表面。 即，各第2基底導體膜16'連續具有密接於各基底導體膜14之基礎部分14a之表面之基礎部分(省略符號)、密接於各基底導體膜14之第1部分14b之表面且以接觸狀態覆蓋第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端部各者的第1部分(省略符號)、與各基底導體膜14之第2部分14c之表面密接且以接觸狀態覆蓋第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端部各者的第2部分(省略符號)、密接於各基底導體膜14之第3部分14d之表面之第3部分(省略符號)、及密接於各基底導體膜14之第4部分14e之表面之第4部分(省略符號)。各第2基底導體膜16'之覆蓋各基底導體膜14之表面之部分的尺寸(第1部分之一部分與第2部分之一部分之第3方向尺寸、及第3部分與第4部分之第2方向尺寸)小於各第2基底導體膜16'之第1部分覆蓋第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端部各者之其餘部分的第3方向尺寸t1c、以及各第2基底導體膜16'之第2部分覆蓋第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端部各者之其餘部分的第3方向尺寸t1c。 又，第1絕緣體層13-1於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分C1及C2(參照圖14(C))。詳細而言，該等部分C1及C2係將第3方向之另一面(圖14(C)之上表面)相接於電容器本體11之第3方向之一面(圖14(C)之下表面)，且以接觸狀態由各第2基底導體膜16'之第1部分之上述其餘部分覆蓋第3方向之一面(圖14(C))。另一方面，第2絕緣體層13-2於其第1方向之兩端部分別具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分C3及C4(參照圖14(C))。詳細而言，該等部分C3及C4係將第3方向之一面(圖14(C)之下表面)相接於電容器本體11之第3方向之另一面(圖14(C)之上表面)，且以接觸狀態由各第2基底導體膜16'之第2部分之上述其餘部分覆蓋第3方向之另一面(圖14(C)之上表面)。進而，第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端部分別與各基底導體膜14之第1部分14b分離，第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端部分別與各基底導體膜14之第2部分14c分離。 其次，利用圖14，且引用圖13所示之符號，對上述積層陶瓷電容器30之製造方法例、詳細而言對電容器本體11之除內部電極層11a1以外之部分之主成分、第1絕緣體層13-1之主成分及第2絕緣體層13-2之主成分為鈦酸鋇，各內部電極層11a1之主成分、各基底導體膜14之主成分及各第2基底導體膜16'之主成分為鎳，各表面導體膜15之主成分為錫之情形時之製造方法例進行說明。此處說明之製造方法僅為一例，並不限制上述積層陶瓷電容器30之製造方法。 製造時，首先準備含有鈦酸鋇粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之陶瓷漿料、以及含有鎳粉末、有機溶劑、有機黏合劑及分散劑等之電極膏。 繼而，藉由將陶瓷漿料塗佈於承載膜之表面並進行乾燥，而製作於承載膜之表面形成有坯片之第1片材。又，藉由將電極膏印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，而製作於第1片材之坯片之表面形成有矩陣排列或錯位排列之未焙燒之內部電極層圖案群的第2片材。進而，藉由將陶瓷漿料印刷於第1片材之坯片之表面並進行乾燥，而製作於第1片材之坯片之表面形成有條狀排列之未焙燒之絕緣體層圖案群的第3片材。 繼而，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第2片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之內部電極層圖案群)達到特定片數為止，而形成與電容部11a對應之部位。然後，藉由反覆進行堆積並熱壓接合之作業直至自第1片材之坯片取出之單位片材達到特定片數為止，而形成與另一介電體邊緣部11b對應之部位。然後，於其堆積方向之兩面分別堆積自第3片材之坯片取出之單位片材(包含未焙燒之絕緣體層圖案群)並進行熱壓接合，最後對整體實施熱壓接合，藉此製作未焙燒之積層片材(參照圖14(A))。再者，於圖14(A)中，為了方便圖示，而繪製與上述積層陶瓷電容器30之1個對應者作為未焙燒之積層片材，但實際之未焙燒之積層片材具有與多數個成型對應之尺寸。 繼而，藉由將具有與多數個成型對應之尺寸之未焙燒之積層片材切斷成格子狀，而製作未焙燒之電容器本體(11)(參照圖14(A))。於該未焙燒之電容器本體(11)之第3方向之一面(圖14(A)之下表面)設置未焙燒之第1絕緣體層(13-1)，於第3方向之另一面(圖14(A)之上表面)設置未焙燒之第2絕緣體層(13-2)。 繼而，藉由將電極膏浸漬或塗佈於具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)及未焙燒之第2絕緣體層(13-2)之未焙燒之電容器本體(11)之第1方向的兩端部並進行乾燥，而製作未焙燒之基底導體膜(14)(參照圖14(B))。製作該未焙燒之基底導體膜(14)時，未焙燒之基底導體膜(14)各者之第1部分(14b)之端及第2部分(14c)之端不與未焙燒之第1絕緣體層(13-1)及未焙燒的第2絕緣體層(13-2)之各者相接。 繼而，藉由將電極膏塗佈於具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)、未焙燒之第2絕緣體層(13-2)及2個未焙燒之基底導體膜(14)之未焙燒之電容器本體(11)之第1方向的兩端部並進行乾燥，而製作未焙燒之第2基底導體膜(16')(參照圖14(B))。製作該未焙燒之第2基底導體膜(16')時，未焙燒之第2基底導體膜(16')各者之第1部分之上述其餘部分及第2部分之上述其餘部分覆蓋未焙燒之第1絕緣體層(13-1)之第1方向之兩端部及未焙燒之第2絕緣體層(13-2)之第1方向的兩端部之各者。 繼而，將具有未焙燒之第1絕緣體層(13-1)、未焙燒之第2絕緣體層(13-2)、2個未焙燒之基底導體膜(14)及2個未焙燒之第2基底導體膜(16')之未焙燒的電容器本體(11)放入焙燒爐，於還原氣體氛圍中以與鈦酸鋇及鎳對應之溫度分佈一次性焙燒(包括去黏合劑處理及焙燒處理)多個，藉此製作具有第1絕緣體層13-1、第2絕緣體層13-2、2個基底導體膜14及2個第2基底導體膜16'之電容器本體11(參照圖14(B))。 繼而，藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法製作覆蓋各第2基底導體膜16'之表面之表面導體膜15(主成分為錫)(參照圖14(C))。以上，上述積層陶瓷電容器30之製造完成。 再者，各基底導體膜14及各第2基底導體膜16'亦可藉由如下方式製作，即，對圖14(A)所示之未焙燒之電容器本體(11)實施焙燒，製作具有第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之電容器本體11，然後將電極膏塗佈於該電容器本體11之第1方向之兩端部各者並進行乾燥，對其等實施燒接處理。又，各第2基底導體膜16'亦可藉由如下方式製作，即，製作自圖14(B)所示之電容器本體11除去各第2基底導體膜16'之電容器本體11，然後將電極膏塗佈於該電容器本體11之第1方向之兩端部各者並進行乾燥，對其等實施燒接處理，或者利用乾式鍍覆法於該電容器本體11之第1方向之兩端部各者形成成為各第2基底導體膜16'之導體膜。 其次，對藉由上述積層陶瓷電容器30所獲得之效果進行說明。 [效果3-1]即便於使上述積層陶瓷電容器30薄型化之情形時，詳細而言於使各介電體邊緣部11b之第3方向尺寸變小之情形時，藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面且具有由各外部電極12之第1部分12b所覆蓋之部分C1與C2(參照圖14(C))的第1絕緣體層13-1、及設置於電容器本體11之第3方向之另一面且具有由各外部電極12之第2部分12c所覆蓋之部分C3與C4(參照圖14(C))的第2絕緣體層13-2，亦可儘量防止自電容器本體11之第3方向之兩面向電容器本體11內之濕氣滲入。並且，第1絕緣體層13-1之部分C1及C2係將第3方向之另一面相接於電容器本體11之第3方向的一面，且以接觸狀態由電容器本體11之各第2基底導體膜16'之第1部分之上述其餘部分覆蓋第3方向的一面，第2絕緣體層13-2之部分C3及C4係將第3方向之一面相接於電容器本體11之第3方向的另一面，且以接觸狀態由各第2基底導體膜16'之第2部分之上述其餘部分覆蓋第3方向之另一面，因此，亦可儘量防止自第1絕緣體層13-1之第1方向之兩端附近及第2絕緣體層13-2之第1方向之兩端附近向電容器本體11內的濕氣滲入。 [效果3-2]又，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第1部分12b之第3方向尺寸t1，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各外部電極12之第2部分12c之第3方向尺寸t1，詳細而言，由於第1絕緣體層13-1之第3方向尺寸t2小於各第2基底導體膜16'之第1部分之上述其餘部分的第3方向尺寸t1c，且第2絕緣體層13-2之第3方向尺寸t2小於各第2基底導體膜16'之第1部分之上述其餘部分的第3方向尺寸t1c，故而能夠確實地抑制各外部電極12之第1部分12b各者之第3方向尺寸t1及第2部分12c各者之第3方向尺寸t1增加，換言之，能夠確實地抑制積層陶瓷電容器10之第3方向尺寸H增加。 [效果3-3]進而，由於藉由設置於電容器本體11之第3方向之一面之第1絕緣體層13-1及設置於第3方向之另一面的第2絕緣體層13-2亦獲得補充電容器本體11之強度之作用，故而即便於使積層陶瓷電容器10薄型化時使電容器本體11之第3方向尺寸變小之情形時，亦可謀求電容器本體11之強度提高。 [效果3-4]進而，由各外部電極12之第2基底導體膜16'之第1部分之上述其餘部分覆蓋第1絕緣體層13-1的部分C1及C2，且由各外部電極12之第2基底導體膜16'之第2部分之上述其餘部分覆蓋第2絕緣體層13-2的部分C3及C4，因此，即便於藉由濕式鍍覆法或乾式鍍覆法於各第2基底導體膜16'及各基底導體膜14之表面製作表面導體膜15之情形時，亦可確實地進行各表面導體膜15之製作。 《其他實施形態》 (M1)於第1實施形態～第3實施形態中，係示出於電容器本體11之第3方向之兩面分別設置有第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之積層陶瓷電容器10、20及30，但亦可設為將第1絕緣體層13-1及第2絕緣體層13-2之一者排除之構造。 (M2)於第1實施形態～第3實施形態中，係示出連續具有基礎部12a及第1部分12b～第4部分12e之外部電極12，但於將積層陶瓷電容器10、20及30配置於電路基板之表面或內部並與佈線連接時利用各外部電極12之第1部分12b或第2部分12c之情形時，亦可將各外部電極12設為不具有第3部分12d及第4部分12e之形狀。 (M3)於第1實施形態～第3實施形態中，係示出基於第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H分別為1000 μm、500 μm及150 μm之試製品之積層陶瓷電容器10、20及30，但亦可將第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H設為該等數值以外之數值。 (M4)於第1實施形態～第3實施形態中，係示出基於第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H分別為1000 μm、500 μm及150 μm之試製品之積層陶瓷電容器10、20及30，但亦可將第1方向尺寸L、第2方向尺寸W及第3方向尺寸H之關係設為L＞W＝H、L＞H＞W、W＞L＞H、W＞L＝H、W＞H＞L等關係。 (M5)於第1實施形態～第3實施形態中，係對將本發明應用於積層陶瓷電容器之情形時之構造等進行了說明，但本發明並不限於積層陶瓷電容器，亦可應用於在具有內部導體層之大致長方體狀之零件本體設置有外部電極之積層陶瓷電感器等其他積層陶瓷電子零件。
10‧‧‧積層陶瓷電容器11‧‧‧電容器本體11a‧‧‧電容部11a1‧‧‧內部電極層11a2‧‧‧介電層11b‧‧‧介電體邊緣部12‧‧‧外部電極12a‧‧‧外部電極之基礎部分12b‧‧‧外部電極之第1部分12c‧‧‧外部電極之第2部分12d‧‧‧外部電極之第3部分12e‧‧‧外部電極之第4部分13-1‧‧‧第1絕緣體層13-2‧‧‧第2絕緣體層14‧‧‧外部電極之基底導體膜14a‧‧‧基底導體膜之基礎部分14b‧‧‧基底導體膜之第1部分14c‧‧‧基底導體膜之第2部分14d‧‧‧基底導體膜之第3部分14e‧‧‧基底導體膜之第4部分15‧‧‧外部電極之表面導體膜15a‧‧‧表面導體膜之基礎部分15b‧‧‧基底導體膜之第1部分15c‧‧‧基底導體膜之第2部分15d‧‧‧基底導體膜之第3部分15e‧‧‧基底導體膜之第4部分16‧‧‧外部電極之第2基底導體膜16'‧‧‧外部電極之第2基底導體膜16a‧‧‧第2基底導體膜之基礎部分16b‧‧‧第2基底導體膜之第1部分16c‧‧‧第2基底導體膜之第2部分16d‧‧‧第2基底導體膜之第3部分16e‧‧‧第2基底導體膜之第4部分20‧‧‧積層陶瓷電容器30‧‧‧積層陶瓷電容器A1‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分A2‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分A3‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分A4‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分B1‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分B2‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分B3‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分B4‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分C1‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分C2‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分C3‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分C4‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分CL‧‧‧間隔H‧‧‧第3方向尺寸IN‧‧‧相互間隔L‧‧‧第1方向尺寸L1‧‧‧第1方向尺寸L1a‧‧‧第1方向尺寸L1b‧‧‧第1方向尺寸L2‧‧‧第1方向尺寸L3‧‧‧第1方向尺寸L3a‧‧‧第1方向尺寸t1‧‧‧第3方向尺寸t1a‧‧‧第3方向尺寸t1b‧‧‧第3方向尺寸t1c‧‧‧第3方向尺寸t2‧‧‧第3方向尺寸W‧‧‧第2方向尺寸
圖1係本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器之俯視圖。 圖2係圖1所示之積層陶瓷電容器之側視圖。 圖3係沿著圖1之S11-S11線之剖視圖。 圖4係沿著圖3之S12-S12線之剖視圖。 圖5係圖3之主要部分放大圖。 圖6(A)～圖6(C)係圖1～圖5所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。 圖7係本發明之第2實施形態之積層陶瓷電容器之俯視圖。 圖8係圖7所示之積層陶瓷電容器之側視圖。 圖9係沿著圖7之S21-S21線之剖視圖。 圖10係沿著圖8之S22-S22線之剖視圖。 圖11係圖9之主要部分放大圖。 圖12(A)～圖12(C)係圖7～圖11所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。 圖13係本發明之第3實施形態之積層陶瓷電容器之圖11之對應圖。 圖14(A)～圖14(C)係圖13所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
10‧‧‧積層陶瓷電容器
11‧‧‧電容器本體
11a‧‧‧電容部
11a1‧‧‧內部電極層
11a2‧‧‧介電層
11b‧‧‧介電體邊緣部
12‧‧‧外部電極
12a‧‧‧外部電極之基礎部分
12b‧‧‧外部電極之第1部分
12c‧‧‧外部電極之第2部分
13-1‧‧‧第1絕緣體層
13-2‧‧‧第2絕緣體層
14‧‧‧外部電極之基底導體膜
14a‧‧‧基底導體膜之基礎部分
14b‧‧‧基底導體膜之第1部分
14c‧‧‧基底導體膜之第2部分
15‧‧‧外部電極之表面導體膜
15a‧‧‧表面導體膜之基礎部分
15b‧‧‧基底導體膜之第1部分
15c‧‧‧基底導體膜之第2部分
A1‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分
A2‧‧‧第1絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分
A3‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分
A4‧‧‧第2絕緣體層之由外部電極所覆蓋之部分
Claims (12)
- 一種積層陶瓷電子零件，其係於具有內部導體層之大致長方體狀之零件本體設置有外部電極而成，且於將上述零件本體之6個面中之相對之2個面之對向方向設為第1方向，將相對之另外2個面之對向方向設為第2方向，將相對之其餘2個面之對向方向設為第3方向時，上述外部電極具有位於上述零件本體之第3方向之一面之第1部分，於上述零件本體之第3方向之一面設置有具有由上述外部電極之第1部分所覆蓋之部分的絕緣體層，上述外部電極之第1部分具有基底導體膜、第2基底導體膜、及表面導體膜，該表面導體膜覆蓋上述基底導體膜及上述第2基底導體膜，且上述絕緣體層之第3方向尺寸小於上述外部電極之第1部分中之上述基底導體膜之上述第3方向尺寸。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件，其中上述絕緣體層之第3方向尺寸小於上述外部電極之第1部分之第3方向尺寸。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件，其中上述第2基底導體膜覆蓋上述基底導體膜之表面。
- 如請求項2之積層陶瓷電子零件，其中 上述第2基底導體膜覆蓋上述基底導體膜之表面。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件，其中上述外部電極設置於上述零件本體之第1方向之兩端部各者，且上述絕緣體層於其第1方向之兩端部分別具有由上述外部電極各者之第1部分所覆蓋之部分。
- 如請求項5之積層陶瓷電子零件，其中上述絕緣體層之第1方向尺寸小於上述零件本體之第1方向尺寸，且大於上述外部電極各者之第1部分之第1方向之相互間隔。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件，其中上述外部電極具有位於上述零件本體之第3方向之另一面之第2部分，且於上述零件本體之第3方向之另一面設置有具有由上述外部電極之第2部分所覆蓋之部分的第2絕緣體層。
- 如請求項7之積層陶瓷電子零件，其中上述第2絕緣體層之第3方向尺寸小於上述外部電極之第2部分之第3方向尺寸。
- 如請求項7之積層陶瓷電子零件，其中上述外部電極之第2部分具有基底導體膜及覆蓋上述基底導體膜之表 面導體膜，且上述第2絕緣體層之第3方向尺寸小於上述外部電極之第2部分中之上述基底導體膜的第3方向尺寸。
- 如請求項7之積層陶瓷電子零件，其中上述外部電極設置於上述零件本體之第1方向之兩端部各者，且上述第2絕緣體層於其第1方向之兩端部分別具有由上述外部電極各者之第2部分所覆蓋之部分。
- 如請求項10之積層陶瓷電子零件，其中上述第2絕緣體層之第1方向尺寸小於上述零件本體之第1方向尺寸，且大於上述外部電極各者之第2部分之第1方向之相互間隔。
- 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件，其中上述積層陶瓷電子零件為積層陶瓷電容器，且上述零件本體係具有將複數個內部電極層經由介電層積層而成之電容部之電容器本體。
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