TW201814744A - 線圈零件 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於改善Q值。 本發明之線圈零件具備：坯體部10，其呈長方體形狀；螺旋狀之線圈導體36，其具有與坯體部之第1面及1對端面16平行之線圈軸，且包含複數個第1導體32及複數個第2導體34，上述複數個第1導體32分別沿1對端面於與安裝面垂直之方向上延伸，上述複數個第2導體34自1對端面之一側延伸至另一側，且將複數個第1導體32連接；引出導體部38，其與線圈導體之兩端部分別電性連接；1對外部電極50，其等自坯體部之第1面起經由端面延伸至與上述第1面對向之第2面而設置，且與引出導體部電性連接；及標記部，其設置於上述坯體部之除上述第1面以外之任一面；線圈導體之兩端部中之至少一端部經由引出導體而於絕緣體之上表面與外部電極電性連接，且線圈導體自至少一端部起，藉由第2導體而沿絕緣體之上表面延伸。
Description
本發明係關於一種線圈零件。
已知有一種電感器，其係將設置於呈長方體形狀之絕緣體之內部的線圈導體與設置於絕緣體之表面之外部電極電性連接而成。例如，已知有一種電感器，其為了改善電特性，而於絕緣體之安裝面設置外部電極，且線圈導體於絕緣體之安裝面與外部電極電性連接(例如，專利文獻1)。然而，此種電感器之外部電極之面積較小，而導致安裝強度變低。例如，已知有一種電感器，其為了確保安裝強度並且抑制Q值之降低，而將外部電極以自絕緣體之安裝面(下表面)起經由端面延伸至上表面之方式設置，且線圈導體於絕緣體之端面與外部電極電性連接(例如，專利文獻2、專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2000-348939號公報 [專利文獻2]日本專利特開平11-260644號公報 [專利文獻3]日本專利特開2006-32430號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，即便為如下構成，即，外部電極自絕緣體之安裝面(下表面)起經由端面延伸至上表面而設置，且線圈導體於絕緣體之端面與外部電極電性連接，Q值仍留有改善之餘地。 本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於改善Q值。 [解決問題之技術手段] 本發明係一種線圈零件，其具備： 坯體部，其包含呈長方體形狀之絕緣體； 螺旋狀之線圈導體，其設置於上述坯體部之內部，具有與上述坯體部之第1面、及大致垂直於上述第1面之1對端面大致平行之線圈軸，且包含複數個第1導體及複數個第2導體，上述複數個第1導體分別沿上述1對端面於與上述第1面大致垂直之方向上延伸，上述複數個第2導體自上述1對端面之一側延伸至另一側，且將上述複數個第1導體連接； 引出部導體，其與上述線圈導體之兩端部分別電性連接，且自上述坯體部之內部引出至外側； 1對外部電極，其等自上述坯體部之上述第1面起經由上述1對端面延伸至與上述第1面對向之第2面而設置，且與上述引出部導體電性連接；及 標記部，其設置於上述坯體部之除上述第1面以外之任一面； 上述線圈導體之上述兩端部中之至少一端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第2面與上述外部電極電性連接；且 上述線圈導體自上述至少一端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。 於上述構成中，可設為如下構成：上述線圈導體之上述兩端部之兩個端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第2面與上述外部電極電性連接，且上述線圈導體自上述兩個端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。 於上述構成中，可設為如下構成：上述線圈導體之上述兩端部中之一端部經由引出部導體而於上述絕緣體之上述第2面與上述外部電極電性連接，另一端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第1面與上述外部電極電性連接，且上述線圈導體自上述一端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。 於上述構成中，可設為如下構成：上述引出部導體呈大致圓形之剖面形狀連接於上述外部電極。 於上述構成中，可設為如下構成：上述1對外部電極至少設置於上述坯體部之上述1對端面中之與上述複數個第1導體對向之區域。 於上述構成中，可設為如下構成：上述標記部設置於上述坯體部之上述第2面。 [發明之效果] 根據本發明，能夠改善Q值。
以下，參照圖式，對本發明之實施例進行說明。 [實施例1] 圖1(a)係實施例1之電感器之透視立體圖，圖1(b)係實施例1之電感器之側視剖視圖。如圖1(a)及圖1(b)般，實施例1之電感器100具備坯體部10、內部導體30、及外部電極50。 坯體部10具有作為第2面之上表面12、作為第1面之下表面14、1對端面16及1對側面18，且呈於X軸方向上具有寬度方向之各邊、於Y軸方向上具有長度方向之各邊、於Z軸方向上具有高度方向之各邊的長方體形狀。下表面14為安裝面，上表面12為與下表面14對向之面。端面16為與上表面12及下表面14之1對邊(例如短邊)連接之面，側面18為與上表面12及下表面14之1對邊(例如長邊)連接之面。關於坯體部10，例如寬度尺寸為0.05 mm～0.3 mm，長度尺寸為0.1 mm～0.6 mm，高度尺寸為0.05 mm～0.5 mm。再者，坯體部10並不限於為完全之長方體形狀之情形，例如亦可為各頂點帶弧度之情形或各面具有曲面之情形等大致長方體形狀。即，長方體形狀亦包含如上所述之大致長方體形狀。再者，各頂點之弧度亦可為未達坯體部10之短邊之長度之20%的曲率半徑R。各面之平滑性就於安裝基板安裝時之穩定性之方面而言，亦可為一平面上之凹凸之大小為30 μm以下。 坯體部10例如由以玻璃為主成分之絕緣材料形成。再者，坯體部10亦可由鐵氧體、介電體陶瓷、使用軟磁性合金粒子之磁性體、或混合有磁性體粉末之樹脂形成。又，坯體部10亦可由以利用熱、光、化學反應等而硬化之樹脂為主體之絕緣材料形成。作為此種樹脂，例如可列舉聚醯亞胺、環氧樹脂、或液晶聚合物等。又，坯體部10亦可包含氧化鋁等金屬氧化物及/或氧化矽(SiO2
)作為填料。 內部導體30設置於坯體部10之內部。內部導體30具有複數個第1導體32及複數個第2導體34，且藉由將該等複數個第1導體32及複數個第2導體34連接而形成線圈導體36。即，線圈導體36係包含複數個第1導體32及複數個第2導體34而構成且呈螺旋狀，具有特定之環繞單元，並且具有與由環繞單元規定之面大致正交之線圈軸。線圈導體36係發揮內部導體30中之電氣性能之功能部。 複數個第1導體32具有設置於1對端面16各自之側之2個導體群。分別構成2個導體群之第1導體32沿Z軸方向延伸，且於X軸方向上隔開特定間隔排列。即，複數個第1導體32分別沿1對端面16，於與上表面12及下表面14垂直之方向上延伸。複數個第2導體34與XY平面平行地形成，且具有設置於上表面12及下表面14各自之側之2個導體群。構成上表面12側之導體群之第2導體34沿Y軸方向延伸，且於X軸方向上隔開間隔地排列，將於Y軸方向上對向之第1導體32連接。構成下表面14側之導體群之第2導體34於自Y軸斜向傾斜之方向上延伸，且於X軸方向上隔開間隔地排列，將於自Y軸斜向傾斜之方向上對向之第1導體32連接。即，複數個第2導體34自1對端面16之一側向另一側延伸而將複數個第1導體32連接。藉由複數個第1導體32及複數個第2導體34，而於坯體部10之內部形成有於大致X軸方向上具有線圈軸且開口為矩形形狀之線圈導體36。即，線圈導體36具有與坯體部10之下表面14及端面16大致平行之線圈軸，且成為縱向捲繞。 外部電極50係表面安裝用之外部端子，於Y軸方向上對向地設置有2個。外部電極50係自坯體部10之下表面14起經由端面16延伸至上表面12並且自端面16延伸至側面18而設置。即，外部電極50被覆坯體部10之上表面12、下表面14、及側面18之Y軸方向兩端，且被覆端面16。又，被覆坯體部10之側面18的外部電極50之Y軸方向之長度較被覆坯體部10之上表面12及下表面14的外部電極50之Y軸方向之長度短。 內部導體30除了具有包含複數個第1導體32及複數個第2導體34之作為功能部之線圈導體36以外，進而具有作為非功能部之引出導體部38。引出導體部38使線圈導體36與外部電極50電性連接。線圈導體36之端部40及端部42均經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接。引出導體部38呈大致圓形之剖面形狀連接於外部電極50。再者，大致圓形形狀不僅包含完全之圓形形狀之情形，亦包含如圓之一部分歪曲般之形狀或橢圓形形狀等情形。 線圈導體36自端部40及端部42起，藉由第2導體34而於1對端面16之間沿坯體部10之上表面12延伸。即，線圈導體36不自端部40及端部42沿坯體部10之端面16向下表面14延伸。 內部導體30例如由銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉑(Pt)、或鈀(Pd)等金屬材料、或包含該等之合金金屬材料形成。外部電極50例如由銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、或鎳(Ni)等金屬材料、或者銀(Ag)、銅(Cu)或鋁(Al)與鎳(Ni)鍍覆層及錫(Sn)鍍覆層之積層膜、或者鎳(Ni)與錫(Sn)鍍覆層之積層膜而形成。 坯體部10於上表面12具有標記部60。標記部60可使錳(Mn)、鉬(Mo)、或鈷(Co)等氧化金屬粒子分散於玻璃或環氧系或矽系等之樹脂中而構成。再者，標記部60亦可設置於坯體部10之上表面12以外之面，但一般而言不設置於成為安裝面之下表面14。其原因在於，於安裝後變得難以自外部確認標記部60。藉由標記部60而能夠明確地辨識坯體部10之上下方向。 其次，對實施例1之電感器100之製造方法進行說明。圖2係表示實施例1之電感器之製造方法之立體圖。如圖2般，準備作為構成坯體部10之絕緣體層之前驅物之坯片G1至G9。坯片係藉由利用刮刀法等將以玻璃等為主原料之絕緣性材料漿料塗佈於膜上而形成。坯片之厚度並無特別限定，例如為5 μm～60 μm，作為一例為20 μm。 於坯片G1、G2之特定位置、即供形成引出導體部38之位置，藉由雷射加工等形成通孔。同樣地，於坯片G3、G7之特定位置、即供形成第1導體32及第2導體34之位置、以及坯片G4～G6之特定位置、即供形成第1導體32之位置，藉由雷射加工等形成通孔。繼而，利用印刷法將導電性材料填充至坯片G1、G2上所形成之通孔中而形成引出導體部38，且利用印刷法將導電性材料印刷至坯片G3～G7上所形成之通孔中，藉此形成第1導體32及第2導體34。作為導電性材料之主成分，例如可列舉銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉑(Pt)、或鈀(Pd)等金屬材料或包含該等之合金金屬材料。 繼而，將坯片G1～G9按照特定之順序積層，並於積層方向上施加壓力而使坯片壓合。繼而，將經壓合之坯片以晶片為單位切斷後，以特定溫度(例如700℃～900℃)進行焙燒，形成坯體部10。 繼而，於坯體部10之特定位置形成外部電極50。外部電極50係藉由如下操作而形成，即，塗佈以銀或銅等為主成分之電極漿料，並以特定溫度(例如600℃～900℃左右)進行烘烤，進而實施電鍍等。作為該電鍍，例如可使用銅、鎳、或錫等。藉此，形成實施例1之電感器100。 圖3係比較例1之電感器之透視立體圖。如圖3般，於比較例1之電感器500中，線圈導體36經由引出導體部38而於坯體部10之端面16中之靠近上表面12側之位置與外部電極50電性連接。引出導體部38呈矩形形狀連接於外部電極50。其他構成由於與實施例1相同，故而省略說明。 圖4係比較例2之電感器之透視立體圖。如圖4般，於比較例2之電感器600中，線圈導體36經由引出導體部38而於坯體部10之端面16中之靠近下表面14側之位置與外部電極50電性連接。引出導體部38呈矩形形狀連接於外部電極50。其他構成由於與實施例1相同，故而省略說明。 圖5係比較例3之電感器之透視立體圖。如圖5般，於比較例3之電感器700中，線圈導體36經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接，但線圈導體36之捲繞方向(回轉方向)與實施例1為反方向。即，線圈導體36自端部40及端部42起，藉由第1導體32而沿坯體部10之端面16延伸。即，線圈導體36不自端部40及端部42沿坯體部10之上表面12延伸。其他構成由於與實施例1相同，故而省略說明。 此處，就對實施例1、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器進行之電磁場模擬進行說明。模擬係對製成以下尺寸之電感器進行。即，將實施例1、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器之外形尺寸設為寬度0.22 mm、長度0.42 mm、高度0.222 mm。又，複數個第1導體32設為呈直徑0.038 mm之大致圓形之剖面形狀，且距離坯體部10之端面16為0.04 mm。複數個第2導體34設為呈寬度0.025 mm、厚度0.01 mm之矩形形狀，且距離坯體部10之上表面12及下表面14為0.014 mm。於實施例1及比較例3中，引出導體部38與複數個第1導體32相同，設為直徑0.038 mm之大致圓形之剖面形狀。於比較例1及比較例2中，引出導體部38與複數個第2導體34相同，設為寬度0.025 mm、厚度0.01 mm之矩形形狀。 圖6係表示實施例1、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器之電磁場模擬之結果之圖。圖6之橫軸為於500 MHz下之電感值，縱軸為於1800 MHz下之Q值。如圖6般，成為如下結果，即，實施例1與比較例1至比較例3相比Q值較高。 認為於實施例1之電感器100中Q值變高之原因如下。即，於比較例1之電感器500中，線圈導體36經由引出導體部38而於坯體部10之端面16與外部電極50電性連接。於該構成中，引出導體部38與設置於坯體部10之上表面12之外部電極50分別處於大致平行之位置而形成平行平板，故而產生相對較大之寄生電容。於比較例2之電感器600中亦同樣地，於引出導體部38與設置於坯體部10之下表面14之外部電極50之間產生相對較大之寄生電容。另一方面，於實施例1中，引出導體部38與設置於坯體部10之上表面12之外部電極50自大致垂直之方向連接，故而與比較例1、2相比可將寄生電容抑制為較小。藉此，認為實施例1與比較例1及比較例2相比Q值變高。 另一方面，比較例3之電感器700與實施例1之電感器100相同，線圈導體36經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接。然而，實施例1與比較例3相比Q值變高。認為其原因如下。圖7(a)係用於說明實施例1之流經電感器之電流之方向之透視立體圖，圖7(b)係用於說明比較例3之流經電感器之電流之方向之透視立體圖。再者，於圖7(a)及圖7(b)中，將輸入側之外部電極設為外部電極50a，將輸出側之外部電極設為外部電極50b。又，將坯體部10之1對端面16中之設置有外部電極50a之端面設為端面16a，將設置有外部電極50b之端面設為端面16b。 如圖7(a)般，坯體部10之下表面14為安裝面，另一方面，線圈導體36之端部40及端部42於坯體部10之上表面12與外部電極50a及外部電極50b電性連接。因此，於外部電極50a中，電流A1自坯體部10之下表面14側向上表面12側流動。於外部電極50b中，電流A2自絕緣體10之上表面12側向下表面14側流動。 又，線圈導體36自端部40及端部42起，藉由第2導體34而沿坯體部10之上表面12延伸。因此，於沿坯體部10之端面16a設置之第1導體32，電流A3自坯體部10之下表面14側向上表面12側流動。於沿坯體部10之端面16b設置之第1導體32，電流A4自坯體部10之上表面12側向下表面14側流動。 因此，於坯體部10之端面16a側，流經外部電極50a之電流A1與流經第1導體32之電流A3成為相同方向。因此，由電流A1所產生之磁場與由電流A3所產生之磁場耦合。同樣地，於坯體部10之端面16b側，流經外部電極50b之電流A2與流經第1導體32之電流A4成為相同方向，故而由電流A2所產生之磁場與由電流A4所產生之磁場耦合。 另一方面，比較例3之電感器700與實施例1之電感器100相比，線圈導體36之捲繞方向(回轉方向)成為反方向，因此，如圖7(b)般，於坯體部10之端面16a側，流經外部電極50a之電流A1與流經第1導體32之電流A3成為相反方向。於坯體部10之端面16b側，流經外部電極50b之電流A2與流經第1導體32之電流A4成為相反方向。因此，由電流A1所產生之磁場與由電流A3所產生之磁場彼此相互抵消，且由電流A2所產生之磁場與由電流A4所產生之磁場彼此相互抵消。認為由於該等原因而實施例1與比較例3相比Q值變高。 再者，於比較例2中，由於引出導體部38於端面16中之靠近下表面14側之位置與外部電極50電性連接，故而流經電感器之電流難以向外部電極50之上表面12側之方向流動。即，處於難以發生上述磁耦合之狀態。因此，認為比較例2與比較例1相比Q值變低。 如上所述，根據實施例1，線圈導體36之端部40及端部42經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接。線圈導體36自端部40及端部42起，藉由第2導體34而沿坯體部10之上表面12延伸。因此，如上所述，可減小因引出導體部38而產生之寄生電容，並且可使由流經線圈導體36及外部電極50之電流所產生之磁場耦合。因此，能夠改善Q值。 又，引出導體部38呈大致圓形形狀連接於外部電極50。如比較例1般，引出導體部38呈矩形形狀連接於外部電極50之情形時，於製作電感器時之焙燒時，有引出導體部38壓扁變薄及/或因坯體部10與引出導體部38之收縮率之差而導致引出導體部38自坯體部10之表面向內側凹陷的情況。於此情形時，可能會產生引出導體部38與外部電極50不電性連接之情況。另一方面，於引出導體部38以大致圓形之剖面形狀與外部電極50連接之情形時，不易產生此種情況，故而能夠提高引出導體部38與外部電極50之連接可靠性。 又，外部電極50至少設置於坯體部10之1對端面16中之與複數個第1導體32對向之區域。藉此，能夠增大由流經外部電極50之電流所產生之磁場與由流經第1導體32之電流所產生之磁場之耦合，從而Q值之改善效果變大。再者，就增大磁耦合之方面而言，外部電極50較佳為覆蓋坯體部10之1對端面16之整面而設置之情形，更佳為覆蓋1對端面16之整面且不延伸至1對側面18而設置之情形。 又，外部電極50係自坯體部10之下表面14起經由端面16延伸至上表面12而設置。藉此，於使用焊料將實施例1之電感器100安裝至安裝基板之情形時，焊料填角容易向設置於坯體部10之端面16及上表面12之外部電極50潤濕擴散。因此，焊料之接合面積變大，而可提高電感器100之安裝強度。再者，就增大焊料之接合面積之方面而言，外部電極50亦可自端面16向側面18延伸。 圖8(a)至圖9(c)係表示實施例1之電感器之其他製造方法之剖視圖。如圖8(a)般，藉由在例如矽基板、玻璃基板、或藍寶石基板等支持基板90上印刷或塗佈例如樹脂材料或者使樹脂膜黏著，而形成絕緣體層20。於絕緣體層20上，藉由濺鍍法形成第2導體34，並且形成被覆第2導體34之絕緣體層21。絕緣體層21係藉由印刷或塗佈樹脂材料或者使樹脂膜黏著而形成。其後，藉由對絕緣體層21實施研磨處理，而使第2導體34之表面露出。繼而，於在絕緣體層21上形成籽晶層(未圖示)後，於籽晶層上形成具有開口之抗蝕膜92。於形成抗蝕膜92後，亦可進行將開口內之抗蝕劑殘渣去除之除渣處理。其後，藉由電鍍法於抗蝕膜92之開口內形成第1導體32之第1部分32a。 如圖8(b)般，將抗蝕膜92及籽晶層去除之後，形成被覆第1導體32之第1部分32a之絕緣體層22。絕緣體層22係藉由印刷或塗佈樹脂材料或者使樹脂膜黏著而形成。其後，藉由對絕緣體層22實施研磨處理，而使第1導體32之第1部分32a之表面露出。 如圖8(c)般，於絕緣體層22上形成第1導體32之第2部分32b及被覆第2導體32之第2部分32b之絕緣體層23。第1導體32之第2部分32b以與第1導體32之第1部分32a連接之方式形成。第1導體32之第2部分32b及絕緣體層23藉由與第1導體32之第1部分32a及絕緣體層22相同之方法形成。 如圖9(a)般，於絕緣體層23上形成籽晶層(未圖示)及具有開口之抗蝕膜94，並藉由電鍍法於抗蝕膜94之開口內形成第2導體34。 如圖9(b)般，將抗蝕膜94去除之後，再次形成具有開口之抗蝕膜96，並藉由電鍍法於抗蝕膜96之開口內形成引出導體部38。 如圖9(c)般，將抗蝕膜96及籽晶層去除之後，於絕緣體層23上形成被覆第2導體34及引出導體部38之絕緣體層24。坯體部10係藉由積層絕緣體層20至絕緣體層24而形成。其後，於將坯體部10自支持基板90剝離後，於坯體部10之表面形成外部電極50。藉此，形成實施例1之電感器100。 再者，於實施例1中，只要為能夠獲得實施例1之電感器100之構造之製造方法，則該製造方法並不限定於上述方法，又，亦可為將若干種方法組合之製造方法。 [實施例2] 圖10係實施例2之電感器之透視立體圖。如圖10般，實施例2之電感器200中，線圈導體36之端部40及端部42中之一端部40經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接。另一端部42經由引出導體部38而於坯體部10之下表面14與外部電極50電性連接。其他構成由於與實施例1相同，故而省略說明。 圖11係表示實施例2、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器之電磁場模擬之結果之圖。圖11之橫軸為於500 MHz下之電感值，縱軸為於1800 MHz下之Q值。再者，模擬係對具有與實施例1之利用圖6所說明之尺寸相同之尺寸之實施例2、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器進行。如圖11般，成為如下結果，即，實施例2與比較例1至比較例3相比Q值變高。認為於實施例2之電感器200中Q值變高之原因係與實施例1中所說明之原因相同之原因。即，認為係由於因引出導體部38而產生之寄生電容變小，且由流經線圈導體36及外部電極50之電流所產生之磁場耦合，故而Q值變高。 根據實施例2，線圈導體36之端部40及端部42中之一端部40經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50連接，且另一端部42經由引出導體部38而於坯體部10之下表面14與外部電極50電性連接。線圈導體36自一端部40起，藉由第2導體34而沿坯體部10之上表面12延伸。藉此，亦能夠減小因引出導體部38而產生之寄生電容，並且可使由流經線圈導體36及外部電極50之電流所產生之磁場耦合，因此，能夠改善Q值。 根據實施例1及實施例2，只要線圈導體36之端部40及端部42中之至少一端部經由引出導體部38而於坯體部10之上表面與外部電極50電性連接即可。並且，線圈導體36只要自至少一端部起藉由第2導體34而沿坯體部10之上表面12延伸即可。藉此，能夠改善Q值。 圖12係實施例2之變化例1之電感器之透視立體圖。如圖12般，實施例2之變化例1之電感器210中，線圈導體36之端部40及端部42中之一端部40經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接。另一端部42經由引出導體部38而於坯體部10之端面16與外部電極50電性連接。其他構成由於與實施例1相同，故而省略說明。 如實施例2及實施例2之變化例1般，只要線圈導體36之一端部40經由引出導體部38而於坯體部10之上表面12與外部電極50電性連接，則另一端部42可經由引出導體部38而於坯體部10之下表面14與外部電極50電性連接，亦可於端面16與外部電極50電性連接。又，雖省略圖示，但另一端部42亦可經由引出導體部38而於側面18與外部電極50電性連接。 再者，於實施例1至實施例2之變化例1中，外部電極50可採取各種形狀。圖13(a)至圖13(d)係表示外部電極之形狀之例之透視立體圖。外部電極50可如圖13(a)般自下表面起經由端面延伸至上表面而設置，亦可如圖13(b)般進而延伸至側面，還可如圖13(c)、圖13(d)般於上表面之長度短於下表面。 以上，對本發明之實施例進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述特定之實施例，可於申請專利範圍所記載之本發明之主旨之範圍內進行各種變化、變更。
10‧‧‧絕緣體
12‧‧‧上表面
14‧‧‧下表面
16‧‧‧端面
16a‧‧‧端面
16b‧‧‧端面
18‧‧‧側面
20‧‧‧絕緣體層
21‧‧‧絕緣體層
22‧‧‧絕緣體層
23‧‧‧絕緣體層
24‧‧‧絕緣體層
30‧‧‧內部導體
32‧‧‧柱狀導體
32a‧‧‧第1部分
32b‧‧‧第2部分
34‧‧‧連結導體
36‧‧‧線圈導體
38‧‧‧引出導體
40‧‧‧端部
42‧‧‧端部
50‧‧‧外部電極
50a‧‧‧外部電極
50b‧‧‧外部電極
60‧‧‧標記部
90‧‧‧支持基板
92‧‧‧抗蝕膜
94‧‧‧抗蝕膜
96‧‧‧抗蝕膜
100‧‧‧電感器
200‧‧‧電感器
210‧‧‧電感器
500‧‧‧電感器
600‧‧‧電感器
700‧‧‧電感器
A1‧‧‧電流
A2‧‧‧電流
A3‧‧‧電流
A4‧‧‧電流
G1‧‧‧坯片
G2‧‧‧坯片
G3‧‧‧坯片
G4‧‧‧坯片
G5‧‧‧坯片
G6‧‧‧坯片
G7‧‧‧坯片
G8‧‧‧坯片
G9‧‧‧坯片
圖1(a)係實施例1之電感器之透視立體圖，圖1(b)係實施例1之電感器之側視剖視圖。 圖2係表示實施例1之電感器之製造方法之立體圖。 圖3係比較例1之電感器之透視立體圖。 圖4係比較例2之電感器之透視立體圖。 圖5係比較例3之電感器之透視立體圖。 圖6係表示實施例1、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器之電磁場模擬之結果之圖。 圖7(a)係用於說明實施例1之流經電感器之電流之方向之透視立體圖，圖7(b)係用於說明比較例3之流經電感器之電流之方向之透視立體圖。 圖8(a)至圖8(c)係表示實施例1之電感器之其他製造方法之剖視圖(其一)。 圖9(a)至圖9(c)係表示實施例1之電感器之其他製造方法之剖視圖(其二)。 圖10係實施例2之電感器之透視立體圖。 圖11係表示實施例2、比較例1、比較例2、及比較例3之電感器之電磁場模擬之結果之圖。 圖12係實施例2之變化例1之電感器之透視立體圖。 圖13(a)至圖13(d)係表示外部電極之形狀之例之透視立體圖。
Claims (10)
- 一種線圈零件，其具備： 坯體部，其包含呈長方體形狀之絕緣體； 螺旋狀之線圈導體，其設置於上述坯體部之內部，具有與上述坯體部之第1面、及大致垂直於上述第1面之1對端面大致平行之線圈軸，且包含複數個第1導體及複數個第2導體，上述複數個第1導體分別沿上述1對端面於與上述第1面大致垂直之方向上延伸，上述複數個第2導體自上述1對端面之一側延伸至另一側，且將上述複數個第1導體連接； 引出部導體，其與上述線圈導體之兩端部分別電性連接，且自上述坯體部之內部引出至外側； 1對外部電極，其等自上述坯體部之上述第1面起經由上述1對端面延伸至與上述第1面對向之第2面而設置，且與上述引出部導體電性連接；及 標記部，其設置於上述坯體部之除上述第1面以外之任一面； 上述線圈導體之上述兩端部中之至少一端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第2面與上述外部電極電性連接；且 上述線圈導體自上述至少一端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。
- 如請求項1之線圈零件，其中 上述線圈導體之上述兩端部之兩個端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第2面與上述外部電極電性連接；且 上述線圈導體自上述兩個端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。
- 如請求項1之線圈零件，其中 上述線圈導體之上述兩端部中之一端部經由引出部導體而於上述絕緣體之上述第2面與上述外部電極電性連接，另一端部經由上述引出部導體而於上述坯體部之上述第1面與上述外部電極電性連接；且 上述線圈導體自上述一端部起，藉由上述第2導體而沿上述坯體部之上述第2面延伸。
- 如請求項1至3中任一項之線圈零件，其中上述引出部導體呈大致圓形之剖面形狀連接於上述外部電極。
- 如請求項1至3中任一項之線圈零件，其中上述1對外部電極至少設置於上述坯體部之上述1對端面中之與上述複數個第1導體對向之區域。
- 如請求項4之線圈零件，其中上述1對外部電極至少設置於上述坯體部之上述1對端面中之與上述複數個第1導體對向之區域。
- 如請求項1至3中任一項之線圈零件，其中上述絕緣體中，上述標記部設置於上述坯體部之上述第2面。
- 如請求項4之線圈零件，其中上述絕緣體中，上述標記部設置於上述坯體部之上述第2面。
- 如請求項5之線圈零件，其中上述絕緣體中，上述標記部設置於上述坯體部之上述第2面。
- 如請求項6之線圈零件，其中上述絕緣體中，上述標記部設置於上述坯體部之上述第2面。
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