JP2000182830A - 積層チップインダクタ - Google Patents

積層チップインダクタ

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JP2000182830A
JP2000182830A JP10356322A JP35632298A JP2000182830A JP 2000182830 A JP2000182830 A JP 2000182830A JP 10356322 A JP10356322 A JP 10356322A JP 35632298 A JP35632298 A JP 35632298A JP 2000182830 A JP2000182830 A JP 2000182830A
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JP
Japan
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chip
coil
lead conductor
terminal electrode
center
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JP10356322A
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English (en)
Inventor
Akihiko Shimizu
明彦 清水
Osamu Takahashi
修 高橋
Taisuke Suzuki
泰輔 鈴木
Masahiko Yamagishi
雅彦 山岸
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタ内に生ずる浮遊静電容量を低減し
た積層チップインダクタを提供する。 【解決手段】 端子電極１３ａ，１３ｂが形成されてい
るチップ１１端面の隣接面に形成された端子電極面のチ
ップ中心側周縁よりもチップ中心側にコイル１１１を配
置し、コイルと端子電極１３ａ，１３ｂとを接続する引
き出し導体をコイル部端の導体パターンを延長して形成
し、その先端部のみを前記隣接面に形成された端子電極
面と対向させ、この引き出し導体の先端を前記隣接面に
形成された端子電極のコイル端に最も近いチップ中心側
周縁部に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子回路に用
いられる積層チップインダクタに関し、特に高周波特性
の向上を図った積層チップインダクタの内部導体引き出
し構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層チップインダクタは、絶縁体
材料やフェライト磁性体材料中に銀若しくは銀−パラジ
ウム合金等からなる内部導体をコイル状に形成し、その
両端をチップ両端部の端子電極に接続した構造となって
いる。
【０００３】また、積層チップインダクタの内部導体の
積層方向とチップ外形との関係は、大きく分けて２種類
存在する。
【０００４】この積層チップインダクタにおける内部導
体の積層方向とチップ外形との関係の一つは、図２６乃
至図２９に示す第１従来例の構造である。この構造は一
般に横積層型と称される。尚、図２６は概略透視図、図
２７は平面透視図、図２８は図２７における矢視方向の
側面透視図、図２９はチップの積層構造を示す分解斜視
図である。
【０００５】この積層チップインダクタ１０の構造で
は、チップ１１の厚み方向Ｌt （若しくは幅方向Ｌw ）
にコイル用導体パターンを積層したタイプで、一般的な
積層チップインダクタはこの構造をなしている。ここ
で、複数のコイル用導体パターンを螺旋状に接続してな
るコイル１２の両端は端子電極１３ａ，１３ｂに接続さ
れている。
【０００６】横積層型の積層チップインダクタ１０の積
層構造は、例えば図２９に示すような構造となってい
る。
【０００７】即ち、Ｕ字形状のコイル用導体１４ａ〜１
４ｇを形成した磁性体シート１５ａ〜１５ｇを複数積層
し、ビアホール（ｈ）によってコイル用導体１４ａ〜１
４ｇを螺旋状に接続してコイル１２が形成されている。
【０００８】さらに、コイル用導体１４ａ〜１４ｇによ
って形成されたコイル１２の両端部分のコイル用導体１
４ａ，１４ｇのパターンは、端面まで引き延ばされて、
この部分が引き出し導体とされ、この先端が端面に露出
して端子電極１３ａ，１３ｂに接続されている。
【０００９】これに対して、図３０乃至３３に示す第２
従来例のように、チップの長手方向Ｌl にコイル用導体
２４ａ〜２４ｄを積層し、これらを螺旋状に接続してな
るコイル２２の両端をチップ長手方向両端部に形成され
た端子電極２３ａ，２３ｂに接続した構造の積層チップ
インダクタ２０が知られている。尚、図３０は概略透視
図、図３１は平面透視図、図３２は図３１における矢視
方向の側面透視図、図３３はチップの積層構造を示す分
解斜視図である。
【００１０】この構造は、一般的に縦積層型と称されて
おり、比較的高いインダクタンス値が得られることや、
自己共振周波数を高くすることができるなどの特徴を有
している。
【００１１】縦積層型の積層チップインダクタの積層構
造は、例えば図３３に示すような構造となっている。
【００１２】即ち、Ｕ字形状のコイル用導体２４ａ〜２
４ｄを形成した磁性体シート２５ａ〜２５ｄを複数積層
し、ビアホール（ｈ）によってコイル用導体２４ａ〜２
４ｄを螺旋状に接続してコイル２２が形成されている。
【００１３】さらに、コイル用導体２４ａ〜２４ｄによ
って形成されたコイル２２の両端には、複数積層された
磁性体シート２７ａ，２７ｂのそれぞれに形成されたビ
アホール（ｈ）を直線状に連結した引き出し導体２６
ａ，２６ｂによって端子電極２３ａ，２３ｂに接続され
ている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た第１及び第２従来例の積層チップインダクタ１０，２
０は、コイル１２，２２と端子電極１３ａ，１３Ｂ，２
３ａ，２３ｂとを接続する引き出し導体が端子電極１３
ａ，１３Ｂ，２３ａ，２３ｂの近傍に配置されているた
め、この引き出し導体と端子電極１３ａ，１３Ｂ，２３
ａ，２３ｂとの間に浮遊静電容量が生じて高周波特性を
低下させるという問題点があった。
【００１５】即ち、第１従来例においては、コイル１２
の末端となるコイル用導体１４ａの端部と端子電極１３
ａとの間、及びコイル用導体１４ｅの端部と端子電極１
３ａとの間のそれぞれに浮遊静電容量が発生する。ま
た、第２従来例においては、引き出し導体２６ａと端子
電極２３ａとの間、及び引き出し導体２６ｂと端子電極
２３ａとの間のそれぞれに浮遊静電容量が発生する。
【００１６】このため、インダクタの共振周波数が低下
し、高周波特性が劣化してしまう。
【００１７】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、イン
ダクタ内に生ずる浮遊静電容量を低減した積層チップイ
ンダクタを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、コイルが埋設された直方体
形状の積層体からなるチップと、該チップの互いに対向
する１対の端面のそれぞれにコイル端と接続された端子
電極を備え、該端子電極が前記一対のチップ端面から隣
接面にかけて連続して形成されている積層チップインダ
クタにおいて、前記コイルは、前記隣接面に形成された
端子電極のチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置
され、コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し導
体の一端部のみが前記隣接面に形成された端子電極と対
向すると共に該引き出し導体の一端が前記隣接面に形成
された端子電極の前記コイル端に最も近いチップ中心側
周縁部に接続されている積層チップインダクタを提案す
る。
【００１９】該積層チップインダクタによれば、前記コ
イルが前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、コイル
と端子電極との間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
さらに、コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し
導体の一端部のみが前記隣接面に形成された端子電極と
対向し該引き出し導体の一端が前記隣接面に形成された
端子電極の前記コイル端に最も近いチップ中心側周縁部
に接続されているので、該引き出し導体と端子電極との
間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
【００２０】また、請求項２では、請求項１記載の積層
チップインダクタにおいて、前記引き出し導体が、前記
コイルを形成する導体パターンのコイル端部分を同一層
内で延長して形成されている積層チップインダクタを提
案する。
【００２１】該積層チップインダクタによれば、コイル
端部の導体パターンの形状変更のみで容易に製造可能と
なる。
【００２２】また、請求項３では、請求項１記載の積層
チップインダクタにおいて、前記引き出し導体が、２つ
以上のビアホール内の導体を階段状に連結してなる積層
チップインダクタを提案する。
【００２３】該積層チップインダクタによれば、階段状
に連結可能なビアホールを形成することにより容易に製
造可能となる。
【００２４】また、請求項４では、請求項１記載の積層
チップインダクタにおいて、前記引き出し導体は、一端
が前記端子電極に接続された第１引き出し導体と、該第
１引き出し導体の他端とコイル端とを連結する第２引き
出し導体とから構成され、前記第１引き出し導体が１つ
以上のビアホール内の導体を連結してなると共に、前記
第２引き出し導体が前記コイルを形成する導体パターン
のコイル端部分を同一層内で延長してなる積層チップイ
ンダクタを提案する。
【００２５】該積層チップインダクタによれば、コイル
端の導体パターンが引き延ばされてなる第２引き出し導
体の一端部のみが前記隣接面に形成された端子電極と対
向し該第２引き出し導体の一端と前記隣接面に形成され
た端子電極の前記コイル端に最も近いチップ中心側周縁
部がビアホールを連結した第１引き出し導体によって接
続されているので、該第１及び第２引き出し導体と端子
電極との間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
【００２６】また、請求項５では、請求項１記載の積層
チップインダクタにおいて、前記引き出し導体は、一端
が前記端子電極に接続された第１引き出し導体と、該第
１引き出し導体の他端とコイル端とを連結する第２引き
出し導体とから構成され、前記第１引き出し導体が所定
層に形成された導体パターンからなると共に、前記第２
引き出し導体が１つ以上のビアホール内の導体を連結し
てなる積層チップインダクタを提案する。
【００２７】該積層チップインダクタによれば、ビアホ
ールを連結した第２引き出し導体の一端部のみが前記隣
接面に形成された端子電極と対向し該第２引き出し導体
の一端と前記隣接面に形成された端子電極の前記コイル
端に最も近いチップ中心側周縁部が導体パターンからな
る第１引き出し導体によって接続されているので、該第
１及び第２引き出し導体と端子電極との間に生ずる浮遊
静電容量が低減される。
【００２８】また、請求項６では、コイルが埋設された
直方体形状の積層体からなるチップと、該チップの互い
に対向する１対の端面のそれぞれにコイル端と接続され
た端子電極を備え、該端子電極が前記一対のチップ端面
から隣接面にかけて連続して形成されている積層チップ
インダクタにおいて、前記端子電極が前記チップの積層
方向と直交する方向のチップ両端部に形成されると共
に、前記コイルは、前記隣接面に形成された端子電極の
チップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され、コイ
ル端と前記端子電極とを接続する引き出し導体が、前記
チップの積層面に直交する前記隣接面に形成された端子
電極から所定距離あけて前記チップのほぼ中央層に配置
され一端が前記チップ端面に露出して前記端子電極に接
続されている導体パターンからなる第１引き出し導体
と、前記コイルを形成する導体パターンのコイル端部分
を同一層内で延長してなり、先端が前記隣接面に形成さ
れた端子電極のチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置された第２引き出し導体と、２つ以上のビアホール
内の導体を連結してなり、前記第１引き出し導体の他端
と前記第２引き出し導体の先端とを連結する第３引き出
し導体とから構成されている積層チップインダクタを提
案する。
【００２９】該積層チップインダクタによれば、前記コ
イルが前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、コイル
と端子電極との間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
また、前記第１引き出し導体が、前記チップの積層面に
直交する前記隣接面に形成された端子電極から所定距離
あけて前記チップのほぼ中央層に配置されているので、
第１引き出し導体と前記隣接面に形成された端子電極と
の間に生ずる浮遊静電容量が低減される。さらに、前記
第２引き出し導体が、前記コイルを形成する導体パター
ンのコイル端部分を同一層内で延長してなり、先端が前
記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側周縁より
もチップ中心側に配置されているので、第２引き出し導
体と前記隣接面に形成された端子電極との間に生ずる浮
遊静電容量が低減される。さらにまた、前記第３引き出
し導体が２つ以上のビアホール内の導体を連結してな
り、該第３引き出し導体によって前記第１引き出し導体
の他端と前記第２引き出し導体の先端とが連結されてい
るので、該第３引き出し導体と前記隣接面に形成された
端子電極との間に生ずる浮遊静電容量の低減される。
【００３０】また、請求項７では、請求項６記載の積層
チップインダクタにおいて、前記第１引き出し導体は前
記隣接面に対してほぼ平行なＩ字形状をなし、前記第３
引き出し導体は、前記隣接面に形成された端子電極のチ
ップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置されると共に
前記コイルの周回中心線に対してほぼ平行に形成されて
いる積層チップインダクタを提案する。
【００３１】該積層チップインダクタによれば、前記第
１引き出し導体が前記隣接面に対してほぼ平行なＩ字形
状の導体パターンによって形成されるので、前記隣接面
に形成された端子電極と対向する部分の該第１引き出し
導体の面積を最小にすることができ、これらの間の浮遊
静電容量を最小にできる。
【００３２】また、請求項８では、請求項７記載の積層
チップインダクタにおいて、前記第１引き出し導体の一
端が、前記端面のほぼ中央に露出して端子電極に接続さ
れている積層チップインダクタを提案する。
【００３３】該積層チップインダクタによれば、前記第
１引き出し導体が前記隣接面に対してほぼ平行なＩ字形
状の導体パターンによって形成されるので、前記隣接面
に形成された端子電極と対向する部分の該第１引き出し
導体の面積を最小にすることができ、これらの間の浮遊
静電容量を最小にできる。さらに、前記第１引き出し導
体の一端が前記端面のほぼ中央に露出しているので、第
１引き出し導体の側辺に対向し第１引き出し導体面に垂
直な端子電極と第１引き出し導体の側辺との間に生ずる
浮遊静電容量を最小にできる。
【００３４】また、請求項９では、コイルが埋設された
直方体形状の積層体からなるチップと、該チップの互い
に対向する１対の端面のそれぞれにコイル端と接続され
た端子電極を備え、該端子電極が前記一対のチップ端面
から隣接面にかけて連続して形成されている積層チップ
インダクタにおいて、前記端子電極が前記チップの積層
方向のチップ両端部に形成されると共に、前記コイル
は、前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側周
縁よりもチップ中心側に配置され、コイル端と前記端子
電極とを接続する引き出し導体が２つ以上のビアホール
内の導体を階段状に連結してなり、該引き出し導体の一
端が前記チップ端面の中央に露出して前記端子電極に接
続されている積層チップインダクタを提案する。
【００３５】該積層チップインダクタによれば、前記コ
イルが前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、コイル
と端子電極との間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
また、２つ以上のビアホール内の導体を階段状に連結し
てなり一端がチップ端面中央に露出する引き出し導体に
よってコイル端と前記端子電極とを接続されているの
で、前記隣接面の端子電極と引き出し導体との間隔がチ
ップ端面に近づくに従って徐々に大きくなり、これらの
間の浮遊静電容量が低減される。さらに、コイルと引き
出し導体との間隔もある程度の距離をあけることができ
る。
【００３６】また、請求項１０では、コイルが埋設され
た直方体形状の積層体からなるチップと、該チップの互
いに対向する１対の端面のそれぞれにコイル端と接続さ
れた端子電極を備え、該端子電極が前記一対のチップ端
面から隣接面にかけて連続して形成されている積層チッ
プインダクタにおいて、前記端子電極が前記チップの積
層方向のチップ両端部に形成されると共に、前記コイル
は、前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側周
縁よりもチップ中心側に配置され、コイル端と前記端子
電極とを接続する引き出し導体が、前記チップ端面の中
心点を結ぶ直線上に配置された１つ以上のビアホール内
の導体を連結してなり一端が前記チップ端面に露出して
前記端子電極に接続されている第１引き出し導体と、前
記直線と平行な一直線上に配置された１つ以上のビアホ
ール内の導体を連結してなり、一端がコイル端に接続さ
れ、他端が前記隣接面に形成された端子電極のチップ中
心側周縁よりもチップ中心側に配置された第２引き出し
導体と、前記第１引き出し導体の他端と第２引き出し導
体の他端とを接続する第３引き出し導体とから構成され
ている積層チップインダクタを提案する。
【００３７】該積層チップインダクタによれば、前記コ
イルが前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、コイル
と端子電極との間に生ずる浮遊静電容量が低減される。
また、前記第１引き出し導体は前記隣接面の端子電極か
ら最も離れた位置に配置されているので、第１引き出し
導体と前記隣接面の端子電極との間に発生する浮遊静電
容量は最小量とされる。さらに、前記第２引き出し導体
の他端が、前記隣接面に形成された端子電極のチップ中
心側周縁よりもチップ中心側に配置されているので、第
２引き出し導体と端子電極との間に発生する浮遊静電容
量も極少量或いは皆無となる。
【００３８】また、請求項１１では、請求項１０記載の
積層チップインダクタにおいて、前記第３引き出し導体
は、前記隣接面に形成された端子電極のチップ中心側周
縁よりもややチップ中心側の所定層に形成された導体パ
ターンからなる積層チップインダクタを提案する。
【００３９】該積層チップインダクタによれば、前記第
３引き出し導体が前記隣接面に形成された端子電極のチ
ップ中心側周縁よりもややチップ中心側の所定層に形成
された導体パターンからなるので、第３引き出し導体と
端子電極との間に発生する浮遊静電容量も極少量或いは
皆無となる。
【００４０】また、請求項１２では、請求項１０記載の
積層チップインダクタにおいて、前記第３引き出し導体
が２つ以上のビアホール内の導体を階段状に連結してな
る積層チップインダクタを提案する。
【００４１】該積層チップインダクタによれば、前記第
３引き出し導体が２つ以上のビアホール内の導体を階段
状に連結してなるので、第３引き出し導体と端子電極と
の間に発生する浮遊静電容量も極少量となる。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。
【００４３】図１は本発明の第１の実施形態の積層チッ
プインダクタ１１０を示す平面透過図、図２は図１に示
す矢視方向の側面透過図である。図において、前述した
第１従来例と同一構成部分は同一符号をもって表しその
説明を省略する。また、第１の実施形態は、本発明の請
求項２に対応した積層チップインダクタである。また、
第１従来例と第１の実施形態との相違点は、コイル１１
１の端部を形成する導体パターンを延長して引き出し導
体１１２ａ，１１２ｂを形成し、この引き出し導体１１
２ａ，１１２ｂの先端をコイル端に最も近い端子電極周
縁部に接続したことである。
【００４４】即ち、端子電極１３ａ，１３ｂはチップ１
１の積層方向に直交する方向の両端面からこれに隣接す
る４つの側面にかけて連続して形成されている。さら
に、コイル１１１は、チップ１１の側面に形成された端
子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ
中心側に配置されている。また、コイル端と端子電極１
３ａ，１３ｂとを接続する引き出し導体１１２ａ，１１
２ｂの先端部のみがチップ側面に形成された端子電極面
と対向している。さらにまた、引き出し導体１１２ａ，
１１２ｂの先端がチップ側面に形成された端子電極１３
ａ，１３ｂのコイル端に最も近いチップ中心側周縁部に
接続されている。
【００４５】上記構成の積層チップインダクタ１１０で
は、コイル１１１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１１１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【００４６】さらに、引き出し導体１１２ａ，１１２ｂ
の先端部のみがチップ１１の側面に形成された端子電極
面と対向し、チップ１１の端面からは取得可能な最大の
距離を確保できるので、引き出し導体１１２ａ，１１２
ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容
量を従来よりも低減することができる。
【００４７】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００４８】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。
【００４９】図３は本発明の第２の実施形態の積層チッ
プインダクタ１２０を示す平面透過図、図４は図３に示
す矢視方向の側面透過図である。図において、前述した
第１従来例と同一構成部分は同一符号をもって表しその
説明を省略する。また、第２の実施形態は、本発明の請
求項３に対応した積層チップインダクタである。また、
第１従来例と第２の実施形態との相違点は、コイル１２
１の端部を形成する導体パターンを延長すること無く、
２つ以上のビアホールを階段状に連結して引き出し導体
１２２ａ，１２２ｂを形成し、この引き出し導体１１２
ａ，１１２ｂの先端をコイル端に最も近い端子電極周縁
部に接続したことである。
【００５０】即ち、端子電極１３ａ，１３ｂはチップ１
１の積層方向に直交する方向の両端面からこれに隣接す
る４つの側面にかけて連続して形成されている。さら
に、コイル１２１は、チップ１１の側面に形成された端
子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ
中心側に配置されている。
【００５１】また、コイル１２１の両端のそれぞれと端
子電極１３ａ，１３ｂとを接続する引き出し導体１２２
ａ，１２２ｂの先端部のみがチップ側面に形成された端
子電極１３ａ，１３ｂと対向している。
【００５２】さらにまた、引き出し導体１２２ａ，１２
２ｂの先端端がチップ側面に形成された端子電極１３
ａ，１３ｂのコイル端に最も近いチップ中心側周縁部に
接続されている。
【００５３】上記構成の積層チップインダクタ１２０で
は、コイル１２１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１２１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【００５４】さらに、引き出し導体１２２ａ，１２２ｂ
の先端部のみがチップ１１の側面に形成された端子電極
面と対向し、チップ１１の端面からは取得可能な最大の
距離を確保できるので、引き出し導体１１２ａ，１１２
ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容
量を従来よりも低減することができる。
【００５５】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００５６】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。
【００５７】図５は本発明の第３の実施形態の積層チッ
プインダクタ１３０を示す平面透過図、図６は図５に示
す矢視方向の側面透過図である。図において、前述した
第１従来例と同一構成部分は同一符号をもって表しその
説明を省略する。また、第３の実施形態は、本発明の請
求項４に対応した積層チップインダクタである。また、
第１従来例と第３の実施形態との相違点は、コイル１３
１の端部を形成する導体パターンを延長して第２引き出
し導体１３３ａ，１３３ｂを形成し、この第２引き出し
導体１３３ａ，１３３ｂの先端部をコイル端に最も近い
端子電極周縁部に対向させて、第２引き出し導体１３３
ａ，１３３ｂの先端部と上記端子電極周縁部とをビアホ
ール内の導体からなる第１引き出し導体１３２ａ，１３
２ｂによって接続したことである。
【００５８】即ち、端子電極１３ａ，１３ｂはチップ１
１の積層方向に直交する方向の両端面からこれに隣接す
る４つの側面にかけて連続して形成されている。さら
に、コイル１３１は、チップ１１の側面に形成された端
子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ
中心側に配置されている。
【００５９】また、第２引き出し導体１３３ａ，１３３
ｂの先端部のみがチップ側面に形成された端子電極１３
ａ，１３ｂと対向している。
【００６０】さらにまた、第２引き出し導体１３２ａ，
１３２ｂの先端がチップ側面に形成された端子電極１３
ａ，１３ｂのコイル端に最も近いチップ中心側周縁部
に、ビアホール内の導体からなる第１引き出し導体１３
２ａ，１３２ｂによって接続されている。
【００６１】上記構成の積層チップインダクタ１３０で
は、コイル１３１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１３１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【００６２】さらに、第２引き出し導体１３３ａ，１３
３ｂの先端部のみがチップ１１の側面に形成された端子
電極面と面対向している。
【００６３】また、第２引き出し導体１３３ａ，１３３
ｂの先端と第１引き出し導体１３２ａ，１３２ｂは、チ
ップ１１の端面からは取得可能な最大の距離をあけて配
置されているので、第１及び第２引き出し導体１３２
ａ，１３２ｂ、１３３ａ，１３３ｂと端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量を従来よりも低減す
ることができる。
【００６４】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００６５】次に、本発明の第４の実施形態を説明す
る。
【００６６】図７は本発明の第４の実施形態の積層チッ
プインダクタ２１０を示す平面透過図、図８は図７に示
す矢視方向の側面透過図である。図において、前述した
第２従来例と同一構成部分は同一符号をもって表しその
説明を省略する。また、第４の実施形態は、本発明の請
求項５に対応した積層チップインダクタである。また、
第２従来例と第４の実施形態との相違点は、コイル２２
の端部と端子電極２３ａ，２３ｂとを接続する引き出し
導体の一端をコイル端に最も近い端子電極周縁部に接続
した。この際、上記引き出し導体を、一端が端子電極２
３ａ，２３ｂに接続された第１引き出し導体２１１ａ，
２１１ｂと、第１引き出し導体２１１ａ，２１１ｂの他
端とコイル２２の端部とを連結する第２引き出し導体２
１２ａ，２１２ｂとから構成した。
【００６７】即ち、端子電極２３ａ，２３ｂはチップ２
１の積層方向の両端面からこれに隣接する４つの側面に
かけて連続して形成されている。さらに、コイル２２
は、チップ２１の側面に形成された端子電極２３ａ，２
３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され
ている。
【００６８】また、第２引き出し導体２１２ａ，２１２
ｂは、１つ以上のビアホール内の導体を連結することに
より形成されている。さらに、第２引き出し導体２１２
ａ，２１２ｂの先端部の外周面のみがチップ側面に形成
された端子電極２３ａ，２３ｂと対向している。
【００６９】さらにまた、第２引き出し導体２１２ａ，
２１２２ｂの先端がチップ側面に形成された端子電極２
３ａ，２３ｂのコイル端に最も近いチップ中心側周縁部
に、導体パターンからなる第１引き出し導体２１１ａ，
２１１ｂによって接続されている。
【００７０】上記構成の積層チップインダクタ２１０で
は、コイル２２がチップ側面に形成された端子電極２３
ａ，２３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配
置されているので、コイル２２と端子電極２３ａ，２３
ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しくは極
少量となる。
【００７１】さらに、第２引き出し導体２１２ａ，２１
２ｂの先端部の極微少量の外周面のみがチップ２１の側
面に形成された端子電極面と面対向し、さらに第１引き
出し導体２１１ａ，２１１ｂの導体面がチップ１１の端
面から取得可能な最大の距離をあけて配置されているの
で、第１及び第２引き出し導体２１１ａ，２１１ｂ，２
１２ａ，２１２ｂと端子電極２３ａ，２３ｂとの間に生
ずる浮遊静電容量を従来よりも低減することができる。
【００７２】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００７３】次に、本発明の第５の実施形態を説明す
る。
【００７４】図９は本発明の第５の実施形態の積層チッ
プインダクタ１４０を示す平面透過図、図１０は図９に
示す矢視方向の側面透過図である。図において、前述し
た第１従来例と同一構成部分は同一符号をもって表しそ
の説明を省略する。また、第５の実施形態は、本発明の
請求項７に対応した積層チップインダクタである。ま
た、第１従来例と第５の実施形態との相違点は、コイル
１４１の両端のそれぞれと端子電極１３ａ，１３ｂとを
接続する引き出し導体の一端をチップ１１の積層方向の
ほぼ中央においてチップ端面に露出し、端子電極１３
ａ，１３ｂに接続したことである。
【００７５】即ち、引き出し導体は、第１乃至第３引き
出し導体１４２ａ，１４２ｂ，１４３ａ，１４３ｂ，１
４４ａ，１４４ｂから構成されている。
【００７６】ここで、第２引き出し導体１４３ａ，１４
３ｂはコイル１４１の端部を形成する導体パターンをチ
ップ１１の側面に平行に延長して形成され、その先端は
チップ側面に形成されている端子電極１３ａ，１３ｂの
チップ中心側周縁よりもさらにチップ中心側に位置して
いる。
【００７７】また、第３引き出し導体１４４ａ，１４４
ｂは、２つ以上のビアホール内の導体を直線状に連結し
て形成されている。第３引き出し導体１４４ａ，１４４
ｂの一端は第２引き出し導体１４３ａ，１４３ｂの先端
部に接続され、他端はチップ１１の積層方向のほぼ中央
層に位置している。
【００７８】また、第１引き出し導体１４２ａ，１４２
ｂは、チップ１１の積層方向のほぼ中央層に形成された
Ｉ字形状の導体パターンからなり、チップ１１の側面に
対してほぼ平行に配置されている。さらに、第１引き出
し導体１４２ａ，１４２ｂの一端はチップ１１の端面に
露出して端子電極１３ａ，１３ｂに接続され、他端は第
３引き出し導体１４４ａ，１４４ｂの他端に接続されて
いる。
【００７９】また、端子電極１３ａ，１３ｂはチップ１
１の積層方向に直交する方向の両端面からこれにこれに
隣接する４つの側面にかけて連続して形成されている。
さらに、コイル１４１は、チップ１１の側面に形成され
た端子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチ
ップ中心側に配置されている。
【００８０】上記構成の積層チップインダクタ１４０で
は、コイル１４１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１４１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【００８１】また、第２引き出し導体１４３ａ，１４３
ｂ及び第３引き出し導体１４４ａ，１４４ｂがチップ側
面に形成された端子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、第２及
び第３引き出し導体１４３ａ，１４３ｂ，１４４ａ，１
４４ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に発生する浮遊
静電容量は極微少量或いは皆無となる。
【００８２】さらに、第１引き出し導体１４２ａ，１４
２ｂの導体パターン面が、この導体パターン面と平行な
端子電極１３ａ，１３ｂの面との間で取り得る最大の距
離をあけて配置されているので、第１引き出し導体１４
２ａ，１４２ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に生ず
る浮遊静電容量を従来よりも低減することができる。
【００８３】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００８４】次に、本発明の第６の実施形態を説明す
る。
【００８５】図１１は本発明の第６の実施形態の積層チ
ップインダクタ１５０を示す平面透過図、図１２は図１
１に示す矢視方向の側面透過図である。図において、前
述した第５の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。また、第６の実施形態は、
本発明の請求項８に対応した積層チップインダクタであ
る。
【００８６】また、第５の実施形態と第６の実施形態と
の相違点は、第１引き出し導体１５２ａ，１５２ｂの一
端をチップ１１の端面の中央に露出して端子電極１３
ａ，１３ｂに接続したことである。
【００８７】即ち、コイル１５１の両端のそれぞれと端
子電極１３ａ，１３ｂとを接続する引き出し導体は、第
１乃至第３引き出し導体１５２ａ，１５２ｂ，１５３
ａ，１５３ｂ，１５４ａ，１５４ｂから構成されてい
る。
【００８８】ここで、第２引き出し導体１５３ａ，１５
３ｂはコイル１５１の端部を形成する導体パターンをチ
ップ１１の側面に平行に延長して形成され、チップ側面
に形成されている端子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心
側周縁よりもさらにチップ中心側においてチップ端面に
平行になるように折り曲げられたＬ字形状をなしてい
る。さらに、第２引き出し導体１５３ａ，１５３ｂの先
端部は、チップ１１の幅方向（図１１では上下方向）の
ほぼ中央に位置している。
【００８９】また、第３引き出し導体１５４ａ，１５４
ｂは、２つ以上のビアホール内の導体を直線状に連結し
て形成されている。さらに、第３引き出し導体１５４
ａ，１５４ｂの一端は第２引き出し導体１５３ａ，１５
３ｂの先端部に接続され、他端はチップ１１の積層方向
（図１２では上下方向）のほぼ中央層に位置している。
【００９０】また、第１引き出し導体１５２ａ，１５２
ｂは、チップ１１の積層方向のほぼ中央層に形成された
Ｉ字形状の導体パターンからなり、チップ１１の側面に
対してほぼ平行に配置されている。さらに、第１引き出
し導体１５２ａ，１５２ｂの一端はチップ１１の端面に
露出して端子電極１３ａ，１３ｂに接続され、他端は第
３引き出し導体１５４ａ，１５４ｂの他端に接続されて
いる。
【００９１】また、端子電極１３ａ，１３ｂはチップ１
１の積層方向に直交する方向の両端面からこれに隣接す
る４つの側面にかけて連続して形成されている。さら
に、コイル１５１は、チップ１１の側面に形成された端
子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ
中心側に配置されている。
【００９２】上記構成の積層チップインダクタ１５０で
は、コイル１５１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１５１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【００９３】また、第２引き出し導体１５３ａ，１５３
ｂ及び第３引き出し導体１５４ａ，１５４ｂが、チップ
側面に形成された端子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心
側周縁よりもチップ中心側に配置されているので、第２
及び第３引き出し導体１５３ａ，１５３ｂ，１５４ａ，
１５４ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に発生する浮
遊静電容量は極微少量或いは皆無となる。
【００９４】さらに、第１引き出し導体１５２ａ，１５
２ｂが、チップ側面に形成された端子電極１３ａ，１３
ｂとの間で取り得る最大の距離をあけて配置されている
ので、第１引き出し導体１５２ａ，１５２ｂと端子電極
１３ａ，１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量を従来より
も低減することができる。
【００９５】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【００９６】次に、本発明の第７の実施形態を説明す
る。
【００９７】図１３は本発明の第７の実施形態の積層チ
ップインダクタ１６０を示す平面透過図、図１４は図１
３に示す矢視方向の側面透過図である。図において、前
述した第５の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。また、第７の実施形態は、
本発明の請求項６に対応した積層チップインダクタであ
る。
【００９８】また、第５の実施形態と第７の実施形態と
の相違点は、第１引き出し導体１６２ａ，１６２ｂの一
端をチップ１１の端面の中央に露出して端子電極１３
ａ，１３ｂに接続したことである。
【００９９】即ち、第１引き出し導体１６２ａ，１６２
ｂは、チップ１１の積層方向のほぼ中央層に形成された
略Ｉ字形状の導体パターンからなり、一端がチップ１１
の端面中央に露出して端子電極１３ａ，１３ｂに接続さ
れ、他端は第３引き出し導体１４４ａ，１４４ｂの他端
に接続されている。
【０１００】上記構成の積層チップインダクタ１６０に
おいても第５の実施形態と同様の効果が得られる。即
ち、コイル１４１がチップ側面に形成された端子電極１
３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に
配置されているので、コイル１４１と端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しく
は極少量となる。
【０１０１】また、第２引き出し導体１４３ａ，１４３
ｂ及び第３引き出し導体１４４ａ，１４４ｂが、チップ
側面に形成された端子電極１３ａ，１３ｂのチップ中心
側周縁よりもチップ中心側に配置されているので、第２
及び第３引き出し導体１４３ａ，１４３ｂ，１４４ａ，
１４４ｂと端子電極１３ａ，１３ｂとの間に発生する浮
遊静電容量は極微少量或いは皆無となる。
【０１０２】さらに、第１引き出し導体１６２ａ，１６
２ｂが、チップ側面に形成された端子電極１３ａ，１３
ｂとの間で距離をあけて配置されているので、第１引き
出し導体１６２ａ，１６２ｂと端子電極１３ａ，１３ｂ
との間に生ずる浮遊静電容量を従来よりも低減すること
ができる。
【０１０３】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【０１０４】次に、本発明の第８の実施形態を説明す
る。
【０１０５】図１５は本発明の第８の実施形態の積層チ
ップインダクタ１７０を示す平面透過図、図１６は図１
５に示す矢視方向の側面透過図である。図において、前
述した第５の実施形態と同一構成部分は同一符号をもっ
て表しその説明を省略する。また、第８の実施形態は、
本発明の請求項６に対応した積層チップインダクタであ
る。
【０１０６】また、第５の実施形態と第８の実施形態と
の相違点は、第１引き出し導体１７２ａ，１７２ｂの一
端をチップ１１の端面の中央に露出して端子電極１３
ａ，１３ｂに接続すると共に、第１引き出し導体１７２
ａ，１７２ｂと第２引き出し導体１４３ａ，１４３ｂを
接続する第３引き出し導体１７４ａ，１７４ｂをビアホ
ール内の導体を階段状に接続して形成したことである。
【０１０７】即ち、第３引き出し導体１７４ａ，１７４
ｂは、第２引き出し導体１４３ａ，１４３ｂの端部から
チップ１１の端面中央に向けて階段状に形成したビアホ
ール内の導体を連結して形成され、その先端はチップ１
１の積層方向のほぼ中央層に位置している。
【０１０８】また、第１引き出し導体１７２ａ，１７２
ｂは、チップ１１の積層方向のほぼ中央層に形成された
略Ｉ字形状の導体パターンからなり、一端がチップ１１
の端面中央に露出して端子電極１３ａ，１３ｂに接続さ
れ、他端は第３引き出し導体１７４ａ，１７４ｂの先端
に接続されている。
【０１０９】上記構成の積層チップインダクタ１７０に
おいても第５の実施形態とほぼ同様の効果が得られる。
即ち、コイル１４１がチップ側面に形成された端子電極
１３ａ，１３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側
に配置されているので、コイル１４１と端子電極１３
ａ，１３ｂとの間に発生する浮遊静電容量が低減される
若しくは極少量となる。
【０１１０】また、第２引き出し導体１４３ａ，１４３
ｂが、チップ側面に形成された端子電極１３ａ，１３ｂ
のチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置されてい
るので、第２引き出し導体１４３ａ，１４３ｂと端子電
極１３ａ，１３ｂとの間に発生する浮遊静電容量は極微
少量或いは皆無となる。
【０１１１】さらに、第１及び第３引き出し導体１７２
ａ，１７２ｂ，１７４ａ，１７４ｂが、チップ側面に形
成された端子電極１３ａ，１３ｂとの間で距離をあけて
配置されているので、第１及び第３引き出し導体１７２
ａ，１７２ｂ，１７４ａ，１７４ｂと端子電極１３ａ，
１３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量を従来よりも低減す
ることができる。
【０１１２】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【０１１３】次に、本発明の第９の実施形態を説明す
る。
【０１１４】図１７は本発明の第９の実施形態の積層チ
ップインダクタ２２０を示す概略斜視透視図、図１８は
平面透過図、図１９は図１８に示す矢視方向の側面透過
図である。図において、前述した第２従来例と同一構成
部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。ま
た、第９の実施形態は、本発明の請求項９に対応した積
層チップインダクタである。
【０１１５】また、第２従来例と第９の実施形態との相
違点は、コイル２２の端部と端子電極２３ａ，２３ｂと
を接続する引き出し導体２２１ａ，２２１ｂをビアホー
ル内の導体を階段状に連結して形成し、その一端をチッ
プ端面の中央に露出して端子電極に接続したことであ
る。
【０１１６】即ち、コイル２２の両端部分はチップ２１
の厚さ方向のほぼ中央に位置している。このコイル２２
の両端部分のそれぞれにビアホール内の導体を階段状に
連結した引き出し導体２２１ａ，２２１ｂが接続されて
いる。さらに、引き出し導体の２２１ａ，２２１ｂの先
端は、チップ２１の積層方向両端面の中央に露出してい
る。
【０１１７】また、端子電極２３ａ，２３ｂはチップ２
１の積層方向の両端面からこれに隣接する４つの側面に
かけて連続して形成されている。
【０１１８】さらに、コイル２２は、チップ２１の側面
に形成された端子電極２３ａ，２３ｂのチップ中心側周
縁よりもチップ中心側に配置されている。
【０１１９】上記構成の積層チップインダクタ２２０で
は、コイル２２がチップ側面に形成された端子電極２３
ａ，２３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配
置されているので、コイル２２と端子電極２３ａ，２３
ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が極少量或いは皆無とな
る。
【０１２０】さらに、引き出し導体２２１ａ，２２１ｂ
はコイル２２の端部からチップ端面の中央に向かって一
直線状に延びているので、引き出し導体２２１ａ，２２
１ｂと端子電極２３ａ，２３ｂとの間隔は第２従来例よ
りも大きくなり、これらの間に発生する浮遊静電容量を
第２従来例よりも低減することができる。
【０１２１】さらに、コイル２２の端部がコイル２２の
周回軌跡上に位置し、引き出し導体２２１ａ，２２１ｂ
がコイル２２の端部からチップ端面の中央に向かって一
直線状に延びているので、引き出し導体２２１ａ，２２
１ｂがコイル２２の発生する磁界に対して与える影響、
即ち磁界の損失も最小限に抑えることができる。
【０１２２】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【０１２３】次に、本発明の第１０の実施形態を説明す
る。
【０１２４】図２０は本発明の第１０の実施形態の積層
チップインダクタ２３０を示す概略斜視透視図、図２１
は平面透過図、図２２は図２１に示す矢視方向の側面透
過図である。図において、前述した第２従来例と同一構
成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。ま
た、第１０の実施形態は、本発明の請求項１１に対応し
た積層チップインダクタである。
【０１２５】また、第２従来例と第１０の実施形態との
相違点は、コイル２２の端部と端子電極２３ａ，２３ｂ
とを接続する引き出し導体を、チップ２１の厚さ方向の
ほぼ中央に配置した第１乃至第３引き出し導体２３１
ａ，２３１ｂ，２３２ａ，２３２ｂ，２３３ａ，２３３
ｂによって形成し、その一端をチップ端面の中央に露出
して端子電極に接続したことである。
【０１２６】即ち、コイル２２の両端部分はチップ２１
の厚さ方向のほぼ中央に位置している。このコイル２２
の両端部分のそれぞれにビアホール内の導体をチップ２
１の側面に平行な一直線状に連結した第２引き出し導体
２３２ａ，２３２ｂが接続されている。さらに、第２引
き出し導体の２３２ａ，２３２ｂの一端は、チップ側面
に形成されている端子電極２３ａ，２３ｂのチップ中心
側周縁よりもややチップ中心側に位置している。
【０１２７】第３引き出し導体２３３ａ，２３３ｂは、
チップ側面に形成されている端子電極２３ａ，２３ｂの
チップ中心側周縁よりもややチップ中心側に位置する所
定層に配置された略Ｉ字形状の導体パターンによって形
成されている。さらに、第３引き出し導体２３３ａ，２
３３ｂの一端は第２引き出し導体２３２ａ，２３２ｂの
他端に接続され、第３引き出し導体２３３ａ，２３３ｂ
の他端部はチップ端面の中心点を結ぶ直線上に位置して
いる。
【０１２８】第１引き出し導体２３１ａ，２３１ｂは、
チップ端面の中心点を結ぶ直線上に配置された２つ以上
のビアホール内の導体を連結して形成され、その一端が
チップ端面に露出して端子電極２３ａ，２３ｂに接続さ
れ、他端が第３引き出し導体２３３ａ，２３３ｂの他端
に接続されている。
【０１２９】また、端子電極２３ａ，２３ｂはチップ２
１の積層方向の両端面からこれに隣接する４つの側面に
かけて連続して形成されている。さらに、コイル２２
は、チップ２１の側面に形成された端子電極２３ａ，２
３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され
ている。
【０１３０】上記構成の積層チップインダクタ２３０で
は、コイル２２がチップ側面に形成された端子電極２３
ａ，２３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配
置されているので、コイル２２と端子電極２３ａ，２３
ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しくは極
少量となる。
【０１３１】また、第２引き出し導体２３２ａ，２３２
ｂ及び第３引き出し導体２３３ａ，２３３ｂがチップ側
面に形成された端子電極２３ａ，２３ｂのチップ中心側
周縁よりもチップ中心側に配置されているので、第２及
び第３引き出し導体２３２ａ，２３２ｂ，２３３ａ，２
３３ｂと端子電極２３ａ，２３ｂとの間に発生する浮遊
静電容量は極微少量或いは皆無となる。
【０１３２】さらに、第１引き出し導体２３１ａ，２３
１ｂが、チップ側面に形成された端子電極２３ａ，２３
ｂの面との間で取り得る最大の距離をあけて配置されて
いるので、第１引き出し導体２３１ａ，２３１ｂと端子
電極２３ａ，２３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量を従来
よりも低減することができる。
【０１３３】さらに、第２引き出し導体２３２ａ，２３
２ｂをコイル２２の端部からチップ側面に沿って延ば
し、第３引き出し導体２３３ａ，２３３ｂをコイル２２
から取り得る最大の距離をあけて配置しているので、第
２及び第３引き出し導体２３２ａ，２３２ｂ，２３３
ａ，２３３ｂがコイル２２の発生する磁界に対して与え
る影響、即ち磁界の損失も最小限に抑えることができ
る。
【０１３４】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【０１３５】次に、本発明の第１１の実施形態を説明す
る。
【０１３６】図２３は本発明の第１１の実施形態の積層
チップインダクタ２４０を示す概略斜視透視図、図２４
は平面透過図、図２５は図２４に示す矢視方向の側面透
過図である。図において、前述した第２従来例と同一構
成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。ま
た、第１１の実施形態は、本発明の請求項１２に対応し
た積層チップインダクタである。
【０１３７】また、第２従来例と第１１の実施形態との
相違点は、コイル２２の端部と端子電極２３ａ，２３ｂ
とを接続する引き出し導体を、チップ２１の厚さ方向の
ほぼ中央に配置したビアホール内の導体を連結してなる
第１乃至第３引き出し導体２４１ａ，２４１ｂ，２４２
ａ，２４２ｂ，２４３ａ，２４３ｂによって形成し、そ
の一端をチップ端面の中央に露出して端子電極に接続し
たことである。
【０１３８】即ち、コイル２２の両端部分はチップ２１
の厚さ方向のほぼ中央に位置している。このコイル２２
の両端部分のそれぞれにビアホール内の導体をチップ２
１の側面に平行な一直線状に連結した第２引き出し導体
２４２ａ，２４２ｂが接続されている。さらに、第２引
き出し導体の２４２ａ，２４２ｂの一端は、チップ側面
に形成されている端子電極２３ａ，２３ｂのチップ中心
側周縁よりもさらにチップ中心側に位置している。
【０１３９】第１引き出し導体２４１ａ，２４１ｂは、
チップ端面の中心点を結ぶ直線上に配置された２つ以上
のビアホール内の導体を連結して形成され、その一端が
チップ端面に露出して端子電極２３ａ，２３ｂに接続さ
れ、他端がチップ側面に形成されている端子電極２３
ａ，２３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ端面側に位
置している。
【０１４０】第３引き出し導体２４３ａ，２４３ｂは、
第２引き出し導体２４２ａ，２４２ｂの一端と第１引き
出し導体２４１ａ，２４１ｂの他端を結ぶ一直線状に形
成した複数のビアホール内の導体を階段状に連結して形
成されている。さらに、第３引き出し導体２４３ａ，２
４３ｂの一端は第２引き出し導体２４２ａ，２４２ｂの
一端に接続され、他端は第１引き出し導体２４１ａ，２
４１ｂの他端に接続されている。
【０１４１】また、端子電極２３ａ，２３ｂはチップ２
１の積層方向の両端面からこれに隣接する４つの側面に
かけて連続して形成されている。さらに、コイル２２
は、チップ２１の側面に形成された端子電極２３ａ，２
３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され
ている。
【０１４２】上記構成の積層チップインダクタ２４０で
は、コイル２２がチップ側面に形成された端子電極２３
ａ，２３ｂのチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配
置されているので、コイル２２と端子電極２３ａ，２３
ｂとの間に生ずる浮遊静電容量が低減される若しくは極
少量となる。
【０１４３】また、第２引き出し導体２４２ａ，２４２
ｂがチップ側面に形成された端子電極２３ａ，２３ｂの
チップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置されている
ので、第２引き出し導体２４２ａ，２４２ｂと端子電極
２３ａ，２３ｂとの間に発生する浮遊静電容量は極微少
量或いは皆無となる。
【０１４４】また、第１引き出し導体２４１ａ，２４１
ｂが、チップ側面に形成された端子電極２３ａ，２３ｂ
の面との間で取り得る最大の距離をあけて配置されてい
るので、第１引き出し導体２４１ａ，２４１ｂと端子電
極２３ａ，２３ｂとの間に生ずる浮遊静電容量を従来よ
りも低減することができる。
【０１４５】さらに、第２引き出し導体２４２ａ，２４
２ｂをコイル２２の端部からチップ側面に対して平行に
延ばし、第３引き出し導体２４３ａ，２４３ｂが第２引
き出し導体２４２ａ，２４２ｂの一端からチップ端面方
向に第１引き出し導体２４１ａ，２４１ｂの他端に向け
て一直線状に延びているので、第３引き出し導体２４３
ａ，２４３ｂと端子電極２３ａ，２３ｂとの間隔は第２
従来例よりも大きくなり、これらの間に発生する浮遊静
電容量を第２従来例よりも低減することができると共
に、第２及び第３引き出し導体２４２ａ，２４２ｂ，２
４３ａ，２４３ｂがコイル２２の発生する磁界に対して
与える影響、即ち磁界の損失も最小限に抑えることがで
きる。
【０１４６】従って、インダクタの共振周波数を従来よ
りも高めることができ、高周波特性を向上させることが
できる。
【０１４７】尚、前述した各実施形態は本願発明を適用
した一具体例であり、本願発明がこれらのみに限定され
ることは無い。
【０１４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載の積層チップインダクタによれば、コイル及び引き出
し電極と端子電極との間に発生する浮遊静電容量を従来
よりも低減することができるので、インダクタの共振周
波数の低下を低減し、高周波特性の向上を図ることがで
きる。
【０１４９】また、請求項２によれば、上記の効果に加
えて、コイル端部の導体パターンの形状変更のみで容易
に製造することができる。
【０１５０】また、請求項３によれば、上記の効果に加
えて、階段状に連結可能なビアホールを形成することに
より容易に製造することができる。
【０１５１】また、請求項４及び５によれば、上記の効
果に加えて、導体パターンの変更及びビアホールの形成
のみで容易に製造することができる。
【０１５２】また、請求項６記載の積層チップインダク
タによれば、コイル及び引き出し電極と端子電極との間
に発生する浮遊静電容量を従来よりも低減することがで
きるので、インダクタの共振周波数の低下を低減し、高
周波特性の向上を図ることができる。
【０１５３】また、請求項７によれば、上記の効果に加
えて、端子電極が形成されるチップ端面の隣接面に対し
てほぼ平行なＩ字形状の導体パターンによって第１引き
出し導体が形成されるので、前記隣接面に形成された端
子電極面と対向する部分の第１引き出し導体の面積を最
小にすることができ、これらの間の浮遊静電容量を最小
にできる。これにより、インダクタの共振周波数をさら
に高めることができる。
【０１５４】また、請求項８によれば、上記の効果に加
えて、第１引き出し導体の側辺に対向し第１引き出し導
体面に垂直な端子電極面と第１引き出し導体の側辺との
間に生ずる浮遊静電容量を最小にすることができるの
で、インダクタの共振周波数をさらに高めることができ
る。
【０１５５】また、請求項９記載の積層チップインダク
タによれば、コイル及び引き出し導体と端子電極との間
に発生する浮遊静電容量を従来よりも低減することがで
きるので、インダクタの共振周波数の低下を低減し、高
周波特性の向上を図ることができる。さらに、コイルと
引き出し導体との間隔もある程度の距離をあけることが
できるので、コイルが発生する磁界に対する引き出し導
体の影響を低減することができる。
【０１５６】また、請求項１０記載の積層チップインダ
クタによれば、コイル及び引き出し導体と端子電極との
間に発生する浮遊静電容量を従来よりも低減することが
できるので、インダクタの共振周波数の低下を低減し、
高周波特性の向上を図ることができる。さらに、コイル
と引き出し導体との間隔もある程度の距離をあけること
ができるので、コイルが発生する磁界に対する引き出し
導体の影響を低減することができる。
【０１５７】また、請求項１１によれば、上記の効果に
加えて、端子電極が形成されるチップ端面に隣接する面
に形成された端子電極面のチップ中心側周縁よりもやや
チップ中心側の所定層に形成された導体パターンによっ
て第３引き出し導体が形成されるので、第３引き出し導
体と端子電極との間に発生する浮遊静電容量も極少量或
いは皆無となり、インダクタの共振周波数をさらに高め
ることができる。
【０１５８】また、請求項１２によれば、上記の効果に
加えて、２つ以上のビアホール内の導体を階段状に連結
して第３引き出し導体が形成されるので、第３引き出し
導体と端子電極との間に発生する浮遊静電容量も極少量
となり、インダクタの共振周波数をさらに高めることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の積層チップインダク
タを示す平面透視図
【図２】本発明の第１の実施形態の積層チップインダク
タを示す側面透視図
【図３】本発明の第２の実施形態の積層チップインダク
タを示す平面透視図
【図４】本発明の第２の実施形態の積層チップインダク
タを示す側面透視図
【図５】本発明の第３の実施形態の積層チップインダク
タを示す平面透視図
【図６】本発明の第３の実施形態の積層チップインダク
タを示す側面透視図
【図７】本発明の第４の実施形態の積層チップインダク
タを示す平面透視図
【図８】本発明の第４の実施形態の積層チップインダク
タを示す側面透視図
【図９】本発明の第５の実施形態の積層チップインダク
タを示す平面透視図
【図１０】本発明の第５の実施形態の積層チップインダ
クタを示す側面透視図
【図１１】本発明の第６の実施形態の積層チップインダ
クタを示す平面透視図
【図１２】本発明の第６の実施形態の積層チップインダ
クタを示す側面透視図
【図１３】本発明の第７の実施形態の積層チップインダ
クタを示す平面透視図
【図１４】本発明の第７の実施形態の積層チップインダ
クタを示す側面透視図
【図１５】本発明の第８の実施形態の積層チップインダ
クタを示す平面透視図
【図１６】本発明の第８の実施形態の積層チップインダ
クタを示す側面透視図
【図１７】本発明の第９の実施形態の積層チップインダ
クタを示す概略斜視透視図
【図１８】本発明の第９の実施形態の積層チップインダ
クタを示す平面透視図
【図１９】本発明の第９の実施形態の積層チップインダ
クタを示す側面透視図
【図２０】本発明の第１０の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す概略斜視透視図
【図２１】本発明の第１０の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す平面透視図
【図２２】本発明の第１０の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す側面透視図
【図２３】本発明の第１１の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す概略斜視透視図
【図２４】本発明の第１１の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す平面透視図
【図２５】本発明の第１１の実施形態の積層チップイン
ダクタを示す側面透視図
【図２６】従来例の横積層型積層チップインダクタを示
す概略斜視透視図
【図２７】従来例の横積層型積層チップインダクタを示
す平面透視図
【図２８】従来例の横積層型積層チップインダクタを示
す側面透視図
【図２９】従来例の横積層型の積層チップインダクタの
積層構造を示す図
【図３０】従来例の縦積層型積層チップインダクタを示
す概略斜視透視図
【図３１】従来例の縦積層型積層チップインダクタを示
す平面透視図
【図３２】従来例の縦積層型積層チップインダクタを示
す側面透視図
【図３３】従来例の縦積層型の積層チップインダクタの
積層構造を示す図
【符号の説明】
１０，１１０〜１７０，２０，２１０〜２４０…積層チ
ップインダクタ、１１…チップ、１２，１１１，１２
１，１３１，１４１，１５１，２２…コイル、１３ａ，
１３ｂ，２３ａ，２３ｂ…端子電極、１４ａ〜１４ｇ…
コイル用導体、１５ａ〜１５ｇ…磁性材料シート、２４
ａ〜２４ｄ…コイル用導体、２５ａ〜２５ｄ，２７ａ，
２７ｂ…磁性材料シート、２６ａ，２６ｂ，１１２ａ，
１１２ｂ，１２２ａ，１２２ｂ２２１ａ，２２１ｂ…引
き出し導体、１３２ａ，１３２ｂ，１４２ａ，１４２
ｂ，１５２ａ，１５２ｂ，１６２ａ，１６２ｂ，１７２
ａ，１７２ｂ，２１１ａ，２１１ｂ，２３１ａ，２３１
ｂ，２４１ａ，２４１ｂ…第１引き出し導体、１３３
ａ，１３３ｂ，１４３ａ，１４３ｂ，１５３ａ，１５３
ｂ，２１２ａ，２１２ｂ，１６３ａ，１６３ｂ，１７３
ａ，１７３ｂ，２３２ａ，２３２ｂ，２４２ａ，２４２
ｂ…第２引き出し導体、１４４ａ，１４４ｂ，１５４
ａ，１５４ｂ，１６４ａ，１６４ｂ，１７４ａ，１７４
ｂ，２３３ａ，２３３ｂ，２４３ａ，２４３ｂ…第３引
き出し導体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 泰輔 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 山岸 雅彦 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB01 AB10 BA01 BA12 CB01 CB13 CB17 CB18

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コイルが埋設された直方体形状の積層体
    からなるチップと、該チップの互いに対向する１対の端
    面のそれぞれにコイル端と接続された端子電極を備え、
    該端子電極が前記一対のチップ端面から隣接面にかけて
    連続して形成されている積層チップインダクタにおい
    て、 前記コイルは、前記隣接面に形成された端子電極のチッ
    プ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され、 コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し導体の一
    端部のみが前記隣接面に形成された端子電極と対向する
    と共に該引き出し導体の一端が前記隣接面に形成された
    端子電極の前記コイル端に最も近いチップ中心側周縁部
    に接続されていることを特徴とする積層チップインダク
    タ。
  2. 【請求項２】 前記引き出し導体が、前記コイルを形成
    する導体パターンのコイル端部分を同一層内で延長して
    形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層チ
    ップインダクタ。
  3. 【請求項３】 前記引き出し導体が、２つ以上のビアホ
    ール内の導体を階段状に連結してなることを特徴とする
    請求項１記載の積層チップインダクタ。
  4. 【請求項４】 前記引き出し導体は、一端が前記端子電
    極に接続された第１引き出し導体と、該第１引き出し導
    体の他端とコイル端とを連結する第２引き出し導体とか
    ら構成され、 前記第１引き出し導体が１つ以上のビアホール内の導体
    を連結してなると共に、 前記第２引き出し導体が前記コイルを形成する導体パタ
    ーンのコイル端部分を同一層内で延長してなることを特
    徴とする請求項１記載の積層チップインダクタ。
  5. 【請求項５】 前記引き出し導体は、一端が前記端子電
    極に接続された第１引き出し導体と、該第１引き出し導
    体の他端とコイル端とを連結する第２引き出し導体とか
    ら構成され、 前記第１引き出し導体が所定層に形成された導体パター
    ンからなると共に、 前記第２引き出し導体が１つ以上のビアホール内の導体
    を連結してなることを特徴とする請求項１記載の積層チ
    ップインダクタ。
  6. 【請求項６】 コイルが埋設された直方体形状の積層体
    からなるチップと、該チップの互いに対向する１対の端
    面のそれぞれにコイル端と接続された端子電極を備え、
    該端子電極が前記一対のチップ端面から隣接面にかけて
    連続して形成されている積層チップインダクタにおい
    て、 前記端子電極が前記チップの積層方向と直交する方向の
    チップ両端部に形成されると共に、 前記コイルは、前記隣接面に形成された端子電極のチッ
    プ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され、 コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し導体が、 前記チップの積層面に直交する前記隣接面に形成された
    端子電極から所定距離あけて前記チップのほぼ中央層に
    配置され一端が前記チップ端面に露出して前記端子電極
    に接続されている導体パターンからなる第１引き出し導
    体と、 前記コイルを形成する導体パターンのコイル端部分を同
    一層内で延長してなり、先端が前記隣接面に形成された
    端子電極のチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置
    された第２引き出し導体と、 ２つ以上のビアホール内の導体を連結してなり、前記第
    １引き出し導体の他端と前記第２引き出し導体の先端と
    を連結する第３引き出し導体とから構成されていること
    を特徴とする積層チップインダクタ。
  7. 【請求項７】 前記第１引き出し導体は前記隣接面に対
    してほぼ平行なＩ字形状をなし、 前記第３引き出し導体は、前記隣接面に形成された端子
    電極のチップ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され
    ると共に前記コイルの周回中心線に対してほぼ平行に形
    成されていることを特徴とする請求項６記載の積層チッ
    プインダクタ。
  8. 【請求項８】 前記第１引き出し導体の一端が、前記チ
    ップ端面のほぼ中央に露出して端子電極に接続されてい
    ることを特徴とする請求項７記載の積層チップインダク
    タ。
  9. 【請求項９】 コイルが埋設された直方体形状の積層体
    からなるチップと、該チップの互いに対向する１対の端
    面のそれぞれにコイル端と接続された端子電極を備え、
    該端子電極が前記一対のチップ端面から隣接面にかけて
    連続して形成されている積層チップインダクタにおい
    て、 前記端子電極が前記チップの積層方向のチップ両端部に
    形成されると共に、 前記コイルは、前記隣接面に形成された端子電極のチッ
    プ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され、 コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し導体が２
    つ以上のビアホール内の導体を階段状に連結してなり、
    該引き出し導体の一端が前記チップ端面の中央に露出し
    て前記端子電極に接続されていることを特徴とする積層
    チップインダクタ。
  10. 【請求項１０】 コイルが埋設された直方体形状の積層
    体からなるチップと、該チップの互いに対向する１対の
    端面のそれぞれにコイル端と接続された端子電極を備
    え、該端子電極が前記一対のチップ端面から隣接面にか
    けて連続して形成されている積層チップインダクタにお
    いて、 前記端子電極が前記チップの積層方向のチップ両端部に
    形成されると共に、 前記コイルは、前記隣接面に形成された端子電極のチッ
    プ中心側周縁よりもチップ中心側に配置され、 コイル端と前記端子電極とを接続する引き出し導体が、 前記チップ端面の中心点を結ぶ直線上に配置された１つ
    以上のビアホール内の導体を連結してなり一端が前記チ
    ップ端面に露出して前記端子電極に接続されている第１
    引き出し導体と、 前記直線と平行な一直線上に配置された１つ以上のビア
    ホール内の導体を連結してなり、一端がコイル端に接続
    され、他端が前記隣接面に形成された端子電極のチップ
    中心側周縁よりもチップ中心側に配置された第２引き出
    し導体と、 前記第１引き出し導体の他端と第２引き出し導体の他端
    とを接続する第３引き出し導体とから構成されているこ
    とを特徴とする積層チップインダクタ。
  11. 【請求項１１】 前記第３引き出し導体は、前記隣接面
    に形成された端子電極のチップ中心側周縁よりもややチ
    ップ中心側の所定層に形成された導体パターンからなる
    ことを特徴とする請求項１０記載の積層チップインダク
    タ。
  12. 【請求項１２】 前記第３引き出し導体が２つ以上のビ
    アホール内の導体を階段状に連結してなることを特徴と
    する請求項１０記載の積層チップインダクタ。
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