TW201811944A - 化學機械研磨用漿料組合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 18
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 11
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 9
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 8
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 21
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 4,5-dichloro-2-n-octyl-3(2H)-isothiazolone Chemical compound CCCCCCCCN1SC(Cl)=C(Cl)C1=O PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N chloromethylisothiazolinone Chemical compound CN1SC(Cl)=CC1=O DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- GRLPQNLYRHEGIJ-UHFFFAOYSA-J potassium aluminium sulfate Chemical compound [Al+3].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRLPQNLYRHEGIJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GCZLBHOAHLBGEA-UHFFFAOYSA-N 3-butyl-1,2-benzothiazole 1-oxide Chemical compound C1=CC=C2C(CCCC)=NS(=O)C2=C1 GCZLBHOAHLBGEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K ammonium aluminium sulfate Chemical compound [NH4+].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N benzo[d]isothiazol-3-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NSC2=C1 DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 2
- JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N octhilinone Chemical compound CCCCCCCCN1SC=CC1=O JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- JSQZLEYFOOSZPU-UHFFFAOYSA-N 1-[(3-carbamimidoylphenyl)methyl]-n-[(3,5-dimethylphenyl)methyl]-4-methylindole-2-carboxamide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(CNC(=O)C=2N(C3=CC=CC(C)=C3C=2)CC=2C=C(C=CC=2)C(N)=N)=C1 JSQZLEYFOOSZPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- HSEYYGFJBLWFGD-UHFFFAOYSA-N 4-methylsulfanyl-2-[(2-methylsulfanylpyridine-3-carbonyl)amino]butanoic acid Chemical compound CSCCC(C(O)=O)NC(=O)C1=CC=CN=C1SC HSEYYGFJBLWFGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N isothiazolinone Chemical compound O=C1C=CSN1 MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- HAMGRBXTJNITHG-UHFFFAOYSA-N methyl isocyanate Chemical compound CN=C=O HAMGRBXTJNITHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
本發明公開一種在酸性環境下由於根據經時的pH變化小，從而可容易長時間保存的化學機械研磨用漿料組合物。上述化學機械研磨用漿料組合物包括研磨料、鋁0.000006~0.01重量%及水。較佳地，上述研磨料表面的矽烷醇基的數量和鋁含量滿足以下數學式1的條件。 [數學式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S為在研磨料表面1nm2
上存在的矽烷醇基的數量（單位：個/nm2
），C為漿料組合物中的鋁含量（重量%）。
Description
本發明涉及化學機械研磨用漿料組合物，更為詳細地，涉及一種在酸性環境下，因經時的pH變化小，從而容易長時間保存的化學機械研磨用漿料組合物。
在應用積體電路技術的半導體晶片中，包括電晶體、電容器、電阻等很多功能要素（元件），而這樣的個別功能要素通過按一定形狀繪製的配線而相互連接從而形成電路。積體電路經過幾代變為小型化，由此一個晶片所具有的功能也逐漸增加。在半導體晶片的小型化過程中，單純減少元件的大小存在限制，因此，最近積極開展對以多層形成各元件的多層配線結構的研究。為製造上述多層配線結構的半導體元件，需執行研磨金屬膜平整化的製程。但是，金屬膜一般因強度高不宜研磨，因此，為了有效研磨金屬膜，需將金屬膜氧化成強度比較低的金屬氧化物形態之後，對其進行研磨。在研磨上述金屬膜的漿料組合物中，當作為研磨料使用二氧化矽時，隨著在酸性區域的漿料組合物的保存時間變長，有可能發生粒子大小或pH增加等經時變化，由此在儲存壽命時間（Shelf life time）方面產生問題。
因此，本發明的目的在於提供一種在酸性區域保持優秀的研磨性能的同時，根據長期保存的變化小，從而具有長期保存穩定性的化學機械研磨用漿料組合物。
為達到上述目的，本發明提供一種化學機械研磨用漿料組合物，其包括：研磨料（abrasive）、鋁0.000006~0.01重量%及水。較佳地，上述研磨料表面的矽烷醇基的數量和鋁含量滿足以下數學式1的條件。 [數學式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S為在研磨料表面1nm2
上存在的矽烷醇基的數量（單位：個/nm2
），C為漿料組合物中的鋁含量（重量%）。
本發明的漿料組合物儲存壽命時間優秀，防止因在酸性區域使pH增加的經時變化，而使漿料的研磨性能降低，從而劃痕 (Scratch)增加或研磨速度改變等問題，並由於庫存壽命時間得到提高，容易長期保存。
下面，對本發明進行詳細說明。
本發明的化學機械研磨用漿料組合物研磨速度優秀，劃痕的產生少，儲存壽命時間也優秀，可長期保存，包括研磨料、鋁及水。
上述研磨料用以研磨物件膜，使用氣相二氧化矽（fumed silica）、膠體二氧化矽（colloidal silica）及其混合物等二氧化矽類研磨料。上述研磨料的粒子大小為5~200 nm，具體而言10~150 nm，而相對於總漿料組合物，上述研磨料的含量為0.001~20重量%，具體為0.01~10重量%，更具體為0.1~5重量%。若上述研磨料的粒子大小過小或含量過少，則有可能降低金屬膜的研磨速度，而若過大或過多，則有可能過度產生對金屬膜及二氧化矽氧化膜的劃痕。
二氧化矽類研磨料表面的矽烷醇基（silanol group）是指Si-OH或Si-O-官能團，並確認到研磨料表面的矽烷醇基數量越多研磨速度越優秀。因為研磨料表面的具有化學活性的矽烷醇基越多，研磨料容易與氧化膜表面的氫氧基結合，從而通過物理摩擦容易去除氧化膜表面，提高研磨速度。另外，矽烷醇基越多，相對地，Si-O-Si縮合度低，不會發生過度的物理摩擦，從而減少劃痕（Scratch）。與此相反，若研磨料表面的矽烷醇基過多，則在酸性區域的分散儲存壽命時間降低，長期保存時將發生pH變化。若發生上述pH變化等儲存壽命時間問題，則即使研磨速度等研磨性能優秀，也無法長時間維持品質，降低商品性。商品化的漿料產品通常需要最少3~6個月以上的儲存壽命時間。因此，本發明的漿料組合物使用研磨料表面的矽烷醇基數量較佳地為1~10個/nm2
，更佳地為1~8個/nm2
，又更佳地為2~5個/nm2
的二氧化矽類研磨料，從而能夠提高漿料組合物的研磨速度，抑制劃痕的發生。若上述矽烷醇基的數量少於1個/nm2
，則具有因研磨速度過低，增加不均勻度，增加劃痕的問題，而若上述矽烷醇基的數量超過10個/nm2
，則研磨速度的上升效果減少，因研磨料表面的活化度過高而降低分散穩定性，具有有可能發生凝集及沉澱的擔憂。
用於本發明的化學機械研磨用漿料組合物的鋁，在長期保存漿料組合物時，起到抑制pH等的變化，改善漿料組合物的穩定性的一種pH穩定劑（pH stabilizer）的作用。上述鋁包括鋁鹽（Aluminum salts，鋁鹽化合物），可根據需要，由鋁鹽構成。上述鋁鹽為鋁的氯化物（Cl）、硫酸鹽（SO4
）、銨鹽（NH4
）、鉀鹽（K）、氫氧化物（OH）、甲基化物（CH3
）、磷化物（P）及其混合物等，具體而言，可包括氯化物（Cl）、硫酸鹽（SO4
）、鉀（K）及其混合物等，例如，氯化鋁（aluminum chloride，AlCl3
）、硫酸鋁（aluminum sulfate，Al2
(SO4
)3
）、硫酸鋁銨（ammonium aluminum sulfate，(NH4
)Al(SO4
)2
）、硫酸鋁鉀（aluminum potassium sulfate，KAl(SO4
)2
）、氫氧化鋁（aluminum hydroxide，Al(OH)3
）、 三甲基鋁（trimethyl aluminum，C6
H18
Al2
）、磷化鋁（aluminum phosphide，AlP）及其混合物等，具體地，從由氯化鋁、硫酸鋁、硫酸鋁銨、硫酸鋁鉀及其混合物所組成的群組中選擇，更具體地，從由氯化鋁、硫酸鋁、硫酸鋁鉀及其混合物所組成的群組中選擇，最具體地，從由氯化鋁、硫酸鋁及其混合物所組成的群組中選擇。上述鋁在漿料組合物內，可以與鋁鹽及/或研磨料結合的形態及/或鋁離子的狀態而存在。即，在本發明的組合物內，上述鋁可以從由鋁鹽、鋁原子吸附於研磨料表面的形態及鋁離子（Al3+
）所組成的群組中選擇一種以上的形態而存在。
在本發明的化學機械研磨用漿料組合物中，上述鋁含量為0.000006~0.01重量%，具體為0.0001~0.005重量%。若上述鋁的含量過低，則有可能使pH經時變化抑制效果不充分，而若過高，則反而出現離子大小增加的問題。即，在酸性區域，若漿料內鋁的含量超過0.01重量%，則與二氧化矽表面的矽烷醇基數量無關地，在電雙層壓縮的同時產生凝聚，確認到粒子大小（particle size）增加的現象。離子濃度越高，離子的化合價越大，電雙層壓縮更多，發生凝聚。因此，根據本發明，少量包含鋁鹽才能在無粒子大小增加的情況下，有效穩定化pH。另外，過度使用鋁有可能污染半導體製程，從而不是較佳的選擇。
根據本發明的一個方面，在漿料組合物中，若研磨料表面的矽烷醇基數量和鋁含量滿足如下數學式1的條件，則在長期保存漿料組合物時，可更有效地抑制pH變化，從而穩定化漿料組合物。 [數學式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S為在研磨料表面1nm2
上存在的矽烷醇基的數量（單位：個/nm2
），C為漿料組合物中的鋁含量（重量%）。上述矽烷醇基的數量可通過核磁共振（nuclear magnetic resonance，NMR）分析法、熱重分析法（thermogravimetric analysis，TGA）、傅立葉轉換紅外光譜法（Fourier transform infrared spectroscopy，FT-IR）、滴定法（Titration）等進行測量，而在本發明中使用了利用NaOH的滴定法來進行測量。
研磨料表面的矽烷醇基數量（S）越多，在包含一定含量以上的鋁時，發生隨著電雙層的厚度被壓縮，分散性急劇降低的問題。因此，根據研磨料表面的矽烷醇基數量，在包含過量的鋁時，因粒子大小的增加而分散儲存壽命時間反而降低。即，根據研磨料表面的矽烷醇基的數量，應包含滿足數學式1的適量的鋁，才能在無粒子大小增加的情況下，獲得pH穩定化效果。當研磨料表面的矽烷醇基數量（S）和鋁含量（C）的乘積（(S*C)*100）超過4.5，則雖然可以獲得pH穩定化效果，但因研磨料粒子表面的穩定性減少，從而粒子大小增加。與此相反，當研磨料表面的矽烷醇基的數量（S）和鋁含量（C）的乘積（(S*C)*100）小於0.0005，則無法獲得pH穩定化效果。即，為了獲得漿料組合物的長期保存穩定性，研磨料表面的矽烷醇基的數量（S）和鋁含量（C）的乘積（(S*C)*100）不能超過4.5。
構成本發明的化學機械研磨用漿料組合物的其餘成分為水，可使用去離子水及蒸餾水等，當以重量%表示上述水的含量，則上述水的含量例如可以是79.95~99重量%，具體可為89.95~99重量%。在本說明書中，漿料組合物的其餘成分為水意味著，本發明的組合物，在包含研磨料、鋁成分及根據需要而包含其他添加劑時，除研磨料、鋁成分及根據需要使用的添加劑之外的其餘成分為水。本發明的化學機械研磨用漿料組合物的pH為1~6，具體為1~4，若上述漿料組合物的pH過高，則因氧化膜形成不充分而有可能降低研磨速度。
本發明的化學機械研磨用漿料組合物，可根據需要還包括pH調節劑（pH adjusting agent）及/或除生物劑（biocide）。
上述pH調節劑起到將上述漿料組合物的pH調節為1~6，具體地調節為1~4的作用，可無限制地使用用於常規漿料組合物的pH調節劑（酸、鹼），例如有硝酸、鹽酸、硫酸等酸，氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨等，具體地，可單獨或混合使用四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨等的鹼及其混合物。相對於總漿料組合物，上述pH調節劑的含量為0.0005~5重量%，具體為0.001~1重量%。若上述pH調節劑的含量超過上述範圍，則漿料組合物的pH調節變難，並誘發因金屬雜質（metal impurity）的作用而導致的晶片（wafer）污染及不良。
上述除生物劑防止化學機械研磨用漿料組合物被細菌、黴菌等微生物污染，可使用常規利用的產品，具體地可使用異噻唑啉酮（Isothiazolinone）或其衍生物，例如可使用甲基異噻唑啉酮（Methyl isothiazolinone，MIT、MI）、甲基氯異噻唑啉酮（Chloromethyl isothiazolinone，CMIT、CMI、MCI）、 苯並異噻唑啉酮（Benzisothiazolinone，BIT）、辛基異噻唑啉酮（Octylisothiazolinone，OIT、OI）、二氯辛基異噻唑啉酮（Dichlorooctylisothiazolinone，DCOIT、DCOI）、丁基苯並異噻唑啉酮（Butylbenzisothiazolinone，BBIT）等。相對於總漿料組合物，上述除生物劑的含量為0.0001~0.05重量%，具體為0.001~0.01重量%。若上述除生物劑的含量過少，則有可能會使抑制微生物的效果差，而若過多，則有可能降低漿料組合物的分散性。
另外，本發明的漿料組合物可用於研磨金屬膜及絕緣膜（SiO2
），當研磨對象為鎢（W）、鋁（Al）、銅（Cu）等金屬膜時，還可包括氧化劑（oxidizing agent）。上述氧化劑在金屬膜表面快速形成氧化膜以使金屬膜的研磨變得容易，可無限制地使用用於化學機械研磨用漿料組合物的常規的氧化劑，具體地可使用過氧化氫、碘酸鉀及其混合物。上述氧化劑將晶片、基板等的金屬膜氧化為相應的氧化物。相對於總漿料組合物，上述氧化劑的含量為0.005~10重量%，具體為0.2~5重量%。若上述氧化劑的含量過少，則金屬膜的研磨速度有可能降低，而若過多，則研磨效率有可能降低。
當上述研磨物件為鎢金屬膜時，還可包括催化劑（catalyst）。上述催化劑可無限制地使用通常用於化學機械研磨用漿料組合物的催化劑，具體地可使用奈米矽鐵（FeSi）、鐵鹽化合物（例如硝酸鐵、氯化鐵、硫酸鐵、醋酸鐵等）等。相對於總漿料組合物，上述催化劑的含量為0.00001~0.5重量%，具體為0.001~0.05重量%。若上述催化劑的含量過少，則金屬膜的研磨速度有可能降低，而若過多，則因反應性過度增加而有可能使得研磨速度不均勻。
本發明的化學機械研磨用漿料組合物可混合攪拌0.001~20重量%的研磨料、0.000006~0.01重量%的鋁以及其餘的水而製得，而且，可根據需要還可包括0.0005~5重量%的pH調節劑、0.0001~0.05重量%的除生物劑、0.005~10重量%的氧化劑及0.00001~0.1重量%的催化劑。
下面，通過實施例對本發明進行更詳細的說明，但本發明不受下述實施例的限制。
[實施例1至11及比較例1至4]漿料組合物的製造
在常溫下混合下述表1所示含量的成分，並利用機械攪拌器（Mechanical stirrer）進行攪拌製得漿料組合物（實施例1至11及比較例1至4）。
表1
[實驗例1]確認漿料組合物的經時變化
將在上述實施例1至11及比較例1至4中製得的漿料組合物在常溫下保存六個月之後，利用pH分析儀（Metrohm 704，Metrohm）及粒徑分析儀（ELS-Z，Otsuka Electronics）測量各自的pH及粒子大小的經時變化，將pH的經時變化表示於以下表2，而將粒子大小的經時變化（單位：nm）表示於以下表3。
表2
表3
如上述表2所示，可確認在使用0.000004重量%的氯化鋁的比較例3的情況下，較之比較例1雖然pH經時變化量減少，但效果不足，相反地使用0.000006重量%以上含量的鋁的實施例1至11及比較例4的情況下，較之比較例1至3，幾乎沒有發生pH經時變化。另外，如上述表3所示，在使用0.00002重量%的氯化鋁（AlCl3
）的比較例3的情況下，雖然幾乎沒有發生粒子大小變化，但pH變化抑制效果不足，而在使用0.0001~0.05重量%的氯化鋁（AlCl3
）、硫酸鋁（Al2
(SO4
)3
）、硫酸鋁鉀或硫酸鋁銨的實施例1至11的情況下，較之比較例1至2，可確認到幾乎沒有發生粒子大小（particle size）的經時變化。但是，反而在鋁含量大於0.01重量%的情況下，可確認到如在比較例4中那樣，較之比較例1，粒子大小反而增加的結果，從而可知只有適量使用，才對不發生經時變化上是有效的。
[實驗例2]研磨速度實驗的測量
在應用材料公司（Applied Materials公司）的Mirra 3400研磨設備（Polisher）上附著IC-1010研磨墊（Rohm & Haas公司產品），安裝8英寸鎢（W）及8英寸絕緣膜（PE-TEOS）空白晶片（blanket wafer）。接著，注入在上述實施例1至8及比較例1至4中製得的漿料組合物從而供應至上述晶片的同時，研磨鎢膜（W）及絕緣膜60秒鐘，此時，上述實施例7、8及比較例2在注入漿料組合物之前追加混合過氧化氫2重量%進行研磨，其結果表示於下述表4。上述過氧化氫在與漿料組合物混合之後，若將過氧化氫使用為氧化劑，則會進行分解，因此，在研磨前進行混合。下述表4的IC壓力、RR壓力、EC壓力、UC壓力各為真空艙內壓力(Inter Chamber Pressure)、護環壓力(Retainer Ring Pressure)、真空艙外壓力(External Chamber Pressure)、上真空艙壓力(Upper Chamber Pressure)，表示安裝晶片的頭端(Head)內的不同區域的壓力條件。
表4
將鎢（W）膜及絕緣膜的研磨速度（Removal Rate，單位：Angstrom(Å)/min，下稱“R/R”）分別用電阻測量儀（CMT-2000, 4-point probe，（株）昌民Tech產品/Thermawave OP-2600，KLA TENCOR產品）測量的結果表示於下述表5（SiO2
研磨速度）及表6（鎢（W）研磨速度）。在此，利用“研磨速度=CMP前厚度-CMP後厚度”的計算來求出。
表5
表6
如同上述表5及表6所示，可知隨著氯化鋁含量的增加，不對SiO2
研磨速度產生影響，而分別使用氯化鋁0.01重量%的結果表明，較之比較例2，鎢的研磨速度沒有受到影響。
[參考例1至21]根據矽烷醇基數量的漿料組合物的劃痕抑制效果測量
製造出包括具有如下表7所示的表面矽烷醇基的數量的膠體二氧化矽5重量%、用於將pH調整為2.5的pH調節劑（硝酸或四甲基氫氧化銨）及其餘為蒸餾水的漿料組合物。矽烷醇基的數量（ρ[個/nm2
]）的測量，利用滴定法（Titration）按如下方法進行。首先，以分析容器內的二氧化矽的總面積達到90m2
的方式製造適量（100ml以下）的溶液來，準備滴定用樣品（X [ml]）。接著，使用0.1MHNO3
水溶液將漿料組合物的pH調節為3，充分進行穩定化使得直至pH變化量達到0.01以下。之後，使用0.1MNaOH水溶液，以0.5mV/min以下的速度滴定至pH10為止，求得對於滴定溶液的H+
及OH-
mol數沒有變化的區域的0.1MNaOH需要量（Y [mol]）。對此，以滴定用樣品的初始量（X [ml]）相除，求得吸附於二氧化矽粒子的[OH-
](B [mol/L]）-
](B=Y/X）。從下述數學式2計算出二氧化矽粒子所具有的矽烷醇基密度。 [數學式2]在此，NA [個/mol]為亞佛加厥常數,SBET [m2
/g]為二氧化矽粒子的比表面積，Cp [g/L]為二氧化矽粒子的濃度。
利用製得的漿料組合物研磨絕緣膜（PE-TEOS）無圖形晶片（blanket wafer）60秒之後，利用Negevtech defect inspection設備測量形成於晶片的劃痕（scratch）數量。另外，測量上述漿料組合物的SiO2
絕緣膜研磨速度及在常溫下保存30天前後的pH變化量表示於表7。
表7
如上述表7所示，可知隨著二氧化矽表面的矽烷醇基數量的增加，Oxide研磨速度增加，但相反地，Scratch減少。另外，隨著二氧化矽表面的矽烷醇基數量的增加，在常溫下保存時，確認到pH增加的現象，尤其是在10個/nm2
以上的情況下，確認到pH變化量急劇增加。
[實施例12至21，比較例5至10]根據矽烷醇基數量及鋁含量的漿料組合物的長期保存穩定性測量
製造出包括具有如下表8所示的表面矽烷醇基數量的膠體二氧化矽5重量%、各種含量的硫酸鋁、用於將pH調整為2.5的pH調節劑（硝酸或四甲基氫氧化銨）及其餘為蒸餾水的漿料組合物。對製得的漿料組合物的隨時間變化的pH變化量及細微性變化量進行測量並表示於表9。
表8
表9
如上述表9所示，可知當漿料內的二氧化矽表面的矽烷醇基數量和鋁含量的乘積滿足0.0005≤(S * C)*100≤4.5時，在常溫下能更有效地長時間穩定化pH。如同於比較例9及10，當(S * C)*100超過4.5時，pH實現穩定化，但相反地，粒子大小急劇增加，而如同於比較例5至8，當(S * C)*100小於0.0005時，pH穩定化效果不足。
無
無
Claims (14)
- 一種化學機械研磨用漿料組合物，其包括： 一研磨料； 鋁，0.000006~0.01重量%；以及 水。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，該研磨料選自由氣相二氧化矽、膠體二氧化矽及其混合物所組成的群組中，且其含量為0.001~20重量%。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，該研磨料表面的矽烷醇基的數量為1~10個/nm2 。
- 如申請專利第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，該鋁可由鋁鹽、鋁原子吸附於研磨料表面的形態及鋁離子（Al3+ ）所組成的群組中選擇一種以上的形態而存在。
- 如申請專利範圍第4項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，該鋁鹽選自由鋁的氯化物（Cl）、硫酸鹽（SO4 ）、銨鹽（NH4 ）、鉀鹽（K）、氫氧化物（OH）、甲基化物（CH3 ）、磷化物（P）及其混合物所組成的群組中。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，該研磨料表面的矽烷醇基的數量和鋁含量滿足以下數學式1的條件： [數學式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S為存在於研磨料表面1nm2 的矽烷醇基數量（單位：個/nm2 ），C為漿料組合物中的鋁含量（重量%）。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括一pH調節劑，而該pH調節劑選自由硝酸、鹽酸、硫酸，氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨及其混合物所組成的群組中。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括0.005~10重量%的氧化劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括0.0001~0.05重量%的除生物劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括0.00001~0.5重量%的選自奈米矽鐵或鐵鹽化合物而組成的催化劑。
- 一種化學機械研磨用漿料組合物，其包括： 一研磨料0.001~20重量%； 鋁0.000006~0.01重量%； 由奈米矽鐵或鐵鹽化合物而組成的催化劑0.00001~0.5重量%；以及 其餘的水。
- 如申請專利範圍第11項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括將pH調節至1~6的一pH調節劑及0.0001~0.05重量%的除生物劑， 該pH調節劑選自由硝酸、鹽酸、硫酸，氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨及其混合物所組成的群組中。
- 如申請專利範圍第11項所述之化學機械研磨用漿料組合物，其進一步包括氧化劑0.005~10重量%。
- 一種化學機械研磨用漿料組合物，其包括： 一研磨料0.001~20重量%； 鋁0.000006~0.01重量%； 由奈米矽鐵或鐵鹽化合物而組成的催化劑0.00001~0.5重量%； 氧化劑0.005~10重量%；以及 其餘的水。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20160061230 | 2016-05-19 | ||
| KR10-2016-0061230 | 2016-05-19 | ||
| ??10-2016-0061230 | 2016-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201811944A true TW201811944A (zh) | 2018-04-01 |
| TWI736623B TWI736623B (zh) | 2021-08-21 |
Family
ID=60325360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106116625A TWI736623B (zh) | 2016-05-19 | 2017-05-19 | 化學機械研磨用漿料組合物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11001732B2 (zh) |
| JP (1) | JP7032327B2 (zh) |
| KR (1) | KR102450333B1 (zh) |
| CN (1) | CN109153889B (zh) |
| TW (1) | TWI736623B (zh) |
| WO (1) | WO2017200297A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7213234B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2023-01-26 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ粒子分散液、研磨組成物及びシリカ粒子分散液の製造方法 |
| KR20200082827A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학-기계적 연마 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
| WO2020196542A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法 |
| JP7356865B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-10-05 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物、及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
| JP7356864B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-10-05 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物、及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
| TW202138504A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-10-16 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨用組合物 |
| US11180679B1 (en) | 2020-05-27 | 2021-11-23 | Skc Solmics Co., Ltd. | Composition for semiconductor processing and method for polishing substrate using the same |
| WO2023007722A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3922393A (en) * | 1974-07-02 | 1975-11-25 | Du Pont | Process for polishing silicon and germanium semiconductor materials |
| JPS6086186A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエ−ハ研摩材 |
| US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| JPH0781132B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
| JPH1121545A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| US6258140B1 (en) | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
| US20020039839A1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-04-04 | Thomas Terence M. | Polishing compositions for noble metals |
| EP2045307A1 (en) | 2000-05-12 | 2009-04-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing composition |
| JP2003197573A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Ekc Technology Kk | メタル膜絶縁膜共存表面研磨用コロイダルシリカ |
| US6893476B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-05-17 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal |
| TW200516122A (en) * | 2003-06-27 | 2005-05-16 | Showa Denko Kk | Polishing composition and method for polishing substrate using the composition |
| US20050104048A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Thomas Terence M. | Compositions and methods for polishing copper |
| US8038752B2 (en) * | 2004-10-27 | 2011-10-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Metal ion-containing CMP composition and method for using the same |
| JP2006231436A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨用スラリーおよび研磨方法 |
| JP4954558B2 (ja) | 2006-01-31 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 金属用研磨液、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
| US20070176142A1 (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-02 | Fujifilm Corporation | Metal- polishing liquid and chemical-mechanical polishing method using the same |
| JP2007207908A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | バリア層用研磨液 |
| JP2007299942A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
| US20070298611A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Jinru Bian | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
| US9074118B2 (en) | 2006-07-12 | 2015-07-07 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method for metal-containing substrates |
| CN101541476A (zh) * | 2007-02-20 | 2009-09-23 | 住友电气工业株式会社 | 研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法 |
| JP2008288537A (ja) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及び化学的機械的研磨方法 |
| JP2009238930A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液、及び化学的機械的研磨方法 |
| JP2009289887A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液、化学的機械的研磨方法、および新規化合物 |
| KR100928456B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2009-11-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 이온화되지 않는 열활성 나노촉매를 포함하는 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
| US8697576B2 (en) | 2009-09-16 | 2014-04-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing polysilicon |
| MY169261A (en) * | 2012-02-29 | 2019-03-20 | Hoya Corp | Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate and method for manufacturing magnetic disk |
| JP2013227168A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 表面に凹凸のあるシリカ粒子を有するコロイダルシリカ、その製造方法及びそれを用いた研磨剤 |
| JP6291026B2 (ja) | 2013-03-15 | 2018-03-14 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | サファイアの表面を研磨する方法 |
| KR102427981B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2022-08-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 금속막 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법 |
| CN104650739A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于抛光二氧化硅基材的化学机械抛光液 |
| JP6482234B2 (ja) | 2014-10-22 | 2019-03-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| CN104588568B (zh) * | 2014-11-21 | 2016-07-27 | 广东惠和硅制品有限公司 | 一种铝改性硅溶胶的制备方法 |
| US9803109B2 (en) * | 2015-02-03 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for silicon nitride removal |
-
2017
- 2017-05-17 KR KR1020170061076A patent/KR102450333B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-17 CN CN201780030849.5A patent/CN109153889B/zh active Active
- 2017-05-17 JP JP2018560761A patent/JP7032327B2/ja active Active
- 2017-05-17 WO PCT/KR2017/005118 patent/WO2017200297A1/ko active Application Filing
- 2017-05-19 TW TW106116625A patent/TWI736623B/zh active
-
2018
- 2018-11-13 US US16/189,236 patent/US11001732B2/en active Active
- 2018-11-13 US US16/189,207 patent/US20190077993A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102450333B1 (ko) | 2022-10-04 |
| JP2019522896A (ja) | 2019-08-15 |
| WO2017200297A1 (ko) | 2017-11-23 |
| US20190077994A1 (en) | 2019-03-14 |
| US11001732B2 (en) | 2021-05-11 |
| CN109153889A (zh) | 2019-01-04 |
| TWI736623B (zh) | 2021-08-21 |
| CN109153889B (zh) | 2021-10-29 |
| US20190077993A1 (en) | 2019-03-14 |
| JP7032327B2 (ja) | 2022-03-08 |
| KR20170131247A (ko) | 2017-11-29 |
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