TW201805725A - 處理裝置及物品之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種對基板進行處理的處理裝置，其具有夾具、矯正構材、第1減壓部和控制部，夾具吸附前述基板的背面並保持基板，矯正構材包括與被前述夾具保持的前述基板的表面相向的相向面和與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出的凸部，前述凸部與前述外周區域相接，在前述相向面和前述表面的比前述外周區域靠內側的中央區域之間限定第1空間，第1減壓部經由與前述第1空間連通的被形成在前述矯正構材的連通路徑對前述第1空間進行減壓，控制部進行在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下通過由前述第1減壓部對前述第1空間進行減壓而使前述基板仿形於前述夾具的處理。

Description

處理裝置及物品之製造方法
本發明涉及處理裝置以及物品的製造方法。
半導體設備的製造中使用的曝光裝置具有基板載台和相對於基板載台進行基板的供給以及回收的搬運臂。基板載台經基板夾具真空吸附並保持基板。
伴隨著半導體設備的高積體化，配線的微細化、多層化發展。若配線層多層化，則隨著進入半導體設備的製造程序的後續程序，會發現由於成膜中的膜應變積累而在基板整體產生翹曲的現象。例如，在成為半導體芯片的層疊技術的TSV(Through Silicon Via)程序中，由於在作為貫通電極的金屬(例如，銅)和其周圍的矽之間的熱膨脹係數的差異，在貫通電極和矽之間產生應變。對於這樣的產生了翹曲的基板，不能進行由真空吸附進行的保持。
因此，針對基板的保持，日本特開2001-284434號公報、日本特開2006-54388號公報提出了用於矯正基板的翹曲的技術。例如，日本特開2001-284434號公報公開了具有矯正基板的翹曲的外周按壓構材的移載裝置。另外， 日本特開2006-54388號公報公開了通過從基板的上表面噴射空氣來矯正基板的翹曲的搬運裝置。
近年來，由於在基板的翹曲量變大的傾向的基礎上，基板的厚度也增加，所以，要求對彎曲剛性高的基板進行處理。為了矯正這樣的基板的翹曲，增大矯正力必不可少。因此，在日本特開2001-284434號公報公開的技術中，需要增大將外周按壓構材向基板推壓時的推力，且增大用於抵抗該推力的基板載台的上推力。然而，為了實現這種情況，必須增大基板載台的重量，因此，導致佔用面積的擴大、載台精度的降低等。這樣的問題在日本特開2006-54388號公報公開的技術中也同樣產生。
本發明提供一種有利於矯正基板的翹曲並保持基板的處理裝置。
為了實現上述目的，作為本發明的第1方面的處理裝置，是對基板進行處理的處理裝置，其中，具有夾具、矯正構材、第1減壓部和控制部，前述夾具吸附前述基板的背面並保持基板；前述矯正構材包括相向面和凸部，前述相向面係與被前述夾具保持的前述基板的表面相向，前述凸部係與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出，前述凸部與前述外周區域相接，在前述相向面和前述表面的比前述外周區域靠內側的中央區域之間限定出第 1空間；前述第1減壓部經由與前述第1空間連通的被形成在前述矯正構材的連通路徑對前述第1空間進行減壓；前述控制部進行以下處理：在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下，通過由前述第1減壓部對前述第1空間減壓來使前述基板仿形於前述夾具。
本發明的進一步的目的或者其它方面應該因下面參照附圖說明的優選實施方式而變得明確。
1‧‧‧曝光裝置
11‧‧‧照明光學系統
12‧‧‧光罩
13‧‧‧光罩載台
14‧‧‧光罩計測部
15‧‧‧投影光學系統
16‧‧‧夾具
17‧‧‧基板載台
18‧‧‧基板計測部
19‧‧‧基板
20‧‧‧焦點計測部
21‧‧‧控制部
30‧‧‧矯正構材
30A‧‧‧矯正構材
61‧‧‧第1減壓部
62‧‧‧第2減壓部
70‧‧‧搬運臂
72‧‧‧距離計測部
74‧‧‧壓力計測部
161‧‧‧基台
162‧‧‧銷
163‧‧‧緣堤部
164‧‧‧連通路徑
301‧‧‧基底構材
301A‧‧‧基底構材
302‧‧‧相向面
302A‧‧‧相向面
303‧‧‧凸部
303A‧‧‧凸部
304‧‧‧連通路徑
304A‧‧‧連通路徑
306‧‧‧彈性構材
307‧‧‧支撐構材
308‧‧‧支撐構材
308A‧‧‧閥
309A‧‧‧彈性構材
SP1‧‧‧空間
SP2‧‧‧空間
SP3‧‧‧空間
圖1是表示作為本發明的一方面的曝光裝置的結構的示意圖。
圖2A至圖2C是將基板的翹曲和由夾具產生的矯正力模型化來表示的圖。
圖3A以及圖3B是表示本實施方式中的夾具、基板載台以及矯正構材的結構的示意圖。
圖4是詳細地表示圖3A以及圖3B所示的夾具的結構的圖。
圖5是詳細地表示圖3A以及圖3B所示的矯正構材的結構的圖。
圖6A至圖6D是用於說明本實施方式中的矯正基板的翹曲的處理的圖。
圖7是表示在圖1所示的曝光裝置中被配置在搬運臂上的矯正構材的圖。
圖8是表示本實施方式中的夾具、基板載台以及矯正 構材的結構的示意圖。
圖9A至圖9C是詳細地表示圖3A以及圖3B所示的矯正構材的變形例的結構的圖。
圖10A至圖10E是用於說明本實施方式中的矯正基板的翹曲的處理的圖。
圖11A以及圖11B是表示載置矯正構材的支撐構材的結構的示意圖。
下面，參照附圖對本發明的優選實施方式進行說明。另外，在各圖中，對相同的構材標注相同的參考號，省略重複的說明。
圖1是表示作為本發明的一方面的曝光裝置1的結構的示意圖。曝光裝置1是對基板進行曝光並形成圖案的光刻裝置。曝光裝置1如圖1所示，具有照明光學系統11、保持光罩(遮罩)12的光罩載台13、光罩計測部14、投影光學系統15和吸附基板19的背面並保持基板19的夾具16。另外，曝光裝置1具有載置並保持夾具16的基板載台17、基板計測部18、焦點計測部20和控制部21。
照明光學系統11包括透鏡、反射鏡、光學積分器、相位板、繞射光學元件、光圈等，由來自光源的光對光罩12進行照明。在光罩12形成應向基板19轉印的圖案(電路圖案)。光罩載台13是可保持並移動光罩12的載 台。光罩計測部14例如包括雷射干涉儀等，計測被光罩載台13保持的光罩12的位置。夾具16例如包括Z驅動機構，被構成為可在Z軸方向移動基板19。基板載台17是在XY平面內可在X軸方向以及Y軸方向這兩個方向移動的載台。基板計測部18例如包括雷射干涉儀等，計測基板載台17的位置。焦點計測部20計測在基板載置臺上被夾具16保持的基板19的高度方向(Z軸方向)的位置。控制部21包括CPU、記憶體等，控制曝光裝置1的整體(動作)。
這裡，對假設在基板19產生翹曲並由被載置在基板載台17上的夾具16吸附並保持該基板19的情況進行說明。例如，在外緣下垂那樣的翹曲在基板19上產生的情況下，若將由夾具16產生的矯正力(用於矯正基板19的翹曲的力)模型化，則如圖2A所示，能夠利用外緣支撐的分佈負載模型來表示。因此，若由兩端支撐基板19，則矯正力的合力重心和支撐點離開，所以，可輕易地使基板19變形，矯正翹曲。
另一方面，在外緣彈起那樣的翹曲在基板19上產生的情況下，若將由夾具16產生的矯正力模型化，則如圖2B所示，能夠利用中心支撐的分佈負載模型來表示。若由夾具16保持這樣的基板19，則如圖2C所示，從基板19的中心部起矯正翹曲。此時，由於在基板19的外緣，矯正部分和矯正力的合力重心接近，所以，若矯正所需的彎曲力矩恆定，則所需的矯正力會增大。再有，對於這樣 的基板19，由於隨著源自外緣的漏氣，真空度不會變高，所以，由夾具16產生的矯正力變弱。
因此，在本實施方式中，提出了不像以往技術那樣使將按壓構材等向基板推壓時的推力或基板載台的重量增大地矯正基板的翹曲並由夾具保持基板的技術。
圖3A以及圖3B是表示本實施方式中的夾具16、基板載台17以及矯正構材30的結構的示意圖。另外，在圖3A以及圖3B中，省略了用於支撐以及驅動它們的框架以及致動器、感測器、配管等的圖示。另外，這裡，設想了外緣彈起那樣的翹曲產生在基板19上的情況，但是並沒有限定基板19的翹曲量、形狀。
如上所述，基板載台17載置並保持夾具16，夾具16吸附基板19的背面，保持基板19。矯正構材30被構成為可在X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向移動，被推壓在被夾具16保持的基板19上，矯正基板19的翹曲。
圖4是詳細地表示夾具16的結構的圖。夾具16包括基台161、被配置在基台161並支撐基板19的多個銷162、被整周地配置在基台161上以便將多個銷162包圍的緣堤部163。緣堤部163具有支撐基板19且將空間SP2與大氣環境(外部)隔斷的功能。另外，在夾具16上，在經多個銷162以及緣堤部163支撐了基板19的狀態下，形成與被配置在多個銷162上的基台161(夾具16的面)和基板19的背面之間的空間(第2空間)SP2連通的連通路徑164。在連通路徑164連接著包括真空源等 的第2減壓部62。第2減壓部62經連通路徑164對空間SP2減壓，據此，能夠一面吸附多個銷162以及緣堤部163之上的基板19，一面由多個銷162以及緣堤部163確保基板19的平坦度。
圖5是詳細地表示矯正構材30的結構的圖。矯正構材30作為基底構材301包括：與被夾具16保持的基板19的表面相向的相向面302；從相向面302向基板19的表面側突出的凸部303。凸部303與基板19的包括外緣在內的表面的外周區域相向地被整周設置在相向面302上。矯正構材30在凸部303與基板19的外周區域相接，即被推壓在被夾具16保持的基板19的狀態下，在相向面302和基板19的表面的比外周區域靠內側的中央區域之間，限定出空間(第1空間)SP1。凸部303具有將空間SP1和大氣環境(外部)隔斷的功能。另外，在矯正構材30形成與空間SP1連通的連通路徑304，在連通路304連接著第1減壓部61。第1減壓部61包括真空源等，經連通路徑304對空間SP1進行減壓。
參照圖6A至圖6D，對矯正基板19的翹曲的處理、在本實施方式中是使基板19仿形於夾具16的處理進行說明。該處理通過由控制部21總體控制曝光裝置1的各部分來進行。如圖6A所示，在外緣彈起那樣的翹曲產生在基板19上的情況下，即使由第2減壓部62對空間SP2進行減壓，由於源自基板19的外緣的漏氣，也不能充分吸附基板19，不能矯正基板19的翹曲。
首先，在本實施方式中，如圖6A所示，在矯正構材30和基板19分離的狀態下，開始第2減壓部62對空間SP2進行的減壓，且開始矯正構材30在矯正構材30和夾具16相對地靠近的方向的移動。另外，也可以不是使矯正構材30移動，而是使夾具16移動，還可以是使矯正構材30以及夾具16的至少一方移動。
接著，如圖6B所示，若矯正構材30的凸部303與基板19的表面的外周區域相接，則一面使矯正構材30的移動繼續，一面開始第1減壓部61對空間SP1進行的減壓。由於矯正構材30的相向面302和基板19的表面的中央區域之間的空間SP1被減壓，所以，在矯正構材30產生朝下方(基板19)被推壓的力，且在夾具16(基板19)產生朝上方被推壓的力。據此，基板19的翹曲得到矯正。
接著，如圖6C所示，在基板19仿形於夾具16之後，停止第1減壓部61對空間SP1進行的減壓。但是，維持第2減壓部62對空間SP2進行的減壓。若基板19的與表面外周區域對應的背面的區域跟夾具16相接，即基板19被夾具16完全吸附，則基板19的背面的壓力差消失，所以，基板19以被矯正了的狀態被夾具16保持。另外，基板19的與表面外周區域對應的背面的區域是否已跟夾具16相接，可通過計測由第1減壓部61減壓了的空間SP1(連通路徑164)的壓力、矯正構材30、基板19的位置來進行判定。矯正構材30可以是被固定在支撐構 材的結構，也可以像圖11A以及圖11B所示那樣，被載置在可相互相對移動的支撐構材307以及308上。支撐構材307與矯正構材30一體地構成。在圖11A中，支撐構材308支撐著支撐構材307。在矯正構材30按壓著基板19的表面的狀態下，如圖11B所示，成為支撐構材308和支撐構材307離開而不使朝上的力向支撐構材308傳遞的結構。
在從圖6B所示的狀態向圖6C所示的狀態轉換的期間，控制第1減壓部61以及第2減壓部62，以便使空間SP1的壓力與空間SP2的壓力相等或比它小。換言之，控制第1減壓部61以及第2減壓部62，以便使因由第1減壓部61減壓而在空間SP1產生的力與因由第2減壓部62減壓而在空間SP2產生的力相等，或比它小。據此，能夠防止基板19被從夾具16拉開而被吸附在矯正構材30上的情況。
接著，如圖6D所示，若基板19的翹曲得到矯正，基板19被夾具16保持，則將空間SP1經連通路徑304恢復大氣壓，且開始矯正構材30向矯正構材30和夾具16相對地離開的方向的移動。
這樣，在本實施方式中，在將矯正構材30推壓在基板19的狀態下，通過由第1減壓部61對空間SP1進行減壓，能夠矯正基板19的翹曲，使基板19仿形於夾具16。此時，無需增大將矯正構材30向基板19推壓時的推力及基板載台17的重量。
另外，在本實施方式中，將矯正構材30配置在夾具16、基板載台17的近旁，構成為可在X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向移動，但是並非限定於此。一般來說，由於曝光裝置1具有搬運基板19的搬運臂70，所以，也可以像圖7所示那樣，將矯正構材30配置在搬運臂70。搬運臂70在矯正構材30的凸部303與基板19的表面的外周區域相接的狀態下，通過由第1減壓部61對空間SP1進行減壓，由矯正構材30保持並搬運基板19。
在將矯正構材30配置在搬運臂70的情況下，最好將計測相向面302和基板19的表面的中央區域之間的距離的距離計測部72配置在例如相向面302。而且，在搬運臂70保持基板19的情況下，根據距離計測部72的計測結果，控制第1減壓部61，以便使相向面302和基板19不接觸(即，以便維持由距離計測部72計測的距離為恆定的距離)。
另外，在將矯正構材30配置在搬運臂70的情況下，也可以將計測空間SP1的壓力的壓力計測部74配置在例如連通路徑304。而且，在搬運臂70保持基板19的情況下，根據壓力計測部74的計測結果，控制第1減壓部61，以便使相向面302和基板19不接觸(即，以便維持由壓力計測部74計測的壓力為恆定的值)。再有，也可以配置距離計測部72以及壓力計測部74這兩者，根據距離計測部72以及壓力計測部74的計測結果，控制第1減壓部61，以便使相向面302和基板19不接觸。
在外緣的一部分彈起那樣的翹曲產生在基板19的情況下，矯正構材30的凸部303不能與基板19的表面的外周區域的整個面相接，存在難以對空間SP1進行減壓(成為負壓)的可能性。因此，如圖8所示，最好在矯正構材30的凸部303的基板側的面(基板19的表面的外周區域側的面)配置彈性構材306。據此，即使在外緣的一部分彈起那樣的翹曲產生在基板19上的情況下，矯正構材30的凸部303也可以經彈性構材306與基板19的表面的外周區域的整個面相接，因此，能夠限定空間SP1。因此，通過由第1減壓部61對空間SP1進行減壓，也能夠相對於產生了外緣的一部分彈起那樣的翹曲的基板19發揮矯正力。在圖8中，彈性構材306具有在與相向面302垂直的截面中包括折曲部分的形狀，但是並非限定於此，例如也可以具有矩形的形狀。
下面，參照圖9A、圖9B以及圖9C，對作為矯正構材30的變形例的矯正構材30A進行說明。矯正構材30A作為基底構材301A包括：與被夾具16保持的基板19的表面相向的相向面302A；從相向面302A向基板19的表面側突出的多個凸部303A。多個凸部303A與基板19的包括外緣在內的表面的外周區域內的相互不同的多個部分的每一個相向地被設置在相向面302A(即，被局部地設置在相向面302A)。
在矯正構材30A的側面配置著彈性構材309A，以便將夾具16包圍。彈性構材309A具有比夾具16(基板 19)的外徑大的內徑，可以與基板載台17接觸地被構成。彈性構材309A在多個凸部303A與基板19的外周區域相接，即矯正構材30A被推壓在基板19的狀態下，與基板載台17相接，在相向面302A和基板載台17之間限定空間(第1空間)SP3。矯正構材30A的相向面302A和基板載台17之間的空間SP3因被夾具16保持的基板19的外周區域的翹曲，而與在矯正構材30A的相向面302A和基板19的中央區域之間被限定出來的空間SP1連通。
在矯正構材30A形成將空間SP1和大氣環境(外部)連通的連通路徑304A。對於矯正構材30A，無需在連通路徑304A連接第1減壓部61，而是像後述那樣設置可將連通路徑304A開閉的閥308A。
參照圖10A至圖10E，對使用矯正構材30A來矯正基板19的翹曲的處理(使基板19仿形於夾具16的處理)進行說明。該處理通過由控制部21總體控制曝光裝置1的各部分來進行。如圖10A所示，在外緣彈起那樣的翹曲產生在基板19上的情況下，即使由第2減壓部62對空間SP2進行減壓，由於源自基板19的外緣的漏氣，也不能充分吸附基板19，不能矯正基板19的翹曲。
首先，如圖10A所示，在矯正構材30A和基板19分離的狀態下，關閉閥308A，將形成在矯正構材30A上的連通路徑304A隔斷(隔斷與大氣環境(外部)的連接)。隨後，開始第2減壓部62對空間SP2進行的減 壓，且開始矯正構材30A在矯正構材30A和夾具16相對地靠近的方向的移動。另外，也可以不使矯正構材30A移動，而是使夾具16移動，還可以使矯正構材30A以及夾具16的至少一方移動。另外，為了縮短空間SP1的減壓時間，連通路徑304A也可以與大氣環境或者真空源連通。
圖10B是表示矯正構材30A的多個凸部303A的每一個與基板19的表面的外周區域內的相互不同的多個部分相接的狀態。圖10C是表示基板19的與表面外周區域對應的背面的區域跟夾具16相接的狀態。在從圖10B所示的狀態到圖10C所示的狀態為止，保持將閥308A關閉的狀態，使第2減壓部62對空間SP2進行的減壓繼續。在此期間，由於空間SP2和空間SP3因基板19的外周區域的翹曲而連通，所以，因空間SP2被減壓，空間SP3也被減壓。據此，由於在矯正構材30A產生向下方(基板19)被推壓的力，且在夾具16(基板19)產生向上方被推壓的力，所以，基板19的翹曲得到矯正。
接著，在基板19的與表面外周區域對應的背面的區域與夾具16相接後，如圖10D所示，一面使第2減壓部62對空間SP2進行的減壓繼續，一面將閥308A打開。據此，連通路徑304A恢復大氣壓(大氣釋放)，大氣流入矯正構材30A的相向面302A和基板19的表面的中央區域之間的空間SP1。但是，由於空間SP2被矯正了翹曲的基板19封閉，所以，基板19以被矯正了的狀態被夾具 16保持。
接著，如圖10E所示，若基板19的翹曲得到矯正，基板19被夾具16保持，則開始矯正構材30A在矯正構材30A和夾具16相對離開的方向的移動。此時，閥308A維持著打開的狀態。
這樣，在將矯正構材30A推壓在基板19的狀態下，通過由第2減壓部62對空間SP2減壓，能夠對因基板19的外周區域的翹曲而連通的空間SP3進行減壓，使基板19仿形於夾具16。矯正構材30A與矯正構材30相比，可減少與基板19相接的面積。另外，由於矯正構材30A沒有必要在連通路徑304A連接第1減壓部61，所以，可削減其配管。
根據本實施方式的曝光裝置1，例如，即使在外緣彈起那樣的翹曲產生在基板19上的情況下，也能夠矯正該翹曲，由夾具16保持基板19。因此，曝光裝置1能夠高精度地將光罩12的圖案向被夾具16保持的基板19轉印。
本發明的實施方式中的物品的製造方法適合於製造例如設備(半導體元件、磁記憶媒體、液晶顯示元件等)等物品。該製造方法包括使用曝光裝置1對塗敷了感光劑的基板進行曝光的程序和對被曝光的基板進行顯影的程序。另外，該製造方法能夠包括其它公知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕層剝離、劃片、接合、封裝等)。本實施方式中的物品的製造方法與以往相 比，在物品的性能、品質、生產性以及生產成本的至少一個方面有利。
上面對本發明的優選實施方式進行了說明，但是，本發明當然並非限定於這些實施方式，可在其主旨的範圍內進行各種變形以及變更。例如，在本實施方式中，作為對基板進行處理的處理裝置的一例說明了曝光裝置，但是，本發明也可以適用於對由被載置在載置臺上的夾具吸附(保持)的基板進行處理的處理裝置。該處理裝置包括例如對基板進行研磨的研磨裝置、在基板上形成膜的旋轉塗佈機等。
16‧‧‧夾具
17‧‧‧基板載台
19‧‧‧基板
30‧‧‧矯正構材

Claims (13)

  1. 一種處理裝置，是對基板進行處理的處理裝置，其特徵在於：具有夾具、矯正構材、第1減壓部和控制部，前述夾具吸附前述基板的背面並保持基板，前述矯正構材包括相向面和凸部，前述相向面係與被前述夾具保持的前述基板的表面相向，前述凸部係與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出，前述凸部與前述外周區域相接，在前述相向面和前述表面的比前述外周區域靠內側的中央區域之間限定出第1空間，前述第1減壓部經由與前述第1空間連通的被形成在前述矯正構材的連通路徑對前述第1空間進行減壓，前述控制部進行以下處理：在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下，通過由前述第1減壓部對前述第1空間減壓來使前述基板仿形於前述夾具。
  2. 如申請專利範圍第1項的處理裝置，其還具有第2減壓部，前述第2減壓部經由與配置了對前述基板進行支撐的多個銷的前述夾具的面和前述背面之間的第2空間連通的被形成在前述夾具的連通路徑，對前述第2空間進行減壓，前述控制部在前述處理中，在前述矯正構材和前述基板分離的狀態下，開始前述第2減壓部對前述第2空間進行的減壓，並且開始前述矯 正構材以及前述夾具的至少一方在前述矯正構材和前述夾具相對地靠近的方向的移動，在前述凸部與前述外周區域相接後，開始前述第1減壓部對前述第1空間進行的減壓，在前述基板仿形於前述夾具後，停止前述第1減壓部對前述第1空間進行的減壓。
  3. 如申請專利範圍第2項的處理裝置，其中，前述控制部控制前述第1減壓部以及前述第2減壓部，以便使因由前述第1減壓部減壓而在前述第1空間產生的力與因由前述第2減壓部減壓而在前述第2空間產生的力相等或者比因由前述第2減壓部減壓而在前述第2空間產生的力小。
  4. 如申請專利範圍第1項的處理裝置，其還具有搬運前述基板的搬運臂，前述矯正構材被配置在前述搬運臂，前述搬運臂在前述凸部與前述外周區域相接的狀態下，通過由前述第1減壓部對前述第1空間進行減壓而由前述矯正構材保持前述基板。
  5. 如申請專利範圍第4項的處理裝置，其還具有計測前述相向面和前述中央區域之間的距離的距離計測部，前述控制部在前述搬運臂保持前述基板的情況下，根據前述距離計測部的計測結果，控制前述第1減壓部，以便使前述相向面和前述中央區域不接觸。
  6. 如申請專利範圍第4項的處理裝置，其還具有計 測前述第1空間的壓力的壓力計測部，前述控制部在前述搬運臂保持前述基板的情況下，根據前述壓力計測部的計測結果，控制前述第1減壓部，以便使前述相向面和前述中央區域不接觸。
  7. 如申請專利範圍第1項的處理裝置，其中，前述凸部包括被配置在前述外周區域側的面的彈性構材。
  8. 如申請專利範圍第1項的處理裝置，其還具有向被前述夾具保持的前述基板投影遮罩的圖案的投影光學系統，經由前述投影光學系統對前述基板進行曝光。
  9. 一種處理裝置，是對基板進行處理的處理裝置，其特徵在於：具有夾具、載台、矯正構材、彈性構材、減壓部和控制部，前述夾具吸附前述基板的背面並保持前述基板，前述載台載置並保持前述夾具，前述矯正構材包括相向面和多個凸部，前述相向面係與被前述夾具保持的前述基板的表面相向，前述多個凸部係與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域內的相互不同的多個部分的每一個相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出，前述彈性構材被配置在前述矯正構材的側面，以便將前述夾具包圍，在前述多個凸部的每一個與前述多個部分的每一個相接的狀態下，前述彈性構材與前述載台相接， 在前述相向面和前述載台之間限定出第1空間，前述減壓部經由與位於配置了對前述基板進行支撐的多個銷的前述夾具的面和前述背面之間的第2空間連通的被形成在前述夾具上的連通路徑，對前述第2空間進行減壓，前述控制部進行以下處理：在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下，通過由前述減壓部對前述第2空間進行減壓，對因被前述夾具保持的前述基板的前述外周區域的翹曲而連通的前述第1空間進行減壓，使前述基板仿形於前述夾具。
  10. 如申請專利範圍第9項的處理裝置，其中，前述矯正構材包括將前述第1空間與大氣環境連通的連通路徑和可開閉前述連通路徑的閥，前述控制部在前述處理中，在前述矯正構材和前述基板分離的狀態下，關閉前述閥，開始由前述減壓部對前述第2空間進行的減壓，並且開始前述矯正構材以及前述夾具的至少一方在前述矯正構材和前述夾具相對地靠近的方向的移動，從前述多個凸部的每一個與前述多個部分的每一個相接起到與前述外周區域對應的前述背面的區域與前述夾具相接為止，保持將前述閥關閉的狀態，使前述減壓部對前述第2空間進行的減壓繼續，在與前述外周區域對應的前述背面的區域與前述夾具相接後，一面使前述減壓部對前述第2空間進行的減壓繼 續，一面將前述閥打開。
  11. 如申請專利範圍第9項的處理裝置，其還具有向被前述夾具保持的前述基板投影遮罩的圖案的投影光學系統，經由前述投影光學系統對前述基板進行曝光。
  12. 一種物品的製造方法，其特徵在於：具有：使用處理裝置對基板曝光的程序；以及對曝光了的前述基板進行顯影的程序；其中，前述處理裝置具有夾具、矯正構材、第1減壓部和控制部，前述夾具吸附前述基板的背面並保持基板，前述矯正構材包括相向面和凸部，前述相向面係與被前述夾具保持的前述基板的表面相向，前述凸部係與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出，前述凸部與前述外周區域相接，在前述相向面和前述表面的比前述外周區域靠內側的中央區域之間限定出第1空間，前述第1減壓部經由與前述第1空間連通的被形成在前述矯正構材上的連通路徑對前述第1空間進行減壓，前述控制部進行以下處理：在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下，通過由前述第1減壓部對前述第1空間進行減壓，使前述基板仿形於前述夾具。
  13. 一種物品的製造方法，其特徵在於： 具有：使用處理裝置對基板進行曝光的程序；以及對曝光了的前述基板進行顯影的程序；其中，前述處理裝置具有夾具、載台、矯正構材、彈性構材、減壓部和控制部，前述夾具吸附前述基板的背面並保持前述基板，前述載台載置並保持前述夾具，前述矯正構材包括相向面和多個凸部，前述相向面係與被前述夾具保持的前述基板的表面相向，前述多個凸部係與前述基板的包括外緣在內的前述表面的外周區域內的相互不同的多個部分的每一個相向地被設置在前述相向面並從前述相向面朝前述表面側突出，前述彈性構材被配置在前述矯正構材的側面，以便將前述夾具包圍，在前述多個凸部的每一個與前述多個部分的每一個相接的狀態下，前述彈性構材與前述載台相接，在前述相向面和前述載台之間限定出第1空間，前述減壓部經由與位於配置了對前述基板進行支撐的多個銷的前述夾具的面和前述背面之間的第2空間連通的被形成在前述夾具上的連通路徑，對前述第2空間進行減壓，前述控制部進行以下處理：在將前述矯正構材推壓在前述基板上的狀態下，通過由前述減壓部對前述第2空間進行減壓，對因被前述夾具保持的前述基板的前述外周區域的翹曲而連通的前述第1空間進行減壓，使前述基板仿 形於前述夾具。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI647782B (zh) * 2018-05-16 2019-01-11 力成科技股份有限公司 面板級扇出型封裝之真空定位設備

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6866115B2 (ja) * 2016-11-04 2021-04-28 株式会社東京精密 ウエハの搬送保持装置
JP7101029B2 (ja) * 2018-04-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法
KR20220038395A (ko) * 2019-07-25 2022-03-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 접합 장치 및 접합 방법
CN113387132B (zh) * 2021-05-12 2023-09-12 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种基板作业平台及基板作业平台的控制方法
JP7412824B1 (ja) 2023-06-02 2024-01-15 株式会社 天谷製作所 半導体製造装置及び方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3105201B2 (ja) * 1998-10-20 2000-10-30 株式会社東京精密 ウェーハの搬送保持機構
JP2008103703A (ja) * 2006-09-20 2008-05-01 Canon Inc 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
JP5675377B2 (ja) * 2011-01-13 2015-02-25 株式会社ディスコ ワーク保持装置
JP5642628B2 (ja) * 2011-05-27 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板反り除去装置、基板反り除去方法及び記憶媒体
JP5778054B2 (ja) * 2012-02-13 2015-09-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
JP6087669B2 (ja) * 2013-03-06 2017-03-01 キヤノン株式会社 基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
JP6186256B2 (ja) * 2013-11-20 2017-08-23 株式会社ディスコ 加工装置
JP6373068B2 (ja) * 2014-05-30 2018-08-15 株式会社ディスコ 搬送方法
JP6335672B2 (ja) * 2014-06-17 2018-05-30 株式会社ディスコ 搬送装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI647782B (zh) * 2018-05-16 2019-01-11 力成科技股份有限公司 面板級扇出型封裝之真空定位設備

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