KR102183431B1 - 처리 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

처리 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102183431B1
KR102183431B1 KR1020170039130A KR20170039130A KR102183431B1 KR 102183431 B1 KR102183431 B1 KR 102183431B1 KR 1020170039130 A KR1020170039130 A KR 1020170039130A KR 20170039130 A KR20170039130 A KR 20170039130A KR 102183431 B1 KR102183431 B1 KR 102183431B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chuck
space
unit
outer circumferential
Prior art date
Application number
KR1020170039130A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170114933A (ko
Inventor
도모히로 이시이
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20170114933A publication Critical patent/KR20170114933A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102183431B1 publication Critical patent/KR102183431B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 처리 장치이며, 상기 기판의 이면을 흡착하여 기판을 보유 지지하는 척과, 상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접하며 상기 대향면과 상기 표면의 상기 외주 영역보다도 내측의 중앙 영역의 사이에 제1 공간을 규정하는 교정 부재와, 상기 제1 공간과 연통되는, 상기 교정 부재에 형성된 연통로를 통하여 상기 제1 공간을 감압하는 제1 감압부와, 상기 교정 부재를 상기 기판에 압박한 상태에서, 상기 제1 감압부에 의해 상기 제1 공간을 감압함으로써 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 처리 장치를 제공한다.

Description

처리 장치 및 물품의 제조 방법{PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 처리 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 사용되는 노광 장치는, 기판 스테이지와, 기판 스테이지에 대하여 기판의 공급 및 회수를 행하는 반송 핸드를 갖는다. 기판 스테이지는 기판 척을 통해서, 기판을 진공 흡착하여 보유 지지한다.
반도체 디바이스의 고집적화에 수반하여, 배선의 미세화나 다층화가 진행되고 있다. 배선층이 다층화되면, 반도체 디바이스의 제조 공정의 후속 공정으로 진행됨에 따라서, 성막 중의 막 변형이 축적됨으로써 기판 전체에 휨이 발생하는 현상이 보인다. 예를 들어, 반도체 칩의 적층 기술이 되는 TSV(Through Silicon Via) 공정에서는, 관통 전극인 금속(예를 들어, 구리)과, 그 주위의 실리콘 사이의 열팽창 계수의 차에 의해, 관통 전극과 실리콘의 사이에 변형이 발생한다. 이러한 휨이 발생한 기판에서는, 진공 흡착에 의한 보유 지지를 할 수 없다.
따라서, 기판의 보유 지지에 대해서, 기판의 휨을 교정하기 위한 기술이 일본 특허 공개 제2001-284434호 공보나 일본 특허 공개 제2006-54388호 공보에 제안되어 있다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제2001-284434호 공보에는, 기판의 휨을 교정하는 외주 누름 부재를 갖는 이동 탑재 장치가 개시되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2006-54388호 공보에는, 기판의 상면으로부터 에어를 분사함으로써 기판의 휨을 교정하는 반송 장치가 개시되어 있다.
최근에는, 기판의 휨량이 커지는 경향에 더하여, 기판의 두께도 증가하고 있기 때문에, 굴곡 강성이 높은 기판의 처리가 요구되고 있다. 이러한 기판의 휨을 교정하기 위해서는, 교정력의 증대가 불가결하다. 따라서, 일본 특허 공개 제2001-284434호 공보에 개시된 기술에서는, 외주 누름 부재를 기판에 압박할 때의 추력을 증대시킴과 함께, 그 추력에 저항하기 위한 기판 스테이지의 밀어올리는 힘을 증대시킬 필요가 있다. 그러나, 이것을 실현하기 위해서는, 기판 스테이지의 중량을 증대시켜야만 하므로, 풋프린트의 확대나 스테이지 정밀도의 저하 등을 초래해 버린다. 이러한 문제는, 일본 특허 공개 제2006-54388호 공보에 개시된 기술에도 마찬가지로 발생한다.
본 발명은 기판의 휨을 교정하여 기판을 보유 지지하기에 유리한 처리 장치를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면으로서의 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 장치이며, 상기 기판의 이면을 흡착하여 기판을 보유 지지하는 척과, 상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접하며 상기 대향면과 상기 표면의 상기 외주 영역보다도 내측의 중앙 영역의 사이에 제1 공간을 규정하는 교정 부재와, 상기 제1 공간과 연통되는, 상기 교정 부재에 형성된 연통로를 통하여 상기 제1 공간을 감압하는 제1 감압부와, 상기 교정 부재를 상기 기판에 압박한 상태에서, 상기 제1 감압부에 의해 상기 제1 공간을 감압함으로써 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가적인 목적 또는 그 밖의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면으로서의 노광 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2의 (a) 내지 도 2의 (c)는, 기판의 휨과 척에 의한 교정력을 모델화하여 도시하는 도면.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)는, 본 실시 형태에 있어서의 척, 기판 스테이지 및 교정 부재의 구성을 도시하는 개략도.
도 4는 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 도시하는 척의 구성을 상세하게 도시하는 도면.
도 5는 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 나타내는 교정 부재의 구성을 상세하게 도시하는 도면.
도 6의 (a) 내지 도 6의 (d)는, 본 실시 형태에 있어서의 기판의 휨을 교정하는 처리를 설명하기 위한 도면.
도 7은 도 1에 도시하는 노광 장치에 있어서, 반송 핸드에 배치된 교정 부재를 도시하는 도면.
도 8은 본 실시 형태에 있어서의 척, 기판 스테이지 및 교정 부재의 구성을 도시하는 개략도.
도 9의 (a) 내지 도 9의 (c)는, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 도시하는 교정 부재의 변형예의 구성을 상세하게 도시하는 도면.
도 10의 (a) 내지 도 10의 (e)는, 본 실시 형태에 있어서의 기판의 휨을 교정하는 처리를 설명하기 위한 도면.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 교정 부재가 적재되는 지지 부재의 구성을 도시하는 개략도.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 측면으로서의 노광 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 노광 장치(1)는 기판을 노광하여 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 노광 장치(1)는 도 1에 도시하는 바와 같이, 조명 광학계(11)와, 레티클(마스크)(12)을 보유 지지하는 레티클 스테이지(13)와, 레티클 계측부(14)와, 투영 광학계(15)와, 기판(19)의 이면을 흡착하여 기판(19)을 보유 지지하는 척(16)을 갖는다. 또한, 노광 장치(1)는 척(16)을 적재하여 보유 지지하는 기판 스테이지(17)와, 기판 계측부(18)와, 포커스 계측부(20)와, 제어부(21)를 갖는다.
조명 광학계(11)는 렌즈, 미러, 옵티컬 인터그레이터, 위상판, 회절 광학 소자, 조리개 등을 포함하고, 광원으로부터의 광으로 레티클(12)을 조명한다. 레티클(12)에는, 기판(19)에 전사해야 할 패턴(회로 패턴)이 형성되어 있다. 레티클 스테이지(13)는 레티클(12)을 보유 지지하여 이동 가능한 스테이지이다. 레티클 계측부(14)는, 예를 들어 레이저 간섭계 등을 포함하고, 레티클 스테이지(13)에 보유 지지된 레티클(12)의 위치를 계측한다. 척(16)은, 예를 들어 Z 구동 기구를 포함하고, 기판(19)을 Z축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 기판 스테이지(17)는 XY 평면 내에서 X축 방향 및 Y축 방향으로 2방향으로 이동 가능한 스테이지이다. 기판 계측부(18)는, 예를 들어 레이저 간섭계 등을 포함하고, 기판 스테이지(17)의 위치를 계측한다. 포커스 계측부(20)는 기판 스테이지 상에서 척(16)에 보유 지지된 기판(19)의 높이 방향(Z축 방향)의 위치를 계측한다. 제어부(21)는 CPU나 메모리 등을 포함하고, 노광 장치(1)의 전체(동작)를 제어한다.
여기서, 기판(19)에 휨이 발생하였다고 가정하고, 이러한 기판(19)을 기판 스테이지(17)에 적재된 척(16)으로 흡착하여 보유 지지하는 경우에 대하여 설명한다. 예를 들어, 외측 테두리가 아래로 처지는 휨이 기판(19)에 발생한 경우, 척(16)에 의한 교정력(기판(19)의 휨을 교정하기 위한 힘)을 모델화하면, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 외측 테두리 지지의 분포 하중 모델로 나타낼 수 있다. 따라서, 기판(19)을 양단에서 지지하는 것이라면, 교정력의 합력 무게 중심과 지지점이 이격되어 있기 때문에, 기판(19)을 용이하게 변형시켜서 휨을 교정하는 것이 가능하다.
한편, 외측 테두리가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우, 척(16)에 의한 교정력을 모델화하면, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 중심 지지의 분포 하중 모델로 나타낼 수 있다. 이러한 기판(19)을 척(16)으로 보유 지지하면, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 기판(19)의 중심부로부터 휨이 교정되어 간다. 이때, 기판(19)의 외측 테두리에서는, 교정 부분과 교정력의 합력 무게 중심이 근접하기 때문에, 교정에 필요한 굽힘 모멘트가 일정하다고 하면, 필요한 교정력이 증대된다. 또한, 이러한 기판(19)에서는, 외측 테두리로부터의 에어 누설에 수반하여 진공도가 높아지지 않기 때문에, 척(16)에 의한 교정력이 약해져 버린다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 종래 기술과 같이, 누름 부재 등을 기판에 압박할 때의 추력이나 기판 스테이지의 중량을 증대시키는 일 없이, 기판의 휨을 교정하여 기판을 척으로 보유 지지하는 기술을 제안한다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)는, 본 실시 형태에 있어서의 척(16), 기판 스테이지(17) 및 교정 부재(30)의 구성을 도시하는 개략도이다. 또한, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에서는, 이것들을 지지 및 구동하기 위한 프레임 및 액추에이터, 센서, 배관 등의 도시를 생략하고 있다. 또한, 여기서는, 외측 테두리가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우를 상정하고 있지만, 기판(19)의 휨량이나 형상을 한정하는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 기판 스테이지(17)는 척(16)을 적재하여 보유 지지하고, 척(16)은 기판(19)의 이면을 흡착하여 기판(19)을 보유 지지한다. 교정 부재(30)는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)에 압박되어 기판(19)의 휨을 교정한다.
도 4는 척(16)의 구성을 상세하게 도시하는 도면이다. 척(16)은 베이스(161)와, 베이스(161)에 배치되어 기판(19)을 지지하는 복수의 핀(162)과, 복수의 핀(162)을 둘러싸도록 베이스(161) 전체 둘레에 배치된 테두리 제방부(163)를 포함한다. 테두리 제방부(163)는 기판(19)을 지지함과 함께, 공간 SP2와 대기 환경(외부)을 차단하는 기능을 갖고 있다. 또한, 척(16)에는, 복수의 핀(162) 및 테두리 제방부(163)를 통하여 기판(19)을 지지한 상태에 있어서, 복수의 핀(162)에 배치된 베이스(161)(척(16)의 면)와 기판(19)의 이면 사이의 공간(제2 공간) SP2와 연통되는 연통로(164)가 형성되어 있다. 연통로(164)에는, 진공원 등을 포함하는 제2 감압부(62)가 접속되어 있다. 제2 감압부(62)가 연통로(164)를 통하여 공간 SP2를 감압함으로써, 복수의 핀(162) 및 테두리 제방부(163) 상의 기판(19)을 흡착하면서, 복수의 핀(162) 및 테두리 제방부(163)에 의해 기판(19)의 평탄도를 확보할 수 있다.
도 5는 교정 부재(30)의 구성을 상세하게 도시하는 도면이다. 교정 부재(30)는 베이스 부재(301)로서, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)의 표면에 대향하는 대향면(302)과, 대향면(302)으로부터 기판(19)의 표면측으로 돌출된 볼록부(303)를 포함한다. 볼록부(303)는 기판(19)의 외측 테두리를 포함하는 표면의 외주 영역에 대향하여 대향면(302) 전체 둘레에 설치되어 있다. 교정 부재(30)는 볼록부(303)가 기판(19)의 외주 영역에 접하고, 즉, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)에 압박된 상태에 있어서, 대향면(302)과 기판(19) 표면의 외주 영역보다도 내측의 중앙 영역의 사이에 공간(제1 공간) SP1을 규정한다. 볼록부(303)는 공간 SP1과 대기 환경(외부)을 차단하는 기능을 갖고 있다. 또한, 교정 부재(30)에는, 공간 SP1과 연통되는 연통로(304)가 형성되고, 연통로(304)에는, 제1 감압부(61)가 접속되어 있다. 제1 감압부(61)는 진공원 등을 포함하고, 연통로(304)를 통하여 공간 SP1을 감압한다.
도 6의 (a) 내지 도 6의 (d)를 참조하여, 기판(19)의 휨을 교정하는 처리, 본 실시 형태에서는, 기판(19)을 척(16)에 따르게 하는 처리에 대하여 설명한다. 이러한 처리는, 제어부(21)가 노광 장치(1)의 각 부를 통괄적으로 제어함으로써 행해진다. 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 외측 테두리가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우, 제2 감압부(62)에서 공간 SP2를 감압해도, 기판(19)의 외측 테두리로부터의 에어 누설에 의해 기판(19)을 충분히 흡착할 수 없어, 기판(19)의 휨을 교정할 수 없다.
먼저, 본 실시 형태에서는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 교정 부재(30)와 기판(19)이 이격되어 있는 상태에 있어서, 제2 감압부(62)에 의한 공간 SP2의 감압을 개시함과 함께, 교정 부재(30)와 척(16)이 상대적으로 가까워지는 방향으로 교정 부재(30)의 이동을 개시한다. 또한, 교정 부재(30)를 이동시키는 것이 아니라, 척(16)을 이동시켜도 되고, 교정 부재(30) 및 척(16) 중 적어도 한쪽을 이동시켜도 된다.
이어서, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 교정 부재(30)의 볼록부(303)가 기판(19) 표면의 외주 영역에 접하면, 교정 부재(30)의 이동을 계속하면서, 제1 감압부(61)에 의한 공간 SP1의 감압을 개시한다. 교정 부재(30)의 대향면(302)과 기판(19) 표면의 중앙 영역 사이의 공간 SP1이 감압됨으로써, 교정 부재(30)에는 하측 방향(기판(19))으로 압박되는 힘이 발생함과 함께, 척(16)(기판(19))에는 상측 방향으로 압박되는 힘이 발생한다. 이에 의해, 기판(19)의 휨이 교정되게 된다.
이어서, 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이, 기판(19)이 척(16)을 따르게 되면, 제1 감압부(61)에 의한 공간 SP1의 감압을 정지한다. 단, 제2 감압부(62)에 의한 공간 SP2의 감압은 유지한다. 기판(19) 표면의 외주 영역에 대응하는 이면의 영역이 척(16)에 접하면, 즉, 기판(19)이 척(16)에 완전히 흡착되면, 기판(19) 이면의 압력차가 없어지기 때문에, 기판(19)은 교정된 상태에서 척(16)에 보유 지지된다. 또한, 기판(19) 표면의 외주 영역에 대응하는 이면의 영역이 척(16)에 접했는지 여부는, 제1 감압부(61)에 의해 감압된 공간 SP1(연통로(164))의 압력이나 교정 부재(30)나 기판(19)의 위치를 계측함으로써 판정하는 것이 가능하다. 교정 부재(30)는 지지 부재에 고정되는 구성이어도 되고, 도 11의 (a) 및 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 서로 상대적으로 이동 가능한 지지 부재(307 및 308)에 적재되어 있어도 된다. 지지 부재(307)는 교정 부재(30)와 일체적으로 구성되어 있다. 도 11의 (a)에서는, 지지 부재(308)가 지지 부재(307)를 지지하고 있다. 교정 부재(30)가 기판(19)의 표면을 누르고 있는 상태에서는, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 지지 부재(308)와 지지 부재(307)가 이격되고, 상측 방향의 힘을 지지 부재(308)에 전달시키지 않는 구성으로 되어 있다.
도 6의 (b)에 나타내는 상태로부터 도 6의 (c)에 나타내는 상태로 이행하는 사이에 있어서는, 공간 SP1의 압력이 공간 SP2의 압력과 동등하거나 또는 작아지도록, 제1 감압부(61) 및 제2 감압부(62)를 제어한다. 환언하면, 제1 감압부(61)에 의해 감압됨으로써 공간 SP1에 발생하는 힘이 제2 감압부(62)에 의해 감압됨으로써 공간 SP2에 발생하는 힘과 동등하거나 또는 작아지도록, 제1 감압부(61) 및 제2 감압부(62)를 제어한다. 이에 의해, 기판(19)이 척(16)으로부터 떨어져 교정 부재(30)에 흡착되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 6의 (d)에 도시하는 바와 같이, 기판(19)의 휨이 교정되어 기판(19)이 척(16)에 보유 지지되면, 연통로(304)를 통하여 공간 SP1을 대기 환경에 해방함과 함께, 교정 부재(30)와 척(16)이 상대적으로 이격되는 방향으로 교정 부재(30)의 이동을 개시한다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 교정 부재(30)를 기판(19)에 압박한 상태에서, 제1 감압부(61)에 의해 공간 SP1을 감압함으로써, 기판(19)의 휨을 교정하여 기판(19)을 척(16)에 따르게 할 수 있다. 이때, 교정 부재(30)를 기판(19)에 압박할 때의 추력이나 기판 스테이지(17)의 중량을 증대시킬 필요는 없다.
또한, 본 실시 형태에서는, 교정 부재(30)를 척(16)이나 기판 스테이지(17)의 근방에 배치하고, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 구성하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 일반적으로, 노광 장치(1)는 기판(19)을 반송하는 반송 핸드(70)를 갖고 있기 때문에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 교정 부재(30)를 반송 핸드(70)에 배치해도 된다. 반송 핸드(70)는 교정 부재(30)의 볼록부(303)가 기판(19) 표면의 외주 영역에 접한 상태에서 제1 감압부(61)에 의해 공간 SP1을 감압함으로써, 교정 부재(30)에 의해 기판(19)을 보유 지지하여 반송한다.
교정 부재(30)를 반송 핸드(70)에 배치하는 경우에는, 대향면(302)과 기판(19) 표면의 중앙 영역 사이의 거리를 계측하는 거리 계측부(72)를, 예를 들어 대향면(302)에 배치하면 된다. 그리고, 반송 핸드(70)가 기판(19)을 보유 지지하는 경우에 있어서, 거리 계측부(72)의 계측 결과에 기초하여, 대향면(302)과 기판(19)이 접촉되지 않도록(즉, 거리 계측부(72)에서 계측되는 거리가 일정한 거리를 유지하도록), 제1 감압부(61)를 제어한다.
또한, 교정 부재(30)를 반송 핸드(70)에 배치하는 경우에는, 공간 SP1의 압력을 계측하는 압력 계측부(74)를, 예를 들어 연통로(304)에 배치해도 된다. 그리고, 반송 핸드(70)가 기판(19)을 보유 지지하는 경우에 있어서, 압력 계측부(74)의 계측 결과에 기초하여, 대향면(302)과 기판(19)이 접촉하지 않도록(즉, 압력 계측부(74)에서 계측되는 압력이 일정한 값을 유지하도록), 제1 감압부(61)를 제어한다. 나아가서는, 거리 계측부(72) 및 압력 계측부(74)의 양쪽을 배치하고, 거리 계측부(72) 및 압력 계측부(74)의 계측 결과에 기초하여, 대향면(302)과 기판(19)이 접촉되지 않도록, 제1 감압부(61)를 제어해도 된다.
외측 테두리의 일부가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우 에는, 교정 부재(30)의 볼록부(303)가 기판(19) 표면의 외주 영역의 전체면과 접할 수 없어, 공간 SP1을 감압하는(부압으로 하는) 것이 곤란해질 가능성이 있다. 따라서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 교정 부재(30)의 볼록부(303)의 기판측 면(기판(19) 표면의 외주 영역측의 면)에 탄성 부재(306)를 배치하면 된다. 이에 의해, 외측 테두리의 일부가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우에도, 교정 부재(30)의 볼록부(303)는 탄성 부재(306)를 개재하여 기판(19) 표면의 외주 영역의 전체면과 접하는 것이 가능하게 되기 때문에, 공간 SP1을 규정할 수 있다. 따라서, 제1 감압부(61)에 의해 공간 SP1을 감압함으로써, 외측 테두리의 일부가 솟아오르는 휨이 발생한 기판(19)에 대해서도 교정력을 발휘할 수 있다. 탄성 부재(306)는 도 8에서는, 대향면(302)에 수직인 단면에 있어서, 절곡된 부분을 포함하는 형상을 갖고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 직사각형의 형상을 갖고 있어도 된다.
이하, 도 9의 (a), 도 9의 (b) 및 도 9의 (c)를 참조하여, 교정 부재(30)의 변형예인 교정 부재(30A)에 대하여 설명한다. 교정 부재(30A)는, 베이스 부재(301A)로서, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)의 표면에 대향하는 대향면(302A)과, 대향면(302A)으로부터 기판(19)의 표면측으로 돌출된 복수의 볼록부(303A)를 포함한다. 복수의 볼록부(303A)는, 기판(19)의 외측 테두리를 포함하는 표면의 외주 영역 내의 서로 상이한 복수의 부분 각각에 대향하여 대향면(302A)에 형성되어 있다(즉, 대향면(302A)에 부분적으로 형성되어 있음).
교정 부재(30A)의 측면에는, 척(16)을 둘러싸도록, 탄성 부재(309A)가 배치되어 있다. 탄성 부재(309A)는, 척(16)(기판(19))의 외경보다도 큰 내경을 갖고, 기판 스테이지(17)에 접촉 가능하게 구성된다. 탄성 부재(309A)는, 복수의 볼록부(303A)가 기판(19)의 외주 영역에 접하고, 즉, 교정 부재(30A)가 기판(19)에 압박된 상태에 있어서, 기판 스테이지(17)에 접하여 대향면(302A)과 기판 스테이지(17)의 사이에 공간(제1 공간) SP3을 규정한다. 교정 부재(30A)의 대향면(302A)과 기판 스테이지(17) 사이의 공간 SP3은, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)의 외주 영역의 휨에 의해, 교정 부재(30A)의 대향면(302A)과 기판(19)의 중앙 영역의 사이에 규정되는 공간 SP1과 연통한다.
교정 부재(30A)에는, 공간 SP1과 대기 환경(외부)을 연통하는 연통로(304A)가 형성되어 있다. 교정 부재(30A)에서는, 연통로(304A)에 제1 감압부(61)를 접속할 필요는 없고, 후술하는 바와 같이, 연통로(304A)를 개폐 가능한 밸브(308A)가 설치되어 있다.
도 10의 (a) 내지 도 10의 (e)를 참조하여, 교정 부재(30A)를 사용하여 기판(19)의 휨을 교정하는 처리(기판(19)을 척(16)에 따르게 하는 처리)에 대하여 설명한다. 이러한 처리는, 제어부(21)가 노광 장치(1)의 각 부를 통괄적으로 제어함으로써 행해진다. 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 외측 테두리가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우, 제2 감압부(62)에서 공간 SP2를 감압해도, 기판(19)의 외측 테두리로부터의 에어 누설에 의해 기판(19)을 충분히 흡착할 수 없어, 기판(19)의 휨을 교정할 수 없다.
먼저, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 교정 부재(30A)와 기판(19)이 이격되어 있는 상태에 있어서, 밸브(308A)를 닫아, 교정 부재(30A)에 형성된 연통로(304A)를 차단한다(대기 환경(외부)과의 접속을 차단함). 그리고, 제2 감압부(62)에 의한 공간 SP2의 감압을 개시함과 함께, 교정 부재(30A)와 척(16)이 상대적으로 가까워지는 방향으로 교정 부재(30A)의 이동을 개시한다. 또한, 교정 부재(30A)를 이동시키는 것이 아니라, 척(16)을 이동시켜도 되고, 교정 부재(30A) 및 척(16) 중 적어도 한쪽을 이동시켜도 된다. 또한, 공간 SP1의 감압 시간을 단축하기 위해, 연통로(304A)는, 대기 환경 또는 진공원에 연통되어 있어도 된다.
도 10의 (b)는, 교정 부재(30A)의 복수의 볼록부(303A) 각각이 기판(19) 표면의 외주 영역 내의 서로 상이한 복수의 부분에 접한 상태를 도시하고 있다. 도 10의 (c)는, 기판(19) 표면의 외주 영역에 대응하는 이면의 영역이 척(16)에 접한 상태를 도시하고 있다. 도 10의 (b)에 도시하는 상태로부터 도 10의 (c)에 도시하는 상태까지, 밸브(308A)를 닫은 채 제2 감압부(62)에 의한 공간 SP2의 감압을 계속한다. 이 동안, 기판(19)의 외주 영역의 휨에 의해 공간 SP2와 공간 SP3이 연통되어 있기 때문에, 공간 SP2가 감압됨으로써 공간 SP3도 감압된다. 이에 의해, 교정 부재(30A)에는 하측 방향(기판(19))에 압박되는 힘이 발생함과 함께, 척(16)(기판(19))에는 상측 방향으로 압박되는 힘이 발생하기 때문에, 기판(19)의 휨이 교정되게 된다.
이어서, 기판(19) 표면의 외주 영역에 대응하는 이면의 영역이 척(16)에 접하면, 도 10의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제2 감압부(62)에 의한 공간 SP2의 감압을 계속하면서 밸브(308A)를 연다. 이에 의해, 연통로(304A)가 대기 환경으로 해방(대기 해방)되고, 교정 부재(30A)의 대향면(302A)과 기판(19) 표면의 중앙 영역 사이의 공간 SP1로 대기가 유입된다. 단, 공간 SP2는, 휨이 교정된 기판(19)에 의해 밀봉되어 있기 때문에, 기판(19)은 교정된 상태에서 척(16)에 보유 지지된다.
이어서, 도 10의 (e)에 도시하는 바와 같이, 기판(19)의 휨이 교정되어 기판(19)이 척(16)에 보유 지지되면, 교정 부재(30A)와 척(16)이 상대적으로 이격되는 방향으로 교정 부재(30A)의 이동을 개시한다. 이때, 밸브(308A)는 연 상태 그대로를 유지한다.
이와 같이, 교정 부재(30A)를 기판(19)에 압박한 상태에서, 제2 감압부(62)에 의해 공간 SP2를 감압함으로써, 기판(19)의 외주 영역의 휨에 의해 연통되어 있는 공간 SP3을 감압하여 기판(19)을 척(16)에 따르게 할 수 있다. 교정 부재(30A)는, 교정 부재(30)와 비교하여, 기판(19)과 접하는 면적을 저감하는 것이 가능하다. 또한, 교정 부재(30A)는, 연통로(304A)에 제1 감압부(61)를 접속할 필요가 없어지기 때문에, 그 배관을 삭감하는 것이 가능하게 된다.
본 실시 형태의 노광 장치(1)에 의하면, 예를 들어 외측 테두리가 솟아오르는 휨이 기판(19)에 발생한 경우에도, 그 휨을 교정하여 기판(19)을 척(16)으로 보유 지지할 수 있다. 따라서, 노광 장치(1)는 레티클(12)의 패턴을, 척(16)에 보유 지지된 기판(19)에 고정밀도로 전사할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 예를 들어 디바이스(반도체 소자, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등) 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 이러한 제조 방법은, 노광 장치(1)를 사용하여, 감광제가 도포된 기판을 노광하는 공정과, 노광된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 종래에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론이고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다. 예를 들어, 본 실시 형태에서는, 기판을 처리하는 처리 장치의 일례로서 노광 장치를 설명했지만, 본 발명은 스테이지에 적재된 척에 의해 흡착(보유 지지)되어 있는 기판을 처리하는 처리 장치에 적용 가능하다. 이러한 처리 장치는, 예를 들어 기판을 연마하는 연마 장치나 기판에 막을 형성하는 스핀 코터 등을 포함한다.

Claims (13)

  1. 기판을 처리하는 처리 장치이며,
    상기 기판의 이면을 흡착하여 기판을 보유 지지하는 척과,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접하며 상기 대향면과 상기 표면의 상기 외주 영역보다도 내측의 중앙 영역의 사이에 제1 공간을 규정하는 교정 부재와,
    상기 제1 공간과 연통되는, 상기 교정 부재에 형성된 연통로를 통하여 상기 제1 공간을 감압하는 제1 감압부와,
    상기 기판을 지지하는 복수의 핀이 배치된 상기 척의 면과 상기 이면 사이의 제2 공간과 연통되는, 상기 척에 형성된 연통로를 통하여 상기 제2 공간을 감압하는 제2 감압부와,
    상기 교정 부재를 상기 기판에 압박한 상태에서, 상기 제1 감압부에 의해 감압됨으로써 상기 제1 공간에 발생하는 힘이 상기 제2 감압부에 의해 감압됨으로써 상기 제2 공간에 발생하는 힘과 동등하거나 또는 작아지도록 상기 제1 감압부 및 상기 제2 감압부를 제어하여, 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는
    것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리에 있어서,
    상기 교정 부재와 상기 기판이 이격되어 있는 상태에 있어서, 상기 제2 감압부에 의한 상기 제2 공간의 감압을 개시함과 함께, 상기 교정 부재와 상기 척이 상대적으로 가까워지는 방향으로 상기 교정 부재 및 상기 척 중 적어도 한쪽의 이동을 개시하고,
    상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접하면, 상기 제1 감압부에 의한 상기 제1 공간의 감압을 개시하고,
    상기 기판이 상기 척을 따르게 되면, 상기 제1 감압부에 의한 상기 제1 공간의 감압을 정지하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 반송하는 반송 핸드를 더 갖고,
    상기 교정 부재는, 상기 반송 핸드에 배치되고,
    상기 반송 핸드는, 상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접한 상태에서 상기 제1 감압부에 의해 상기 제1 공간을 감압함으로써, 상기 교정 부재에 의해 상기 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 대향면과 상기 중앙 영역 사이의 거리를 계측하는 거리 계측부를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 반송 핸드가 상기 기판을 보유 지지하는 경우에 있어서, 상기 거리 계측부의 계측 결과에 기초하여, 상기 대향면과 상기 중앙 영역이 접촉되지 않도록, 상기 제1 감압부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 공간의 압력을 계측하는 압력 계측부를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 반송 핸드가 상기 기판을 보유 지지하는 경우에 있어서, 상기 압력 계측부의 계측 결과에 기초하여, 상기 대향면과 상기 중앙 영역이 접촉되지 않도록, 상기 제1 감압부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 볼록부는, 상기 외주 영역측의 면에 배치된 탄성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판에 마스크의 패턴을 투영하는 투영 광학계를 더 갖고,
    상기 투영 광학계를 개재하여 상기 기판을 노광하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 처리 장치이며,
    상기 기판의 이면을 흡착하여 상기 기판을 보유 지지하는 척과,
    상기 척을 적재하여 보유 지지하는 스테이지와,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역 내의 서로 상이한 복수의 부분 각각에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함하는 교정 부재와,
    상기 척을 둘러싸도록 상기 교정 부재의 측면에 배치되고, 상기 복수의 볼록부 각각이 상기 복수의 부분 각각에 접한 상태에 있어서 상기 스테이지에 접하며 상기 대향면과 상기 스테이지의 사이에 제1 공간을 규정하는 탄성 부재와,
    상기 기판을 지지하는 복수의 핀이 배치된 상기 척의 면과 상기 이면 사이의 제2 공간과 연통되는, 상기 척에 형성된 연통로를 통하여 상기 제2 공간을 감압하는 감압부와,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 상기 외주 영역에 상기 교정 부재의 상기 복수의 볼록부가 접하고 상기 기판의 중앙 영역에 상기 교정 부재가 접하지 않은 상태에서, 상기 감압부에 의해 상기 제2 공간을 감압함으로써, 상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 상기 외주 영역의 휨에 의해 연통되어 있는 상기 제1 공간을 감압하여, 상기 기판의 상기 이면의 전체가 상기 척에 접하도록 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 교정 부재는, 상기 제1 공간과 대기 환경을 연통하는 연통로와, 상기 연통로를 개폐 가능한 밸브를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 처리에 있어서,
    상기 교정 부재와 상기 기판이 이격되어 있는 상태에 있어서, 상기 밸브를 닫아서 상기 감압부에 의한 상기 제2 공간의 감압을 개시함과 함께, 상기 교정 부재와 상기 척이 상대적으로 가까워지는 방향으로 상기 교정 부재 및 상기 척 중 적어도 한쪽의 이동을 개시하고,
    상기 복수의 볼록부 각각이 상기 복수의 부분 각각에 접하고 나서 상기 외주 영역에 대응하는 상기 이면의 영역이 상기 척에 접할 때까지, 상기 밸브를 닫은 채 상기 감압부에 의한 상기 제2 공간의 감압을 계속하고,
    상기 외주 영역에 대응하는 상기 이면의 영역이 상기 척에 접하면, 상기 감압부에 의한 상기 제2 공간의 감압을 계속하면서 상기 밸브를 여는 것을 특징으로하는, 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판에 마스크의 패턴을 투영하는 투영 광학계를 더 갖고,
    상기 투영 광학계를 개재하여 상기 기판을 노광하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  11. 물품의 제조 방법이며,
    처리 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
    노광한 상기 기판을 현상하는 공정을 갖고,
    상기 처리 장치는,
    상기 기판의 이면을 흡착하여 기판을 보유 지지하는 척과,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부가 상기 외주 영역에 접하며 상기 대향면과 상기 표면의 상기 외주 영역보다도 내측의 중앙 영역의 사이에 제1 공간을 규정하는 교정 부재와,
    상기 제1 공간과 연통되는, 상기 교정 부재에 형성된 연통로를 통하여 상기 제1 공간을 감압하는 제1 감압부와,
    상기 기판을 지지하는 복수의 핀이 배치된 상기 척의 면과 상기 이면 사이의 제2 공간과 연통되는, 상기 척에 형성된 연통로를 통하여 상기 제2 공간을 감압하는 제2 감압부와,
    상기 교정 부재를 상기 기판에 압박한 상태에서, 상기 제1 감압부에 의해 감압됨으로써 상기 제1 공간에 발생하는 힘이 상기 제2 감압부에 의해 감압됨으로써 상기 제2 공간에 발생하는 힘과 동등하거나 또는 작아지도록 상기 제1 감압부 및 상기 제2 감압부를 제어하여, 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
  12. 물품의 제조 방법이며,
    처리 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
    노광한 상기 기판을 현상하는 공정을 갖고,
    상기 처리 장치는,
    상기 기판의 이면을 흡착하여 상기 기판을 보유 지지하는 척과,
    상기 척을 적재하여 보유 지지하는 스테이지와,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대향하는 대향면과, 상기 기판의 외측 테두리를 포함하는 상기 표면의 외주 영역 내의 서로 상이한 복수의 부분 각각에 대향하여 상기 대향면에 형성되며, 상기 대향면으로부터 상기 표면측으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함하는 교정 부재와,
    상기 척을 둘러싸도록 상기 교정 부재의 측면에 배치되고, 상기 복수의 볼록부 각각이 상기 복수의 부분 각각에 접한 상태에 있어서 상기 스테이지에 접하며 상기 대향면과 상기 스테이지 사이에 제1 공간을 규정하는 탄성 부재와,
    상기 기판을 지지하는 복수의 핀이 배치된 상기 척의 면과 상기 이면 사이의 제2 공간과 연통되는, 상기 척에 형성된 연통로를 통하여 상기 제2 공간을 감압하는 감압부와,
    상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 상기 외주 영역에 상기 교정 부재의 상기 복수의 볼록부가 접하고 상기 기판의 중앙 영역에 상기 교정 부재가 접하지 않은 상태에서, 상기 감압부에 의해 상기 제2 공간을 감압함으로써, 상기 척에 보유 지지된 상기 기판의 상기 외주 영역의 휨에 의해 연통되어 있는 상기 제1 공간을 감압하여, 상기 기판의 상기 이면의 전체가 상기 척에 접하도록 상기 기판을 상기 척에 따르게 하는 처리를 행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
  13. 삭제
KR1020170039130A 2016-04-05 2017-03-28 처리 장치 및 물품의 제조 방법 KR102183431B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-076118 2016-04-05
JP2016076118A JP6761271B2 (ja) 2016-04-05 2016-04-05 処理装置及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170114933A KR20170114933A (ko) 2017-10-16
KR102183431B1 true KR102183431B1 (ko) 2020-11-26

Family

ID=60044873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170039130A KR102183431B1 (ko) 2016-04-05 2017-03-28 처리 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6761271B2 (ko)
KR (1) KR102183431B1 (ko)
CN (1) CN107275269B (ko)
TW (1) TWI633396B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6866115B2 (ja) * 2016-11-04 2021-04-28 株式会社東京精密 ウエハの搬送保持装置
JP7101029B2 (ja) * 2018-04-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法
TWI647782B (zh) * 2018-05-16 2019-01-11 力成科技股份有限公司 面板級扇出型封裝之真空定位設備
CN113387132B (zh) * 2021-05-12 2023-09-12 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种基板作业平台及基板作业平台的控制方法
JP7412824B1 (ja) 2023-06-02 2024-01-15 株式会社 天谷製作所 半導体製造装置及び方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103703A (ja) * 2006-09-20 2008-05-01 Canon Inc 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法
JP2012146871A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク保持装置
JP2013165208A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、および、基板処理方法
JP2015228402A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 株式会社ディスコ 搬送方法
JP2016004909A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 株式会社ディスコ 搬送装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3105201B2 (ja) * 1998-10-20 2000-10-30 株式会社東京精密 ウェーハの搬送保持機構
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
JP5642628B2 (ja) * 2011-05-27 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板反り除去装置、基板反り除去方法及び記憶媒体
JP6087669B2 (ja) * 2013-03-06 2017-03-01 キヤノン株式会社 基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
JP6186256B2 (ja) * 2013-11-20 2017-08-23 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103703A (ja) * 2006-09-20 2008-05-01 Canon Inc 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法
JP2012146871A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク保持装置
JP2013165208A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、および、基板処理方法
JP2015228402A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 株式会社ディスコ 搬送方法
JP2016004909A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 株式会社ディスコ 搬送装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017187610A (ja) 2017-10-12
JP6761271B2 (ja) 2020-09-23
TWI633396B (zh) 2018-08-21
KR20170114933A (ko) 2017-10-16
CN107275269B (zh) 2021-07-30
CN107275269A (zh) 2017-10-20
TW201805725A (zh) 2018-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102183431B1 (ko) 처리 장치 및 물품의 제조 방법
KR101591321B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2008103703A (ja) 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法
JP2020112695A (ja) 露光装置、露光方法および、物品製造方法
TWI690782B (zh) 搬運手、搬運設備、微影設備、物品的製造方法及保持機構
JP2013038137A (ja) モールド、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2022544905A (ja) 基板ホルダ、リソグラフィ装置、及び方法
US20200183270A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
CN112041750A (zh) 平台设备、光刻设备、控制单元和方法
EP3990985B1 (en) Substrate handling system of a lithography apparatus and method thereof
TW201836059A (zh) 基板保持裝置、光刻裝置、物品之製造方法
KR20220124089A (ko) 척, 기판 유지장치, 기판 처리장치, 및 물품의 제조방법
JP2008277579A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2019102495A (ja) 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
JP2012185400A (ja) 収納容器、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
JP2015222778A (ja) 保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US20230110011A1 (en) Stage apparatus, lithography apparatus and article manufacturing method
KR102525317B1 (ko) 보유 지지 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
JP7071089B2 (ja) 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置および、物品の製造方法
JP6918475B2 (ja) ステージ装置、露光装置、および物品の製造方法
JP2022105436A (ja) 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2023055503A (ja) 位置決め装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP2017009933A (ja) 光学素子の把持構造
TW202245129A (zh) 夾頭、基板保持裝置、基板處理裝置及物品之製造方法
JP2024049185A (ja) 基板処理装置、および基板の保持方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right