TW201805160A - 阻氣性積層體、電子裝置用零件及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的阻氣性積層體，係依序直接或隔著其他層，積層著：基材、阻氣層及保護層的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層靠保護層側的表層部，相對於氧原子、氮原子及矽原子的存在量全體，氧原子存在比例係20~70%、氮原子存在比例係0~30%、矽原子存在比例係25~50%；且，上述保護層的25℃楊氏模數係5×109Pa以上、且1×1012Pa以下。根據本發明可提供具有優異阻氣性，即便貼合於具有梯度的裝置時，經長期仍不會導致該優異阻氣性降低的阻氣性積層體，以及由該阻氣性積層體構成的電子裝置用零件，暨包括該電子裝置用零件的電子裝置。

Description

阻氣性積層體、電子裝置用零件及電子裝置
本發明係關於即便彎折仍不易發生龜裂、具優異阻氣性的阻氣性積層體、由該阻氣性積層體構成的電子裝置用零件、以及包括該電子裝置用零件的電子裝置。
近年，例如液晶顯示器、電激發光(EL)顯示器等顯示器，為求實現薄型化、輕量化、可撓化等，針對具有電極的基板，取代玻璃板，改為使用在透明塑膠薄膜上積層著阻氣層之所謂「阻氣薄膜」。
例如專利文獻1有提案：設有由含有氧原子與矽原子之材料所構成阻氣層的成形體。
然而，若將該文獻所述具阻氣性的成形體，貼合於具梯度的裝置時，阻氣層容易發生龜裂，此情況會有阻氣性降低、裝置容易劣化的問題。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利4921612號(US2012064321A1)
本發明係有鑑於上述習知技術實情而完成，目的在於提供：即便彎折仍不易發生龜裂、具優異阻氣性的阻氣性積層體，由該阻氣性積層體構成的電子裝置用零件，以及包括該電子裝置用零件的電子裝置。
本發明者等為解決上述課題經深入鑽研，結果發現：依序積層著基材、阻氣層及保護層的阻氣性積層體，在上述阻氣層靠保護層側的表層部，相對於氧原子、氮原子及矽原子的存在量全體，氧原子存在比例、氮原子存在比例、及矽原子存在比例係特定值，且上述保護層的25℃楊氏模數(Young ratio)係特定值的阻氣性積層體，即便彎折但阻氣層仍不易發生龜裂、具有優異阻氣性，遂完成本發明。
根據本發明將提供下述〔1〕~〔8〕之阻氣性積層體、〔9〕之電子裝置用零件、及〔10〕之電子裝置。
〔1〕一種阻氣性積層體，依序直接或隔著其他層，積層著：基材、阻氣層及保護層，其特徵在於：上述阻氣層靠保護層側的表層部，相對於氧原子、氮原子及矽原子的存在量全體，氧原子存在比例係20~70%、氮原子存在比例係0~30%、矽原子存在比例係25~50%；上述保護層的25℃楊氏模數係5×109Pa以上、且1×1012Pa以下。
〔2〕如〔1〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層靠保護層側的表層部之膜密度係2.4~4.0g/cm3。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層的25℃楊氏模數係1×1010Pa以上、且1×1012Pa以下。
〔4〕如〔1〕或〔2〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層的楊氏模數係較高於上述保護層的楊氏模數。
〔5〕如〔1〕或〔2〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層係阻氣性單元構成，而該阻氣性單元係由在上述基材側配置的阻氣層(1)、以及在上述阻氣層(1)靠基材側的背後側之面側配置的阻氣層(2)構成。
〔6〕如〔5〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層(2)的25℃楊氏模數係1×1010Pa以上、且1×1012Pa以下。
〔7〕如〔5〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層(2)的楊氏模數係較高於上述保護層的楊氏模數。
〔8〕如〔5〕所述的阻氣性積層體，其中，上述阻氣層(1)的膜密度係較高於上述保護層的膜密度。
〔9〕一種電子裝置用零件，係由〔1〕~〔8〕中任一項所述的阻氣性積層體構成。
〔10〕一種電子裝置，係包括〔9〕所述的電子裝置用零件。
本發明的阻氣性積層體係即便彎折仍不易發生龜裂、具有優異的阻氣性，即便貼合於具梯度的裝置時，仍可經長期仍不致使該優異的阻氣性降低。
此處，所謂「具有梯度的裝置」係指在基板上積層著供形成裝置用的各種零件、在基板與各種零件之間具有梯度的裝置。
本發明的阻氣性積層體，因為具有保護層，因而阻氣性與衝擊吸收性均優異。即，即便阻氣性積層體貼合於裝置，阻氣層仍不會發生龜裂、斷裂，且阻氣性不易降低。
本發明的阻氣性積層體，係依序直接或隔著其他層，積層著基材、阻氣層及保護層的阻氣性積層體；上述阻氣層靠保護層側的表層部，相對於氧原子、氮原子及矽原子的存在量全體，氧原子的存在比例係20~70%，氮原子的存在比例係0~30%，矽原子的存在比例係25~50%；上述保護層的25℃楊氏模數係5×109Pa以上、且1×1012Pa以下。
(阻氣層)
構成本發明阻氣性積層體的阻氣層，係具有抑制氧、水蒸氣等氣體穿透之特性(阻氣性)的層。
本發明阻氣性積層體的阻氣層，係可舉例如：無機蒸鍍膜、經對含有高分子化合物的層(以下亦稱「高分子層」)施行改質處理而獲得的層等。其中，本發明的阻氣層較佳係經對高分子層施行改質處理而獲得的層；更佳係由下述阻氣性單元構成，而該阻氣性單元構成係由：經對高分子層施行改質處理而獲得的層，配置於基材側的高分子層未改質部分(以下亦稱「阻氣層(1)」)；以及經施行改質處理，且在上述高分子層的阻氣層(1)靠基材側之背後面，所配置的層(以下亦稱「阻氣 層(2)」)。
上述無機蒸鍍膜係可舉例如無機化合物、金屬的蒸鍍膜。
無機化合物的蒸鍍膜原料係可舉例如：氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鈦等無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氮氧化矽等無機氮氧化物；無機碳氧化物；無機氮碳化物；無機氮碳氧化物等。
金屬的蒸鍍膜原料係可舉例如：鋁、鎂、鋅、及錫等。
該等係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中，就從阻氣性的觀點，較佳係以無機氧化物、無機氮化物或金屬為原料的無機蒸鍍膜，又就從透明性的觀點，更佳係以無機氧化物或無機氮化物為原料的無機蒸鍍膜。
形成無機蒸鍍膜的方法係可舉例如：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等PVD(物理性蒸鍍)法；熱CVD(化學性蒸鍍)法、電漿CVD法、光CVD法等CVD法。
無機蒸鍍膜的厚度係依照所使用的無機化合物而有所差異，就從阻氣性與處置性的觀點，較佳係50~300nm、更佳係50~200nm範圍。
經對高分子層施行改質處理而獲得的阻氣層，所使用的高分子化合物係可舉例如：含矽高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合體等。
該等高分子化合物係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中，就從能形成具有更優異阻氣性之阻氣層的觀點，高分子化合物較佳係含矽高分子化合物含矽高分子化合物係可舉例如：聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、及聚有機矽氧烷系化合物等。其中，就從可形成即便薄但仍具優異阻氣性阻氣層的觀點，較佳係聚矽氮烷系化合物。
聚矽氮烷系化合物係分子內具有含-Si-N-鍵(矽氮烷鍵)之重複單元的高分子化合物。具體較佳係具有式(1)：
Figure TW201805160AD00001
所示重複單元的化合物。又，所使用聚矽氮烷系化合物的數量平均分子量並無特別的限定，較佳係100~50,000。
上述式(1)中，n係表示任意自然數。
Rx、Ry、Rz係表示各自獨立的氫原子、無取代(或具取代基)之烷基、無取代(或具取代基)之環烷基、無取代(或具取代基)之烯基、無取代(或具取代基)之芳基或烷基矽烷基等非水解性基。
上述無取代(或具取代基)之烷基的烷基，係可例 如：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳數1~10之烷基。
無取代(或具取代基)之環烷基的環烷基，係可舉例如：環丁基、環戊基、環己基、環庚基等碳數3~10之環烷基。
無取代(或具取代基)之烯基的烯基，係可舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳數2~10之烯基。
上述烷基、環烷基及烯基的取代基，係可舉例如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等無取代(或具取代基)之芳基等等。
無取代(或具取代基)之芳基的芳基，係可舉例如：苯基、1-萘基、2-萘基等碳數6~10之芳基。
上述芳基的取代基係可舉例如：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子；甲基、乙基等碳數1~6之烷基；甲氧基、乙氧基等碳數1~6之烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等無取代(或具取代基)之芳基等等。
烷基矽烷基係可舉例如：三甲矽烷基、三乙矽烷基、三異丙基矽烷基、三(第三丁基)矽烷基、甲基二乙矽烷基、二甲矽烷基、二乙矽烷基、甲矽烷基、乙矽烷基等。
該等之中，Rx、Ry、Rz較佳係氫原子、碳數1~6之烷基、或苯基，更佳係氫原子。
具有上述式(1)所示重複單元的聚矽氮烷系化合物，係可為Rx、Ry、Rz全部均為氫原子的無機聚矽氮烷，亦可為Rx、Ry、Rz中之至少1者非為氫原子的有機聚矽氮烷。
再者，本發明中，聚矽氮烷系化合物亦可使用聚矽氮烷改質物。聚矽氮烷改質物係可舉例如：日本專利特開昭62-195024號公報、特開平2-84437號公報、特開昭63-81122號公報、特開平1-138108號公報等、特開平2-175726號公報、特開平5-238827號公報、特開平5-238827號公報、特開平6-122852號公報、特開平6-306329號公報、特開平6-299118號公報、特開平9-31333號公報、特開平5-345826號公報、特開平4-63833號公報等所述者。
該等之中，聚矽氮烷系化合物就從取得容易性、及可形成具優異阻氣性之離子植入層的觀點，較佳係Rx、Ry、Rz全部均為氫原子的全氫聚矽氮烷。
再者，聚矽氮烷系化合物亦可直接使用依玻璃塗佈材料等形式市售的市售物。
聚矽氮烷系化合物係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
高分子層係除上述高分子化合物之外，亦可在不致阻礙本發明目的之範圍內含有其他成分。其他成分係可例如：固化劑、抗老化劑、光安定劑、難燃劑等。
高分子層中的高分子化合物含有量，就從能獲得具更優異阻氣性阻氣層的觀點，較佳係50質量%以上、更佳係70質量%以上。
高分子層的厚度並無特別的限制，較佳係50nm以上且1μm以下、更佳係50~300nm、特佳係50~200nm範圍。
本發明中，即便高分子層的厚度係奈米級，仍可獲得具有充分阻氣性的阻氣性積層體。
形成高分子層的方法並無特別的限定。例如製備含有：高分子化合物中之至少一種、視所需的其他成分、及溶劑等之高分子層形成用溶液，接著將該高分子層形成用溶液利用公知方法塗佈，再將所獲得塗膜施行乾燥便可形成高分子層。
高分子層形成用溶液所使用的溶劑，係可舉例如：苯、甲苯等芳香族烴系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等脂環式烴系溶劑等等。
該等溶劑係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
高分子層形成用溶液的塗佈方法係可舉例如：棒塗法、旋塗法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刀塗、氣刀塗佈、滾刀式塗佈、模具塗佈、網版印刷法、噴塗、照相凹版法等。
將所形成塗膜施行乾燥的方法係可採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等習知公知的乾燥方法。加熱溫度通常係60~130℃範圍。加熱時間通常係數秒至數十分鐘。
高分子層的改質處理係可舉例如：離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理係如後述，將離子植入高分子層中，而改質 高分子層的方法。
電漿處理係將高分子層暴露於電漿中而改質高分子層的方法。例如依照日本專利特開2012-106421號公報所述方法，便可施行電漿處理。
紫外線照射處理係對高分子層照射紫外線而改質高分子層的方法。例如依照日本專利特開2013-226757號公報所述方法，便可施行紫外線改質處理。
該等之中，就從高分子層的表面不會粗糙、效率佳改質至內部、可形成更優異阻氣性阻氣層的觀點，較佳係離子植入處理。
植入高分子層中的離子係可舉例如：氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳化物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等烷烴系氣體類的離子；乙烯、丙烯等烯烴系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子；乙炔等炔系氣體類的離子；苯、甲苯等芳香族烴系氣體類的離子；環丙烷等環烷烴系氣體類的離子；環戊烯等環烯烴系氣體類的離子；金屬的離子；有機矽化合物的離子等等。
該等離子係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中，就從可更簡便地植入離子、能形成具有更優異阻氣性之阻氣層的觀點，較佳係氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子。
離子的植入量係可配合阻氣性積層體的使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等再行適當決定。
植入離子的方法係可例如：照射利用電場加速離子(離子束)的方法、植入電漿中之離子的方法等。其中，本發明就從可簡便獲得目標阻障層的觀點，較佳係後者的電漿離子植入之方法。
電漿離子植入係例如使在含有稀有氣體等電漿生成氣體的環境下生成電漿，藉由對高分子層施加負的電壓脈衝，便可將該電漿中的離子(陽離子)植入於高分子層表面部。
利用離子植入而被植入離子區域的厚度，係可依照離子的種類、施加電壓、處理時間等植入條件進行控制，只要配合高分子層的厚度、積層體的使用目的等再行決定便可，通常係10~300nm。
本發明的阻氣性積層體，在上述阻氣層靠保護層側的表層部中，相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體(即將氧原子、氮原子及矽原子的存在量合計設為100%時)，氧原子的存在比例係20~70%、氮原子的存在比例係0~30%、矽原子的存在比例係25~50%，就發揮更優異阻氣性的觀點，較佳氧原子的存在比例係15~65%、氮原子的存在比例係5~25%、矽原子的存在比例係30~45%。
此處所謂「阻氣層靠保護層側的表層部」係指阻氣層靠保護層側的表面、及距該表面朝深度方向10nm的部分。又，當阻氣層係上述阻氣性單元的情況，「阻氣層(2)靠保護層側的表層部」便隸屬於「阻氣層靠保護層側的表層部」。
氧原子、氮原子及矽原子的存在比例測定，係依照實施例中說明的方法實施。
此種阻氣層係含有含矽高分子化合物的層，較佳係可例如對含有聚矽氮烷化合物的層，施行離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等改質處理而獲得的層。
再者，本發明的阻氣性積層體，就從能獲得本發明更優異效果的觀點，阻氣層較佳係由至少含有氧原子、氮原子及矽原子的材料構成，且從層靠保護層側的表面朝深度方向，層中的氧原子存在比例逐漸減少，且氮原子存在比例逐漸增加。
「從表面朝深度方向，氧原子存在比例逐漸減少、而氮原子存在比例逐漸增加的區域」厚度，通常係5~100nm、較佳係10~50nm。
再者，本發明的阻氣性積層體中，上述阻氣層靠保護層側的表層部之膜密度較佳係2.4~4.0g/cm3、更佳係2.5~4.0g/cm3、特佳係2.6~4.0g/cm3。
膜密度係使用X射線反射率法便可計算出。
X射線係若依非常小的角度入射於基板上的薄膜便被全反射。若所入射X射線的角度達全反射臨界角以上，X射線便會侵入薄膜內部而在薄膜表面、界面處分開為穿透波與反射波，而反射波會干擾。藉由分析全反射臨界角，便可求得膜的密度。另外，一邊改變入射角度一邊施行測定，從因光程差變化而衍生的反射波干擾訊號解析，亦可求得薄膜的膜厚。
膜密度係依照以下方法便可測定。
一般已知X射線對物質的折射率n、及折射率n的實部部分δ，係滿足下述式1及式2。
[數1]n=1-δ-iβ‧‧‧式1
Figure TW201805160AD00002
其中，re係表示電子的古典半徑(2.818×10-15m)，No係表示亞佛加厥常數，λ係表示X射線的波長，ρ係表示密度(g/cm3)，Zi、Mi、xi分別係表示第i號原子的原子序、原子量及原子數比(莫耳比)，fi'係表示第i號原子的原子散射因子(異常散射項)。又，全反射臨界角度θc係若忽視相關吸收的β，便可依式3表示：
Figure TW201805160AD00003
所以，從式2及式3的關係，密度ρ係可由下述式4求得。
Figure TW201805160AD00004
此處，θc係利用X射線反射率便可求得的值；re、No、λ係常數，Zi、Mi、fi'分別係構成原子的固有值。另外，關於xi：原子數比(莫耳比)，使用由XPS測定獲得的結果。
阻氣層靠保護層側的表層部之膜密度，係依照實施例所說明的方法測定X射線的反射率，使用式4計算。
再者，阻氣層(若阻氣層係上述阻氣性單元的情況便為上述阻氣層(2))，就從更容易獲得本發明效果的觀點，25℃楊氏模數較佳係1×1010Pa以上、且1×1012Pa以下。
再者，阻氣層(若阻氣層係上述阻氣性單元的情況便為上述阻氣層(2))的楊氏模數，最好較高於後述保護層的楊氏模數。
藉由阻氣層(若阻氣層係上述阻氣性單元的情況便為上述阻氣層(2))的楊氏模數，較高於保護層的楊氏模數，當黏貼於具梯度的裝置時，即便應力局部性集中於梯度部分等處，仍可防止阻氣層龜裂。
楊氏模數係例如利用實施例所述方法便可測定。
再者，若阻氣層係上述阻氣性單元的情況，最好阻氣層(1)的膜密度較高於後述保護層的膜密度。
藉由阻氣層(1)的膜密度較高於後述保護層的膜密度，當黏貼於具梯度的裝置時，即便應力局部性集中於梯度部分等處，仍可防止阻氣層龜裂。
〔保護層〕
本發明的阻氣性積層體係除上述阻氣層之外，更進一步設有保護層。保護層的楊氏模數係5×109Pa以上且1×1012Pa以 下、較佳係8×109Pa以上且8×1010Pa以下。
藉由設置具有此種楊氏模數的保護層，便可獲得保護性能優異，即便遭受衝擊但阻氣層仍不會發生龜裂、斷裂(即，不會有因阻氣層發生龜裂、斷裂而導致阻氣性降低之可能性)的阻氣性積層體。
形成保護層的素材並無特別的限定，係可例如：前述含矽高分子化合物、前述無機化合物、前述金屬的蒸鍍膜、丙烯酸系樹脂、烯烴系樹脂、胺酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系材料、聚氯乙烯等。
該等之中，較佳係含矽高分子化合物、丙烯酸系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系材料，更佳係含矽高分子化合物、丙烯酸系樹脂、烯烴系樹脂，特佳係含矽高分子化合物。
含矽高分子化合物係可舉例如：聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、及聚有機矽氧烷系化合物等。其中，就從可形成即便較薄但仍具有優異阻氣性之阻氣層的觀點，較佳係聚矽氮烷系化合物。
丙烯酸系樹脂係可舉例如：(甲基)丙烯酸酯單聚物、含有2種以上(甲基)丙烯酸酯單元的共聚合體、以及含有從(甲基)丙烯酸酯與其他官能基性單體的共聚合體之中選擇至少1種者。
另外，「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸或甲基丙烯酸(以下亦同)
因為(甲基)丙烯酸酯就從可輕易使保護層的楊氏模數在上述特定範圍內的觀點，較佳係酯部分的碳數為1~20 之(甲基)丙烯酸酯、更佳係酯部分的碳數為4~10之(甲基)丙烯酸酯。
碳數4~10之(甲基)丙烯酸酯係可舉例如：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯等。
官能基性單體係具有羥基、羧基、胺基、醯胺基等官能基的單體。例如：(甲基)丙烯酸羥乙酯等含羥基單體、(甲基)丙烯醯胺等含醯胺基單體、(甲基)丙烯酸等含羧酸基單體等等。
(甲基)丙烯酸酯的單聚物或共聚合體(以下將該等統稱為「(甲基)丙烯酸酯(共)聚合體」)，例如利用溶液聚合法、乳化聚合法、懸浮聚合法等公知聚合方法便可獲得。
(甲基)丙烯酸酯(共)聚合體亦可與交聯劑混合，使至少其中一部分形成交聯體後再使用。
交聯劑係可舉例如：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等、或該等的加成體等異氰酸酯系交聯劑；乙二醇環氧丙醚等環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-吖丙啶基]三磷三
Figure TW201805160AD00005
等氮丙啶系交聯劑；鋁螯合等螯合系交聯劑等等。
交聯劑的使用量，相對於(甲基)丙烯酸酯(共)聚合體的固形份100質量份，通常係0.01~10質量份、較佳0.05~5質量份。交聯劑係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
烯烴系樹脂係可舉例如：低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合體、 乙烯-(甲基)丙烯酸共聚合體、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚合體等。
聚矽氧系樹脂係可例如以二甲基矽氧烷為主成分者。
再者，橡膠系材料係可例如以異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠等為主成分者。
再者，保護層亦可由該等樹脂所構成層的積層體形成。
再者，由此種樹脂構成的保護層係可將熱可塑性樹脂施行擠出成形而呈薄片化者，亦可利用既定手段將固化性樹脂施行薄膜化，再經固化而薄片化者。
所使用的固化性樹脂係可例如由主劑為能量線固化性胺酯丙烯酸酯等寡聚物，稀釋劑為丙烯酸異
Figure TW201805160AD00006
酯等具有較龐大基的丙烯酸酯單體，且視需要經摻合光聚合起始劑的樹脂組成物所獲得者。
保護層中含有各種添加劑，例如：抗氧化劑、賦黏劑、可塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、抗靜電劑等其他成分。
保護層的形成方法並無特別的限制，可例如：將形成上述保護層的素材(黏著劑等)、及視所需含有溶劑等其他成分的保護層形成溶液，塗佈於待積層的層上，所獲得塗膜經乾燥，再視需要施行加熱等而形成的方法。
再者，亦可另外在剝離基材上製作保護層，再將所獲得的膜轉印於待積層的層上而積層。
保護層的厚度通常係10nm至10μm、較佳係30nm至1μm、更佳係40nm~600nm。
〔基材層〕
構成本發明阻氣性積層體的基材層，係在能載持阻氣層之前提下，其餘並無特別的限定。
基材層例係可例如：板狀體、各種容器、及各種電子裝置用零件。板狀體係可例如：樹脂膜、片、及板。各種容器係可舉例如：食品用容器、飲料用容器、化妝品用容器、衣料用容器、醫藥品容器、食品用瓶、飲料用瓶、食用油瓶、調味料瓶等瓶罐等等。
各種電子裝置用零件係可舉例如：有機EL元件、液晶元件、量子點元件、電子紙元件、有機太陽電池元件、薄膜電池、有機薄膜電晶體元件、有機感測器元件及微小電動機械感測器(MEMS)用元件等。本實施形態中，不管單片式板狀體、或長形狀板狀體，均可使用為基材層。
本發明中，所謂「長形」係指就形狀而言，長邊方向較長於寬度方向(較佳係10倍以上的長度)的帶狀。又，以下說明省略「長形的」用詞。
該等之中，基材層較佳係樹脂薄膜。樹脂薄膜的長度(長邊方向的長度)並無特別的限定，通常係400~2000m。
樹脂薄膜的寬度(寬度方向的長度)並無特別的限定，通常係450~1300mm、較佳530~1280mm。
樹脂薄膜的厚度並無特別的限定，通常係1~100μm、較佳5~70μm、更佳10~60μm。
樹脂薄膜的樹脂成分係可舉例如：聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合體等。
該等樹脂成分係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
該等之中，就從透明性優異、具通用性的觀點，更佳係聚酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚或環烯烴系聚合物，特佳係聚酯或環烯烴系聚合物。
聚酯係可舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等。
環烯烴系聚合物係可舉例如：降
Figure TW201805160AD00007
烯系聚合體、單環的環狀烯烴系聚合體、環狀共軛二烯系聚合體、乙烯脂環式烴聚合體、及該等的氫化物。
在不妨礙及本發明效果之範圍內，樹脂薄膜亦可含有各種添加劑。添加劑係可舉例如：紫外線吸收劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、填充劑、著色顏料等。該等添加劑的含有量係只要配合目的再行適當決定便可。
樹脂薄膜係製備含有既定成分的樹脂組成物，再將其成形為薄膜狀便可獲得。成形方法並無特別的限定，可利用澆鑄法、熔融擠出法等公知方法。
本發明的阻氣性積層體係依序直接或隔著其他層，積層著上述基材、阻氣層、保護層的積層體。
其他層係可舉例如：無機化合物層、導電體層、底漆層等。
〔底漆層〕
本發明的阻氣性積層體亦可具有底漆層。
底漆層通常係設置於基材層與阻氣層之間。藉由設置底漆層，便可達基材層表面的凹凸減少化，俾提升阻氣性積層體的層間密接性。又，藉由形成底漆層，便可效率佳地調節阻氣層的表面粗糙度。
底漆層係可例如由活性能量線固化型樹脂組成物的固化物所構成之層。
活性能量線固化型樹脂組成物係含有聚合性化合物，藉由活性能量線的照射便會固化的組成物。
聚合性化合物係可例如聚合性預聚物、聚合性單體。
聚合性預聚物係可舉例如：由二末端具有羥基的聚酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之聚酯丙烯酸酯系預聚物；由低分子量雙酚型環氧樹脂或酚醛型環氧樹脂，與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之環氧丙烯酸酯系預聚物；由聚胺酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之胺酯丙烯酸酯系預聚物；由聚醚多元醇、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之多元醇丙烯酸酯系預聚物等。
聚合性單體係可舉例如：1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸雙環戊酯、己內酯改質二(甲基)丙烯酸雙環戊烯酯、環氧乙烷改質磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸烯丙基化環己酯、異三聚氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯等雙官能基(甲基)丙烯酸酯；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯 酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯等三官能基(甲基)丙烯酸酯；丙酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等四官能基以上的(甲基)丙烯酸酯；乙二醇二乙烯醚、季戊四醇二乙烯醚、1,6-己二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙烯醚、環氧乙烷改質氫醌二乙烯醚、環氧乙烷改質雙酚A二乙烯醚、季戊四醇三乙烯醚、二季戊四醇六乙烯醚、二(三羥甲基丙烷)聚乙烯醚等乙烯基化合物等等，惟並不僅侷限於該等。
該等聚合性化合物係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
此處記為「(甲基)丙烯醯基」時，係指涵蓋丙烯醯基及甲基丙烯醯基二者。
再者，上述活性能量線固化性樹脂組成物中，亦可含有本身未具反應固化性的高分子樹脂成分(例如丙烯酸樹脂)。藉由高分子樹脂成分的添加，便可調整該組成物的黏度。
活性能量線係可舉例如：紫外線、電子束、α線、β線、γ線等。該等之中，就從使用較簡便的裝置便可生成的觀點，活性能量線較佳係紫外線。
該等聚合性化合物係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
當活性能量線係使用紫外線時，活性能量線固化 型樹脂組成物(即紫外線固化型樹脂組成物)，較佳係含有光聚合起始劑。
光聚合起始劑係在藉由紫外線的照射便開始進行聚合反應之前提下，其餘並無特別的限定。光聚合起始劑係可舉例如：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻-正丁醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻系聚合起始劑；苯乙酮、4'-二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥環己基苯酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-
Figure TW201805160AD00008
啉基-丙烷-1-酮、2-羥-1-{4-[4-(2-羥-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等苯乙酮系聚合起始劑；二苯基酮、4-苯基二苯基酮、4,4'-二乙胺基二苯基酮、4,4'-二氯二苯基酮等二苯基酮系聚合起始劑；2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌等蒽醌系聚合起始劑；2-甲基氧硫
Figure TW201805160AD00009
、2-乙基氧硫
Figure TW201805160AD00010
、2-氯氧硫
Figure TW201805160AD00011
、2,4-二甲基氧硫
Figure TW201805160AD00012
、2,4-二乙基氧硫
Figure TW201805160AD00013
等氧硫
Figure TW201805160AD00014
系聚合起始劑等等。
光聚合起始劑的含有量並無特別的限定，通常相對於上述聚合性化合物，係0.2~30質量%、較佳係0.5~20質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物亦可含有有機微粒子、無機微粒子等微粒子。藉由使用含有微粒子的活性能量線固化型樹脂組成物，便可使底漆層的表面適度變粗糙，結果表面可輕易地形成適度粗糙的阻氣層。
有機微粒子係可舉例如由：聚苯乙烯系樹脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚合體樹脂、丙烯酸系樹脂、胺系樹脂、二 乙烯苯系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、脲樹脂、酚系樹脂、苯并胍胺系樹脂、二甲苯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂等構成的微粒子。該等之中，較佳係由聚矽氧樹脂構成的聚矽氧微粒子。
無機微粒子係可舉例如：二氧化矽粒子、金屬氧化物粒子、烷基矽酸酯粒子等。
二氧化矽粒子係可舉例如：膠態二氧化矽、中空二氧化矽等。
金屬氧化物粒子係可舉例如：氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮等的粒子。
烷基矽酸酯粒子係可例如式：Ra-O[-{Si(ORb)2}-O-]n-Ra(式中，Ra與RbZ係表示碳數1~10之烷基；n係表示1以上之整數)所示烷基矽酸酯的粒子。
該等之中，較佳係二氧化矽粒子或烷基矽酸酯粒子。
該等微粒子係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
微粒子的形狀並無特別的限制。例如可使用無定形狀、正球狀等各種形狀的微粒子。
微粒子的平均粒徑通常係1~100nm、較佳1~20nm。微粒子的平均粒徑係利用雷射繞射/散射法便可測定。
當活性能量線固化型樹脂組成物含有微粒子的情況，微粒子含有量佔上述樹脂組成物的固形份，較佳係0.1~50質量%、更佳係1~30質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物較佳係含有均塗劑。藉由使用含有均塗劑的活性能量線固化型樹脂組成物，便 可效率佳地控制底漆層的表面粗糙度。
均塗劑係可例如矽氧烷系化合物。其中，較佳係聚二甲基矽氧烷及其衍生物等具二烷基矽氧烷骨架的化合物。
若活性能量線固化型樹脂組成物含有均塗劑的情況，均塗劑含有量佔上述樹脂組成物固形份中，較佳係0.01~10質量%、更佳係0.05~5質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物係在不致妨礙及本發明效果的範圍內，亦可含有其他成分。
其他成分係可舉例如：抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、著色顏料等。該等含有量係只要配合目的再行適當決定便可。
形成底漆層的方法並無特別的限定。例如製備含有：活性能量線固化型樹脂組成物、及視需要的溶劑之塗佈液，接著將該塗佈液利用公知方法塗佈於基材上，藉由使所獲得塗膜固化，便可形成由活性能量線固化型樹脂組成物之固化物構成的硬塗層。又，視需要在使塗膜固化之前，亦可施行乾燥處理。
塗佈液製備時所使用的溶劑，係可舉例如：苯、甲苯等芳香族烴系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等脂環式烴系溶劑等等。
該等溶劑係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
塗佈方法係可舉例如：棒塗法、旋塗法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刀塗、氣刀塗佈、滾刀式塗佈、模具塗佈、 網版印刷法、噴塗、照相凹版法等。
使塗膜乾燥時，乾燥方法係可採用例如熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等習知公知的乾燥方法。乾燥溫度通常係60~130℃的範圍。乾燥時間通常係數秒至數十分鐘。
塗膜的固化係藉由對塗膜照射活性能量線便可實施。
活性能量線係可舉例如：紫外線、電子束、α線、β線、γ線等。該等之中，就從使用較簡便的裝置便可生成的觀點，活性能量線較佳係電子束、紫外線，更佳係紫外線。
當活性能量線係使用紫外線的情況，紫外線源係可使用例如：超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、黑燈、金屬鹵素燈等光源。紫外線的光通量並無特別的限制，通常係100mJ/cm2~1,000mJ/cm2。照射時間通常係數秒~數小時，照射溫度通常係20~100℃。
底漆層的厚度通常係20μm以下、較佳0.5~20μm、更佳1.0~10μm。
〔阻氣性積層體〕
本發明的阻氣性積層體係可例如具有下述(A)、(B)層構造者，惟並不僅侷限於該等。
(A)：基材層/阻氣層/保護層
(B)：基材層/底漆層/阻氣層/保護層
本發明阻氣性積層體的厚度並無特別的限定，較佳係5~100μm、更佳係10~50μm、特佳係20~40μm。
本發明阻氣性積層體在溫度40℃、相對濕度90% 下，水蒸氣穿透率較佳係0.1g/(m2‧day)以下、更佳係0.05g/(m2‧day)以下、特佳係0.03g/(m2‧day)以下。下限值並無特別的限定，越小越佳，通常係0.001g/(m2‧day)以上。
水蒸氣穿透率係利用實施例所述方法便可測定。
本發明的阻氣性積層體因為具有優異的阻氣性，因而頗適用為電子裝置用零件。
製造本發明阻氣性積層體的方法並無特別的限定。
例如將阻氣性積層體設為長形狀阻氣薄膜的情況，在長形狀基材層用樹脂薄膜上，視需要利用上述方法形成底漆層之後，再利用上述方法形成阻氣層，便可製造本發明的阻氣性積層體。
所謂「長形狀」係指相對於薄片的寬度方向，具有至少5倍程度以上長度者，較佳係具有10倍或以上的長度，例如具有捲繞呈捲筒狀並保管或運搬之程度的長度。
形成底漆層的情況，可在基材層用樹脂薄膜上直接塗佈底漆層形成溶液，亦可先在底層基材上塗佈底漆層形成溶液，再於該塗膜上重疊基材用樹脂薄膜之後，使塗膜固化而形成底漆層。
根據此種製造方法，將本發明阻氣性積層體設為長形狀時便可效率佳地製造。
2)電子裝置用零件及電子裝置
本發明電子裝置用零件的特徵在於：由本發明的阻氣性積層體構成。所以，本發明的電子裝置用零件即便彎折但阻氣層 仍不易發生龜裂，具有優異的阻氣性。
因為本發明電子裝置用零件的無色透明性優異，因而頗適用為液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器零件等等。
本發明的電子裝置係包括本發明的電子裝置用零件。具體係可例如：液晶顯示器、有機EL顯示器、有機EL照明、無機EL顯示器、無機EL照明、電子紙、太陽電池等。
[實施例]
以下，舉實施例針對本發明進行更詳細說明。惟，本發明並不僅侷限於以下實施例。
各例中的「份」及「%」在無特別聲明前提下，係質量基準。
〔實施例1〕
針對厚度50μm經單面底塗處理過的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東洋紡公司製、「COSMOSHINE A-4100」)，在未施行底塗處理之一面上，塗佈全氫聚矽氮烷(AZ Electronic Materials公司製、「ZNL110A-20」)，將其依120℃施行2分鐘加熱固化，便形成聚矽氮烷層。聚矽氮烷層的膜厚係200nm。
其次，使用電漿離子植入裝置，依下述條件對上述聚矽氮烷層施行電漿離子植入，而改質聚矽氮烷層的表面，便獲得阻氣層(阻氣性單元)。
再者，在所獲得阻氣層上塗佈上述全氫聚矽氮烷，藉由將其依120℃施行2分鐘加熱固化而形成保護層。保護層的膜厚係300nm。
針對所獲得阻氣性積層體1施行各種測定。測定結果如表 1所示。
所使用的電漿離子植入裝置及電漿離子植入條件，係如下：
(電漿離子植入裝置)
RF電源：型號「RF」56000、日本電子公司製
高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」、栗田製作所公司製
(電漿離子植入條件)
‧電漿生成氣體：Ar
‧氣體流量：100sccm
‧Duty比：0.5%
‧重複頻率：1000Hz
‧施加電壓：-10kV
‧RF電源：頻率13.56MHz、施加電力1000W
‧腔內壓：0.2Pa
‧脈衝寬：5μsec
‧處理時間(離子植入時間)：5分鐘
〔實施例2〕
在實施例1中，除將阻氣層形成時的電漿離子植入條件「施加電壓」設為-15kV之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體2。
〔實施例3〕
在實施例1中，除保護層係使用利用濺鍍法製膜的二氧化矽層300nm之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積 層體3。
〔實施例4〕
在實施例1中，除阻氣層係使用利用濺鍍法製膜的氮氧化矽層200nm之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體4。
〔比較例1〕
在實施例1中，除未設置保護層之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體1r。
〔比較例2〕
在實施例1中，除使丙烯酸系樹脂〔胺酯丙烯酸酯系紫外線固化型化合物(SHIKOH UT-4692、日本合成化學公司製)〕20質量份溶解於甲基異丁酮100質量份之後，再相對於溶液的固形份100質量份，添加光聚合起始劑(Irgacurel 27、BASF公司製)3質量份，將所獲得溶液塗佈於阻氣層上，將其依70℃施行1分鐘加熱乾燥後，使用UV光照射線施行UV光照射(高壓水銀燈、線速度20m/分、積分光通量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W、通過次數2次)，而形成保護層之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體2r。保護層的膜厚係300nm。
〔比較例3〕
在實施例1中，除使丙烯酸系樹脂〔三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP、新中村化學公司製)〕20質量份，溶解於甲基異丁酮100質量份中之後，再相對於溶液的固形份100質量份，添加光聚合起始劑(Irgacurel 27、BASF公司製)3質量份，將所獲得溶液塗佈於阻氣層上，將其依70℃施行1分鐘加熱乾 燥後，使用UV光照射線施行UV光照射(高壓水銀燈、線速度20m/分、積分光通量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W、通過次數2次)，而形成保護層之外，之外，其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體3r。保護層的膜厚係300nm。
針對實施例及比較例所獲得阻氣性積層體，施行以下的測定。
(水蒸氣穿透率之測定)
阻氣性積層體的水蒸氣穿透率係使用mocon公司製、「AQUATRAN-1」測定。測定係在40℃、相對濕度90%環境下實施。
(X光光電子能譜測定裝置)
依照下述所示測定條件，施行阻氣層(經離子植入獲得的層)的表層部之氧原子、氮原子及矽原子存在比例測定。
測定裝置：「PHI Quantera SXM」ULVAC-PHI公司製
X射線源：Alk α
X射線光束直徑：100μm
電力值：25W
電壓：15kV
取出角度：45°
真空度：5.0×10-8Pa
(膜厚測定)
阻氣性積層體的膜厚係使用J.A.Woollam Japan公司製、「分光橢圓儀2000U」測定。測定係使用波長590nm光，在23℃下實施。
(楊氏模數之測定)
阻氣層(1)、阻氣層(2)、及保護層的楊氏模數，係使用微小表面硬度計(超微小動態硬度計W201S、島津製作所公司製)測定。結果如表1所示。
(耐久性之評價方法1)
依照利用金屬鈣褪色評價水分進入的方法，實施假設實際電子裝置的耐久性評價1。在具梯度的玻璃基板上蒸鍍金屬鈣，在阻氣性積層體的保護層上，依膜厚成為20μm的方式形成密封材(橡膠系黏著劑、商品名「TN-286」、松村石油化學公司製)，而依覆蓋玻璃基板梯度的方式貼合。玻璃基板係50×50mm尺寸，在中央部具有15×15mm大小且厚度200μm的梯度。在23℃ 50%RH環境下靜置100小時後，觀察樣品。將金屬鈣沒有褪色的情況評為「○(良好)」，將有褪色的情況評為「×(不良)」。結果如表1所示。
(耐久性之評價方法2)
依照與耐久性之評價方法1同樣，依照利用金屬鈣褪色評價水分進入的方法，實施耐久性評價2。在阻氣性積層體的保護層上將黏著材(橡膠系黏著劑、商品名「TN-286」、松村石油化學公司製)形成膜厚20μm狀態，再貼合剝離薄膜(SP-PET382150、厚度38μm、Lintec公司製)，便製得黏著片。在玻璃基板(品名：EAGLE XG、尺寸：100×100mm、Corning公司製)上蒸鍍金屬鈣，剝離黏貼帶的剝離薄膜，依覆蓋金屬鈣面的方式貼合而密封。在23℃ 50%RH環境下靜置100小時後，觀察樣品。將金屬鈣沒有褪色的情況評為「○(良好)」， 將有褪色的情況評為「×(不良)」。結果如表1所示。
(膜密度之測定)
阻氣層表層部的膜密度係依下述所示測定條件施行X射線的反射率測定，而求取全反射臨界角度θc，再從該值使用上述式4計算出。
測定裝置與測定條件係如下：
測定裝置：薄膜評價用試料水平型X射線繞射裝置「SmartLab」、Rigaku股份有限公司製
測定條件：
X射線源：Cu-K α 1(波長：1.54059Å)
光學系統：並排光束光學系統
入射側狹縫系：Ge(220)2結晶、高度限制狹縫5mm、入射狹縫0.05mm
受光側狹縫系：受光狹縫0.10mm、索勒狹縫(soller slit)5°
檢測器：閃爍計數
管電壓‧管電流：45kV-200mA
掃描軸：2 θ/θ
掃描模式：連續掃描
掃描範圍：0.1-3.0deg.
掃描速度：1deg./min.
取樣間隔：0.002°/Step
另外，原子數比(xi)係使用經利用X光光電子能譜測定所獲得，阻氣層表層部的氧原子、氮原子及矽原子存在比例。
Figure TW201805160AD00015
由第1表得知以下事項。
實施例1~4的阻氣性積層體1~4係保護層的彈性模數適度，即便彎折但阻氣層仍不易發生龜裂，並可抑制阻氣性降低。
另一方面，比較例1的阻氣性積層體1r，因為沒有設置保護層，因而若彎折，阻氣層便會出現龜裂，且阻氣性降低。
比較例2、3的阻氣性積層體2r、3r，因為保護層的彈性模數偏低，因而若彎折，阻氣層便會出現龜裂，且阻氣性降低。

Claims (10)

  1. 一種阻氣性積層體，係依序直接或隔著其他層，積層著：基材、阻氣層及保護層，其特徵在於：上述阻氣層靠保護層側的表層部，相對於氧原子、氮原子及矽原子的存在量全體，氧原子存在比例係20~70%、氮原子存在比例係0~30%、矽原子存在比例係25~50%；上述保護層的25℃楊氏模數係5×109Pa以上、且1×1012Pa以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層靠保護層側的表層部之膜密度係2.4~4.0g/cm3。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層的25℃楊氏模數係1×1010Pa以上、且1×1012Pa以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層的楊氏模數係較高於上述保護層的楊氏模數。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層係阻氣性單元構成，而該阻氣性單元係由在上述基材側配置的阻氣層(1)、以及在上述阻氣層(1)靠基材側的背後側之面側配置的阻氣層(2)構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層(2)的25℃楊氏模數係1×1010Pa以上、且1×1012Pa以下。
  7. 如申請專利範圍第5項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣層(2)的楊氏模數係較高於上述保護層的楊氏模數。
  8. 如申請專利範圍第5項之阻氣性積層體，其中，上述阻氣 層(1)的膜密度係較高於上述保護層的膜密度。
  9. 一種電子裝置用零件，由申請專利範圍第1至8項中任一項之阻氣性積層體構成。
  10. 一種電子裝置，包括申請專利範圍第9項之電子裝置用零件。
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