TW201802902A - 元件之製造方法及研削裝置 - Google Patents

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Abstract

若將晶圓分割而製造晶片時，以短時間掌握 所製造的各晶片的厚度，效率佳地獲得良品晶片。
本發明之元件之製造方法係具備有：研 削工程，其係將具備表示結晶方位的標記(N)且表面(Wa)以分割預定線(S)被劃區而形成有元件(D)的晶圓(W)的背面(Wb)，以研削石(740)進行研削；及分割工程，其係在研削工程之後，將晶圓(W)沿著分割預定線(S)進行分割而形成為晶片(C)，該元件(D)之製造方法係包含：記憶工程，其係由研削工程之後至分割工程之前，測定每個晶片(C)的厚度，且將所測定出的晶片(C)的位置資料、與晶片(C)的厚度值產生關連地進行記憶；及拾取工程，其係根據在記憶工程所記憶的晶片(C)的厚度值、與位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片(C)來進行拾取。

Description

元件之製造方法及研削裝置
本發明係關於由晶圓製造元件之製造方法、及研削晶圓的研削裝置。
在半導體元件的製造製程中，於在半導體晶圓的表面藉由分割預定線被劃區的各區域形成IC或LSI等元件。接著，在將晶圓的背面研削而薄化至預定的厚度之後，沿著分割預定線，將半導體晶圓切削而分割成晶片，藉此製造各個半導體元件。如上所示所製造的半導體元件被廣泛利用在各種電氣機器。
在晶圓被分割成晶片之後，測定各晶片的厚度，俾以從切削完成後的晶圓之中僅選擇厚度在容許值內的良品晶片。例如，以三次元方向積層有複數半導體元件晶片的積層元件係藉由形成具備容許值內的厚度的晶片被積層在晶圓上的積層晶圓，將該積層晶圓另外分割成各個晶片予以製造(參照例如專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2013-145926號公報
經分割的晶片的厚度測定在元件製造製程中為重要工程之一，為了測定各晶片的厚度，按每個晶片，以測定器由上下方向夾入晶片來進行厚度測定，因此會有在用以獲得良品晶片的晶片厚度測定上耗費眾多時間的問題。
因此，將晶圓分割而製造晶片時，有以短時間掌握所製造的各晶片的厚度，以效率佳地獲得良品晶片的課題。
用以解決上述課題的第1發明係一種元件之製造方法，其係具備有：研削工程，其係將具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的背面，以研削石進行研削；及分割工程，其係在該研削工程之後，將晶圓沿著該分割預定線進行分割而形成為晶片，該元件之製造方法係包含：記憶工程，其係由該研削工程之後至該分割工程之前，測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶；及拾取工程，其係在該分割工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料， 選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
第2發明係一種元件之製造方法，其係具備有：溝槽形成工程，其係在具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的該表面，沿著該分割預定線形成不貫穿至該背面的溝槽；研削工程，其係研削晶圓的該背面；分割工程，其係藉由該背面的研削，使該溝槽由該背面側表露出而將晶圓分割成晶片；及擴展工程，其係將被分割成晶片的晶圓以面方向擴張而將晶片間隔擴寬，該元件之製造方法係實施：記憶工程，其係由該分割工程之後至該擴展工程之前，測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶，且包含：拾取工程，其係在該擴展工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
第3發明係一種元件之製造方法，其係具備有：改質層形成工程，其係在具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的內部，沿著該分割預定線形成改質層；研削工程，其係研削晶圓的該背面；分割工程，其係藉由該背面的研削，使以該改質層為起點的裂痕朝向該表面產生而將晶圓分割成晶片；及擴展工程，其係將被分割成晶片的晶圓以面方向擴張而將晶片間隔擴寬，該元件之製造方法係實施：記憶工程，其係由該分割工程之後至該擴展工程之前，測定每個晶片 的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶，且包含：拾取工程，其係在該擴展工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
第4發明係一種研削裝置，其係具備有：保持手段，其係透過保護構件，保持具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的表面；研削手段，其係研削晶圓的背面：厚度測定手段，其係以非接觸測定晶圓的厚度；及資料處理手段，其係處理該厚度測定手段所取得的資料的研削裝置，該保持手段係具備有：保持平台，其係使晶圓的背面為上而保持以保護構件予以保護的晶圓的表面；旋轉手段，其係以該保持平台的中心為軸而使該保持平台旋轉；及角度辨識部，其係辨識該旋轉手段所旋轉的該保持平台的旋轉角度，該厚度測定手段係具備有：厚度測定器，其係具備：由被保持在該保持平台的晶圓的上方將測定光投光的投光部、及接受該測定光在晶圓作反射的反射光的受光部，且由在以該受光部所受光的晶圓的背面作反射的反射光、與在晶圓的表面作反射的反射光的光路差，測定晶圓的厚度；移動手段，其係使該厚度測定器至少以晶圓的徑方向移動；及徑方向位置辨識部，其係辨識該厚度測定器的位置，該資料處理手段係具備有：算出部，其係由在該厚度測定器所測定到的測定點中的該角度辨識部所辨識到的該保持平台的 旋轉角度、與徑方向位置辨識部所辨識到的該厚度測定器的徑方向位置，算出以形成在晶圓的標記為基準之針對該測定點的晶圓的面方向的位置資料；及記憶部，其係將該算出部所算出的該各位置資料、與該厚度測定器所測定到的各測定點中的晶片的厚度值產生關連地進行記憶，可將在該記憶部產生關連所記憶的晶片的該位置資料與該厚度值，在分割工程後所使用的加工裝置進行收授。
本發明之元件之製造方法係由研削工程之後至分割工程之前、或由分割工程之後至擴展工程之前，進行測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶的記憶工程，記憶晶圓級的晶片的位置。接著，進行根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取的拾取工程，藉此變得不需要白費工地拾取晶片，而且變得不需要按每個晶片以測定器由上下方向夾入晶片來測定厚度，因此不會有在厚度測定耗費很多時間的情形，可以短時間掌握各晶片的厚度，且效率佳地獲得良品晶片。
此外，本發明之研削裝置係保持手段具備有：保持平台，其係使晶圓的背面為上而保持以保護構件予以保護的晶圓的表面；旋轉手段，其係以保持平台的中心為軸而使保持平台旋轉；及角度辨識部，其係辨識旋轉 手段所旋轉的保持平台的旋轉角度，厚度測定手段係具備有：厚度測定器，其係具備：由被保持在保持平台的晶圓的上方將測定光投光的投光部、及接受測定光在晶圓作反射的反射光的受光部，且由在以受光部所受光的晶圓的背面作反射的反射光、與在晶圓的表面作反射的反射光的光路差，測定晶圓的厚度；移動手段，其係使厚度測定器至少以晶圓的徑方向移動；及徑方向位置辨識部，其係辨識厚度測定器的位置，資料處理手段係具備有：算出部，其係由在厚度測定器所測定到的測定點中的角度辨識部所辨識到的保持平台的旋轉角度、與徑方向位置辨識部所辨識到的厚度測定器的徑方向位置，算出以形成在晶圓的標記為基準之針對測定點的晶圓的面方向的位置資料；及記憶部，其係將算出部所算出的各位置資料、與厚度測定器所測定到的各測定點中的晶片的厚度值產生關連地進行記憶，可將在記憶部產生關連所記憶的晶片的位置資料與厚度值，在分割工程後所使用的加工裝置進行收授，因此藉由使用在實施本發明之元件之製造方法之時，變得不需要白費工地拾取晶片，可以短時間掌握各晶片的厚度，且效率佳地獲得良品晶片。
1‧‧‧研削裝置
10‧‧‧基座
A‧‧‧安裝卸下區域
B‧‧‧研削區域
110‧‧‧第1匣盒載置部
110a‧‧‧第1匣盒
111‧‧‧第2匣盒載置部
111a‧‧‧第2匣盒
12‧‧‧機器人
14‧‧‧凹口檢測手段
140‧‧‧檢測用平台
141‧‧‧高速度攝影機
142‧‧‧畫像處理部
15‧‧‧裝載臂
16‧‧‧卸載臂
17‧‧‧洗淨手段
17a‧‧‧保持手段
170‧‧‧保持平台
18‧‧‧一對高度規
181‧‧‧第1高度規
182‧‧‧第2高度規
19‧‧‧支柱
2‧‧‧切削裝置
21‧‧‧吸盤平台
21a‧‧‧保持面
21b‧‧‧旋轉手段
21c‧‧‧固定夾具
22‧‧‧切削手段
220‧‧‧切削刀
221‧‧‧轉軸套
222‧‧‧轉軸
23‧‧‧對準手段
230‧‧‧攝影機
3‧‧‧保持手段
30‧‧‧保持平台
300‧‧‧吸附部
300a‧‧‧保持面
301‧‧‧框體
30c‧‧‧吸盤平台的中心
31‧‧‧旋轉手段
310‧‧‧旋轉軸
311‧‧‧馬達
32‧‧‧角度辨識部
320‧‧‧標尺
321‧‧‧讀取部
321a‧‧‧纜線
4‧‧‧厚度測定手段
40‧‧‧厚度測定器
400‧‧‧投光部
401‧‧‧受光部
41‧‧‧移動手段
410‧‧‧滾珠螺桿
411‧‧‧基部
412‧‧‧臂部
42‧‧‧徑方向位置辨識部
420‧‧‧標尺
421‧‧‧讀取部
5‧‧‧研削進給手段
50‧‧‧滾珠螺桿
51‧‧‧導軌
52‧‧‧馬達
53‧‧‧升降板
54‧‧‧保持具
7‧‧‧研削手段
70‧‧‧轉軸
71‧‧‧轉軸套
72‧‧‧轉軸馬達
73‧‧‧架座
74‧‧‧研削輪
740‧‧‧研削石
741‧‧‧輪基台
8‧‧‧資料處理手段
80‧‧‧算出部
81‧‧‧記憶部
90‧‧‧吸盤平台
91‧‧‧照射頭
910‧‧‧雷射光
911‧‧‧雷射光
93‧‧‧平台
94‧‧‧框架保持部
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的表面
Wb‧‧‧晶圓的背面
Wd‧‧‧晶圓的外周緣
Wo‧‧‧晶圓的中心
N‧‧‧凹口
S‧‧‧分割預定線
D‧‧‧元件
C‧‧‧晶片
Ck‧‧‧晶片
CR‧‧‧裂痕
P‧‧‧保護構件
P1‧‧‧切割帶
P2‧‧‧擴展膠帶
F‧‧‧環狀框架
F1‧‧‧環狀框架
G‧‧‧溝槽
G1‧‧‧改質層
6‧‧‧拾取裝置
60‧‧‧針
61‧‧‧吸引墊
1A‧‧‧研削裝置
4A‧‧‧厚度測定手段
49‧‧‧移動手段
490‧‧‧滾珠螺桿
491‧‧‧橋狀基部
492‧‧‧可動部
L1、L2、L3‧‧‧假想線
Q1、Q2、...、Qk...、Qm‧‧‧測定點
T1、T2、T3、...、Tk...、Tm‧‧‧厚度
圖1係顯示研削裝置之一例的斜視圖。
圖2係顯示對晶圓的背面，將研削輪定位的狀態的側 面圖。
圖3係顯示以研削石研削晶圓的背面的狀態的側面圖。
圖4係顯示以厚度測定手段測定晶圓的厚度的狀態的側面圖。
圖5係顯示以厚度測定器測定晶圓的厚度時的測定點的軌跡的平面圖。
圖6係顯示由角度辨識部所辨識出的保持平台的旋轉角度與徑方向位置辨識部所辨識出的厚度測定器的徑方向位置，判斷對應測定點的座標位置的晶片的狀態的平面圖。
圖7係顯示藉由切削裝置來分割晶圓的狀態的斜視圖。
圖8係顯示藉由拾取裝置來拾取晶片的狀態的側面圖。
圖9係顯示在洗淨手段的近傍配設厚度測定手段的研削裝置之一例的斜視圖。
圖10係依工程別顯示本發明之第2實施形態的模式圖。
圖11係工程別顯示本發明之第3實施形態的模式圖。
1.第1實施形態
圖1所示之研削裝置1係至少具備有：保持晶圓W的保持手段3；研削晶圓W的背面Wb的研削手段7；以非接觸測定晶圓W的厚度的厚度測定手段4；及處理厚度測定手段4所取得的資料的資料處理手段8。
晶圓W係例如其外形為圓板形狀，晶圓W的表面Wa係以被配列成格子狀的分割預定線S被劃區成複數區域，在各區域係分別形成有在分割後成為晶片的IC等元件D。在晶圓W的外周緣Wd，以朝向晶圓W的中心Wo凹向徑方向內側的狀態形成有表示結晶方位的標記亦即凹口N。其中，晶圓W亦可為藉由將外周緣Wd的一部分平直地形成切口而形成有表示結晶方位的標記亦即定向平面者。
晶圓W係當藉由研削裝置1被研削時，形成為例如藉由圖1所示之元件保護用的保護構件P被貼著在晶圓W的表面Wa而受到保護的狀態。保護構件P係例如具有與晶圓W同等的外徑的圓板狀的薄膜帶。其中，保護晶圓W的表面Wa的保護構件P並非為限定為薄膜帶者，亦可為因液狀樹脂被滴下至晶圓W的表面Wa而擴展所形成的樹脂構件等。
研削裝置1的基座10上的前方(-X方向側)係形成為對保持手段3所配備的保持平台30進行晶圓W的安裝卸下的區域亦即安裝卸下區域A，基座10上之後方(+X方向側)係形成為藉由研削手段7進行被保持在 保持平台30上的晶圓W的研削的區域亦即研削區域B。
在基座10的正面側(-X方向側)排列設有例如第1匣盒載置部110及第2匣盒載置部111，在第1匣盒載置部110載置收容加工前的晶圓W的第1匣盒110a，在第2匣盒載置部111載置收容加工後的晶圓W的第2匣盒111a。
在第1匣盒載置部110之後方(+X方向側)係配設有由第1匣盒110a搬出加工前的晶圓W並且將加工後的晶圓W搬入至第2匣盒111a的機器人12。在鄰接機器人12的位置係配設有檢測晶圓W的凹口N的凹口檢測手段14。
凹口檢測手段14係例如具備有：可在吸引保持晶圓W的狀態下旋轉的檢測用平台140；控制檢測用平台140的旋轉動作的未圖示之旋轉手段；被定位在藉由檢測用平台140被保持的晶圓W的上方且具備有CMOS影像感測器等的高速度攝影機141；及根據藉由高速度攝影機141被攝像到的畫像，進行畫像處理等的畫像處理部142。
在鄰接凹口檢測手段14的位置配置有在保持晶圓W的狀態下進行回旋的裝載臂15。裝載臂15係以吸引墊吸引保持在凹口檢測手段14中被檢測到凹口N的晶圓W，且搬送至被配設在加工區域B內的保持平台30。在裝載臂15之鄰設有在保持加工後的晶圓W的狀態下進行回旋的卸載臂16。在近接卸載臂16的位置係配設有將 藉由卸載臂16被搬送的加工後的晶圓W進行洗淨的洗淨手段17。藉由洗淨手段17被洗淨的晶圓W係藉由機器人12被搬入至第2匣盒111a。
圖1所示之保持手段3係具備有：保持晶圓W的保持平台30；以保持平台30的中心30c為軸使其進行旋轉的旋轉手段31；及辨識旋轉手段31所旋轉的保持平台30的旋轉角度的角度辨識部32。其中，在圖1中係模式顯示旋轉手段31及角度辨識部32的各構成。
被配設在研削裝置1的基座10上且保持晶圓W的保持平台30係例如具備有：其外形為圓形狀，由多孔構件等所成且吸附晶圓W的吸附部300；及支持吸附部300的框體301。吸附部300係與未圖示之吸引源相連通，吸引源進行吸引所產生出的吸引力被傳達至吸附部300的露出面亦即保持面300a，藉此保持平台30係在保持面300a上吸引保持晶圓W。保持平台30係形成為在研削區域B內，可在基座10上以X軸方向往返移動。
被配設在保持平台30的下側的旋轉手段31係具備有：其上端被固定在保持平台30的底面側的旋轉軸310、及使旋轉310旋轉的馬達311。旋轉軸310的軸方向係Z軸方向，保持平台30的中心30c位於旋轉軸310的軸中心的延長線上。
在旋轉軸310的下端側配設有角度辨識部32。角度辨識部32係例如具備有：外形為圓板狀且以周方向以等間隔形成有刻度的標尺320；及讀取標尺320的 刻度的讀取部321，圓板狀的標尺320係使旋轉軸310的軸心與中心相一致而被固定在旋轉軸310的下端側。因此，伴隨旋轉軸310進行旋轉，保持平台30及標尺320以與旋轉軸310同方向以同一角度份進行旋轉。
被配設在標尺320的下側的讀取部321係例如讀取形成在標尺320的刻度的反射光的光學式者，在讀取部321係連接有用以傳送所讀取到的資訊的纜線321a。該纜線321a的另一端係連接於資料處理手段8。接著，角度辨識部32係可根據讀取部321由標尺320所讀取到的資訊，辨識保持平台30的旋轉角度。其中，角度辨識部32亦可形成為編碼器辨識馬達311的旋轉角度而通知資料處理手段8的構成。
在研削區域B的基座10上的後方(+X方向側)立設有支柱19，在支柱19的-X方向側的側面配設有研削進給手段5。研削進給手段5係由以下構成：具有鉛直方向(Z軸方向)的軸心的滾珠螺桿50；與滾珠螺桿50平行配設的一對導軌51；連結於滾珠螺桿50的上端且使滾珠螺桿50旋動的馬達52；內部的螺帽螺合於滾珠螺桿50且側部滑接於導軌51的升降板53；及被連結在升降板53且保持研削手段7的保持具54，若馬達52使滾珠螺桿50旋動，伴隨此升降板53被導引至導軌51而以Z軸方向往返移動，被保持在保持具54的研削手段7以在保持平台30進行接近或間離的Z軸方向予以研削進給。
研削手段7係具備有：軸方向為鉛直方向(Z軸方向)的轉軸70；可旋轉地支持轉軸70的轉軸套71；將轉軸70旋轉驅動的轉軸馬達72；連接於轉軸70的下端的圓環狀的架座73；及可安裝卸下地連接於架座73的下面的研削輪74。
研削輪74係具備有：環狀的輪基台741；及以環狀配設在輪基台741的底面之大致長方體形狀的複數研削石740。研削石740係例如以樹脂結合或金屬結合等固接鑽石砥粒等而成形。其中，研削石740的形狀亦可為一體形成為環狀者。在研削手段7的內部係形成有成為研削水之通道之未圖示的流路，該流路係以可在輪基台741的底面，朝向研削石740噴出研削水的方式形成開口。
在鄰接位於研削區域B內的保持平台30的-Y方向側的位置係配設有厚度測定手段4。厚度測定手段4係具備有：厚度測定器40；使厚度測定器40至少以晶圓W的徑方向(在圖示之例中為Y軸方向)移動的移動手段41；及辨識厚度測定器40的位置的徑方向位置辨識部42。
移動手段41係例如具備有：以保持平台30的行進方向(X軸方向)具有與水平方向呈正交的方向(Y軸方向)的軸心的滾珠螺桿410；在中空中支持滾珠螺桿410的兩端的橋狀基部411；內部的螺帽螺合在滾珠螺桿410而在滾珠螺桿410上朝向Y軸方向往返移動的臂部412；及連結在滾珠螺桿410的一端且使滾珠螺桿410 旋動之未圖示之馬達。臂部412係朝向+Y方向側延伸，在臂部412的+Y方向側的前端配設有厚度測定器40。若未圖示之馬達使滾珠螺桿410旋動，伴隨此臂部412在滾珠螺桿410上以Y軸方向往返移動，厚度測定器40在被定位在研削手段7的下方的保持平台30的上方以Y軸方向往返移動。其中，亦可在厚度測定手段4，除了移動手段41之外，具備有可朝X軸方向移動的移動手段，藉此厚度測定器40亦可朝X軸方向移動。
徑方向位置辨識部42係形成為例如具備有：以沿著臂部412的移動方向(Y軸方向)延伸的方式形成在基部411的上面的標尺420；及讀取標尺420的位置資訊(刻度)的讀取部421的構成。讀取部421係被固定在臂部412且連同臂部412一起以Y軸方向移動。讀取部421係例如讀取標尺420的刻度的反射光的光學式者，可辨識配設在臂部412的+Y方向側的前端的厚度測定器40的徑方向位置，亦即Y軸方向的位置。
在鄰接位於研削區域B內的保持平台30的+Y方向側的位置，配設有例如以接觸式測定晶圓W的厚度的一對高度規18。一對高度規18係具備有：保持平台30的保持面300a的高度位置測定用的第1高度規181；及晶圓W的背面Wb的高度位置測定用的第2高度規182，第1高度規181及第2高度規182係在其前端具備有以上下方向作升降的接觸件。藉由第1高度規181，被檢測成為基準面的框體301的上面的高度位置，且藉由第 2高度規182，被檢測所被研削的晶圓W的背面Wb的高度位置，藉由算出兩者的檢測值的差，可在研削中隨時測定晶圓W的厚度。
資料處理手段8係連接於厚度測定手段4及角度辨識部32，具備有：由CPU等所成之算出部80；及由記憶元件等所成之記憶部81。
以下使用圖1~8，說明使用研削裝置1來實施本發明之元件之製造方法時之研削裝置1的動作、及元件之製造方法的各工程。
(1)研削工程
首先，實施以研削石740研削晶圓W的背面Wb的研削工程。例如，所被研削的晶圓W係如圖1所示，在晶圓W的表面Wa被保護構件P所保護的狀態下，被收容在第1匣盒110a的內部。機器人12進行回旋移動，進入至第1匣盒110a內部，吸引保持研削前的晶圓W。接著，機器人12由第1匣盒110a內部搬出晶圓W，將晶圓W載置於檢查用平台140上。此時，晶圓W係使例如成為被研削面的背面Wb成為上側。檢查用平台140吸引保持晶圓W，此外，機器人12由檢查用平台140上退避。
高速度攝影機141在吸引保持有晶圓W的檢查用平台140上移動，以晶圓W收納在高速度攝影機141的攝像區域內的方式使高速度攝影機141被定位。接著，藉由未圖示之旋轉手段，檢查用平台140以Z軸方向的軸 心為軸進行旋轉，高速度攝影機141對正在旋轉的晶圓W的外周緣Wd以高速連續攝影，畫像處理部142例如藉由具有攝像畫中的晶圓W的外周緣Wd所具有的固有的顏色資訊的畫素，檢測晶圓W的外周緣Wd的凹口N。例如，通過晶圓W的中心Wo與凹口N的假想線相對X軸方向成為平行，而且以凹口N位於-X方向側的方式，保持晶圓W的檢查用平台140進行旋轉。
裝載臂15以位於檢查用平台140上的方式進行回旋，且吸引保持晶圓W。吸引保持有晶圓W的裝載臂15將晶圓W定位在保持平台30的上方。此時，裝載臂15係以位於保持平台30的中心30c與晶圓W的中心Wo由上方觀看為相重疊的位置的方式進行調整。接著，晶圓W以背面Wb成為上側的方式被載置於保持平台30的保持面300a上，保持平台30在保持面300a上吸引保持晶圓W，此外，裝載臂15由保持平台30上退避。
晶圓W係在例如通過晶圓W的中心Wo與凹口N的假想線與Y軸方向呈平行，而且凹口N位於-Y方向側的狀態，亦即在保持平台30上掌握到凹口N的位置的狀態下被吸引保持。
接著，如圖2所示，保持有晶圓W的保持平台30朝+X方向移動至研削手段7之下，保持平台30相對研削手段7的研削輪74被定位。伴隨藉由轉軸馬達72，轉軸70被旋轉驅動，研削輪74由+Z方向側觀看以逆時針方向以預定速度旋轉。此外，研削手段7藉由研削 進給手段5被送至-Z方向，研削手段7所配備的研削輪74朝-Z方向降下，研削石740抵接於晶圓W的背面Wb，藉此進行研削加工。此外，研削中伴隨旋轉手段31使保持平台30由+Z方向側觀看以逆時針方向旋轉，被保持在保持平台30上的晶圓W亦旋轉，因此研削石740進行晶圓W的背面Wb的全面的研削加工。如圖3所示，在研削晶圓W至預定的厚度之後，藉由圖1所示之研削進給手段5，使研削手段7朝+Z方向移動而由研削加工完畢的晶圓W間離。
(2)記憶工程
例如，圖1所示之旋轉手段31使保持平台30以所需角度份旋轉，被安置在預定的初期位置，例如成為通過晶圓W的中心Wo與凹口N的假想線與Y軸方向呈平行，而且凹口N位於-Y方向側的狀態的位置。接著，如圖4所示，未圖示之馬達使滾珠螺桿410旋動，臂部412在滾珠螺桿410上朝向+Y方向側移動。伴隨臂部412的移動，厚度測定器40亦在晶圓W的上方，由晶圓W的-Y方向側的外周緣Wd朝向晶圓W的中心Wo，以徑方向，亦即+Y方向移動。其中，隨著厚度測定器40由-Y方向側的外周緣Wd朝向晶圓W的中心Wo，加快藉由移動手段41所致之傳送厚度測定器40的速度。
在晶圓W的上方移動的厚度測定器40的投光部400對晶圓W照射測定光(例如雷射光)，由在受光 部401所受到之在晶圓W的背面Wb作反射的反射光、與在晶圓W的表面Wa作反射的反射光的光路差，厚度測定器40測定晶圓W的厚度。
移動手段41使厚度測定器40移動，並且旋轉手段31使保持平台30由+Z方向側觀看以逆時針方向，以晶圓W的初期位置的旋轉角度(0度)為基準進行旋轉，藉此被保持在保持平台30上的晶圓W亦進行旋轉，因此如圖5所示，以由晶圓W的外周緣Wd朝向中心Wo，測定點在背面Wb上描繪由+Z方向觀看為順時鐘方向的螺旋狀軌跡的方式，厚度測定器40測定晶圓W的背面Wb上的全面的各測定點Q1、測定點Q2、測定點Q3、...、測定點Qk...、測定點Qm(k、m為自然數)中的各厚度T1、厚度T2、厚度T3、...、厚度Tk...、厚度Tm(k、m為自然數)。其中，若將厚度測定手段4形成為除了移動手段41之外，具備有可朝X軸方向移動的移動手段的構成時，亦可不使保持平台30旋轉，而使厚度測定器40以Y軸方向及X軸方向移動。
厚度測定器40每逢測定各測定點Q1、測定點Q2、測定點Q3、...、測定點Qk...、測定點Qm中的晶圓W的厚度T1、厚度T2、厚度T3、...、厚度Tk...、厚度Tm時，即由讀取部321讀取圖1、4所示之標尺320的刻度，藉此角度辨識部32辨識保持平台30的旋轉角度θ1、旋轉角度θ2、旋轉角度θ3、...、旋轉角度θk...、旋轉角度θm(k、m為自然數)，關於所讀取到的保持平台 30的各旋轉角度(旋轉角度θ1、旋轉角度θ2、旋轉角度θ3、...、旋轉角度θk...、旋轉角度θm)的資訊由角度辨識部32對資料處理手段8被輸出。此外，厚度測定器40每逢測定各測定點Q1、測定點Q2、測定點Q3、...、測定點Qk...、測定點Qm中的晶圓W的厚度T1、厚度T2、厚度T3、...、厚度Tk...、厚度Tm時，讀取部421即讀取標尺420的位置資訊，藉此徑方向位置辨識部42辨識厚度測定器40的徑方向位置，亦即圖5所示之Y軸方向中的各徑方向位置y1、徑方向位置y2、徑方向位置y3、...徑方向位置yk...、徑方向位置ym(k、m為自然數)，針對所讀取到的厚度測定器40的徑方向位置(y1、y2、y3、...yk...、ym)的資訊由徑方向位置辨識部42對資料處理手段8被輸出。
圖1所示之資料處理手段8的算出部80係由厚度測定器40測定出晶圓W的厚度(厚度T1、厚度T2、厚度T3、...、厚度Tk...、厚度Tm)的各測定點Q1、測定點Q2、測定點Q3、...、測定點Qk、...、測定點Qm中之角度辨識部32所辨識出的保持平台30的旋轉角度(旋轉角度θ1、旋轉角度θ2、旋轉角度θ3、...、旋轉角度θk...、旋轉角度θm)、及徑方向位置辨識部42所辨識出的厚度測定器40的徑方向位置(y1、y2、y3、...、yk...、ym)，算出以晶圓W的凹口N為基準之針對各測定點的面方向的位置，作為X軸方向及Y軸方向的各位置資料。
關於以晶圓W的凹口N為基準的X軸方向及Y軸方向的各位置資料的算出，例如將晶圓W的中心Wo的座標位置設定為原點位置(0、0)。接著，例如在算出圖6所示之測定點Qk的X軸方向及Y軸方向的位置資料時，如圖6所示，由原點位置(0、0)至-Y方向的徑方向位置yk被畫出假想線L1。此外，被畫出由原點位置(0、0)朝向旋轉角度θk方向的假想線L2。此外，由假想線L1的前端朝向-X方向被畫出假想線L3，假想線L3與假想線L2的交點成為測定點Qk。接著，藉由被測定由假想線L1至測定點Qk之X軸方向中的距離，被算出測定點Qk的X軸方向及Y軸方向的位置資料，亦即座標位置(xk、yk)。接著，由測定點Qk的座標位置(xk、yk)，判斷出正在測定形成在晶圓W的表面Wa的元件，亦即分割後的晶片Ck。
記憶部81係將算出部80所算出之X軸Y軸平面上的測定點Qk中的晶片Ck的座標位置(xk、yk)、與厚度測定器40所測定出的厚度Tk產生關連地進行記憶。其中，如圖6所示，如晶片Ck般若在晶片上存在複數測定點時(在圖示之例中存在有4個測定點)，將各測定點中的各厚度的平均值設為晶片Ck的厚度。如上所示，記憶部81將圖6所示之晶片C1、晶片C2、晶片C3、...、晶片Ck、...晶片Cm的各座標位置、與厚度測定器40所測定出的各厚度產生關連而作為資料依序記憶。此外，資料處理手段8例如對後述之分割工程後所使用的 圖8所示之拾取裝置6，傳送記憶部81所記憶的資料。
(3)分割工程
在實施記憶工程之後，如圖7所示，實施沿著分割預定線S分割晶圓W，且形成為晶片C的分割工程。晶圓W的分割係例如使用切削裝置2來實施。其中，晶圓W係在被搬送至切削裝置2之前，藉由圖1所示之研削裝置1的洗淨手段17予以洗淨，接著，被搬送至未圖示的膠帶安裝機。在膠帶安裝機中，晶圓W係如圖7所示，形成為在晶圓的背面Wb被貼著切割帶P1，且透過切割帶P1被支持在環狀框架F的狀態。此外，圖1所示之保護構件P由晶圓W的表面Wa被剝離。
圖7所示之切削裝置2係至少具備有：保持晶圓W的吸盤平台21；具備有將被保持在吸盤平台21上的晶圓W切削的切削刀220的切削手段22；及檢測被保持在吸盤平台21上的晶圓W應切削的分割預定線S的對準手段23。
對準手段23係可根據藉由攝影機230所取得的畫像，檢測分割預定線S。對準手段23與切削手段22係形成為一體而構成，兩者連動朝Y軸方向及Z軸方向移動。
吸盤平台21係可在保持面21a上吸引保持晶圓W，且可藉由旋轉手段21b旋轉地予以支持，而且可藉由未圖示之切削進給手段，在X軸方向移動。此外，在吸 盤平台21的周圍配設有固定環狀框架F的固定夾具21c。
切削手段22係可以Y軸方向及Z軸方向移動。切削手段22所配備的切削刀220係例如可旋轉地被裝設在可旋轉地被收容在轉軸套221中且軸方向相對X軸方向以水平方向呈正交的方向(Y軸方向)亦即轉軸222。接著，伴隨轉軸222藉由未圖示之馬達被旋轉驅動，切削刀220亦進行高速旋轉。
首先，將透過切割帶P1而被支持在環狀框架F的晶圓W，以晶圓W的表面Wa成為上側的方式載置於吸盤平台21上。接著，藉由固定夾具21c固定環狀框架F，且在吸盤平台21的保持面21a上吸引保持晶圓W。
被保持在吸盤平台21的晶圓W以-X方向被傳送，並且藉由對準手段23，被檢測使切削刀220切入的分割預定線S的位置。伴隨分割預定線S被檢測，切削手段22朝Y軸方向移動，進行應切削的分割預定線S與切削刀220的Y軸方向中的對位。
保持晶圓W的吸盤平台21另外以-X方向被送出，並且切削手段22以-Z方向降下。此外，轉軸222旋轉，切削刀220一邊伴隨轉軸222的旋轉而旋轉，一邊切入至晶圓W，將分割預定線S切削。
若晶圓W被送至切削刀220切削結束分割預定線S的X軸方向的預定的位置時，一度停止晶圓W的切削進給，使切削刀220由晶圓W以+Z方向間離，接 著，使晶圓W以+X方向移動而返回至原本的位置。接著，按每個相鄰分割預定線S的間隔，將切削刀220一邊朝Y軸方向(在圖示之例中為-Y方向)進行分級進給一邊依序進行同樣的切削，另外使晶圓W藉由旋轉手段21b旋轉90度之後再進行同樣的切削，藉此沿著晶圓W的全部分割預定線S進行切削，將晶圓W分割成晶片C。
其中，分割工程亦可藉由以下任何方法。
(甲)沿著分割預定線S，照射對晶圓W具吸收性的波長的雷射光來進行燒蝕加工，藉此將分割預定線S完全切斷而分割成晶片C的方法。
(乙)沿著分割預定線S，照射對晶圓W具吸收性的波長的雷射光來進行燒蝕加工，藉此在分割預定線S形成燒蝕溝槽後，將該晶圓W以面方向擴展而分割成晶片C的方法。
(丙)沿著分割預定線S，照射對晶圓W具吸收性的波長的雷射光，在內部形成改質層之後，將該晶圓W以面方向擴展而分割成晶片C的方法。
(4)拾取工程
透過切割帶P1而被支持在環狀框架F的狀態的晶片C係被搬送至圖8所示之拾取裝置6。拾取裝置6係以未圖示之夾具等固定環狀框架F，且以例如可朝Z軸方向升降的針60，由下側透過切割帶P1上頂晶片C，以吸引墊61吸引保持晶片C由切割帶P1上浮之處來進行拾取的裝 置。
在此，在拾取裝置6係預先由資料處理手段8被傳送使晶片C的各座標位置與厚度測定器40所測定出的各厚度產生關連的資料。拾取裝置6係由被送出的資料中選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片C來進行拾取。因此，在多數的晶片C之中，可僅拾取良品，變得不需要白費工地拾取晶片C，而且變得不需要按每個晶片C以測定器由上下方向夾入晶片C來測定厚度，因此不會有在厚度測定耗費很多時間，可效率佳地獲得良品晶片。
其中，本發明之研削裝置1並非為限定於上述實施形態者，此外，關於所附圖面所圖示之各構成的大小或形狀等，亦非限定於此，可在可發揮本發明之效果的範圍內作適當變更。
例如，圖9所示之研削裝置1A係變更圖1所示之研削裝置1的構成的一部分的裝置。研削裝置1A的洗淨手段17係例如單片旋轉式的洗淨手段，具有：具備有作為可旋轉之旋轉平台的保持平台170的保持手段17a。接著，在保持平台170的下側配設有旋轉手段31及角度辨識部32。接著，角度辨識部32係連接於資料處理手段8。
在研削裝置1A中，厚度測定手段4A係配設在鄰接保持平台170的位置。厚度測定手段4A係具備有：厚度測定器40；使厚度測定器40至少以晶圓W的徑方向移動的移動手段49；及辨識厚度測定器40的位置的 徑方向位置辨識部42。
移動手段49係具備有：具有Y軸方向的軸心的滾珠螺桿490；在中空中支持滾珠螺桿490的兩端的橋狀基部491；內部的螺帽螺合在滾珠螺桿490而在滾珠螺桿490上朝向Y軸方向作往返移動的可動部492；及連結於滾珠螺桿490的一端且使滾珠螺桿490旋動之未圖示之馬達。在可動部492的-X方向側的側面配設有厚度測定器40，若未圖示之馬達使滾珠螺桿410旋動，伴隨此，可動部492在滾珠螺桿490上以Y軸方向往返移動，厚度測定器40在保持平台170的上方以Y軸方向往返移動。其中，亦可將厚度測定手段4A，除了移動手段49之外，具備可朝X軸方向移動的移動手段，使得厚度測定器40亦可朝X軸方向移動。徑方向位置辨識部42係例如形成為藉由配設在可動部492上的讀取部421，讀取沿著可動部492的移動方向(Y軸方向)延伸之形成在基部411的上面的標尺420的位置資訊(刻度)的構成。接著，厚度測定手段4A係連接於資料處理手段8。
若使用研削裝置1A來實施本發明之元件之製造方法，在實施(1)研削工程之後，經研削的晶圓W藉由卸載臂16被搬送至洗淨手段17，藉由保持手段17a及厚度測定手段4A，實施(2)記憶工程。
例如，為了實施本發明之元件之製造方法，亦可形成為排列研削裝置1、及在(1)研削工程後搬送晶圓W的膠帶安裝機，在研削裝置1與膠帶安裝機之裝 置間，獨立配設厚度測定手段與保持手段者。或者，亦可形成為在膠帶安裝機的裝置內具備有：厚度測定手段、及保持手段的構成。接著，亦可形成為以獨立配設在研削裝置1與膠帶安裝機之間的厚度測定手段、及保持手段，進行(2)記憶工程，或者以膠帶安裝機的裝置內所配備的厚度測定手段、及保持手段，進行(2)記憶工程者。
2.第2實施形態 (1)溝槽形成工程
例如圖10(a)所示，在圖7所示之切削裝置2的吸盤平台21保持切割帶P1側，且使晶圓W的表面Wa露出。接著，將進行旋轉的切削刀220定位在分割預定線S的上方，並且以切削刀220的下端位於比晶圓W的表面Wa更為下方的方式進行定位，在該狀態下，使吸盤平台21與切削手段22以X軸方向相對移動，藉此沿著分割預定線S，形成預定深度的溝槽G。針對全部分割預定線S，縱橫進行如上所示之切削。
其中，溝槽G亦可藉由利用雷射光照射所為之燒蝕加工而形成。例如，如圖10(b)所示，在雷射加工裝置的吸盤平台90保持晶圓W的背面Wb側。接著，由照射頭91照射對晶圓W具吸收性的波長的雷射光910，使照射頭91對晶圓W沿著分割預定線S以X軸方向相對移動，藉此將分割預定線S進行燒蝕加工而形成溝槽G。針對全部分割預定線S，縱橫進行如上所示之雷射 加工。
(2)研削工程
接著，將切割帶P1由背面Wb剝離，並且如圖10(c)所示，在形成有溝槽G的表面Wa貼著保護構件P，且在例如圖1所示之研削裝置1的保持平台30保持保護構件P側。接著，保持有晶圓W的保持平台30以預定速度旋轉，並且研削輪74以預定速度旋轉，因研削手段7下降，旋轉的研削石740研削背面Wb，且將晶圓W薄化。
(3)分割工程
若藉由繼續進行研削工程，使晶圓W的薄化進展，不久如圖10(d)所示，溝槽G由被研削面側表露出，晶圓W被分割成晶片C。之後亦視需要進行研削，藉此將各個晶片C形成為預定的厚度。其中，晶圓W被分割成晶片C之後亦為全部晶片C被貼著在保護構件P的狀態，因此全體維持晶圓W的形狀。
(4)記憶工程
在分割工程之後，使用例如圖1所示之厚度測定手段4，求出各個晶片C的厚度。接著，記憶部81將各晶片的座標位置、與厚度測定器40所測定到的各厚度產生關連而作為資料依序記憶。本工程係與第1實施形態同樣地實 施。其中，若在溝槽G的位置進行厚度測定，由於無法獲得適當的值，因此若藉由測定所求出的厚度的值為小於預定的臨限值的值時，即忽略該值。
(5)擴展工程
在記憶工程之後，如圖10(e)所示，在晶片C的背面側貼著擴展膠帶P2，且以環狀框架F1支持擴展膠帶P2。此外，將保護構件P由晶片C的表面剝離。接著，在擴展裝置中，將擴展膠帶P2側載置於平台93，並且在框架保持部94保持環狀框架F1，且使框架保持部94對平台93以下方向相對移動，藉此使擴展膠帶P2以面方向以放射狀伸張。如此一來，鄰接晶片C的晶片間隔擴寬。擴展裝置係定量掌握擴展膠帶P2的擴張量，且將該擴張量的值轉送至之後的拾取工程中所使用的拾取裝置。
(6)拾取工程
藉由擴展工程，使晶片間隔被擴寬後，由擴展膠帶P2拾取各個晶片C。晶片C的拾取係與第1實施形態同樣地進行，但是藉由擴展工程，各晶片C朝徑方向移動，因此根據擴展膠帶P2的擴展量，調節拾取位置。例如，將擴展量除以分割預定線S的數量，藉此算出擴展工程中的各個晶片C的偏移量，若以該偏移量份調整拾取位置，可拾取所希望的晶片C。
在藉由以上順序所實施的第2實施形態中， 在晶圓W被分割成晶片C之後測定晶片C的厚度，但是在記憶工程中，由於在晶片C全體維持晶圓W的形狀的狀態下測定晶片C的厚度，因此較有效率。
3.第3實施形態 (1)改質層形成工程(以雷射在內部形成改質層)
如圖11(a)所示，在晶圓W的背面Wb貼著切割帶P1，在雷射加工裝置的吸盤平台90保持切割帶P1側。接著，由照射頭91照射對晶圓W具透過性的波長的雷射光911，且使照射頭91相對晶圓W沿著分割預定線S以X軸方向作相對移動，藉此沿著分割預定線S，在晶圓W的內部形成改質層G1。沿著全部分割預定線S，縱橫進行如上所示之改質層形成加工。
(2)研削工程
接著，如圖11(b)所示，在形成有改質層G1的晶圓W的表面Wa貼著保護構件P，並且將切割帶P1由背面Wb側剝離。接著，在例如圖1所示之研削裝置1的保持平台30，保持保護構件P側。接著，保持有晶圓W的保持平台30以預定速度旋轉，並且研削輪74以預定速度旋轉，研削手段7下降，藉此旋轉的研削石740研削背面Wb，且將晶圓W薄化。
(3)分割工程
若藉由繼續進行研削工程而使晶圓W的薄化進展時，不久如圖11(c)所示，以改質層G1為起點而在表面Wa側形成裂痕CR，且藉由改質層G1及裂痕CR，晶圓W沿著分割預定線S被分割成各個晶片C。此外，之後亦視需要進行研削，藉此將各個晶片C形成為預定的厚度。其中，晶圓W被分割成晶片C之後亦為全部晶片C被貼著在保護構件P的狀態，因此全體維持晶圓W的形狀。
(4)記憶工程
在分割工程之後，使用例如圖1所示之厚度測定手段4，求出各個晶片C的厚度。接著，記憶部81將各晶片的座標位置、與厚度測定器40所測定出的各厚度產生關連而作為資料依序記憶。本工程係與第1實施形態及第2實施形態同樣地實施。
(5)擴展工程
在記憶工程之後，如圖11(d)所示，在晶片C的背面側貼著擴展膠帶P2，且以環狀框架F1支持擴展膠帶P2。此外，將保護構件P由晶片C的表面剝離。接著，在擴展裝置中，將擴展膠帶P2側載置在平台93，並且在框架保持部94保持環狀框架F1，且使框架保持部94對平台93以下方向相對移動，藉此使擴展膠帶P2以面方向以放射狀伸張。如此一來，鄰接晶片C的晶片間隔擴寬。 擴展裝置係定量掌握擴展膠帶P2的擴張量，且將該擴張量的值轉送至在之後的拾取工程中所使用的拾取裝置。
(6)拾取工程
在藉由擴展工程被擴寬晶片間隔之後，由擴展膠帶P2拾取各個晶片C。晶片C的拾取係與第1實施形態同樣地進行，但是藉由擴展工程，各晶片C朝徑方向移動，因此根據擴展膠帶P2的擴展量，調節拾取位置。例如，將擴展量除以分割預定線S的數量，藉此算出擴展工程中的各個晶片C的偏移量，若以該偏移量份調整拾取位置，可拾取所希望的晶片C。
在藉由以上順序所實施的第3實施形態中，在晶圓W被分割成晶片C之後測定晶片C的厚度，但是在記憶工程中，由於在晶片C全體維持晶圓W的形狀的狀態下測定晶片C的厚度，因此較有效率。
1‧‧‧研削裝置
10‧‧‧基座
A‧‧‧安裝卸下區域
B‧‧‧研削區域
110‧‧‧第1匣盒載置部
110a‧‧‧第1匣盒
111‧‧‧第2匣盒載置部
111a‧‧‧第2匣盒
12‧‧‧機器人
14‧‧‧凹口檢測手段
140‧‧‧檢測用平台
141‧‧‧高速度攝影機
142‧‧‧畫像處理部
15‧‧‧裝載臂
16‧‧‧卸載臂
17‧‧‧洗淨手段
18‧‧‧一對高度規
181‧‧‧第1高度規
182‧‧‧第2高度規
19‧‧‧支柱
3‧‧‧保持手段
30‧‧‧保持平台
300‧‧‧吸附部
300a‧‧‧保持面
301‧‧‧框體
30c‧‧‧吸盤平台的中心
31‧‧‧旋轉手段
310‧‧‧旋轉軸
311‧‧‧馬達
32‧‧‧角度辨識部
320‧‧‧標尺
321‧‧‧讀取部
321a‧‧‧纜線
4‧‧‧厚度測定手段
40‧‧‧厚度測定器
41‧‧‧移動手段
410‧‧‧滾珠螺桿
411‧‧‧基部
412‧‧‧臂部
42‧‧‧徑方向位置辨識部
420‧‧‧標尺
421‧‧‧讀取部
5‧‧‧研削進給手段
50‧‧‧滾珠螺桿
51‧‧‧導軌
52‧‧‧馬達
53‧‧‧升降板
54‧‧‧保持具
7‧‧‧研削手段
70‧‧‧轉軸
71‧‧‧轉軸套
72‧‧‧轉軸馬達
73‧‧‧架座
74‧‧‧研削輪
740‧‧‧研削石
741‧‧‧輪基台
8‧‧‧資料處理手段
80‧‧‧算出部
81‧‧‧記憶部
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的表面
Wb‧‧‧晶圓的背面
Wd‧‧‧晶圓的外周緣
Wo‧‧‧晶圓的中心
N‧‧‧凹口
S‧‧‧分割預定線
D‧‧‧元件
P‧‧‧保護構件

Claims (4)

  1. 一種元件之製造方法，其係具備有：研削工程，其係將具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的背面，以研削石進行研削；及分割工程，其係在該研削工程之後，將晶圓沿著該分割預定線進行分割而形成為晶片，該元件之製造方法係包含：記憶工程，其係由該研削工程之後至該分割工程之前，測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶；及拾取工程，其係在該分割工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
  2. 一種元件之製造方法，其係具備有：溝槽形成工程，其係在具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的該表面，沿著該分割預定線形成不貫穿至該背面的溝槽；研削工程，其係研削晶圓的該背面；分割工程，其係藉由該背面的研削，使該溝槽由該背面側表露出而將晶圓分割成晶片；及擴展工程，其係將被分割成晶片的晶圓以面方向擴張 而將晶片間隔擴寬，該元件之製造方法係實施：記憶工程，其係由該分割工程之後至該擴展工程之前，測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶，且包含：拾取工程，其係在該擴展工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
  3. 一種元件之製造方法，其係具備有：改質層形成工程，其係在具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的內部，沿著該分割預定線形成改質層；研削工程，其係研削晶圓的該背面；分割工程，其係藉由該背面的研削，使以該改質層為起點的裂痕朝向該表面產生而將晶圓分割成晶片；及擴展工程，其係將被分割成晶片的晶圓以面方向擴張而將晶片間隔擴寬，該元件之製造方法係實施：記憶工程，其係由該分割工程之後至該擴展工程之前，測定每個晶片的厚度，且將所測定出的晶片的位置資料、與晶片的厚度值產生關連地進行記憶，且包含： 拾取工程，其係在該擴展工程之後，根據在該記憶工程所記憶的晶片的厚度值、與該位置資料，選擇預先設定的容許厚度範圍內的晶片來進行拾取。
  4. 一種研削裝置，其係具備有：保持手段，其係透過保護構件，保持具備表示結晶方位的標記且在表面以分割預定線被劃區而形成有元件的晶圓的表面；研削手段，其係研削晶圓的背面：厚度測定手段，其係以非接觸測定晶圓的厚度；及資料處理手段，其係處理該厚度測定手段所取得的資料的研削裝置，該保持手段係具備有：保持平台，其係使晶圓的背面為上而保持以保護構件予以保護的晶圓的表面；旋轉手段，其係以該保持平台的中心為軸而使該保持平台旋轉；及角度辨識部，其係辨識該旋轉手段所旋轉的該保持平台的旋轉角度，該厚度測定手段係具備有：厚度測定器，其係具備：由被保持在該保持平台的晶圓的上方將測定光投光的投光部、及接受該測定光在晶圓作反射的反射光的受光部，且由在以該受光部所受光的晶圓的背面作反射的反射光、與在晶圓的表面作反射的反射光的光路差，測定晶圓的厚度；移動手段，其係使該厚度測定器至少以晶圓的徑方向移動；及徑方向位置辨識部，其係辨識該厚度測定器的位置，該資料處理手段係具備有： 算出部，其係由在該厚度測定器所測定到的測定點中的該角度辨識部所辨識到的該保持平台的旋轉角度、與徑方向位置辨識部所辨識到的該厚度測定器的徑方向位置，算出以形成在晶圓的標記為基準之針對該測定點的晶圓的面方向的位置資料；及記憶部，其係將該算出部所算出的該各位置資料、與該厚度測定器所測定到的各測定點中的晶片的厚度值產生關連地進行記憶，可將在該記憶部產生關連所記憶的晶片的該位置資料與該厚度值，在分割工程後所使用的加工裝置進行收授。
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