KR20170123247A - 디바이스의 제조 방법 및 연삭 장치 - Google Patents

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Abstract

(과제) 웨이퍼를 분할하여 칩을 제조하는 경우에, 제조된 각 칩의 두께를 단시간에 파악하여, 우량 칩을 효율적으로 얻는다.
(해결 수단) 결정 방위를 나타내는 마크 (N) 를 구비하고 표면 (Wa) 은 분할 예정 라인 (S) 으로 구획되어 디바이스 (D) 가 형성된 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 을 연삭 지석 (740) 으로 연삭하는 연삭 공정과, 연삭 공정 후에 웨이퍼 (W) 를 분할 예정 라인 (S) 을 따라 분할하여 칩 (C) 으로 하는 분할 공정을 구비하는 디바이스 (D) 의 제조 방법으로서, 연삭 공정 후부터 분할 공정 전까지 칩 (C) 마다의 두께를 측정하고 측정된 칩 (C) 의 위치 데이터와 칩 (C) 의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정과, 기억 공정에서 기억한 칩 (C) 의 두께값과 위치 데이터로 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩 (C) 을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법이다.

Description

디바이스의 제조 방법 및 연삭 장치{METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE AND GRINDING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼로부터 디바이스를 제조하는 제조 방법, 및 웨이퍼를 연삭하는 연삭 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 IC 나 LSI 등의 디바이스가 형성된다. 그리고, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 소정의 두께에 이를 때까지 박화한 후, 분할 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 절삭하여 칩으로 분할함으로써, 각각의 반도체 디바이스가 제조된다. 이와 같이 하여 제조된 반도체 디바이스는 각종 전기 기기에 널리 이용되고 있다.
절삭이 완료된 웨이퍼 중에서 두께가 허용 범위 값 내에 있는 우량 칩만을 선택하기 위해, 웨이퍼가 칩으로 분할된 후, 각 칩의 두께가 측정된다. 예를 들어, 복수의 반도체 디바이스 칩이 삼차원 방향으로 적층된 적층 디바이스는, 허용값 내의 두께를 구비하는 칩이 웨이퍼 상에 적층된 적층 웨이퍼가 형성되고, 이 적층 웨이퍼를 다시 각각의 칩으로 분할함으로써 제조된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 2013-145926호
분할된 칩의 두께 측정은, 디바이스 제조 프로세스에 있어서 중요한 공정 중 하나이지만, 각 칩의 두께를 측정하기 위해, 칩마다 측정기로 칩을 상하 방향에서 끼워 넣고 두께 측정을 실시해 가기 때문에, 우량 칩을 얻기 위한 칩의 두께 측정에 많은 시간이 걸린다는 문제가 있다.
따라서, 웨이퍼를 분할하여 칩을 제조할 때에는, 제조된 각 칩의 두께를 단시간에 파악하여, 우량 칩을 효율적으로 얻는다는 과제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 제 1 발명은, 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 공정과, 그 연삭 공정 후에 웨이퍼를 그 분할 예정 라인을 따라 분할하여 칩으로 하는 분할 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서, 그 연삭 공정 후부터 그 분할 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정과, 그 분할 공정 후에 그 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법이다.
제 2 발명은, 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 그 표면에, 그 분할 예정 라인을 따라 그 이면까지 관통하지 않는 홈을 형성하는 홈 형성 공정과, 웨이퍼의 그 이면을 연삭하는 연삭 공정과, 그 이면의 연삭에 의해 그 홈을 그 이면측으로부터 표출시켜 웨이퍼를 칩으로 분할하는 분할 공정과, 칩으로 분할된 웨이퍼를 면 방향으로 확장하여 칩 간격을 넓히는 익스팬드 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서, 그 분할 공정 후부터 그 익스팬드 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정을 실시하고, 그 익스팬드 공정 후에, 그 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여, 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법이다.
제 3 발명은, 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 내부에, 그 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 웨이퍼의 그 이면을 연삭하는 연삭 공정과, 그 이면의 연삭에 의해 그 개질층을 기점으로 하는 크랙을 그 표면을 향하여 발생시켜 웨이퍼를 칩으로 분할하는 분할 공정과, 칩으로 분할된 웨이퍼를 면 방향으로 확장하여 칩 간격을 넓히는 익스팬드 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서, 그 분할 공정 후부터 그 익스팬드 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정을 실시하고, 그 익스팬드 공정 후에, 그 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여, 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법이다.
제 4 발명은, 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면을 보호 부재를 개재하여 유지하는 유지 수단과, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 수단과, 웨이퍼의 두께를 비접촉으로 측정하는 두께 측정 수단과, 그 두께 측정 수단이 취득한 데이터를 처리하는 데이터 처리 수단을 구비하는 연삭 장치로서, 그 유지 수단은, 웨이퍼의 이면을 위로 하여 보호 부재로 보호된 웨이퍼의 표면을 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블의 중심을 축으로 그 유지 테이블을 회전시키는 회전 수단과, 그 회전 수단이 회전시키는 그 유지 테이블의 회전 각도를 인식하는 각도 인식부를 구비하고, 그 두께 측정 수단은, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼의 상방으로부터 측정광을 투광 하는 투광부와 그 측정광이 웨이퍼에서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하고 그 수광부가 수광하는 웨이퍼의 이면에서 반사된 반사광과 웨이퍼의 표면에서 반사된 반사광의 광로차로부터 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께 측정기와, 그 두께 측정기를 적어도 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시키는 이동 수단과, 그 두께 측정기의 위치를 인식하는 직경 방향 위치 인식부를 구비하고, 그 데이터 처리 수단은, 그 두께 측정기로 측정한 측정점에 있어서의 그 각도 인식부가 인식한 그 유지 테이블의 회전 각도와 직경 방향 위치 인식부가 인식한 그 두께 측정기의 직경 방향 위치로부터 웨이퍼에 형성된 마크를 기준으로 한 그 측정점에 대한 웨이퍼의 면 방향의 위치 데이터를 산출하는 산출부와, 그 산출부가 산출한 그 각 위치 데이터와 그 두께 측정기가 측정한 각 측정점에 있어서의 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억부를 구비하고, 그 기억부에서 관련지어 기억한 칩의 그 위치 데이터와 그 두께값을 분할 공정 후에 사용하는 가공 장치에 건네주는 것을 가능하게 한 연삭 장치이다.
본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법은, 연삭 공정 후부터 분할 공정 전까지, 또는 분할 공정 후부터 익스팬드 공정 전까지, 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정을 실시하여, 웨이퍼 레벨에서의 칩의 위치를 기억한다. 그리고, 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 위치 데이터에 기초하여 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 실시함으로써, 쓸데없이 칩을 픽업할 필요가 없어지고, 또한, 칩마다 측정기로 칩을 상하 방향에서 끼워 넣고 두께를 측정할 필요가 없어지기 때문에, 두께 측정에 시간이 많이 걸리지 않고 각 칩의 두께를 단시간에 파악하여, 우량 칩을 효율적으로 얻는 것이 가능해진다.
또, 본 발명에 관련된 연삭 장치는, 유지 수단은, 웨이퍼의 이면을 위로 하여 보호 부재로 보호된 웨이퍼의 표면을 유지하는 유지 테이블과, 유지 테이블의 중심을 축으로 유지 테이블을 회전시키는 회전 수단과, 회전 수단이 회전시키는 유지 테이블의 회전 각도를 인식하는 각도 인식부를 구비하고, 두께 측정 수단은, 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼의 상방으로부터 측정광을 투광시키는 투광부와 측정광이 웨이퍼에서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하고 수광부가 수광하는 웨이퍼의 이면에서 반사된 반사광과 웨이퍼의 표면에서 반사된 반사광의 광로차로부터 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께 측정기와, 두께 측정기를 적어도 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시키는 이동 수단과, 두께 측정기의 위치를 인식하는 직경 방향 위치 인식부를 구비하고, 데이터 처리 수단은, 두께 측정기로 측정한 측정점에 있어서의 각도 인식부가 인식한 유지 테이블의 회전 각도와 직경 방향 위치 인식부가 인식한 두께 측정기의 직경 방향 위치로부터 웨이퍼에 형성된 마크를 기준으로 한 측정점에 대한 웨이퍼의 면 방향의 위치 데이터를 산출하는 산출부와, 산출부가 산출한 각 위치 데이터와 두께 측정기가 측정한 각 측정점에 있어서의 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억부를 구비하고, 기억부에서 관련지어 기억한 칩의 위치 데이터와 두께값을 분할 공정 후에 사용하는 가공 장치에 건네줄 수 있기 때문에, 본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법을 실시할 때 사용함으로써, 쓸데없이 칩을 픽업할 필요가 없어지고, 각 칩의 두께를 단시간에 파악하여, 우량 칩을 효율적으로 얻는 것이 가능해진다.
도 1 은 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 웨이퍼의 이면에 대해 연삭 휠을 위치지운 상태를 나타내는 측면도이다.
도 3 은 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 4 는 웨이퍼의 두께를 두께 측정 수단으로 측정하고 있는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 5 는 웨이퍼의 두께를 두께 측정기로 측정한 경우의 측정점의 궤적을 나타내는 평면도이다.
도 6 은 각도 인식부가 인식한 유지 테이블의 회전 각도와 직경 방향 위치 인식부가 인식한 두께 측정기의 직경 방향 위치로부터 측정점의 좌표 위치에 대응하는 칩을 판단하는 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7 은 절삭 장치에 의해 웨이퍼를 분할하는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 8 은 칩을 픽업 장치에 의해 픽업하는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 9 는 세정 수단의 근방에 두께 측정 수단을 배치 형성한 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 10 은 본 발명의 제 2 실시형태를 공정별로 나타내는 모식도이다.
도 11 은 본 발명의 제 3 실시형태를 공정별로 나타내는모식도이다.
1 제 1 실시형태
도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 수단 (3) 과, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 을 연삭하는 연삭 수단 (7) 과, 웨이퍼 (W) 의 두께를 비접촉으로 측정하는 두께 측정 수단 (4) 과, 두께 측정 수단 (4) 이 취득한 데이터를 처리하는 데이터 처리 수단 (8) 을 적어도 구비하고 있다.
웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 그 외형이 원판 형상이고, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 은, 격자상으로 배열된 분할 예정 라인 (S) 에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 분할 후에 칩이 되는 IC 등의 디바이스 (D) 가 각각 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 (Wd) 에는, 결정 방위를 나타내는 마크인 노치 (N) 가, 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 을 향하여 직경 방향 내측으로 움푹 패인 상태로 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼 (W) 는, 결정 방위를 나타내는 마크인 오리엔테이션 플랫이, 외주 가장자리 (Wd) 의 일부를 플랫하게 절결함으로써 형성되어 있는 것이어도 된다.
웨이퍼 (W) 는, 연삭 장치 (1) 에 의해 연삭될 때, 예를 들어, 도 1 에 나타내는 디바이스 보호용 보호 부재 (P) 가 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 첩착 (貼着) 됨으로써 보호된 상태가 된다. 보호 부재 (P) 는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 와 동등한 외경을 갖는 원판상의 필름 테이프이다. 또한, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 을 보호하는 보호 부재 (P) 는, 필름 테이프에 한정되지 않고, 액상 수지가 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 적하되어 확대됨으로써 형성되는 수지 부재 등이어도 된다.
연삭 장치 (1) 의 베이스 (10) 상의 전방 (-X 방향측) 은, 유지 수단 (3) 에 구비하는 유지 테이블 (30) 에 대해 웨이퍼 (W) 의 착탈이 실시되는 영역인 착탈 영역 (A) 으로 되어 있고, 베이스 (10) 상의 후방 (＋X 방향측) 은, 연삭 수단 (7) 에 의해 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 의 연삭이 실시되는 영역인 연삭 영역 (B) 으로 되어 있다.
베이스 (10) 의 정면측 (-X 방향측) 에는, 예를 들어, 제 1 카세트 재치부 (載置部) (110) 및 제 2 카세트 재치부 (111) 가 나란히 형성되어 있고, 제 1 카세트 재치부 (110) 에는 가공 전의 웨이퍼 (W) 가 수용되는 제 1 카세트 (110a) 가 재치되고, 제 2 카세트 재치부 (111) 에는 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 수용하는 제 2 카세트 (111a) 가 재치된다.
제 1 카세트 재치부 (110) 의 후방 (＋X 방향측) 에는, 제 1 카세트 (110a) 로부터 가공 전의 웨이퍼 (W) 를 반출함과 함께 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 제 2 카세트 (111a) 에 반입하는 로봇 (12) 이 배치 형성되어 있다. 로봇 (12) 에 인접하는 위치에는, 웨이퍼 (W) 의 노치 (N) 를 검출하는 노치 검출 수단 (14) 이 배치 형성되어 있다.
노치 검출 수단 (14) 은, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한 상태로 회전 가능한 검출용 테이블 (140) 과, 검출용 테이블 (140) 의 회전 동작을 제어하는 도시되지 않은 회전 수단과, 검출용 테이블 (140) 에 의해 유지된 웨이퍼 (W) 의 상방에 위치지어져 CMOS 이미지 센서 등을 구비하는 고속도 카메라 (141) 와, 고속도 카메라 (141) 에 의해 촬상된 화상을 기초로 화상 처리 등을 실시하는 화상 처리부 (142) 를 구비하고 있다.
노치 검출 수단 (14) 에 인접하는 위치에는, 웨이퍼 (W) 를 유지한 상태로 선회하는 로딩 아암 (15) 이 배치되어 있다. 로딩 아암 (15) 은, 노치 검출 수단 (14) 에 있어서 노치 (N) 가 검출된 웨이퍼 (W) 를 흡인 패드로 흡인 유지하고, 가공 영역 (B) 내에 배치 형성되어 있는 유지 테이블 (30) 로 반송한다. 로딩 아암 (15) 옆에는, 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 유지한 상태로 선회하는 언로딩 아암 (16) 이 형성되어 있다. 언로딩 아암 (16) 에 근접하는 위치에는, 언로딩 아암 (16) 에 의해 반송된 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정하는 세정 수단 (17) 이 배치 형성되어 있다. 세정 수단 (17) 에 의해 세정된 웨이퍼 (W) 는, 로봇 (12) 에 의해 제 2 카세트 (111a) 에 반입된다.
도 1 에 나타내는 유지 수단 (3) 은, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 테이블 (30) 과, 유지 테이블 (30) 의 중심 (30c) 을 축으로 회전시키는 회전 수단 (31) 과, 회전 수단 (31) 이 회전시키는 유지 테이블 (30) 의 회전 각도를 인식하는 각도 인식부 (32) 를 구비한다. 또한, 도 1 에 있어서, 회전 수단 (31) 및 각도 인식부 (32) 의 각 구성은 모식적으로 나타내고 있다.
연삭 장치 (1) 의 베이스 (10) 상에 배치 형성되고 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 테이블 (30) 은, 예를 들어, 그 외형이 원 형상이며, 포러스 부재 등으로 이루어지고 웨이퍼 (W) 를 흡착하는 흡착부 (300) 와, 흡착부 (300) 를 지지하는 프레임체 (301) 를 구비한다. 흡착부 (300) 는 도시되지 않은 흡인원에 연통되어, 흡인원이 흡인됨으로써 만들어진 흡인력이, 흡착부 (300) 의 노출면인 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 은 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 유지 테이블 (30) 은, 연삭 영역 (B) 내에서 베이스 (10) 상을 X 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
유지 테이블 (30) 의 하측에 배치 형성된 회전 수단 (31) 은, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 그 상단이 고정된 회전축 (310) 과, 회전축 (310) 을 회전시키는 모터 (311) 를 구비하고 있다. 회전축 (310) 의 축 방향은 Z 축 방향이며, 회전축 (310) 의 축 중심의 연장선 상에, 유지 테이블 (30) 의 중심 (30c) 이 위치 하고 있다.
회전축 (310) 의 하단측에는, 각도 인식부 (32) 가 배치 형성되어 있다. 각도 인식부 (32) 는, 예를 들어, 외형이 원판상이고 둘레 방향으로 등간격으로 눈금이 형성된 스케일 (320) 과, 스케일 (320) 의 눈금을 판독하는 판독부 (321) 를 구비하고 있고, 원판상의 스케일 (320) 은, 회전축 (310) 의 하단측에 회전축 (310) 의 축심과 중심을 일치시켜 고정되어 있다. 따라서, 회전축 (310) 이 회전함에 따라, 유지 테이블 (30) 및 스케일 (320) 이, 회전축 (310) 과 동 방향으로 동일한 각도분만큼 회전한다.
스케일 (320) 의 하측에 배치 형성된 판독부 (321) 는, 예를 들어, 스케일 (320) 에 형성된 눈금의 반사광을 판독하는 광학식인 것으로, 판독부 (321) 에는, 판독한 정보를 송신하기 위한 케이블 (321a) 이 접속되어 있다. 이 케이블 (321a) 의 다른 일단은, 데이터 처리 수단 (8) 에 접속되어 있다. 그리고, 각도 인식부 (32) 는, 판독부 (321) 가 스케일 (320) 로부터 판독한 정보에 기초하여, 유지 테이블 (30) 의 회전 각도를 인식할 수 있다. 또한, 각도 인식부 (32) 는, 모터 (311) 의 회전 각도를 인코더가 인식하여 데이터 처리 수단 (8) 에 통지하는 구성으로 해도 된다.
연삭 영역 (B) 의 베이스 (10) 상의 후방 (＋X 방향측) 에는, 칼럼 (19) 이 수직 형성되어 있고, 칼럼 (19) 의 -X 방향측의 측면에는 연삭 이송 수단 (5) 이 배치 형성되어 있다. 연삭 이송 수단 (5) 은, 연직 방향 (Z 축 방향) 의 축심을 갖는 볼 나사 (50) 와, 볼 나사 (50) 와 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (51) 과, 볼 나사 (50) 의 상단에 연결되어 볼 나사 (50) 를 회동 (回動) 시키는 모터 (52) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (50) 에 나사 결합되어 측부가 가이드 레일 (51) 에 슬라이딩 접촉되는 승강판 (53) 과, 승강판 (53) 에 연결되어 연삭 수단 (7) 을 유지하는 홀더 (54) 로 구성되고, 모터 (52) 가 볼 나사 (50) 를 회동시키면, 이에 수반하여 승강판 (53) 이 가이드 레일 (51) 에 가이드되어 Z 축 방향으로 왕복 이동되고, 홀더 (54) 에 유지된 연삭 수단 (7) 이 유지 테이블 (30) 에 접근 또는 이간되는 Z 축 방향으로 연삭 이송된다.
연삭 수단 (7) 은, 축 방향이 연직 방향 (Z 축 방향) 인 스핀들 (70) 과, 스핀들 (70) 을 회전 가능하게 지지하는 스핀들 하우징 (71) 과, 스핀들 (70) 을 회전 구동시키는 스핀들 모터 (72) 와, 스핀들 (70) 의 하단에 접속된 원환상의 마운트 (73) 와, 마운트 (73) 의 하면에 착탈 가능하게 접속된 연삭 휠 (74) 을 구비한다.
연삭 휠 (74) 은, 환상의 휠 기대 (741) 와, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 환상으로 배치 형성된 대략 직방체 형상의 복수의 연삭 지석 (740) 을 구비한다. 연삭 지석 (740) 은, 예를 들어, 레진 본드나 메탈 본드 등으로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다. 또한, 연삭 지석 (740) 의 형상은, 환상으로 일체로 형성되어 있는 것이어도 된다. 연삭 수단 (7) 의 내부에는, 연삭수가 지나는 길이 되는 도시되지 않은 유로가 형성되어 있고, 이 유로는 휠 기대 (741) 의 바닥면에서 연삭 지석 (740) 을 향하여 연삭수를 분출할 수 있도록 개구되어 있다.
연삭 영역 (B) 내에 있는 유지 테이블 (30) 에 인접하는 -Y 방향측의 위치에는, 두께 측정 수단 (4) 이 배치 형성되어 있다. 두께 측정 수단 (4) 은, 두께 측정기 (40) 와, 두께 측정기 (40) 를 적어도 웨이퍼 (W) 의 직경 방향 (도시하는에 있어서는, Y 축 방향) 으로 이동시키는 이동 수단 (41) 과, 두께 측정기 (40) 의 위치를 인식하는 직경 방향 위치 인식부 (42) 를 구비하고 있다.
이동 수단 (41) 은, 예를 들어, 유지 테이블 (30) 의 진행 방향 (X 축 방향)과 수평 방향으로 직교하는 방향 (Y 축 방향) 의 축심을 갖는 볼 나사 (410) 와, 볼 나사 (410) 의 양단을 중공에서 지지하는 브릿지상의 기부 (411) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (410) 에 나사 결합되어 볼 나사 (410) 상을 Y 축 방향을 향하여 왕복 이동하는 아암부 (412) 와, 볼 나사 (410) 의 일단에 연결되어 볼 나사 (410) 를 회동시키는 도시되지 않은 모터를 구비하고 있다. 아암부 (412) 는 ＋Y 방향측을 향하여 연장되어 있고, 아암부 (412) 의 ＋Y 방향측의 선단에는 두께 측정기 (40) 가 배치 형성되어 있다. 도시되지 않은 모터가 볼 나사 (410) 를 회동시키면, 이에 수반하여 아암부 (412) 가 볼 나사 (410) 상을 Y 축 방향으로 왕복 이동하고, 두께 측정기 (40) 가, 연삭 수단 (7) 의 하방에 위치지어진 유지 테이블 (30) 의 상방을 Y 축 방향으로 왕복 이동한다. 또한, 두께 측정 수단 (4) 에, 이동 수단 (41) 에 더하여 X 축 방향으로의 이동을 가능하게 하는 이동 수단을 구비함으로써, 두께 측정기 (40) 가 X 축 방향으로도 이동 가능해지도록 해도 된다.
직경 방향 위치 인식부 (42) 는, 예를 들어, 기부 (411) 의 상면에 아암부 (412) 의 이동 방향 (Y 축 방향) 을 따라 연장되도록 형성된 스케일 (420) 과, 스케일 (420) 의 위치 정보 (눈금) 를 판독하는 판독부 (421) 를 구비한 구성으로 되어 있다. 판독부 (421) 는, 아암부 (412) 에 고정되어 아암부 (412) 와 함께 Y 축 방향으로 이동한다. 판독부 (421) 는, 예를 들어, 스케일 (420) 의 눈금의 반사광을 판독하는 광학식인 것으로, 아암부 (412) 의 ＋Y 방향측의 선단에 배치 형성된 두께 측정기 (40) 의 직경 방향 위치, 즉, Y 축 방향의 위치를 인식할 수 있다.
연삭 영역 (B) 내에 있는 유지 테이블 (30) 에 인접하는 ＋Y 방향측의 위치에는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 두께를 접촉식으로 측정하는 1 쌍의 하이트 게이지 (18) 가 배치 형성되어 있다. 1 쌍의 하이트 게이지 (18) 는, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300a) 의 높이 위치 측정용의 제 1 하이트 게이지 (181) 와, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 높이 위치 측정용의 제 2 하이트 게이지 (182) 를 구비하고 있고, 제 1 하이트 게이지 (181) 및 제 2 하이트 게이지 (182) 는, 그 선단에 상하 방향으로 승강하는 콘택트를 구비하고 있다. 제 1 하이트 게이지 (181) 에 의해, 기준면이 되는 프레임체 (301) 의 상면의 높이 위치가 검출되고, 제 2 하이트 게이지 (182) 에 의해, 연삭되는 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 높이 위치가 검출되며, 양자의 검출값의 차를 산출함으로써, 웨이퍼 (W) 의 두께를 연삭 중에 수시 측정할 수 있다.
데이터 처리 수단 (8) 은, 두께 측정 수단 (4) 및 각도 인식부 (32) 에 접속되어 있고, CPU 등으로 이루어지는 산출부 (80) 와, 기억 소자 등으로 이루어지는 기억부 (81) 를 구비하고 있다.
이하에, 도 1 ∼ 8 을 사용하여, 연삭 장치 (1) 를 사용하여 본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법을 실시하는 경우의, 연삭 장치 (1) 의 동작, 및 디바이스의 제조 방법의 각 공정에 대하여 설명한다.
(1) 연삭 공정
먼저, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 을 연삭 지석 (740) 으로 연삭하는 연삭 공정을 실시한다. 예를 들어, 연삭되는 웨이퍼 (W) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 (P) 에 의해 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 이 보호된 상태로, 제 1 카세트 (110a) 의 내부에 수용되어 있다. 로봇 (12) 이 선회 이동하여, 제 1 카세트 (110a) 내부에 진입하여, 연삭 전의 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 이어서, 로봇 (12) 이, 웨이퍼 (W) 를 제 1 카세트 (110a) 내부로부터 반출하여, 웨이퍼 (W) 를 검사용 테이블 (140) 상에 재치한다. 이 때, 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어 피연삭면이 되는 이면 (Wb) 이 상측이 되도록 한다. 검사용 테이블 (140) 이 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하고, 또, 로봇 (12) 이 검사용 테이블 (140) 상으로부터 퇴피된다.
웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한 검사용 테이블 (140) 상으로 고속도 카메라 (141) 가 이동되고, 고속도 카메라 (141) 의 촬상 영역 내에 웨이퍼 (W) 가 수용되도록 고속도 카메라 (141) 가 위치지워진다. 이어서, 도시되지 않은 회전 수단 에 의해, 검사용 테이블 (140) 이 Z 축 방향의 축심을 축으로 회전하고, 고속도 카메라 (141) 가, 회전되고 있는 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 (Wd) 를 고속으로 연속 촬영하고, 화상 처리부 (142) 가, 예를 들어, 촬상화 중의 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 (Wd) 가 갖는 고유의 색 정보를 갖는 화소에 의해, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 (Wd) 의 노치 (N) 를 검출한다. 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo)과 노치 (N) 를 지나는 가상선이 X 축 방향에 대해 평행해지고, 또한, 노치 (N) 가 -X 방향측에 위치하도록, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 검사용 테이블 (140) 이 회전된다.
로딩 아암 (15) 이 검사용 테이블 (140) 상에 위치하도록 선회하여, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한 로딩 아암 (15) 이, 웨이퍼 (W) 를 유지 테이블 (30) 의 상방에 위치지운다. 이 때, 로딩 아암 (15) 은, 유지 테이블 (30) 의 중심 (30c) 과 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 이 상방에서 보았을 때 중첩되는 위치에 위치하도록 조정한다. 이어서, 웨이퍼 (W) 가 이면 (Wb) 이 상측이 되도록 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300a) 상에 재치되고, 유지 테이블 (30) 이 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하고, 또, 로딩 아암 (15) 이 유지 테이블 (30) 상으로부터 퇴피된다.
웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 과 노치 (N) 를 지나는 가상선이 Y 축 방향과 평행하고, 또한, 노치 (N) 가 -Y 방향측에 위치한 상태, 즉, 유지 테이블 (30) 상에서 노치 (N) 의 위치가 파악된 상태에서 흡인 유지된다.
다음으로, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이, 연삭 수단 (7) 아래까지 ＋X 방향으로 이동하여, 유지 테이블 (30) 이 연삭 수단 (7) 의 연삭 휠 (74) 에 대해 위치지어진다. 스핀들 모터 (72) 에 의해 스핀들 (70) 이 회전 구동됨에 따라, 연삭 휠 (74) 이, ＋Z 방향측에서 보았을 때 반시계 회전 방향으로 소정의 속도로 회전한다. 또, 연삭 수단 (7) 이 연삭 이송 수단 (5) 에 의해 -Z 방향으로 이송되고, 연삭 수단 (7) 에 구비하는 연삭 휠 (74) 이 -Z 방향으로 강하되어가, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿음으로써 연삭 가공이 실시된다. 또한, 연삭 중에는, 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 ＋Z 방향측에서 보았을 때 반시계 회전 방향으로 회전시킴에 따라, 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 도 회전하기 때문에, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 전체면의 연삭 가공을 실시한다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 소정의 두께가 될 때까지 연삭한 후, 도 1 에 나타내는 연삭 이송 수단 (5) 에 의해 연삭 수단 (7) 을 ＋Z 방향으로 이동시켜 연삭 가공이 끝난 웨이퍼 (W) 로부터 이간시킨다.
(2) 기억 공정
예를 들어, 도 1 에 나타내는 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 소요 각도분만큼 회전시켜, 소정의 초기 위치, 예를 들어 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 과 노치 (N) 를 지나는 가상선이 Y 축 방향과 평행하고, 또한, 노치 (N) 가 -Y 방향 측에 위치한 상태가 되는 위치에 세팅된다. 이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 도시되지 않은 모터가 볼 나사 (410) 를 회동시켜, 아암부 (412) 가 볼 나사 (410) 상을 ＋Y 방향측을 향하여 이동된다. 아암부 (412) 의 이동에 따라, 두께 측정기 (40) 도 웨이퍼 (W) 의 상방을, 웨이퍼 (W) 의 -Y 방향측의 외주 가장자리 (Wd) 로부터 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 을 향하여 직경 방향, 즉 ＋Y 방향으로 이동되어 간다. 또한, 두께 측정기 (40) 가 -Y 방향측의 외주 가장자리 (Wd) 로부터 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 을 향함에 따라, 이동 수단 (41) 에 의한 두께 측정기 (40) 를 이송하는 속도를 빠르게 한다.
웨이퍼 (W) 의 상방을 이동하는 두께 측정기 (40) 의 투광부 (400) 가, 측정광 (예를 들어, 레이저광) 을 웨이퍼 (W) 에 대해 조사하고, 수광부 (401) 가 수광하는 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에서 반사된 반사광과 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에서 반사된 반사광의 광로차로부터, 두께 측정기 (40) 가 웨이퍼 (W) 의 두께를 측정한다.
이동 수단 (41) 이 두께 측정기 (40) 를 이동시킴과 함께, 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 ＋Z 방향측에서 보았을 때 반시계 회전 방향으로, 웨이퍼 (W) 의 초기 위치의 회전 각도 (0 도) 를 기준으로 하여 회전시킴으로써, 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 도 회전하기 때문에, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 (Wd) 로부터 중심 (Wo) 을 향하여 측정점이 이면 (Wb) 상에서 ＋Z 방향에서 보았을 때 시계 회전 방향의 스파이럴상의 궤적을 그리도록, 두께 측정기 (40) 가 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 상의 전체면의 각 측정점 Q1, 측정점 Q2, 측정점 Q3, …, 측정점 Qk …, 측정점 Qm (k, m 은 자연수) 에 있어서의 각 두께 T1, 두께 T2, 두께 T3, …, 두께 Tk …, 두께 Tm (k, m 은 자연수) 을 측정해 간다. 또한, 두께 측정 수단 (4) 을, 이동 수단 (41) 에 더하여 X 축 방향으로의 이동을 가능하게 하는 이동 수단을 구비하는 구성으로 한 경우에는, 유지 테이블 (30) 을 회전시키지 않고, 두께 측정기 (40) 를 Y 축 방향 및 X 축 방향으로 이동시키도록 해도 된다.
두께 측정기 (40) 가, 각 측정점 Q1, 측정점 Q2, 측정점 Q3, …, 측정점 Qk …, 측정점 Qm 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 두께 T1, 두께 T2, 두께 T3, …, 두께 Tk …, 두께 Tm 을 측정할 때마다, 도 1, 4 에 나타내는 스케일 (320) 의 눈금을 판독부 (321) 가 판독함으로써, 각도 인식부 (32) 가 유지 테이블 (30) 의 회전 각도 (회전 각도 θ1, 회전 각도 θ2, 회전 각도 θ3, …, 회전 각도 θk …, 회전 각도 θm (k, m 은 자연수) 를 인식하고, 판독한 유지 테이블 (30) 의 각 회전 각도 (회전 각도 θ1, 회전 각도 θ2, 회전 각도 θ3, …, 회전 각도 θk …, 회전 각도 θm) 에 대한 정보가, 각도 인식부 (32) 로부터 데이터 처리 수단 (8) 에 대해 출력된다. 또, 두께 측정기 (40) 가, 각 측정점 Q1, 측정점 Q2, 측정점 Q3, …, 측정점 Qk …, 측정점 Qm 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 두께 T1, 두께 T2, 두께 T3, …, 두께 Tk …, 두께 Tm 을 측정할 때마다, 스케일 (420) 의 위치 정보를 판독부 (421) 가 판독함으로써, 직경 방향 위치 인식부 (42) 가 두께 측정기 (40) 의 직경 방향 위치, 즉, 도 5 에 나타내는 Y 축 방향에 있어서의 각 직경 방향 위치 y1, 직경 방향 위치 y2, 직경 방향 위치 y3, …, 직경방향 위치 yk …, 직경 방향 위치 ym (k, m 은 자연수) 을 인식하고, 판독한 두께 측정기 (40) 의 직경 방향 위치 (y1, y2, y3, … yk …, ym) 에 대한 정보가, 직경 방향 위치 인식부 (42) 로부터 데이터 처리 수단 (8) 에 대해 출력된다.
도 1 에 나타내는 데이터 처리 수단 (8) 의 산출부 (80) 는, 두께 측정기 (40) 가 웨이퍼 (W) 의 두께 (두께 T1, 두께 T2, 두께 T3, …, 두께 Tk …, 두께 Tm) 를 측정한 각 측정점 Q1, 측정점 Q2, 측정점 Q3, …, 측정점 Qk, …, 측정점 Qm 에 있어서의 각도 인식부 (32) 가 인식한 유지 테이블 (30) 의 회전 각도 (회전 각도 θ1, 회전 각도 θ2, 회전 각도 θ3, …, 회전 각도 θk …, 회전 각도 θm) 와 직경 방향 위치 인식부 (42) 가 인식한 두께 측정기 (40) 의 직경 방향 위치 (y1, y2, y3, …, yk …, ym) 로부터, 웨이퍼 (W) 의 노치 (N) 를 기준으로 한 각 측정점에 대한 면 방향의 위치를, X 축 방향 및 Y 축 방향의 각 위치 데이터로서 산출한다.
웨이퍼 (W) 의 노치 (N) 를 기준으로 한 X 축 방향 및 Y 축 방향의 각 위치데이터의 산출에 대해서는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 중심 (Wo) 의 좌표 위치를 원점 위치 (0, 0) 로서 정한다. 그리고, 예를 들어, 도 6 에 나타내는 측정점 Qk 의 X 축 방향 및 Y 축 방향의 위치 데이터를 산출하려면, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 원점 위치 (0, 0) 로부터 -Y 방향의 직경 방향 위치 yk 까지 가상선 L1 이 그어진다. 또, 원점 위치 (0, 0) 로부터 회전 각도 θk 방향을 향하는 가상선 L2 가 그어진다. 또한, 가상선 L1 의 선단으로부터 -X 방향을 향하여 가상선 L3 이 그어지고, 가상선 L3 과 가상선 L2 의 교점이 측정점 Qk 가 된다. 그리고, 가상선 L1 로부터 측정점 Qk 까지의 X 축 방향에 있어서의 거리가 측정됨으로써, 측정점 Qk 의 X 축 방향 및 Y 축 방향의 위치 데이터, 즉, 좌표 위치 (xk, yk) 가 산출된다. 그리고, 측정점 Qk 의 좌표 위치 (xk, yk) 로부터, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 형성된 디바이스, 즉 분할 후의 칩 Ck 를 측정하고 있는 것으로 판단한다.
기억부 (81) 는, 산출부 (80) 가 산출한 X 축 Y 축 평면 상에 있어서의 측정점 Qk 에 있어서의 칩 Ck 의 좌표 위치 (xk, yk) 와, 두께 측정기 (40) 가 측정한 두께 Tk 를 관련지어 기억해 나간다. 또한, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 칩 Ck 과 같이 복수의 측정점이 칩 상에 존재하는 경우 (도시하는 예에 있어서는, 4 개의 측정점이 존재한다) 에는, 각 측정점에 있어서의 각 두께의 평균값을 칩 Ck 의 두께로 한다. 이와 같이 하여, 기억부 (81) 가, 도 6 에 나타내는 칩 C1, 칩 C2, 칩 C3, …, 칩 Ck, … 칩 Cm 의 각 좌표 위치와 두께 측정기 (40) 가 측정한 각 두께를 관련지어 데이터로서 순차적으로 기억해 나간다. 또한, 데이터 처리 수단 (8) 이, 예를 들어, 후술하는 분할 공정 후에 사용되는 도 8 에 나타내는 픽업 장치 (6) 에 대해, 기억부 (81) 가 기억한 데이터를 송신한다.
(3) 분할 공정
기억 공정을 실시한 후에, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 분할 예정 라인 (S) 을 따라 분할하여 칩 (C) 으로 하는 분할 공정을 실시한다. 웨이퍼 (W) 의 분할은, 예를 들어, 절삭 장치 (2) 를 사용하여 실시된다. 또한, 웨이퍼 (W) 는, 절삭 장치 (2) 에 반송되기 전에, 도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 의 세정 수단 (17) 에 의해 세정되고, 이어서, 도시되지 않은 테이프 마운터로 반송된다. 테이프 마운터에 있어서, 웨이퍼 (W) 는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼의 이면 (Wb) 에 다이싱 테이프 (P1) 가 첩착되고, 다이싱 테이프 (P1) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지된 상태가 된다. 또, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터, 도 1 에 나타내는 보호 부재 (P) 가 박리된다.
도 7 에 나타내는 절삭 장치 (2) 는, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 척 테이블 (21) 과, 척 테이블 (21) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 를 절삭하는 절삭 블레이드 (220) 를 구비한 절삭 수단 (22) 과, 척 테이블 (21) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 의 절삭해야 하는 분할 예정 라인 (S) 을 검출하는 얼라인먼트 수단 (23) 을 적어도 구비한다.
얼라인먼트 수단 (23) 은, 카메라 (230) 에 의해 취득한 화상에 기초하여, 분할 예정 라인 (S) 을 검출할 수 있다. 얼라인먼트 수단 (23) 과 절삭 수단 (22) 은 일체가 되어 구성되어 있고, 양자는 연동되어 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동된다.
척 테이블 (21) 은, 유지면 (21a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지할 수 있고, 회전 수단 (21b) 에 의해 회전 가능하게 지지되어 있고, 또한, 도시되지 않은 절삭 이송 수단에 의해 X 축 방향에서의 이동이 가능하게 되어 있다. 또, 척 테이블 (21) 의 주위에는, 환상 프레임 (F) 을 고정시키는 고정 클램프 (21c) 가 배치 형성되어 있다.
절삭 수단 (22) 은, Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 절삭 수단 (22) 에 구비하는 절삭 블레이드 (220) 는, 예를 들어, 스핀들 하우징 (221) 중에 회전 가능하게 수용되고 축 방향이 X 축 방향에 대해 수평 방향으로 직교하는 방향 (Y 축 방향) 인 스핀들 (222) 에 회전 가능하게 장착된다. 그리고, 도시되지 않은 모터에 의해 스핀들 (222) 이 회전 구동됨에 따라, 절삭 블레이드 (220) 도 고속 회전한다.
먼저, 다이싱 테이프 (P1) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지된 웨이퍼 (W) 를, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 이 상측이 되도록 척 테이블 (21) 상에 재치한다. 그리고, 고정 클램프 (21c) 에 의해 환상 프레임 (F) 을 고정시키고, 척 테이블 (21) 의 유지면 (21a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.
척 테이블 (21) 에 유지된 웨이퍼 (W) 가 -X 방향으로 이송됨과 함께, 얼라인먼트 수단 (23) 에 의해, 절삭 블레이드 (220) 를 절입시키는 분할 예정 라인 (S) 의 위치가 검출된다. 분할 예정 라인 (S) 이 검출됨에 따라, 절삭 수단 (22) 이 Y 축 방향으로 이동되고, 절삭해야 하는 분할 예정 라인 (S) 과 절삭 블레이드 (220) 의 Y 축 방향에 있어서의 위치 맞춤이 이루어진다.
웨이퍼 (W) 를 유지하는 척 테이블 (21) 이 다시 -X 방향으로 이송됨과 함께, 절삭 수단 (22) 이 -Z 방향으로 강하되어 간다. 또, 스핀들 (222) 이 회전되고, 절삭 블레이드 (220) 가 스핀들 (222) 의 회전에 따라 회전되면서 웨이퍼 (W) 에 절입되어, 분할 예정 라인 (S) 을 절삭해 나간다.
절삭 블레이드 (220) 가 분할 예정 라인 (S) 의 절삭을 마치는 X 축 방향의 소정의 위치까지 웨이퍼 (W) 가 이송되면, 웨이퍼 (W) 의 절삭 이송을 한 번 정지하고, 절삭 블레이드 (220) 를 웨이퍼 (W) 로부터 ＋Z 방향으로 이간시키고, 이어서, 웨이퍼 (W) 를 ＋X 방향으로 이동시켜 원래의 위치로 되돌린다. 그리고, 이웃하는 분할 예정 라인 (S) 의 간격씩 절삭 블레이드 (220) 를 Y 축 방향 (도시의 예에 있어서는, -Y 방향) 으로 산출 이송하면서 순차적으로 동일한 절삭을 실시하고, 또한, 웨이퍼 (W) 를 회전 수단 (21b) 에 의해 90 도 회전시키고 나서 동일한 절삭을 실시함으로써, 웨이퍼 (W) 의 모든 분할 예정 라인 (S) 을 따라 절삭하고, 웨이퍼 (W) 를 칩 (C) 으로 분할한다.
또한, 분할 공정은, 이하의 어느 방법에 의해 실시해도 된다.
(가) 웨이퍼 (W) 에 대해 흡수성을 갖는 파장인 레이저광을 분할 예정 라인 (S) 을 따라 조사하여 어블레이션 가공함으로써 분할 예정 라인 (S) 을 완전 절단하여 칩 (C) 으로 분할하는 방법.
(나) 웨이퍼 (W) 에 대해 흡수성을 갖는 파장인 레이저광을 분할 예정 라인 (S) 을 따라 조사하여 어블레이션 가공함으로써 분할 예정 라인 (S) 에 어블레이션 홈을 형성한 후, 그 웨이퍼 (W) 를 면 방향으로 익스팬드하여 칩 (C) 으로 분할하는 방법.
(다) 웨이퍼 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장인 레이저광을 분할 예정 라인 (S) 을 따라 조사하여 내부에 개질층을 형성한 후, 그 웨이퍼 (W) 를 면 방향으로 익스팬드하여 칩 (C) 으로 분할하는 방법.
(4) 픽업 공정
다이싱 테이프 (P1) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지된 상태의 칩 (C) 은, 도 8 에 나타내는 픽업 장치 (6) 에 반송된다. 픽업 장치 (6) 는, 도시되지 않은 클램프 등으로 환상 프레임 (F) 을 고정시키고, 예를 들어, Z 축 방향으로 승강 가능한 니들 (60) 에 의해, 칩 (C) 을 하측으로부터 다이싱 테이프 (P1) 를 개재하여 밀어 올려, 칩 (C) 이 다이싱 테이프 (P1) 로부터 부상된 곳을 흡인 패드 (61) 로 흡인 유지하여 픽업하는 장치이다.
여기서, 픽업 장치 (6) 에는, 미리 데이터 처리 수단 (8) 으로부터 칩 (C) 의 각 좌표 위치와 두께 측정기 (40) 가 측정한 각 두께를 관련지은 데이터가 이송되고 있다. 픽업 장치 (6) 는, 이송된 데이터로부터 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩 (C) 을 선택하여 픽업한다. 그 때문에, 수 많은 칩 (C) 중, 우량품00만을 픽업할 수 있어, 쓸데없이 칩 (C) 을 픽업할 필요가 없어지고, 또한, 칩 (C) 마다 측정기로 칩 (C) 을 상하 방향에서 끼워 넣고 두께를 측정할 필요가 없어지기 때문에, 두께 측정에 시간이 많이 걸리지 않아, 우량 칩을 효율적으로 얻는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관련된 연삭 장치 (1) 는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 또, 첨부 도면에 도시되어 있는 각 구성의 크기나 형상 등에 대해서도, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절히 변경 가능하다.
예를 들어, 도 9 에 나타내는 연삭 장치 (1A) 는, 도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 의 구성의 일부를 변경한 장치이다. 연삭 장치 (1A) 의 세정 수단 (17) 은, 예를 들어, 매엽 스핀식 세정 수단이며, 회전 가능한 스피너 테이블인 유지 테이블 (170) 을 구비한 유지 수단 (17a) 을 갖고 있다. 그리고, 유지 테이블 (170) 의 하측에 회전 수단 (31) 및 각도 인식부 (32) 가 배치 형성되어 있다. 그리고, 각도 인식부 (32) 는, 데이터 처리 수단 (8) 에 접속되어 있다.
연삭 장치 (1A) 에 있어서, 두께 측정 수단 (4A) 은, 유지 테이블 (170) 에 인접한 위치에 배치 형성되어 있다. 두께 측정 수단 (4A) 은, 두께 측정기 (40) 와, 두께 측정기 (40) 를 적어도 웨이퍼 (W) 의 직경 방향으로 이동시키는 이동 수단 (49) 과, 두께 측정기 (40) 의 위치를 인식하는 직경 방향 위치 인식부 (42) 를 구비하고 있다.
이동 수단 (49) 은, Y 축 방향의 축심을 갖는 볼 나사 (490) 와, 볼 나사 (490) 의 양단을 중공에서 지지하는 브릿지상의 기부 (491) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (490) 에 나사 결합되어 볼 나사 (490) 상을 Y 축 방향을 향하여 왕복 이동하는 가동부 (492) 와, 볼 나사 (490) 의 일단에 연결되어 볼 나사 (490) 를 회동시키는 도시되지 않은 모터를 구비하고 있다. 가동부 (492) 의 -X 방향측의 측면에는, 두께 측정기 (40) 가 배치 형성되어 있고, 도시되지 않은 모터가 볼 나사 (410) 를 회동시키면, 이에 수반하여 가동부 (492) 가 볼 나사 (490) 상을 Y 축 방향으로 왕복 이동하고, 두께 측정기 (40) 가, 유지 테이블 (170) 의 상방을 Y 축 방향으로 왕복 이동한다. 또한, 두께 측정 수단 (4A) 을, 이동 수단 (49) 에 더하여 X 축 방향으로의 이동을 가능하게 하는 이동 수단을 구비함으로써, 두께 측정기 (40) 가 X 축 방향으로도 이동 가능해도록 해도 된다. 직경 방향 위치 인식부 (42) 는, 예를 들어, 가동부 (492) 의 이동 방향 (Y 축 방향) 을 따라 연장되는 기부 (411) 의 상면에 형성된 스케일 (420) 의 위치 정보 (눈금) 를, 가동부 (492) 상에 배치 형성된 판독부 (421) 에 의해 판독하는 구성으로 되어 있다. 그리고, 두께 측정 수단 (4A) 은, 데이터 처리 수단 (8) 에 접속되어 있다.
연삭 장치 (1A) 를 사용하여 본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법을 실시하는 경우,
(1) 연삭
공정을 실시한 후, 연삭된 웨이퍼 (W) 가 언로딩 아암 (16) 에 의해 세정 수단 (17) 에 반송되고, 유지 수단 (17a) 과 두께 측정 수단 (4A) 에 의해, (2) 기억 공정이 실시된다.
예를 들어, 본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법을 실시하기 위해, 연삭 장치 (1) 와 (1) 연삭 공정 후에 웨이퍼 (W) 가 반송되는 테이프 마운터를 나열하여, 연삭 장치 (1) 와 테이프 마운터의 장치 간에, 두께 측정 수단과 유지 수단을 독립적으로 배치 형성하는 것으로 해도 된다. 또는 테이프 마운터의 장치 내에 두께 측정 수단과 유지 수단을 구비하는 구성으로 해도 된다. 그리고, 연삭 장치 (1) 와 테이프 마운터 사이에 독립적으로 배치 형성된 두께 측정 수단과 유지 수단으로 (2) 기억 공정을 실시하거나, 또는 테이프 마운터의 장치 내에 구비된 두께 측정 수단과 유지 수단으로 (2) 기억 공정을 실시하는 것으로 해도 된다.
2 제 2 실시형태
(1) 홈 형성 공정
예를 들어 도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 도 7 에 나타낸 절삭 장치 (2) 의 척 테이블 (21) 에서 다이싱 테이프 (P1) 측을 유지하고, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 을 노출시킨다. 그리고, 회전하는 절삭 블레이드 (220) 를 분할 예정 라인 (S) 의 상방에 위치지움과 함께, 절삭 블레이드 (220) 의 하단이 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 보다 하방에 위치하도록 위치지우고, 그 상태에서, 척 테이블 (21) 과 절삭 수단 (22) 을 X 축 방향으로 상대 이동시킴으로써, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 소정 깊이의 홈 (G) 을 형성한다. 이와 같은 절삭을, 모든 분할 예정 라인 (S) 에 대해 종횡으로 실시한다.
또한, 홈 (G) 은, 레이저광의 조사에 의한 어블레이션 가공에 의해 형성해도 된다. 예를 들어, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치의 척 테이블 (90) 에 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 측을 유지한다. 그리고, 웨이퍼 (W) 에 대해 흡수성을 갖는 파장인 레이저광 (910) 을 조사 헤드 (91) 로부터 조사하고, 조사 헤드 (91) 를 웨이퍼 (W) 에 대해 분할 예정 라인 (S) 을 따라 X 축 방향으로 상대 이동시킴으로써, 분할 예정 라인 (S) 을 어블레이션 가공하여 홈 (G) 을 형성한다. 이와 같은 레이저 가공을, 모든 분할 예정 라인 (S) 에 대해 종횡으로 실시한다.
(2) 연삭 공정
다음으로, 이면 (Wb) 으로부터 다이싱 테이프 (P1) 를 박리함과 함께, 도 10(c) 에 나타내는 바와 같이, 홈 (G) 을 형성한 표면 (Wa) 에 보호 부재 (P) 를 첩착하고, 보호 부재 (P) 측을, 예를 들어 도 1 에 나타낸 연삭 장치 (1) 의 유지 테이블 (30) 에서 유지한다. 그리고, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이 소정 속도로 회전함과 함께, 연삭 휠 (74) 이 소정의 속도로 회전하여, 연삭 수단 (7) 이 강하됨으로써, 회전하는 연삭 지석 (740) 이 이면 (Wb) 을 연삭하여, 웨이퍼 (W) 를 박화시켜 나간다.
(3) 분할 공정
연삭 공정을 속행함으로써 웨이퍼 (W) 의 박화를 진행시켜 나가면, 이윽고, 도 10(d) 에 나타내는 바와 같이, 피연삭면측으로부터 홈 (G) 이 표출되고, 웨이퍼 (W) 가 칩 (C) 으로 분할된다. 그 후에도 필요에 따라 연삭을 실시함으로써, 각각의 칩 (C) 을 소정의 두께로 형성한다. 또한, 웨이퍼 (W) 가 칩 (C) 으로 분할된 후에도, 모든 칩 (C) 이 보호 부재 (P) 에 첩착된 상태이기 때문에, 전체적으로 웨이퍼 (W) 의 형상이 유지되어 있다.
(4) 기억 공정
분할 공정 후에, 예를 들어 도 1 에 나타낸 두께 측정 수단 (4) 을 사용하여, 각각의 칩 (C) 의 두께를 구한다. 그리고, 기억부 (81) 가, 각 칩의 좌표 위치와 두께 측정기 (40) 가 측정한 각 두께를 관련지어 데이터로서 순차적으로 기억해 나간다. 본 공정은 제 1 실시형태와 동일하게 실시된다. 또한, 홈 (G) 의 위치에서 두께 측정을 실시하면, 적정한 값을 얻을 수 없기 때문에, 측정에 의해 구한 두께의 값이 소정의 임계값보다 작은 값인 경우에는 그 값을 무시한다.
(5) 익스팬드 공정
기억 공정 후, 도 10(e) 에 나타내는 바와 같이, 칩 (C) 의 이면측에 익스팬드 테이프 (P2) 를 첩착하고, 익스팬드 테이프 (P2) 를 환상 프레임 (F1) 으로 지지한다. 또, 칩 (C) 의 표면으로부터 보호 부재 (P) 를 박리한다. 그리고, 익스팬드 장치에 있어서, 익스팬드 테이프 (P2) 측을 테이블 (93) 에 재치함과 함께, 환상 프레임 (F1) 을 프레임 유지부 (94) 에서 유지하고, 프레임 유지부 (94) 를 테이블 (93) 에 대해 하방향으로 상대 이동시킴으로써, 익스팬드 테이프 (P2) 를 면 방향으로 방사상으로 신장시킨다. 그렇게 하면, 인접하는 칩 (C) 의 칩 간격이 넓어진다. 익스팬드 장치는, 익스팬드 테이프 (P2) 의 확장량을 정량적으로 파악하고, 그 확장량의 값을, 나중의 픽업 공정에서 사용하는 픽업 장치에 전송한다.
(6) 픽업 공정
익스팬드 공정에 의해 칩 간격이 넓어진 후, 각각의 칩 (C) 을 익스팬드 테이프 (P2) 로부터 픽업해 나간다. 칩 (C) 의 픽업은, 제 1 실시형태와 동일하게 실시되지만, 익스팬드 공정에 의해 각 칩 (C) 이 직경 방향으로 이동하고 있기 때문에, 익스팬드 테이프 (P2) 의 익스팬드량에 기초하여 픽업 위치를 조절한다. 예를 들어, 익스팬드량을 분할 예정 라인 (S) 의 수로 나눔으로써, 익스팬드 공정에 있어서의 각각의 칩 (C) 의 어긋남을 산출하고, 그 어긋남량분만큼 픽업 위치를 조정하면, 원하는 칩 (C) 을 픽업할 수 있다.
이상의 순서에 따라 실시되는 제 2 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 (W) 가 칩 (C) 으로 분할된 후에 칩 (C) 의 두께가 측정되지만, 기억 공정에서는 칩 (C) 이 전체적으로 웨이퍼 (W) 의 형상을 유지한 상태에서 칩 (C) 의 두께가 측정되기 때문에 효율적이다.
3 제 3 실시형태
(1) 개질층 형성 공정 (레이저로 내부에 개질층 형성)
도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 다이싱 테이프 (P1) 를 첩착하고, 다이싱 테이프 (P1) 측을 레이저 가공 장치의 척 테이블 (90) 에서 유지한다. 그리고, 웨이퍼 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장인 레이저광 (911) 을 조사 헤드 (91) 로부터 조사하고, 조사 헤드 (91) 를 웨이퍼 (W) 에 대해 분할 예정 라인 (S) 을 따라 X 축 방향으로 상대 이동시킴으로써, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 웨이퍼 (W) 의 내부에 개질층 (G1) 을 형성한다. 이와 같은 개질층 형성 가공을, 모든 분할 예정 라인 (S) 을 따라 종횡으로 실시한다.
(2) 연삭 공정
다음으로, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 개질층 (G1) 이 형성된 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 보호 부재 (P) 를 첩착함과 함께, 이면 (Wb) 측으로부터 다이싱 테이프 (P1) 를 박리한다. 그리고, 보호 부재 (P) 측을, 예를 들어 도 1 에 나타낸 연삭 장치 (1) 의 유지 테이블 (30) 에서 유지한다. 그리고, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이 소정의 속도로 회전함과 함께, 연삭 휠 (74) 이 소정의 속도로 회전하여, 연삭 수단 (7) 이 강하됨으로써, 회전하는 연삭 지석 (740) 이 이면 (Wb) 을 연삭하여, 웨이퍼 (W) 를 박화시켜 나간다.
(3) 분할 공정
연삭 공정을 속행함으로써 웨이퍼 (W) 의 박화를 진행시켜 나가면, 이윽고, 도 11(c) 에 나타내는 바와 같이, 개질층 (G1) 을 기점으로 하여 표면 (Wa) 측에 크랙 (CR) 이 형성되고, 개질층 (G1) 및 크랙 (CR) 에 의해, 웨이퍼 (W) 가 분할 예정 라인 (S) 을 따라 각각의 칩 (C) 으로 분할된다. 또, 그 후에도 필요에 따라 연삭을 실시함으로써, 각각의 칩 (C) 을 소정의 두께로 형성한다. 또한, 웨이퍼 (W) 가 칩 (C) 으로 분할된 후에도, 모든 칩 (C) 이 보호 부재 (P) 에 첩착된 상태이기 때문에, 전체적으로 웨이퍼 (W) 의 형상이 유지되어 있다.
(4) 기억 공정
분할 공정 후에, 예를 들어 도 1 에 나타낸 두께 측정 수단 (4) 을 사용하여, 각각의 칩 (C) 의 두께를 구한다. 그리고, 기억부 (81) 가, 각 칩의 좌표 위치와 두께 측정기 (40) 가 측정한 각 두께를 관련지어 데이터로서 순차적으로 기억해 나간다. 본 공정은 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 동일하게 실시된다.
(5) 익스팬드 공정
기억 공정 후, 도 11(d) 에 나타내는 바와 같이, 칩 (C) 의 이면측에 익스팬드 테이프 (P2) 를 첩착하고, 익스팬드 테이프 (P2) 를 환상 프레임 (F1) 으로 지지한다. 또, 칩 (C) 의 표면으로부터 보호 부재 (P) 를 박리한다. 그리고, 익스팬드 장치에 있어서, 익스팬드 테이프 (P2) 측을 테이블 (93) 에 재치함과 함께, 환상 프레임 (F1) 을 프레임 유지부 (94) 에서 유지하고, 프레임 유지부 (94) 를 테이블 (93) 에 대해 하방향으로 상대 이동시킴으로써, 익스팬드 테이프 (P2) 를 면 방향으로 방사상으로 신장시킨다. 그렇게 하면, 인접하는 칩 (C) 의 칩 간격이 넓어진다. 익스팬드 장치는, 익스팬드 테이프 (P2) 의 확장량을 정량적으로 파악하고, 그 확장량의 값을, 나중의 픽업 공정에서 사용하는 픽업 장치에 전송한다.
(6) 픽업 공정
익스팬드 공정에 의해 칩 간격이 넓어진 후, 각각의 칩 (C) 을 익스팬드 테이프 (P2) 로부터 픽업해 나간다. 칩 (C) 의 픽업은, 제 1 실시형태와 동일하게 실시되지만, 익스팬드 공정에 의해 각 칩 (C) 이 직경 방향으로 이동하기 때문에, 익스팬드 테이프 (P2) 의 익스팬드량에 기초하여 픽업 위치를 조절한다. 예를 들어, 익스팬드량을 분할 예정 라인 (S) 의 수로 나눔으로써, 익스팬드 공정에 있어서의 각각의 칩 (C) 의 어긋남량을 산출하고, 그 어긋남량분만큼 픽업 위치를 조정하면, 원하는 칩 (C) 을 픽업할 수 있다.
이상의 순서에 따라 실시되는 제 3 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 (W) 가 칩 (C) 으로 분할된 후에 칩 (C) 의 두께가 측정되지만, 기억 공정에서는 칩 (C) 이 전체적으로 웨이퍼 (W) 의 형상을 유지한 상태에서 칩 (C) 의 두께가 측정되기 때문에 효율적이다.
1 : 연삭 장치
10 : 베이스
A : 착탈 영역
B : 연삭 영역
110 : 제 1 카세트 재치부
110a : 제 1 카세트
111 : 제 2 카세트 재치부
111a : 제 2 카세트
12 : 로봇
14 : 노치 검출 수단
140 : 검출용 테이블
141 : 고속도 카메라
142 : 화상 처리부
15 : 로딩 아암
16 : 언로딩 아암
17 : 세정 수단
18 : 1 쌍의 하이트 게이지
19 : 칼럼
2 : 절삭 장치
21 : 척 테이블
22 : 절삭 수단
23 : 얼라인먼트 수단
30 : 유지 테이블
300 : 흡착부
300a : 유지면
301 : 프레임체
30c : 척 테이블의 중심
31 : 회전 수단
310 : 회전축
311 : 모터
32 : 각도 인식부
320 : 스케일
321 : 판독부
321a : 케이블
4 : 두께 측정 수단
40 : 두께 측정기
400 : 투광부
401 : 수광부
41 : 이동 수단
410 : 볼 나사
411 : 기부
412 : 아암부
42 : 직경 방향 위치 인식부
420 : 스케일
421 : 판독부
5 : 연삭 이송 수단
50 : 볼 나사
51 : 가이드 레일
52 : 모터
53 : 승강판
54 : 홀더
7 : 연삭 수단
70 : 스핀들
71 : 스핀들 하우징
72 : 스핀들 모터
73 : 마운트
74 : 연삭 휠
740 : 연삭 지석
741 : 휠 기대
8 : 데이터 처리 수단
80 : 산출부
81 : 기억부
W : 웨이퍼
Wa : 웨이퍼의 표면
Wb : 웨이퍼의 이면
Wd : 웨이퍼의 외주 가장자리
Wo : 웨이퍼의 중심
N : 노치
S : 분할 예정 라인
D : 디바이스
C : 칩
P : 보호 부재
P1 : 다이싱 테이프
F : 환상 프레임
6 : 픽업 장치
60 : 니들
61 : 흡인 패드
1A : 연삭 장치
4A : 두께 측정 수단
49 : 이동 수단

Claims (4)

  1. 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 공정과, 그 연삭 공정 후에 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하여 칩으로 하는 분할 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 연삭 공정 후부터 상기 분할 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정과, 상기 분할 공정 후에 상기 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  2. 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 그 표면에, 상기 분할 예정 라인을 따라 그 이면까지 관통하지 않는 홈을 형성하는 홈 형성 공정과,
    웨이퍼의 상기 이면을 연삭하는 연삭 공정과,
    상기 이면의 연삭에 의해 상기 홈을 상기 이면측으로부터 표출시켜 웨이퍼를 칩으로 분할하는 분할 공정과,
    칩으로 분할된 웨이퍼를 면 방향으로 확장하여 칩 간격을 넓히는 익스팬드 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 분할 공정 후부터 상기 익스팬드 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정을 실시하고,
    상기 익스팬드 공정 후에, 상기 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여, 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  3. 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 내부에, 상기 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    웨이퍼의 그 이면을 연삭하는 연삭 공정과,
    상기 이면의 연삭에 의해 상기 개질층을 기점으로 하는 크랙을 그 표면을 향하여 발생시켜 웨이퍼를 칩으로 분할하는 분할 공정과,
    칩으로 분할된 웨이퍼를 면 방향으로 확장하여 칩 간격을 넓히는 익스팬드 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 분할 공정 후부터 상기 익스팬드 공정 전까지 칩마다의 두께를 측정하고 측정된 칩의 위치 데이터와 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억 공정을 실시하고,
    상기 익스팬드 공정 후에, 상기 기억 공정에서 기억한 칩의 두께값과 그 위치 데이터에 기초하여, 미리 설정된 허용 두께 범위 내의 칩을 선택하여 픽업하는 픽업 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  4. 결정 방위를 나타내는 마크를 구비하고 표면에 분할 예정 라인으로 구획되어 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면을 보호 부재를 개재하여 유지하는 유지 수단과, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 수단과, 웨이퍼의 두께를 비접촉으로 측정하는 두께 측정 수단과, 그 두께 측정 수단이 취득한 데이터를 처리하는 데이터 처리 수단을 구비하는 연삭 장치로서,
    상기 유지 수단은,
    웨이퍼의 이면을 위로 하여 보호 부재로 보호된 웨이퍼의 표면을 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블의 중심을 축으로 상기 유지 테이블을 회전시키는 회전 수단과, 상기 회전 수단이 회전시키는 상기 유지 테이블의 회전 각도를 인식하는 각도 인식부를 구비하고,
    상기 두께 측정 수단은,
    상기 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼의 상방으로부터 측정광을 투광시키는 투광부와 상기 측정광이 웨이퍼에서 반사된 반사광을 수광하는 수광부를 구비하고 상기 수광부가 수광하는 웨이퍼의 이면에서 반사된 반사광과 웨이퍼의 표면에서 반사된 반사광의 광로차로부터 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께 측정기와, 그 두께 측정기를 적어도 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시키는 이동 수단과, 상기 두께 측정기의 위치를 인식하는 직경 방향 위치 인식부를 구비하고,
    상기 데이터 처리 수단은,
    상기 두께 측정기로 측정한 측정점에 있어서의 상기 각도 인식부가 인식한 상기 유지 테이블의 회전 각도와 직경 방향 위치 인식부가 인식한 상기 두께 측정기의 직경 방향 위치로부터 웨이퍼에 형성된 마크를 기준으로 한 상기 측정점에 대한 웨이퍼의 면 방향의 위치 데이터를 산출하는 산출부와, 그 산출부가 산출한 그 각 위치 데이터와 상기 두께 측정기가 측정한 각 측정점에 있어서의 칩의 두께값을 관련지어 기억하는 기억부를 구비하고, 상기 기억부에서 관련지어 기억한 칩의 그 위치 데이터와 그 두께값을 분할 공정 후에 사용하는 가공 장치에 건네주는 것을 가능하게 한, 연삭 장치.
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