KR20150030611A - 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

디바이스 웨이퍼의 가공 방법 Download PDF

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가즈마 세키야
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Abstract

본 발명은, 노치나 오리엔테이션 플랫 등이 형성되어 있지 않은 디바이스 웨이퍼라도, 웨이퍼를 미리 정해진 방향으로 링 프레임에 장착할 수 있는 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 표면의 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하여 타겟 패턴을 검출하여 기억하는 타겟 패턴 기억 단계와, 디바이스 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 접착하는 보호 테이프 접착 단계와, 이 보호 테이프 접착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼의 표면측을 유지하고 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 박화하는 박화 단계와, 이 박화 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하고, 상기 타겟 패턴 기억 단계에서 기억한 상기 타겟 패턴을 바탕으로 링 프레임에 대하여 디바이스 웨이퍼를 미리 정해진 방향으로 위치시키는 위치 부여 단계와, 이 위치 부여 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면에 테이프를 접착하고, 이 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼를 상기 링 프레임에 장착하며, 상기 표면 보호 테이프를 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 전사 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

디바이스 웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING DEVICE WAFER}
본 발명은, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼는 이면이 연삭되어 미리 정해진 두께로 박화된 후, 이면에 점착 테이프인 다이싱 테이프가 접착되어 링 프레임에 장착되고, 이면 연삭시에 디바이스 웨이퍼의 표면에 접착되어 있던 표면 보호 테이프가 제거되는 전사 단계를 거쳐 절삭 장치 또는 레이저 가공 장치 등에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할된다.
디바이스 웨이퍼를 링 프레임에 장착하기 위해서는 미리 정해진 위치 관계로 장착할 필요가 있지만, 종래에는, 디바이스 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크를 기준으로 디바이스 웨이퍼를 링 프레임에 대하여 위치시켜 링 프레임에 장착하고 있었다.
그러나, 노치나 오리엔테이션 플랫 등의 절결을 웨이퍼의 외주부에 형성하면, 웨이퍼 상에 형성할 수 있는 디바이스수가 감소해 버리게 된다. 특히, 오리엔테이션 플랫은 웨이퍼면을 크게 절결하기 때문에, 최근 널리 사용되고 있는 φ8 인치나 φ12 인치의 웨이퍼에서는, 오리엔테이션 플랫으로 바꾸어 보다 작은 절결의 노치가 채용되고 있다.
그러나, 노치가 외주부에 형성된 웨이퍼에서는, 웨이퍼에 디바이스를 형성할 때의 열처리 공정 등에 있어서, 노치를 기점으로 균열이 발생할 우려도 있고, 노치를 없애어 웨이퍼의 이면에 결정 방위를 나타내는 마크를 마킹하는 방법이 검토되고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-86074호 공보
그러나, 웨이퍼의 이면에 형성된 마크는, 이면 연삭 공정에 있어서 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 박화하면 제거되어 버리고, 웨이퍼를 링 프레임에 장착하는 웨이퍼의 전사시에 링 프레임에 대한 기준이 없어져 버린다고 하는 문제가 있다.
절삭 장치 또는 레이저 가공 장치에서의 웨이퍼의 위치 결정은 링 프레임을 기준으로 실시되기 때문에, 웨이퍼가 링 프레임에 대하여 미리 정해진 방향으로 장착되어 있지 않으면, 절삭 장치 또는 레이저 가공 장치에 의해 가공 위치를 검출하는 얼라인먼트에서 문제를 일으킬 우려가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 노치나 오리엔테이션 플랫 등이 형성되어 있지 않은 디바이스 웨이퍼라도, 웨이퍼를 미리 정해진 방향으로 링 프레임에 장착할 수 있는 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 표면의 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하여 타겟 패턴을 검출하여 기억하는 타겟 패턴 기억 단계와, 디바이스 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 접착하는 보호 테이프 접착 단계와, 이 보호 테이프 접착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼의 표면측을 유지하고 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 박화하는 박화 단계와, 이 박화 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하여 상기 타겟 패턴 기억 단계에서 기억한 상기 타겟 패턴을 기초로 링 프레임에 대하여 디바이스 웨이퍼를 미리 정해진 방향으로 위치시키는 위치 부여 단계와, 이 위치 부여 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면에 테이프를 접착하고, 이 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼를 상기 링 프레임에 장착하며, 상기 표면 보호 테이프를 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 전사 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 디바이스 웨이퍼의 가공 방법은, 전사 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할하는 분할 단계를 더 구비하고 있다.
본 발명의 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에서는, 디바이스 웨이퍼를 촬상하여 타겟 패턴을 검출하여 기억하고, 기억한 타겟 패턴을 기초로 디바이스 웨이퍼를 링 프레임에 대하여 미리 정해진 방향으로 위치시키고, 테이프를 통해 링 프레임에 장착한다. 따라서, 노치나 오리엔테이션 플랫 등이 형성되어 있지 않은 디바이스 웨이퍼라도, 링 프레임에 미리 정해진 방향으로 디바이스 웨이퍼를 장착할 수 있다.
도 1은 연삭 장치와 테이프 마운터의 인라인 시스템을 도시한 사시도이다.
도 2는 각 디바이스가 타겟 패턴을 갖는 디바이스 웨이퍼의 사시도이다.
도 3은 보호 테이프 접착 단계를 도시한 사시도이다.
도 4는 박화 단계를 도시한 사시도이다.
도 5는 위치 부여 단계를 설명한 측면도이다.
도 6은 전사 단계를 도시한 단면도이다.
도 7은 전사 단계 후의 다이싱 테이프를 통해 링 프레임에 지지된 웨이퍼의 사시도이다.
도 8은 분할 단계를 도시한 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 연삭 장치(2)와 테이프 마운터(60)가 인라인으로 접속된 인라인 시스템(61)의 사시도가 도시되어 있다. 테이프 마운터(60)는 연삭 장치(2)와의 위치 관계를 나타내기 위해서 모식적으로 도시되어 있다.
도면 부호 4는 연삭 장치(2)의 베이스(하우징)이며, 베이스(4)의 후방에는 칼럼(6)이 세워져 설치되어 있다. 칼럼(6)에는, 상하 방향으로 신장되는 한 쌍의 가이드 레일(1라인만 도시)(8)이 고정되어 있다.
이 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 연삭 유닛(연삭 수단)(10)이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 연삭 유닛(10)은, 그 하우징(20)이 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 상하 방향으로 이동하는 이동 베이스(12)에 부착되어 있다.
연삭 유닛(10)은, 하우징(20)과, 하우징(20) 내에 회전 가능하게 수용된 스핀들(22)(도 4 참조)과, 스핀들(22)을 회전 구동하는 서보 모터(24)와, 스핀들(22)의 선단부에 고정된 휠 마운트(26)를 포함하고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 휠 마운트(26)에는 복수의 나사(30)에 의해 연삭 휠(28)이 착탈 가능하게 장착되어 있다. 연삭 휠(28)은, 환상의 휠베이스(32)와, 휠베이스(32)의 하단부에 환상으로 고착된 복수의 연삭숫돌(34)으로 구성된다.
베이스(4)의 중간 부분에는 척 테이블(38)을 갖는 척 테이블 기구(36)가 배치되어 있고, 척 테이블(38)은 도시하지 않은 척 테이블 이동 기구에 의해 Y축 방향으로 이동된다. 도면 부호 40은 척 테이블 기구(36)를 커버하는 벨로우즈이다.
베이스(4)의 전측 부분에는, 복수의 웨이퍼를 수용한 웨이퍼 카세트(42)와, 웨이퍼 반송 로봇(44)과, 복수의 위치 결정 핀(48)을 갖는 위치 결정 기구(46)와, 웨이퍼 반입 기구(로딩 아암)(50)와, 웨이퍼 반출 기구(언로딩 아암)(52)와, 스피너 테이블(56)을 갖는 스피너 세정 유닛(54)이 배치되어 있다.
또한, 베이스(4)의 대략 중앙부에는, 척 테이블(38)을 세정하는 세정수 분사 노즐(58)이 설치되어 있다. 이 세정수 분사 노즐(58)은, 척 테이블(38)이 장치 전방의 웨이퍼 반입·반출 영역에 위치된 상태에 있어서, 척 테이블(38)을 향해 세정수를 분사한다.
연삭 장치(2)의 스피너 세정 유닛(54)에 인접하여, 이면 연삭 완료된 디바이스 웨이퍼에 점착 테이프인 다이싱 테이프를 접착하고, 다이싱 테이프의 외주부를 링 프레임에 장착하는 테이프 마운터(60)가 배치되어 있다.
연삭 장치(2)와 테이프 마운터(60)는, 연삭 완료된 디바이스 웨이퍼에 미리 정해진 위치 관계로 다이싱 테이프를 통해 링 프레임을 장착할 수 있는 인라인 관계로 배치되어 있다.
도 2를 참조하면, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)측의 사시도가 도시되어 있다. 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)에 의해 구획된 각 영역에 LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
각 디바이스(15)에는 복수의 패턴에 의해 형성된 LSI 등의 전자회로가 형성되어 있고, 복수의 패턴 중에서 얼라인먼트에 이용하기 쉬운 패턴(17)을 타겟 패턴으로서 선정한다.
이 선정은, 작업자가 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 현미경과 카메라를 포함한 촬상 유닛으로 촬상함으로써 실시한다. 타겟 패턴(17)의 조건으로는, 적어도 한 변(17a)이 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)과 평행할 필요가 있다.
도시된 타겟 패턴(17)에서는, 변(17a)과 변(17b)은 직교하고 있고, 변(17b)은 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)과 직교하는 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)과 직교하고 있다.
본 발명의 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에서는, 우선, 도 3에 도시된 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 표면 보호 테이프(19)를 접착하는 보호 테이프 접착 단계를 실시한다. 표면 보호 테이프(19)는, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)의 연삭시에 표면(11a)에 형성된 디바이스(15)를 보호하기 위한 것이다.
보호 테이프 접착 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하여 디바이스 웨이퍼(11)를 미리 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 실시한다. 이 박화 단계는, 도 4에 도시된 바와 같이, 연삭 장치의 연삭 유닛(20)에 의해 실시한다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 연삭 장치의 척 테이블(38)로 표면 보호 테이프(19)측을 흡인 유지하여 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 노출시킨다. 그리고, 척 테이블(38)을 화살표 a 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭 휠(28)을 척 테이블(38)과 동일 방향으로, 즉 화살표 b 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시키고, 연삭 유닛 이동 기구(18)를 작동시켜 연삭숫돌(34)을 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시킨다.
그리고, 연삭 휠(28)을 미리 정해진 연삭 이송 속도로 아래쪽으로 소정량 연삭 이송하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 연삭을 실시한다. 도시하지 않은 접촉식 또는 비접촉식의 두께 측정 게이지로 웨이퍼(11)의 두께를 특정하면서, 디바이스 웨이퍼(11)를 원하는 두께, 예컨대 100 ㎛로 마무리한다.
연삭 휠(28)에 의한 박화 단계 실시 후, 척 테이블 이동 기구를 구동하여 척 테이블(38)을 장치 전방의 웨이퍼 반입·반출 영역에 위치시킨다. 그리고, 웨이퍼 반출 기구(언로딩 아암)(52)로 연삭 완료된 디바이스 웨이퍼(11)를 흡착하여 언로딩 아암(52)의 선회 동작에 의해 디바이스 웨이퍼(11)를 스피너 세정 유닛(54)의 스피너 테이블(56)까지 반송하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 스피너 테이블(56)로 디바이스 웨이퍼(11)의 표면에 접착된 표면 보호 테이프(19)측을 흡인 유지한다.
스피너 세정 유닛(54)의 스피너 테이블(56)로 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하고 나서, 스피너 테이블(56)을 미리 정해진 회전 속도로 회전시키면서 순수 등의 세정수를 디바이스 웨이퍼(11)에 공급하여 디바이스 웨이퍼(11)를 스핀 세정한다. 스핀 세정 종료 후, 예컨대 압축 에어 등을 분출시키면서 디바이스 웨이퍼(11)를 스핀 세정한다.
계속해서, 스피너 테이블(56)보다 하측에 배치된 현미경 및 카메라를 갖는 촬상 유닛(62)으로 표면 보호 테이프(19)를 통해 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 촬상하고, 기억되어 있는 타겟 패턴(17)을 검출한다.
여기서, 표면 보호 테이프(19)는 폴리올레핀 등의 투명 수지 기재의 표면에 고무계 또는 아크릴계의 점착층을 도포하여 형성되어 있기 때문에, 가시광으로 촬상 가능한 통상의 카메라를 사용하여 표면 보호 테이프(19)를 통해 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 촬상할 수 있다. 촬상 유닛(62)은, 세정수가 비산되는 환경에 배치되어 있기 때문에, 방수 구조로 구성되어 있다.
한편, 촬상 유닛(62)으로서 현미경과 적외선 카메라를 채용한 경우에는, 촬상 유닛(62)을 디바이스 웨이퍼(11)의 위쪽에 설치하여, 적외선 카메라로 디바이스 웨이퍼(11)를 통해 표면(11a)에 형성된 타겟 패턴(17)을 검출할 수 있다.
디바이스(15)에 형성된 타겟 패턴(17)을 검출하면, 타겟 패턴(17)의 변(17a)이 테이프 마운터(60)에 배치된 링 프레임(F)과 미리 정해진 위치 관계가 되도록 스피너 테이블(56)을 회전시킨다(위치 부여 단계).
도 7에 도시된 바와 같이, 링 프레임(F)은 서로 평행한 한 쌍의 제1 방향 절결부(64a, 64b)와, 제1 방향 절결부(64a, 64b)에 직교하는 방향으로 신장되는 서로 평행한 한 쌍의 제2 방향 절결부(66a, 66b)를 갖고 있다.
웨이퍼 반송 로봇(44)은, 미리 정해진 위치에서 정지된 스피너 테이블(56)로부터 디바이스 웨이퍼(11)를 흡착하여 신축 및 선회 동작에 의해 연삭 장치(2)와 인라인 관계로 배치된 테이프 마운터(60)까지 디바이스 웨이퍼(11)를 반송한다.
웨이퍼 반송 로봇(44)의 선회 각도는 미리 설정되어 있기 때문에, 디바이스 웨이퍼(11)는 웨이퍼 반송 로봇(44)으로 테이프 마운터(60)까지 반송될 때, 항상 동일 자세로 동일 위치까지 반송된다.
따라서, 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)가 접착된 링 프레임(F)을 테이프 마운터(60)의 미리 정해진 위치에 배치해 두면, 촬상 유닛(62)으로 촬상하여 검출한 디바이스(15)의 타겟 패턴(17)의 변(17a)이 미리 정해진 방향이 되도록 스피너 테이블(56)을 정지시키면, 웨이퍼 반송 로봇(44)으로 반송한 디바이스 웨이퍼(11)의 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)을 제1 방향 절결부(64a, 64b)와 평행하게 되도록 디바이스 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)에 접착할 수 있다.
이와 같이 디바이스 웨이퍼(11)를 링 프레임(F)에 대하여 미리 정해진 위치 관계로 다이싱 테이프(T)에 접착한 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 표면 보호 테이프(19)를 제거한다.
디바이스 웨이퍼(11)를 표면 보호 테이프(19)로부터 다이싱 테이프(T)에 전사하고 있기 때문에, 이 일련의 단계를 본 명세서 및 특허청구범위에서는 전사 단계라 부른다. 도 7을 참조하면, 전사 단계 종료 후의 다이싱 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 지지되어 있는 디바이스 웨이퍼(11)의 사시도가 도시되어 있다.
전사 단계를 실시한 후, 고속 회전하는 절삭 블레이드(76)를 다이싱 테이프(T)까지 절단하면서 분할 예정 라인(13)을 따라 디바이스 웨이퍼(11)를 절삭하는 분할 단계를 실시한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 절삭 장치의 절삭 유닛(70)은, 스핀들 하우징(72) 내에 회전 가능하게 수용된 스핀들(74)과, 스핀들(74)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(76)로 구성되어 있다.
이 분할 단계에서는, 절삭 장치의 척 테이블(68)로 다이싱 테이프(T)를 통해 웨이퍼(11)를 흡인 유지하고, 절삭 블레이드(76)를 화살표 A 방향으로 고속 회전시키면서 다이싱 테이프(T)까지 절단하면서, 척 테이블(68)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서, 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼(11)를 절삭하여 웨이퍼(11)를 개개의 디바이스 칩(15)으로 분할한다. 도 8에 있어서, 도면 부호 78은 절삭 블레이드(76)로 절삭한 절삭홈이다.
절삭 유닛(70)을 분할 예정 라인(13)의 피치씩 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)을 전부 절삭한다. 계속해서, 척 테이블(68)을 90° 회전시키고 나서, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)을 전부 절삭하면, 웨이퍼(11)는 개개의 디바이스 칩(15)으로 분할된다.
웨이퍼(11)의 분할 단계는, 절삭 블레이드(76)에 의한 분할에 한정되지 않고, 레이저 가공 장치에 의한 어블레이션 가공 또는 웨이퍼(11) 내부에 분할 기점이 되는 개질층을 형성하고, 웨이퍼(11)에 외력을 부여하여 웨이퍼(11)를 이 개질층을 따라 분할하도록 하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 기억한 타겟 패턴(17)을 기초로 링 프레임(F)에 대하여 디바이스 웨이퍼(11)를 미리 정해진 방향으로 위치시키는 위치 부여 단계를 연삭 장치(2)의 스피너 세정 유닛(54)으로 실시하고 있지만, 이 위치 부여 단계는 마운터(60) 상에서 실시하도록 하여도 좋다.
예컨대, 마운터(60)의 인스펙션 테이블(임시 배치 테이블) 위에서 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 촬상하고, 디바이스(15)에 형성된 타겟 패턴(17)의 변(17a)이 마운터 상에 배치된 링 프레임(F)의 제1 방향 절결부(64a, 64b)와 평행하게 되도록 인스펙션 테이블을 회전시켜 디바이스 웨이퍼(11)를 위치 부여한다.
디바이스 웨이퍼(11)를 이와 같이 위치 부여한 후, 디바이스 웨이퍼(11)를 외주부가 링 프레임(F)에 접착된 다이싱 테이프(T)에 접착하고, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 표면 보호 테이프(19)를 제거한다.
2 : 연삭 장치
10 : 연삭 유닛
11 : 디바이스 웨이퍼
15 : 디바이스
17 : 타겟 패턴
19 : 표면 보호 테이프
28 : 연삭 휠
34 : 연삭숫돌
44 : 웨이퍼 반송 로봇
54 : 스피너 세정 유닛
56 : 스피너 테이블
60 : 테이프 마운터
61 : 인라인 시스템
62 : 촬상 유닛
76 : 절삭 블레이드
T : 다이싱 테이프
F : 링 프레임

Claims (2)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 표면의 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하여 타겟 패턴을 검출하여 기억하는 타겟 패턴 기억 단계와,
    디바이스 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 접착하는 보호 테이프 접착 단계와,
    상기 보호 테이프 접착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼의 표면측을 유지하여 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 박화하는 박화 단계와,
    상기 박화 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 표면을 촬상하여 상기 타겟 패턴 기억 단계에서 기억한 상기 타겟 패턴을 기초로 링 프레임에 대하여 디바이스 웨이퍼를 미리 정해진 방향으로 위치시키는 위치 부여 단계와,
    상기 위치 부여 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면에 테이프를 접착하고, 이 테이프를 통해 디바이스 웨이퍼를 상기 링 프레임에 장착하며, 상기 표면 보호 테이프를 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 전사 단계
    를 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전사 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하는 분할 단계를 더 구비한 디바이스 웨이퍼의 가공 방법.
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