TW201644191A - 包含線圈及電容的層積複合電子零件 - Google Patents

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Abstract

一種層積複合電子零件，在隔著絕緣層層積有複數導體層的層積體內，包含線圈及電容之電路，該層積複合電子零件，在第一導體層具備：構成線圈的線圈導體；在構成電容之一對電容電極之中的一方之電容電極，當從層積體的層積方向觀察時，在第二導體層與線圈導體重疊；當線圈導體在構成線圈的同時，做為一對電容電極中的另一方的電容電極構成電容。

Description

包含線圈及電容的層積複合電子零件
本發明係有關於包含線圈及電容的層積複合電子零件，特別是有關在層積體內部包含線圈及電容之電路的複合電子零件。
為了要因應高密度的實裝要求，現今提供有在一個層積體晶片內具備複數被動元件，並使其具有各種功能的複合電子零件。
例如，層積濾波器係：於隔著絕緣層層積的複數導體層的層積體內部具備由線圈及電容構成的濾波器電路，因為藉由該濾波器電路能達到訊號處理及EMC對策等機能，故廣泛應用於手機、智慧手機、及個人電腦等的各種電子機器。
此外，以下的專利文獻揭示有這種層積複合電子零件。
[專利文獻1]JP 2012-29015 A
[專利文獻2]JP 2012-29016 A
[專利文獻3]JP 2012-60440 A
[專利文獻4]JP 2013-219469 A
不過，隨著近年的電子機器小型化、薄型化、高機能化的進展，對於使用於該電子機器的電子零件也要求要有高性能且小型薄型化。不過，隨著零件小型薄型化，將更難充分確保各電路元件的配置空間，很難達到高性能及小型薄型的兩立效果。
例如，將層積低通濾波器小型薄型化的話，就不得不將線圈的口徑變小，造成Q值及電感值降低，無法達到高性能化。
此外，圖17~圖18揭示：於層積體的內部導體層，由線圈導體L11~L14所構成的層積線圈L、與電容電極C11及C12所構成的電容C所配置的習知零件構造，但將該些圖式所揭示的線圈L與電容C在水平方向並列配置的話，不但線圈L的口徑會變小，而且與線圈L鄰接配置的電容C會干擾線圈L的磁場F，故會造成線圈L的特性劣化，無法充分達到所要求的特性。
另一方面，為了達到特性提升及小型薄型化的兩立效果，隨著電子機器小型薄型化、多機能、高機能化的進展，將於今後更加被重視。
因此，本發明的目的為，在包含線圈與電容的層積複合電子零件中，為達到良好的線圈特性之新零件構造。
為了解決前述的問題，關於本發明的一種層積複合電子零件，在隔著絕緣層層積有複數導體層的層積體內，包含互相電性連接的線圈及電容之電路，該層積複合電子零件，其特徵在於：在前述複數導體層中的其中之一的第一導體層，具備：構成前述線圈的導體的至少一部之線圈導體；在與該第一導體層相異的導體層之第二導體層，具備：構成前述電容之一對電容電極之中的一方之電容電極；其中，當從前述層積體的層積方向觀察時，該一方之電容電極與前述線圈導體重疊；藉此，當前述線圈導體在構成前述線圈的同時，也做為前述一對的電容電極之中的另一方的電容電極，而構成前述電容。
本發明的層積複合電子零件，並不像前述的習知構造(圖17~圖18)所述的在橫向並列配置線圈及電容，因為是以與線圈導體重疊的方式在線圈的配置區域內配置電容電極(參照後述的圖1~圖5)，可以節省配置電容的必要區域，因此，可以提高線圈的口徑並得到高電感值。此外，也可以提升線圈導體的線寬，藉此得到高的Q值。再來，也可以達到晶片的小型化(從垂直方向觀察時尺寸縮小)。此外，本發明將層積體的層積方向稱為「垂直方向」，平行各導體層及絕緣層的方向稱為「平行方向」進行說明。
此外，本發明中構成線圈的線圈導體，也兼構成電容的一對電極(電容電極)中的一個，因為在該線圈導體的垂直方向上之對向具備電容電極，故可藉由電容電極防止干擾線圈的磁力線。
因此，本發明的前述一方之電容電極，具有前述線圈導體的線寬以下(與線圈導體的線寬相同或低於線寬)的寬度，而且，當從垂直方向觀察時，以不突出前述線圈導體的方式收於前述線圈導體的線寬內較佳。
本發明的一典型態樣為，線圈為橫跨2層以上的導體層並配置成線圈導體的層積線圈，以夾住電容電極的方式配置在該等線圈導體之間。
更具體而言，有關前述本發明的層積複合電子零件中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈；前述第二導體層為，在前述第一導體層與前述第三導體層之間所層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，係配置在前述第一導體層所具備的線圈導體與前述第三導體層所具備的線圈導體之間。
此外本發明另一態樣為，與上述態樣相同，具備做為線圈的層積線圈，但不在線圈導體之間，而是在線圈的上面(上層)側或下面(下層)側配置電容電極。
更具體而言，有關前述本發明的層積複合電子零件中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一 導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈；前述第二導體層為，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層，在前述第三導體層的相反側層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層所具備的線圈導體，配置在前述第三導體層所具備的線圈導體之相反側。
再來本發明在上述本發明或各種態樣中的任一個層積複合電子零件中，前述第二導體層所具備的一方之電容電極，與前述第一導體層所具備的線圈導體之構成前述另一方的電容電極的部分，一同具有L形或U形(C形)的平面形狀(從垂直方向觀察的形狀)。
線圈導體在導體層內，一般描繪成L形或U形(C形)的圖案，若沿著該種形狀的線圈導體延伸將電容電極形成L形或U形(C形)的平面形狀的話，線圈導體可做為電容電極有效利用，並可確保電容的大電極面積並得到充分的電容量。
此外，如同前述，當從前述層積體的層積方向觀察時，將與線圈導體重疊所具備的電容電極、與該線圈導體所構成的電容稱之為線圈一體型電容的情形時，於本發明包含：在層積體內所具備的前述電路包含2個以上的電容及1個以上的線圈；且前述2個以上的電容的總和為線圈一體型電容。
本發明所述之「包含線圈及電容的電路」，典型的為 濾波器電路，但並不一定是限於濾波器電路。若是包含線圈及電容的電路的話，其他種的電路一樣也適用於本發明。
根據本發明，在包含線圈與電容的層積複合電子零件中，可達到線圈特性的提升。
F‧‧‧磁場
L‧‧‧電感
L11~L14‧‧‧線圈導體
C‧‧‧電容
C11~C12‧‧‧電容電極
M1~M5‧‧‧導體層
T1~T2‧‧‧端子
G‧‧‧接地端子
V‧‧‧通孔
E1~E2‧‧‧電極
I1~I4‧‧‧絕緣層
本發明的其他目的、特徵、及優點，藉由圖式說明以下的本發明的實施形態，會更容易理解。而且，本發明不限於這些實施形態，該技術領域的通常知識者可在申請專利範圍所記載的範圍內做各種變更。此外，圖中的同一符號表示同一或相當的部分。
圖1為表示有關本發明的第一實施形態的層積複合電子零件的要部構成例之斜視圖。
圖2為圖1所示的構成例之分解斜視圖。
圖3為圖1所示的構成例之電路圖。
圖4為表示有關本發明的第一實施形態的層積複合電子零件的要部之別的分解構成例之斜視圖。
圖5為圖4所示的別的構成例之電路圖。
圖6為電容電極的別的構成例之斜視圖。
圖7為電容電極的另一種別的構成例之斜視圖。
圖8為表示有關本發明的第一實施形態的層積複合電子零件的要部之變形例之斜視圖。
圖9為表示有關本發明的第一實施形態的層積複合電 子零件的要部之別的變形例之斜視圖。
圖10為表示有關本發明的第二實施形態的層積複合電子零件的電路圖。
圖11為表示有關本發明的第二實施形態的層積複合電子零件的層積體的各層平面圖。
圖12為表示有關本發明的第二實施形態的層積複合電子零件衰減特性之線圖。
圖13為前述圖12所示的線圖的一部分擴大線圖。
圖14為表示有關本發明的第三實施形態的層積複合電子零件的層積體的各層平面圖。
圖15A為表示有關本發明的第四實施形態的層積複合電子零件的層積體的各層(第1導體層~第6絕緣層)平面圖。
圖15B為表示有關本發明的第四實施形態的層積複合電子零件的層積體的各層(第7導體層)平面圖。
圖16為表示有關比較例的層積複合電子零件的層積體的各層平面圖。
圖17為表示習知的層積複合電子零件的要部構成例之斜視圖。
圖18為圖17所示的構成例之分解斜視圖。
〔第1實施形態〕
首先，將本發明的特徵構造做為第一實施形態來說 明。
圖1至圖3為有關本發明的層積複合電子零件的特徵部分之例示。如同該等圖式所示，前述的習知構造(圖17~圖18)中，相對於將線圈L及電容C在橫向(水平方向)並列配置，本實施形態將電容電極C11插入構成層積線圈L的線圈導體L11、L12之間，並藉由與線圈導體L11的線路在垂直方向重疊配置，在線圈導體L11、L12的線路之間構成電容C。
具體來說，在隔著絕緣層(圖未示)所層積的包含第1導體層M1~第5導體層M5的5層導體層之層積體中，將其中第1導體層M1、第3導體層M3、第4導體層M4、及第5導體層M5各層所配置的環狀線圈導體L11、L12、L13、L14在通孔V上(圖1未示，圖2中以虛線表示/以下單稱做「孔」)依序連接，構成螺旋狀的層積線圈L。
另一方面，隔著絕緣層與第1導體層M1在垂直方向相鄰的第2導體層M2，在垂直方向以面對第1導體層M1所具備的線圈導體L11的方式，具備有電容電極C11。該電容電極C11以與第1導體層M1所具備的環狀線圈導體L11的一部(該線圈導體L11的一部的線路區間)重疊的方式，具有L形的平面形狀，且具有線圈導體L11的線寬W2以下的寬度W1(W1小於等於W2)。形成該種構造的話，藉由第2導體層M2所具備的電容電極C11、及第1導體層M1所具備的線圈導體L11，構成電容C。第1導 體層M1所具備的線圈導體L11，兼具線圈導體L11與電容電極C12的功能。此外，藉由線圈導體L11所兼具的電容電極C12之功能，將線圈L與電容C電性連接。
此外，為了防止因為導體層的層積偏移等的原因，使電容電極C11與線圈導體L11(C12)的位置偏移，而產生電容C的電容值變動(誤差)，使電容電極C11的寬度W1小於線圈導體L11的線寬W2(W1<W2)，且使電容電極C11收於線圈導體L11的線寬內，換言之，從垂直方向觀察寬度方向時，將電容電極C11的全部(全部寬度)收於線圈導體L11的兩邊緣(寬度方向的兩端)之間較佳。
此外，間隔於線圈一體型電容C(電容電極C11與線圈導體L11(C12)之間)之間的介電質膜，也就是說，間隔於第1導體層M1與第2導體層M2之間的絕緣層(圖未示)，例如可以是由氮化矽及氧化鋁為主成分所形成的薄膜。
因此，如圖2所示，若將第1導體層M1的線圈導體L11的一端部(與第3導體層M3的線圈導體L12所連接的端部之相對側的端部)連接至端子T1，將第2導體層M2的電容電極C11的一端部與第5導體層M5的線圈導體L14的一端部(與第4導體層M4的線圈導體L13所連接的端部之相對側的端部)連接至端子T2的話，可以構成圖3所示的LC並聯電路。
此外，如圖4所示，將電容電極C11配置於最下層的線圈導體L14的下面側，在最下層的線圈導體L14之間構 成線圈一體型電容C，並將第1導體層M1的線圈導體L11連接至端子T1，將電容電極C11連接至端子T2的話，在端子T1與端子T2之間將線圈L(線圈導體L11~L14)與電容C(電容電極C12、C11)串聯的話，可以構成圖5所示的LC串聯電路。
將電容電極C11的平面形狀合於線圈導體的形狀圖案，可以形成例如圖6所示的U形(C形)、也可以形成例如圖7所示的直線狀。再來，關於配置電容電極C11的垂直方向的位置，可以不要像前述在線圈導體L11與線圈導體L12之間配置，如圖8所示，可以配置於最上層的線圈導體L11的上面側，在與最上層的線圈導體L11之間構成電容C。此外，如前述圖4及圖9所示，也可以在最下層的線圈導體L14的下面側配置，在與最下層的線圈導體L14之間構成電容C。
此外，在本實施形態中，雖藉由4層的線圈導體L11~L14構成線圈L，但也可以由3層以下或5層以上的線圈導體來構成線圈，也可以由1層的(1卷的)線圈導體來構成線圈。此外，將本實施形態的構造及連接方法(圖3、圖5)組合的話，可以構成包含線圈及電容的各種電路。
〔第2實施形態〕
以下，參照圖10~圖13說明有關本發明的第二實施形態之層積複合電子零件。
有關本發明的第二實施形態之層積複合電子零件11為，在具有隔著絕緣層而層積的複數導體層的層積體內部，藉由導體圖案構成LC濾波器(低通濾波器/以下稱為「LPF」)電路之晶片狀層積LPF。
也就是說，該電路如圖10所示，該電路由：輸入端子T1與輸出端子T2之間串聯的2個LC並聯電路(由互相並聯的線圈L1與電容C2所構成的第一LC共振電路、及由互相並聯的線圈L2與電容C4所構成的第二LC共振電路)、與輸入端子T1與第一LC並聯電路之間的一端和接地端子G的另一端各自連接的電容C1、與2個LC並聯電路之間的一端和接地端子G的另一端各自連接的電容C3、與輸出端子T2與第二LC並聯電路之間的一端和接地端子G的另一端各自連接的電容C5所形成。
層積體如圖11所示具有長方形平面形状，依序層積第1導體層M1、第1絕緣層I1、第2導體層M2、第2絕緣層I2、第3導體層M3、第3絕緣層I3、第4導體層M4、第4絕緣層I4、第5導體層M5、第5絕緣層I5及第6導體層M6。此外，有關本實施形態的LPF，除了圖11所示的各層以外，例如也可具備接地電極導體層等(圖未示)的其他導體層及絕緣層。
層積體的四個角落(從垂直方向觀察時為4個角部)具有：橫跨第1導體層M1到第6導體層M6的垂直貫穿該層積體並延伸的柱狀導電體。該等導電體為：由各導體層M1~M6所出現的端子部T1、T2、G，及貫穿各絕緣層 I1~I5並於垂直方向連接相鄰的端子部之孔V所構成的柱狀端子，故於圖11的各層之右上的角部順時針方向相鄰的角部起算分成第一到第四角部的話，該等4個角部中，各自具備：為柱狀輸入端子的第一角部(輸入端子部T1)、為柱狀輸出端子的第二角部(輸出端子部T2)、為柱狀接地端子的第三角部及第四角部(接地端子部G)。
此外，第1導體層M1的接地端子部G為了構成後述的電容C3(電容電極C31)，沿著該第1導體層的長邊(左邊)延伸形成第三角部的接地端子部G與第四角部的接地端子部G。此外，於輸入端子部T1與輸出端子部T2之間，具備構成電容C與電容C5的接地側的電容電極C11、C51，該電容電極C11、C51與前述第1導體層M1的接地端子部G藉由連接電極E1做連接。再來，在與電容電極C11、C51隔著第1絕緣層I1的對向之第2導體層M2具備有電容電極C12及電容電極C52，藉由第1導體層M1的電容電極C11與第2導體層的電容電極C12構成電容C1，藉由第1導體層M1的電容電極C51與第2導體層M2的電容電極C52構成電容C5。
此外，從垂直方向觀察層積體，將該層積體從長邊方向分成2等分時的一方(圖11的各層的上半部)的區域，配置有構成前述第一LC共振電路的層積線圈L1。該層積線圈L1，將第1導體層M1、第3導體層M3、第4導體層M4、及第5導體層M5各自具備的環狀線圈導體L11、L12、L13、L14，藉由將第1絕緣層I1、第2導體層 M2、第2絕緣層I2、第3絕緣層I3、及第4絕緣層I4各自貫穿的孔V，依序連接而構成。
此外，將該上述2等分時的另一方(圖11的各層的下半部)的區域，配置有構成前述第二LC共振電路的層積線圈L2。該層積線圈L2，與上述層積線圈L1同樣地，將第1導體層M1、第3導體層到第5導體層M3~M5各自具備的環狀線圈導體L21、L22、L23、L24，藉由將第1絕緣層I1、第2導體層M2、第2到第4絕緣層I2~I4各自貫穿的孔V，依序連接而構成。
此外，構成第一LC共振電路的層積線圈L1從第1導體層M1的第一角部所具備的輸入端子部T1向第5導體層M5順時針轉動以螺旋狀向下方引繞，於第5導體層M5藉由兩線圈L1、L2之間所具備的連接電極E4，與構成第二LC共振電路的層積線圈L2連接。此外，構成第二LC共振電路的層積線圈L2從該第5導體層M5的連接電極E4向第1導體層M1逆時針轉動以螺旋狀向上方引繞，於第1導體層M1與第二角部所具備的輸出端子部T2連接。
此外，面對於前述第1導體層M1所連續形成的接地端子部G的中央部，隔著第1絕緣層I1在對向的第2導體層M2具備有電容電極C32。該電容電極C32為，與第1導體層的接地端子部G(電容電極C31)一同構成的電容C3。電容電極C32通過從第2到第4的各絕緣層I2~I4中所具備的孔V、與第3~第5的各導體層M3~M5中所具備 的電極E2、與第5導體層M5中所具備的連接電極E4，與各層積線圈L1、L2連接。此外，第3導體層M3及第4導體層M4具備有於各導體層M3、M5中連接各孔V間的連接電極E3。
構成第一LC共振電路的電容C2、與構成第二LC共振電路的電容C4為前述的線圈一體型電容。
具體而言，在第2導體層M2具備與第1導體層M1的線圈導體L11的一部重疊且L形延伸的電容電極C21。該電容電極C21具有比線圈導體L11的線寬還小的寬度，從垂直方向觀察，配置成收於線圈導體L11的線寬內，隔著第1絕緣層I1對向於線圈導體L11構成電容C2。此外，為了與該電容電極C21電性連接，與以下所述的電容電極C41為連續連接。此外，對向於電容電極C21的線圈導體L11之部分以塗黑表示(以下有關線圈一體型電容也一樣)。該部分在做為線圈導體L11機能的同時也具有做為構成電容C2的電容電極C22之機能。此外，藉由該電容電極C22部分，將線圈L1(線圈導體L11)與電容C2做電性連接。
同樣地有關電容C4也一樣，在第2導體層M2具備與第1導體層M1的線圈導體L21的一部重疊且L形延伸的電容電極C41。該電容電極C41具有比線圈導體L21的線寬還小的寬度，從垂直方向觀察，配置成收於線圈導體L21的線寬內，隔著第1絕緣層I1對向於線圈導體L21(塗黑的部分C42)構成電容C4。此外，如同既述的， 若將電容電極C21、C41的線寬以小於線圈導體L11、L21的寬度且配置成收於線圈導體L11、L21的線寬內的話，可以防止因為層積偏差等所產生的電容C2、C4之電容值誤差。此外，電容C2、C4(電容電極C21、C41)也不會干擾線圈L1、L2的磁力線。
做為本實施形態的比較對象為，以習知的方式構成將線圈與電容在水平方向並列配置的層積LPF(比較例)。圖16揭示此物。如圖16所示的有關本比較例的LPF，包含：構成第一LC共振電路的電容C2及構成第二LC共振電路的電容C4，但並不將所有的電容C1~C5形成線圈一體型電容，而是採用習知的通常(由2個電容電極對向配置)電容。該等電容C1~C5，從垂直方向觀察時，配置於層積體的長邊方向的中央部，該等電容C1~C5的兩側，也就是說從垂直方向觀察時的層積體的長邊方向的兩端部，各自配置有層積線圈L1(L11~L14)、L2(L21~L24)。
圖12~圖13為表示該比較例與有關前述第二實施形態的LPF的頻率-衰減特性之線圖，從該等圖中可清楚得知根據本實施形態的構造與比較例相比，可以降低插入損失及提升濾波器的特性。此外Q值，相對比較例的14，本實施形態為20，可提升Q值。該等的特性提升，可以根據本實施形態的構造增加線圈L1、L2的口徑，此外也是增大線圈導體L11~L14、L21~L24線寬的起因。
〔第3實施形態〕
參照圖14說明有關本發明的第三實施形態之層積LPF。
如圖14所示的本實施形態的LPF，和前述第二實施形態一樣，將第一LC共振電路的電容C2與第二LC共振電路的電容C4形成線圈一體型電容，但不只於此，電容C1與電容C5也成為線圈一體型電容。
具體來說，和前述第二實施形態一樣，於第1導體層M1配置有構成第一LC共振電路的線圈L1的線圈導體L11、及構成第二LC共振電路的線圈L2的線圈導體L21，但藉由在與第一LC共振電路的線圈導體L11對向的第2導體層M2配置電容C1的電容電極C11及電容C2的電容電極C21，在與該線圈導體L11的一部C12之間構成電容C1的同時，在該線圈導體L11的另一部C22之間構成電容C2。
同樣地，在與第二LC共振電路的線圈導體L21對向的第2導體層M2配置電容C4的電容電極C41及電容C5的電容電極C51，在與該線圈導體L21的一部C42之間構成電容C4，在該線圈導體L21的另一部C52之間構成電容C5。此外，本實施形態中，為了使電容C1、C5成為線圈一體型電容，與前述第二實施形態不同，在第二的角部配置接地端子部G，在第三的角部配置輸出端子部T2。
〔第4實施形態〕
參照圖15A~圖15B說明有關本發明的第四實施形態 之層積LPF。
如圖15A~圖15B所示的本實施形態的LPF為包含LPF電路(圖3)的所有電容C1~C5所形成的線圈一體型電容。
具體來說，和前述第三實施形態一樣，於第1導體層M1配置有構成第一LC共振電路的線圈導體L11(C12、C22)，在藉由配置於第2導體層M2的電容電極C11、C21構成電容C1及電容C2的同時，藉由配置於第1導體層M1的第二LC共振電路的線圈導體L21(C42、C52)，與配置於第2導體層M2的電容電極C41、C51構成電容C4與電容C5。
此外，為了使電容C3成為線圈一體型電容，在第6導體層M6具備電容電極C31，使該電容電極C31從垂直方向觀察時，與配置於第5導體層M5的構成第一LC共振電路的線圈L1之線圈導體L14重疊。該電容電極C31，連接於配置在第6導體層M6的第4的角部的接地端子部G，與配置於第5導體層M5的線圈導體L14的一部C32隔著第5絕緣層I5對向配置構成電容C3。
L11~L14‧‧‧線圈導體
C11~C12‧‧‧電容電極
M1~M5‧‧‧導體層
T1~T2‧‧‧端子
V‧‧‧通孔

Claims (11)

  1. 一種層積複合電子零件，在隔著絕緣層層積有複數導體層的層積體內，包含互相電性連接的線圈及電容之電路，該層積複合電子零件，其特徵在於：在前述複數導體層中的其中之一的第一導體層，具備：構成前述線圈的導體的至少一部之線圈導體；在與該第一導體層相異的導體層之第二導體層，具備：構成前述電容之一對電容電極之中的一方之電容電極；其中，當從前述層積體的層積方向觀察時，該一方之電容電極與前述線圈導體重疊；藉此，當前述線圈導體在構成前述線圈的同時，也做為前述一對的電容電極之中的另一方的電容電極，而構成前述電容。
  2. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中，前述一方之電容電極，具有前述線圈導體的線寬以下的寬度，而且，當從前述層積體的層積方向觀察時，以不突出前述線圈導體的方式收於前述線圈導體的線寬內。
  3. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈； 前述第二導體層為，在前述第一導體層與前述第三導體層之間所層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，係配置在前述第一導體層所具備的線圈導體與前述第三導體層所具備的線圈導體之間。
  4. 如請求項2所記載之層積複合電子零件，其中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈；前述第二導體層為，在前述第一導體層與前述第三導體層之間所層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，係配置在前述第一導體層所具備的線圈導體與前述第三導體層所具備的線圈導體之間。
  5. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈； 前述第二導體層為，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層，在前述第三導體層的相反側層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層所具備的線圈導體，配置在前述第三導體層所具備的線圈導體之相反側。
  6. 如請求項2所記載之層積複合電子零件，其中，與前述第一導體層及前述第二導體層相異的導體層之第三導體層，具備：與前述第一導體層所具備的線圈導體不同之另一個線圈導體；該另一個線圈導體，與前述第一導體層所具備的線圈導體藉由層間連接導體做電性連接，與前述第一導體層所具備的線圈導體一起構成前述線圈；前述第二導體層為，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層，在前述第三導體層的相反側層積的導體層；前述第二導體層所具備的一方之電容電極，在前述層積體的層積方向，夾住前述第一導體層所具備的線圈導體，配置在前述第三導體層所具備的線圈導體之相反側。
  7. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中，前述第二導體層所具備的一方之電容電極，與前述第一導體層所具備的線圈導體之構成前述另一方的電容電極的部分，一同具有L形的平面形狀。
  8. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中， 前述第二導體層所具備的一方之電容電極，與前述第一導體層所具備的線圈導體之構成前述另一方的電容電極的部分，一同具有U形的平面形狀。
  9. 如請求項1所記載之層積複合電子零件，其中，前述電路具有：包含第一電容及第二電容之2個以上的電容；前述第一導體層所具備的線圈導體，由環狀的導體所構成；其中該環狀的導體，具有：與前述第一電容的另一方的電容電極所形成的第一電容共用的區域；與前述第二電容的另一方的電容電極所形成的第二電容共用的區域。
  10. 如請求項1至9項之任一項所記載之層積複合電子零件，其中，當從前述層積體的層積方向觀察時，將與線圈導體重疊所具備的電容電極、與該線圈導體所構成的電容稱之為線圈一體型電容的情形時，前述電路包含2個以上的電容及1個以上的線圈；前述2個以上的電容的總和為線圈一體型電容。
  11. 如請求項1至9項之任一項所記載之層積複合電子零件，其中，前述電路為濾波器電路。
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