CN212752225U - 线圈部件以及包括其的滤波器电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型是使多个线圈磁耦合的线圈部件(1)以及包括其的滤波器电路。线圈部件(1)具备：线圈(L1)(第1线圈)；和线圈(L2)(第2线圈)，与线圈(L1)磁耦合，并产生负的电感。进而，线圈部件(1)具备电极(2)，设置在与线圈(L1)的一部分以及线圈(L2)的一部分靠近的位置，并被接地。

Description

线圈部件以及包括其的滤波器电路
技术领域
本实用新型涉及线圈部件以及包括其的滤波器电路。
背景技术
在电子设备的噪声对策中经常使用滤波器电路。在该滤波器电路中，例如存在EMI(Electro-Magnetic Interference，电磁干扰)去除滤波器等，使流经导体的电流中需要的分量通过并去除不需要的分量。在滤波器电路的电路结构中，存在使用作为电容元件的电容器的情况。已知在使用电容器的滤波器电路中，由于作为该电容器的寄生电感的等效串联电感(ESL：Equivalent Series Inductance)而导致噪声抑制效果下降。
已知为了消除电容器的等效串联电感，使用由磁耦合的两个线圈生成的负的电感来使滤波器电路的衰减效果宽频带化的技术(例如，专利文献 1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-160728号公报
实用新型内容
实用新型要解决的课题
利用由磁耦合的两个线圈产生的负的电感，虽然能够消除电容器的等效串联电感，但是存在由于磁耦合的两个线圈中产生的杂散电容而导致滤波器电路的衰减效果的宽频带化被限制的问题。具体地，由于产生1pF的杂散电容，因而经由该杂散电容，1GHz以上的噪声信号以数dB的损耗而通过，滤波器电路的衰减效果实质上被限定于MHz频带以下的频率。
因此，本实用新型的目的在于，提供能够降低通过磁耦合的多个线圈的噪声信号的频带的线圈部件以及包括其的滤波器电路。
用于解决课题的手段
本实用新型的一个方式涉及的线圈部件是使多个线圈磁耦合的线圈部件，具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈磁耦合，产生负的电感；和电极，设置在与第1线圈的一部分以及第2线圈的一部分靠近的位置，并被接地。
本实用新型的一个方式涉及的滤波器电路具备：上述线圈部件；和电容器，将一端连接于第1线圈以及第2线圈。
实用新型的效果
根据本实用新型，通过将被接地的电极设置在与第1线圈的一部分以及第2线圈的一部分靠近的位置，能够使利用线圈的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极侧，能够降低通过线圈部件的噪声信号的频带。此外，包括该线圈部件的滤波器电路能够使利用线圈的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极侧，因而能够使滤波器电路的衰减效果宽频带化。
附图说明
图1(a)～图1(b)是本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的立体图以及侧视图。
图2是示出本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的结构的分解俯视图。
图3是包括本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的滤波器电路的电路图。
图4是示出包括本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的滤波器电路的相对于频率的传输特性的曲线图。
图5(a)～图5(b)是用于比较本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的电极和线圈的布线的尺寸的图。
图6是示出对本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的电极的宽度进行了变更的情况下的滤波器电路的相对于频率的传输特性的曲线图。
图7是示出对本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的电极的尺寸进行了变更的情况下的滤波器电路的相对于频率的传输特性的曲线图。
图8(a)～图8(b)是本实用新型的实施方式2涉及的线圈部件的立体图以及侧视图。
图9是示出本实用新型的实施方式2涉及的线圈部件的结构的分解俯视图。
图10是本实用新型的实施方式3涉及的滤波器电路的侧视图。
具体实施方式
以下，对本实用新型的实施方式涉及的线圈部件以及包括其的滤波器电路进行说明。
(实施方式1)
首先，参照附图对本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件以及包括其的滤波器电路进行说明。图1(a)～图1(b)是本实用新型的实施方式 1涉及的线圈部件的立体图以及侧视图。图2是示出本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的结构的分解俯视图。图3是包括本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的滤波器电路的电路图。
滤波器电路10例如是EMI去除滤波器，并且是3阶T型LC滤波器电路。线圈部件1被使用于该滤波器电路10。另外，在本实施方式1中，作为滤波器电路10的结构而使用3阶T型LC滤波器电路来进行说明，但是对于5阶T型LC滤波器电路或更高阶的T型LC滤波器电路也能够同样地适用。首先，滤波器电路10如图3所示，具备电容器C1、电极4a～ 4d、线圈L1(第1线圈)以及线圈L2(第2线圈)。
如图3所示，电容器C1将一个端子与电极4c连接，将另一个端子与 GND布线连接。另外，电容器C1不仅可以是以BaTiO3(钛酸钡)为主要成分的层叠陶瓷电容器，也可以是以其他材料为主要成分的层叠陶瓷电容器，还可以是非层叠陶瓷电容器的例如铝电解电容器等其他种类的电容器。虽然未图示，电容器C1具有寄生电感(等效串联电感(ESL))。
除电容器C1之外，线圈L1以及线圈L2与电极4c连接。线圈L1与线圈L2磁耦合，产生负的电感分量。使用该负的电感分量，能够消除电容器C1的寄生电感，能够明显地减小电容器C1的电感分量。包括电容器 C1、线圈L1以及线圈L2的滤波器电路10通过线圈L1与线圈L2的互电感所引起的负的电感分量，消除电容器C1的寄生电感，由此能够提高高频带的噪声抑制效果。
然而，由于在磁耦合的线圈L1以及线圈L2产生的杂散电容C2、C3，导致滤波器电路10的衰减效果的宽频带化被限制。即，如果信号的频率变高则电容器的阻抗下降，因此频率高的噪声信号利用杂散电容C2、C3 而通过，滤波器电路10的衰减效果被限制。例如，在杂散电容C2、C3 的电容为1pF的情况下，经由该杂散电容C2、C3，1GHz以上的噪声信号以数dB的损耗而通过，将滤波器电路10的衰减效果实质上限定于MHz 频带以下的频率。
可以考虑将线圈L1与线圈L2的距离拉开，从而使杂散电容C2、C3 的电容变小，使得滤波器电路10的衰减效果不被限制，但是如果线圈L1 与线圈L2的距离变大，则磁耦合也变弱，不能获得需要的负的电感。为了即使将线圈L1与线圈L2的距离拉开也可获得需要的负的电感，需要使线圈L1、L2本身增大，滤波器电路10的尺寸变大。
因此，在本实施方式1涉及的线圈部件1中，在与线圈L1的一部分以及线圈L2的一部分靠近的位置设置有电极2。根据图1(a)～图1(b) 等可知，电极2与连接于GND的电极4d电连接，但不与线圈L1以及线圈L2电连接。因此，电极2作为寄生电感而具有电感器2L、以及作为寄生电容而具有电容2C，与图3所示的电路结构等效。电感器2L以及电容 2C在线圈L1以及线圈L2与电极4d之间串联连接。
在线圈部件1中，在与线圈L1以及线圈L2靠近的位置设置电极2，由此能够使通过杂散电容C2、C3的频率高的噪声信号经由电容2C从电极4d流向GND。不过，由于通过设置电极2而具有电感器2L，因而不能在宽频带降低相对于GND的阻抗。基本上，能够在通过设置电极2而产生的寄生电感的电感器2L和寄生电容的电容2C的串联LC的谐振频率附近，使噪声信号流向GND。因而，针对由于磁耦合的线圈L1以及线圈 L2中产生的杂散电容C2、C3而无法获得衰减的频率，使通过设置电极2 而产生的串联LC的谐振频率进行匹配，由此能够使得使用线圈部件1的滤波器电路10的衰减效果宽频带化。
线圈部件1如图1(a)～图1(b)所示层叠多片形成了线圈的布线的基板。层叠在上层的线圈L1的布线L1a的一端与电极4a电连接，并且另一端经由过孔5与下层的线圈L1的布线L1b电连接。线圈L1的布线L1b 的一端与电极4c电连接，并且另一端经由过孔5与上层的线圈L1的布线 L1a电连接。线圈L1包括布线L1a和布线L1b。在此，图1(a)所示的线圈部件1将短边方向设为X方向、长边方向设为Y方向、高度方向设为Z方向。此外，基板的层叠方向是Z方向，并且箭头的朝向表示上层方向。
同样地，层叠在线圈L1的下层的线圈L2的布线L2a的一端与电极 4c电连接，并且另一端经由过孔6与下层的线圈L2的布线L2b电连接。线圈L2的布线L2b的一端与电极4b电连接，并且另一端经由过孔6与上层的线圈L2的布线L2a电连接。线圈L2包括布线L2a和布线L2b。
在线圈部件1中，进一步将电极2层叠在线圈L1的布线L1b与线圈 L2的布线L2a之间。电极2的一端与电极4d电连接，但不与布线L1b以及布线L2a电连接。
如图2所示，通过丝网印刷法将导电性膏(Ni膏)印刷在陶瓷生片 3a～3e上而形成布线图案。在图2的(a)所示的陶瓷生片3a上形成布线 L1a，并且形成了与电极4a连接的布线图案40以及与过孔5连接的布线图案5a。
在图2的(b)所示的陶瓷生片3b上形成布线L1b，并且形成了与电极4c连接的布线图案41以及与过孔5连接的布线图案5b。由陶瓷生片 3a、3b构成线圈L1。
在图2的(c)所示的陶瓷生片3c上形成电极2，并且形成了与电极 4d连接的布线图案42。
在图2的(d)所示的陶瓷生片3d上形成布线L2a，并且形成了与电极4c连接的布线图案43以及与过孔6连接的布线图案6a。在图2的(e) 所示的陶瓷生片3e上形成布线L2b，并且形成了与电极4b连接的布线图案44以及与过孔6连接的布线图案6b。由陶瓷生片3d、3e构成线圈L2。
在线圈部件1中，将图2所示的多个陶瓷生片3a～3e层叠，并且在其上下两面侧各层叠多层未印刷布线图案的陶瓷生片(虚设层)(参照图1 (b))。通过对包括虚拟层的多个陶瓷生片3进行压接，从而形成未烧成的层叠体。对所形成的层叠体进行烧成，并在所烧成的层叠体的外部烧接铜电极而形成电极4a～4d，使得与布线图案40～44导通。
图4是示出包括本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件1的滤波器电路10的相对于频率的传输特性的曲线图。对图3所示的滤波器电路10 进行电路模拟，示出相对于频率的传输特性的结果是图4所示的曲线图。在图4所示的曲线图中，将横轴作为频率Freq(MHz)，并将纵轴作为传输特性S21(dB)。
首先，图4所示的曲线图A是示出仅有电容器C1的滤波器电路的传输特性的曲线图。在仅有电容器C1的滤波器电路中，在1.0MHz以上的频率Freq下，传输特性S21变高，不能抑制高频带的噪声信号。此外，图4所示的曲线图B是示出包括电容器C1和线圈L1、L2的滤波器电路的传输特性的曲线图。在该滤波器电路中，在300.0MHz以上的频率Freq 下，传输特性S21突然变高，不能抑制1GHz的高频带的噪声信号。
另一方面，图4所示的曲线图C是示出滤波器电路10的传输特性的曲线图。在滤波器电路10中，在1GHz的频率Freq下，传输特性S21充分低，能够使高频带的噪声抑制效果提高。
接下来，对基于线圈L1、L2的布线和电极2的尺寸的传输特性S21 的变化进行说明。图5(a)～图5(b)是用于对本实用新型的实施方式1 涉及的线圈部件的电极和线圈的布线的尺寸进行比较的图。根据线圈L1、 L2的布线和电极2的重叠情况，寄生电感的电感器2L和寄生电容的电容 2C会发生变化，因而滤波器电路10的传输特性S21也会发生变化。
在图5(a)中，电极2的宽度2W比线圈L1的布线L1a的宽度LW 宽。另外，以下设线圈L1的布线L1b以及线圈L2的布线L2a、L2b的宽度与线圈L1的布线L1a的宽度LW相同来进行说明。当然，线圈L1的布线L1b以及线圈L2的布线L2a、L2b的宽度也可以与线圈L1的布线L1a的宽度LW不同。
电极2与线圈L1的布线L1a相互重叠地被制造。因此，优选的是，在电极2的宽度2W与线圈L1的布线L1a的宽度LW的差中，存在与制造偏差相应程度的差。例如，为了降低制造偏差的影响，使电极2的宽度 2W比线圈L1的布线L1a的宽度LW宽，以使得即使电极2与线圈L1的布线L1a错开地相互重叠，重叠部分的面积也不变。然而，如果使电极2 的宽度2W比线圈L1的布线L1a的宽度LW宽，则滤波器电路10的高频带的传输特性S21下降。
图6是示出对本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的电极的宽度进行了变更的情况下的滤波器电路的相对于频率的传输特性的曲线图。对于图3所示的滤波器电路10，对电极2的宽度进行变更而进行电路模拟，示出相对于频率的传输特性S21的结果是图6所示的曲线图。在图6所示的曲线图中，将横轴作为频率Freq(MHz)，并将纵轴作为传输特性S21 (dB)。
图6所示的曲线图a是示出线圈L1的布线L1a的宽度LW为100μm，相对于此，使电极2的宽度2W为220μm的情况下的滤波器电路10的传输特性S21的曲线图。在使宽度2W为220μm的情况下的滤波器电路10 中，在1GHz的频率Freq下，传输特性S21变高，不能抑制高频带的噪声信号。图6所示的曲线图b是示出线圈L1的布线L1a的宽度LW为100 μm，相对于此，使电极2的宽度2W为200μm的情况下的滤波器电路 10的传输特性S21的曲线图。在使宽度2W为200μm的情况下的滤波器电路中，在1GHz的频率Freq下传输特性S21变高，不能抑制高频带的噪声信号。
图6所示的曲线图c是示出线圈L1的布线L1a的宽度LW为100μm，相对于此，使电极2的宽度2W为180μm的情况下的滤波器电路10的传输特性S21的曲线图。在使宽度2W为180μm的情况下的滤波器电路10 中，与宽度2W为220μm、200μm相比在1GHz的频率Freq下传输特性S21稍微变低，能够稍微抑制高频带的噪声信号。图6所示的曲线图d是示出线圈L1的布线L1a的宽度LW为100μm，相对于此，使电极2的宽度2W为160μm的情况下的滤波器电路10的传输特性S21的曲线图。在使宽度2W为160μm的情况下的滤波器电路10中，在1GHz的频率Freq下传输特性S21变得充分低，能够抑制高频带的噪声信号。
如图6所示，从电极2的宽度2W超过180μm时起，滤波器电路10 的传输特性S21急速下降。这被认为是，由于电极2的宽度2W变得比线圈L1的布线L1a的宽度LW宽，因而妨碍线圈L1、L2的磁场，使电感以及磁耦合下降，使滤波器电路10的传输特性S21急速下降。
因此，在滤波器电路10中，如果要进一步抑制高频带的噪声信号，则在使电极2的宽度比线圈L1的布线L1a的宽度LW宽的情况下，优选的是，电极2的宽度2W相对于线圈L1的布线L1a的宽度LW成为1.8 倍以下。
另一方面，为了降低制造偏差的影响，在使电极2的宽度2W比线圈 L1的布线L1a的宽度LW窄的情况下，通过设置电极2而产生的电容2C 的值由电极2的面积决定，因而如图5(b)所示，需要与使电极2的宽度 2W变窄的程度相应地使长度2D变长。在图5(b)中，示出了电极2的宽度2W与电极2的长度2D的关系。例如，假设电极2的宽度2W为90 μm，并且电极2的长度2D为1800μm，则电极2的宽度2W成为长度 2D的1/20倍。假设图5(a)所示的电极2的宽度2W为160μm，并且电极2的长度2D为1120μm，则电极2的宽度2W成为长度2D的1/7倍。另外，在电极2的长度2D变长的情况下，如图5(b)所示，沿着线圈L1 的布线L1a将电极2的长度延长。
通过设置电极2而产生的寄生电感的电感器2L和寄生电容的电容2C 的串联LC的谐振频率由电感器2L和电容2C的大小决定。而且，如果电容2C变大，则串联LC的谐振频率的频带变宽。因而，为了使电容2C变大，需要使电极2的宽度2W变宽，或与使电极2的宽度2W变窄的程度相应地使长度2D变长。另外，在使电极2的宽度2W比线圈L1的布线 L1a的宽度LW宽的情况下，如由图6所说明的那样，如果超过上限值，则有时滤波器电路10的传输特性S21急速下降。
图7是示出对本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件的电极的尺寸进行了变更的情况下的滤波器电路的相对于频率的传输特性的曲线图。对于图3所示的滤波器电路10，对电极2的尺寸进行变更而进行电路模拟，示出相对于频率的传输特性的结果是图7所示的曲线图。在图7所示的曲线图中，将横轴设为频率Freq(MHz)，将纵轴设为传输特性S21(dB)。
图7所示的曲线图d是示出设电极2的宽度2W为160μm且电极2 的长度2D为1120μm的情况下的滤波器电路10的传输特性的曲线图。在该滤波器电路中，在1GHz的频率Freq下，传输特性S21变得充分低，能够抑制高频带的噪声信号。图7所示的曲线图e是示出设电极2的宽度2W为90μm且电极2的长度2D为1800μm的情况下的滤波器电路10 的传输特性的曲线图。在该情况下的滤波器电路中，在1GHz的频率Freq 下，传输特性S21变高，不能抑制高频带的噪声信号。
即，在使电极2的宽度2W比线圈L1的布线L1a的宽度LW窄的情况下，只要电极2的宽度2W是电极2的长度D的1/7倍～1/8倍以上，则滤波器电路10在1GHz的频率Freq下传输特性S21变得充分低，能够进一步抑制高频带的噪声信号。
对线圈部件1中线圈L1、L2的布线的宽度LW与电极2的宽度2W 的关系进行了说明，接下来对线圈L1、L2的布线间隔和电极2与线圈L1、 L2的布线的间隔进行说明。如图1(b)所示，与线圈L1、L2的布线间隔相比，电极2与线圈L1、L2的布线的间隔更短。例如，线圈L1、L2的布线间隔为50μm，而电极2与线圈L1、L2的布线的间隔短到20μm。即，为了确保用于获得需要的串联LC的谐振频率的充分的寄生电容的电容2C，使电极2与线圈L1、L2的布线的间隔比线圈L1、L2的布线间隔短。
如以上那样，本实用新型的实施方式涉及的线圈部件1是使多个线圈磁耦合的线圈部件，具备：线圈L1；线圈L2，与线圈L1磁耦合；和电极 2，设置于与线圈L1、L2的一部分靠近的位置，并被接地。由此，本实用新型的实施方式涉及的线圈部件1将电极2设置在与线圈L1、L2的一部分靠近的位置，由此能够使利用线圈L1、L2的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极2侧，能够降低通过线圈部件1的噪声信号的频带。
此外，与线圈L1、L2的布线间隔相比，可以使电极2与线圈L1、L2 的间隔更短。由此，能够将使利用线圈L1、L2的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极2侧最优化。
在使电极2的宽度2W比线圈L1、L2的布线的宽度LW窄的情况下，电极2的宽度2W也可以成为电极2的长度2D的1/8倍以上。由此，能够将使利用线圈L1、L2的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极2 侧最优化。
在使电极2的宽度2W比线圈L1、L2的布线的宽度LW宽的情况下，电极2的宽度2W也可以是线圈L1、L2的布线的宽度LW的1.8倍以下。由此，能够将使利用线圈L1、L2的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极2侧最优化。
本实用新型的实施方式涉及的滤波器电路10具备：线圈部件1：和电容器C1，将一端与线圈L1、L2连接。由此，本实用新型的实施方式涉及的滤波器电路10由于能够使利用线圈的杂散电容而通过的频带的噪声信号流向电极2侧，因而能够使滤波器电路10的衰减效果宽频带化。
(实施方式2)
在本实用新型的实施方式1涉及的线圈部件1中，如图1(a)～图1 (b)所示，设置在与线圈L1、L2的一部分靠近的位置的电极2为1片，但也可以设置多片电极。图8(a)～图8(b)是本实用新型的实施方式2 涉及的线圈部件的立体图以及侧视图。图9是示出本实用新型的实施方式 2涉及的线圈部件的结构的分解俯视图。另外，包括本实施方式2涉及的线圈部件的滤波器电路的电路结构与图3所示的电路结构相同，因而不重复详细的说明。
如图8(a)～图8(b)所示，在线圈部件1a中，层叠有多片形成了线圈的布线的基板。层叠在上层的线圈L1的布线L1a的一端与电极4a电连接，并且另一端经由过孔5与下层的线圈L1的布线L1b电连接。线圈 L1的布线L1b的一端与电极4c电连接，并且另一端经由过孔5与上层的线圈L1的布线L1a电连接。线圈L1包括布线L1a和布线L1b。进而，电极20a层叠在线圈L1的布线L1a与布线L1b之间。电极20a的一端与电极4d电连接，但不与布线L1a以及布线L1b电连接。在此，图1(a)所示的线圈部件将短边方向设为X方向、长边方向设为Y方向、高度方向设为Z方向。此外，基板的层叠方向为Z方向，并且箭头的朝向表示上层方向。
在线圈部件1a中，将电极20b层叠在线圈L1的布线L1b与线圈L2 的布线L2a之间。电极20b的一端与电极4d电连接，但不与布线L1b以及布线L2a电连接。
层叠在线圈L1的下层的线圈L2的布线L2a的一端与电极4c电连接，并且另一端经由过孔6与下层的线圈L2的布线L2b电连接。线圈L2的布线L2b的一端与电极4b电连接，并且另一端经由过孔6与上层的线圈L2 的布线L2a电连接。线圈L2包括布线L2a和布线L2b。进而，电极20c 层叠在线圈L2的布线L2a与布线L2b之间。电极20c的一端与电极4d电连接，但不与布线L2a以及布线L2b电连接。
在线圈部件1a中，取代图1(a)～图1(b)所示的电极2而设置有以3片而构成的电极20a～20c。通过使电极为多片，与1片电极相比，能够增大寄生电容，由此如果要确保相同的电容则能够使电极自身的尺寸变小。具体地，对于1片电极2，在将宽度2W设为160μm、将长度2D设为1120μm的情况下，对于3片电极20a～20c，即使考虑到寄生电感的减少，也能够使各个电极的长度2D小至500μm。
如图9所示，利用丝网印刷法将导电性膏(Ni膏)印刷在陶瓷生片 3a～3g上而形成布线图案。在图9的(a)所示的陶瓷生片3a上形成布线 L1a，并且形成有与电极4a连接的布线图案40以及与过孔5连接的布线图案5a。
在图9的(b)所示的陶瓷生片3b上形成电极20a，并且形成有与电极4d连接的布线图案42a。
在图9的(c)所示的陶瓷生片3c上形成布线L1b，并且形成有与电极4c连接的布线图案41以及与过孔5连接的布线图案5b。由陶瓷生片 3a、3c构成线圈L1。
在图9的(d)所示的陶瓷生片3d上形成电极20b，并且形成有与电极4d连接的布线图案42b。
在图9的(e)所示的陶瓷生片3e上形成布线L2a，并且形成有与电极4c连接的布线图案43以及与过孔6连接的布线图案6a。
在图9的(f)所示的陶瓷生片3f上形成电极20c，并且形成有与电极4d连接的布线图案42c。
在图9的(g)所示的陶瓷生片3g上形成布线L2b，并且形成有与电极4b连接的布线图案44以及与过孔6连接的布线图案6b。由陶瓷生片 3e、3g构成线圈L2。
在线圈部件1a中，将图9所示的多个陶瓷生片3a～3g层叠，并且在其上下两面侧各层叠多层未印刷布线图案的陶瓷生片(虚设层)(参照图8 (b))。通过包括虚设层而压接多个陶瓷生片3，从而形成未烧成的层叠体。对所形成的层叠体进行烧成，在所烧成的层叠体的外部烧接铜电极以形成电极4a～4d，使得与布线图案40～44导通。
如以上那样，本实用新型的实施方式涉及的线圈部件1a也可以是，电极20a～20c以多片构成，配置在线圈L1的布线之间、线圈L1的布线与线圈L2的布线之间、以及线圈L2的布线之间的任一位置。由此，能够减小电极20a～20c的尺寸。另外，虽然例示了3片电极20a～20c，但不限定于此，也可以形成2片或更多的片数的电极。
(实施方式3)
在本实用新型的实施方式1以及2中，对仅具有线圈部件1、1a的结构进行了说明。在本实用新型的实施方式3中，对将线圈部件与电容器一体化的滤波器电路的结构进行说明。图10是本实用新型的实施方式3涉及的滤波器电路的侧视图。另外，本实施方式3涉及的滤波器电路的电路结构与图3所示的电路结构相同，因而不重复详细的说明。此外，使用滤波器电路的线圈部件与在实施方式1以及2中说明过的线圈部件1、1a相同，因而不重复详细的说明。
图10所示的滤波器电路10在作为层叠陶瓷电容器的电容器C1的上层形成有线圈部件1。电容器C1以与电极4c电连接的内部电极50和与电极4d(参照图1(a)～图1(b))电连接的内部电极51为单位反复层叠 (例如200层)，由此确保需要的电容。即，电容器C1是多个陶瓷生片 30(电介质层)和多个内部电极50、51层叠而构成的。
另外，线圈部件1为了抑制杂散电容C2、C3优选使用相对介电常数低的材料，电容器C1为了确保需要的电容优选相对介电常数高。特别地，为了将线圈部件1和电容器C1一体化而使得成为小型、薄型的滤波器电路10，在线圈部件1中使用相对介电常数(例如，10以下)低的陶瓷生片3(例如，氧化钛系的陶瓷生片)，在电容器C1中使用相对介电常数(例如，100以下)高的陶瓷生片30(例如，钛酸钡系的陶瓷生片)。
如以上那样，本实用新型的实施方式涉及的电容器C1设置在将线圈 L1、L2层叠了的线圈部件1的下层，并且是多个陶瓷生片30和多个内部电极50、51层叠而构成的。由此，本实用新型的实施方式涉及的滤波器电路10能够将线圈部件1与电容器C1一体化。
此外，优选的是，使陶瓷生片30的相对介电常数比线圈部件1的相对介电常数高。由此，能够使将线圈部件1和电容器C1一体化的滤波器电路10成为小型、薄型。
应当认为，此次公开的实施方式在所有方面均为例示，而不是限制性的。本实用新型的范围不是由上述说明示出而是由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的含义以及范围内的所有的变更。
附图标记说明
1、1a：线圈部件
2、20a～20c：电极
10：滤波器电路
50、51：内部电极
C1：电容器。

Claims (8)

1.一种线圈部件，使多个线圈磁耦合，其特征在于，具备：
第1线圈；
第2线圈，与所述第1线圈磁耦合，产生负的电感；和
电极，设置在与所述第1线圈的一部分以及所述第2线圈的一部分靠近的位置，并被接地。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，
与所述第1线圈的布线间隔以及所述第2线圈的布线间隔相比，所述电极与所述第1线圈的布线或所述第2线圈的布线的间隔更短。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其特征在于，
在使所述电极的宽度比所述第1线圈的布线或所述第2线圈的布线的宽度窄的情况下，所述电极的宽度成为所述电极的长度的1/8倍以上。
4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其特征在于，
在使所述电极的宽度比所述第1线圈的布线或所述第2线圈的布线的宽度宽的情况下，所述电极的宽度相对于所述第1线圈的布线或所述第2线圈的布线的宽度成为1.8倍以下。
5.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其特征在于，
所述电极以多片构成，并配置在所述第1线圈的布线之间、所述第1线圈的布线与所述第2线圈的布线之间、以及所述第2线圈的布线之间的任一位置。
6.一种滤波器电路，其特征在于，具备：
权利要求1～5中任一项所述的所述线圈部件；和
电容器，将一端连接于所述第1线圈以及所述第2线圈。
7.根据权利要求6所述的滤波器电路，其特征在于，
所述电容器设置在层叠了所述第1线圈以及所述第2线圈的所述线圈部件的下层，并且是多个电介质层和多个内部电极层叠而构成的。
8.根据权利要求7所述的滤波器电路，其特征在于，
所述电介质层的相对介电常数比所述线圈部件的相对介电常数高。
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