JP2003249832A - Ｅｍｉフィルタ - Google Patents
ＥｍｉフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波帯域においても良好なフィルタ特性を
有し、かつ所望のフィルタ特性を得やすいＥＭＩフィル
タを得る。 【解決手段】 インダクタ２２と、コンデンサ２６と、
を並列に備えるＥＭＩフィルタ１０は、コンデンサ２６
の接地側導体層１８ｃとインダクタ２２の導体層１８ａ
との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド部
２８を備える。これにより、シールド部２８が無いとき
にはインダクタ２２と接地２４との間で浮遊容量を形成
していた領域が、フィルタ性能に対する実質的な影響が
極めて低い、インダクタ２２とインダクタ２２−コンデ
ンサ２６間の信号線路との間の浮遊容量を形成すること
になる。
有し、かつ所望のフィルタ特性を得やすいＥＭＩフィル
タを得る。 【解決手段】 インダクタ２２と、コンデンサ２６と、
を並列に備えるＥＭＩフィルタ１０は、コンデンサ２６
の接地側導体層１８ｃとインダクタ２２の導体層１８ａ
との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド部
２８を備える。これにより、シールド部２８が無いとき
にはインダクタ２２と接地２４との間で浮遊容量を形成
していた領域が、フィルタ性能に対する実質的な影響が
極めて低い、インダクタ２２とインダクタ２２−コンデ
ンサ２６間の信号線路との間の浮遊容量を形成すること
になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等のノイ
ズ低減に用いられるＥＭＩ（Electro Magnetic Interfe
rence）フィルタに関する。
ズ低減に用いられるＥＭＩ（Electro Magnetic Interfe
rence）フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のノイズ、特に高周波における
ノイズの対策として、従来よりＥＭＩフィルタが使用さ
れている。従来のＥＭＩフィルタとして、例えば特開平
８−６５０８０号に開示されるものが知られている。こ
こで、図１２および図１３を参照して、上記公報に開示
される従来のＥＭＩフィルタについて説明する。図１２
は、従来のＥＭＩフィルタの各層の構成を示す斜視図、
また図１３は、図１２のＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。
ノイズの対策として、従来よりＥＭＩフィルタが使用さ
れている。従来のＥＭＩフィルタとして、例えば特開平
８−６５０８０号に開示されるものが知られている。こ
こで、図１２および図１３を参照して、上記公報に開示
される従来のＥＭＩフィルタについて説明する。図１２
は、従来のＥＭＩフィルタの各層の構成を示す斜視図、
また図１３は、図１２のＥＭＩフィルタの等価回路を示
す図である。
【０００３】図１２に示すように、従来のＥＭＩフィル
タは、電極８２および導線８４が表面に形成された基板
８６と、電極８８および９０が表面に形成された基板９
２と、それらの上下の基板９１，９３と、を積層してな
る。そして、導線８４を含む図１２の右側部分が図１３
のインダクタ９４として機能し、対向する電極８２およ
び電極８８を含む図１２の左側部分が図１３のコンデン
サ９６として機能する。なお、図１２の電極８２は、図
１３のコンデンサ９６の信号線路側電極９６ａに相当
し、電極８８は、同コンデンサ９６の接地側電極９６ｂ
に相当し、また電極９０は、接地９８に接続するための
電極である。
タは、電極８２および導線８４が表面に形成された基板
８６と、電極８８および９０が表面に形成された基板９
２と、それらの上下の基板９１，９３と、を積層してな
る。そして、導線８４を含む図１２の右側部分が図１３
のインダクタ９４として機能し、対向する電極８２およ
び電極８８を含む図１２の左側部分が図１３のコンデン
サ９６として機能する。なお、図１２の電極８２は、図
１３のコンデンサ９６の信号線路側電極９６ａに相当
し、電極８８は、同コンデンサ９６の接地側電極９６ｂ
に相当し、また電極９０は、接地９８に接続するための
電極である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＥＭＩフィルタでは、導線８４と電極８８または電
極９０との間、すなわち、インダクタ９４と接地９８と
の間で浮遊容量Ｃｓ１による静電結合が生じ、特に高周
波帯域でフィルタとしてのノイズ除去機能が悪化した
り、また、設計どおりの所望のフィルタ特性を得るのが
難しくなってしまうという問題があった。
来のＥＭＩフィルタでは、導線８４と電極８８または電
極９０との間、すなわち、インダクタ９４と接地９８と
の間で浮遊容量Ｃｓ１による静電結合が生じ、特に高周
波帯域でフィルタとしてのノイズ除去機能が悪化した
り、また、設計どおりの所望のフィルタ特性を得るのが
難しくなってしまうという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＥＭＩフ
ィルタは、導体層を含むインダクタ部と、対向する二つ
の導体層とそれら導体層の間に介在する中間層とを含む
コンデンサ部と、を並列に備えるＥＭＩフィルタにおい
て、コンデンサ部の接地側導体層とインダクタ部の導体
層との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド
部を備える。こうすることで、上記シールド部によって
インダクタと接地との間の浮遊容量を低減することがで
き、高周波帯域でのフィルタ性能の悪化が抑制されると
ともに、所望のフィルタ特性に近い特性を備えたＥＭＩ
フィルタをより容易に得ることができるようになる。
ィルタは、導体層を含むインダクタ部と、対向する二つ
の導体層とそれら導体層の間に介在する中間層とを含む
コンデンサ部と、を並列に備えるＥＭＩフィルタにおい
て、コンデンサ部の接地側導体層とインダクタ部の導体
層との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド
部を備える。こうすることで、上記シールド部によって
インダクタと接地との間の浮遊容量を低減することがで
き、高周波帯域でのフィルタ性能の悪化が抑制されると
ともに、所望のフィルタ特性に近い特性を備えたＥＭＩ
フィルタをより容易に得ることができるようになる。
【０００６】また本発明にかかるＥＭＩフィルタでは、
上記シールド部は、上記コンデンサ部の信号線路側導体
層または上記インダクタ部の導体層に接続される導体部
を含むのが好適である。このように、インダクタ部の導
体層と接地との間に、通電側に接続された上記シールド
部が介在することで、これらの間の浮遊容量が低減され
る。
上記シールド部は、上記コンデンサ部の信号線路側導体
層または上記インダクタ部の導体層に接続される導体部
を含むのが好適である。このように、インダクタ部の導
体層と接地との間に、通電側に接続された上記シールド
部が介在することで、これらの間の浮遊容量が低減され
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】まず、図１乃至図５を参照して、
本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィルタ１０に
ついて説明する。図１は、ＥＭＩフィルタ１０の斜視
図、図２は、ＥＭＩフィルタ１０の基体部１２を形成す
る各層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの構成を示す斜視図、図
３は、ＥＭＩフィルタ１０の等価回路を示す図、図４
は、基体部１２のうちの層１４ａ，１４ｂの平面図、ま
た図５は、前記層１４ａおよび１４ｂの断面図（図４の
Ａ−Ａ断面）である。
本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィルタ１０に
ついて説明する。図１は、ＥＭＩフィルタ１０の斜視
図、図２は、ＥＭＩフィルタ１０の基体部１２を形成す
る各層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの構成を示す斜視図、図
３は、ＥＭＩフィルタ１０の等価回路を示す図、図４
は、基体部１２のうちの層１４ａ，１４ｂの平面図、ま
た図５は、前記層１４ａおよび１４ｂの断面図（図４の
Ａ−Ａ断面）である。
【０００８】図１および図２に示すように、本実施形態
にかかるＥＭＩフィルタ１０は、矩形かつシート状の各
層１４ａ，１４ｂ，１４ｃを積層してなる基体部１２
と、基体部１２の外面（すなわち表裏面および側面）上
に形成され基板上の回路（図示せず）に接続するための
端子電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、から構成される。
各層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの表面には、図２において
斜線で示す導体層１８ａ〜１８ｄ（圧膜導体）が例えば
スクリーン印刷によって形成されており、これら導体層
１８ａ〜１８ｄによってＥＭＩフィルタ１０の信号線路
や電極などが構成される。また導体層１８ａ〜１８ｄ
は、それぞれ、層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの端辺に臨み
基体部１２の側面に露出する露出部を有しており、この
露出部において、各導体層１８ａ〜１８ｄと端子電極１
６ａ，１６ｂ，１６ｃとが電気的に接続されている。な
お、層１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、例えば、磁性体材料
および誘電体材料の片方もしくは双方を含むグリーンシ
ートとして構成される。このため、層１４ａ，１４ｂ，
１４ｃは、インダクタの導体を包囲する部材およびコン
デンサの電極間に介在する中間層の双方として機能する
ことができる。
にかかるＥＭＩフィルタ１０は、矩形かつシート状の各
層１４ａ，１４ｂ，１４ｃを積層してなる基体部１２
と、基体部１２の外面（すなわち表裏面および側面）上
に形成され基板上の回路（図示せず）に接続するための
端子電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、から構成される。
各層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの表面には、図２において
斜線で示す導体層１８ａ〜１８ｄ（圧膜導体）が例えば
スクリーン印刷によって形成されており、これら導体層
１８ａ〜１８ｄによってＥＭＩフィルタ１０の信号線路
や電極などが構成される。また導体層１８ａ〜１８ｄ
は、それぞれ、層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの端辺に臨み
基体部１２の側面に露出する露出部を有しており、この
露出部において、各導体層１８ａ〜１８ｄと端子電極１
６ａ，１６ｂ，１６ｃとが電気的に接続されている。な
お、層１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、例えば、磁性体材料
および誘電体材料の片方もしくは双方を含むグリーンシ
ートとして構成される。このため、層１４ａ，１４ｂ，
１４ｃは、インダクタの導体を包囲する部材およびコン
デンサの電極間に介在する中間層の双方として機能する
ことができる。
【０００９】図３に示すように、本実施形態にかかるＥ
ＭＩフィルタ１０は、信号線路２０に設けられるインダ
クタ２２と、信号線路２０と接地２４との間に設けられ
るコンデンサ２６と、を並列に備えたいわゆるＬ型のＬ
Ｃフィルタを、並列に複数（例えば三つ）有する回路と
して構成される。図１，図２，図４および図５に示すよ
うに、インダクタ２２およびコンデンサ２６は、層に沿
った方向、すなわちこのＥＭＩフィルタ１０が装着され
る基板（図示せず）表面に沿った方向に、並置される。
本実施形態では、インダクタ２２は基体部１２の長手方
向の一方側（図では左側）に、またコンデンサ２６はそ
の他方側（図では右側）に形成される。
ＭＩフィルタ１０は、信号線路２０に設けられるインダ
クタ２２と、信号線路２０と接地２４との間に設けられ
るコンデンサ２６と、を並列に備えたいわゆるＬ型のＬ
Ｃフィルタを、並列に複数（例えば三つ）有する回路と
して構成される。図１，図２，図４および図５に示すよ
うに、インダクタ２２およびコンデンサ２６は、層に沿
った方向、すなわちこのＥＭＩフィルタ１０が装着され
る基板（図示せず）表面に沿った方向に、並置される。
本実施形態では、インダクタ２２は基体部１２の長手方
向の一方側（図では左側）に、またコンデンサ２６はそ
の他方側（図では右側）に形成される。
【００１０】インダクタ２２は、本実施形態では、層１
４ａの表面に形成された短冊状のインダクタ導体層１８
ａを含む。このような短冊状の導体層１８ａは、高周波
帯域においてインダクタとして機能する。
４ａの表面に形成された短冊状のインダクタ導体層１８
ａを含む。このような短冊状の導体層１８ａは、高周波
帯域においてインダクタとして機能する。
【００１１】またコンデンサ２６は、本実施形態では、
インダクタ導体層１８ａと直列に層１４ａの表面に形成
される信号線路側導体層１８ｂと、この信号線路側導体
層１８ｂに対向するように層１４ｂの表面に形成される
接地側導体層１８ｃと、これらの間に介在する層１４ａ
と、を含む。なお、本実施形態では、接地側導体層１８
ｃは上下方向に隣接する並列な二つのコンデンサ２６に
ついて共用されている。より具体的には、図２に示され
る接地側導体層１８ｃは、その接地側導体層１８ｃの上
側で対向する信号線路側導体層１８ｂおよび層１４ａと
ともに一つのコンデンサ２６を形成するとともに、下側
で対向する信号線路側導体層１８ｂおよび層１４ｂとと
もにもう一つのコンデンサ２６を形成している。
インダクタ導体層１８ａと直列に層１４ａの表面に形成
される信号線路側導体層１８ｂと、この信号線路側導体
層１８ｂに対向するように層１４ｂの表面に形成される
接地側導体層１８ｃと、これらの間に介在する層１４ａ
と、を含む。なお、本実施形態では、接地側導体層１８
ｃは上下方向に隣接する並列な二つのコンデンサ２６に
ついて共用されている。より具体的には、図２に示され
る接地側導体層１８ｃは、その接地側導体層１８ｃの上
側で対向する信号線路側導体層１８ｂおよび層１４ａと
ともに一つのコンデンサ２６を形成するとともに、下側
で対向する信号線路側導体層１８ｂおよび層１４ｂとと
もにもう一つのコンデンサ２６を形成している。
【００１２】そして本実施形態にかかるＥＭＩフィルタ
１０は、インダクタ導体層１８ａと接地側導体層１８ｃ
との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド部
２８を備える。図３に示すように、本実施形態ではシー
ルド部２８は、インダクタ２２とコンデンサ２６との間
の信号線路２０に接続される導体として構成され、この
シールド部２８によって、インダクタ２２と接地２４と
の間の静電結合が低減される。すなわち、このような構
成とすることで、シールド部２８が無いときにはインダ
クタ２２と接地との間で浮遊容量を形成していた部分
が、インダクタ２２とインダクタ２２−コンデンサ２６
間の信号線路２０ｐとの間の浮遊容量Ｃｓを形成するこ
とになり、その分、インダクタ２２と接地２４との間の
静電結合が低減される。なお、浮遊容量Ｃｓは、フィル
タ性能に対する実質的な影響が極めて低い。
１０は、インダクタ導体層１８ａと接地側導体層１８ｃ
との間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド部
２８を備える。図３に示すように、本実施形態ではシー
ルド部２８は、インダクタ２２とコンデンサ２６との間
の信号線路２０に接続される導体として構成され、この
シールド部２８によって、インダクタ２２と接地２４と
の間の静電結合が低減される。すなわち、このような構
成とすることで、シールド部２８が無いときにはインダ
クタ２２と接地との間で浮遊容量を形成していた部分
が、インダクタ２２とインダクタ２２−コンデンサ２６
間の信号線路２０ｐとの間の浮遊容量Ｃｓを形成するこ
とになり、その分、インダクタ２２と接地２４との間の
静電結合が低減される。なお、浮遊容量Ｃｓは、フィル
タ性能に対する実質的な影響が極めて低い。
【００１３】シールド部２８は、より具体的には、特に
図４および図５によって明らかなように、例えばシール
ド導体層１８ｄとスルー導体１８ｅとして実装すること
ができる。このうちシールド導体層１８ｄは、層１４ｂ
上に、接地側導体層１８ｃのインダクタ２２側に、所定
の間隔をもって、層１４ｂの短手方向に伸びる短冊状の
層として形成されている。ただし、端子電極１６ｃには
接触しないよう、シールド導体層１８ｄは、その端部と
層１４ｂの端辺とが所定の間隙を有するように形成され
る。またスルー導体１８ｅは、少なくとも層１４ａの表
面から裏面に貫通し、信号線路２０の一部（すなわちイ
ンダクタ２２とコンデンサ２６との間の信号線路２０
ｐ）とシールド導体層１８ｄとを電気的に接続する。こ
のような位置および形状のシールド導体層１８ｄおよび
スルー導体１８ｅは、インダクタ導体層１８ａと接地側
導体層１８ｃとの間に介在し、上述したシールド部２８
として機能する。特に本実施形態においては、スルー導
体１８ｅの介在によるシールド効果が高い。このため、
例えばスルー導体１８ｅを層１４ａの短手方向に沿って
複数設けたり、スルー導体１８ｅ自体を層１４ａの長手
方向の幅より短手方向の幅が長くなるように構成するな
ど、スルー導体１８ｅが接地側導体層１８ｃのインダク
タ２２側の端辺のより幅広い領域に対向するように構成
するのが望ましい。
図４および図５によって明らかなように、例えばシール
ド導体層１８ｄとスルー導体１８ｅとして実装すること
ができる。このうちシールド導体層１８ｄは、層１４ｂ
上に、接地側導体層１８ｃのインダクタ２２側に、所定
の間隔をもって、層１４ｂの短手方向に伸びる短冊状の
層として形成されている。ただし、端子電極１６ｃには
接触しないよう、シールド導体層１８ｄは、その端部と
層１４ｂの端辺とが所定の間隙を有するように形成され
る。またスルー導体１８ｅは、少なくとも層１４ａの表
面から裏面に貫通し、信号線路２０の一部（すなわちイ
ンダクタ２２とコンデンサ２６との間の信号線路２０
ｐ）とシールド導体層１８ｄとを電気的に接続する。こ
のような位置および形状のシールド導体層１８ｄおよび
スルー導体１８ｅは、インダクタ導体層１８ａと接地側
導体層１８ｃとの間に介在し、上述したシールド部２８
として機能する。特に本実施形態においては、スルー導
体１８ｅの介在によるシールド効果が高い。このため、
例えばスルー導体１８ｅを層１４ａの短手方向に沿って
複数設けたり、スルー導体１８ｅ自体を層１４ａの長手
方向の幅より短手方向の幅が長くなるように構成するな
ど、スルー導体１８ｅが接地側導体層１８ｃのインダク
タ２２側の端辺のより幅広い領域に対向するように構成
するのが望ましい。
【００１４】なお、本実施形態では、シールド導体層１
８ｄは接地側導体層１８ｃを形成する工程と同じ工程に
おいて層１４ｂ上に形成することができる。また、スル
ー導体１８ｅは、層１８ａに予め設けられたスルーホー
ルを、信号線路側導体層１８ｂを形成する工程かまたは
それ以降の工程（例えば基体部１２の焼成後）におい
て、導体で埋めることによって形成することができる。
本実施形態では、複数の層（例えば基体部１２を構成す
る複数の層１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）を積層したときに
基体部１２の表面から裏面に貫通するスルーホールが形
成されるよう、各層（例えば１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）
および導体層１８ｂ，１８ｄに貫通孔を設けている。こ
うすることで、より少ない工程数でスルー導体１８ｅを
形成することができる。
８ｄは接地側導体層１８ｃを形成する工程と同じ工程に
おいて層１４ｂ上に形成することができる。また、スル
ー導体１８ｅは、層１８ａに予め設けられたスルーホー
ルを、信号線路側導体層１８ｂを形成する工程かまたは
それ以降の工程（例えば基体部１２の焼成後）におい
て、導体で埋めることによって形成することができる。
本実施形態では、複数の層（例えば基体部１２を構成す
る複数の層１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）を積層したときに
基体部１２の表面から裏面に貫通するスルーホールが形
成されるよう、各層（例えば１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）
および導体層１８ｂ，１８ｄに貫通孔を設けている。こ
うすることで、より少ない工程数でスルー導体１８ｅを
形成することができる。
【００１５】次に図６および図７を参照して、本発明の
第二の実施形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明す
る。図６は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体
部４２を形成する各層４４ａ，４４ｂ，４４ｃの構成を
示す斜視図、また図７は、本実施形態にかかるＥＭＩフ
ィルタの等価回路を示す図である。図７に示すように、
本実施形態にかかるＥＭＩフィルタは、信号線路２０に
設けられるインダクタ２２Ｌと、信号線路２０と接地２
４との間に設けられるコンデンサ２６と、信号線路２０
に設けられるインダクタ２２Ｒと、をインダクタ同士は
直列、インダクタコンデンサは並列に備えたいわゆるＴ
型のＬＣフィルタを、並列に複数（例えば三つ）有する
回路として構成される。本実施形態では、図６に示すよ
うに、インダクタ２２Ｌは基体部４２（積層された層４
４ａ，４４ｂ，４４ｃ）の長手方向の一方側（図６では
左側）に、コンデンサ２６は基体部４２の中央部に、ま
たインダクタ２２Ｒは基体部４２の長手方向の他方側
（同右側）に形成される。図６と図２とを比較すれば明
らかなように、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタのイ
ンダクタ２２Ｌ，２２Ｒの構成（配置、形状、材質等）
は上記第一の実施形態にかかるＥＭＩフィルタ１０のイ
ンダクタ２２に等しく、また本実施形態にかかるＥＭＩ
フィルタのコンデンサ２６の構成は、上記第一の実施形
態にかかるＥＭＩフィルタ１０のコンデンサ２６の構成
に等しい。また、シールド部２８も、上記第一の実施形
態にかかるＥＭＩフィルタ１０のシールド部２８と同様
の構成を備える。
第二の実施形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明す
る。図６は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体
部４２を形成する各層４４ａ，４４ｂ，４４ｃの構成を
示す斜視図、また図７は、本実施形態にかかるＥＭＩフ
ィルタの等価回路を示す図である。図７に示すように、
本実施形態にかかるＥＭＩフィルタは、信号線路２０に
設けられるインダクタ２２Ｌと、信号線路２０と接地２
４との間に設けられるコンデンサ２６と、信号線路２０
に設けられるインダクタ２２Ｒと、をインダクタ同士は
直列、インダクタコンデンサは並列に備えたいわゆるＴ
型のＬＣフィルタを、並列に複数（例えば三つ）有する
回路として構成される。本実施形態では、図６に示すよ
うに、インダクタ２２Ｌは基体部４２（積層された層４
４ａ，４４ｂ，４４ｃ）の長手方向の一方側（図６では
左側）に、コンデンサ２６は基体部４２の中央部に、ま
たインダクタ２２Ｒは基体部４２の長手方向の他方側
（同右側）に形成される。図６と図２とを比較すれば明
らかなように、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタのイ
ンダクタ２２Ｌ，２２Ｒの構成（配置、形状、材質等）
は上記第一の実施形態にかかるＥＭＩフィルタ１０のイ
ンダクタ２２に等しく、また本実施形態にかかるＥＭＩ
フィルタのコンデンサ２６の構成は、上記第一の実施形
態にかかるＥＭＩフィルタ１０のコンデンサ２６の構成
に等しい。また、シールド部２８も、上記第一の実施形
態にかかるＥＭＩフィルタ１０のシールド部２８と同様
の構成を備える。
【００１６】次に図８を参照して、本発明の第三の実施
形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明する。図８
は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体部５２を
形成する各層５４ａ，５４ｂ，５４ｃの構成を示す斜視
図である。本実施形態にかかるＥＭＩフィルタは、図７
に示したいわゆるＴ型のＬＣフィルタと同じ回路構成で
あるが、上記第二の実施形態にかかるＥＭＩフィルタよ
りインダクタンス部の信号線路長を長くするときに適用
される。このために、図８に示すようにインダクタ導体
層５６は、層５４ａの表面上に、その短手方向側の両端
辺の手前で交互に折り返す形状に形成されている。この
インダクタ導体層５６の形状以外については、本実施形
態にかかるＥＭＩフィルタは、上記第二の実施形態にか
かるＥＭＩフィルタと同じ構成を備える。シールド部２
８についても、上記第一および第二の実施形態にかかる
ＥＭＩフィルタと同様の構成を備える。
形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明する。図８
は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体部５２を
形成する各層５４ａ，５４ｂ，５４ｃの構成を示す斜視
図である。本実施形態にかかるＥＭＩフィルタは、図７
に示したいわゆるＴ型のＬＣフィルタと同じ回路構成で
あるが、上記第二の実施形態にかかるＥＭＩフィルタよ
りインダクタンス部の信号線路長を長くするときに適用
される。このために、図８に示すようにインダクタ導体
層５６は、層５４ａの表面上に、その短手方向側の両端
辺の手前で交互に折り返す形状に形成されている。この
インダクタ導体層５６の形状以外については、本実施形
態にかかるＥＭＩフィルタは、上記第二の実施形態にか
かるＥＭＩフィルタと同じ構成を備える。シールド部２
８についても、上記第一および第二の実施形態にかかる
ＥＭＩフィルタと同様の構成を備える。
【００１７】次に図９乃至図１１を参照して、本発明の
第四の実施形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明す
る。図９は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体
部６２を形成する各層６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ
の構成を示す斜視図、図１０は、基体部６２のうちの層
６４ａ，６４ｂの平面図、また図１１は、前記層６４ａ
および６４ｂの断面図（図１０のＢ−Ｂ断面）である。
第四の実施形態にかかるＥＭＩフィルタについて説明す
る。図９は、本実施形態にかかるＥＭＩフィルタの基体
部６２を形成する各層６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ
の構成を示す斜視図、図１０は、基体部６２のうちの層
６４ａ，６４ｂの平面図、また図１１は、前記層６４ａ
および６４ｂの断面図（図１０のＢ−Ｂ断面）である。
【００１８】本実施形態にかかるＥＭＩフィルタは、図
７に示したいわゆるＴ型のＬＣフィルタと同じ回路構成
であるが、上記第二および第三の実施形態にかかるＥＭ
Ｉフィルタよりさらにインダクタンス部の信号線路長を
より長くするときに適用される。このため、図９乃至図
１１に示すように、インダクタ２２Ｌにおいて、層６４
ｂ上に形成されるインダクタ導体層６６ａは、端子電極
に接続される基体部６２の長手方向の一方の端辺（図で
は左側端辺）とインダクタ２２Ｌの形成される領域の中
心部とを角形の渦巻き状に結ぶ線路として形成される。
そしてインダクタ導体層６６ａは、該中心部のスルー導
体６６ｂによって層６４ａ上に形成されるインダクタ導
体層６６ｃに接続される。さらにインダクタ導体層６６
ｃは、該中心部と基体部６２の長手方向中央部に形成さ
れるコンデンサ２６の信号線路側導体層６６ｄとを同じ
巻き方向で角形の渦巻き状に結ぶ線路として形成され
る。もう一つのインダクタ２２Ｒも、同様にして形成さ
れる。本実施形態では、インダクタ２２Ｌとインダクタ
２２Ｒとは、基体部６２の中心を通り表裏方向に伸びる
線について対称となっている。
７に示したいわゆるＴ型のＬＣフィルタと同じ回路構成
であるが、上記第二および第三の実施形態にかかるＥＭ
Ｉフィルタよりさらにインダクタンス部の信号線路長を
より長くするときに適用される。このため、図９乃至図
１１に示すように、インダクタ２２Ｌにおいて、層６４
ｂ上に形成されるインダクタ導体層６６ａは、端子電極
に接続される基体部６２の長手方向の一方の端辺（図で
は左側端辺）とインダクタ２２Ｌの形成される領域の中
心部とを角形の渦巻き状に結ぶ線路として形成される。
そしてインダクタ導体層６６ａは、該中心部のスルー導
体６６ｂによって層６４ａ上に形成されるインダクタ導
体層６６ｃに接続される。さらにインダクタ導体層６６
ｃは、該中心部と基体部６２の長手方向中央部に形成さ
れるコンデンサ２６の信号線路側導体層６６ｄとを同じ
巻き方向で角形の渦巻き状に結ぶ線路として形成され
る。もう一つのインダクタ２２Ｒも、同様にして形成さ
れる。本実施形態では、インダクタ２２Ｌとインダクタ
２２Ｒとは、基体部６２の中心を通り表裏方向に伸びる
線について対称となっている。
【００１９】本実施形態では、シールド部２８は、シー
ルド導体層６６ｅとスルー導体６６ｆとを含む。このう
ちシールド導体層６６ｅは、コンデンサ２６の接地側導
体層６６ｇとインダクタ導体層６６ａとの間に、これら
とそれぞれ所定の間隙を有して、層６４ｂの表面上でそ
の短手方向に伸びる短冊状の層として形成される。本実
施形態でも、シールド導体層６６ｅは、端子電極に接触
しないよう、シールド導体層６６ｅの端部と層６４ｂの
端辺とが所定の間隙を有するように形成される。一方ス
ルー導体６６ｆは、少なくとも層６４ａの表裏面を貫通
し、インダクタ２２とコンデンサ２６との間の信号線路
とシールド導体層６６ｅとを接続する。図１１に示すよ
うに、本実施形態では、シールド導体層６６ｅが、イン
ダクタ導体層６６ａおよび接地側導体層６６ｇの間にあ
るうえ、さらにそれらと同じ高さ位置（すなわち同じ層
６４ｂの表面上）に位置するため、シールド導体層６６
ｅによるシールド効果は、他の実施形態の場合より大き
くなる。ただし本実施形態においても、例えばスルー導
体６６ｆを層６４ａの短手方向に沿って複数設けたり、
スルー導体６６ｆ自体を層６４ａの長手方向の幅より短
手方向の幅が長くなるように構成するなど、スルー導体
６６ｆが接地側導体層６６ｇのインダクタ２２側の端辺
のより幅広い領域に対向するように構成すれば、さらに
高い効果が得られる。
ルド導体層６６ｅとスルー導体６６ｆとを含む。このう
ちシールド導体層６６ｅは、コンデンサ２６の接地側導
体層６６ｇとインダクタ導体層６６ａとの間に、これら
とそれぞれ所定の間隙を有して、層６４ｂの表面上でそ
の短手方向に伸びる短冊状の層として形成される。本実
施形態でも、シールド導体層６６ｅは、端子電極に接触
しないよう、シールド導体層６６ｅの端部と層６４ｂの
端辺とが所定の間隙を有するように形成される。一方ス
ルー導体６６ｆは、少なくとも層６４ａの表裏面を貫通
し、インダクタ２２とコンデンサ２６との間の信号線路
とシールド導体層６６ｅとを接続する。図１１に示すよ
うに、本実施形態では、シールド導体層６６ｅが、イン
ダクタ導体層６６ａおよび接地側導体層６６ｇの間にあ
るうえ、さらにそれらと同じ高さ位置（すなわち同じ層
６４ｂの表面上）に位置するため、シールド導体層６６
ｅによるシールド効果は、他の実施形態の場合より大き
くなる。ただし本実施形態においても、例えばスルー導
体６６ｆを層６４ａの短手方向に沿って複数設けたり、
スルー導体６６ｆ自体を層６４ａの長手方向の幅より短
手方向の幅が長くなるように構成するなど、スルー導体
６６ｆが接地側導体層６６ｇのインダクタ２２側の端辺
のより幅広い領域に対向するように構成すれば、さらに
高い効果が得られる。
【００２０】以上、本発明の好適な実施形態について説
明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々
の変形が可能である。例えば、上記実施形態にかかるＥ
ＭＩフィルタは、いずれも、並列に三つのフィルタ回路
を有するが、これより多いまたは少ない並列構成を備え
るものについても、本発明にかかるシールド部を設ける
ことができる。また、インダクタ部とコンデンサ部とで
その並列段数が異なるように構成してもよい。例えば図
２において、インダクタ２２の導体層１８ａを、三つの
層１４ａのうちの少なくとも一層１４ａ（例えば中央の
層１４ａのみ）に形成するようにしてもよい。この場合
には、三つの導体層１８ｂはスルー電極１８ｅによって
接続されることになるから、コンデンサ２６としては並
列に三段形成されることになる。これは図６および図８
の構成についても同様である。また、上記実施形態にか
かるＥＭＩフィルタは、いわゆるＬ型およびＴ型の回路
構成を有するが、これ以外のタイプ（例えばπ型、ダブ
ルＬ型、ダブルＴ型、ダブルπ型）についても、本発明
にかかるシールド部を設けることができる。また各層お
よびシールド部を、他の製造方法で製造した場合（例え
ば導電性ペーストや絶縁性ペースト［磁性体ペーストま
たは誘電体ペースト］を所定の基板あるいは膜上に積層
した場合など）にも、シールド部による同様の作用効果
は得られる。
明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々
の変形が可能である。例えば、上記実施形態にかかるＥ
ＭＩフィルタは、いずれも、並列に三つのフィルタ回路
を有するが、これより多いまたは少ない並列構成を備え
るものについても、本発明にかかるシールド部を設ける
ことができる。また、インダクタ部とコンデンサ部とで
その並列段数が異なるように構成してもよい。例えば図
２において、インダクタ２２の導体層１８ａを、三つの
層１４ａのうちの少なくとも一層１４ａ（例えば中央の
層１４ａのみ）に形成するようにしてもよい。この場合
には、三つの導体層１８ｂはスルー電極１８ｅによって
接続されることになるから、コンデンサ２６としては並
列に三段形成されることになる。これは図６および図８
の構成についても同様である。また、上記実施形態にか
かるＥＭＩフィルタは、いわゆるＬ型およびＴ型の回路
構成を有するが、これ以外のタイプ（例えばπ型、ダブ
ルＬ型、ダブルＴ型、ダブルπ型）についても、本発明
にかかるシールド部を設けることができる。また各層お
よびシールド部を、他の製造方法で製造した場合（例え
ば導電性ペーストや絶縁性ペースト［磁性体ペーストま
たは誘電体ペースト］を所定の基板あるいは膜上に積層
した場合など）にも、シールド部による同様の作用効果
は得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明にかかる
ＥＭＩフィルタによれば、シールド部によってインダク
タとコンデンサの接地側電極との間の電磁結合が抑制さ
れるため、高周波帯域でのフィルタ性能の悪化が抑制さ
れるとともに、所望のフィルタ特性に近い特性を備えた
ＥＭＩフィルタをより容易に得ることができるようにな
る。
ＥＭＩフィルタによれば、シールド部によってインダク
タとコンデンサの接地側電極との間の電磁結合が抑制さ
れるため、高周波帯域でのフィルタ性能の悪化が抑制さ
れるとともに、所望のフィルタ特性に近い特性を備えた
ＥＭＩフィルタをより容易に得ることができるようにな
る。
【図１】 本発明の実施形態にかかるＥＭＩフィルタの
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
【図３】 本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの等価回路を示す図である。
ルタの等価回路を示す図である。
【図４】 本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの層（１４ａおよび１４ｂ）の平面図である。
ルタの層（１４ａおよび１４ｂ）の平面図である。
【図５】 本発明の第一の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの層（１４ａおよび１４ｂ）の断面図（図４のＡ−
Ａ断面）である。
ルタの層（１４ａおよび１４ｂ）の断面図（図４のＡ−
Ａ断面）である。
【図６】 本発明の第二の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
【図７】 本発明の第二乃至第四の実施形態にかかるＥ
ＭＩフィルタの等価回路を示す図である。
ＭＩフィルタの等価回路を示す図である。
【図８】 本発明の第三の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
【図９】 本発明の第四の実施形態にかかるＥＭＩフィ
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
ルタの基体部を構成する各層の斜視図である。
【図１０】 本発明の第四の実施形態にかかるＥＭＩフ
ィルタの層（６４ａおよび６４ｂ）の平面図である。
ィルタの層（６４ａおよび６４ｂ）の平面図である。
【図１１】 本発明の第四の実施形態にかかるＥＭＩフ
ィルタの層（６４ａおよび６４ｂ）の断面図（図１０の
Ｂ−Ｂ断面）である。
ィルタの層（６４ａおよび６４ｂ）の断面図（図１０の
Ｂ−Ｂ断面）である。
【図１２】 従来のＥＭＩフィルタを示す斜視図であ
る。
る。
【図１３】 図１２のＥＭＩフィルタの等価回路を示す
図である。
図である。
１０ ＥＭＩフィルタ、１２，４２，５２，６２ 基体
部、１４ａ〜１４ｃ，４４ａ〜４４ｃ，５４ａ〜５４
ｃ，６４ａ〜６４ｃ 層、１６ａ〜１６ｃ 端子電極、
１８ａ，５６，６６ａ，６６ｃ インダクタ導体層、１
８ｂ，６６ｄ 信号線路側導体層、１８ｃ，６６ｇ 接
地側導体層、１８ｄ，６６ｅ シールド導体層、１８
ｅ，６６ｆ スルー導体、２０ 信号線路、２２，２２
Ｌ，２２Ｒインダクタ、２４ 接地、２６ コンデン
サ、２８ シールド部。
部、１４ａ〜１４ｃ，４４ａ〜４４ｃ，５４ａ〜５４
ｃ，６４ａ〜６４ｃ 層、１６ａ〜１６ｃ 端子電極、
１８ａ，５６，６６ａ，６６ｃ インダクタ導体層、１
８ｂ，６６ｄ 信号線路側導体層、１８ｃ，６６ｇ 接
地側導体層、１８ｄ，６６ｅ シールド導体層、１８
ｅ，６６ｆ スルー導体、２０ 信号線路、２２，２２
Ｌ，２２Ｒインダクタ、２４ 接地、２６ コンデン
サ、２８ シールド部。
Claims (2)
- 【請求項１】 導体層を含むインダクタ部と、対向する
二つの導体層とそれら導体層の間に介在する中間層とを
含むコンデンサ部と、を並列に備えるＥＭＩフィルタに
おいて、 コンデンサ部の接地側導体層とインダクタ部の導体層と
の間に、それらの間の浮遊容量を低減するシールド部を
備えることを特徴とするＥＭＩフィルタ。 - 【請求項２】 前記シールド部は、前記コンデンサ部の
信号線路側導体層または前記インダクタ部の導体層に接
続される導体部を含むことを特徴とする請求項１に記載
のＥＭＩフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002046954A JP2003249832A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | Ｅｍｉフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002046954A JP2003249832A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | Ｅｍｉフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249832A true JP2003249832A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28660179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002046954A Pending JP2003249832A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | Ｅｍｉフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003249832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146552A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
| US11239813B2 (en) | 2017-05-08 | 2022-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonant circuit element and circuit module |
| WO2024014212A1 (ja) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002046954A patent/JP2003249832A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146552A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
| US11239813B2 (en) | 2017-05-08 | 2022-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonant circuit element and circuit module |
| WO2024014212A1 (ja) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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