JP3197249B2 - 積層ｌｃハイパスフィルタ - Google Patents
積層ｌｃハイパスフィルタInfo
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- JP3197249B2 JP3197249B2 JP07643598A JP7643598A JP3197249B2 JP 3197249 B2 JP3197249 B2 JP 3197249B2 JP 07643598 A JP07643598 A JP 07643598A JP 7643598 A JP7643598 A JP 7643598A JP 3197249 B2 JP3197249 B2 JP 3197249B2
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- capacitor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域で用い
られるハイパスフィルタの構造に係るもので、特にセラ
ミック積層体中に形成された導体パターンによって構成
する積層ＬＣハイパスフィルタの電極配置に関するもの
である。
られるハイパスフィルタの構造に係るもので、特にセラ
ミック積層体中に形成された導体パターンによって構成
する積層ＬＣハイパスフィルタの電極配置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器等のフィルタとして各種
の積層ＬＣフィルタの利用が検討され、実用化されつつ
ある。この積層ＬＣフィルタには、バンドパスフィル
タ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタあるいはバン
ドエリミネーションフィルタ等がある。その中で、ハイ
パスフィルタは一定の周波数以上の信号のみを通過させ
るもので、デュアルバンドの移動体通信機器等で利用さ
れている。
の積層ＬＣフィルタの利用が検討され、実用化されつつ
ある。この積層ＬＣフィルタには、バンドパスフィル
タ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタあるいはバン
ドエリミネーションフィルタ等がある。その中で、ハイ
パスフィルタは一定の周波数以上の信号のみを通過させ
るもので、デュアルバンドの移動体通信機器等で利用さ
れている。
【０００３】図６は、そのようなハイパスフィルタの回
路構成の一例を示すもので、入出力端の間に直列にコン
デンサＣ1 とＣ3 が接続され、Ｃ1 とＣ3 の中間にイン
ダクタンスＬ2 を接続してこれに容量Ｃ2 を直列に接続
して接地した回路配置としたものである。
路構成の一例を示すもので、入出力端の間に直列にコン
デンサＣ1 とＣ3 が接続され、Ｃ1 とＣ3 の中間にイン
ダクタンスＬ2 を接続してこれに容量Ｃ2 を直列に接続
して接地した回路配置としたものである。
【０００４】上記の回路を積層ＬＣフィルタで構成する
と、図４に示したようにセラミックの積層体10の内部に
導体パターンを形成してこれらの導体パターンによって
インダクタンスや容量を得る。図４の例ではシールド電
極41で内部の導体パターンをシールドし、その間に回路
素子を構成する。インダクタンスを得る導体パターン42
は直線、ミアンダ、スパイラルあるいは積層方向に重畳
するヘリカル形状として所定のインダクタンスを得る。
図６で示した直列の容量Ｃ1 は導体パターン43と44で、
容量Ｃ3 は導体パターン43と45で得ている。容量Ｃ2 は
シールド電極となる導体パターン41とこれに近接して形
成された導体パターン46とによって得られる。それぞれ
の導体パターンは端面に引き出されて端子電極によって
接続されて上記の回路構成を得る。
と、図４に示したようにセラミックの積層体10の内部に
導体パターンを形成してこれらの導体パターンによって
インダクタンスや容量を得る。図４の例ではシールド電
極41で内部の導体パターンをシールドし、その間に回路
素子を構成する。インダクタンスを得る導体パターン42
は直線、ミアンダ、スパイラルあるいは積層方向に重畳
するヘリカル形状として所定のインダクタンスを得る。
図６で示した直列の容量Ｃ1 は導体パターン43と44で、
容量Ｃ3 は導体パターン43と45で得ている。容量Ｃ2 は
シールド電極となる導体パターン41とこれに近接して形
成された導体パターン46とによって得られる。それぞれ
の導体パターンは端面に引き出されて端子電極によって
接続されて上記の回路構成を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】積層体内部に導体パタ
ーンを形成した場合には、導体パターン間の浮遊容量が
発生することは避けられない。特開平8-330143号公報や
特開平7-201592号公報には浮遊容量を積極的に利用して
ＬＣ並列共振回路を得ることが示されているが、特性に
影響を及ぼす浮遊容量に対する有効な対策はなかった。
特に、高い周波数帯域ではこの浮遊容量の影響を無視で
きない。
ーンを形成した場合には、導体パターン間の浮遊容量が
発生することは避けられない。特開平8-330143号公報や
特開平7-201592号公報には浮遊容量を積極的に利用して
ＬＣ並列共振回路を得ることが示されているが、特性に
影響を及ぼす浮遊容量に対する有効な対策はなかった。
特に、高い周波数帯域ではこの浮遊容量の影響を無視で
きない。
【０００６】図４に示した積層構造を採用した場合、入
力側の容量の電極44とアースされる容量の電極46との間
に浮遊容量が発生する。すなわち，図５に示したように
入力端と容量Ｃ2 との間に浮遊容量ＣS1が必然的に発生
する。この浮遊容量を少なくするためには、電極間の距
離を大きくすればよいが、小型化や薄型化の面で障害と
なる。
力側の容量の電極44とアースされる容量の電極46との間
に浮遊容量が発生する。すなわち，図５に示したように
入力端と容量Ｃ2 との間に浮遊容量ＣS1が必然的に発生
する。この浮遊容量を少なくするためには、電極間の距
離を大きくすればよいが、小型化や薄型化の面で障害と
なる。
【０００７】この浮遊容量の発生によってリターンロス
が悪化して通過帯域内の挿入損失が増加する等の問題が
生じる。本発明は、この浮遊容量の影響を除去して、リ
ターンロスの良好な積層ＬＣハイパスフィルタを提供す
るものである。
が悪化して通過帯域内の挿入損失が増加する等の問題が
生じる。本発明は、この浮遊容量の影響を除去して、リ
ターンロスの良好な積層ＬＣハイパスフィルタを提供す
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、容量を形成す
る電極（導体パターン）の配置を改良することによっ
て、上記の課題を解決するものである。
る電極（導体パターン）の配置を改良することによっ
て、上記の課題を解決するものである。
【０００９】すなわち、入出力端間に直列に接続された
入力側の第一の容量と出力側の第二の容量、その中間か
らアース電位間に直列に接続されたインダクタンスと第
三の容量とをセラミック積層体の絶縁層間に形成された
導体パターンによって構成する積層ＬＣハイパスフィル
タにおいて、共通電極の一方の面側に絶縁体層を介して
第一の容量を形成する電極を対向させると共に、共通電
極の他方の面側に絶縁体層を介して第二の容量を形成す
る電極を対向させることにより第一の容量を形成する電
極と第二の容量を形成する電極が積層体の中央部で積層
方向に配列され、第一の容量を形成する電極が配置され
た側に、絶縁体層と導体パターンを積層してインダクタ
ンスが形成され、第二の容量を形成する電極が配置され
た側において、第三の容量を形成する電極を積層体表面
近くに配置されたシールド電極に絶縁体層を介して対向
させたことに特徴を有するものである。
入力側の第一の容量と出力側の第二の容量、その中間か
らアース電位間に直列に接続されたインダクタンスと第
三の容量とをセラミック積層体の絶縁層間に形成された
導体パターンによって構成する積層ＬＣハイパスフィル
タにおいて、共通電極の一方の面側に絶縁体層を介して
第一の容量を形成する電極を対向させると共に、共通電
極の他方の面側に絶縁体層を介して第二の容量を形成す
る電極を対向させることにより第一の容量を形成する電
極と第二の容量を形成する電極が積層体の中央部で積層
方向に配列され、第一の容量を形成する電極が配置され
た側に、絶縁体層と導体パターンを積層してインダクタ
ンスが形成され、第二の容量を形成する電極が配置され
た側において、第三の容量を形成する電極を積層体表面
近くに配置されたシールド電極に絶縁体層を介して対向
させたことに特徴を有するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】積層体内に形成される容量形成用
の導体パターンのうち、入力側とアース接続される側の
導体パターンの間隔を、出力側のそれよりも大きくする
とともに、アース接続側に出力側の電極が対向すること
になって、入力側とアース側の浮遊容量を大幅に減少さ
せることができる。また、多段に接続する構造やローパ
スフィルタと一体に形成されるハイパスフィルタ等にお
いても同様に採用することができる。
の導体パターンのうち、入力側とアース接続される側の
導体パターンの間隔を、出力側のそれよりも大きくする
とともに、アース接続側に出力側の電極が対向すること
になって、入力側とアース側の浮遊容量を大幅に減少さ
せることができる。また、多段に接続する構造やローパ
スフィルタと一体に形成されるハイパスフィルタ等にお
いても同様に採用することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例を示す正面断面図で
ある。この例ではシールド電極11で内部の導体パターン
をシールドし、その間に回路素子を構成する。インダク
タンスを得る導体パターン12は直線、ミアンダ、スパイ
ラルあるいは積層方向に重畳するヘリカル形状として所
定のインダクタンスを得る。図６で示した直列の容量Ｃ
1 は導体パターン13と14で、容量Ｃ3 は導体パターン13
と15で得ている。容量Ｃ2 はシールド電極となる導体パ
ターン11とこれに近接して形成された導体パターン16と
によって得られる。それぞれの導体パターンは端面に引
き出されて端子電極によって接続されて上記の回路構成
を得る。
ある。この例ではシールド電極11で内部の導体パターン
をシールドし、その間に回路素子を構成する。インダク
タンスを得る導体パターン12は直線、ミアンダ、スパイ
ラルあるいは積層方向に重畳するヘリカル形状として所
定のインダクタンスを得る。図６で示した直列の容量Ｃ
1 は導体パターン13と14で、容量Ｃ3 は導体パターン13
と15で得ている。容量Ｃ2 はシールド電極となる導体パ
ターン11とこれに近接して形成された導体パターン16と
によって得られる。それぞれの導体パターンは端面に引
き出されて端子電極によって接続されて上記の回路構成
を得る。
【００１３】この積層ＬＣハイパスフィルタはセラミッ
ク誘電体のグリーンシートに導体ペーストを印刷して積
層するか、セラミック誘電体ペーストと導体ペーストを
印刷するかして製造することができ、積層ののち焼成
し、端子電極を焼き付けて外部回路との接続とともに内
部の素子の間の接続を行う。
ク誘電体のグリーンシートに導体ペーストを印刷して積
層するか、セラミック誘電体ペーストと導体ペーストを
印刷するかして製造することができ、積層ののち焼成
し、端子電極を焼き付けて外部回路との接続とともに内
部の素子の間の接続を行う。
【００１４】図１に示した容量形成用の電極の配置を行
うと、図２に示したように、接地される容量Ｃ2 と出力
端との間に浮遊容量ＣS3が発生することになるが、入力
端と容量Ｃ2 との間の浮遊容量は大幅に減少してほとん
ど無視できる程度となる。
うと、図２に示したように、接地される容量Ｃ2 と出力
端との間に浮遊容量ＣS3が発生することになるが、入力
端と容量Ｃ2 との間の浮遊容量は大幅に減少してほとん
ど無視できる程度となる。
【００１５】上記の電極配置を採用した積層ＬＣハイパ
スフィルタの特性を図３に示す。図３の（ａ）は本発明
による積層ＬＣハイパスフィルタの特性を示すもので、
曲線17は減衰特性を示し、極性18はリターンロスを示し
ている。比較例として図３の（ｂ）に図４に示した積層
ＬＣハイパスフィルタの特性を示した。曲線19が減衰特
性、曲線20がリターンロスを示している。
スフィルタの特性を図３に示す。図３の（ａ）は本発明
による積層ＬＣハイパスフィルタの特性を示すもので、
曲線17は減衰特性を示し、極性18はリターンロスを示し
ている。比較例として図３の（ｂ）に図４に示した積層
ＬＣハイパスフィルタの特性を示した。曲線19が減衰特
性、曲線20がリターンロスを示している。
【００１６】図に示したように、本発明による積層ＬＣ
ハイパスフィルタにおいては、挿入損失が0.82dB、リタ
ーンロスが25.8dBとなり、特にリターンロスは従来に比
較して大幅に改善されていた。
ハイパスフィルタにおいては、挿入損失が0.82dB、リタ
ーンロスが25.8dBとなり、特にリターンロスは従来に比
較して大幅に改善されていた。
【００１７】なお、本発明による積層ＬＣハイパスフィ
ルタは上記の例に限られず、容量を３段以上接続するも
のなどにも適用できる。また、積層体の中にローパスフ
ィルタなどの他の素子と一体に形成することも可能であ
る。そして、浮遊容量による特例の劣化が顕著となる移
動体通信機器等の高い周波数帯域に適した積層ＬＣハイ
パスフィルタとなる。
ルタは上記の例に限られず、容量を３段以上接続するも
のなどにも適用できる。また、積層体の中にローパスフ
ィルタなどの他の素子と一体に形成することも可能であ
る。そして、浮遊容量による特例の劣化が顕著となる移
動体通信機器等の高い周波数帯域に適した積層ＬＣハイ
パスフィルタとなる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、入力端とアース側のコ
ンデンサ間の浮遊容量の影響を殆どなくすことができる
ので、フィルタとしての各種の特性の改善が可能とな
り、特に、リターンロスは大幅に改善される。
ンデンサ間の浮遊容量の影響を殆どなくすことができる
ので、フィルタとしての各種の特性の改善が可能とな
り、特に、リターンロスは大幅に改善される。
【００１９】また、積層ＬＣフィルタの容量形成用電極
の位置関係の調整のみでよいので、製造工数を増加させ
る必要もなく、また素子のサイズも最小限とすることが
できる。
の位置関係の調整のみでよいので、製造工数を増加させ
る必要もなく、また素子のサイズも最小限とすることが
できる。
【図１】 本発明の実施例を示す正面断面図
【図２】 その等価回路図
【図３】 その特性の説明図
【図４】 従来の積層ＬＣハイパスフィルタの一例の正
面断面図
面断面図
【図５】 その等価回路図
【図６】 ハイパスフィルタの一例の回路図
13、14、15：（直列）容量形成用導体パターン 16：（接地）容量形成用導体パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小宮山 繁 埼玉県比企郡玉川村大字玉川字日野原 828番地 東光株式会社 玉川工場内 (56)参考文献 特開 平９−181549（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−87408（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−110022（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 7/01 - 7/12
Claims (1)
- 【請求項１】 入出力端間に直列に接続された入力側の
第一の容量と出力側の第二の容量、その中間からアース
電位間に直列に接続されたインダクタンスと第三の容量
とをセラミック積層体の絶縁層間に形成された導体パタ
ーンによって構成する積層ＬＣハイパスフィルタにおい
て、共通電極の一方の面側に絶縁体層を介して該第一の容量
を形成する電極を対向させると共に、該共通電極の他方
の面側に絶縁体層を介して該第二の容量を形成する電極
を対向させることにより 該第一の容量を形成する電極と
該第二の容量を形成する電極が積層体の中央部で積層方
向に配列され、該第一の容量を形成する電極が配置された側に、絶縁体
層と導体パターンを積層して該インダクタンスが形成さ
れ、 第二の容量を形成する電極が配置された側において、該
第三の容量を形成する電極を積層体表面近くに配置され
たシールド電極に絶縁体層を介して対向させた ことを特
徴とする積層ＬＣハイパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07643598A JP3197249B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 積層ｌｃハイパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07643598A JP3197249B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 積層ｌｃハイパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261361A JPH11261361A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3197249B2 true JP3197249B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=13605083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07643598A Expired - Fee Related JP3197249B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 積層ｌｃハイパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197249B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4635302B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2011-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層ｌｃハイパスフィルタと移動体通信機器用周波数分波回路およびフロントエンドモジュール |
| JP4924490B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2012-04-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 貫通型積層コンデンサ |
| CN111654255B (zh) * | 2020-05-25 | 2023-03-31 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路 |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP07643598A patent/JP3197249B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11261361A (ja) | 1999-09-24 |
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