TW201546316A - 基板處理裝置、頂部及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於一邊使基板面內的溫度均一性提高，且一邊使爐內溫度迅速地降低。 其解決手段在於具有：反應管，其係處理基板；及加熱部，其係配置於反應管之外周，用以加熱反應管內部；及絕熱部，其係配置於加熱部之外周；及流路，其係於絕熱部設置有複數個，用以使外部空氣或冷卻媒體流通；以及頂部，其係覆蓋絕熱部之上面，頂部，係具有：第1構件，其係形成有與流路連通，且將外部空氣或冷卻媒體供應至流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於第1構件之上方，在與第1構件之間形成有使外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將空間分割成至少二個空間的分隔部。

Description

基板處理裝置、頂部及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種基板處理裝置、頂部及半導體裝置的製造方法。
作為基板處理裝置之一例，有半導體製造裝置，進而作為半導體製造裝置之一例，已知的有直立式裝置。
在該直立式裝置中，係對半導體、玻璃等的基板在加熱下施予處理。例如，在直立式的反應管內容納基板並一邊供應反應氣體且一邊加熱，而使薄膜氣相沉積於基板上。在此種的半導體製造裝置中，有必要冷卻作為加熱冷卻裝置的發熱部，且使熱排出至裝置本體外。
專利文獻1，係揭示一種基板處理裝置，具有：發熱部，其係由筒狀的絕熱體和配設於該絕熱體之內周面的發熱線所構成；及絕熱部，其係以對該發熱部形成圓筒空間的方式所設置；及冷卻氣體導入部，其係以圍繞發熱部之方式設置於絕熱部之上方側，且與圓筒空間連接；以及冷卻氣體排出部，其係從冷卻氣體導入部之大致 中央部朝向直徑方向設置在與冷卻氣體導入部大致相同的高度。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2012-33871號公報
然而，在上述的基板處理裝置中，係有以下的傾向：溫度穩定時會在緩衝區(buffer area)或流路內部發生對流，而使接近吸氣部的裝置背面側(後側)之基板面內溫度下降，基於該傾向使得基板被局部冷卻，而難以保持基板面內的溫度均一性。
本發明之目的係在於提供一種可以一邊使基板面內之溫度均一性提高，且一邊使爐內溫度迅速地降低的技術。
依據本發明之一態樣，則可提供一種技術，係具有：反應管，其係處理基板；及加熱部，其係配置於前述反應管之外周，用以加熱前述反應管內部；及絕熱部，其係配置於前述加熱部之外周；及流路，其係於前述絕熱部設置有複數個，用以使外部空氣或冷卻媒體流通； 以及頂部，其係覆蓋前述絕熱部之上面，前述頂部，係具有：第1構件，其係形成有與前述流路連通，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成有使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
依據本發明，可以一邊使基板面內之溫度均一性提高，且一邊使爐內溫度迅速地降低。
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧框體
12‧‧‧加熱冷卻裝置
14‧‧‧空間
16‧‧‧反應管
18‧‧‧基板(晶圓)
20‧‧‧晶舟
22‧‧‧密封蓋
24‧‧‧處理室
25‧‧‧氣體導入管
26‧‧‧絕熱部
27‧‧‧氣體噴嘴
28‧‧‧頂部
29‧‧‧氣體排氣管
30‧‧‧發熱部
31‧‧‧氣體供應孔
32‧‧‧流路(絕熱部內流路)
35‧‧‧吹出孔
36‧‧‧排氣口
38‧‧‧排氣部
40‧‧‧升降機
44‧‧‧排氣管
46‧‧‧節風門(切換部)
47‧‧‧節風門箱
48‧‧‧散熱器(散熱裝置)
50‧‧‧排氣風扇(調整部)
52‧‧‧緩衝區(空間)
52a‧‧‧上部空間
52b‧‧‧下部空間
52b-1‧‧‧裝置背面側(後側)之緩衝區
52b-2‧‧‧裝置正面側(前側)之緩衝區
54‧‧‧下部板(第1構件、第1板)
58‧‧‧分隔板(第2構件、第2板)
56‧‧‧中間板(第3構件、第3板)
60‧‧‧上部板(第4構件、第4板)
64‧‧‧溝槽
66‧‧‧排氣路
67、67a、67b‧‧‧分隔部
70‧‧‧下端部
72‧‧‧流路(下部流路)
74‧‧‧切換部
76‧‧‧排氣管
80、80a、80b‧‧‧取入口
82、90‧‧‧吸氣機構
83‧‧‧吸氣口
84‧‧‧吸氣部
85‧‧‧導入部
86‧‧‧開閉部
87‧‧‧取入部
88‧‧‧壓力缸(驅動部)
121‧‧‧控制器
280‧‧‧控制部(第1圖)
280‧‧‧頂部(第12圖)
d‧‧‧寬度
h1、h2‧‧‧高度
R1、R2‧‧‧半徑
第1圖係顯示本發明之一實施形態中所合適使用的基板處理裝置10之縱向剖視圖。
第2圖係顯示第1圖所示的基板處理裝置10之A-A線剖視圖。
第3圖係顯示被用於本發明之一實施形態中所合適使用之基板處理裝置10的吸氣機構82；其中(a)為前視圖；(b)為側視圖；(c)為仰視圖。
第4圖係顯示本發明之一實施形態中所合適使用的頂部28；其中(a)係顯示頂部28之上部板60的立體圖；(b)係顯示頂部28之中間板56的立體圖；(c)係顯示頂部28之分隔板58的立體圖；(d)係顯示頂部28之下 部板54的立體圖。
第5圖係本發明之一實施形態中所合適使用的基板處理裝置10之頂部28周邊的立體圖。
第6圖係顯示本發明之一實施形態中所合適使用的基板處理裝置10之下端部70周邊的示意圖。
第7圖係顯示第3圖所示的吸氣機構82內之空氣流動(air flow)的示意圖。
第8圖係顯示被用於本發明之一實施形態中所合適使用之基板處理裝置10的節風門46之動作的示意圖。
第9圖係顯示將第3圖所示的吸氣機構82設置於頂部28的狀態之示意圖；其中(a)為立體圖；(b)為上視圖。
第10圖係本發明之另一實施形態之基板處理裝置10中所用的吸氣機構90；其中(a)為前視圖；(b)為側視圖。
第11圖係顯示第10圖所示的吸氣機構90內之空氣流動的示意圖。
第12圖係顯示本發明之比較例的頂部280周邊；其中(a)為立體圖；(b)為(a)的前視圖，且為用以說明冷卻媒體之流動的示意圖。
第13圖係顯示使用比較例之頂部280進行冷卻後之情況的基板之溫度分佈的示意圖。
參照圖式就本發明之實施形態的基板處理裝置10加以說明。
在本發明所適用的實施形態中，基板處理裝置，作為一例，係可列舉在製造半導體裝置(IC等)時用以實施基板處理的半導體製造裝置。另外，在以下之說明中，係應用對基板進行氧化、擴散處理或CVD處理等的直立式裝置(以下，簡稱為處理裝置)作為基板處理裝置的情況加以敘述。
如第1圖所示，本實施形態之基板處理裝置10，係具備：第1圖中未圖示的框體11；及圓筒狀的反應管16，其係形成處理室24；及發熱部(加熱器)30，其係設置於反應管16之外周，且由電阻加熱式加熱器等構成作為用以加熱反應管16內的加熱部；空間14，其係作為發熱部30與反應管16之間的空間；以及作為基板保持具的晶舟(boat)20，其係在反應管16內保持處理對象的基板(晶圓)18。晶舟20係可以在水平狀態下具有間隙地裝填多層的基板18，且在該狀態下將複數片基板18保持於反應管16內。晶舟20係夾介密封蓋(seal cap)22而載置於升降機(elevator)40上，能夠藉由該升降機40而進行升降。因而，基板18朝向反應管16內之裝填以及從反應管16內之取出係可藉由升降機40之動作來進行。又，反應管16係形成用以容納及處理基板18的處理室24。
在反應管16係連通有氣體導入管25，而在氣 體導入管25係連接有未圖示的反應氣體供應源及惰性氣體供應源。又，在氣體導入管25係連接有氣體噴嘴(gas nozzle)27，該氣體噴嘴27係形成有複數個將反應氣體及惰性氣體供應至處理室24內的氣體供應孔31。又，在反應管16之下端部係連接有氣體排氣管29，用以進行處理室24內部的排氣。
在發熱部30之外周，係配置有用以冷卻反應管16及發熱部30之作為冷卻機構的中空絕熱部26。絕熱部26，例如為積層有複數個絕熱體的構造之絕熱構造體。絕熱部26之上面係藉由頂部28所覆蓋。在此，也可考慮將頂部28包含於冷卻機構中。又，也可藉由發熱部30、絕熱部26及頂部28來構成用以加熱及冷卻反應管16的加熱冷卻裝置12。
在絕熱部26，係形成有作為絕熱部內流路的流路32，該流路32係以包圍空間14之方式朝向大致鉛直方向延伸，可供外部空氣或冷卻媒體流動。作為冷卻媒體，例如也可使用惰性氣體。如第2圖所示，流路32，係俯視觀察為橫長形狀，且在圓周方向均等地形成有複數個。
又，在流路32，係以所要的分布形成有複數個吹出孔35，如第1圖所示，流路32和空間14係連通成大致水平。亦即，以從流路32朝向空間14經由吹出孔35吹出外部空氣或冷卻媒體的方式所構成。另外，吹出孔35，在第1圖中雖然是形成於水平方向，但是並未被 限定於該形態。例如，也可如朝向後述之排氣口36的方式朝向斜上方傾斜。
在頂部28之側面，係設置有將空間14內之環境氣體排出至裝置外的排氣部38。排氣部38，係透過排氣路66來與形成於頂部28之大致中心的排氣口36連通。又，如第9圖所示，在與該排氣部38大致相同的高度隔著排氣部38於左右各設置有一個使外部空氣或冷卻媒體經由頂部28及流路32吸入空間14的吸氣機構82(參照第3圖)。亦即，隔著排氣部38而設置有一對吸氣機構82。吸氣機構82，係與後述的緩衝區52連通所設置。在此，在第9圖中，係圖示設置有用以覆蓋頂部28及絕熱部26的面板之狀態。
排氣部38，係包含：排氣管44，其係與排氣口36連通所連接；及作為切換部的節風門46，其係連接於排氣管44和後述的排氣管76，用以進行排氣路徑的切換；及作為散熱裝置的散熱器(radiator)48；以及作為調整部的排氣風扇50，其係用以調整外部空氣或冷卻媒體的排氣流量。可透過此等排氣管44、節風門46、散熱器48及排氣風扇50而使在空間14內發熱所產生的環境氣體排出至裝置外。排氣部38係形成於裝置背面側(後側)。
如第3圖所示，吸氣機構82，係具有：吸氣部84，其係具有與緩衝區52連接的吸氣口83；及導入部85，其係朝向吸氣部84而導入外部空氣或冷卻媒體；以 及取入部87，其係具有用以取入外部空氣或冷卻媒體的取入口80。在此，導入部係與吸氣部對向而設置，而取入部係與吸氣部對向，且以與導入部鄰接的方式所配置。亦即，如第3圖(c)所示，導入部85係與吸氣部84及取入部87鄰接，且各自的配置關係係以俯視觀察成為L字狀的方式所配置。吸氣部84和導入部85和取入部87係設置在大致相同的高度。又，如第7圖所示，吸氣部84和導入部85和取入部87係位在框體11內部，而取入部87之取入口80、和導入部85之供後述之壓力缸88連接的面(背面)是從框體露出。亦即，吸氣部84係以從開口於框體的部分嵌入之方式所設置。
如第3圖(c)所示，吸氣部84，係具有與頂部28之側面相同曲率的曲面狀之吸氣口83，該吸氣口83被連接於緩衝區52。亦即，吸氣口83係在俯視觀察中，其三角形之斜面部分被形成為具有既定之曲率的曲線之形狀。又，吸氣部84與導入部85之連接部分的一端，係以與吸氣口83連接的方式所構成。
如第3圖(a)及(c)所示，在導入部85內，係設置有：開閉部86，其係位在與吸氣口83對向之側，用以切斷吸氣部84和導入部85或取入部87；以及作為驅動部的壓力缸88，其係使該開閉部86驅動。可藉由開閉部86和壓力缸88而構成開閉機構。當使壓力缸88朝向吸氣部84側移動時，吸氣口83就可藉由開閉部86而閉合，且切斷外部空氣或冷卻媒體對頂部28內的供 應。在此，開閉部86係構成為：藉由閉合吸氣部84與導入部85之境界面，而使其在吸氣部84內形成封閉空間，藉此閉合吸氣口83。此時，作為吸氣部84之體積的封閉空間之體積，係變得比導入部85之體積更小。亦即，藉由將開閉部86在接近頂部28之位置進行閉鎖，就可以減小閉合開閉部86時之吸氣部內的封閉空間之體積。如此，因可以藉由減小封閉空間之體積，來減小在封閉空間內被冷卻的外部空氣或冷卻媒體之體積，故而可以減小頂部28或絕熱部26與吸氣部84(封閉空間)內的環境氣體之溫度差。
取入部87，係設置在大致垂直於吸氣部84與導入部85之鄰接面的面，且配置在傾斜於吸氣部84的位置。又，在與吸氣部84與導入部85之鄰接面大致平行，且與開閉部86大致相同的高度設置有取入口80。又，如第3圖(c)所示，取入部87之與取入口80對向的面，係形成傾斜於取入口80。亦即，以朝向吸氣口83使截面積逐漸地變大的方式所形成。藉由如此構成，從取入口80導入的外部空氣或冷卻媒體就不會在吸氣機構82內滯留，而可以形成沒有從取入口80朝向吸氣口83之停滯的流動。
如第1圖所示，在頂部28，係形成有作為供冷卻媒體流動之空間的緩衝區52。緩衝區52，係與流路32之上端和吸氣機構82連通。緩衝區52，係形成比流路32之截面積更寬，且以圍繞發熱部30之上部的方式所設 置。又，緩衝區52，係分割成上部空間52a和下部空間52b所設置。更且，如第5圖所示，下部空間52b係分割成裝置背面側(後側)之緩衝區52b-1、和裝置正面側(前側)之緩衝區52b-2所設置。
如第4圖所示，頂部28，係藉由複數個構件(板體)所構成。
頂部28，係從下方開始依順序，由成為頂部28之下端部之作為第1構件(第1板)的下部板54、設置於下部板54之上方之作為第2構件(第2板)的分隔板58、設置於分隔板58之上方之作為第3構件(第3板)的中間板56、以及設置於中間板56之上方且成為頂部28之上端部之作為第4構件(第4板)的上部板60所構成。
下部板54，為圓板形狀，而在其中心，係形成有將空間14內之環境氣體排出至裝置外的排氣口36。又，在排氣口36之周圍，係設置有：複數個供應口62，其係與流路32連通，用以對流路32供應外部空氣或冷卻媒體。在下部板54，係設置有複數個溝槽64，可藉由該溝槽64來防止因熱所引起的下部板54之破損。也可設置開口於空間14側的開縫(slit)來取代溝槽64。在此，下部板54，既可一體形成，又可分割成二個以上所設置。
中間板56，係具有：排氣路66，其係與排氣口36大致垂直地連通，且朝向與排氣管44之連接部挖通成大致水平(直徑方向)所得。又，中間板56，為具有半徑R1之部分(大徑部分)和比半徑R1還小的半徑R2 之部分(小徑部分)的圓板形狀。小徑部分，係俯視觀察以排氣路66之中心線為對稱地在左右各形成有一處。藉由如此的構成，在中間板56之小徑部分的周圍，形成有高度h1與中間板56之厚度同等之作為空間的上部空間52a。
上部板60，為半徑R1的圓板形狀。
分隔板58，係設置於下部板54與中間板56之間。分隔板58，為具有半徑R1之部分(大徑部分)和比半徑R1還小的半徑R2之部分(小徑部分)的圓板形狀，且為沿著大徑部分之下面的外周而具有寬度d(R1-R2)之溝槽、和分隔部67的形狀。
在分隔板58之中心，係形成有排氣口36。又，在上面形成有沿著排氣路66的形狀之溝槽64，且構成排氣路66之下面。
藉由如此的構成，在分隔板58之小徑部分的周圍，係形成有高度h1與分隔板58之厚度同等之作為空間的緩衝區52b-2，而在大徑部分之下側係形成有高度h2比高度h1還低之作為空間的緩衝區52b-1。
分隔部67，係由分隔部67a及分隔部67b所構成，該分隔部67a係形成於大徑部分與小徑部分之境界部分的下面，該分隔部67b係俯視觀察沿著溝槽64之中心線而形成於下面。藉由分隔部67a，下部空間52b係被分割成後側的緩衝區52b-1、和前側的緩衝區52b-2。又，藉由分隔部67b，緩衝區52被分離成左右，且從一 對吸氣機構82對各自的緩衝區52供應外部空氣或冷卻媒體。
分隔板58之小徑部分和中間板56之小徑部分係以至少一部分重疊的方式所形成。藉由如此的構成，可以使緩衝區52和緩衝區52b-2連通，且可以從吸氣機構82使外部空氣或冷卻媒體供應至緩衝區52b-2。
如第5圖所示，後側(排氣部38側)之流路32係與緩衝區52b-1連通，而前側(排氣部38所對向之側)之流路32係與緩衝區52b-2連通。
如同上面所述般，緩衝區52及緩衝區52b-2之高度h1，係比緩衝區52b-1之高度h2更高。藉由如此的構成，則可以調整外部空氣或冷卻媒體對緩衝區52及緩衝區52b-2之供應平衡。亦即，藉由將緩衝區52及緩衝區52b-2之高度h1形成比緩衝區52b-1之高度h2更高，則也可將足夠量的外部空氣或冷卻媒體供應至距離吸氣口83較遠的前側之流路32。
如第6圖所示，大致垂直地形成於絕熱部26內的流路32，係與從該流路32之最下端形成於圓周方向之作為下部流路的流路72連通。流路72，係在發熱體30之外周側形成同心圓狀。
又，如第1圖所示，節風門46，係具有：節風門箱(damper case)47，其係供排氣管44大致水平地連接，且寬度比該排氣管44還寬。流路32之下端部70和節風門箱47之下面，係由排氣管76所連接。在下端部 70之與排氣管76的連接部分，係設置有未圖示的止回閥(check valve)，僅有在外部空氣或冷卻媒體從下端部70朝向排氣管76之流動時才會解放止回閥，而形成流路。在節風門箱47之與排氣管76的連接部，係設置有：板78，其係在中央設置有用以連接排氣管76的孔。在此，在第1圖中，係為了容易明白構成起見，而將排氣管76設置於絕熱部26外側來顯示。
在節風門箱47之內部，且從排氣管44排氣的流路上，係設置有切換部74，藉由切換部74之動作，進行來自排氣管44的排氣流量之調整或排氣路徑之切換。在本實施形態中，雖然排氣流量之調整係藉由控制排氣風扇50之旋轉數來進行，但是也可藉由調整切換部74之切換角度來進行。
控制部280，係具備未圖示的操作部或輸出入部，且與基板處理裝置10之各構成部進行電性連接，用以控制基板處理裝置10之各構成部。控制部280，係基於以時間軸顯示成膜等製程之控制順序的配方(recipe)而下達溫度控制或壓力控制、流量控制及機械驅動控制的指令。
其次，使用上述的基板處理裝置，針對在基板上形成薄膜之方法作為半導體裝置(device)的製造製程之一製程加以說明。在以下之說明中，構成基板處理裝置的各部之動作係藉由控制器121所控制。
首先，使升降機40動作以將保持基板18的晶舟20 搬入反應管16內。其次，使發熱部30發熱以加熱反應管16，且透過氣體導入管25將反應氣體導入反應管16內，並且透過氣體排氣管29將反應管16內進行排氣，藉此在基板18之表面形成薄膜。
當薄膜之形成(成膜處理)結束時，在已繼續進行來自氣體排氣管29之排氣的狀態下停止發熱部30之加熱，且將在反應管16內發熱所產生的環境氣體排出至外部，藉此使反應管16內之溫度降低。此時，也可從氣體導入管25導入惰性氣體。
然後，在使反應管16內之溫度降低至既定的溫度之後，使升降機40動作以將晶舟20從反應管16內拉出，且將已成膜的基板18從反應管16內取出。
然後，如以下所示，使外部空氣或冷卻媒體取入絕熱部26內，藉此使反應管16、反應管16內部或發熱部30冷卻。
如第7圖所示，吸氣機構82，係在與緩衝區52大致相同的高度設置有取入口80，當藉由壓力缸88之作用，使開閉部86朝向與緩衝區52側為相反方向移動時，就可使外部空氣或冷卻媒體從取入口80直線地流動至吸氣口83，且朝向緩衝區52吸入。藉此，外部空氣或冷卻媒體也會充分地流動至位於入口附近的流路32，而可改善整體的空氣流動平衡。
從吸氣機構82吸入的外部空氣或冷卻媒體，係流動至頂部28之緩衝區52。在此，與上部板60設置 成大致水平的分隔板58，是將緩衝區52分隔成上部空間52a和下部空間52b，進而將下部空間52b在後側和前側大致垂直地進行分隔，藉此供應至緩衝區52內的外部空氣或冷卻媒體之供應流路，就可以分別獨立成流動於後側之流路32的供應路徑、和流動於前側之流路32的供應流路。亦即，被分成上部空間52a和下部空間52b而流入的外部空氣或冷卻媒體當中之流動至下部空間52b的外部空氣或冷卻媒體，係流動至與後側之緩衝區52b-1連通的流路32，而流動至上部空間52a的外部空氣或冷卻媒體，係經由上部空間52a而流入緩衝區52b-2，且流動至與前側之緩衝區52b-2連通的流路32。
流入流路32的外部空氣或冷卻媒體係冷卻發熱部30或反應管16，且透過排氣口36或排氣管76來排氣。如第8圖(a)所示，在側壁(絕熱部26)冷卻時，藉由節風門46之切換部74被閉合，而使下端部70之止回閥打開，且從吸氣機構82吸入的外部空氣或冷卻媒體，係經由形成於頂部28的緩衝區52b-1、52b-2而分別流入後側和前側之流路32，且經由從流路32之最下端形成於圓周方向的流路72、排氣管76、節風門箱47內部而排氣至裝置外。藉此，可以集中地冷卻絕熱部26。
另一方面，如第8圖(b)所示，在集中地冷卻發熱部30或反應管16之急速冷卻時，節風門46之切換部74被打開，且從吸氣機構82吸入的外部空氣或冷卻媒體，係經由形成於頂部28的緩衝區52b-1、52b-2而分 別流入後側和前側之流路32，且透過吹出孔35供應至空間14內，並經由排氣口36、排氣管44、節風門箱47內部而排氣至裝置外。藉此，可以集中地冷卻發熱部30或反應管16。
如此，藉由將外部空氣或冷卻媒體取入絕熱部26內，就可以使反應管16內之溫度降低。此時，藉由適當地切換節風門46之切換部74，就能夠切換側壁冷卻和急速冷卻。
其次，針對本發明之另一實施形態的吸氣機構90加以說明。
如第10圖所示，吸氣機構90，係具有：吸氣部84，其係具有與緩衝區52連接的吸氣口83；以及導入部85，其係朝向吸氣部84導入外部空氣或冷卻媒體。
如第10圖(a)所示，吸氣部84，係具有吸氣口83，而該吸氣口83被連接於緩衝區52。導入部85，係具有從與吸氣部84之鄰接面在上下方向朝向外方擴展的形狀，且在導入部85內之吸氣口83側的對向之側，設置有以壓力缸88進行動作的開閉部86。又，在開閉部86之上下，係設置有將外部空氣或冷卻媒體取入空間14的取入口80。亦即，吸氣機構90，係形成從導入部85之取入口80朝向吸氣口83形成流路變窄的形狀。
如第10圖(b)所示，取入口80，係具有設置於壓力缸88之上方的取入口80a、以及設置於下方的取入口80b。取入口80a與取入口80b之導入口面積的合 計，係比吸氣口83的面積更大。藉由如此的構成，被取入空間14的外部空氣就可進行直線的流動，且可以使急速冷卻時的基板面內溫度均一性提高。
如第11圖所示，外部空氣或冷卻媒體，係從取入口80a、80b、即吸氣機構90之上下方向直線地朝向緩衝區52吸入。藉此，外部空氣也能充分地流動至位於入口附近的流路32，而可改善整體的空氣流動平衡。
第12圖係顯示比較例的基板處理裝置之頂部280周邊的示意圖。
在比較例的基板處理裝置中，並沒有在背面側和正面側分割頂部280之緩衝區52的分隔板58，且流路32之上端是與在背面側和正面側共通的緩衝區52連通。亦即，背面側的流路32和正面側的流路32是在緩衝區52內連通。
因此，在絕熱部26之正面側(前側)和背面側(後側)發生溫度差的情況下，就會發生在背面側經冷卻後的環境氣體朝向下方流動的下降氣流、和在正面側較溫暖的環境氣體朝向上方流動的上升氣流。如比較例所示，在背面側的流路32和正面側的流路32在緩衝區52內連通的情況下，如第12圖(b)之箭頭所示，可以在緩衝區52及流路32內藉由下降氣流和上升氣流而循環(對流)。結果，如第13圖所示，因冷卻狀態在背面側和正面側有所不同，故而在背面側和正面側會對基板面內之溫度均一性出現影響。
頂板280、絕熱部26、發熱部30或反應管16之溫度差，係依配置有此等構成的位置、或外部空氣或冷卻媒體之流路的位置等之影響而產生。亦即，因越接近此等構成之框體外部的部分、換言之越接近外部空氣的部分就越容易散熱故而越容易變冷。又，因越接近供應外部空氣或冷卻媒體的吸氣機構之流路32，越容易取入新鮮的外部空氣或冷卻媒體，故而可認為比其他的部分還容易冷卻。因此等的要因而產生溫度差，且可能發生對流。此時，以分隔板58來使依該溫度差而產生的下降氣流和上升氣流所連通的部分切斷，亦即，以分隔板58來使下降氣流和上升氣流分離，藉此就可抑制頂板280及絕熱部26內的對流之發生，且可以改善基板面內之溫度均一性。
在本實施形態中，可達成以下所示的一個或複數個功效。(1)依據本實施形態，因可以抑制在裝置背面側和裝置前面側產生溫度差，故而可以縮短溫度恢復時間(recovery time)，且可提高生產性。更且，可藉由配方時間縮短及穩定時消耗電力削減來降低消耗能量，且可以實現省能源化。又，因能改善基板18面內(面間)、基板18間的溫度均一性，故而能提高製品良率。
(2)與頂部28之緩衝區52連接的吸氣機構之取入口80，是具有設置於壓力缸88之上方的取入口80a、以及設置於下方的取入口80b。取入口80a與取入口80b之導入口面積的合計，係比緩衝區52的面積更大。 藉此，取入空間14的外部空氣可以進行直線的流動且可以使急速冷卻時的基板面內溫度均一性提高。
(3)將吸氣機構82之開閉部86在接近頂部28的位置閉鎖。藉此，可以縮小閉合開閉部86時的吸氣部內之封閉空間的體積。亦即，將開閉部86設置於接近頂部28的位置，且縮小封閉空間的體積，藉此可以將該封閉空間的環境氣體形成為接近緩衝區52或流路32之環境氣體的溫度或環境。比起緩衝區52或流路32之環境氣體則可以防止冷卻後的空氣在封閉空間內生成，且可以抑制因在頂部28內之溫度差而致使的空氣之對流產生。藉此，可以改善基板18面內的溫度均一性。
(4)使通至空間14的流路32之入口在裝置背面側和正面側分離。藉此，因在流路32入口之緩衝區52中，沒有裝置背面側的流路32與正面側的流路32之連接，故而會在正面側和背面側產生溫度差，且因即便是在正面側的流路32產生外部空氣或冷卻媒體之上升氣流、和在背面側的流路32產生外部空氣或冷卻媒體之下降氣流，仍可使裝置側的流路32和正面側的流路32被分隔，故而能夠抑制造成對流要因的上升氣流和下降氣流之流動的循環，且可以改善基板18面內的溫度均一性。藉由改善基板18面內的溫度均一性，也可以改善成膜的膜厚或膜質的均一性。
(5)藉由適當地切換節風門46之切換部74，就可以對節風門46從二個方向進行排氣。亦即，藉 由設置不經由空間14而進行排氣的路徑，就可以使側壁(絕熱部)的溫度迅速地降低，且能按照狀況來冷卻發熱部30的側壁，能促進來自發熱部30的散熱。又，藉由按照需要使爐內溫度降低，或抑制絕熱部的功能，就可以縮短溫度收斂時間。
(6)可以按照頂部28周邊的空間，而使用直立式或水平式之吸氣機構的實施形態，且可以謀求裝置的小型化。
(7)能均一且有效率地冷卻爐內，能迅速地降低反應管16的溫度，能使基板18的溫度迅速地降低至能從反應管取出的既定溫度，可以提高產能(throughput)。更且，可以提高基板18之面內、面間均一性。
另外，雖然在上面所述的實施例中已顯示圓筒狀的加熱冷卻裝置12，但是在本發明中，並未限於此，可以應用於各種剖面形狀的筒型加熱器。又，頂部28的形狀，也不被限於圓板狀，能按照絕熱部26之剖面形狀而進行各種設定，以便堵塞絕熱部26之上端開口。
又，本發明並非僅應用於半導體製造裝置，而也可以應用於處理如LCD裝置之玻璃基板的裝置。
又，本發明係關於一種半導體製造技術，尤其是關於一種將被處理基板容納於處理室並在藉由加熱冷卻裝置而加熱後的狀態下施予處理的熱處理技術，例如，可以應用於有效利用於基板處理裝置者，該基板處理裝置 係對組入有半導體積體電路裝置(半導體裝置)的半導體晶圓使用氧化處理或擴散處理、藉由離子佈植(ion implantation)後之載體活性化或平坦化用的回焊(reflow)或退火(annealing)及熱CVD反應而進行的成膜處理等。
<本發明之較佳態樣>
以下，針對本發明之較佳態樣加以附記。
[附記1]
依據本發明之一態樣，可提供一種基板處理裝置，其特徵為，具有：反應管，其係處理基板；及加熱部，其係配置於前述反應管之外周，用以加熱前述反應管內部；及絕熱部，其係配置於前述加熱部之外周；及流路，其係於前述絕熱部設置有複數個，用以使外部空氣或冷卻媒體流通；以及頂部，其係覆蓋前述絕熱部之上面，前述頂部，係具有：第1構件，其係與前述流路連通，且形成有將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成有使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二 個空間的分隔部。
[附記2]
依據本發明之另一態樣，可提供一種冷卻機構，係具有：中空的絕熱部，其係設置有複數個使外部空氣或冷卻媒體流動的流路；以及頂部，其係覆蓋絕熱部之上面，其特徵為：前述頂部，係由第1構件及第2構件所構成，該第1構件係形成有至少與前述流路連通，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內的供應口，該第2構件係配置於前述第1構件之上方，且在與前述第1構件之間形成用以使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
[附記3]
依據本發明之更另一態樣，可提供一種頂部，係積層複數個板體，且在內部形成有使外部空氣或冷卻媒體流動的空間之頂部，其特徵為：至少具有在其下面形成有用以分割前述空間之分隔部的分隔板。
[附記4]
依據本發明之更另一態樣，可提供一種基板處理裝置，係具有： 反應管，其係處理基板；及加熱部，其係配置於前述反應管之外周，用以加熱前述反應管內部；及絕熱部，其係配置於前述加熱部之外周，且形成有複數個使外部空氣或冷卻媒體流通的流路；及空間，其係覆蓋前述絕熱部之上面，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述絕熱部；及頂部，其係形成有從前述絕熱部排出前述外部空氣或冷卻媒體的排氣路；及吸氣機構，其係連接於前述空間，用以將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述頂部；以及排氣部，其係連接於前述排氣路，用以從前述頂部排出前述外部空氣或冷卻媒體，其特徵為：前述吸氣機構，係隔著前述排氣部而在左右設置有一對。
[附記5]
如附記4所述的裝置，較佳為：前述吸氣機構，係具有：取入部，其係將前述外部空氣或冷卻媒體取入前述吸氣機構內；吸氣部，其係將前述外部空氣或冷卻媒體吸入至前述頂部；以及導入部，其係連通前述取入部和前述吸氣部，前述導入部係與前述吸氣部及前述取入部鄰接，且各自的配置關係是俯視觀察配置成L字狀。
[附記6]
如附記5所述的裝置，較佳為：前述導入部係更具有：開閉部，其係切斷前述外部空氣或冷卻媒體對前述頂部之供應；以及驅動部，其係驅動前述開閉部，前述開閉部係以開閉前述吸氣部與前述導入部之境界面的方式所構成。
[附記7]
如附記5或6所述的裝置，較佳為：前述導入部之體積，係比前述吸氣部之體積更大。
[附記8]
如附記5、6或7所述的裝置，較佳為：前述吸氣部，係在與前述頂部之連接面，具有將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述頂部的吸氣口，前述吸氣口係形成曲面狀。
[附記9]
依據本發明之更另一態樣，可提供一種半導體裝置的製造方法、或是基板處理方法，其特徵為，具有以下的製程：藉由配置於反應管之外周的加熱部加熱前述反應管內 部，來處理前述反應管內的基板的製程；以及對頂部供應外部空氣或冷卻媒體並使前述外部空氣或冷卻媒體流通於後述流路，藉此來冷卻前述反應管內部的製程，該頂部係用以覆蓋配置於前述加熱部之外周且設置有複數個使前述外部空氣或冷卻媒體流通之流路的絕熱部之上面，且具有：第1構件，其係形成有與前述流路連通，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成有使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
[附記10]
依據本發明之更另一態樣，可提供一種基板處理裝置，係具有：反應管，其係處理基板；及絕熱部，其係設置於前述反應管之外周；以及排氣機構，其係排出前述絕熱部內的外部空氣或冷卻媒體，其特徵為：前述排氣機構，係具有：節風門，其係切換排氣流路；及第1排氣管，其係連接於前述節風門，且設置於前述絕熱部之頂部；以及第2排氣管，其係連接於前述節風門，且設置於前述絕熱部之側壁，而前述節風門是用以切 換來自前述第1排氣管的排氣、和來自前述第2排氣管的排氣。
另外，本申請案係以2014年3月20日於日本提出申請的日本特願2014-058323為基礎而主張優先權的利益，且藉由引用而編入其所揭示的全部內容。
〔產業上之可利用性〕
如以上所說明般，本發明係可以應用於基板處理裝置、頂部及半導體裝置的製造方法。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧加熱冷卻裝置
14‧‧‧空間
16‧‧‧反應管
18‧‧‧基板(晶圓)
20‧‧‧晶舟
22‧‧‧密封蓋
24‧‧‧處理室
25‧‧‧氣體導入管
26‧‧‧絕熱部
27‧‧‧氣體噴嘴
28‧‧‧頂部
29‧‧‧氣體排氣管
30‧‧‧發熱部
31‧‧‧氣體供應孔
32‧‧‧流路(絕熱部內流路)
35‧‧‧吹出孔
36‧‧‧排氣口
38‧‧‧排氣部
40‧‧‧升降機
44‧‧‧排氣管
46‧‧‧節風門(切換部)
47‧‧‧節風門箱
48‧‧‧散熱器(散熱裝置)
50‧‧‧排氣風扇(調整部)
52‧‧‧緩衝區(空間)
52a‧‧‧上部空間
52b‧‧‧下部空間
54‧‧‧下部板(第1構件、第1板)
58‧‧‧分隔板(第2構件、第2板)
56‧‧‧中間板(第3構件、第3板)
60‧‧‧上部板(第4構件、第4板)
70‧‧‧下端部
74‧‧‧切換部
76‧‧‧排氣管
78‧‧‧板
280‧‧‧控制部(第1圖)

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為，具有：反應管，其係處理基板；及加熱部，其係配置於前述反應管之外周，用以加熱前述反應管內部；及絕熱部，其係配置於前述加熱部之外周；及流路，其係於前述絕熱部設置有複數個，用以使外部空氣或冷卻媒體流通；以及頂部，其係覆蓋前述絕熱部之上面，前述頂部，係具有：第1構件，其係形成有與前述流路連通，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成有使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中，更具有：吸氣機構，其係將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述空間，前述吸氣機構，係具備：吸氣部，其係具有與前述空間連接的吸氣口；及取入部，其係將前述外部空氣或冷卻媒體取入內部；以及導入部，其係使前述吸氣部和前述取入部連通。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其 中，前述吸氣機構，係具備：開閉部，其係設置於前述導入部，用以使前述吸氣口開閉；以及驅動部，其係驅動前述開閉部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中，前述導入部係與前述吸氣部對向而設置，前述取入部係與前述導入部鄰接而設置。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中，前述第2構件為具有大徑部分和小徑部分的圓板形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板處理裝置，其中，更具有：圓板形狀之第3構件，其係配置於前述第2構件之上方，且具有大徑部分和小徑部分；以及圓板形狀之第4構件，其係配置於前述第3構件之上方，且構成作為前述頂部之上端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置，其中，前述第2構件之小徑部分和前述第3構件之小徑部分，係以至少一部分重疊之方式所形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置，其中，在前述第1構件與前述第2構件之中心，係形成有用以排出前述外部空氣或冷卻媒體的排氣口。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理裝置，其中，前述第3構件係具有以與前述排氣口垂直連通之方式形成於徑向的排氣路，在前述第2構件之上面係形成有沿 著前述排氣路之形狀的溝槽。
  10. 一種頂部，係在其內部形成有使外部空氣或冷卻媒體流動之空間的絕熱部之頂部，其特徵為，具有：第1構件，其係形成有將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述絕熱部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成前述空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，具有以下的製程：藉由配置於反應管之外周的加熱部加熱前述反應管內部，來處理前述反應管內的基板的製程；以及對頂部供應外部空氣或冷卻媒體並使前述外部空氣或冷卻媒體流通於後述流路，藉此來冷卻前述反應管內部的製程，該頂部係用以覆蓋配置於前述加熱部之外周且設置有複數個使前述外部空氣或冷卻媒體流通之流路的絕熱部之上面，且具有：第1構件，其係形成有與前述流路連通，且將前述外部空氣或冷卻媒體供應至前述流路內部的供應口；以及第2構件，其係配置於前述第1構件之上方，在與前述第1構件之間形成有使前述外部空氣或冷卻媒體流動的空間，且形成有將前述空間分割成至少二個空間的分隔部。
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US (1) US10415136B2 (zh)
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TW (1) TWI526566B (zh)
WO (1) WO2015141792A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611529B (zh) * 2015-12-28 2018-01-11 尤金科技有限公司 基板處理裝置
TWI736059B (zh) * 2018-12-13 2021-08-11 日商光洋熱系統股份有限公司 熱處理裝置
TWI785542B (zh) * 2020-03-19 2022-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，斷熱材組件及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP6752851B2 (ja) * 2017-09-12 2020-09-09 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クーリングユニット、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
TWI689618B (zh) * 2018-10-04 2020-04-01 漢民科技股份有限公司 應用於半導體設備之氣體噴射裝置
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) * 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
JP1651623S (zh) * 2019-07-18 2020-01-27
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN111023841B (zh) * 2019-12-26 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 炉体冷却装置及半导体加工设备
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) * 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20230048551A (ko) 2020-09-29 2023-04-11 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
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CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102444786B1 (ko) * 2021-12-23 2022-09-19 주식회사 에이치피에스피 냉각 효율을 향상시키는 고압챔버
KR102646155B1 (ko) * 2022-10-05 2024-03-12 엘에스이 주식회사 기판 세정 장치
CN117116814B (zh) * 2023-10-23 2024-04-05 芯恺半导体设备(徐州)有限责任公司 基板处理设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7046376B2 (en) * 2002-07-05 2006-05-16 Therma-Wave, Inc. Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay
JP4495498B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2008099449A1 (ja) * 2007-02-09 2008-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4959368B2 (ja) * 2007-02-22 2012-06-20 三菱重工業株式会社 輸送用冷凍ユニット
KR100969696B1 (ko) * 2007-06-25 2010-07-14 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 가열 장치, 이것을 이용한 기판 처리 장치 및 반도체장치의 제조 방법 및 관통 부재
JP5139734B2 (ja) * 2007-06-25 2013-02-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置
JP2010093108A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5721219B2 (ja) * 2010-07-09 2015-05-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置
KR101629366B1 (ko) * 2012-03-22 2016-06-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법
JP6170847B2 (ja) 2013-03-25 2017-07-26 株式会社日立国際電気 断熱構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611529B (zh) * 2015-12-28 2018-01-11 尤金科技有限公司 基板處理裝置
US10364494B2 (en) 2015-12-28 2019-07-30 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
TWI736059B (zh) * 2018-12-13 2021-08-11 日商光洋熱系統股份有限公司 熱處理裝置
TWI785542B (zh) * 2020-03-19 2022-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，斷熱材組件及半導體裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6306151B2 (ja) 2018-04-04
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