TW201513758A - 配線基板的製造方法 - Google Patents

配線基板的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201513758A
TW201513758A TW103120347A TW103120347A TW201513758A TW 201513758 A TW201513758 A TW 201513758A TW 103120347 A TW103120347 A TW 103120347A TW 103120347 A TW103120347 A TW 103120347A TW 201513758 A TW201513758 A TW 201513758A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solder resist
resist layer
wiring board
exposed
thickness
Prior art date
Application number
TW103120347A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI700974B (zh
Inventor
Yuji Toyoda
Norihiko Gokan
Noriyuki Kawai
Kunihiro Nakagawa
Original Assignee
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Paper Mills Ltd filed Critical Mitsubishi Paper Mills Ltd
Publication of TW201513758A publication Critical patent/TW201513758A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI700974B publication Critical patent/TWI700974B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09881—Coating only between conductors, i.e. flush with the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0505—Double exposure of the same photosensitive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0588—Second resist used as pattern over first resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0594—Insulating resist or coating with special shaped edges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

一種配線基板的製造方法，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成防焊層之製程(A)；對防焊層，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C1)；以薄膜化處理液，在連結墊未露出之範圍，實施非曝光部之防焊層之薄膜化的製程(B1)；對防焊層，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C2)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B2)；以及對防焊層，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C5)。

Description

配線基板的製造方法
本發明係關於配線基板的製造方法，更具體而言，係與具有以連結半導體晶片及其他配線基板等電子構件為目的之複數連結墊之配線基板的製造方法相關。
各種電氣機器內部之配線基板，係於其一側表面或兩表面具有絕緣層、及形成於絕緣層表面之導體配線的電路基板。此外，於配線基板之電路基板表面，為了使焊劑不附著於無需焊接之導體配線，於不焊接部分全面，形成有防焊層。該防焊層，發揮防止導體配線之氧化、電氣絕緣及針對外部環境之保護的功能。
此外，於配線基板上配載半導體晶片等電子構件時，於配線基板之表面，形成有用以連結半導體晶片、其他配線基板等電子構件之多數連結墊。連結墊，係以使電路基板表面之導體配線的整體或一部分從防焊層露出來製作。近年來，該連結墊持續朝高密度化發展，所配置之連結墊彼此的間距也變得較為狹窄，例如，也有 50μm以下之窄間距。
於被以高密度配置之連結墊配載電子構件的 方法，有利用覆晶連接之方法。覆晶連接，係指對應電子構件之電極端子的配置來並列配設配線基板上之電子構件連結用連結墊的一部分並使其露出，該電子構件連結用連結墊之露出部與電子構件之電極端子相對，介由焊劑凸塊來進行電氣連結。
連結墊，有除去部分防焊層，使連結墊表面 的整體或一部分露出之SMD(Solder Mask Defined)構造、及除去部分防焊層，使連結墊完全露出之NSMD(Non-Solder Mask Defined)構造。
第1A圖，係具有SMD構造之配線基板一例 的概略剖面圖。於絕緣層4表面配設有導體配線7與導體配線之一部分之連結墊3的電路基板1表面，形成防焊層2。連結墊3，其周邊附近為防焊層2所覆蓋。所以，具有不易發生因為機械衝擊而使連結墊3剝離、及來自連結墊3之延伸配線之頸部斷線的優點。相反地，為了確實固定電子構件之電極端子與對應其之連結墊3的電氣連結，必須使形成於連結墊3之露出面的接合部確保必要的焊劑量，因而導致連結墊3的大型化，而難以對應隨著電子構件小型化及高性能化而產生之連結墊3的高密度化要求。
第1B圖，係具有NSMD構造之配線基板一例 的概略剖面圖。於絕緣層4表面配設有導體配線7與導體配線之一部分之連結墊3的電路基板1表面，形成防焊層 2。於防焊層2之同一開口內，配置有複數之連結墊3，該等連結墊3從防焊層2露出。NSMD構造時，連結墊3，其周邊附近的防焊層2被完全除去，而使連結墊3之側面完全露出。所以，相較於SMD構造，較小之連結墊3也可確保連結墊3與焊劑之接著強度。相反地，連結墊3側面完全露出，可能導致連結墊3與絕緣層4之間之接著強度的降低。此外，以窄間距配置之連結墊3時，在後製程之無電解鎳/金電鍍，連結墊3之間發生短路時、或想要在連結墊3上配設焊劑凸塊的話，有時熔融之焊劑流到鄰接之連結墊3，而使連結墊3之間發生短路。
為了解決連結墊與絕緣層之間之接著強度的 問題，有人提出用以製造具有以下構造之配線基板的方法，其係以雷射光照射在配設於電路基板表面之防焊層的一部分形成深度0~15μm程度之開口部，來使連結墊側面之一部分從防焊層露出(例如，參照專利文獻1)。藉由使用以專利文獻1所記載之方法得到的配線基板，相較於使存在於防焊層下部之連結墊完全露出的配線基板，可以提高連結墊與絕緣層之間的接著強度。
此外，為了解決以窄間距配置之連結墊3的 短路問題，有人提出製造於鄰接連結墊3之間充填防焊層2之配線基板的方法(例如，參照專利文獻2)。依據專利文獻2之方法的話，如第2圖所示，可以形成於連結墊3之間充填有防焊層2，而且，充填之防焊層2的厚度為連結墊3之厚度以下的NSMD構造。具體而言，於電路基 板1上形成防焊層2，實施防焊層2之厚度成為連結墊3之厚度以下為止之薄膜化區域以外之部分的曝光後，以鹼水溶液薄膜化處理液，實施使非曝光部之防焊層2成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化。藉此，形成具有包含連結墊3之厚度以下之部分及超過連結墊3之厚度之部分之多段構造的防焊層2，而可以製造使做為連結墊3之一部分之導體配線露出的配線基板。
然而，將電子構件覆晶連接於電路基板上之 配線基板時，為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性，以填膠(密封樹脂)充填電子構件與電路基板之空隙來進行補強。為了確保補強效果，必須對電子構件與電路基板之空隙充填充份量之填膠。然而，使用專利文獻1所得到之配線基板來實施覆晶連接，並為了確保補強效果而充填充份之填膠時，填膠從電子構件與電路基板之空隙溢出至周圍，可能對電氣作動產生不良影響。所以，為了防止填膠流出，有人提出具有堤壩構造之配線基板(例如，參照專利文獻3~5)。
專利文獻3，係於具有導體電路之電路基板上 形成防焊層後，實施部分曝光，其後，以對未曝光部實施顯影處理，形成使部分連結墊上部從防焊層露出之開口部，再實施第2次之部分曝光，其後，以除膠渣處理實施第2次部分曝光之未曝光部的薄膜化，來形成堤壩形狀的方法。利用該方法之防焊層的開口部，因為係SMD構造，電子構件之電極端子、與對應其之連結墊的電氣連 結，難以確實固定，連結墊與焊球之電氣連結可能不充份。此外，利用該方法之堤壩構造的形成上，因為利用除膠渣處理來實施，防焊層被粗面化而導致防焊層強度降低，可能無法充份確保配線基板之信賴性。
專利文獻4則提出一種方法，於具有導體電 路之電路基板上形成防焊層後，實施部分曝光，其後，以實施未曝光部之顯影處理，來形成使連結墊從防焊層完全露出之開口部，其次，形成第2次防焊後，實施發生遠大於第1次部分曝光區域之未曝光部的第2次部分曝光，其後，以未曝光部的顯影來形成堤壩形狀。利用該方法之防焊層的開口部，係NSMD構造，連結墊，其周邊附近之防焊層被完全除去，連結墊之側面完全露出，可能使連結墊與絕緣層之間的接著強度降低。
專利文獻5提出了一種方法，於具有導體電 路之電路基板上形成防焊層後，實施部分曝光製程，其後，以未曝光部之防焊層的薄膜化，於防焊層形成開口部與堤壩形狀。利用該方法之防焊層的開口部，係SMD構造，連結墊，因為其周邊附近為防焊層所覆蓋，電子構件之電極端子與、對應其之連結墊的電氣連結難以確實固定，連結墊與焊球之電氣連結可能不充份。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特許3346263號公報
〔專利文獻2〕國際公開第2012/043201號分頁
〔專利文獻3〕日本特開2012-238668號公報
〔專利文獻4〕日本特開平05-226505號公報
〔專利文獻5〕日本特開2011-77191號公報
本發明之課題，在提供一種配線基板的製造 方法，係於具有絕緣層與連結墊之電路基板表面，具有防焊層，並使連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，可以得到於從防焊層露出之連結墊之間不會發生電氣短路，連結墊與絕緣層及連結墊與焊劑之接著強度高，不會有填膠流出所導致之電氣作動不良，且防焊層強度高的配線基板。
本發明者們，為了解決上述課題，經過審慎 地檢討，結果，發現以下述發明(1)~(15)可以解決上述課題。
(1)一種配線基板的製造方法(以下，稱為「配線基板的製造方法(1)」)，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成防焊層之製程(A)；對防焊層，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域 以外之部分之曝光的製程(C1)；以薄膜化處理液，在連結墊未露出之範圍，實施非曝光部之防焊層之薄膜化的製程(B1)；對防焊層，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C2)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B2)；以及對防焊層，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C5)。
(2)一種配線基板的製造方法(以下，稱為「配線基板的製造方法(2)」)，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成第一防焊層之製程(A1)；對第一防焊層，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C1)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B1)；對第一防焊層，實施於製程(B1)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)； 於完成至(C3)製程為止之電路基板的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影區域以外之部分之曝光的製程(C4)；以及以顯影液除去非曝光部之第二防焊層的製程(D)。
(3)一種配線基板的製造方法(以下，稱為「配線基板的製造方法(3)」)，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成第一防焊層之製程(A1)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B1)；對第一防焊層，實施於製程(B1)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C4)；以薄膜化處理液，在連結墊未露出之範圍，實施非曝光部之第二防焊層之薄膜化的製程(B3)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影區 域以外之部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去非曝光部之第二防焊層的製程(D)。
(4)如上述(1)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C2)及製程(C5)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
(5)如上述(2)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C3)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
(6)如上述(3)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C3)及製程(C6)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
(7)如上述(1)或(4)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C2)及製程(C5)之曝光量，係製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
(8)如上述(2)或(5)之其中任一所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C3)之曝光量，係製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
(9)如上述(3)或(6)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(C3)及製程(C6)之曝光量，係製程(C4)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
(10)如上述(1)或(4)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
(11)如上述(2)或(5)所記載之配線基板的製造 方法，其中，製程(B1)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
(12)如上述(3)或(6)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(B1)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
(13)如上述(7)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
(14)如上述(8)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(B1)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
(15)如上述(9)所記載之配線基板的製造方法，其中，製程(B1)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
依據本發明，可以提供一種配線基板的製造方法，係於具有絕緣層與連結墊之電路基板表面，具有防焊層，且連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，從防焊層露出之連結墊之間不會發生電氣短路，連結墊與絕緣層及連結墊與焊劑之接著強度高，無填膠流出所導致之電氣作動不良，可以得到防焊層強度高之配線基板。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧防焊層
2-1‧‧‧第一防焊層
2-2‧‧‧第二防焊層
3‧‧‧電子構件連結用連結墊、連結墊
4‧‧‧絕緣層
5‧‧‧光罩
6‧‧‧活性光線
7‧‧‧導體配線
第1圖係傳統配線基板一例的概略剖面圖。
第2圖係傳統配線基板一例的概略剖面圖。
第3-1圖係本發明之配線基板的製造方法(1)一例的剖面製程圖。
第3-2圖係本發明之配線基板的製造方法(1)一例的剖面製程圖。
第4-1圖係本發明之配線基板的製造方法(2)一例的剖面製程圖。
第4-2圖係本發明之配線基板的製造方法(2)一例的剖面製程圖。
第5-1圖係本發明之配線基板的製造方法(3)一例的剖面製程圖。
第5-2圖係本發明之配線基板的製造方法(3)一例的剖面製程圖。
第6圖係傳統技術之配線基板的製造方法一例的剖面製程圖。
第7圖係本發明可以製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第8圖係本發明可以製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第9圖係本發明可以製造之配線基板一例的概略剖面圖。
第10圖係多層配線基板一例的概略剖面圖。
以下，針對本發明之配線基板的製造方法，進行詳細說明。
第3-1圖及第3-2圖，係配線基板的製造方法(1)一例的剖面製程圖。以覆晶連接將電子構件配載於配線基板時，因為電子構件與配線基板之熱膨脹係數差而承受到熱衝擊時，應力集中於連結部，可能發生連結部之變形及破壞。為了防止應力集中於連結部來提高連結信賴性，一般，以被稱填膠之樹脂組成物來密封電子構件與配線基板之間。藉由配線基板的製造方法(1)，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造的二段構造防焊層。
於製程(A)，於電路基板1之表面，以覆蓋全面之方式來形成防焊層2。於製程(C1)，對防焊層2，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分的曝光。
於製程(B1)，以薄膜化處理液，於連結墊3未露出之範圍，實施非曝光部之防焊層2的薄膜化。
於製程(C2)，對防焊層2，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外之部分的曝光。
於製程(B2)，以薄膜化處理液，實施使非曝光部之防焊層2成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，於該製程(B2)露出之連結墊3被當做電子構件連 結用連結墊3來使用。
於製程(C5)，對防焊層2，實施於製程 (B2)被薄膜化之區域部分的曝光。於完成至製程(C5)為止的電路基板1上，殘留有不需要之防焊層2時，也可以於製程(C5)後，實施利用顯影液除去不必要之防焊層2的製程(D1)。
配線基板的製造方法(1)時，可以將製程 (C2)之曝光區域改變成任意形狀，藉由變更曝光區域，例如，可以製作如第7圖所示之剖面形狀的配線基板。第7a圖時，於連結墊3之間，形成有防焊層2之凸部。第7b圖時，交互並設著從防焊層2露出而為連結墊3與防焊層2所覆蓋之導體配線7。
第4-1圖及第4-2圖，係配線基板的製造方法 (2)一例的剖面製程圖。與配線基板的製造方法(1)不同之處，係防焊層由第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所構成。配線基板的製造方法(2)時，實施使非曝光部之第一防焊層2-1的厚度成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化後，於第一防焊層2-1之表面上，形成第二防焊層2-2，曝光後，實施非曝光部之第二防焊層2-2的顯影處理。藉此，與利用配線基板的製造方法(1)時相同，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造的二段構造防焊層。
於製程(A1)，於電路基板1之表面，以覆 蓋全面之方式來形成第一防焊層2-1。
於製程(C1)，係對第一防焊層2-1，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分的曝光。
於製程(B1)，以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。
於製程(C3)，係對第一防焊層2-1，實施於製程(B1)被薄膜化之區域部分的曝光。
於製程(A2)，於完成至製程(C3)為止之電路基板的第一防焊層2-1上，形成第二防焊層2-2。
於製程(C4)，係對第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外之部分的曝光。
於製程(D)，以顯影液除去非曝光部之第二防焊層2-2，來使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，於該製程(D)露出之連結墊3被當做電子構件連結用連結墊3來使用。
配線基板的製造方法(2)時，可以將製程(C1)之曝光區域改變成任意形狀，藉由變更曝光區域，例如，可以製作如第8圖所示之剖面形狀的配線基板。第8c圖時，於連結墊3之間，形成有第一防焊層2-1之凸部。第8d圖時，交互並設著從第一防焊層2-1露出而為連結墊3與第一防焊層2-1所覆蓋之導體配線7。
第5-1圖及第5-2圖，係配線基板的製造方法(3)一例的剖面製程圖。配線基板的製造方法(3)時，執行對第一防焊層2-1之曝光前，實施使第一防焊層2-1 之厚度成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化處理。其後，於第一防焊層2-1之表面上，形成第二防焊層2-2，曝光後，實施非曝光部之第二防焊層2-2的薄膜化處理，其後，再度實施曝光，實施殘留之非曝光部之第二防焊層2-2的顯影處理。配線基板的製造方法(3)時，與使用配線基板的製造方法(1)及(2)時相同，可以形成具有以堰塞充填於電子構件與配線基板之間之填膠為目的之堤壩構造的二段構造防焊層。
製程(A1)時，於電路基板1之表面，以覆蓋全面之方式來形成第一防焊層2-1。
於製程(B1)，以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，而使全部連結墊3的一部分露出。
於製程(C3)，係對第一防焊層2-1，實施於製程(B1)被薄膜化之區域部分的曝光。
於製程(A2)，於完成至製程(C3)為止之電路基板的第一防焊層2-1上，形成第二防焊層2-2。
於製程(C4)，係對第二防焊層2-2，於後製程之製程(B3)被薄膜化之區域以外之部分的曝光。
製程(B3)時，以薄膜化處理液，於連結墊3未露出之範圍，實施非曝光部之第二防焊層2-2的薄膜化。
製程(C6)時，對第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外之部分的曝光。
於製程(D)，以顯影液除去非曝光部之第二 防焊層2-2，再度使連結墊3之一部分露出。配載電子構件之配線基板時，於該製程(D)露出之連結墊3被當做電子構件連結用連結墊3來使用。
配線基板的製造方法(3)時，可以將製程(C6)之曝光區域改變成任意形狀，藉由變更曝光區域，例如，可以製作如第9圖所示之剖面形狀的配線基板。第9e圖時，於連結墊3之間，形成有第二防焊層2-2之凸部。第9f圖時，交互並設著從第一防焊層2-1露出而為連結墊3、第一防焊層2-1、及第二防焊層2-2所覆蓋之導體配線7。
本發明時，電路基板1係具有絕緣層4、及形成於絕緣層4表面之連結墊3。於絕緣層4之表面，形成有導體配線7，連結墊3，係導體配線7的一部分。本發明之配線基板，於電路基板1表面具有防焊層2，而使連結墊3之一部分從防焊層2露出。配載電子構件之配線基板時，表面之電子構件連結用連結墊3與電子構件，係介由焊劑凸塊進行接合。
本發明之電路基板，例如，係以於絕緣性基板之一側面或兩面形成導體配線來製作。此外，其他例，則係於配設著導體配線之絕緣基板，交互疊層增建用之絕緣層及導體配線來製作。第10圖，係以於絕緣性基板之兩面形成導體配線所製作之配線基板、及於配設著導體配線之絕緣基板交互疊層增建用絕緣層及導體配線所製作之 配線基板之一例的概略剖面圖。於本發明之配線基板的製造方法一例之剖面製程圖的第3-1圖~第5-2圖、及本發明所製造之配線基板一例之概略剖面圖的第7圖~第9圖，記載著具有一層絕緣層4，且具有形成於絕緣層4之一側表面之導體配線7的電路基板1，然而，使用於本發明之配線基板的製造方法之電路基板1，係包含：如第10A及B圖所示，以在配設著導體配線之絕緣基板交互疊層增建用絕緣層及導體配線來製作，而於兩表面具有絕緣層4、及形成於絕緣層4表面之導體配線7的電路基板1；及如第10C圖所示，以於絕緣性基板之兩面形成導體配線來製作，而於兩表面具有絕緣層4、及形成於絕緣層4表面之導體配線7的電路基板1。於兩表面具有導體配線7之電路基板1時，可以於其中任一方之面形成具有堤壩構造之防焊層2，也可以形成於兩表面。
絕緣基板，例如，由使玻璃布含浸有雙馬來 醯亞胺-三氮雜苯樹脂或環氧樹脂等熱硬化性樹脂之電氣絕緣材料等所構成之樹脂製基板。增建用之絕緣層，例如，與絕緣基板相同之使玻璃布含浸有熱硬化性樹脂之電氣絕緣材料、或使氧化矽等無機填料分散於環氧樹脂等熱硬化性樹脂之電氣絕緣材料等。導體配線，例如，以消去法、半加法、加法等來形成。消去法時，例如，於絕緣層上形成銅層後，形成抗蝕層，實施曝光、顯影、蝕刻、去除光阻，來形成導體配線。半加法時，於絕緣層表面，以無電解銅電鍍來配設電解銅電鍍用基底金屬層。其次，形 成具有對應導體配線之開口的電鍍抗蝕層，而於因電解銅電鍍而露出之基底金屬層的表面，形成電解銅電鍍層。其後，剝離電鍍抗蝕層，以閃蝕除去露出之基底金屬層，即可形成導體配線。
配載電子構件之配線基板時，配線基板表面 之連結墊，係用以連結電子構件之連結用墊。電子構件，介由該連結墊與焊劑凸塊來電氣連結，被覆晶組裝於配線基板。為了提高防焊層之黏著性，也可進行連結墊表面之粗面化處理、或耦合劑處理。配線基板之另一表面也可以有連結墊，另一面之連結墊，可以當做以外部連結為目的之連結用墊來使用。介由焊劑凸塊，電氣連結該背面之連結墊與主機板等外部電氣基板之導體配線，將配線基板覆晶組裝於主機板。
本發明之防焊劑，可以使用鹼性顯影型之防 焊劑。此外，1液性、2液性、或任一液狀防焊劑皆可，也可以為乾膜光阻。防焊劑，例如，含有鹼溶性樹脂、單官能壓克力單體、多官能壓克力單體、光起始劑、環氧樹脂、無機填料等。
鹼溶性樹脂，例如，具有光硬化性及熱硬化 性之兩方特性的鹼溶性樹脂，例如，對附加有丙烯酸之酚醛型環氧樹脂而環氧壓克力化樹脂的2級羥基附加酸酐的樹脂。多官能壓克力單體，例如，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(Trimethylol Propane Triacrylate)、二新戊四醇聚丙烯酸酯(Di-pentaerythritol Polyacrylate)、季戊四醇三丙 烯酸酯(Pentaerythritol Triacrylate)等。光起始劑，2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-瑪啉基正丙醇-1-酮(2-Methyl-1-(4-Methylthiophenyl)-2-Morpholinopropan-1-one)等。環氧樹脂，當做硬化劑來使用。以使其與鹼溶性樹脂之羧酸產生反應來進行架橋，謀求提高耐熱性及耐藥性之特性，然而，因為羧酸與環氧基在常溫也會產生反應，保存安定性差，鹼性顯影型防焊劑，一般都採用在使用前進行混合之2液性形態。無機填料，例如，滑石、矽石、硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋅等。
防焊層，在電路基板之表面，係以覆蓋全面 之方式來形成。防焊層之形成上，例如，液狀防焊劑的話，可以使用網版印刷法、輥塗法、噴霧法、浸漬法、幕塗法、棒塗法、氣刀法、熱熔法、凹版塗佈法、毛刷塗佈法、套版印刷法。此外，膜狀防焊劑的話，使用疊合法及真空疊合法。
本發明之防焊層被薄膜化的製程，係包含： 以薄膜化處理液進行非曝光部之防焊層成份之膠束化的膠束化處理(薄膜化處理)、及以膠束除去液除去膠束之膠束除去處理在內的製程。此外，也可以包含：以水洗來清洗未除去之膠束、殘存薄膜化處理液、及膠束除去液的水洗處理；以及除去水洗水之乾燥處理在內。
薄膜化處理(膠束化處理)，係以薄膜化處 理液實施非曝光部之防焊層成份的膠束化，而使該膠束不溶化於薄膜化處理液之處理。
本發明之薄膜化處理液，可以使用鹼水溶 液。可以當做薄膜化處理液來使用的鹼水溶液，例如，鹼金屬矽酸鹽(Alkali Metal Silicate)、鹼金屬氫氧化物(Alkali Metal Hydroxide)、鹼金屬磷酸鹽(Alkali Metal Phosphate)、鹼金屬碳酸鹽(Alkali Metal Carbonate)、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等無機鹼性化合物之水溶液；單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲胺、二甲胺、乙胺、二乙胺，三乙胺、環己胺、四甲基氫氧化銨(Tetramethylammonium Hydroxide，TMAH)、四乙基氫氧化銨、三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(膽鹼、Choline)等有機鹼性化合物之水溶液。鹼金屬，例如，鋰、鈉、鉀等。上述無機鹼性化合物及有機鹼性化合物，可以單獨使用，也可以複數組合來使用。也可以使用無機鹼性化合物與有機鹼性化合物之組合。
此外，為了使防焊層表面更均一地薄膜化， 也可以於薄膜化處理液添加硫酸鹽，亞硫酸鹽。硫酸鹽或亞硫酸鹽，例如，鋰、鈉或鉀等之鹼金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽、鎂、鈣等之鹼土類金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽。
薄膜化處理液，於該等中，又以含有從鹼金 屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽所選取之無機鹼性化合物、及從TMAH(四甲基氫氧化銨)、膽鹼所選取之有機鹼性化合物當中之至少任1種，且該無機鹼性化合物及有機鹼性化合物之含有量為3~25質量%的薄膜化處理液，因為可以使表面更均一地薄膜化 而更適合使用。未滿3質量%時，有時薄膜化處理容易發生不均。此外，超過25質量%的話，有時容易發生無機鹼性化合物析出，而使液之時效安定性、作業性變差。鹼性化合物之含有量為5~20質量%更佳，7~15質量%最好。薄膜化處理液之pH，以10以上為佳。此外，也可以適度添加界面活性劑、消泡劑、溶劑等。
防焊層之薄膜化時，不溶於防焊層中所含有 之薄膜化處理液之無機填料的存在不能忽視。無機填料之尺寸隨著其種類而不同，具有從被稱為奈米填料之超微米級至較大之數十微米為止之程度的粒度分布，以30~70質量%之含有量存在於層中。薄膜化，在鹼性化合物浸透至防焊層中後，於膠束除去過程進行防焊層成份之膠束化，然而，因為不溶性無機填料的存在，鹼性化合物之浸透獲得抑制，而使薄膜化速度變慢。
針對此種無機填料所導致之鹼性化合物的浸 透妨礙，只要使薄膜化處理液之pH成為12.5以上即可，13.0以上更佳。薄膜化處理液之pH愈高，則鹼性化合物浸透時之防焊層的膨潤愈大，而不易受到無機填料所導致之浸透妨礙的影響。
於本發明，以薄膜化使連結墊之一部分露出 時，該露出之連結墊，可以當做電子構件連結用連結墊來使用。通常，連結墊表面被粗面化，利用其錨定效果來提高連結墊與防焊層之黏著性，而可維持長時間之高絕緣信賴性。傳統之防焊圖案形成上，除去防焊層來使連結墊表 面露出時，一般係將分散能力優良之低濃度碳酸鈉水溶液當做顯影液來使用，於連結墊表面幾乎不會發生防焊層之殘渣。然而，使用低濃度之碳酸鈉水溶液來實施防焊層之薄膜化的話，無法得到面內均一之薄膜化，而發生面內不均。
薄膜化處理液之溫度，以15~35℃為佳，最 好為20~30℃。溫度太低的話，有時鹼性化合物對防焊層之浸透速度變慢，進行期望厚度之薄膜化需要較長的時間。另一方面，溫度太高的話，因為膠束除去過程與防焊層成份之膠束化同時進行，有時容易於面內發生膜厚不均，而應避免。
在利用薄膜化處理液之薄膜化處理時，可以 採用浸漬處理、漿攪拌處理、噴霧處理、塗刷、刮削等方法，然而，以浸漬處理為佳。浸漬處理以外之處理方法，薄膜化處理液中容易發生氣泡，發生之氣泡在薄膜化中附著於防焊層表面，有時會有膜厚不均一的情形。使用噴霧處理等時，以不會發生氣泡之方式來儘量縮小噴霧壓為佳。
在以薄膜化處理液實施薄膜化處理後，實施 除去不溶於薄膜化處理液之防焊層成份之膠束的膠束除去處理時，以膠束除去液之噴霧來一舉溶解除去膠束。
膠束除去液，可以使用自來水、工業用水、 純水等。此外，將含有從鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽所選取之無機鹼性化合物當中之至少任1種 之pH5~10的水溶液當做膠束除去液來使用，容易使不溶於薄膜化處理液之防焊層成份再分散。膠束除去液之pH為未滿5時，防焊層成份可能聚集而成為不溶性之泥渣，並附著薄膜化之防焊層表面。另一方面，膠束除去液之pH超過10時，同時促進防焊層成份之膠束化與膠束除去過程，面內容易發生膜厚不均。此外，膠束除去液，可以使用硫酸、磷酸、鹽酸等來調整pH。
針對膠束除去處理之噴霧條件來進行說明。 噴霧之條件(溫度、時間、噴霧壓)，係配合薄膜化處理之防焊層的溶解速度來進行適度調整。具體而言，處理溫度以10~50℃為佳，22~50℃更佳。水溶液之溫度為未滿10℃時，有時會發生防焊層成份的溶解不良，而容易使防焊層之殘渣殘留於粗面化之連結墊表面。另一方面，超過50℃的話，可能發生水溶液的蒸發或連續運轉之溫度管理的問題，而使裝置設計上受到限制，應避免。此外，噴霧壓以0.01~0.5MPa為佳，0.1~0.3MPa更佳。膠束除去液之供給流量，以防焊層每1cm2為0.030~1.0L/min為佳，0.050~1.0L/min更佳，最好為0.10~1.0L/min。供給流量在該範圍內的話，不溶解成份不會殘留於薄膜化後之防焊層表面，而可以在面內大致均一地除去膠束。防焊層每1cm2的供給流量為未滿0.030L/min時，有時防焊層之不溶解成份會殘留。另一方面，供給流量超過1.0L/min的話，供給所需要的泵等構件較為龐大，有時還要大規模的裝置。此外，超過1.0L/min之供 給量時，防焊層成份之溶解除去效果沒有改變。
露出之連結墊3周圍之防焊層2、第一防焊層 2-1的厚度、及做為填膠堰塞用堤壩之一部分之防焊層2、第一防焊層2-1、第二防焊層2-2的厚度，由：在配線基板的製造方法(1)之製程(A)、配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(A1)及(A2)所形成之防焊層2、第一防焊層2-1、第二防焊層2-2的厚度；及在配線基板的製造方法(1)~(3)之製程(B1)、配線基板的製造方法(1)之製程(B2)、配線基板的製造方法(3)之製程(B3)所實施之非曝光部之防焊層2、第一防焊層2-1、第二防焊層2-2的薄膜化量；來決定。此外，本發明時，可以在0.01~500μm之範圍內，適度自由地實施薄膜化量調整。被薄膜化至連結墊之厚度以下為止之防焊層2、至從第一防焊層2-1表面所露出之連結墊3表面為止的高度，其後，可以對應必要之焊劑量來進行適度調整。 此外，做為填膠堰塞用之堤壩之一部分的防焊層2、第一防焊層2-1、及第二防焊層2-2的厚度，可以對應電子構件的大小、電子構件之連結端子的大小、以及充填於電子構件與配線基板之間的填膠量來進行適度調整。
配線基板的製造方法(1)之製程(C1)時， 係對防焊層2，選擇性地實施於後製程之製程(B1)被薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(2)之製程(C1)時，係對第一防焊層2-1，選擇性地實施於後製程之製程(B1)被薄膜化之區域以外部分的曝光。配 線基板的製造方法(1)之製程(C2)時，係對防焊層2，選擇性地實施於後製程之製程(B2)被薄膜化之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(2)之製程(C4)及配線基板的製造方法(3)之製程(C6)時，係對第二防焊層2-2，選擇性地實施於後製程之製程(D)被顯影之區域以外部分的曝光。配線基板的製造方法(3)之製程(C4)時，係對第二防焊層2-2，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化之區域以外之部分的曝光。被曝光之防焊劑，產生光聚合，防焊層2、第一防焊層2-1、第二防焊層2-2產生硬化。在第3-1圖~第5-2圖中，係介由光罩5進行活性光線6的曝光，然而，也可以直接描繪方式來實施。曝光方式，例如，可以為以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈做為光源之反射影像曝光方式、及採用光罩之接觸曝光方式、近接方式、投射方式及雷射掃描曝光方式等。第一面之「被薄膜化區域」，例如，係連結墊上或包含連結墊之間在內之連結墊的周圍區域。更具體而言，係以配載電子構件之安裝區域及其周圍。
配線基板的製造方法(2)及(3)之製程 (C3)時，係對第一防焊層2-1，實施於製程(B1)被薄膜化之區域部分的曝光。配線基板的製造方法(1)之製程(C5)時，係對防焊層2，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分的曝光。曝光方式，可以使用與上述配線基板的製造方法(1)之製程(C1)等相同的方式。配線基板 的製造方法(2)及(3)之製程(C3)後，因為有非曝光部之第一防焊層2-1、第二防焊層2-2被顯影除去之製程(配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(D))，而必須實施形成最終防焊層之區域的曝光，來使防焊劑產生光聚合。配線基板的製造方法(2)之製程(C3)的曝光部分，至少包含於製程(B1)被薄膜化之區域在內，以包含於製程(C1)被曝光之部分、及於製程(B1)被薄膜化之區域的境界部在內為佳。此外，配線基板的製造方法(1)之製程(C5)所曝光之部分，至少包含於製程(B2)被薄膜化之區域，以包含於製程(C2)被曝光之部分、及於製程(B2)被薄膜化之區域的境界部在內為佳。
配線基板的製造方法(1)及(2)之製程 (C1)、配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(C3)、配線基板的製造方法(1)之製程(C2)及(C5)、配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(C4)、以及配線基板的製造方法(3)之製程(C6)的曝光量，可以對應防焊劑之感光度來適度決定。具體而言，只要對配線基板的製造方法(2)之製程(B1)、配線基板的製造方法(1)之製程(B1)及(B2)、以及配線基板的製造方法(3)之製程(B3)所使用的薄膜化處理液，或者，配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(D)所使用的顯影液，防焊劑不會溶解或膨潤之程度，使防焊劑產生光聚合並硬化即可，通常為100~ 600mJ/cm2。
配線基板的製造方法(2)之製程(C3)、配 線基板的製造方法(1)之製程(C2)及(C5)、以及配線基板的製造方法(3)之製程(C3)及(C6)的曝光，以在氧環境下之非接觸曝光方式來實施為佳。非接觸曝光方式，例如，於光罩與配線基板之間配設間隙而以非接觸方式來實施曝光的近接方式、投射方式、以及未使用光罩的直接描繪方式。在防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2上沒有支撐層膜的狀態下，實施氧環境下之非接觸曝光，各防焊層之表層附近(從防焊層表面之深度0~0.5μm程度)的光聚合，在氧之影響下受到妨礙而成為未硬化部分，只有離開表層之部位才會硬化。所以，藉由配線基板的製造方法(1)之製程(B2)及(D1)、及配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(D)，除去表層附近之未硬化部分，而使防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2的表面被粗面化。位於配線基板表面之電子構件連結用連結墊周圍的防焊層表面被粗面化，相較於平滑時，填膠之黏著性更為強固，結果，可以防止熱衝擊所導致之應力集中於電子構件與配線基板之連結部，而進一步提高連結信賴性。藉由氧環境下之非接觸方式曝光實施防焊層2、第一防焊層2-1、以及第二防焊層2-2之表面的粗面化，可以提高填膠之黏著性，而得到高連結信賴性。提高填膠之黏著性上，防焊層之表面粗細度Ra，以0.30μm以上、0.50μm以下為佳。表面粗細度Ra 超過0.50μm的話，防焊強度降低，有時無法得到絕緣信賴性。表面粗細度Ra為算術平均表面粗細度。
配線基板的製造方法(2)之製程(C3)、及 配線基板的製造方法(1)之製程(C2)及(C5)的曝光量，以製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下為佳，最好為1.5倍以上、3倍以下。同樣的，配線基板的製造方法(3)之製程(C3)及(C6)的曝光量，以製程(C4)之曝光量的1倍以上、5倍以下為佳，最好為1.5倍以上、3倍以下。氧環境下之非接觸曝光時，藉由提供比防焊劑不會溶解或膨潤之程度而可硬化之必要曝光量更多的曝光量，可以將防焊層表面之氧所導致之聚合妨礙抑制於最小。曝光量愈多，對聚合妨礙之抑制有其效果，然而，另一方面，曝光量太多的話，不但防焊劑之解析度惡化，曝光時間也會較長，故應避免。
配線基板的製造方法(2)及(3)之製程 (B1)、及配線基板的製造方法(1)之製程(B2)，以薄膜化處理液實施使非曝光部之防焊層2、及第一防焊層2-1成為連結墊3之厚度以下為止的薄膜化，來使連結墊3之一部分露出。配線基板的製造方法(1)之製程(B1)、及配線基板的製造方法(3)之製程(B3)時，在連結墊3未露出之範圍，以薄膜化處理液實施非曝光部之防焊層2、及第二防焊層2-2的薄膜化。使用膜狀防焊劑來配設支撐層膜時，剝離支撐層膜後再執行薄膜化。
配線基板的製造方法(2)及(3)之製程 (B1)、及配線基板的製造方法(1)之製程(B2)時，以薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1的厚度成為與所露出之連結墊3的厚度相同、或更薄為止來實施薄膜化。薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1之厚度太薄的話，露出之連結墊3之間的電氣絕緣不足，有時會發生無電解鎳/金電鍍之短路，或者，有時連結墊3之間會發生焊劑所導致的短路。所以，薄膜化後之防焊層2、及第一防焊層2-1的厚度，以連結墊3之厚度的3分之1以上為佳，3分之2以上更佳。
配線基板的製造方法(1)之製程(B1)及(B2)、配線基板的製造方法(2)之製程(B1)、以及配線基板的製造方法(3)之製程(B1)及(B3)時，薄膜化處理，以薄膜化處理面朝上來實施為佳。薄膜化處理之處理方式，為了使薄膜化處理液中不易發生氣泡，浸漬處理係有效的方法。萬一，薄膜化處理液中發生氣泡時，氣泡在薄膜化處理液中浮上而附著於基板下面，使薄膜化處理面朝上的話，可以抑制氣泡附著於薄膜化處理面。
配線基板的製造方法(2)及(3)之製程(D)時，以顯影來除去非曝光部之第二防焊層2-2。配線基板的製造方法(1)而於完成至製程(C5)為止之電路基板1上殘留有不必要的防焊層2時，於製程(C5)後之製程(D1)，以顯影除去不必要之防焊層2。顯影方法，採用符合使用之防焊劑的顯影液，對電路基板表面進行噴霧，除去各防焊層之不需要部分。顯影液，係使用稀 薄之鹼水溶液，一般而言，係使用0.3~3質量%之碳酸鈉水溶液或碳酸鉀水溶液。
〔實施例〕
以下，利用實施例來針對本發明進行更詳細的說明，然而，本發明並未受限於該實施例。
實施例1~4，係第3-1圖及第3-2圖所示之配線基板的製造方法(1)的相關例。
(實施例1) <製程(A)>
利用半加法，製作於表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面，有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)於上述電路基板1表面。藉此，形成防焊層2。防焊層2，從絕緣層4表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。
<製程(C1)>
對防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結 墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
<製程(B1)>
剝離防焊層2上之支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜化處理面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之防焊層2的厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面上5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。
<製程(C2)>
對防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量400mJ/cm2之氧環境下的非接觸曝光來實施曝光。
<製程(B2)>
使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜化處理面朝上，將電路基板1浸漬 於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之防焊層2之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。藉由製程(C2)之氧環境下的非接觸曝光，從距離配置於表面之電子構件連結用連結墊3端部200μm的外周至距離400μm之外周為止之區域之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，防焊層2的厚度減少0.5μm。
<製程(C5)>
對防焊層2，使用對於製程(B2)被薄膜化之區域部分及從該薄膜化區域之境界部至200μm外側為止之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
其次，為了使防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19.5μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之 間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19.5μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
利用超深度形狀測定顯微鏡(KEYENCE CORPORATION製、商品編號「VK-8500」)之算術平均表面粗細度Ra，係採用以JIS B0601-1994表面粗細度-定義為基準之計算式。而且，測定區域為900μm2，基準長度為40μm。
(實施例2)
除了製程(C2)及(C5)的曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(B2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著防焊層2。藉由製程(C2)及(C5)之氧環境下的非接觸曝光，於製程(C1)之接觸曝光而被照射活性光線6之區域以外之防焊層2表面的光聚合獲得抑制，結果，距離配置於表面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之防焊層2的厚度減少1.0μm。
其次，為了使防焊層2硬化，以曝光量 1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度11μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
(實施例3)
除了製程(C2)及(C5)的曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(B2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著防焊層2，未確認到製程(C2)及(C5)之氧聚合妨礙所導致之防焊層2的膜減。
其次，為了使防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘 之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
(實施例4)
除了製程(C2)及(C5)以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例1相同之方法，實施製程(A)~製程(B2)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，於電子構件連結用連結墊3之間，充填著防焊層2。藉由充份執行製程(C2)及(C5)之接觸曝光時的排氣，而在非氧環境下實施曝光，故防焊層2表面未粗面化，結果，防焊層2的厚度未減少。
其次，為了使防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘 之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之防焊層2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之防焊層2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例1~4時，因為相鄰電子構件連結用連 結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。此外，實施例1~4所製作之電路基板，具有防止填膠從電子構件與電路基板之空隙溢出至周圍的堤壩構造，即使為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性而充填充份之填膠時，填膠也不會從電子構件與電路基板之空隙流出至周圍，故可防止對電氣作動產生不良影響。比較實施例1~4的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間及周圍之防焊層2表面平滑之實施例4所製造的配線基板，實施例1~3所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
(比較例1)
比較例1，係第6圖所示之傳統技術之配線基板的製造方法之相關例。
<製程(A)>
利用半加法，製作於表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面側有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度25μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1表面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成防焊層2。防焊層2，從絕緣層4表面之厚度為30μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為15μm。
<製程(C1)>
對防焊層2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
<製程(B)>
剝離防焊層2上之支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜 化處理面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液50秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之防焊層2之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均20μm之防焊層2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，防焊層2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。
<製程(C3)>
對防焊層2，使用對於製程(B)被薄膜化之區域部分及從該薄膜化區域之境界部至200μm外側為止之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
其次，為了使防焊層2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm之防焊層2所覆蓋，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之防焊層2。
其次，測定相鄰電子構件連結用連結墊3間之防焊層2之表面粗細度。使用超深度形狀測定顯微鏡(KEYENCE CORPORATION(KEYENCE)製、商品編號 「VK-8500」)測定表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
比較例1之安裝電子構件時，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2，可以確實防止焊劑所導致的電氣短路。然而，比較例1所製作之電路基板，不具有用以防止填膠從電子構件與電路基板之空隙溢出至周圍的堤壩構造。所以，為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性而充填充份之填膠時，填膠從電子構件與電路基板之空隙流出至周圍，而發生電氣作動不良。
實施例5~8，係第4-1圖及第4-2圖所示之配線基板的製造方法(2)的相關例。
(實施例5) <製程(A1)>
利用半加法，製作於表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1表面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一防焊層2-1。第一防焊層2-1，從絕緣層4表面之厚度為20μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為5μm。
<製程(C1)>
對第一防焊層2-1，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
<製程(B1)>
剝離第一防焊層2-1上之支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜化處理面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之第一防焊層2-1之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之第一防焊層2-1的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一防焊層2-1表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。
<製程(C3)>
對第一防焊層2-1，使用對於製程(B1)被薄膜化之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
<製程(A2)>
使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於完成至製程(C3)為止之電路基板1之第一防焊層2-1上(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第二防焊層2-2。第二防焊層2-2，從絕緣層4表面之厚度為30μm。
<製程(C4)>
對第二防焊層2-2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
<製程(D)>
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去非曝光部之第二防焊層2-2。藉此，形成填膠堰塞用堤壩，同時，使從為第二防焊層2-2所覆蓋之第一防焊層2-1露出之狀態的電子構件連結用連結墊3、及其周圍之第一防焊層2-1再度露出。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於表面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表 面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層 2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於第一面之複數電子構 件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
(實施例6)
除了製程(C3)的曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例5相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下6.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於表 面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚度減少1.0μm。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
(實施例7)
除了製程(C3)的曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例5相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2- 1，未確認到製程(C3)之氧聚合妨礙所導致之第一防焊層2-1的膜減。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層 2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
(實施例8)
除了製程(C3)以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例5相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。因為於製程(C3)以接觸曝光時之充份排氣來實施非 氧環境下的曝光，第一防焊層2-1表面未粗面化，結果，第一防焊層2-1的厚度未減少。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層 2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.05μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例5~8時，因為相鄰電子構件連結用連 結墊3之間有足夠厚度之第一防焊層2-1，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。此外，實施例5~8所製作之電路基板，具有防止填膠從電子構件與電路基板之空隙溢出至周圍的堤壩構造，即使為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性而充填充份之填膠時，填膠也不會從電子構件與電路基板之空隙流出至周圍，故可防 止對電氣作動產生不良影響。比較實施例5~8的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1之表面平滑之實施例8所製造的配線基板，實施例5~7所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
實施例9~12，係第5-1圖及第5-2圖所示之配線基板的製造方法(3)的相關例。
(實施例9) <製程(A1)>
利用半加法，製作於表面形成有導體配線7之電路基板1(面積170mm×200mm、導體厚度15μm、基板厚度0.4mm)。於表面有當做電子構件連結用連結墊3來使用之線寬25μm、間隔50μm的導體配線。其次，使用真空層合機，將厚度15μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於上述電路基板1表面(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第一防焊層2-1。第一防焊層2-1，從絕緣層4表面之厚度為20μm，電子構件連結用連結墊3上之厚度為5μm。
<製程(B1)>
剝離第一防焊層2-1上之支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜化處理面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液 25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之第一防焊層2-1之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面下5.0μm為止，實施平均10μm之第一防焊層2-1的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第一防焊層2-1表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。
<製程(C3)>
對第一防焊層2-1，使用對於製程(B1)被薄膜化之區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
<製程(A2)>
使用真空層合機，將厚度20μm之防焊膜(TAIYO INK MFG.CO.,LTD.製、商品名稱：PFR-800 AUS410)真空熱壓接合於完成至製程(C3)為止之電路基板1之第一防焊層2-1上(疊合溫度75℃、吸引時間30秒、加壓時間10秒)。藉此，形成第二防焊層2-2。第二防焊層2-2，從絕緣層4表面之厚度為30μm。
<製程(C4)>
對第二防焊層2-2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部400μm之外周更為外側的區域照射活 性光線6之圖案的光罩5，以曝光量200mJ/cm2實施接觸曝光。
<製程(B3)>
剝離第二防焊層2-2上之支撐層膜後，使用10質量%之偏矽酸鈉水溶液(液溫25℃)當做薄膜化處理液，使薄膜化處理面朝上，將電路基板1浸漬於薄膜化處理液25秒鐘，實施膠束化處理(薄膜化處理)。其後，實施利用膠束除去液(液溫25℃)之噴霧的膠束除去處理、水洗處理(液溫25℃)、及乾燥處理，使非曝光部之第二防焊層2-2之厚度成為電子構件連結用連結墊3之表面上5.0μm為止，實施平均10μm之第二防焊層2-2的薄膜化。以光學顯微鏡進行觀察，第二防焊層2-2表面沒有處理不均，而得到良好的面內均一性。
<製程(C6)>
對第二防焊層2-2，使用對比距離複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm之外周更為外側的區域照射活性光線6之圖案的光罩5，利用氧環境下之非接觸曝光，以曝光量400mJ/cm2實施曝光。
<製程(D)>
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫度30℃、噴霧壓0.15MPa)實施30秒鐘顯影，除去非曝光部之第二防焊層 2-2。藉此，形成填膠堰塞用堤壩，同時，使從為第二防焊層2-2所覆蓋之第一防焊層2-1露出之狀態的電子構件連結用連結墊3、及其周圍之第一防焊層2-1再度露出。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.5μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於表面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚度減少0.5μm。此外，藉由製程(C6)之氧環境下的非接觸曝光，距離配置於表面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的光聚合獲得抑制，結果，厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的厚度減少0.5μm。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19.5μm之第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10.5μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.5μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19.5μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.40μm。
(實施例10)
除了製程(C3)及(C6)的曝光量為200mJ/cm2以外，以與實施例9相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下6.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。藉由製程(C3)之氧環境下的非接觸曝光，配置於表面之電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1表面的光聚合獲得抑制，結果，第一防焊層2-1的厚度減少1.0μm。此外，藉由製程(C6)之氧環境下的非接觸曝光，距離配置於表面之複數電子構件連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的光聚合獲得抑制，結果，厚度20μm之第二防焊層2-2之表面的厚度減少1.0μm。
其次，為了使防焊層2-1及2-2硬化，以曝光 量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及19μm 之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度11μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度9.0μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度19μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.50μm。
(實施例11)
除了製程(C3)及(C6)的曝光量為1000mJ/cm2以外，以與實施例9相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1，未確認到製程(C3)及(C6)之氧聚合妨礙所導致之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2的膜減。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理，而得到配線基板。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所 覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10.0μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之區域之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.30μm。
(實施例12)
除了製程(C3)及(C6)以接觸曝光方式實施曝光以外，以與實施例9相同之方法，實施製程(A1)~製程(D)。以光學顯微鏡進行觀察，結果，至配置於表面之電子構件連結用連結墊3的表面下5.0μm為止，充填著第一防焊層2-1。因為於製程(C3)及(C6)以接觸曝光時之充份排氣來實施非氧環境下的曝光，防焊層2表面未粗面化，結果，第一防焊層2-1及第二防焊層2-2的厚度未減少。
其次，為了使第一防焊層2-1及第二防焊層2-2硬化，以曝光量1000mJ/cm2實施全面曝光，接著，以150℃實施60分鐘之熱硬化處理。以光學顯微鏡進行觀察，結果，厚度15μm之導體配線7為厚度30μm及20μm 之第一防焊層2-1及第二防焊層2-2所覆蓋，形成相當於該段差之厚度10μm的填膠堰塞用堤壩。此外，厚度15μm之電子構件連結用連結墊3露出，於相鄰電子構件連結用連結墊3之間，充填著厚度10μm之第一防焊層2-1。
其次，測定距離配置於表面之複數電子構件 連結用連結墊3之端部200μm的外周、及距離該端部400μm之外周之間之區域之厚度20μm之第二防焊層2-2的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。此外，測定相鄰電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1的表面粗細度，表面粗細度Ra為0.10μm。
實施例9~12時，因為相鄰電子構件連結用 連結墊3之間有足夠厚度之第一防焊層2-1，可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。此外，實施例9~12所製作之電路基板，具有防止填膠從電子構件與電路基板之空隙溢出至周圍的堤壩構造，即使為了確保電子構件與電路基板之連結信賴性而充填充份之填膠時，填膠也不會從電子構件與電路基板之空隙流出至周圍，故可防止對電氣作動產生不良影響。比較實施例9~12的話，相較於電子構件連結用連結墊3之間之第一防焊層2-1之表面平滑之實施例12所製造的配線基板，實施例9~11所製造的配線基板，填膠之黏著性高，連結信賴性優良。
如上面之說明所示，實施例1~12所製造之配線基板，電子構件連結用連結墊3之一部分從防焊層2 (第一防焊層2-1)露出，此外，具有由二段構造之防焊 層2(第一防焊層2-1及第二防焊層2-2)所形成的填膠堰塞用堤壩。使用該配線基板來進行覆晶連接時，可以防止充填於電子構件與配線基板之間的填膠溢出至周圍而對電氣連結信賴性產生的不良影響。此外，即使是以高密度配置著電子構件連結用連結墊3之配線基板時，因為於相鄰電子構件連結用連結墊3之間有足夠厚度之防焊層2(第一防焊層2-1)，故可以確實防止安裝電子構件時之焊劑所導致的電氣短路。絕緣層4與電子構件連結用連結墊3之接著強度及電子構件連結用連結墊3與焊劑之接著強度較大，而得到高連結信賴性。此外，配線基板的製造方法(1)之製程(C2)及(C5)、配線基板的製造方法(2)之製程(C3)、以及配線基板的製造方法(3)之製程(C3)及(C6)之曝光，以氧環境下之非接觸曝光方式來實施時，因為電子構件連結用連結墊3之間及周圍之防焊層2(第一防焊層2-1、第二防焊層2-2)表面被充份粗面化，填膠之黏著性良好，得到高連結信賴性。
本發明之配線基板的製造方法，例如，可以 適用於用以製造具有以連結半導體晶片及其他配線基板等電子構件為目的之複數連結墊之配線基板的用途。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧防焊層
3‧‧‧電子構件連結用連結墊、連結墊
4‧‧‧絕緣層
7‧‧‧導體配線

Claims (15)

  1. 一種配線基板的製造方法，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成防焊層之製程(A)；對防焊層，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C1)；以薄膜化處理液，在連結墊未露出之範圍，實施非曝光部之防焊層之薄膜化的製程(B1)；對防焊層，實施於後製程之製程(B2)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C2)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B2)；以及對防焊層，實施於製程(B2)被薄膜化之區域部分之曝光的製程(C5)。
  2. 一種配線基板的製造方法，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成第一防焊層之製程(A1)； 對第一防焊層，實施於後製程之製程(B1)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C1)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B1)；對第一防焊層，實施於製程(B1)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板的第一防焊層上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影區域以外之部分之曝光的製程(C4)：以及以顯影液除去非曝光部之第二防焊層的製程(D)。
  3. 一種配線基板的製造方法，係於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板，於電路基板表面具有防焊層，連結墊之一部分從防焊層露出之配線基板的製造方法，其特徵為含有：於絕緣層表面形成有連結墊之電路基板的表面，形成第一防焊層之製程(A1)；以薄膜化處理液，實施使非曝光部之第一防焊層成為連結墊之厚度以下為止之薄膜化，來使連結墊之一部分露出的製程(B1)；對第一防焊層，實施於製程(B1)被薄膜化區域部分之曝光的製程(C3)；於完成至(C3)製程為止之電路基板的第一防焊層 上，形成第二防焊層之製程(A2)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(B3)被薄膜化區域以外之部分之曝光的製程(C4)；以薄膜化處理液，在連結墊未露出之範圍，實施非曝光部之第二防焊層之薄膜化的製程(B3)；對第二防焊層，實施於後製程之製程(D)被顯影區域以外之部分之曝光的製程(C6)；以及以顯影液除去非曝光部之第二防焊層的製程(D)。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C2)及製程(C5)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
  5. 如申請專利範圍第2項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
  6. 如申請專利範圍第3項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)及製程(C6)之曝光，係以氧環境下之非接觸曝光方式來實施。
  7. 如申請專利範圍第1或4項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C2)及製程(C5)之曝光量，係製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
  8. 如申請專利範圍第2或5項之其中任一項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)之曝光量，係製程(C1)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
  9. 如申請專利範圍第3或6項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(C3)及製程(C6)之曝光量，係製程(C4)之曝光量的1倍以上、5倍以下。
  10. 如申請專利範圍第1或4項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
  11. 如申請專利範圍第2或5項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
  12. 如申請專利範圍第3或6項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
  13. 如申請專利範圍第7項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B2)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
  14. 如申請專利範圍第8項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
  15. 如申請專利範圍第9項所記載之配線基板的製造方法，其中製程(B1)及製程(B3)之防焊層的薄膜化處理，係以薄膜化處理面朝上來實施。
TW103120347A 2013-06-14 2014-06-12 配線基板的製造方法 TWI700974B (zh)

Applications Claiming Priority (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-125179 2013-06-14
JP2013125179 2013-06-14
JP2013-131839 2013-06-24
JP2013131839 2013-06-24
JP2013139706 2013-07-03
JP2013-139706 2013-07-03
JP2013150824 2013-07-19
JP2013-150824 2013-07-19
JP2013-150825 2013-07-19
JP2013150825 2013-07-19
JP2013151335 2013-07-22
JP2013-151335 2013-07-22
JP2014111574 2014-05-29
JP2014-111574 2014-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201513758A true TW201513758A (zh) 2015-04-01
TWI700974B TWI700974B (zh) 2020-08-01

Family

ID=52022186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120347A TWI700974B (zh) 2013-06-14 2014-06-12 配線基板的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (3) JP6224531B2 (zh)
KR (1) KR102082641B1 (zh)
CN (3) CN107846786B (zh)
TW (1) TWI700974B (zh)
WO (1) WO2014199890A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI731376B (zh) * 2019-07-22 2021-06-21 頎邦科技股份有限公司 具有粗化防焊層的軟質線路基板及其製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016012702A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 ファナック株式会社 ソルダコートの濡れ性と耐食性を両立させたプリント基板およびその製造方法
TWI645760B (zh) * 2017-10-27 2018-12-21 南亞電路板股份有限公司 電路板及其製造方法
CN108289388A (zh) * 2017-12-07 2018-07-17 江门崇达电路技术有限公司 一种预防上锡不良的pcb制作方法
JP7142604B2 (ja) 2019-05-15 2022-09-27 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法
JP7498549B2 (ja) * 2019-09-11 2024-06-12 太陽ホールディングス株式会社 積層硬化体、硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、および、積層硬化体の製造方法
JP7498550B2 (ja) * 2019-09-11 2024-06-12 太陽ホールディングス株式会社 積層硬化体、硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、および、積層硬化体の製造方法
JP2021163851A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストパターンの形成方法
KR20210129410A (ko) * 2020-04-20 2021-10-28 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
CN113747681B (zh) * 2020-05-27 2023-01-17 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 嵌埋元件的软硬结合电路板及其制作方法
US11551939B2 (en) * 2020-09-02 2023-01-10 Qualcomm Incorporated Substrate comprising interconnects embedded in a solder resist layer
KR20220039385A (ko) 2020-09-22 2022-03-29 삼성전자주식회사 인터포저 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US20220328394A1 (en) * 2021-04-07 2022-10-13 Mediatek Inc. Three-dimensional pad structure and interconnection structure for electronic devices
TWI780783B (zh) * 2021-06-18 2022-10-11 大陸商律勝科技（蘇州）有限公司 印刷電路板之製造方法及具保護層之印刷電路板
CN116801482B (zh) * 2022-03-18 2024-05-10 华为技术有限公司 电路板组件及其加工方法、电子设备
KR102674312B1 (ko) * 2023-01-13 2024-06-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS346263B1 (zh) 1957-01-18 1959-07-18
JPS61256789A (ja) * 1985-05-10 1986-11-14 株式会社日立製作所 プリント配線板製造方法
JP2910261B2 (ja) * 1991-02-13 1999-06-23 松下電器産業株式会社 プリント配線板とその製造方法
JPH05226505A (ja) 1992-02-18 1993-09-03 Ibiden Co Ltd プリント配線板
JP3182371B2 (ja) * 1997-06-05 2001-07-03 三洋電機株式会社 空気調和機
JP3856414B2 (ja) * 1997-12-25 2006-12-13 日本ビクター株式会社 プリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板
JP2001135919A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc プラスチックパッケージの製造方法
JP3883948B2 (ja) * 2002-10-16 2007-02-21 大日本印刷株式会社 多層配線基板およびフリップチップ方式の半導体パッケージ
JP3912405B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-09 三菱化学株式会社 硬化性組成物、硬化物、カラーフィルタ及び液晶表示装置
TWI259572B (en) * 2004-09-07 2006-08-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Bump structure of semiconductor package and fabrication method thereof
US7420282B2 (en) * 2004-10-18 2008-09-02 Sharp Kabushiki Kaisha Connection structure for connecting semiconductor element and wiring board, and semiconductor device
US7326636B2 (en) * 2005-05-24 2008-02-05 Agilent Technologies, Inc. Method and circuit structure employing a photo-imaged solder mask
CN101945533B (zh) * 2006-05-17 2013-04-03 三菱制纸株式会社 电路基板
JP5255545B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストの形成方法
KR101047139B1 (ko) * 2009-11-11 2011-07-07 삼성전기주식회사 단층 보드온칩 패키지 기판 및 그 제조방법
JP5444050B2 (ja) * 2010-03-12 2014-03-19 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストパターンの形成方法
CN103109588B (zh) * 2010-09-28 2016-09-07 三菱制纸株式会社 阻焊图案的形成方法
JP5830925B2 (ja) 2011-05-10 2015-12-09 日立化成株式会社 プリント配線板の製造方法
JP3182371U (ja) * 2012-02-10 2013-03-21 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI731376B (zh) * 2019-07-22 2021-06-21 頎邦科技股份有限公司 具有粗化防焊層的軟質線路基板及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI700974B (zh) 2020-08-01
CN105309053B (zh) 2018-03-09
KR102082641B1 (ko) 2020-02-28
JP6514808B2 (ja) 2019-05-15
CN105309053A (zh) 2016-02-03
CN107846786B (zh) 2021-03-05
JP6224531B2 (ja) 2017-11-01
JP2016006809A (ja) 2016-01-14
CN107846786A (zh) 2018-03-27
JP2017195380A (ja) 2017-10-26
CN107809854A (zh) 2018-03-16
JP2018139319A (ja) 2018-09-06
KR20160020407A (ko) 2016-02-23
JP6416324B2 (ja) 2018-10-31
WO2014199890A1 (ja) 2014-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6514808B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP6514807B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR20200000700U (ko) 프린트 배선판
KR20140005664U (ko) 프린트 배선판
JP3209290U (ja) プリント配線板
KR200491846Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP2015015289A (ja) プリント配線板の製造方法
JP4826103B2 (ja) 半導体装置用基板、および半導体素子用ｂｇａパッケージ
TWI675256B (zh) 阻焊劑圖型之形成方法
JP2013080889A (ja) プリント回路基板及びその製造方法
JP2006210770A (ja) 半導体装置搭載用基板、および半導体素子用ｂｇａパッケージ