JP6514807B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳しくは、半導体チップや他のプリント配線板等の電子部品を接続するための複数の接続パッドを有する配線基板の製造方法に関する。

各種電気機器内部の配線基板は、その片表面又は両表面に、絶縁層と、絶縁層の表面に形成された導体配線とを有する回路基板を有している。また、配線基板の回路基板表面には、半田付け不要な導体配線に半田が付着しないようにするために、半田付けされない部分全面にソルダーレジスト層が形成されている。このソルダーレジスト層は、導体配線の酸化防止、電気絶縁及び外部環境からの保護という役割を果たしている。

また、配線基板上に半導体チップ等の電子部品を搭載する場合、配線基板の表面には、半導体チップ、他のプリント配線板等の電子部品と接続するための多数の接続パッドが形成されている。接続パッドは、回路基板表面の導体配線の全体又は一部をソルダーレジスト層から露出させることにより作製されている。近年、この接続パッドの高密度化が進んでおり、配置される接続パッド同士のピッチが狭くなっていて、例えば５０μｍ以下の狭ピッチもある。

高密度に配置された接続パッドに電子部品を搭載する方法として、フリップチップ接続による方法がある。フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた電子部品接続用接続パッドの一部を電子部品の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この電子部品接続用接続パッドの露出部と電子部品の電極端子とを対向させ、半田バンプを介して電気的に接続することをいう。

接続パッドには、ソルダーレジスト層を部分的に除去し、接続パッド表面の全体又は一部を露出させているＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造と、ソルダーレジスト層を部分的に除去し、接続パッドを完全に露出させているＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造がある。

図１Ａは、ＳＭＤ構造を有する配線基板の一例を示す概略断面図である。絶縁層８表面に導体配線７と導体配線の一部である接続パッド３が設けられた回路基板１表面にソルダーレジスト層２が形成されている。接続パッド３はその周辺近傍がソルダーレジスト層２によって被覆されている。そのため、機械的衝撃による接続パッド３の剥れや接続パッド３からの引き出し配線におけるネック部の断線が起こりにくいという利点がある。その反面、電子部品の電極端子とこれに対応する接続パッド３との電気的な接続を確実に固定するために、接続パッド３の露出面に形成する接合部に必要な半田量を確保する必要があり、接続パッド３が大型化してしまうため、電子部品の小型化及び高性能化に伴う接続パッド３の高密度化の要求に対応することが難しくなってきている。

図１Ｂは、ＮＳＭＤ構造を有する配線基板の一例を示す概略断面図である。絶縁層８表面に導体配線７と導体配線の一部である接続パッド３が設けられた回路基板１表面にソルダーレジスト層２が形成されている。ソルダーレジスト層２の同一開口内に複数の接続パッド３が配置されていて、これらの接続パッド３はソルダーレジスト層２から露出している。ＮＳＭＤ構造では、接続パッド３は、その周辺近傍のソルダーレジスト層２が完全に除去され、接続パッド３の側面が完全に露出している。そのため、ＳＭＤ構造と比較して、小さな接続パッド３でも接続パッド３と半田との接着強度を確保することができる。その反面、接続パッド３の側面が完全に露出することによって、接続パッド３と絶縁層８との間の接着強度が低下するおそれがある。また、狭ピッチで配置した接続パッド３では、後工程における無電解ニッケル／金めっきで、接続パッド３間で短絡が発生する場合や、接続パッド３上に半田バンプを配設しようとすると、溶融した半田が隣接する接続パッド３にまで流出し、接続パッド３間で短絡する場合がある。

接続パッドと絶縁層との間の接着強度の問題を解決するために、レーザー光照射によって回路基板表面に設けたソルダーレジスト層の一部に深さ０〜１５μｍ程度の開口部を形成することにより、接続パッド側面の一部がソルダーレジスト層から露出した構造をもつプリント配線板を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された方法で得られたプリント配線板を用いることによって、ソルダーレジスト層の下部に存在する接続パッドを完全に露出させたプリント配線板と比較して、接続パッドと絶縁層との間の接着強度を向上させることが可能となる。

また、狭ピッチで配置した接続パッド３における短絡の問題を解決するために、隣接する接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填された配線基板を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の方法によると、図２に示すような、接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填され、かつ、充填されているソルダーレジスト層２の厚さが接続パッド３の厚さ以下であるＮＳＭＤ構造を形成することができる。具体的には、回路基板１上にソルダーレジスト層２を形成し、ソルダーレジスト層２の厚さが接続パッド３の厚さ以下になるまで薄膜化される領域以外の部分を露光後、アルカリ水溶液である薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで非露光部のソルダーレジスト層２を薄膜化する。これにより、接続パッド３の厚さ以下の部分と接続パッド３の厚さ超の部分を含む多段構造を有するソルダーレジスト層２が形成され、接続パッド３となる一部の導体配線が露出している配線基板を製造することができる。

通常、電子部品を搭載する配線基板では、裏面には外部接続用接続パッドが高密度で多数形成されている。外部接続用接続パッドも、回路基板裏面の導体配線の一部がソルダーレジスト層から露出することにより作製されている。この外部接続用接続パッドの露出部とマザーボード等の外部電気基板の導体配線とを対向させ、半田バンプを介して電気的に接続する。

回路基板の両面にソルダーレジスト層を形成する場合、接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さは、接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度によって変化する。例えば、導体配線の密度が小さい場合、導体配線間の隙間に充填されるソルダーレジスト層の量が多くなり、接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さは薄くなる傾向がある。一方、導体配線の密度が大きい場合、導体配線間の隙間に充填されるソルダーレジスト層の量が少なくなり、接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さは厚くなる傾向がある。

フリップチップ接続により電子部品を搭載する配線基板の場合、表面の電子部品接続用接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度に比べ、裏面の外部接続用接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度が大きい場合がある。そのため、裏面の外部接続用接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さが、表面の電子部品接続用接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さよりも厚くなる場合がある。薄膜化処理液によってソルダーレジスト層を薄膜化して接続パッドを露出させる方法において、両面同時に薄膜化しようとした場合、次のような問題が生じる場合があった。

まず、表面のソルダーレジスト層２を電子部品接続用接続パッド３の厚さ以下になるまで薄膜化することを基準とした場合、裏面のソルダーレジスト層２も同時に表面と同じ量だけ薄膜化されるが、裏面のソルダーレジスト層２が表面のソルダーレジスト層２よりも厚いことから、裏面の外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２が残渣として残り、この残渣によって電気的絶縁不良が発生するという問題が生じる場合があった（図３）。

反対に、裏面のソルダーレジスト層２を外部接続用接続パッド４の厚さ以下になるまで薄膜化することを基準とした場合、表面のソルダーレジスト層２も同時に裏面と同じ量だけ薄膜化されるが、裏面のソルダーレジスト層２が表面のソルダーレジスト層２よりも厚いことから、表面の電子部品接続用接続パッド３間を充填しているソルダーレジスト層２の厚さが、所望の厚さよりも薄くなってしまい、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の短絡が発生するという問題が生じる場合があった。

ところで、回路基板上に電子部品をフリップチップ接続したプリント配線板では、電子部品と回路基板との接続信頼性を確保するために、電子部品と回路基板との空隙をアンダーフィル（封止樹脂）で充填して補強する。補強効果を確保するためには、電子部品と回路基板の空隙に充分な量のアンダーフィルを充填しなければならない。しかしながら、特許文献１によって得られるプリント配線板を使用してフリップチップ接続を行った場合、補強効果を確保するために充分なアンダーフィルを充填した際に、アンダーフィルが電子部品と回路基板の空隙から周囲へ溢れてしまい、電気的な作動に悪影響を及ぼす場合があった。そのため、アンダーフィルが周囲に溢れてしまうことを防止するために、ダム構造を有するプリント配線板が提案されている（例えば、特許文献３〜５参照）。

特許文献３には、導体回路を有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成した後、部分露光を行い、その後未露光部を現像処理することで、ソルダーレジスト層から接続パッド上部を部分的に露出させる開口部を形成し、次に２回目の部分露光を行い、その後２回目の部分露光の未露光部をデスミア処理によって薄膜化し、ダム形状を形成する方法が開示されている。この方法によるソルダーレジスト層の開口部は、ＳＭＤ構造であるため、電子部品の電極端子とこれに対応する接続パッドとの電気的な接続を確実に固定することが難しく、接続パッドと半田ボールの電気的な接続が不十分となる場合があった。また、この方法によるダム構造の形成はデスミア処理によって行われているため、ソルダーレジスト層が粗面化されることでソルダーレジスト層の強度が低下してしまい、プリント配線板の信頼性が充分に確保できない場合があった。

特許文献４には、導体回路を有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成した後、部分露光を行い、その後未露光部を現像処理することで、ソルダーレジスト層から接続パッドを完全に露出させる開口部を形成し、次に２回目のソルダーレジストを形成した後、１回目の部分露光領域よりも１回り大きな未露光部が発生する２回目の部分露光を行い、その後未露光部を現像することによってダム形状を形成する方法が開示されている。この方法によるソルダーレジスト層の開口部は、ＮＳＭＤ構造であり、接続パッドはその周辺近傍のソルダーレジスト層が完全に除去され、接続パッドの側面が完全に露出することによって、接続パッドと絶縁層との間の接着強度が低下するおそれがある。

特許文献５には、導体回路を有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成した後、部分露光工程を行い、その後未露光部のソルダーレジスト層を薄膜化することでソルダーレジスト層に開口部とダム形状を形成する方法が開示されている。この方法によるソルダーレジスト層の開口部は、ＳＭＤ構造であり、接続パッドはその周辺近傍がソルダーレジスト層に被覆されているため、電子部品の電極端子とこれに対応する接続パッドとの電気的な接続を確実に固定することが難しく、接続パッドと半田ボールの電気的な接続が不十分となる場合があった。

特許３３４６２６３号公報 国際公開第２０１２／０４３２０１号パンフレット 特開２０１２−２３８６６８号公報 特開平０５−２２６５０５号公報 特開２０１１−７７１９１号公報

本発明の課題は、絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、配線基板の両表面で、ソルダーレジスト層から露出している接続パッド間で電気的な短絡がなく、露出している接続パッド上にソルダーレジスト層の残渣が残らない配線基板の製造方法を提供することである。また、本発明の他の課題は、接続パッドと絶縁層及び接続パッドと半田との接着強度が高く、アンダーフィル流出による電気的作動不良が無く、ソルダーレジスト層の強度が高いプリント配線板を得ることができるプリント配線板の製造方法を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記発明によって、上記課題を解決できることを見出した。

（１）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
（Ａ）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なるソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）第二面のソルダーレジスト層よりも厚さが薄い第一面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｃ２）第二面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
（Ｃ３）第一面のソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
（Ｄ）第二面の非露光部のソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（２）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
（Ａ）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なるソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）第二面のソルダーレジスト層よりも厚さが薄い第一面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ１）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｃ２）第二面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ１）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドが露出しない範囲で、非露光部のソルダーレジスト層が薄膜化される工程、
（Ｃ４）第一面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ２）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ２）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
（Ｃ５）第一面のソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ２）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
（Ｄ）第二面の非露光部のソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（３）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
（Ａ１）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）第二面の第一ソルダーレジスト層よりも厚さが薄い第一面の第一ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｃ２）第二面の第一ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
（Ｃ３）第一面の第一ソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
（Ａ２）（Ｃ３）工程まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層上に、第二ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ６）第一面の第二ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｄ１）第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（４）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
（Ａ１）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ１）第二面の第一ソルダーレジスト層よりも厚さが薄い第一面の第一ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｃ２）第二面の第一ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
（Ｃ３）第一面の第一ソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
（Ｄ）第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
（Ａ２）（Ｄ）工程まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層上に、第二ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ６）第一面の第二ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ２）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｄ２）第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（５）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
（Ａ１）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ２）第二面の第一ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
（Ｃ３）第一面の第一ソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
（Ａ２）（Ｃ３）工程まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層上に、第二ソルダーレジスト層が形成される工程、
（Ｃ６）第一面の第二ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ３）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｂ３）第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッドが露出しない範囲で、非露光部の第二ソルダーレジスト層が薄膜化される工程、
（Ｃ７）第一面の第二ソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
（Ｄ１）第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

・（６）工程（Ｃ１）の前に工程（Ｃ２）を行う上記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
・（７）工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）を同時に行う上記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

（８）工程（Ｃ３）における露光が、酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われる上記（１）、（３）、（４）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（９）工程（Ｃ３）及び工程（Ｃ７）における露光が、酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われる上記（５）記載の配線基板の製造方法。
（１０）工程（Ｃ４）及び工程（Ｃ５）における露光が、酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われる上記（２）に記載の配線基板の製造方法。

（１１）工程（Ｃ３）における露光量が、工程（Ｃ１）における露光量の１倍以上５倍以下である上記（１）、（３）、（４）、（８）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（１２）工程（Ｃ３）及び工程（Ｃ７）における露光量が、工程（Ｃ６）における露光量の１倍以上５倍以下である上記（５）又は（９）記載の配線基板の製造方法。
（１３）工程（Ｃ４）及び工程（Ｃ５）における露光量が、工程（Ｃ１）における露光量の１倍以上５倍以下である上記（２）又は（１０）に記載の配線基板の製造方法。

（１４）工程（Ｂ）におけるソルダーレジスト層の薄膜化処理が、薄膜化処理面を上にして行われる上記（１）、（３）、（４）、（８）、（１１）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（１５）工程（Ｂ）及び工程（Ｂ３）におけるソルダーレジスト層の薄膜化処理が、薄膜化処理面を上にして行われる上記（５）、（９）、（１２）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（１６）工程（Ｂ１）及び工程（Ｂ２）におけるソルダーレジスト層の薄膜化処理が、薄膜化処理面を上にして行われる上記（２）、（１０）、（１３）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

本発明によれば、絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、配線基板の両表面で、ソルダーレジスト層から露出している接続パッド間で電気的な短絡がなく、また、露出している接続パッド上にソルダーレジスト層の残渣が残らない配線基板の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、接続パッドと絶縁層及び接続パッドと半田との接着強度が高く、アンダーフィル流出による電気的作動不良が無く、ソルダーレジスト層の強度が高いプリント配線板を得ることができるプリント配線板の製造方法を提供することができる。

配線基板の一例を示す概略断面図である。 配線基板の一例を示す概略断面図である。 配線基板の一例を示す概略断面図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を示す断面工程図である。 本発明によって製造できる配線基板の一例を示す概略断面図である。 本発明によって製造できる配線基板の一例を示す概略断面図である。 本発明によって製造できる配線基板の一例を示す概略断面図である。 本発明によって製造できる配線基板の一例を示す概略断面図である。 多層回路基板の一例を示す概略断面図である。

以下、本発明の配線基板の製造方法について詳細に説明する。

図４−１および図４−２は、配線基板の製造方法（１）の一例を示す断面工程図である。絶縁層８と、絶縁層８の表面に形成された導体配線７とを両表面に有する回路基板を準備する。導体配線７の一部は、接続パッド３及び４である。工程（Ａ）では、回路基板１の両表面において、全面を覆うようにソルダーレジスト層２を形成する。第一面と第二面のソルダーレジスト層２の形成は、両表面同時でも、片面ずつでもよいが、形成するソルダーレジスト層の厚さに応じて、過剰に熱硬化しないような加熱条件を設定する必要がある。両表面におけるソルダーレジスト層２の厚さは異なっており、厚さの薄い方が「第一面」であり、厚さの厚い方が「第二面」である。両表面において、ソルダーレジスト層２を同じ条件で形成した場合、ソルダーレジスト層２の厚さは、各面の接続パッド３及び４を含む導体配線７の密度によって変化する。図４−１では、上側の第一面に比べて、下側の第二面の方が導体配線７の密度が大きく、第二面の導体配線７上のソルダーレジスト層２の厚さが、第一面の導体配線７上のソルダーレジスト層２の厚さよりも厚くなる。なお、電子部品を搭載する配線基板の場合、表面の電子部品接続用接続パッド３を含むその周囲の導体配線７の密度に比べ、裏面の外部接続用接続パッド４を含むその周囲の導体配線７の密度が大きい場合があり、表面が第一面であり、裏面が第二面である。

工程（Ｃ１）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。工程（Ｃ２）では、第二面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分を露光する。ソルダーレジスト層２の露光された部分は、ソルダーレジストが光重合し、薄膜化工程及び現像工程に対して耐性を有するようになる。

工程（Ｂ）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層２を薄膜化して、接続パッド３の一部を露出させる。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｂ）において露出した接続パッド３が電子部品接続用接続パッド３として使用される。工程（Ｂ）では、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２も同時に薄膜化されるが、第一面の接続パッド３上のソルダーレジスト層２よりも第二面の接続パッド４上のソルダーレジスト層２の方が厚いため、接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣が残る。

工程（Ｃ３）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ）で薄膜化された領域部分を露光する。ソルダーレジスト層２の露光された部分は、ソルダーレジストが光重合し、現像工程に対して耐性を有するようになる。

工程（Ｄ）では、第二面において、非露光部のソルダーレジスト層２を、現像液によって除去し、接続パッド４の一部を露出させる。工程（Ｄ）により、接続パッド４上に残っていたソルダーレジスト層２の残渣が除去される。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ）において露出した接続パッド４が外部接続用接続パッド４として使用される。第一面のソルダーレジスト層２において、工程（Ｂ）で薄膜化された領域部分は、工程（Ｄ）の前に行われる工程（Ｃ３）において露光され、現像工程に対する耐性を有しているので、現像液によって除去されない。

配線基板の製造方法（１）では、工程（Ｃ１）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図９に示す断面形状の配線基板を作製することが可能である。図９のａでは、第一面の接続パッド３の間にソルダーレジスト層２の凸部が形成されている。図９のｂでは、第一面において、ソルダーレジスト層２から露出した接続パッド３とソルダーレジスト層２で被覆されている導体配線７が交互に並んでいる。

図５−１、図５−２および図５−３は、配線基板の製造方法（２）の一例を示す断面工程図である。配線基板の製造方法（１）との違いは、第一面において、ソルダーレジスト層２の露光工程と薄膜化工程がそれぞれ一回ずつ追加されている点である。フリップチップ接続により電子部品を配線基板に搭載する場合、電子部品と配線基板の熱膨張係数の差によって、熱衝撃が加わった際、接続部に応力が集中し、接続部の変形や破壊が起こることがある。接続部へ応力が集中するのを防ぎ、接続信頼性を向上させるために、電子部品と配線基板の間がアンダーフィルと呼ばれる樹脂組成物で封止されるのが一般的である。配線基板の製造方法（２）によって、電子部品と配線基板の間に充填するアンダーフィルを堰き止めるためのダム構造を有する二段構造のソルダーレジスト層を形成することができる。

工程（Ａ）では、回路基板１の両表面において、全面を覆うようにソルダーレジスト層２を形成する。工程（Ｃ１）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ１）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。工程（Ｃ２）では、第二面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ１）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３が露出しない範囲で、非露光部のソルダーレジスト層２を薄膜化する。工程（Ｂ１）では、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２も同時に薄膜化される。

工程（Ｃ４）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ２）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ２）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層２を薄膜化して、接続パッド３の一部を露出させる。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｂ２）において露出した接続パッド３が電子部品接続用接続パッド３として使用される。工程（Ｂ２）では、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２も同時に薄膜化されるが、第一面の接続パッド３上のソルダーレジスト層２よりも第二面の接続パッド４上のソルダーレジスト層２の方が厚いため、接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣が残る。

工程（Ｃ５）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ２）で薄膜化された領域部分を露光する。

工程（Ｄ）では、第二面において、非露光部のソルダーレジスト層２を、現像液によって除去し、接続パッド４の一部を露出させる。工程（Ｄ）により、接続パッド４上に残っていたソルダーレジスト層２の残渣が除去される。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ）において露出した接続パッド４が外部接続用接続パッド４として使用される。

配線基板の製造方法（２）では、工程（Ｃ４）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１０に示す断面形状の配線基板を作製することが可能である。図１０のｃでは、第一面の接続パッド３の間にソルダーレジスト層２の凸部が形成されている。図１０のｄでは、第一面において、ソルダーレジスト層２から露出した接続パッド３とソルダーレジスト層２で被覆されている導体配線７が交互に並んでいる。

図６−１、図６−２および図６−３は、配線基板の製造方法（３）の一例を示す断面工程図である。配線基板の製造方法（２）との違いは、第一面のソルダーレジスト層が第一ソルダーレジスト層２−１と第二ソルダーレジスト層２−２から構成されている点である。配線基板の製造方法（３）では、第一面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さを接続パッド３の厚さ以下になるまで薄膜化した後、第一ソルダーレジスト層２−１の表面上に第二ソルダーレジスト層２−２を形成し、露光した後、非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を現像処理する。これによって、配線基板の製造方法（２）を用いた場合と同じく、電子部品と配線基板の間に充填するアンダーフィルを堰き止めるためのダム構造を有する二段構造のソルダーレジスト層を形成することができる。

工程（Ａ１）では、回路基板１の第一面と第二面において、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層２−１を形成する。第一面と第二面の第一ソルダーレジスト層２−１の形成は、両表面同時でも、片面ずつでもよいが、形成するソルダーレジスト層の厚さに応じて、過剰に熱硬化しないような加熱条件を設定する必要がある。

工程（Ｃ１）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１よりも厚さが薄い第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。工程（Ｃ２）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化して、接続パッド３の一部を露出させる。工程（Ｂ）では、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。しかし、第一面の接続パッド３上の第一ソルダーレジスト層２−１よりも第二面の接続パッド４上の第一ソルダーレジスト層２−１の方が厚いため、接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残る。

工程（Ｃ３）では、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分を露光する。

工程（Ａ２）では、工程（Ｃ３）まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、第二ソルダーレジスト層２−２を形成する。この時、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２にかかる加熱条件を調整して、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１の非露光部が過剰に熱硬化しないようにする。

工程（Ｃ６）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｄ１）では、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を、現像液によって除去し、接続パッド３及び４の一部を露出させる。工程（Ｄ１）により、接続パッド４上に残っていた第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が除去される。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ１）において露出した接続パッド３が電子部品接続用接続パッド３として使用され、接続パッド４が外部接続用接続パッド４として使用される。

図７−１、図７−２および図７−３は、配線基板の製造方法（４）の一例を示す断面工程図である。配線基板の製造方法（３）との違いは、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２を形成する前に、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を現像液によって除去する点である。先に第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を現像液によって除去することによって、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２を形成する際に、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１が同時に加熱されて過剰に熱硬化しないように加熱条件を調整する必要がなくなる。配線基板の製造方法（４）では、配線基板の製造方法（２）及び（３）を用いた場合と同じく、電子部品と配線基板の間に充填するアンダーフィルを堰き止めるためのダム構造を有する二段構造のソルダーレジスト層を形成することができる。

工程（Ａ１）では、回路基板１の第一面と第二面において、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層２−１を形成する。工程（Ｃ１）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１よりも厚さが薄い第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。工程（Ｃ２）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化して、接続パッド３の一部を露出させる。工程（Ｂ）では、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。しかし、第一面の接続パッド３上の第一ソルダーレジスト層２−１よりも第二面の接続パッド４上の第一ソルダーレジスト層２−１の方が厚いため、接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残る。

工程（Ｃ３）では、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分を露光する。

工程（Ｄ）では、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を、現像液によって除去し、接続パッド４の一部を露出させる。工程（Ｄ）により、接続パッド４上に残っていた第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が除去される。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ）において露出した接続パッド４が外部接続用接続パッド４として使用される。

工程（Ａ２）では、工程（Ｄ）まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、第二ソルダーレジスト層２−２を形成する。

工程（Ｃ６）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｄ２）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｄ２）では、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を、現像液によって除去し、接続パッド３の一部を露出させる。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ２）において露出した接続パッド３が電子部品接続用接続パッド３として使用される。

配線基板の製造方法（３）及び（４）では、工程（Ｃ１）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１１に示す断面形状の配線基板を作製することが可能である。図１１のｅでは、第一面の接続パッド３の間に第一ソルダーレジスト層２−１の凸部が形成されている。図１１のｆでは、第一ソルダーレジスト層２−１から露出した接続パッド３と第一ソルダーレジスト層２−１で被覆されている導体配線７が交互に並んでいる。

図８−１、図８−２および図８−３は、配線基板の製造方法（５）の一例を示す断面工程図である。配線基板の製造方法（５）では、第一面において、第一ソルダーレジスト層２−１に露光を行う前に第一ソルダーレジスト層２−１の厚さを接続パッド３の厚さ以下になるまで薄膜化処理する。その後、第一ソルダーレジスト層２−１の表面上に第二ソルダーレジスト層２−２を形成し、露光した後、非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を薄膜化処理し、その後、再度露光を行い、残った非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を現像処理する。配線基板の製造方法（５）では、配線基板の製造方法（２）〜（４）を用いた場合と同じく、電子部品と配線基板の間に充填するアンダーフィルを堰き止めるためのダム構造を有する二段構造のソルダーレジスト層を形成することができる。

工程（Ａ１）では、回路基板１の第一面と第二面において、厚さの異なる第一ソルダーレジスト層２−１を形成する。工程（Ｃ２）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化して、全ての接続パッド３の一部を露出させる。工程（Ｂ）では、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。しかし、第一面の接続パッド３上の第一ソルダーレジスト層２−１よりも第二面の接続パッド４上の第一ソルダーレジスト層２−１の方が厚いため、接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残る。

工程（Ｃ３）では、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分を露光する。

工程（Ａ２）では、工程（Ｃ３）まで完了した回路基板の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、第二ソルダーレジスト層２−２を形成する。

工程（Ｃ６）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｂ３）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｂ３）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３が露出しない範囲で、非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を薄膜化する。工程（Ｂ３）では、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。しかし、接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残る場合がある。

工程（Ｃ７）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分を露光する。

工程（Ｄ１）では、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を、現像液によって除去し、接続パッド３の一部を再び露出させ、同時に接続パッド４の一部を露出させる。工程（Ｄ１）により、接続パッド４上に残っていた第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が除去される。電子部品を搭載する配線基板の場合、この工程（Ｄ１）において露出した接続パッド３が電子部品接続用接続パッド３として使用され、接続パッド４が外部接続用接続パッド４として使用される。

配線基板の製造方法（５）では、工程（Ｃ７）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１２に示す断面形状の配線基板を作製することが可能である。図１２のｇでは、第一面の接続パッド３の間に第二ソルダーレジスト層２−２の凸部が形成されている。図１２のｈでは、第一ソルダーレジスト層２−１から露出した接続パッド３と第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２で被覆されている導体配線７が交互に並んでいる。

本発明に係わる回路基板１とは、絶縁層８と、絶縁層８の表面に形成された接続パッド３及び４とを有する。絶縁層８の表面には、導体配線７が形成されていて、接続パッド３及び４は導体配線７の一部である。本発明に係わる配線基板は、回路基板１の両表面にソルダーレジスト層２を有し、ソルダーレジスト層２から接続パッド３及び４の一部が露出している。電子部品を搭載する配線基板の場合、表面に電子部品接続用接続パッド３を有し、裏面に外部接続用接続パッド４を有する。表面の電子部品接続用接続パッド３と電子部品を接合し、裏面の外部接続用接続パッド４と外部電気基板の導体配線を接合する。

本発明に係わる回路基板は、例えば、導体配線が配設された絶縁基板にビルドアップ用の絶縁層や導体配線を交互に積層して作製される。図１３Ａ，Ｂは、導体配線が配設された絶縁基板にビルドアップ用の絶縁層や導体配線を交互に積層して作製された回路基板の一例を示す概略断面図である。本発明の配線基板の製造方法の一例を示した断面工程図である図４−１〜図８−３、本発明によって製造できる配線基板の一例を示す概略断面図である図９〜１２には、絶縁層８を一層有し、絶縁層８の両表面に形成された導体配線７を有する回路基板１が記載されているが、本発明の配線基板の製造方法に使用される回路基板１としては、図１３Ａ，Ｂのように、導体配線が配設された絶縁基板にビルドアップ用の絶縁層や導体配線を交互に積層して作製され、絶縁層８と、絶縁層８の表面に形成された導体配線７とを両表面に有する回路基板１が含まれる。絶縁基板としては、例えば、ガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料等からなる樹脂製基板が挙げられる。ビルドアップ用の絶縁層としては、例えば、絶縁基板と同様にガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素等の無機フィラーを分散させた電気絶縁材料等が挙げられる。導体配線は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等によって形成される。サブトラクティブ法では、例えば、絶縁層上に銅層を形成した後にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を実施して、導体配線を形成する。セミアディティブ法では、絶縁層の表面に無電解銅めっきにより電解銅めっき用の下地金属層を設ける。次に、導体配線に対応した開口を有するめっきレジスト層を形成し、電解銅めっきによって露出した下地金属層の表面に電解銅めっき層を形成する。その後、めっきレジスト層を剥離し、露出した下地金属層をフラッシュエッチングで除去することによって導体配線を形成する。

電子部品を搭載する配線基板の場合、配線基板の表面の接続パッドは、電子部品と接続するための接続用パッドである。電子部品は、この接続パッドと半田バンプを介して電気的に接続されることにより、配線基板にフリップチップ実装される。ソルダーレジスト層との密着性を向上させるために、接続パッド表面を粗面化処理することもできるし、カップリング剤処理することもできる。配線基板の裏面の接続パッドは、外部接続するための接続用パッドである。半田バンプを介して、この接続パッドとマザーボード等の外部電気基板の導体配線を電気的に接続させることにより、マザーボードにフリップチップ実装される。

本発明に係わるソルダーレジストとしては、アルカリ現像型のソルダーレジストが使用できる。また、１液性、２液性、どちらの液状レジストであってもよく、ドライフィルム状レジストであってもよい。ソルダーレジストは、例えば、アルカリ可溶性樹脂、単官能アクリルモノマー、多官能アクリルモノマー、光重合開始剤、エポキシ樹脂、無機フィラー等を含有してなる。

アルカリ可溶性樹脂としては、光硬化性と熱硬化性の両方の特性を持つアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸を付加させてエポキシアクリレート化した樹脂の２級の水酸基に酸無水物を付加させた樹脂が挙げられる。多官能アクリルモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｌ Ｐｒｏｐａｎｅ Ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（Ｄｉ−ｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ Ｈｅｘａａｃｒｙｌａｔｅ）、ペンタエリスリトールトリアクリレート（Ｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ Ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ）等が挙げられる。光重合開始剤としては、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（２−Ｍｅｔｈｙｌ−１−（４−Ｍｅｔｈｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）−２−Ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｏｐｒｏｐａｎ−１−ｏｎｅ）等が挙げられる。エポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸と反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型ソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。無機フィラーとしては、例えば、タルク、シリカ、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化亜鉛等が挙げられる。

ソルダーレジスト層は、回路基板の両表面において、全面を覆うようにして形成される。ソルダーレジスト層の形成には、例えば、液状レジストであれば、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法を用いることができる。また、フィルム状レジストであれば、ラミネート法や真空ラミネート法が用いられる。

配線基板の製造方法（１）及び（２）における工程（Ａ）で形成されるソルダーレジスト層２と、配線基板の製造方法（３）〜（５）における工程（Ａ１）で形成される第一ソルダーレジスト層２−１は、回路基板の両表面において厚さが異なっていて、厚さの薄い方が「第一面」であり、厚さの厚い方が「第二面」である。回路基板の両表面にソルダーレジスト層を形成させる際、両表面で同じ条件を設定するのが一般的である。これは、ソルダーレジストが熱硬化性を持つことに由来する。液状レジストの場合、塗布後に脱溶媒のための加熱乾燥が必要となるため、各表面で塗布量が異なると、各表面で乾燥条件を変更しなければならないが、その際に過剰に熱硬化しないような条件を設定しなければならない。また、ドライフィルム状レジストの場合、ラミネート時に加熱が必要となるため、各表面で厚さが違うドライフィルム状レジストを使用すると、各表面でラミネート時の加熱条件を変えなければならないが、その際に過剰に熱硬化しないような条件を設定しなければならない。このように各表面におけるソルダーレジスト層の厚さ、加熱乾燥条件等を変えるのではなく、両表面におけるソルダーレジスト層の種類、厚さ、加熱乾燥条件等を同条件にした方が、作業工程を簡易にすることができて好ましい。

回路基板の両表面にソルダーレジスト層を同条件で形成した場合、ソルダーレジスト層の厚さは、各面の接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度によって変化する。例えば、電子部品を搭載する配線基板において、裏面の外部接続用接続パッドがエリアアレイ型に配列されている場合、表面の電子部品接続用接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度に比べ、裏面の外部接続用接続パッドを含むその周囲の導体配線の密度が大きくなる。その結果、裏面の外部接続用接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さは、表面の電子部品接続用接続パッド上のソルダーレジスト層の厚さよりも厚くなる。この場合、表面が第一面であり、裏面が第二面である。

本発明に係わるソルダーレジスト層が薄膜化される工程とは、薄膜化処理液によって非露光部のソルダーレジスト層成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）、次にミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったミセルや残存している薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含んでもよい。

薄膜化処理（ミセル化処理）とは、薄膜化処理液によって、非露光部のソルダーレジスト層成分をミセル化し、このミセルを薄膜化処理液に対して不溶化する処理である。

本発明に係わる薄膜化処理液には、アルカリ水溶液を使用することができる。薄膜化処理液として使用できるアルカリ水溶液としては、アルカリ金属ケイ酸塩（Ａｌｋａｌｉ Ｍｅｔａｌ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、アルカリ金属水酸化物（Ａｌｋａｌｉ Ｍｅｔａｌ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、アルカリ金属リン酸塩（Ａｌｋａｌｉ Ｍｅｔａｌ Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、アルカリ金属炭酸塩（Ａｌｋａｌｉ Ｍｅｔａｌ Ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物の水溶液；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン、Ｃｈｏｌｉｎｅ）等の有機アルカリ性化合物の水溶液が挙げられる。アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。上記無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物は、単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。無機アルカリ性化合物と有機アルカリ性化合物を組み合わせて用いてもよい。

また、ソルダーレジスト層表面をより均一に薄膜化するために、薄膜化処理液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。

薄膜化処理液としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物、及び、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含み、該無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物の含有量が３〜２５質量％である薄膜化処理液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。３質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は５〜２０質量％がより好ましく、７〜１５質量％がさらに好ましい。薄膜化処理液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。

ソルダーレジスト層の薄膜化においては、ソルダーレジスト層中に含まれる薄膜化処理液に不溶な無機フィラーの存在が無視できない。無機フィラーのサイズはその種類にもよるが、ナノフィラーと呼ばれるサブミクロンオーダーのものから、大きいものでは数十ミクロンのものまで、ある程度の粒度分布を持って、層中に３０〜７０質量％の含有量で存在している。薄膜化は、アルカリ性化合物がソルダーレジスト層中に浸透した後、ソルダーレジスト層成分のミセル化とミセル除去過程によって進行するが、不溶性の無機フィラーの存在により、アルカリ性化合物の浸透が抑制され、薄膜化速度が遅くなることがある。

このような無機フィラーによるアルカリ性化合物の浸透阻害に対し、薄膜化処理液のｐＨは１２．５以上とするのが良く、１３．０以上とするのがさらに好ましい。薄膜化処理液のｐＨが高いほど、アルカリ性化合物が浸透した際のソルダーレジスト層の膨潤が大きくなり、無機フィラーによる浸透阻害の影響を受けにくくなる。

本発明において、薄膜化によって、第一面の接続パッドの一部を露出させる場合、この露出した接続パッドは電子部品接続用接続パッドとして使用できる。通常、接続パッド表面は粗面化され、そのアンカー効果によって接続パッドとソルダーレジスト層の密着性が向上し、長時間に渡って高い絶縁信頼性が維持される。従来のソルダーレジストパターン形成では、ソルダーレジスト層を除去して接続パッド表面を露出させる際、分散能力に優れた低濃度の炭酸ナトリウム水溶液を現像液として用いるのが一般的で、接続パッド表面にはソルダーレジスト層の残渣はほとんど発生しない。しかし、低濃度の炭酸ナトリウム水溶液を用いてソルダーレジスト層の薄膜化を行うと、面内均一に薄膜化することができず、面内ムラが発生する。

薄膜化処理液の温度は、１５〜３５℃が好ましく、さらに好ましくは２０〜３０℃である。温度が低すぎると、ソルダーレジスト層へのアルカリ性化合物の浸透速度が遅くなる場合があり、所望の厚さを薄膜化するのに長時間を要する。一方、温度が高すぎると、ソルダーレジスト層成分のミセル化と同時にミセル除去過程が進行することにより、面内で膜厚ムラが発生しやすくなる場合があるため好ましくない。

薄膜化処理液による薄膜化処理では、浸漬処理、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることができるが、浸漬処理が好ましい。浸漬処理以外の処理方法は、薄膜化処理液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化中にソルダーレジスト層表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。スプレー処理等を使用する場合には、気泡が発生しないように、スプレー圧をできるだけ小さくすることが好ましい。

薄膜化処理液による薄膜化処理の後には、薄膜化処理液に対して不溶化されたソルダーレジスト層成分のミセルを除去するミセル除去処理において、ミセル除去液をスプレーすることによって、一挙にミセルを溶解除去する。

ミセル除去液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。また、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液をミセル除去液として用いることによって、薄膜化処理液で不溶化されたソルダーレジスト層成分が再分散しやすくなる。ミセル除去液のｐＨが５未満の場合、ソルダーレジスト層成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化したソルダーレジスト層表面に付着するおそれがある。一方、ミセル除去液のｐＨが１０を超えた場合、ソルダーレジスト層成分のミセル化とミセル除去過程が同時に促進され、面内で膜厚ムラが発生しやすくなることがある。また、ミセル除去液は、硫酸、リン酸、塩酸などを用いて、ｐＨを調整することができる。

ミセル除去処理におけるスプレーの条件について説明する。スプレーの条件（温度、時間、スプレー圧）は、薄膜化処理されるソルダーレジスト層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは２２〜５０℃である。水溶液の温度が１０℃未満ではソルダーレジスト層成分の溶解不良が起こり、粗面化された接続パッド表面にソルダーレジスト層の残渣が残りやすい場合がある。一方、５０℃を超えると、水溶液の蒸発や連続運転での温度管理の問題、装置設計上の制約が発生する場合があり好ましくない。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａがより好ましい。ミセル除去液の供給流量は、ソルダーレジスト層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のソルダーレジスト層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一にミセルを除去することができる。ソルダーレジスト層１ｃｍ^２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、ソルダーレジスト層の不溶解成分が残る場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプなどの部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、ソルダーレジスト層成分の溶解除去に与える効果が変わらなくなることがある。

配線基板の製造方法（１）及び（２）における工程（Ａ）、配線基板の製造方法（３）〜（５）における工程（Ａ１）及び（Ａ２）において、第一面に形成されたソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２の厚さと、配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ１）及び（Ｂ２）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｂ３）において、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２を薄膜化した量とによって、第一面の露出した接続パッド３周囲のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さ及びアンダーフィル堰き止め用のダムの一部となるソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２の厚さが決定される。また、本発明では、０．０１〜５００μｍの範囲で薄膜化量を適宜自由に調整することができる。接続パッドの厚さ以下になるまで薄膜化されたソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１表面から露出した接続パッド３表面までの高さは、後で必要な半田量に応じて適宜調整する。また、アンダーフィル堰き止め用のダムの一部となるソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２の厚さは、電子部品の大きさや電子部品の接続端子の大きさや電子部品と配線基板間に充填するアンダーフィルの量に応じて適宜調整する。

配線基板の製造方法（６）は、配線基板の製造方法（１）〜（４）において、工程（Ｃ１）の前に工程（Ｃ２）を行う。また、配線基板の製造方法（７）は、配線基板の製造方法（１）〜（４）において、工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）を同時に行う。このように、配線基板の製造方法（１）〜（４）では、工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の順番を入れ替えることもできるし、工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）を同時に行うこともできる。

配線基板の製造方法（１）における工程（Ｃ１）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ１）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ１）において薄膜化される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（３）及び（４）における工程（Ｃ１）では、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ４）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｂ２）において薄膜化される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（３）における工程（Ｃ６）及び配線基板の製造方法（５）における工程（Ｃ７）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分を選択的に露光する。配線基板の製造方法（４）における工程（Ｃ６）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｄ２）において現像される領域以外の部分を選択的に露光する。配線基板の製造方法（５）における工程（Ｃ６）では、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、後工程である工程（Ｂ３）において薄膜化される領域以外の部分を露光する。露光されたソルダーレジストは光重合し、ソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２が硬化する。図４−１〜図８−３では、フォトマスク５を介して活性光線６を露光しているが、直接描画方式で行ってもよい。露光方式としては、例えば、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光方式、フォトマスクを用いた密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。第一面において「薄膜化される領域」とは、例えば、接続パッド上や接続パッド間を含む接続パッド周囲の領域である。より具体的には、電子部品を搭載するための実装領域とその周囲である。

配線基板の製造方法（１）及び（２）における工程（Ｃ２）では、第二面のソルダーレジスト層２に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（４）における工程（Ｃ２）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が選択的に露光される。配線基板の製造方法（３）及び（５）における工程（Ｃ２）では、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、後工程である工程（Ｄ１）において現像される領域以外の部分が選択的に露光される。露光されたソルダーレジストは光重合し、ソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１が硬化する。露光方式としては、上述した配線基板の製造方法（１）における工程（Ｃ１）等と同様の方式を使用することができる。第二面において「現像される領域」とは、例えば、接続パッド上や接続パッド間を含む接続パッド周囲の領域である。より具体的には、外部電気基板の導体配線と実装するためにエリアアレイ（Ａｒｅａ ａｒｒａｙ）型に配置された接続パッドの一部を露出させる円形の開口部領域である。

配線基板の製造方法（１）における工程（Ｃ３）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される。配線基板の製造方法（３）〜（５）における工程（Ｃ３）では、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される。配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ５）では、第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ２）において薄膜化された領域部分が露光される。露光方式としては、上述した配線基板の製造方法（１）における工程（Ｃ１）等と同様の方式を使用することができる。配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｃ３）や配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ５）の後には、非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２が現像除去される工程（配線基板の製造方法（１）、（２）及び（４）における工程（Ｄ）、配線基板の製造方法（３）及び（５）における工程（Ｄ１）、配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ２））があるため、最終的にソルダーレジスト層を形成させる領域を露光してソルダーレジストを光重合させる必要がある。配線基板の製造方法（１）、（３）、（４）における工程（Ｃ３）において露光する部分は、少なくとも工程（Ｂ）で薄膜化された領域を含み、工程（Ｃ１）で露光した部分と工程（Ｂ）で薄膜化された領域との境界部を含めることが好ましい。また、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ５）において露光する部分は、少なくとも工程（Ｂ２）で薄膜化された領域を含み、工程（Ｃ４）で露光した部分と工程（Ｂ２）で薄膜化された領域との境界部を含めることが好ましい。

配線基板の製造方法（１）〜（４）における工程（Ｃ１）、配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｃ３）、配線基板の製造方法（１）〜（５）における工程（Ｃ２）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）、配線基板の製造方法（３）〜（５）における工程（Ｃ６）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｃ７）における露光量は、ソルダーレジストの感光感度に応じて適宜決定される。より詳しくは、配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ１）及び（Ｂ２）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｂ３）において使用される薄膜化処理液、又は、配線基板の製造方法（１）、（２）、（４）における工程（Ｄ）、配線基板の製造方法（３）及び（５）における工程（Ｄ１）、配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ２）において使用される現像液に対して、ソルダーレジストが溶解又は膨潤しない程度に、ソルダーレジストを光重合させて硬化させることができればよく、通常１００〜６００ｍＪ／ｃｍ^２である。

配線基板の製造方法（１）、（３）、（４）における工程（Ｃ３）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｃ３）及び工程（Ｃ７）における露光は、酸素雰囲気下での非接触露光方式で行うことが好ましい。非接触露光方式としては、フォトマスクと配線基板の間に隙間を設けて非接触で露光を行うプロキシミティ方式、プロジェクション方式や、フォトマスクを用いない直接描画方式が挙げられる。ソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２上に支持層フィルムがない状態で酸素雰囲気下での非接触露光を行うことによって、各ソルダーレジスト層の表層付近（ソルダーレジスト層表面からの深さが０〜０．５μｍ程度）の光重合が酸素の影響により阻害されて未硬化部分となり、表層から離れた部位のみが硬化する。そのため、配線基板の製造方法（１）における工程（Ｄ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ２）及び（Ｄ）、配線基板の製造方法（３）における工程（Ｄ１）、配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ）及び（Ｄ２）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｄ１）によって、表層付近の未硬化部分が除去され、ソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２の表面が粗面化する。配線基板の表面にある電子部品接続用接続パッドの周囲のソルダーレジスト層表面が平滑な場合よりも粗面化された場合の方が、アンダーフィルとの密着性がより強固になり、結果として熱衝撃によって電子部品と配線基板の接続部に応力が集中するのを防ぐことができ、接続信頼性がより高くなる。酸素雰囲気下での非接触方式露光によってソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２の表面が粗面化することにより、アンダーフィルとの密着性が向上し、高い接続信頼性が得られる。アンダーフィルとの密着性を向上させるのに好ましいソルダーレジスト層の表面粗さＲａは、０．３０μｍ以上０．５０μｍ以下である。表面粗さＲａが０．５０μｍを超えると、ソルダーレジストの強度が低くなって、絶縁信頼性が得られなくなる場合がある。表面粗さＲａは算術平均表面粗さである。

配線基板の製造方法（１）、（３）、（４）における工程（Ｃ３）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における露光量は、工程（Ｃ１）における露光量の１倍以上５倍以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１．５倍以上３倍以下である。同様に、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｃ３）及び工程（Ｃ７）における露光量は、工程（Ｃ６）における露光量の１倍以上５倍以下であることが好ましく、さらに好ましくは、１．５倍以上３倍以下である。酸素雰囲気下での非接触露光において、ソルダーレジストが溶解又は膨潤しない程度に硬化させるのに必要な露光量に対し、さらに多くの露光量を与えることによって、ソルダーレジスト層の表面の酸素による重合阻害を必要最小限に抑えることができる。露光量は多いほど、重合阻害の抑制には効果があるが、一方で、露光量が多くなりすぎると、ソルダーレジストの解像性が悪化するだけでなく、露光時間が長くなりすぎるため好ましくない。

配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ２）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３の厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１が薄膜化されて、接続パッド３の一部を露出させる。配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ１）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｂ３）では、第一面において、薄膜化処理液によって、接続パッド３が露出しない範囲で、非露光部のソルダーレジスト層２、第二ソルダーレジスト層２−２が薄膜化される。フィルム状レジストを使用し、支持層フィルムが設けられている場合には、支持層フィルムを剥がしてから薄膜化を行う。

配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ２）では、薄膜化後のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが、第一面の露出した接続パッド３の厚さと同じか、それよりも薄くなるまで薄膜化を行う。薄膜化後のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが薄すぎると、露出した接続パッド３間の電気絶縁が不十分になり、無電解ニッケル／金めっきの短絡が発生する場合や、接続パッド３間で半田による短絡が発生する場合がある。そのため、薄膜化後のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さは、接続パッド３の厚さの３分の１以上であることが好ましく、より好ましくは３分の２以上であるのがよい。

配線基板の製造方法（１）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ１）及び（Ｂ２）において、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２を薄膜化すると、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２も同時に薄膜化される。配線基板の製造方法（３）〜（５）における工程（Ｂ）において、第一面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化すると、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。配線基板の製造方法（５）における工程（Ｂ３）において、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を薄膜化すると、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１も同時に薄膜化される。第二面の薄膜化量は、第二面における非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１の熱硬化状態によって異なるが、両表面において同じ加熱条件でソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１が形成されている場合、通常、第一面と第二面の非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１は同時に同量薄膜化される。

配線基板の製造方法（１）、（３）〜（５）における工程（Ｂ）、配線基板の製造方法（２）における工程（Ｂ１）及び（Ｂ２）、配線基板の製造方法（５）における工程（Ｂ３）において、薄膜化処理は、第一面を上にして行うことが好ましい。薄膜化処理の処理方式としては、薄膜化処理液中に気泡が発生しにくいため、浸漬処理が有効である。万が一、薄膜化処理液中に気泡が発生した場合には、気泡は薄膜化処理液中を浮上し、下面（第二面）のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１表面に付着する。この気泡の付着によって、第二面における薄膜化後の膜厚が不均一となる場合がある。しかし、後工程である配線基板の製造方法（１）、（２）、（４）における工程（Ｄ）、配線基板の製造方法（３）及び（５）における工程（Ｄ１）、配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ２）において、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２、第一ソルダーレジスト層２−１は現像除去されるため、最終的に膜厚ムラが問題となることはない。

配線基板の製造方法（１）及び（２）における工程（Ｄ）では、現像によって、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２を除去する。配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ）では、現像によって、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を除去する。配線基板の製造方法（３）及び（５）における工程（Ｄ１）では、現像によって、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を除去する。配線基板の製造方法（４）における工程（Ｄ２）では、現像によって、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を除去する。現像方法としては、使用するソルダーレジストに見合った現像液を用い、回路基板の両表面にスプレーを噴射して、各ソルダーレジスト層の不要な部分を除去する。現像液には、希薄なアルカリ水溶液が使用され、一般的には、０．３〜３質量％の炭酸ナトリウム水溶液や炭酸カリウム水溶液が使用される。

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

実施例１〜６は、図４−１および図４−２に示した配線基板の製造方法（１）に関する例である。

（実施例１）
＜工程（Ａ）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）側には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）側には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の両表面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、ソルダーレジスト層２が形成された。第一面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは１５μｍであった。第二面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。導体配線の密度がより小さい第一面では、導体配線の密度がより大きい第二面に比べ、ソルダーレジスト層２の厚さが８μｍ薄くなっていた。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面のソルダーレジスト層２に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ）＞
第一面及び第二面のソルダーレジスト層２上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を５０秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均２０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面においても、平均２０μｍのソルダーレジスト層２が薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４上には約３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ３）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分及びその薄膜化された領域の境界部から２００μｍ外側までの領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２を除去した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに、電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定した。超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例２）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の順番を入れ替えた以外は実施例１と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果としてソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例３）
工程（Ｃ３）における露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下６．０μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果としてソルダーレジスト層２の厚さが１．０μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。

（実施例４）
工程（Ｃ３）における露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素の重合阻害による第一面のソルダーレジスト層２の膜減りは確認されなかった。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。

（実施例５）
工程（Ｃ３）における露光を、酸素雰囲気下において直接描画装置（商品名：ＬＩ−８５００、大日本スクリーン製造社製）を用いて露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で行った以外は実施例１と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果としてソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例６）
工程（Ｃ３）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例１と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ３）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、ソルダーレジスト層２表面が粗面化せず、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さは減少しなかった。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、導体パッド４が露出していた。

次に、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。

実施例１〜６では、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができた。また、外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣が存在しないため、外部電気基板に実装する際にも電気的絶縁不良が発生しない信頼性の高い配線基板を作製することができた。実施例１〜６を比較すると、電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面が平滑である実施例６で製造された配線基板よりも、実施例１〜５で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

（比較例１）
＜工程（Ａ）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の両表面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、ソルダーレジスト層２が形成された。第一面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは１５μｍであった。第二面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。導体配線の密度がより小さい第一面では、導体配線の密度がより大きい第二面に比べ、ソルダーレジスト層２の厚さが８μｍ薄くなっていた。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面のソルダーレジスト層２に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ）＞
第一面及び第二面のソルダーレジスト層２上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を５０秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均２０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面のソルダーレジスト層２も平均２０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面は厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていたが、外部接続用接続パッド４上には厚さ３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

電子部品を実装する際、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２があり、半田による電気的な短絡を確実に防ぐことができたが、外部電気基板に実装する際、外部接続用接続パッド４上に残ったソルダーレジスト層２の残渣によって、半田バンプ接続において電気的絶縁不良が発生した。

隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト表面が平滑である比較例１で製造された配線基板よりも、実施例１〜５で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

実施例７〜１１は、図５−１、図５−２および図５−３に示した配線基板の製造方法（２）に関する例である。

（実施例７）
＜工程（Ａ）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の両表面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、ソルダーレジスト層２が形成された。第一面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは１５μｍであった。第二面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。導体配線の密度がより小さい第一面では、導体配線の密度がより大きい第二面に比べ、ソルダーレジスト層２の厚さが８μｍ薄くなっていた。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から４００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面のソルダーレジスト層２に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ１）＞
第一面及び第二面のソルダーレジスト層２上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面上５．０μｍになるまで、平均１０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面のソルダーレジスト層２も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約１３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ４）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｂ２）＞
１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均１０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。工程（Ｃ４）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周から４００μｍ離れた外周までの領域のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果としてソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少した。一方、第二面のソルダーレジスト層２も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ５）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、工程（Ｂ２）において薄膜化された領域部分及びその薄膜化された領域の境界部から２００μｍ外側までの領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第二面の非露光部のソルダーレジスト層２を除去した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに、電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面では、工程（Ｃ１）における密着露光で活性光線６が照射された領域以外のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９．５μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０．５μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ１９．５μｍのソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例８）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の順番を入れ替えた以外は実施例７と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまでソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面では、工程（Ｃ１）における密着露光で活性光線６が照射された領域以外のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９．５μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０．５μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ１９．５μｍのソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例９）
工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例７と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下６．０μｍまでソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面では、工程（Ｃ１）における密着露光で活性光線６が照射された領域以外のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さが１．０μｍ減少していた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１１μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ１９μｍのソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。

（実施例１０）
工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例６と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまでソルダーレジスト層２が充填されており、工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）における酸素の重合阻害による第一面のソルダーレジスト層２の膜減りは確認されなかった。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍのソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。

（実施例１１）
工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例７と同じ方法で、工程（Ａ）〜工程（Ｄ）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣は見られなかった。また、第一面では、電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで、電子部品接続用接続パッド３間にソルダーレジスト層２が充填されていた。工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、ソルダーレジスト層２表面が粗面化せず、結果として、ソルダーレジスト層２の厚さは減少しなかった。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍのソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。

実施例７〜１１では、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができた。外部接続用接続パッド４上にソルダーレジスト層２の残渣が存在しないため、外部電気基板に実装する際にも電気的絶縁不良が発生しない信頼性の高い配線基板を作製することができた。実施例７〜１１を比較すると、電子部品接続用接続パッド３間及び周囲のソルダーレジスト層２の表面が平滑である実施例１１で製造された配線基板よりも、実施例７〜１０で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

（比較例２）
＜工程（Ａ）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の両表面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、ソルダーレジスト層２が形成された。第一面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは１５μｍであった。第二面のソルダーレジスト層２では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。導体配線の密度がより小さい第一面では、導体配線の密度がより大きい第二面に比べ、ソルダーレジスト層２の厚さが８μｍ薄くなっていた。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面のソルダーレジスト層２に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ１）＞
第一面及び第二面のソルダーレジスト層２上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面上５．０μｍになるまで、平均１０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面のソルダーレジスト層２も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約１３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ４）＞
第一面のソルダーレジスト層２に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｂ２）＞
１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部のソルダーレジスト層２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均１０μｍのソルダーレジスト層２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面のソルダーレジスト層２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。工程（Ｃ４）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周から４００μｍ離れた外周までの領域のソルダーレジスト層２表面の光重合が抑制され、結果としてソルダーレジスト層２の厚さが０．５μｍ減少した。一方、第二面のソルダーレジスト層２も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部のソルダーレジスト層２に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

次に、第一面及び第二面のソルダーレジスト層２を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９．５μｍのソルダーレジスト層２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０．５μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍのソルダーレジスト層２が充填されていた。また、第二面は厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍのソルダーレジスト層２の円形開口部が形成されていたが、外部接続用接続パッド４上には３μｍのソルダーレジスト層２の残渣が残っていた。

電子部品を実装する際、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２があり、半田による電気的な短絡を確実に防ぐことができるが、外部電気基板に実装する際、外部接続用接続パッド４上に残ったソルダーレジスト層２の残渣によって、半田バンプ接続において電気的絶縁不良が発生した。

隣接する電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト層２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０３μｍであった。電子部品接続用接続パッド３間のソルダーレジスト表面が平滑である比較例２で製造された配線基板よりも、実施例７〜１１で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

実施例１２〜１６は、図６−１、図６−２および図６−３に示した配線基板の製造方法（３）に関する例である。

（実施例１２）
＜工程（Ａ１）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ１５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の表面に、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の裏面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一ソルダーレジスト層２−１が形成された。第一面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが２０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは５μｍであった。第二面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ）＞
第一面及び第二面の第一ソルダーレジスト層２−１上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均１０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約１３μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ３）＞
第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ａ２）＞
真空ラミネータを用いて、厚さ１５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を、工程（Ｃ３）まで完了した回路基板１の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２が形成された。第一面の第二ソルダーレジスト層２−２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであった。

＜工程（Ｃ６）＞
第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、電子部品接続用接続パッド３の端部から４００μｍ離れた外周よりも外側の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｄ１）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を除去した。これによって、アンダーフィル堰き止め用ダムを形成するとともに、第二ソルダーレジスト層２−２によって覆われていた第一ソルダーレジスト層２−１から露出した状態の電子部品接続用接続パッド３とその周囲の第一ソルダーレジスト層２−１が再び露出した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例１３）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の順番を入れ替えた以外は実施例１２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例１４）
工程（Ｃ３）における露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下６．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが１．０μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。

（実施例１５）
工程（Ｃ３）における露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されており、工程（Ｃ３）における酸素の重合阻害による第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の膜減りは確認されなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。

（実施例１６）
工程（Ｃ３）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例１２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、第一ソルダーレジスト層２−１表面が粗面化せず、結果として、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さは減少しなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。

実施例１２〜１６では、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さの第一ソルダーレジスト層２−１があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができた。外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が存在しないため、外部電気基板に実装する際にも電気的絶縁不良が発生しない信頼性の高い配線基板を作製することができた。実施例１２〜１６を比較すると、電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１の表面が平滑である実施例１６で製造された配線基板よりも、実施例１２〜１５で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

実施例１７〜２１は、図７−１、図７−２および図７−３に示した配線基板の製造方法（４）に関する例である。

（実施例１７）
＜工程（Ａ１）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ１５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の表面に、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の裏面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一ソルダーレジスト層２−１が形成された。第一面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが２０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは５μｍであった。第二面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。

＜工程（Ｃ１）＞
第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ）＞
第一面及び第二面の第一ソルダーレジスト層２−１上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均１０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約１３μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ３）＞
第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を除去した。

＜工程（Ａ２）＞
真空ラミネータを用いて、厚さ１５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を、工程（Ｄ）まで完了した回路基板１の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２が形成された。第一面の第二ソルダーレジスト層２−２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであった。

＜工程（Ｃ６）＞
第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、電子部品接続用接続パッド３の端部から４００μｍ離れた外周よりも外側の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｄ２）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２を除去した。これによって、アンダーフィル堰き止め用ダムを形成するとともに、第二ソルダーレジスト層２−２によって覆われていた第一ソルダーレジスト層２−１から露出した状態の電子部品接続用接続パッド３とその周囲の第一ソルダーレジスト層２−１が再び露出した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例１８）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の順番を入れ替えた以外は実施例１７と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ２）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例１９）
工程（Ｃ３）における露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１７と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ２）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下６．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが１．０μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。

（実施例２０）
工程（Ｃ３）における露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例１７と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ２）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されており、工程（Ｃ３）における酸素の重合阻害による第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の膜減りは確認されなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。

（実施例２１）
工程（Ｃ３）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例１７と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ２）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、第一ソルダーレジスト層２−１表面が粗面化せず、結果として、第一ソルダーレジスト層２−１の厚さは減少しなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．０５μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。

実施例１７〜２１では、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さの第一ソルダーレジスト層２−１があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができた。外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が存在しないため、外部電気基板に実装する際にも電気的絶縁不良が発生しない信頼性の高い配線基板を作製することができた。実施例１７〜２１を比較すると、電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１の表面が平滑である実施例２１で製造された配線基板よりも、実施例１７〜２０で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

実施例２２〜２５は、図８−１、図８−２および図８−３に示した配線基板の製造方法（５）に関する例である。

（実施例２２）
＜工程（Ａ１）＞
セミアディティブ法を用いて、両表面に導体配線７が形成された回路基板１（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、導体厚さ１５μｍ、基板厚さ０．４ｍｍ）を作製した。表面（第一面）には電子部品接続用接続パッド３として使用される線幅２５μｍ、間隔５０μｍの導体配線がある。裏面（第二面）には外部接続用接続パッド４として使用される直径６００μｍの円形状の導体配線が形成されている。次に、真空ラミネータを用いて、厚さ１５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の表面に、厚さ２５μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板１の裏面に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一ソルダーレジスト層２−１が形成された。第一面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが２０μｍであり、電子部品接続用接続パッド３上の厚さは５μｍであった。第二面の第一ソルダーレジスト層２−１では、絶縁層８表面からの厚さが３８μｍであり、外部接続用接続パッド４上の厚さが２３μｍであった。

＜工程（Ｃ２）＞
第二面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、外部接続用接続パッド４上に直径５００μｍの円形開口部領域を設けるべく、円形開口部領域以外に活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ）＞
第一面及び第二面の第一ソルダーレジスト層２−１上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍになるまで、平均１０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約１３μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ３）＞
第一面の第一ソルダーレジスト層２−１に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ａ２）＞
真空ラミネータを用いて、厚さ２０μｍのソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を、工程（Ｃ）まで完了した回路基板１の第一面の第一ソルダーレジスト層２−１上に、真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２が形成された。第一面の第二ソルダーレジスト層２−２では、絶縁層８表面からの厚さが３０μｍであった。

＜工程（Ｃ６）＞
第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、電子部品接続用接続パッド３の端部から４００μｍ離れた外周よりも外側の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で密着露光を行った。

＜工程（Ｂ３）＞
第一面の第二ソルダーレジスト層２−２上の支持層フィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温２５℃）を薄膜化処理液として用いて、第一面を上にして薄膜化処理液に回路基板１を２５秒間浸漬させてミセル化処理（薄膜化処理）を行った。その後、ミセル除去液（液温２５℃）のスプレーによるミセル除去処理、水洗処理（液温２５℃）及び乾燥処理を行い、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２の厚さが電子部品接続用接続パッド３の表面上５．０μｍになるまで、平均１０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２を薄膜化した。光学顕微鏡で観察したところ、第一面の第二ソルダーレジスト層２−２の表面に処理ムラはなく、良好な面内均一性が得られた。一方、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１も平均１０μｍ薄膜化されていたが、薄膜化処理液中の気泡が第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１に付着し、膜厚不均一となっている箇所があった。また、外部接続用接続パッド４には約３μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が残っていた。

＜工程（Ｃ７）＞
第一面の第二ソルダーレジスト層２−２に対して、電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周よりも外側の領域に、活性光線６が照射されるようなパターンのフォトマスク５を用いて、酸素雰囲気下での非接触露光により、露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行った。

＜工程（Ｄ１）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３０秒間現像を行い、第一面の非露光部の第二ソルダーレジスト層２−２及び第二面の非露光部の第一ソルダーレジスト層２−１を除去した。これによって、アンダーフィル堰き止め用ダムを形成するとともに、第二ソルダーレジスト層２−２によって覆われていた第一ソルダーレジスト層２−１から露出した状態の電子部品接続用接続パッド３とその周囲の第一ソルダーレジスト層２−１が再び露出した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．５μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが０．５μｍ減少していた。また、工程（Ｃ７）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面の光重合が抑制され、結果として、厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面の厚さが０．５μｍ減少していた。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９．５μｍの第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０．５μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．５μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ１９．５μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例２３）
工程（Ｃ３）及び（Ｃ７）における露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例２２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下６．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１表面の光重合が抑制され、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１の厚さが１．０μｍ減少していた。また、工程（Ｃ７）における酸素雰囲気下での非接触露光により、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面の光重合が抑制され、結果として、厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面の厚さが１．０μｍ減少していた。

次に、第一面のソルダーレジスト層２−１及び２−２、第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと１９μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１１μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ９．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ１９μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．５０μｍであった。

（実施例２４）
工程（Ｃ３）及び（Ｃ７）における露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした以外は実施例２２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されており、工程（Ｃ３）及び（Ｃ７）における酸素の重合阻害による第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第一面の第二ソルダーレジスト層２−２の膜減りは確認されなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施して、配線基板を得た。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０．０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の領域の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．３０μｍであった。

（実施例２５）
工程（Ｃ３）及び（Ｃ７）において、密着露光方式にて露光を行った以外は、実施例２２と同じ方法で、工程（Ａ１）〜工程（Ｄ１）までを実施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面及び第二面ともに電子部品接続用接続パッド３及び外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２の残渣は見られなかった。また、第一面に配置された電子部品接続用接続パッド３の表面下５．０μｍまで第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。工程（Ｃ３）及び（Ｃ７）において、密着露光時のエア抜きを十分行うことにより、非酸素雰囲気下で露光を行ったため、第一ソルダーレジスト層２−１及び第一面の第二ソルダーレジスト層２−２表面が粗面化せず、結果として、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第一面の第二ソルダーレジスト層２−２の厚さは減少しなかった。

次に、第一面の第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２並びに第二面の第一ソルダーレジスト層２−１を硬化させるため、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光し、続いて、１５０℃で６０分間熱硬化処理を施した。光学顕微鏡で観察した結果、第一面では、厚さ１５μｍの導体配線７が厚さ３０μｍと２０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２によって被覆され、その段差に相当する厚さ１０μｍのアンダーフィル堰き止め用ダムが形成されていた。また、厚さ１５μｍの電子部品接続用接続パッド３が露出しており、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に厚さ１０μｍの第一ソルダーレジスト層２−１が充填されていた。また、第二面では、厚さ１５μｍの外部接続用接続パッド４上の一部に、厚さ３８μｍ、直径５００μｍの第一ソルダーレジスト層２−１の円形開口部が形成されていて、外部接続用接続パッド４の一部が露出していた。

次に、第一面に配置された複数の電子部品接続用接続パッド３の端部から２００μｍ離れた外周と該端部から４００μｍ離れた外周との間の領域にある厚さ２０μｍの第二ソルダーレジスト層２−２の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。また、隣接する電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１の表面粗さを測定したところ、表面粗さＲａは０．１０μｍであった。

実施例２２〜２５では、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さの第一ソルダーレジスト層２−１があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができた。外部接続用接続パッド４上に第一ソルダーレジスト層２−１の残渣が存在しないため、外部電気基板に実装する際にも電気的絶縁不良が発生しない信頼性の高い配線基板を作製することができた。実施例２２〜２５を比較すると、電子部品接続用接続パッド３間の第一ソルダーレジスト層２−１及び電子部品接続用接続パッド３周囲の第二ソルダーレジスト層２−２の表面が平滑である実施例２５で製造された配線基板よりも、実施例２２〜２４で製造された配線基板の方が、アンダーフィルとの密着性が高く、接続信頼性が優れていた。

上記に説明したように、実施例１〜６によって製造された配線基板は、第一面の電子部品接続用接続パッド３の一部がソルダーレジスト層２から露出されている。この配線基板を使用してフリップチップ接続を行った場合、電子部品接続用接続パッド３が高密度に配置された配線基板においても、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができる。また、絶縁層８と電子部品接続用接続パッド３の接着強度及び電子部品接続用接続パッド３と半田との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。さらに、工程（Ｃ３）における露光が酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われている場合、電子部品接続用接続パッド３周囲のソルダーレジスト層２の表面が十分粗面化しているため、アンダーフィルとの密着性が良く、高い接続信頼性が得られる。また、第二面の外部接続用接続パッド４の表面上にもソルダーレジスト層２の残渣がないため、外部基板に実装する際、半田接続における電気的絶縁不良の発生がない高い接続信頼性が得られる。

上記に説明したように、実施例７〜２５によって製造された配線基板は、電子部品接続用接続パッド３の一部がソルダーレジスト層２（第一ソルダーレジスト層２−１）から露出され、さらに、二段構造のソルダーレジスト層２（第一ソルダーレジスト層２−１及び第二ソルダーレジスト層２−２）によって形成されたアンダーフィル堰き止め用ダムを有する。この配線基板を使用してフリップチップ接続を行った場合、電子部品と配線基板との間に充填するアンダーフィルが周囲に溢れて、電気的接続信頼性に悪影響を及ぼすことを防止することができる。また、電子部品接続用接続パッド３が高密度に配置された配線基板においても、隣接する電子部品接続用接続パッド３間に十分な厚さのソルダーレジスト層２（第一ソルダーレジスト層２−１）があるため、電子部品を実装する際に半田による電気的な短絡が起きるのを確実に防ぐことができる。絶縁層８と電子部品接続用接続パッド３の接着強度及び電子部品接続用接続パッド３と半田との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。さらに、配線基板の製造方法（２）の工程（Ｃ４）及び（Ｃ５）、配線基板の製造方法（３）、（４）、（５）の工程（Ｃ３）、配線基板の製造方法（５）の工程（Ｃ７）における露光が酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われている場合には、電子部品接続用接続パッド３間や周囲のソルダーレジスト層２（第一ソルダーレジスト層２−１、第二ソルダーレジスト層２−２）表面が十分粗面化しているため、アンダーフィルとの密着性が良く、高い接続信頼性が得られる。また、第二面の外部接続用接続パッド４の表面上にもソルダーレジスト層２（第一ソルダーレジスト層２−１）の残渣がないため、外部基板に実装する際、半田接続における電気的絶縁不良の発生がない高い接続信頼性が得られる。

本発明の配線基板の製造方法は、例えば、半導体チップや他のプリント配線板等の電子部品を接続するための複数の接続パッドを有する配線基板を製造する用途に適用できる。

１ 回路基板
２ ソルダーレジスト層
２−１ 第一ソルダーレジスト層
２−２ 第二ソルダーレジスト層
３ 電子部品接続用接続パッド、第一面の接続パッド
４ 外部接続用接続パッド、第二面の接続パッド
５ フォトマスク
６ 活性光線
７ 導体配線
８ 絶縁層

Claims (6)

1. 絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板を有し、回路基板の両表面にソルダーレジスト層を有し、ソルダーレジスト層から接続パッドの一部が露出している配線基板の製造方法において、
   （Ａ）絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接続パッドとを両表面に有する回路基板の両表面に、厚さの異なるソルダーレジスト層が形成される工程、
   （Ｃ１）第二面のソルダーレジスト層よりも厚さが薄い第一面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｂ）において薄膜化される領域以外の部分が露光される工程、
   （Ｃ２）第二面のソルダーレジスト層に対して、後工程である工程（Ｄ）において現像される領域以外の部分が露光される工程、
   （Ｂ）第一面において、無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含み、該無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物の含有量が３〜２５質量％である薄膜化処理液によって、接続パッドの厚さ以下になるまで、非露光部のソルダーレジスト層が薄膜化されて、接続パッドの一部を露出する工程、
   （Ｃ３）第一面のソルダーレジスト層に対して、工程（Ｂ）において薄膜化された領域部分が露光される工程、
   （Ｄ）第二面の非露光部のソルダーレジスト層が、現像液によって除去される工程、
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 工程（Ｃ１）の前に工程（Ｃ２）を行う請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）を同時に行う請求項１に記載の配線基板の製造方法。
4. 工程（Ｃ３）における露光が、酸素雰囲気下での非接触露光方式によって行われる請求項１に記載の配線基板の製造方法。
5. 工程（Ｃ３）における露光量が、工程（Ｃ１）における露光量の１倍以上５倍以下である請求項１又は４に記載の配線基板の製造方法。
6. 工程（Ｂ）におけるソルダーレジスト層の薄膜化処理が、薄膜化処理面を上にして行われる請求項１、４、５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。