TW201502722A - 用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法 - Google Patents

Abstract

本發明係有關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物，不包含N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)或N,N’-二甲基羧醯胺(N,N’-dimethylcarboxamide)等具有繁殖毒性的物質，具有優良的剝離與清洗性能，而且使性質隨著時間的劣化減至最小，以及一種使用其之光阻剝離方法。該用於移除光阻之剝離劑組成物包含至少一胺類化合物、N,N’-二乙基羧醯胺(N,N’-diethylcarboxamide)與一亞烷基二醇(alkyleneglycol)或亞烷基二醇單烷基醚(alkyleneglycol monoalkylether)之質子性有機溶劑。

Description

用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法

本發明係關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物，不包含具有繁殖毒性(reproductive toxicity)之N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)或N,N’-二甲基甲醯胺(N,N’-dimethylcarboxamide)等，具有優良的剝離性與沖洗性，且使隨著時間而劣化的性質減至最小，以及使用其之光阻剝離方法。

液晶顯示裝置之微型電路製程或半導體積體電路製程包括了許多形成下膜之製程，如一鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬(molybdenum)、鉬合金等之導電金屬薄膜，或一絕緣薄膜，如二氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、丙烯酸絕緣膜等，均勻塗佈光阻於該下膜上，選擇性地對其曝光與顯影，以形成光阻圖案，然後把該圖案當作光罩，使該下膜圖案化。在該圖案化製程後，進行移除該下膜上之光阻製程，且為了此製程，使用用於移除光阻之剝離劑組成物。

習知剝離劑組成物包含一胺化合物、一極性質 子性溶劑(protic solvent)與一極性非質子性溶劑等，且特別是一包含N-甲基甲醯胺(N-methyl formamide,NMF)作為一極性質子性溶劑之剝離劑組成物已廣為使用。該包含NMF之剝離劑組成物，已知具有優良的剝離性能。

然而，該NMF係分類1B(GHS標準)之材料， 具有繁殖毒性，其使用逐漸受到限制。因此，嘗試研發出不使用NMF且具有優良的剝離性與沖洗性之剝離劑組成物，但是該種具有足夠的剝離性與沖洗性之剝離劑組成物卻尚未被開發出來。

再者，現今包含NMF之剝離劑組成物所具有 的問題在於胺化合物容易隨時間分解，且剝離性與沖洗性等亦隨時間而降低。特別地，隨著剝離劑組成物的使用次數，當殘留的光阻之一部分溶於該剝離劑組成物時，該問題會進一步惡化。

因此，已經有人提出使用一種包含其他極性非 質子溶劑(如N,N’-二甲基甲醯胺(DMF)等)以取代NMF。然而，上述DMF溶劑也已知具有繁殖毒性，且特別是，它對人體的肝臟與腸道有不良影響，且已知為白血病誘發物質(leukemia inducing material)，因此，在國內外均逐漸增加對該DMF溶劑之需求之限制，並禁止使用於一些顯示器或裝置的製程中。此外，當DMF包含於一剝離劑組成物中時，它會與一胺化合物反應，促使該胺化合物的分解，導致該種包含DMF之剝離劑組成物也具有剝離性與沖洗性隨時間劣化的問題。

因此，一種不包含具體內毒性(vivo toxicity)之 溶劑，且隨著時間經過仍可維持優良的剝離性與沖洗性之剝離劑組成物，尚未被開發出來。

先前有人將此因素列入考慮，在一剝離劑組成 物中添加過量的胺化合物，以隨著時間經過維持其優良的剝離性與沖洗性，但是在本例中，該製程的經濟效率會大幅降低，且環境或製程問題也會因該過量之胺化合物而產生。

本發明之目的係在提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其不包含具有繁殖毒性(reproductive toxicity)之N-甲基甲醯胺或N,N’-二甲基甲醯胺等，並具有優良的剝離性與沖洗性，且使隨著時間而劣化的性質減至最小，以及使用其之光阻剝離方法。

本發明提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，包括：至少一胺化合物；N,N’-二甲基甲醯胺；以及一亞烷基二醇(alkyleneglycol)或亞烷基二醇單烷基醚(alkyleneglycol monoalkylether)之質子性有機溶劑。

本發明也提供一種光阻剝離方法，包括：在一基板上形成光阻圖案，該基板上已形成一下膜；利用該光阻圖案對該下膜製作圖案；以及利用該前述之剝離組成物剝離光阻。

以下將依本發明之特定實施例，說明一種用於移除光阻之剝離劑組成物與一種使用其之光阻剝離方法。

依本發明之一實施例，提供一種用於移除光阻 之剝離劑組成物，包括：至少一胺化合物；N,N’-二乙基羧醯胺；以及一質子性有機溶劑，如亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚。

依據發明人之實驗結果，可以確定，一種剝離 劑組成物，其包含當作非質子性有機溶劑之N,N’-二乙基羧醯胺時，所表現出的光阻剝離性與沖洗性等於或優於一種包含NMF或DMF之剝離劑組成物的表現。特別可以確定的是，相較於早已習知之剝離劑組成物，當一種剝離劑組成物，其包含亞烷基二醇(alkyleneglycol)(如雙(2-羥乙基)醚(HEE)等)或包含亞烷基二醇單烷基醚(如二甘醇單烷基醚(diethyleneglycol monoalkylether)等)，以及N,N’-二乙基羧醯胺時，該剝離劑組成物顯示出卓越的剝離性與沖洗性。

有鑑於該N,N’-二乙基羧醯胺，在需要移除光 阻之該疏水性下膜上，顯現出優異的可濕潤性(wettability)，且該亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚等可與N,N’-二乙基羧醯胺反應，更進一步改善該剝離劑組成物之可濕潤性與在該下膜上之滯留時間(residence time)。因此，依本發明之一實施例，在該下膜上，該剝離劑組成物可更有效地滲透與殘留一段時間，因而顯示出更優良的光阻剝離性與沖洗性等。

再者，由於N,N’-二乙基羧醯胺基本上沒有繁 殖毒性，不會造成NMF或DMF的問題。

此外，不像NMF或DMF隨著時間經過，會引 起胺化合物的分解，N,N’-二乙基羧醯胺基本上不會引起胺化合物的分解，而且可以確定的是，即使殘留的光阻溶於該剝離劑組成物中，基本上也不會造成胺化合物組成的分解。故，依本發明之一實施例之該剝離劑組成物可隨時間經過保持其物理性質，如優良的剝離性與沖洗性等，不需要包含過量的胺化合物，且可長時間使用，因此，大幅地改善製程的經濟效率。特別是由於NMF或DMF等會與胺化合物反應，引起胺化合物的分解，包含NMF或DMF等之剝離劑組成物之剝離性或沖洗性會隨著時間而大幅降低，然而，依本發明之一實施例，隨著時間經過，包含N,N’-二乙基羧醯胺之該組成物可顯示出與剝離性與沖洗表有關的優良效應，基本上不會引起胺化合物的分解。

以下將依據本發明之一實施例，詳細說明一剝 離劑組成物的每一個成分。

依據本發明之一實施例，該剝離劑組成物包含 一種具有光阻剝離性之胺化合物。在功能上，該胺化合物係用來溶解光阻或移除光阻。

依據本發明之一實施例，關於該剝離劑組成物 之優良剝離性，該胺化合物可包括：至少一選自由一鏈胺化合物與一環胺化合物所組成的群組。且更具體地，其可包括至少一鏈胺化合物與至少一環胺化合物。更具體地，至少一選自由(2-氨基乙氧基)-1-乙醇((2-aminoethoxy)-1-ethanol,AEE)、胺基乙基乙醇胺(aminoethyl ethanol amine,AEEA)、單甲醇胺(monomethanol amine)、單乙醇胺(monoethanol amine)、N-甲基乙基胺(N-methylethylamine,N-MEA)、1-胺基異丙醇(1-aminoisopropanol,AIP)、甲基二甲基胺(methyl dimethylamine,MDEA)、二乙烯三胺(diethylene triamine,DETA)與三乙烯四胺(triethylene tetraamine,TETA)所組成的群組，可用來當作該鏈胺化合物，其中，優選使用(2-氨基乙氧基)-1-乙醇或胺基乙基乙醇胺。再者，至少一選自由咪唑基-4-乙醇(imidazolyl-4-ethanol,IME)、胺基乙基哌嗪(amino ethyl piperazine,AEP)與羥基乙基哌嗪(hydroxyl ethylpiperazine,HEP)所組成的群組，可用來當作該環胺化合物，優選使用咪唑基-4-乙醇。

該環胺化合物會顯示出優良的光阻剝離性，且 舉例來說，在剝離光阻時，該環胺化合物可適當地移除該下膜(譬如，在含銅薄膜上自然生成的氧化膜)，以改善該含銅薄膜與其上之絕緣薄膜(例如一氮化矽薄膜等)之間的黏著性。

關於該剝離劑組成物之優良的剝離性與自然 產生的氧化膜移除性，該鏈胺化合物：該環胺化合物之重量比率可為約5：1至1：5或約3：1至1：3。

以全部組成物為準，該胺化合物之含量可為約 0.1至10wt%、或約0.5至7wt%、或約1至5wt%、或約1.5至3wt%。當該胺化合物之含量在上述範圍內時，在一實施例中的該剝離劑組成物有優良的剝離性，可最小化製程中因過量的胺所造成的經濟效率的下降，且減少廢水等 的產生，而且依據上述的說明，在一實施例中，由於該剝離劑組成物使用一特定的有機溶劑，可防止該胺化合物隨著時間而分解，且最小化隨著剝離劑組成物的使用次數與時間所導致的剝離性或沖洗性降低。故在一實施例中，即使該胺化合物的含量範圍相對較低，該剝離劑組成物可長時間保持其物理性質，如優良的剝離性。當胺化合物的含量超出範圍時，會造成該下膜(例如，一含銅下膜)的腐蝕，而且，為了防止這種現象發生，需要使用一些防鏽劑(anticorrosive agents)。此時，大量的防鏽劑會被吸附且殘留在該下膜之表面上，使得該含銅下膜等的電特性變差。

同時，在一實施例中，該剝離劑組成物包含當 作非質子性有機溶劑之N,N’-二乙基羧醯胺，該有機溶劑可妥善地溶解該胺化合物，且同時可讓該剝離劑組成物有效地滲透殘留於該下膜上需要被移除的光阻，因而確保該剝離劑組成物優良的剝離性與沖洗性。

再者，如上述之說明，該N,N’-二乙基羧醯胺 非質子性有機溶劑基本上沒有繁殖或體內毒性，不像那些已知的NMF或DMF等，且隨著時間經過，不會引起胺化合物的分解，因此使得一實施例中之剝離劑組成物長時間地保持其物理性質，如優良的剝離性與沖洗性。

參考下面的例子，就早已使用於剝離劑組成物 中的非質子性溶劑，例如NMF、DMF與二甲基乙醯胺(dimethylacetamide,DMAC)而言，因為繁殖或體內毒性的問題，使得該些非質子性溶劑的使用受到限制，且特別是DMF 具有繁殖毒性與特定目標器官毒性，且與白血病(leukemia)有關，導致其使用受到限制。故NMF、DMF與DMAC被歸類為分類1B(GHS標準)的材料，具有如下表1所示之繁殖毒性。反觀，可以確定，包含於一實施例中之該組成物之該N,N’-二乙基羧醯胺非質子性有機溶劑，不具有繁殖毒性與體內毒性，並提供該剝離劑組成物優良的性質，如優良的剝離性等。

而且，以該全部組成物為基準，該N,N’-二乙 基羧醯胺非質子性有機溶劑之含量可為約20至80wt%、或約30至70wt%、或約30至70wt%、或約40至60wt%。在此含量範圍內時，在一實施例中之該剝離劑組成物可確保其優良的剝離性等，且可長時間保持該剝離性與該沖洗性。

除了上述說明之該胺化合物與該非質子性有 機溶劑之外，在一實施例之該剝離劑組成物可更包括亞烷 基二醇或亞烷基二醇單烷基醚之質子性有機溶劑。該質子性有機溶劑，特別是亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚，可使一實施例中之該剝離劑組成物能夠在該下膜上更佳地滲透，因而對該剝離劑組成物之優良剝離性有幫助，且可有效地移除該下膜(例如一含銅薄膜等)上的髒污，因此提供該剝離劑組成物更優良的沖洗性。

可使用雙(2-羥乙基)醚(bis(2-hydroxyethyl) ether)、二甘醇單甲基醚(diethyleneglycol monomethylether)、乙二醇單乙基醚(ethyleneglycol monoethylether)、乙二醇單丁基醚(ethyleneglycol monobutylether)、丙二醇單甲基醚(propyleneglycol monomethylether)、丙二醇單乙基醚(propyleneglycol monoethylether)、丙二醇單丁基醚(propyleneglycol monobutylether)、二甘醇單乙基醚(diethyleneglycol monoethylether)、二甘醇單丙基醚(diethyleneglycol monopropylether)、二甘醇單丁基醚(diethyleneglycol monobutylether)、二丙烯甘醇單甲基醚(dipropyleneglycol monomethylether)、二丙烯甘醇單乙基醚(dipropyleneglycol monoethylether)、二丙烯甘醇單丙基醚(dipropyleneglycol monopropylether)、二丙烯甘醇單丁基醚(dipropyleneglycol monobutylether)、三伸乙甘醇單甲基醚(triethyleneglycol monomethylether)、三伸乙甘醇單乙基醚(triethyleneglycol monoethylether)、三伸乙甘醇單丙基醚(triethyleneglycol monopropylether)、三伸乙甘醇單丁基醚(triethyleneglycol monobutylether)、三伸丙二醇單甲基醚 (tripropyleneglycol monomethylether)、三伸丙二醇單乙基醚(tripropyleneglycol monoethylether)、三伸丙二醇單丙基醚(tripropyleneglycol monopropylether)與三伸丙二醇單丁基醚(tripropyleneglycol monobutylether)或其組合可當作該亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚。而且關於在一實施例中，該剝離劑組成物之優良的可濕潤性與所得經改善之剝離性、沖洗性等，較佳可使用雙(2-羥乙基)醚(HEE)或二甘醇單丁基醚(BDG)當作該亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚。

而且，以該全部組成物為基準，該亞烷基二醇 或亞烷基二醇單烷基醚之質子性有機溶劑之含量可為約10至70wt%、或約20至60wt%、或約30至50wt%的範圍內。 在該含量範圍內時，可確保在一實施例中之該剝離劑組成物優良的剝離性與沖洗性。

同時，在一實施例中，該剝離劑組成物可更包 含一防鏽劑。當使用該剝離劑組成物移除光阻圖案時，該防鏽劑可抑制一含金屬下膜，如含銅薄膜的腐蝕。為了有效地抑制該下膜之腐蝕，可使用三氮唑系化合物、四氮唑系化合物與下列化學式1或2之化合物當作該防鏽劑。

於化學式1中，R9係氫或具有碳數1至4之烷基，R10與R11係彼此相同或不同，且各自獨立為一具有碳數1至4之羥基烷基，以及a係1至4之整數；

於化學式2中，R12係氫或具有碳數1至4之烷基，以及b係1至4之整數。

該防鏽劑之更具體實例，可包括：一三氮唑系化合物，如苯并三氮唑(benzotriazole)或四氫甲苯基三氮唑(tetrahydrotollyltriazole)等；一四氮唑系化合物，如5-氨基四氮唑(5-aminotetrazole)或其水合物；一該化學式1之化合物，其中，R9為一甲基、R10與R11各自獨立為羥乙基，且a為1；以及一化學式2之化合物，其中，R12為一甲基，且b為1。然後藉由使用該些化合物，可有效的抑制一含金屬下膜之腐蝕，而且保持該剝離劑組成物優良的剝離性。再者，以全部組成物為基準，該防鏽劑之含量可為約0.01至0.5wt%、或約0.05至0.3wt%、或0.1至0.2wt%。在該含量範圍內，可有效地抑制該下膜之腐蝕，而且最小化該 剝離劑組成物因添加過量的該防鏽劑所導致物理性質劣化的現象。當該防鏽劑過量時，大量的該防鏽劑可吸附且殘留在該下膜上，因而使該含銅下膜之電性劣化。

再者，在一實施例中，該剝離劑組成物可更包 括用來加強清潔性質的界面活性劑。可使用矽系非離子界面活性劑來當作該界面活性劑。由於該矽系非離子界面活性劑包含一胺化合物，即使在強鹼性的剝離劑組成物中，可穩定地維持不會造成化學變化、改變或分解，而且與上述說明之非質子性極性溶劑或質子性有機溶劑等，有優良的相容性。故該矽系非離子界面活性劑可與其他成分混合良好，以降低該剝離劑組成物之表面張力，而且提供需要被移除光阻與該下膜對該剝離劑組成物之優良可濕潤性。 因此，依一實施例之包含該界面活性劑之該剝離劑組成物可表現出對該下膜之優良沖洗性與優良的光阻剝離性，且因此，在使用該剝離劑組成物處理後，基本上不會在該下膜上產生髒汙或外來物質，而且可以有效地移除髒污與外來物質。

再者，以很少的數量的該矽系非離子界面活性 劑，就可以達成上述說明的效果，故，可最小化因其中之改變或分解所導致的副產物的產生。

關於界面活性劑，習知或商規之含矽非離子界 面活性劑，譬如，包含聚矽氧烷矽聚合物(polysiloxane-based polymer)，均可使用而無特別限制。該界面活性劑的具體實例包括經聚醚改質之丙烯醯基功能性聚二甲基矽氧烷 (polyether modified acryl functional polydimethylsiloxane)、經聚醚改質之矽氧烷(polyether modified siloxane)、經聚醚改質之聚二甲基矽氧烷(polyether modified polydimethylsiloxane)、聚乙基烷基矽氧烷(polyethylalkylsiloxane)、經芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷(aralkyl modified polymethylalkylsiolxane)、經聚醚改質之羥基功能性聚二甲基矽氧烷(polyether modified hydroxyl functional polydimethylsiloxane)、經聚醚改質之二甲基聚矽氧烷(polyether modified dimethylpolysiloxane)、經改質之丙烯醯基功能的聚二甲基矽氧烷(modified acryl functional polydimethylsiloxane)與前述化合物之溶液，而且該界面活性劑可降低剝離劑的表面張力、增加該下膜之表面能量，使得該剝離劑組成物所具有之光阻與該下膜之可濕潤性更為提升。

而且，以該全部組成物為準，該矽系非離子界 面活性劑之含量為0.0005至0.1wt%、或約0.001至0.09wt%、或約0.001至0.01wt%。倘若該界面活性劑之含量太低，則因添加該界面活性劑而使該剝離劑組成物之剝離性與沖洗性提升的效果不明顯；倘若該界面活性劑之含量太高，當使用該剝離劑組成物進行剝離製程時，會在高壓下產生泡沫，因而在該下膜上產生髒汙或造成感應器故障。

再者，在一實施例中之該剝離劑組成物必要時 可更包括一般的添加劑，而且其種類與含量皆為所屬技術領域具有通常知識者所習知。

再者，在一實施例中之該剝離劑組成物可使用 一般的方法來混合上述說明的成分，而且該方法沒有特別限制。該剝離劑組成物可不使用具有繁殖毒性之NMF或DMF等物質，呈現出優良的剝離性與沖洗性，且維持優良的剝離性與沖洗性一段時間，故可優先選用來移除該下膜上殘留的光阻圖案。

依本發明之另一實施例，提供一種使用該上述 說明之剝離劑組成物之光阻剝離方法。該剝離方法可包括在該基板上形成光阻圖案，其中該基板上形成有一下膜；利用該光阻對該下膜製作圖案；使用上述說明之剝離劑組成物剝離該光阻。

在該剝離方法中，首先，透過光微影製程，在 一基板上形成光阻圖案，且該基板上已形成將進行圖案製作之一下膜，然後使用該光阻圖案當作光罩，對該下膜製作圖案，接著使用前文所描述的剝離劑組成物將該光阻剝離。在該上述解釋的製程中，光阻圖案的形成與該下膜的圖案製作可以一般裝置的製造製程來進行，故省略額外的說明解釋。

同時，要使用該剝離劑組成物來剝離光阻，首 先，以該剝離劑組成物處理一基板上所留下來的光阻圖案，然後以一鹼性緩衝溶液與超純水沖洗，接著乾燥。當該剝離劑組成物顯示優良的剝離性、能有效移除該下膜上之髒污的沖洗性與自然產生的氧化膜的移除性時，在滿足地維持該下膜之表面狀態的情況下，該剝離劑組成物可有效地移除該下膜上之所留下來的光阻圖案。因此，可在該經圖 案製作之下膜上適當地進行後續的製程以形成一裝置。

依本發明，提出一種用於剝離光阻之剝離劑組成物，不包含具有繁殖毒性之NMF或DMF等，可顯示優良的剝離性與沖洗性，且抑制胺化合物隨時間的分解現象，且因此可長時間維持優良的物理性質，以及使用其之光阻剝離方法。

以下，本發明將配合使用實施例與比較例來加以解釋。不過，這些實施例僅用來說明本發明，本發明之範圍並不限於此。

[實施例與比較例]用於移除光阻之剝離劑組成物的配製

依下表2之組成，混合各成分以配製實施例1至7與比較例1至3之用於移除光阻之剝離劑組成物。

LGA：咪唑基-4-乙醇(IME)

AEE：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇((2-aminoethoxy)-1-ethanol)

DMAC：二甲基乙醯胺(dimethylacetamide)

NMF：N-甲基甲醯胺(N-methylforamide)

DCA：N,N’-二乙基甲醯胺(N,N’-diethylcarboxamide)

DMF：N,N’-二甲基甲醯胺(N,N’-dimethylcarboxamide)

BDG：二甘醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)

MDG：二甘醇單甲醚(diethyleneglycol monomethylether)

HEE：雙(2-羥乙基)醚(bis(2-hydroxyethyl)ether)

[實驗例]剝離劑組成物物理性質的評估

1.新液態剝離劑組成物之剝離能力評估

在一剝離劑組成物配製完成後，立即以下列方式評估其剝離能力。

首先，一3.5ml光阻組成物(產品名稱：N-200)滴在一100mm x 100mm玻璃基板上，然後以一旋轉塗佈機，400rpm的速率、10秒鐘塗佈該光阻組成物，該基板接著被載入一熱板上，以150℃或165℃硬烤20分鐘或8分鐘，以形成光阻。

形成在該玻璃基板上之光阻，在室溫下空氣冷卻，然後切割成30mm x 30mm的尺寸，準備用於評估剝離能力的樣本。

準備在實施例與比較例中所得到的每一種剝離劑組成物500g，將溫度升高至50℃，以該剝離劑組成物處理該玻璃基板上之該光阻，測量完全剝離與移除該光阻所需要的時間，其中，該光阻之剝離以UV光在該玻璃上照射，觀察是否有光阻殘留，來加以確認。

以上述之方法，評估實施例1至3與比較例1至3之該剝離劑組成物之剝離能力，如下表3所示。根據光阻之硬烤條件來加以評估。

如表3所示，實施例1至3之該剝離劑組成物，雖然不包含具有繁殖毒性之NMF或DMF，顯示出光阻剝離能力(快速的剝離時間)相似於或優於比較例1中包含NMF之剝離劑組成物或比較例3中包含DMF之剝離劑組成物。

2.剝離劑組成物與時間相關之剝離能力評估

剝離劑組成物與時間相關之剝離能力以下列方式評估。

首先，除了使用用來形成較高交聯密度之光阻之產品名稱：JC-800組成物來代替N-200外，用來評估剝離能力的樣品準備與實驗例1之方法相同，且使用165℃、8分鐘之硬烤條件。

準備在實施例與比較例中所得到的每一種剝離劑組成物500g，在升高溫度至50℃的情況下，基於總組成物，將該光阻組成物溶解之含量係為0.1至0.5wt%，在極端的條件下，將該剝離劑組成物加熱12小時至48小時以造成與時間有關的變化。

該剝離劑組成物之評估與實驗例1的方法相同。

在實施例1、4與比較例1至3中，該剝離劑組成物之與時間相關之剝離能力以上述之該方法評估，且 如下表4所示。其係依據與時間相關的條件來加以評估。

如表4中所示，即使在長時間加熱與大量經溶解之光阻的極端條件下，與該些比較例相比，實施例中之該些剝離劑組成物，其剝離能力顯示出較低的劣化程度。反觀在比較例1至3中，可以確定該些剝離劑組成物之剝離能力，隨著時間有大幅的劣化情形，且顯示在5wt%、48小時之與時間有關的條件下，無法在一實際的製程中展現 其剝離能力。

3.剝離劑組成物之胺含量與時間相關之變化評估

當實施例5、6與比較例1至3之該些剝離劑組成物，在配製後儲存於50℃、10天，每一天分析胺含量與時間有關的變化，且以氣相層析儀評估，如下表5所示。

如表5中所示，可以確定，當在極端條件下長時間儲存時，該些實施例中之該些剝離劑組成物，隨著時間經過，胺含量不會大量減少。反觀在比較例1至3中， 可以確定該些組成物之胺含量，隨著時間經過而大量減少。這些結果顯示，在該些實施例中，包含於該些剝離劑組成物中之該些溶劑，如DCA等，基本上不會引起胺的分解，然而，在該些比較例中，包含於該些組成物中之該些溶劑，如NMF或DMF等，會引起胺的分解，並隨著時間經過而劣化該剝離劑組成物之剝離能力。

4.剝離劑組成物與時間相關之沖洗能力評估

在極端條件下，該些實施例與比較例之該些剝離劑組成物與時間有關的變化，係利用與實驗例2相同的方法評估。

準備每一種剝離劑組成物500g，將溫度升高至50℃，然後以該剝離劑組成物處理一氮化矽鈍化之玻璃基板，然後移除該玻璃基板中之液體，滴幾滴超純水於該玻璃基板上，靜置30至90秒，再以超純水清洗該玻璃基板，以光學顯微鏡觀察該玻璃基板上之髒污與外來物質，以下列標準評估沖洗能力。

OK：在該玻璃基板上沒有觀察到髒污與外來物質。

NG：在該玻璃基板上觀察到髒污與外來物質。

藉由該前述方法，評估實施例1與比較例1至3之該些剝離劑組成物之與時間相關的沖洗能力，且如下表6所示。其係根據與時間相關的變化條件來評估的。

[表6]

如表6所示，即使在長時間加熱與大量溶解的光阻組成物的極端條件下，可以確定在實施例中之該剝離劑組成物，具有明顯且長時間地維持其優良的沖洗能力，反觀比較例1至3，可以確定該些組成物在長時間儲存時，顯示出沖洗性劣化的情形。

5.自然產生的氧化物移除性之評估

一具有一銅/鉬雙層的玻璃基板，以實施例7與比較例1與2之剝離劑組成物，在50℃的溫度下處理1分鐘，然後操作X射線電子光譜，該光譜係用於在該雙層上原子之化學分析(ESCA)，以分析氧對銅之相對比率的減少，如下表7所示。

如表7所示，可以確定在實施例中，該剝離劑組成物對該銅薄膜上之自然產生的氧化物具有優良的移除性，且因此，在處理前、後，該O/Cu比率有很大的減少，可以將此結果解讀為：在實施例中之該剝離劑組成物另外使用AEE等所產生的效果。

Claims (16)

1. 一種用於移除光阻之剝離劑組成物，包括：至少一胺類化合物；N,N’-二乙基羧醯胺；以及一亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚之質子性有機溶劑。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該胺類化合物包括至少一選自由：一鏈胺類化合物與一環胺類化合物所組成之群組。
3. 如申請專利範圍第2項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該鏈胺類化合物包括至少一選自由：2-胺基乙氧基-1-乙醇(AEE)、胺基乙基乙醇胺(AEEA)、單甲醇胺、單乙醇胺、N-甲基乙基胺(N-MEA)、1-胺基異丙醇(AIP)、甲基二甲基胺(MDEA)、二乙烯三胺(DETA)與三乙烯四胺(TETA)所組成之群組。
4. 如申請專利範圍第2項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該環胺類化合物包括至少一選自由：咪唑基-4-乙醇(IME)、胺基乙基哌嗪(AEP)與羥基乙基哌嗪(HEP)所組成之群組。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該胺類化合物之含量基於全部組成物係為0.1至10wt%。
6. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該N,N’-二乙基羧醯胺之含量基於全部組成物係為20至80wt%。
7. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚包括至少一選自由：雙(2-羥乙基)醚、二甘醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇單丙基醚、二甘醇單丁基醚、二丙烯甘醇單甲基醚、二丙烯甘醇單乙基醚、二丙烯甘醇單丙基醚、二丙烯甘醇單丁基醚、三伸乙甘醇單甲基醚、三伸乙甘醇單乙基醚、三伸乙甘醇單丙基醚、三伸乙甘醇單丁基醚、三伸丙二醇單甲基醚、三伸丙二醇單乙基醚、三伸丙二醇單丙基醚與三伸丙二醇單丁基醚所組成之群組。
8. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該亞烷基二醇或亞烷基二醇單烷基醚之質子性有機溶劑之含量基於全部組成物係為10至70wt%。
9. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，更包括一防鏽劑。
10. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，該防鏽劑包含一三氮唑系化合物、一四氮唑系化合物與一下列化學式1或2之化合物：[化學式1] 其中，R9係氫或具有碳數1至4之烷基，R10與R11係彼此相同或不同，且各自獨立為一具有碳數1至4之羥基烷基，以及a係1至4之整數； 其中，R12係氫或具有碳數1至4之烷基，以及b係1至4之整數。
11. 如申請專利範圍第9項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該防鏽劑之含量基於全部組成物係為0.01至0.5wt%。
12. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，更包含一矽系非離子界面活性劑。
13. 如申請專利範圍第12項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該矽系非離子界面活性劑包含聚矽氧烷系聚合物。
14. 如申請專利範圍第12項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該矽系非離子界面活性劑包括至少一選自由：經聚醚改質之丙烯醯基功能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之矽氧烷、經聚醚改質之聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、經芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷、經聚醚改質之羥基功能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之二甲基聚矽氧烷與經改質之丙烯醯基功能性聚二甲基矽氧烷所組成之群組。
15. 如申請專利範圍第12項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該矽系非離子界面活性劑之含量基於全部組成物係為0.0005至0.1wt%。
16. 一種光阻剝離方法，包括在一基板上形成光阻圖案，該基板上已形成一下膜；利用該光阻圖案對該下膜製作圖案；以及使用如申請專利範圍第1至15項中任一項所述之該剝離組成物剝離該光阻。