CN105143984A - 用于去除光阻剂的剥离剂组合物及使用其剥离光阻剂的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于去除光阻剂的剥离剂组合物及一种使用其的方法，所述用于去除光阻剂的剥离剂组合物在不含具有生殖毒性的N-甲基甲酰胺或N,N’-二甲基甲酰胺等的情况下，仍能表现出优异的剥离性能和冲洗性能并使随着时间推移的性能退化最小化。所述用于去除光阻剂的剥离剂组合物包括一种或多种胺化合物；N,N’-二乙基甲酰胺；以及亚烷基二醇单烷基醚或亚烷基二醇的质子性有机溶剂。

Description

用于去除光阻剂的剥离剂组合物及使用其剥离光阻剂的方法

技术领域

本发明涉及一种用于去除光阻剂(photoresist)的剥离剂组合物及使用其剥离光阻剂的方法，所述用于去除光阻剂的剥离剂组合物在不含具有生殖毒性的N-甲基甲酰胺或N,N’-二甲基甲酰胺等的情况下，仍能表现出优异的剥离性能和冲洗性能并使性能随着时间推移的退化最小化。

背景技术

液晶显示器的微电路工艺或半导体集成电路的制造工艺包括许多形成以下多种底膜的方法：如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等的导电金属膜；或如氧化硅膜、氮化硅膜、丙烯酸绝缘膜等绝缘膜，将光阻剂均匀地涂布于这种底膜上，使其选择性地曝光并显影以形成光刻胶图案，然后，将该图案用作掩膜使底膜图案化。在图案化工艺之后，进行去除残留于底膜上的光阻剂的工艺，而用于该工艺的便是用于去除光阻剂的剥离组合物。

含有胺化合物、极性质子性溶剂以及极性非质子性溶剂等的剥离剂组合物为人所熟知，且特别地，广泛使用含有N-甲基甲酰胺(NMF)作为非质子性溶剂的剥离剂组合物。已知包含NMF的剥离剂组合物表现出优异的剥离性能。

然而，NMF为具有生殖毒性的类别1B(GHS标准)材料，并且其使用正逐渐被限制。因此，多次尝试开发在不使用NMF的情况下表现出优异的剥离性能和冲洗性能的剥离剂组合物，但是目前还未开发出具有足够的剥离性能和冲洗性能的剥离剂组合物。

另外，以往的含有NMF的剥离剂组合物的问题在于随着时间推移促进胺化合物的分解且随着时间推移使剥离性能和冲洗性能等降低。特别地，根据剥离剂组合物的使用次数，如果残留的光阻剂部分溶于剥离剂组合物中，则会进一步促进所述问题。

由于所述问题，提出包含其他非质子性溶剂如N,N’-二甲基甲酰胺(DMF)等而非NMF的剥离剂组合物。然而，已知DMF溶剂也具有生殖毒性，尤其是可能对人体的肝脏和肠等具有不利影响，并且也被人熟知为一种白血病诱导物质。因此，国内外对于限制使用DMF溶剂的要求正在上升，且在许多显示器或设备制造过程中禁止使用。而且，在剥离剂组合物中包含DMF时，DMF也可能与胺化合物反应而引起胺化合物的分解，因此，含有DMF的剥离剂组合物也会表现出随着时间的推移剥离性能和冲洗性能退化的问题。

因此，还未开发出以下的剥离剂组合物：在不包含具有体内毒性的溶剂的情况下，随着时间的推移仍保持优异的剥离性能和冲洗性能。

鉴于此，在现有技术中，为了随着时间推移仍保持优异的剥离性能和冲洗性能，采用使剥离剂组合物中包含过量的胺化合物的方法，但是在这种情况下，工艺的经济性及效率性明显降低，并且可能由于过量的胺化合物产生环境或工艺问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供一种用于去除光阻剂的剥离剂组合物以及使用其剥离光阻剂的方法，所述去除光阻剂的剥离剂组合物在不含具有生殖毒性的N-甲基甲酰胺或N,N’-二甲基甲酰胺等的情况下，仍可表现出优异的剥离性能和冲洗性能且使性能随着时间推移的退化最小化。

技术方案

本发明提供一种用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其包含：至少一种胺化合物、N,N’-二乙基甲酰胺、以及亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂。

本发明还提供一种用于剥离光阻剂的方法，其包括：在具有形成于其上的底膜的基板上形成光刻胶图案的步骤；用所述光刻胶图案使底膜图案化的步骤；以及使用所述剥离剂组合物剥离光阻剂的步骤。

在下文中，将根据本发明的具体实施方案说明用于去除光阻剂的剥离剂组合物和使用剥离剂组合物以剥离光阻剂的方法。

根据本发明的一个实施方案，提供一种去除光阻剂的剥离剂组合物，其包含：至少一种胺化合物、N,N’-二乙基甲酰胺、以及亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂。

如发明人的实验的结果，可以确定包含N,N’-二乙基甲酰胺作为非质子性溶剂的剥离剂组合物表现出与包含NMF或DMF的剥离剂组合物相同的或更优异的光阻剂剥离性能和冲洗性能。具体而言，可以确定尤其是包含亚烷基二醇如二(2-羟乙基)醚(HEE)等或亚烷基二醇单烷基醚如二乙二醇单烷基醚等以及N,N’-二乙基甲酰胺的剥离剂组合物表现出相比于先前已知的剥离剂组合物更优异的剥离性能和冲洗性能。

现推测的是所述N,N’-二乙基甲酰胺在需要去除光阻剂的疏水性底膜上可表现出优异的浸润性，并且所述亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚等可与所述N,N’-二乙基甲酰胺相互作用以进一步提高剥离剂组合物的浸润性以及在底膜上的停留时间。因此，一个实施方案的剥离剂组合物可更有效地渗透至底膜上且保持一定时间以上，并表现出更优异的基于胺化合物的光阻剂剥离性能和冲洗性能等。

另外，因为所述N,N’-二乙基甲酰胺没有明显表现出生殖毒性，所以没有导致NMF或DMF的问题。

此外，不同于随着时间的推移引起胺化合物分解的NMF或DMF，N,N’-二乙基甲酰胺几乎不会引起胺化合物分解，且可以确定即使残留的光阻剂溶于剥离剂组合物中，在实际上也几乎不会导致胺化合物的分解。因此，即使一个实施方案的剥离剂组合物不包含过量的胺化合物，随着时间推移仍可保持物理性能如优异的剥离性能和冲洗性能等，且其可长时间使用，从而显著地提高工艺的经济性及效率性。具体而言，可以确定，由于NMF或DMF等可与胺化合物反应而引起其分解，所以包含NMF或DMF等的剥离剂组合物的剥离性能和冲洗性能随着时间推移大幅度降低，相对地，一个实施方案的包含N,N’-二乙基甲酰胺的组合物在剥离性能和冲洗性能方面随着时间的推移仍可表现出良好的效果，几乎没有引起胺化合物的分解。

在下文中，将根据各组分详细地说明一个实施方案的剥离剂组合物。

上述一个实施方案的剥离剂组合物包括具有光阻剂剥离性能的胺化合物。所述胺化合物可起到溶解光阻剂并将其去除的作用。

根据一个实施方案的剥离剂组合物优异的剥离性能，所述胺化合物可包括选自链胺化合物和环胺化合物中的至少一种，且更具体而言，其可包括至少一种链胺化合物和至少一种环胺化合物。更具体而言，作为链胺化合物，可使用选自(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)、单甲醇胺、单乙醇胺、N-甲基乙胺(N-MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)和三亚乙基四胺(TETA)中的至少一种，且其中，可适当地使用(2-氨基乙氧基)-1-乙醇或氨基乙基乙醇胺。而且，作为环胺化合物，可使用选自咪唑基-4-乙醇(IME)、氨基乙基哌嗪(AEP)和羟乙基哌嗪(HEP)，并且可适当地使用咪唑基-4-乙醇。

在上述胺化合物中，环胺化合物可表现出更优异的光阻剂剥离性能；链胺化合物可适当地去除底膜如含铜膜上的天然氧化膜，从而在表现出光阻剂剥离性能时进一步提高含铜膜和其上的绝缘膜(例如，氮化硅膜等)之间的附着力。

根据一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能和天然氧化膜去除性能，链胺化合物：环胺化合物的重量比可为约5:1至1:5，或约3:1至1:3。

上述胺化合物的量为约0.1至10重量％，或约0.5至7重量％，或约1至5重量％，或约1.5至3重量％，基于全部的组合物计。在胺化合物的含量范围之内，一个实施方案的剥离剂组合物可使工艺的经济性及效率性因过量的胺的下降最小化，并且减少废液等的产生，同时还表现出优异的剥离性能。而且，如上所述，由于一个实施方案的剥离剂组合物使用特定的有机溶剂，所以可防止胺化合物随着时间推移而分解，且可根据剥离剂组合物的使用时间或使用次数使剥离性能随着时间推移的降低最小化。因此，尽管胺化合物的含量相对较低，一个实施方案的剥离剂组合物也可长时间保持优异的物理性能(如剥离性能)。如果包含的胺化合物过量，则可导致底膜(例如，含铜底膜)的腐蚀，以及为了防止对底膜的腐蚀，可能需要使用大量的抗蚀剂。在这种情况下，由于大量的抗蚀剂，底膜的表面可能会吸附大量的抗蚀剂并残留于其上，导致含铜底膜等的电性能退化。

同时，一个实施方案的剥离剂组合物包含作为非质子性有机溶剂的N,N’-二乙基甲酰胺。这种有机溶剂可以良好地溶解胺化合物，同时，可使得剥离剂组合物有效地渗透至待去除残留的光刻胶图的底膜上，从而确保剥离剂组合物优异的剥离性能和冲洗性能。

另外，如上所述，不同于现有的NMF或DMF等，N,N’-二乙基甲酰胺非质子性溶剂没有明显地表现出生殖毒性或体内毒性，且几乎不会引起胺化合物随着时间推移的分解，从而使得一个实施方案的剥离剂组合物长时间保持优异的物理性能(如剥离性能和冲洗性能)。

作为参考，对于原先用于现有的剥离剂组合物中的非质子性有机溶剂如NMF、DMF和二甲基乙酰胺(DMAC)，由于其生殖毒性或体内毒性问题使得其在显示器或设备制造工艺中的使用受限，且特别地，由于DMF被确定为具有生殖毒性和特定目标器官毒性且与白血病相关联，因此，其使用受限制。因此，NMF、DMF和DMAC被归类为表现出如下表1所示的生殖毒性的类别1B(GHS标准)材料。与此相反，可以确定一个实施方案的组合物中包含的N,N’-二乙基甲酰胺非质子性有机溶剂不会表现出生殖毒性和体内毒性，而且还给予剥离剂组合物优异的性能如优异的剥离性能等。

[表1]

而且，所述N,N’-二乙基甲酰胺非质子性有机溶剂的含量为约20至80重量％，或约30至70重量％，或约40至60重量％，基于全部的组合物计。在所述含量范围内，可以确保一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能等，且可长时间保持这种剥离性能和冲洗性能。

一个实施方案的剥离剂组合物可进一步包含除上述胺化合物和非质子性有机溶剂之外的亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂。质子性有机溶剂(特别地，亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚)使得一个实施方案的剥离剂组合物更好的渗透至底膜上，从而有助于剥离剂组合物优异的剥离性能，且可有效地去除底膜(如铜膜等)上的污迹，从而给予剥离剂组合物更优异的冲洗性能。

作为亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚，可使用二(羟乙基)醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚、三丙二醇单丁醚等或其两种以上。而且，考虑一个实施方案的剥离剂组合物的优异的浸润性和由此产生的改善的剥离性能、冲洗性能等，可适当地使用二(2-羟乙基)醚(HEE)或二乙二醇单丁醚(BDG)等作为亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚。

而且，所述亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂的含量为约10至70重量％，或约20至60重量％，或约30至50重量％，基于全部的组合物计。在所述含量范围内，可确保一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能和冲洗性能等。

另外，一个实施方案的剥离剂组合物可进一步包含抗蚀剂。在使用剥离剂组合物去除光刻胶图案时，所述抗蚀剂可抑制对含金属底膜(如含铜底膜)的腐蚀。为了有效地抑制对底膜的腐蚀，三唑类化合物、四唑类化合物、以下化学式1或2的化合物等可用作抗蚀剂。

[化学式1]

在化学式1中，R9为氢或碳原子数为1至4的烷基，

R10和R11为彼此相同或不同，且独立地为碳原子数为1至4的羟烷基，且

a为1至4的整数，

[化学式2]

在化学式2中，R12为氢或碳原子数为1至4的烷基，且

b为1至4的整数。

抗蚀剂的更多的具体实例可包括三唑类化合物如苯并三唑或四氢化甲苯基三唑等、四唑类化合物如5-氨基四唑或其水合物、可采用化学式1的化合物(其中R9为甲基、R10和R11独立地为羟乙基，a为1)及化学式2的化合物(其中R12为甲基，以及b为1)等，并且通过使用这些化合物，在可有效地抑制对含金属底膜的腐蚀的情况下，仍可保持剥离剂组合物的优异的剥离性能。而且，这种抗蚀剂的含量为约0.01至0.5重量％，或约0.05至0.3重量％，或约0.1至0.2重量％，基于全部的组合物计。在所述含量范围内，在可有效地抑制对底膜的腐蚀的情况下，仍可使剥离剂组合物的物理性能因过量抗蚀剂的退化最小化。如果包含的抗蚀剂过量，则底膜上可能会吸附大量的抗蚀剂并残留于其上，从而使含铜底膜等的电性能退化。

另外，上述一个实施方案的剥离剂组合物可进一步包含增强清洁性能的表面活性剂。作为表面活性剂，可使用硅类非离子表面活性剂。由于硅类非质子表面活性剂包含胺化合物—在不引起化学变化、改性或分解的情况下—即使在强碱性的剥离剂组合物中也可稳定地保持，并且与上述非质子性溶剂或质子性有机溶剂等具有优异的相容性。因此，硅类非离子表面活性剂可与其他组分很好地混合，使得剥离剂组合物的表面张力降低，并且给予待去除的光阻剂及底膜更优异的湿润性及浸润性。因此，一个实施方案的包含表面活性剂的剥离剂组合物不仅表现出优异的光阻剂剥离性能，还表现出对底膜优异的冲洗性能，因此，即使在经剥离剂组合物处理之后，在底膜上也几乎不会产生或残留污迹和杂质，并且可有效地去除污迹和杂质。

此外，使用非常少量的所述硅类非离子表面活性剂也可达到上述效果，并且，可使因改性或其分解而产生的副产物最小化。

作为表面活性剂，可不受特别限制地使用先前已知的或市售的含硅非离子表面活性剂，例如，包含聚硅氧烷类聚合物的表面活性剂。表面活性剂的具体实例可包括聚醚改性的丙烯基官能的聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的硅氧烷、聚醚改性的聚二甲基硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性的聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性的羟基官能的聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的二甲基聚硅氧烷、改性的丙烯基官能的聚二甲基硅氧烷，及其溶液等。而且，表面活性剂表现出可降低剥离剂的表面张力并增加底膜的表面能等特性，使得剥离剂组合物可以进一步提高对于光阻剂组合物的光阻剂和底膜的浸润性。

而且，所述硅类非离子表面活性剂的含量为0.0005至0.1重量％，或约0.001至0.09重量％，或约0.001至0.01重量％，基于全部的组合物计。如果表面活性剂的含量过低，则不足以获得因加入的表面活性剂而提高剥离剂组合物的剥离性能和冲洗性能的效果；如果含量过高，则当使用剥离剂组合物进行剥离工艺时在高压下产生泡沫，从而在底膜上产生污迹，或导致传感器发生故障。

而且，根据需要，一个实施方案的剥离剂组合物可进一步包含常规添加剂，并且种类和含量为本领域技术人员所熟知的。

而且，可通过使上述组分混合的常规方法制备一个实施方案的剥离剂组合物，且该方法不受特别限制。在不使用具有生殖毒性的NMF或DMF等的情况下，所述剥离剂组合物可表现出优异的剥离性能和冲洗性能，且随着时间推移仍保持优异的剥离性能等，因此，其可优选用于去除底膜上残留的光阻剂。

根据本发明的另一实施方案，提供一种使用上述剥离剂组合物剥离光阻剂的方法。所述剥离方法可包括：在具有形成于其上的底膜的基板上形成光刻胶图案的步骤；用光刻胶图案使底膜图案化的步骤；以及使用上述剥离剂组合物剥离光阻剂的步骤。

在所述剥离方法中，首先，在待图案化的底膜形成于其上的基板上可通过光刻工艺形成光刻胶图案。然后，将光刻胶图案用作掩模使底膜图案化，之后可使用上述剥离剂组合物等剥离光阻剂。在上述方法中，可通过常规设备制造工艺进行光刻胶图案的形成和底膜的图案化，并且省略额外说明。

同时，为了使用所述剥离剂组合物剥离光阻剂，首先，光刻胶图案残留于其上的基板用剥离剂组合物处理，然后用碱缓冲溶液和超纯水洗涤，并干燥。因为剥离剂组合物表现出优异的剥离性能、冲洗性能以有效地去除底膜上的污迹，以及天然的氧化膜去除性能，其可有效地去除残留于底膜上的光刻胶图案，同时良好地保持底膜的表面状态。因此，在图案化的底膜上可适当地进行后续工序以形成设备。

发明效果

根据本发明，提供一种用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其在不包含具有生殖毒性的NMF或DMF等的情况下，可表现出优异的光阻剂剥离性能和冲洗性能，并且抑制胺化合物随着时间推移的分解，并因此，长时间保持优异的物理性能；以及一种使用该剥离剂组合物剥离光阻剂的方法。

具体实施方案

在下文中，将参照实施例和对比实施例说明本发明的作用及效果。需要注意的是，实施例仅用于说明本发明，并且本发明的范围不限于此。

<实施例和对比实施例>用于去除光阻剂的剥离剂组合物的制备

根据下表2的组成，根据实施例1至7和对比实施例1至3，将各组分混合以制备用于去除光阻剂的剥离剂组合物。

[表2]

*LGA：咪唑基-4-乙醇(IME)

*AEE：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇

*DMAC：二甲基乙酰胺

*NMF：N-甲基甲酰胺

*DCA：N,N’-二乙基甲酰胺

*DMF：N,N’-二甲基甲酰胺

*BDG：二乙二醇单丁醚

*MDG：二乙二醇单甲醚

*HEE：二(2-羟乙基)醚

[实验实施例]评估剥离剂组合物的物理性能

1.评估新液态的剥离剂组合物的剥离力

如下所述，对刚制备剥离剂组合物的剥离力进行评估。

首先，将3.5ml的光阻剂组合物(产品名称：N-200)滴在100mm×100mm的玻璃基板上，然后用旋转涂布机以400rpm的速度将光阻剂组合物涂布10秒。将玻璃基板安装在加热板上，并且在150℃或165℃的温度下硬烤20分钟或8分钟以形成光阻剂。

将形成光阻剂的玻璃基板在室温下的空气冷却后，然后，将玻璃基板切成30mm×30mm制备样品以评估剥离力。

准备实施例和对比实施例中所得到的500g的各剥离剂组合物，在将温度升至50℃时将玻璃基板上的光阻剂用剥离剂组合物处理。测量完全剥离和去除光阻剂所需的时间以评估剥离力。其中，通过将紫外光照射在玻璃基板上以观察光阻剂是否残留而确定光阻剂是否被剥离。

通过上述方法，评估实施1至3和对比实施例1和3的剥离剂组合物的剥离力并将其示于下表3中。这是根据光阻剂的硬烤条件来分别评估的。

[表3]

如表3中所示，实施例1至3的剥离剂组合物—虽然它们不含具有生殖毒性的NMF或DMF—表现出的光阻剂剥离力(快速剥离时间)类似于包含NMF的对比实施例1的或包含DMF的对比实施例3或比它们更优异。

2.评估剥离剂组合物随着时间推移的剥离力

如下所述，评估剥离剂组合物随着时间推移的剥离力。

首先，通过与实验实施例1相同的方法制备用于评估剥离力的样品，不同之处在于使用能够形成更高的交联密度的产品名称：JC-800的组合物代替产品名称：N-200作为光阻剂组合物。而且，应用的硬烤条件为165℃和8分钟。

准备实施例和对比实施例中所得到的500g的各剥离剂组合物，并且在将温度升至50℃时将光阻剂组合物以基于全部组合物计的0.1至0.5重量％的含量溶解。将剥离剂组合物加热12小时至48小时以导致极限条件下随着时间推移的变化。

通过与实验例1相同的方法评估这种光阻剂组合物的剥离力。

通过上述方法评估实施例1、4和对比实施例1至3的剥离剂组合物随着时间推移的剥离力并将其示于下表4中。这是根据推移时间条件分别评估的。

[表4]

如表4中所示，可以确定，实施例的剥离剂组合物—即使在考虑到时间推移变化情况的光阻剂组合物的大量溶解和长时间加热的极限条件下—其剥离力退化程度相比于对比实施例更低。与此相反，可以确定对比实施例1至3具有随着时间推移剥离力降低幅度较大，并且表现出在5重量％、48小时的时间推移变化条件下无法用于实际工艺中的剥离力。

3.评估剥离剂组合物随着时间推移的胺含量的变化

在制备实施例5、6和对比实施例1至3的剥离剂组合物后将其在50℃的温度下保存10天时，根据各保存天数通过气相色谱法分析和评估随着时间推移的胺含量的变化，且示于表5中。

如表5中所示，可以确定，即使在极限条件下长时间保存，实施例的剥离剂组合物也表现出胺含量随着时间没有明显降低。与此相反，可以确定，对比实施例1至3的组合物表现出胺含量随着时间明显降低。这些结果示出包含在实施例的剥离剂组合物中的溶剂如DCA等没有明显地引起胺降解，而包含在对比实施例的组合物中的溶剂如NMF或DMF等引起胺降解，从而使剥离剂组合物的剥离力随着时间推移降低。

4.评估剥离剂组合物随着时间推移的冲洗力

通过与实验实施例2相同的方法，在极限条件下实施例和对比实施例的剥离剂组合物随着时间推移的变化。

制备500g的各剥离剂组合物，将温度升至50℃，使用由氮化硅形成的钝化玻璃基板，并用剥离剂组合物处理该玻璃基板。然后，将所述玻璃基板中的溶剂移除，将几滴超纯水滴在玻璃基板上，然后将玻璃基板放置30至90秒。再次用超纯水洗涤玻璃基板，用光学显微镜观察玻璃基板上的污迹和杂质，并依据以下标准评估冲洗力。

OK：在玻璃基板上没有观察到污迹和杂质

NG：在玻璃基板上观察到污迹和杂质

根据上述方法，评估实施例1和对比实施例1至3的剥离剂组合物随时间推移的剥离力并将其示于下表6中。这是根据推移时间条件来分别评估的。

[表6]

如表6中所示，可以确定，即使在考虑到时间推移变化情况的光阻剂组合物的大量溶解和长时间加热的极限条件下，实施例的剥离剂组合物长时间显示并保持优异的冲洗力。与此相反，可以确定，对比实施例1至3的组合物表现出当长时间保存时冲洗性能降低。

5.评估氧化膜去除性能

在50℃的温度下，用实施例7和对比实施例1和2的各剥离剂组合物将具有铜/钼双层的玻璃基板处理1分钟。然后，用X射线电子能谱学方法进行双层上的含量分析(ESCA)以比较并分析氧与铜的相对比例降低并将其示于下表7中。

[表7]

如表7中所示，可以确定，实施例的剥离剂组合物具有去除铜膜上的天然氧化膜的优异性能，因此，相比于处理前，处理后的铜/氧比例明显降低。推测这是由实施例的剥离剂组合物额外使用AEE等所引起。

Claims (16)

1.一种用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其包含：

至少一种胺化合物；

N,N’-二乙基甲酰胺；以及

亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述胺化合物包含选自链胺化合物和环胺化合物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述链胺化合物包括选自(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)，单甲醇胺、单乙醇胺、N-甲基乙胺(N-MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)和三亚乙基四胺(TETA)中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述环胺化合物包括选自咪唑基-4-乙醇(IME)、氨基乙基哌嗪(AEP)和羟乙基哌嗪(HEP)中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述胺化合物的含量为0.1至10重量％，基于全部的组合物计。

6.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述N,N’-二乙基甲酰胺的含量为约20至80重量％，基于全部的组合物计。

7.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚包括选自二(羟乙基)醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚和三丙二醇单丁醚中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚的质子性有机溶剂的含量为10至70重量％，基于全部的组合物计。

9.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其进一步包含抗蚀剂。

10.根据权利要求9所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述抗蚀剂包括三唑类化合物、四唑类化合物，以及以下化学式1或2的化合物，

[化学式1]

在化学式1中，R9为氢或碳原子数为1至4的烷基，

R10和R11为彼此相同或不同，且独立地为碳原子数为1至4的羟烷基，且

a为1至4的整数，

[化学式2]

在化学式2中，R12为氢或碳原子数为1至4的烷基，且

b为1至4的整数。

11.根据权利要求9所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述抗蚀剂的含量为0.01至0.5重量％，基于全部的组合物计。

12.根据权利要求1所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其进一步包含硅类非离子表面活性剂。

13.根据权利要求12所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述硅类非离子表面活性剂包括聚硅氧烷类聚合物。

14.根据权利要求12所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述硅类非离子表面活性剂包括选自聚醚改性的丙烯基官能的聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的硅氧烷、聚醚改性的聚二甲基硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性的聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性的羟基官能的聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的二甲基聚硅氧烷和改性的丙烯基官能的聚二甲基硅氧烷中的至少一种。

15.根据权利要求12所述的用于去除光阻剂的剥离剂组合物，其中，所述硅类非离子表面活性剂的含量为0.0005至0.1重量％，基于全部的组合物计。

16.一种剥离光阻剂的方法，其包括：

在具有形成于其上的底膜的基板上形成光刻胶图案的步骤；

用所述光刻胶图案使底膜图案化的步骤；以及

使用权利要求1至15中的任一项所述的剥离剂组合物剥离光阻剂的步骤。