TW201421593A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提升對基板保持狀態進行判別之裝置的配置自由度，以及保持狀態判定的執行時期之自由度。基板處理裝置包含：光投射器(61、71)，當由基板保持構件保持基板時朝有基板存在之區域照射檢測光；及光接收器(62、72)，接收自光投射器照射出的檢測光。從光投射器朝向光接收器之檢測光的光路(64、74)通過基板周圍構件(20、30、31、34、38等)，該基板周圍構件係為基板處理裝置的構成構件，設置成位於由基板保持構件所保持之基板的周圍。檢測光，具有透射該基板周圍構件而且不透射基板之波長。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種在由基板保持構件保持基板之狀態下對基板施以既定處理之基板處理裝置中，對基板保持構件的基板保持狀態進行光學性檢測之技術。
作為用於半導體元件製造的各種步驟之一，有液體處理步驟：使半導體晶圓等基板繞鉛直軸線旋轉，並對旋轉的基板供給處理液，藉以對基板進行處理。實施該液體處理步驟之際，基板未由基板保持構件適當地保持，例如基板滑移至基板保持構件上，此時基板因旋轉而自基板保持構件上掉落，使得基板破損，有這種可能性。因此，在處理開始前必須確認基板已被適當地保持。
專利文獻1揭示了一種旋轉式基板處理裝置，其具備用於對基板保持構件的基板保持狀態進行光學性確認之基板保持狀態判斷機構。該基板保持狀態判斷機構具備複數組光投射器/光接收器，各組光投射器及光接收器，對著基板的徑向配置於基板周緣外側之位置。專利文獻1的基板處理裝置設有自由升降的杯體，用於承擋在進行處理之際供給至旋轉的基板並因離心力往外方飛濺之處理液。各組光投射器及光接收器配置成位於處於上升位置的杯體之外側。杯體處於下降位置時則會判定基板的保持狀態， 當判定保持狀態正確時，杯體移動至包圍基板周圍之上升位置，並對在該狀態下旋轉的基板供給處理液，以進行既定的液體處理。
專利文獻1的基板保持狀態判斷機構，只有在杯體位於比基板更低之高度且基板周緣的周圍空間開放時，才能進行保持狀態的確認。亦即，專利文獻1的基板保持狀態判斷機構，無法適用於基板保持構件之基板保持動作係於杯體內進行之基板處理裝置。雖藉著將光投射器/光接收器配置於杯體內而解除了上述的限制，但光投射器/光接收器在杯體內的配置，若考慮到杯體內的濕潤環境或是腐蝕環境，則不宜為之。
【習知技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平8-316290號公報
本發明提供一種基板處理裝置，其提升了對基板保持構件的基板保持狀態進行判別之裝置的配置自由度，以及保持狀態判定的執行時期之自由度。
根據本發明，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持構件，保持基板；基板周圍構件，係為該基板處理裝置的構成構件，設置成位於由該基板保持構件所保持之基板的周圍；光投射器，照射檢測光；及光接收器，接收自該光投射器照射出的檢測光；該光投射器及該光接收器所設置之位置為：從該光投射器朝向該光接 收器之檢測光的光路會通過當由該基板保持構件保持基板時有基板存在之區域，而且會通過該基板周圍構件；由該光投射器照射的檢測光，具有透射該基板周圍構件而且不透射基板之波長。
在一實施形態中，可將該光投射器及該光接收器配置成：當基板以異常狀態保持於該基板保持構件之際，該光路被該基板遮斷，而且當基板以正常狀態保持於該基板保持構件之際，該光路不會被該基板遮斷。或者是，亦可將該光投射器及該光接收器配置成：當基板正常地保持於該基板保持構件之際，該光路不會被由該基板保持構件所保持之基板遮斷。
又，根據本發明，提供一種基板處理方法，其包含：以基板保持構件保持基板；自光投射器照射檢測光，並且由光接收器接收該檢測光，而依據該光接收器之光接收的有無或光接收狀態，來判定該基板保持構件的基板保持狀態；在判定了該基板被該基板保持構件適當地保持之後，對該基板保持構件所保持之該基板供給處理流體來對該基板施以處理，等步驟；該光投射器及該光接收器所設置之位置為：從該光投射器朝向該光接收器之檢測光的光路會通過當由該基板保持構件保持基板時有基板存在之區域，而且會通過基板周圍構件，該基板周圍構件係為基板處理裝置的構成構件，位於該基板的周圍；由該光投射器照射的檢測光，具有透射該基板周圍構件而且不透射基板之波長。
根據本發明，可大幅提升對基板保持狀態進行判別之裝置的配置自由度，以及保持狀態判定的執行時期之自由度。
10‧‧‧框體
10a‧‧‧側壁
10b‧‧‧側壁
10c‧‧‧頂棚壁
10d‧‧‧底壁
11‧‧‧風扇過濾器單元
12‧‧‧送出送入口
13‧‧‧閘門
14‧‧‧排氣通路
20‧‧‧升降銷板
20a‧‧‧貫通孔
22‧‧‧升降銷
24‧‧‧連接構件
26‧‧‧彈簧
30‧‧‧保持板
30a‧‧‧貫通孔
31‧‧‧旋轉杯體
32‧‧‧連接構件
34‧‧‧基板保持構件
34a‧‧‧軸
34b‧‧‧基板保持部分
34c‧‧‧被推壓部分
35‧‧‧旋轉軸
36‧‧‧旋轉驅動部
37‧‧‧圓筒構件
38‧‧‧外杯體
39‧‧‧排液管
40‧‧‧處理流體供給管
41‧‧‧流體供給路
42‧‧‧開口部
43‧‧‧流體供給機構
50‧‧‧升降驅動部
52‧‧‧連接構件
54‧‧‧推桿
56‧‧‧連動構件
60‧‧‧第1保持狀態判定裝置
61‧‧‧光投射器
62‧‧‧光接收器
63‧‧‧判定部
64‧‧‧光路
70‧‧‧第2保持狀態判定裝置
71‧‧‧光投射器
72、72’‧‧‧光接收器
73‧‧‧判定部
74‧‧‧光路
75‧‧‧拍攝裝置
76‧‧‧投影壁
90‧‧‧搬運臂
100‧‧‧控制器
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本發明一實施形態下的基板處理裝置的構成之縱剖面圖，顯示晶圓適當地保持在基板保持構件的狀態。
圖2針對圖1基板處理裝置中基板處理裝置與外部的基板搬運臂之間的晶圓傳遞進行說明，將與傳遞無關之構成構件一部分之表示予以省略。
圖3說明基板保持構件的晶圓保持狀態，(a)顯示正確保持晶圓之狀態，(b)顯示發生了晶圓滑移之狀態。
圖4(a)、(b)係說明基板處理裝置中的光接收器的其他配置之概略圖。
以下，參照圖式，對本發明的實施形態進行說明。
基板處理裝置具備：框體10；圓板形的保持板30，設於該框體10內來保持晶圓W；圓板形的升降銷板20，設於保持板30的上方，具有對晶圓W從下方予以支持之複數例如3根升降銷22；旋轉驅動部36，具備使保持板30旋轉之電動馬達等；及處理流體供給管40，設置成貫穿保持板30的中心部分所形成之貫通孔30a及升降銷板20的中心部分所形成之貫通孔20a。
框體10的頂棚部安裝有風扇過濾器單元(FFU)11，藉由該FFU11在框體10的內部空間形成從上部朝向下部之潔淨空氣的降流。框體10的一個側壁10a設有晶圓W的送出送入口12，送出送入口12可藉由閘門13進行開閉。框體10的底壁設有用於將框體10內的環境氣體排出的排氣通路14。
升降銷板20及處理流體供給管40，可使之升降。圖1顯示升降銷板 20及處理流體供給管40位於各自的下降位置時的狀態，圖2顯示升降銷板20及處理流體供給管40位於各自的上升位置時的狀態。
旋轉杯體31藉由連接構件32安裝在保持板30的頂面。旋轉杯體31當升降銷板20及處理流體供給管40位於下降位置時，包圍由保持板30所保持之晶圓W的外周緣。保持板30上設有保持晶圓W之3個(圖1中僅圖示出2個，圖2中僅圖示出1個)基板保持構件34，其沿著保持板30的周緣以等間隔配置著。
於保持板30的底面的中心部分，安裝有自該保持板30的底面往下方延伸之中空的旋轉軸35。旋轉軸35的中空部分中收容了處理流體供給管40。旋轉軸35由軸承(未圖示)所支持，可藉由電動馬達等的旋轉驅動部36使之旋轉，藉此讓保持板30亦旋轉。
保持板30中形成有3個貫通孔，各貫通孔中有與升降銷板20結合之連接構件24以可滑動方式貫通。從而，連接構件24，係以禁止保持板30與升降銷板20的相對旋轉而讓保持板30及升降銷板20兩者成一體地旋轉之方式，予以連結，並且容許保持板30與升降銷板20的相對上下移動。又，保持板30的底面，於對應各連接構件24之位置設有3個圓筒構件37。各圓筒構件37分別收容1個連接構件24。各圓筒構件37內收容了將連接構件24往下方偏壓之彈簧26。
旋轉杯體31的外方設有外杯體38，保持板30及旋轉杯體31由外杯體38所包圍。在供給至晶圓W之後因晶圓W的旋轉往外方飛濺而由外杯體38所擋下之清洗液，由與外杯體38連接之排液管39所排出。
各基板保持構件34藉由軸34a支持於保持板30，能以軸34a為中心進行擺動。軸34a安裝有扭力彈簧等彈簧構件(未圖示)，其進行偏壓使得基板保持構件34往遠離晶圓W之方向旋轉。從而，在未對基板保持構件 34施加任何力之情形，基板保持構件34如圖2所示，位於釋放晶圓W之釋放位置。
基板保持構件34具有基板保持部分34b及被推壓部分34c。當升降銷板20從上升位置往下降位置移動時，由於升降銷板20的底面將被推壓部分34c推壓在下方，因此基板保持構件34會以軸34a為中心往圖1及圖2中的逆時針方向旋轉。因此會以基板保持部分34b接近晶圓W之方式進行位移。當升降銷板20抵達下降位置時，由3個基板保持構件34所保持。將此時的基板保持構件34的位置稱作保持位置。晶圓W由基板保持構件34所保持之後，升降銷板20又稍微下降，因此晶圓W只稍微離開升降銷22的前端。
處理流體供給管40，通過升降銷板20的中央部分所形成之貫通孔20a、保持板30的中央部分所形成之貫通孔30a、及中空的旋轉軸35的內部空間，在升降銷板20及保持板30旋轉之際也不會旋轉。處理流體供給管40的內部，於軸方向延伸著1個或複數流體供給路41，用於供以該基板處理裝置執行之處理所必要的處理流體流動。各流體供給路41的上端的開口部42，成為用於對基板噴吐處理流體之噴嘴的吐出口。對於各流體供給路41，由概略性顯示的流體供給機構43供給處理流體。流體供給機構43具備與流體供給源連接之開閉閥、流量調整閥等(未圖示)。作為處理流體，雖例示出DHF、SC1等化學藥液、DIW等沖洗液、作為乾燥補助流體的N2氣體等，但當然不限定於此。
處理流體供給管40係經由連接構件52藉由升降驅動部50進行升降。又，3根推桿54(僅圖示出1根)經由連動構件56與處理流體供給管40相連接。從圖1所示之狀態中，藉由升降驅動部50使處理流體供給管40上升時，推桿54亦與之連動而上升，推桿54將位於對應的角度位置之連接構件24往上方推壓。因此，如圖2所示，升降銷板20抵達上升位置。從該狀態中，藉由升降驅動部50使處理流體供給管40下降時，升降銷板 20往下降位置移動而載置於保持板30上，且推桿54亦與處理流體供給管40連動而下降，離開了連接構件24，連接構件24因彈簧26的力而下降。
基板處理裝置，還具備用於判定保持板30的晶圓W保持狀態之第1保持狀態判定裝置60及第2保持狀態判定裝置70。第1保持狀態判定裝置60，係用於檢測晶圓W的有無。第2保持狀態判定裝置70，係用於檢測晶圓W是否滑移至基板保持構件34的基板保持部分34b上。
第1保持狀態判定裝置60具備：光投射器61，照射檢測光；光接收器62，接收檢測光而將依光接收狀態之檢測訊號予以輸出；判定部63，根據自光接收器62輸出之檢測訊號，來判定晶圓W保持狀態。
光投射器61，具備可照射平行光作為檢測光之平行光LED(Light Emitting Diode)所構成。LED光的波長宜為880nm。880nm的LED光，係用於加熱矽晶圓，可被矽晶圓非常良好地吸收，幾乎不會透射過矽晶圓。
光接收器62具有：對於檢測光的波長具有既定的感度、較佳為高感度之光學感測器。光接收器62，例如可由具備了具有前述感度的光學感測器之CCD(電荷耦合元件)二維影像感測器所構成。作為光接收器62，所使用者宜具有由帶通濾波器、石英玻璃或硼珪酸玻璃等所構成的窗，進而可對波長880nm的LED光進行選擇性檢測。
所圖示出之實施形態中，光投射器61設於框體10的頂棚壁10c的外側，光接收器62設於框體10的底壁10d的外側。從而，由光投射器61照射而達到光接收器62之檢測光的光路64，係設定成會通過框體10的頂棚壁10c、升降銷板20、保持板30、和框體10的底壁10d。該等檢測光的光路64所通過之構件，至少是光路64所通過之部分由讓檢測光透射之材料所構成。作為此種材料，例示了PEEK(聚醚醚酮)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)。PEEK及PTFE，常被用作為半導體製造裝置中的耐 化性樹脂材料，作為構成框體10、升降銷板20及保持板30的至少一部分之材料使用也沒有任何不妥。另，PEEK及PTFE之類的半導體裝置中常用的耐化性樹脂材料，大多自1100nm於長波長側具有吸收峰，所以檢測光的波長宜為1100nm以下。
如圖1所示，晶圓W保持在保持板30時，來自光投射器61的檢測光為晶圓W所遮斷，所以並未抵達光接收器62。另一方面，晶圓W未保持在保持板30時，來自光投射器61的檢測光，透射過框體10的頂棚壁10c、升降銷板20、保持板30、和框體10的底壁10d，入射於光接收器62。如此光接收器62的光接收狀態會依晶圓W的有無而產生變化，自光接收器62輸出之輸出訊號隨之產生變化，所以判定部63可根據該變化來判定晶圓的有無。
第2保持狀態判定裝置70，亦與第1保持狀態判定裝置60相同，具備光投射器71、光接收器72、判定部73。光投射器71及光接收器72，可使用與光投射器61及光接收器62相同者。
自光投射器71照射而達到光接收器72之檢測光的光路74，係設定成會通過框體10的側壁10b、基板保持構件34的基板保持部分34b的前端部、旋轉杯體31、外杯體38、框體10的側壁10a。該等檢測光的光路74所通過之構件，至少是光路74所通過之部分由讓檢測光透射之材料所構成。例如，旋轉杯體31及外杯體38，可由PEEK或PTFE所形成。另，讓光路74不通過基板保持構件34的基板保持部分34b的前端部，而是通過基板保持部分34b的前端部的側方附近亦可。
如圖3(a)所示，基板保持構件34正確地保持晶圓W的情形，檢測光的光路74上並沒有晶圓W存在，所以自光投射器71照射出的檢測光入射於光接收器72。另一方面，如圖3(b)所示，晶圓W滑移至基板保持部分34b的前端部之上的情形，檢測光的至少一部分為晶圓W所遮斷，讓 檢測光無法入射於光接收器72，或讓入射光量減少。如此光接收器72的光接收狀態會依晶圓W有無滑移而產生變化，自光接收器72輸出的輸出訊號隨之而產生變化，所以判定部73可根據該變化來判定晶圓有無滑移。
基板處理裝置具有統一控制其整體動作之控制器(控制裝置)100。控制器100，控制基板處理裝置的所有功能零件(例如旋轉驅動部36、升降驅動部50、流體供給機構43、第1及第2保持狀態判定裝置60、70等)的動作。控制器100，作為硬體可由例如通用電腦加以實現，作為軟體可由用於使該電腦動作之程式(裝置控制程式及處理配方等)加以實現。軟體，係儲存於固定設置於電腦中的硬碟驅動等記憶媒體，或是儲存於CDROM、DVD、快閃記憶體等可裝卸地安裝於電腦之記憶媒體。此類記憶媒體係以元件符號101所示。處理器102係依需要而根據來自未圖示之使用者介面的指示等，從記憶媒體101叫出既定的處理配方並加以執行，此在控制器100的控制之下，基板處理裝置的各功能零件動作來進行既定的處理。控制器100，係為對裝有基板處理裝置的基板處理系統整體的動作進行控制之系統控制器，或是可採用與此種系統控制器協同而動作之控制器。
接下來，說明基板處理裝置的動作。下述的動作係在控制器100的控制之下所進行。
首先，使升降銷板20及處理流體供給管40位於圖2所示之上升位置。接下來，閘門13開啟，而讓被處理面朝下來保持晶圓W之搬運臂90從基板處理裝置的外部進入框體10的內部，晶圓W(圖2中以雙短劃虛線顯示)位於升降銷板20的正上方。接著，搬運臂90下降，晶圓W(圖2中以實線顯示)載置於升降銷板20的升降銷22上。
接下來，使升降銷板20及處理流體供給管40往圖1所示之下降位置移動。此，如前述，基板保持構件34擺動，而晶圓W由基板保持構件34 所保持，且晶圓W只稍微離開升降銷22位於其上方。以上，晶圓W的送入結束。
當晶圓W的送入結束時，第1保持狀態判定裝置60及第2保持狀態判定裝置70進行動作，來判定晶圓W保持狀態。
第1保持狀態判定裝置60，如前述般判定晶圓W的有無。另，沒有晶圓W之狀況，例如係起因於：必須以保持晶圓W之狀態進入框體10內之搬運臂90由於在基板處理裝置的外部產生之某些問題，而沒有保持晶圓W。
第2保持狀態判定裝置70，如前述般判定晶圓W有無滑移至基板保持構件34上。另，圖3(b)所示之滑移，例如有可能係因為將搬運臂90載置於升降銷板20上的不適當位置所產生。進行晶圓W的送入/送出之情形，具有旋轉角度控制功能之旋轉驅動部36，係使升降銷板20及保持板30停止於連接構件24與推桿54對齊於鉛直方向之角度位置。另，為了實現旋轉驅動部36的旋轉角度控制功能，而設有未圖示之旋轉角度感測器，用於檢測旋轉驅動部36或旋轉軸35的旋轉角度位置。又，當保持板30位於此種角度位置時，係以第2保持狀態判定裝置70的光路74會穿過基板保持構件34之方式，來設置光投射器71及光接收器72。
使保持晶圓W之保持板30旋轉，進而使3個基板保持構件34依序位於與光路74交差之位置，因此可藉由1個第2保持狀態判定裝置70來判定晶圓W是否對於各基板保持構件34發生滑移。取而代之，亦可設置3個第2保持狀態判定裝置70。在此情形，當保持板30位於上述角度位置時，各第2保持狀態判定裝置70的檢測光的光路74會分別穿過3個基板保持構件34其中之一。如此，可一次判定3個基板保持構件34中的晶圓W滑移的有無。
由第1保持狀態判定裝置60及第2保持狀態判定裝置70判定晶圓W 保持狀態正確時，則由旋轉驅動部36使晶圓W旋轉，並從處理流體供給管40的上端的開口部42對晶圓W的底面供給必要的處理流體，藉以對晶圓W施以既定的處理(化學藥液清洗處理、沖洗處理、乾燥處理等)。
由第1保持狀態判定裝置60的判定部63判定沒有晶圓W之情形，判定部63將通知該要旨之訊號往控制器100傳送。控制器100，不進行其後的處理，令基板處理裝置為待機狀態，直到裝載了其他晶圓W為止。藉此，可防止處理流體的浪費。又，所圖示之實施形態的情形，在沒有晶圓W之狀態下從處理流體供給管40噴吐處理液時，處理液會在框體10內飛濺而汙染框體內，但藉由晶圓的有無的判定，可將此種事態防患於未然。
由第2保持狀態判定裝置70的判定部73判定晶圓W的滑移已發生之情形，判定部73將通知該要旨之訊號往控制器100傳送。控制器100，使升降驅動部50進行動作，並對搬運臂90的控制器傳送指示，再次試行晶圓W的保持動作(亦即，先讓晶圓回到搬運臂90之後，再度由基板保持構件34來保持晶圓W)。再次試行之後，由判定部73進行再度判定，確認了晶圓W被適當保持之情形，則對晶圓W進行既定的處理。再次試行之後亦判定晶圓W未被適當保持之情形，控制器100使用顯示器或警鈴產生裝置等警告機構(未圖示)，將異常通報給操作員。操作員得知後進行保修作業。
既定的處理結束後，由升降驅動部50使升降銷板20及處理流體供給管40自下降位置移動至上升位置。在這過程中，晶圓W從基板保持構件34中釋放，載置於升降銷板20的升降銷22上。其後，晶圓W由通過開放的送出送入口12進入了框體10內之搬運臂90所接收(晶圓W的卸載)，搬運至基板處理裝置的外部。
根據上述實施形態，將檢測光的波長設定成不透射過晶圓W之波長，並且從光投射器61、71抵達光接收器62、72之檢測光的光路64、74所通 過之基板周圍構件(意指設置成位於基板保持構件34所保持之晶圓W的周圍之基板處理裝置的構成構件，例如旋轉杯體31、外杯體38、基板保持構件34等)，係由讓檢測光透射之材料所構成，所以可以在不會對基板周圍構件造成影響的情況下，進行晶圓W保持狀態的檢測。因此，會大幅提升保持狀態判定裝置(光投射器及光接收器)的配置的自由度。又，在晶圓W被基板周圍構件所包圍之情形無法進行保持狀態的判定，這種限制也不復存在，而保持狀態判定的執行時序的自由度大幅提升。
另，第2保持狀態判定裝置70的晶圓保持狀態判定，亦可在晶圓W旋轉之期間持續進行。在此情形，可根據前述未圖示之旋轉角度感測器的檢測值，在光路74通過基板保持構件34之時序以第2保持狀態判定裝置70進行晶圓W保持狀態的檢測。因此，即使因旋轉中產生的振動等讓晶圓W保持狀態產生變化之情形，亦可緊急停止旋轉，來防止晶圓W及基板處理裝置的損傷。
另，上述說明中，所謂「檢測光透射」並不限定於透射率大致為100%，又「檢測光不透射」並不限定於透射率大致為0%。只要是晶圓W將檢測光遮斷時與未遮斷時，光接收器62、72的輸出訊號上會產生可作為判定根據之顯著差異之程度中「檢測光透射」(「檢測光不透射」)即足夠。
基板處理裝置的構造，並不限於所圖示者。例如，基板處理裝置，亦可對基板的頂面供給處理液。又例如，基板處理裝置，亦可具有藉由旋轉頂板所設之可動基板保持構件將基板保持於旋轉頂板的下方這種形式的基板保持機構。又，基板處理裝置，亦可具有真空吸附基板的底面中央部之真空吸盤。供給至基板之處理流體並不限於液體，亦可為氣體。基板亦可不旋轉。
又，如圖4(a)、(b)所示，可使用其他構造來執行檢測光的光接收。圖4(a)所示之變形實施形態中，不將光接收器72(以虛線顯示)配置於 光路74上，而是將具有光接收器72’(例如CCD陣列)之拍攝裝置75，在就檢測光進行方向比基板周圍構件(在此為外杯體38)更下游側的區域中，配置於光路74的側方。檢測光會在大氣中散射，所以從光路74的側方進行拍攝，因此若在光路74上有檢測光，便會得到線狀的檢測光的(檢測光的散射光的)影像。可根據該影像，測定出就檢測光進行方向於基板周圍構件的上游側以晶圓W(未圖示)將檢測光遮光的程度。又，圖4(b)的變形實施形態中，將投影壁(screen)76，在就檢測光進行方向比基板周圍構件(在此為外杯體38)更下游側的區域中，沿著光路74配置。以投影壁76的表面相對於光路74成極小角度之方式設置投影壁76，就會將檢測光以線狀投影於投影壁76的表面上。藉由具有光接收器72’之拍攝裝置75對投影壁76進行拍攝，而得到檢測光的反射光的影像。可根據如此所得之影像，測定出就檢測光進行方向於基板周圍構件的上游側以晶圓W(未圖示)將檢測光遮光的程度。將被Si吸收之紅外線區域的光(例如波長880nm的LED光)作為檢測光使用時，該檢測光亦會將用於光接收部之作為光接收元件的半導體元件加熱。從而，持續進行保持狀態判定之情形，光接收部的熱負担有可能提高，不得不考慮冷卻，有這種可能性。然而，根據圖4(a)、(b)的實施形態，入射於光接收器72’之檢測光十分微弱，所以無需考慮受光器72’的冷卻。另，圖4(a)、(b)的實施形態中，檢測光所入射之部分(附上了以虛線所示的符號72之部分)的冷卻為必要時，於該部分設置冷卻機構(空冷扇、水冷套等)即可。
10‧‧‧框體
10a‧‧‧側壁
10b‧‧‧側壁
10c‧‧‧頂棚壁
10d‧‧‧底壁
11‧‧‧風扇過濾器單元
12‧‧‧送出送入口
13‧‧‧閘門
14‧‧‧排氣通路
20‧‧‧升降銷板
20a‧‧‧貫通孔
22‧‧‧升降銷
24‧‧‧連接構件
26‧‧‧彈簧
30‧‧‧保持板
30a‧‧‧貫通孔
31‧‧‧旋轉杯體
32‧‧‧連接構件
34‧‧‧基板保持構件
34a‧‧‧軸
34b‧‧‧基板保持部分
34c‧‧‧被推壓部分
35‧‧‧旋轉軸
36‧‧‧旋轉驅動部
37‧‧‧圓筒構件
38‧‧‧外杯體
39‧‧‧排液管
40‧‧‧處理流體供給管
41‧‧‧流體供給路
42‧‧‧開口部
43‧‧‧流體供給機構
50‧‧‧升降驅動部
52‧‧‧連接構件
54‧‧‧推桿
56‧‧‧連動構件
60‧‧‧第1保持狀態判定裝置
61‧‧‧光投射器
62‧‧‧光接收器
63‧‧‧判定部
64‧‧‧光路
70‧‧‧第2保持狀態判定裝置
71‧‧‧光投射器
72‧‧‧光接收器
73‧‧‧判定部
74‧‧‧光路
100‧‧‧控制器
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
W‧‧‧晶圓

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，包含：基板保持構件，用以保持基板；基板周圍構件，係為該基板處理裝置的構成構件，設置成位於由該基板保持構件所保持之基板的周圍；光投射器，照射檢測光；及光接收器，接收自該光投射器照射出的檢測光；該光投射器及該光接收器所設置之位置為：從該光投射器朝向該光接收器之檢測光的光路，會通過當以該基板保持構件保持基板時該基板所存在之區域，而且會通過該基板周圍構件；由該光投射器照射的檢測光，具有透射該基板周圍構件而且不透射基板之波長。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該光投射器及該光接收器所配置之位置為：當基板以異常狀態保持於該基板保持構件之際，該光路會被該基板所遮斷，且當基板以正常狀態保持於該基板保持構件之際，該光路不會被該基板所遮斷。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該基板周圍構件包含該基板保持構件，該檢測光的光路係設定成：會通過以正常狀態保持基板之該基板保持構件的前端部之位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該光投射器及該光接收器所配置之位置為：當基板正常地保持於該基板保持構件之際，該光路會被由該基板保持構件所保持之基板遮斷。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中更包含：板部，支持該基板保持構件，且在由該基板保持構件所保持之基板的 下方靠近基板，該基板周圍構件包含該板部，該檢測光的光路，設定於在上下方向通過該板部之位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更包含：板部，支持該基板保持構件，且在由該基板保持構件所保持之基板的下方靠近基板，該基板周圍構件包含該板部及該基板保持構件，該光投射器及該光接收器設有2組，該等2組光投射器及光接收器之中的第1組光投射器及光接收器，所設置之位置為：從該第1組光投射器朝向光接收器之檢測光的光路，當基板以正常狀態保持於該基板保持構件時，不會通過該基板，而是通過該基板保持構件的前端部；另一方面，當基板滑移至該基板保持構件上時，從該第1組光投射器朝向光接收器之檢測光的光路，會被滑移的基板遮斷；該等2組光投射器及光接收器之中的第2組光投射器及光接收器，所設置之位置為：從該第2組光投射器朝向光接收器之檢測光的光路設定於在上下方向通過該板部之位置，而且從該第2組光投射器朝向光接收器之檢測光的光路，當基板以正常狀態保持於該基板保持構件時，會被以該正常狀態保持的基板遮斷。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板周圍構件包含：將該基板保持構件所保持之基板的周圍予以包圍之基板包圍構件，該光投射器及該光接收器之中的至少一方係配置於該基板包圍構件的外側。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中更具備：處理液噴嘴，對該基板保持部所保持之基板供給處理液；及旋轉驅動機構，使該基板保持構件旋轉； 該基板包圍構件係為一杯體，用於承擋自該處理液噴嘴供給至基板並因離心力往基板的外方飛濺之處理液，而該光投射器及該光接收器配置於該杯體的外側。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有收容該基板保持構件及該基板周圍構件之框體，而該光投射器設置於該框體的外側。
  10. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板由矽或矽化合物所構成，該光路所通過之該基板周圍構件由樹脂材料所構成。
  11. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該波長為1100nm以下。
  12. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該光投射器具有LED(發光二極體)作為發光元件。
  13. 一種基板處理方法，包含下列步驟：以基板保持構件保持基板；自光投射器照射檢測光，並且由光接收器接收該檢測光，而依據該光接收器之光接收的有無或光接收狀態，來判定該基板保持構件的基板保持狀態；及在判定了該基板被該基板保持構件適當地保持之後，對該基板保持構件所保持之該基板供給處理流體來對該基板施以處理；該光投射器及該光接收器所設置之位置為：從該光投射器朝向該光接收器之檢測光的光路會通過當由該基板保持構件保持基板時有基板存在之區域，而且會通過基板周圍構件，該基板周圍構件係為基板處理裝置的構成構件，位於該基板的周圍； 由該光投射器照射的檢測光，具有透射該基板周圍構件而且不透射基板之波長。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，在判定了該基板未保持在該基板保持構件或是被不適當地保持時，不進行該基板的處理，而是通知判定結果。
  15. 如申請專利範圍第13或14項之基板處理方法，其中，該基板保持狀態的判定，係在處理開始之後亦持續執行，當判定了保持狀態產生異常時，則停止該基板的處理，並通知判定結果。
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